DE4135802A1

DE4135802A1 - Lichtempfindliches teil fuer die elektrophotographie

Info

Publication number: DE4135802A1
Application number: DE4135802A
Authority: DE
Inventors: Yukihiro Maruta
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 1990-11-01
Filing date: 1991-10-30
Publication date: 1992-06-04
Anticipated expiration: 2011-10-31
Also published as: JP2674302B2; US5162182A; JPH04170554A; DE4135802C2

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein lichtempfindliches Teil für die Elektrophotographie, welches in elektrophoto graphischen Vorrichtungen wie beispielsweise Kopiergeräten, Druckern und Faksimileapparaten verwendet wird, bei denen für die Belichtung kohärentes Licht wie beispielsweise Laser licht eingesetzt wird.

Nach dem Stand der Technik müssen die lichtempfindlichen (photoempfindlichen) Teile für die Elektrophotographie eine hohe Empfindlichkeit aufweisen, eine lange Lebensdauer und eine hohe Wärmewiderstandsfähigkeit, und sie müssen über einen langen Zeitraum Bilder mit hoher Qualität zur Verfü gung stellen. In jüngster Zeit wurden elektrophotographi sche Geräte wie beispielsweise Kopiergeräte, Drucker und Faksimileapparate in der Praxis eingesetzt, bei welchen Bilder dadurch erzeugt werden, daß ein lichtempfindliches Teil optisch mit einem Laserlicht abgetastet wird, welches abhängig von einer digitalen Bildinformation moduliert ist, um das lichtempfindliche Teil zu belichten. Bei derartigen elektrophotographischen Geräten wurden Halbleiterlaser klei ner Größe in großem Ausmaß als Laserlichtquellen eingesetzt. Die in derartigen Geräten verwendeten lichtempfindlichen Tei le müssen äußerst empfindlich für den Halbleiterlaserstrahl sein, dessen Wellenlänge in einem Bereich zwischen 750 bis 800 nm liegt.

Als derartige lichtempfindliche Teile für die Elektrophoto graphie sind lichtempfindliche Teile mit getrennten Funktio nen bekannt, bei denen selenhaltige Materialien als photo leitende Materialien eingesetzt werden, und die ein Substrat aufweisen, auf welchem drei bis vier laminierte lichtempfind liche Schichten vorgesehen sind. Die lichtempfindlichen Tei le mit getrennten Funktionen sind beispielsweise in der US-PS 36 55 377 und den japanischen offengelegten Patentanmel dungen Nr. 4240/1977 und 77 744/1980 beschrieben. Die licht empfindlichen Teile weisen im wesentlichen einen Aufbau auf, der - wie in Fig. 6 gezeigt ist - ein leitfähiges Substrat 1 aufweist, auf welchem in dieser Reihenfolge eine Ladungs transportschicht (CTL) 2, eine Ladungserzeugungsschicht (CGL) 3 und eine Beschichtungsschicht (OCL) 4 vorgesehen sind.

Das lichtempfindliche Teil mit getrennten Funktionen, wel ches mit derartigen laminierten lichtempfindlichen Schich ten versehen ist, ergibt keine Bilder hoher Qualität, da ein für die Belichtung des Teils verwendetes Laserlicht Mehrfach reflexionen in dessen lichtempfindlicher Schicht verursacht, und dies führt dazu, daß ein Interferenzmuster auf den sich ergebenden Bildern erzeugt wird, insbesondere bei Halbton- Punktbildern.

Fig. 7 ist ein schematisches Diagramm zur Erläuterung der Mehr fachreflexion, die man beobachtet, wenn ein konventionelles lichtempfindliches Teil mit getrennten Funktionen, das übli cherweise eingesetzt wird und einen in Fig. 6 dargestellten Aufbau hat, mit Laserlicht bestrahlt wird. Fig. 7 erläutert die Mehrfachreflexion, die von einem Laserlicht erzeugt wird, welches diagonal auf die Oberfläche des konventionellen licht empfindlichen Teils mit getrennten Funktionen auffällt, um in naheliegender Weise eine Reflexion an einer Grenzfläche zwi schen CGL 3 und OCL 4 zu erläutern. Ein Teil eines Laserlich tes 6, welches auf die Oberfläche des lichtempfindlichen Teils auftrifft, wird an der Grenzfläche zwischen der Luft und OCL 4 infolge des Unterschiedes zwischen den Brechungsindices die ser beiden Teile reflektiert, wogegen das übrige Laserlicht I durch OCL 4 gelangt und auf CGL 3 auftrifft. In diesem Zustand wird ein Teil des Lasers I ebenfalls an der Grenzfläche zwi schen CGL 3 und OCL 4 reflektiert, infolge des Unterschiedes der Brechungsindices dieser beiden, jedoch wird reflektiertes Licht teilweise an der Grenzfläche zwischen der Luft und OCL 4 reflektiert, so daß ein reflektiertes Licht R₁ gebildet wird, welches zum Teil an der Grenzfläche zwischen CGL 3 und OCL 4 reflektiert wird, und das übrige Licht läßt man auf CGL 3 auffallen. Ein Teil des Lichtes R₁, welches an der Grenz fläche zwischen CGL 3 und OCL 4 reflektiert wird, wird weiter hin an der Grenzfläche zwischen der Luft und OCL 4 teilweise reflektiert, um reflektiertes Licht R₂ zu bilden, welches - ebenso wie das Licht R₁- durch OCL 4 gelangt und teilweise an der Grenzfläche zwischen CGL 3 und OCL 4 reflektiert wird, und das übrige Licht läßt man auf CGL 3 auffallen. Wie voran stehend erläutert wurde, erfährt das einfallende Licht, wel ches an der Grenzfläche zwischen CGL 3 und OCL 4 reflektiert wird, innerhalb OCL 4 eine mehrfache Reflexion, und dieses Licht läßt man auf CGL 3 auffallen, und das Licht 8, welches auf CGL 3 auftrifft, ist das Interferenzlicht von I₁, R₁, R₂, ... Daher ändert sich die Intensität des Laserlichtes, welches vertikal auf CGL 3 auftrifft, abhängig von der Dicke von OCL 4, und wenn die Abweichung der Filmdicken dieser Schicht und die Wellenlänge des Laserlichtes als n₁, d und λ festgelegt werden, dann ist die Anzahl (m) der erzeugten Interferenzstreifen gleich 2n₁d/λ.

Das vertikal auf die lichtempfindliche Schicht auftreffende Laserlicht erfährt innerhalb der Beschichtungsschicht (OCL) 4 eine Mehrfachreflexion, und das reflektierte Licht bewirkt eine Interferenz, infolge der Kohärenz des Laserlichtes. Wenn in diesem Falle OCL 4 eine Abweichung bezüglich der Filmdicke aufweist, wird das reflektierte Licht verstärkt oder geschwächt infolge der Interferenz, und entsprechend wird die Anzahl der Ladungen, die innerhalb einer Ladungs erzeugung (CGL) 3 erzeugt werden, erhöht oder verringert. Dies führt dazu, daß ein Interferenzmuster erzeugt wird. Darüber hinaus erreicht das Laserlicht, welches nicht durch CGL 3 absorbiert und hierdurch durchgelassen wird, die Ober fläche des leitfähigen Substrates 1, und dies führt zu ei ner gewöhnlichen Reflexion, und das reflektierte Licht be wirkt eine Mehrfachreflexion innerhalb von CTL 2, so daß eine Interferenz erzeugt wird. Wenn in diesem Falle CTL 2 eine Abweichung in bezug auf die Filmdicke aufweist, so wird das reflektierte Licht infolge der Interferenz ver stärkt oder geschwächt, wie voranstehend in Verbindung mit OCL 4 erläutert wurde, und dies führt ebenfalls dazu, daß das Interferenzmuster erscheint. Die infolge dieser Phäno mene entstehenden Interferenzmuster, die einander überlagert sind, erscheinen häufig auf dem sich ergebenden Bild.

Es sind Methoden bekannt, um das letztgenannte Interferenz muster zu eliminieren, welches von dem Licht herrührt, das sich durch CGL ausbreitet und von der Oberfläche des Sub strates reflektiert wird, und zwar durch Behandlung der Ober fläche des Substrates. Diese Methoden sind beispielsweise in den offengelegten japanischen Patentanmeldungen Nr. 2 25 854/1985, 2 54 168/1985 und 1 67 761/1989 beschrieben. Allerdings wurde bislang keine Einrichtung zum Eliminieren des erstge nannten Interferenzmusters entwickelt, welches von dem Licht herrührt, das direkt auf CGL auftrifft.

Wie voranstehend beschrieben wurde, weist das lichtempfind liche Teil des Selentyps mit getrennten Funktionen einen grundsätzlichen Aufbau auf, wie er in Fig. 6 dargestellt ist. Im Falle eines lichtempfindlichen Teils mit einem derartigen Aufbau trägt das direkt auf das Teil auftreffende Laserlicht wesentlich zur Erzeugung von Ladungen bei, verglichen mit dem Beitrag des Laserlichtes, welches sich durch CGL ausbreitet und durch die Oberfläche des Substrates reflektiert wird. Aus diesem Grund wird das Interferenzmuster, welches infolge der Interferenz aufgrund der Mehrfachreflexion innerhalb OCL des Laserlichtes erzeugt wird, welches auf das lichtempfindliche Teil auftrifft, leichter gebildet als das Interferenzmuster, welches infolge der Interferenz aufgrund der Mehrfachrefle xion innerhalb CTL des Laserlichtes entsteht, welches von der Substratoberfläche reflektiert wird. Unter solchen Umständen haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung vermutet, daß es notwendigerweise wichtiger und wirksamer ist, den Effekt der erstgenannten Interferenz zu eliminieren, als den Einfluß der letztgenannten Interferenz zu eliminieren, um das Problem der Ausbildung von Interferenzmustern zu lösen.

Daher besteht ein Vorteil der vorliegenden Erfindung in der Bereitstellung eines lichtempfindlichen Teils für die Elek trophotographie, welches ein leitfähiges Substrat aufweist, auf welchem in dieser Reihenfolge zumindest eine CTL, eine CGL und eine OCL angeordnet sind, und welches die Ausbildung irgendeines Interferenzmusters auf den sich ergebenden Bil dern unterdrücken kann, die sich aufgrund der Interferenz infolge mehrfacher Reflexionen innerhalb der OCL ergeben, selbst wenn kohärentes Licht wie beispielsweise Laserlicht dazu eingesetzt wird, das lichtempfindliche Teil zu belich ten.

Der voranstehend angegebene Vorteil der vorliegenden Erfindung läßt sich wirksam dadurch erzielen, daß ein lichtempfindliches Teil für die Elektrophotographie bereitgestellt wird, welches ein leitfähiges Substrat und eine auf dem leitfähigen Substrat ausgebildete lichtempfindliche Schicht aufweist, wobei die lichtempfindliche Schicht eine Ladungserzeugungsschicht auf weist, die infolge einer Bestrahlung mit Licht Ladungen er zeugen kann, eine Ladungstransportschicht, die zwischen der Ladungserzeugungsschicht und dem leitfähigen Substrat ange ordnet ist, und welche die in der Ladungserzeugungsschicht erzeugten Ladungen zu dem leitfähigen Substrat befördern kann, und eine Beschichtungsschicht, um die Ladungstransportschicht und die Ladungserzeugungsschicht zu schützen, sowie eine In terferenz-Steuerschicht, die zwischen der Beschichtungsschicht und der Ladungserzeugungsschicht angeordnet ist, wobei die Interferenz-Steuerschicht einen Brechungsindex aufweist, der im wesentlichen gleich dem geometrischen Mittel der Brechungs indices der Ladungserzeugungsschicht und der Beschichtungs schicht und eine Filmdicke hat, so daß die optische Phasen differenz im wesentlichen gleich (π/2+nπ)rad ist, wobei n = 0 oder 1 ist.

Die Ladungstransportschicht kann aus einem Material gebildet werden, welches aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus reinem Se und Se-Legierungen besteht.

Die Ladungserzeugungsschicht kann aus einer Se-Te-Legierung gebildet werden, in welcher die Se-Te-Legierung wiederum eine Se-Te-Legierung mit einem hohen Te-Gehalt sein kann, beispielsweise eine solche Legierung, die eine Te-Konzentra tion von etwa 43 Gew.-% aufweist.

Die Beschichtungsschicht kann eine Se-Legierung aufweisen, in welcher die Se-Legierung eine Se-Te-Legierung ist. Darüber hinaus kann die Se-Te-Legierung eine Se-Te-Legierung mit ei nem niedrigen Te-Gehalt sein, beispielsweise eine solche Le gierung, die eine Te-Konzentration von etwa 5 Gew.-% aufweist. Darüber hinaus kann die Se-Legierung, welche die Beschich tungsschicht bildet, eine Se-As-Legierung sein. Die Se-As- Legierung kann eine Se-As-Legierung mit einem niedrigen As- Gehalt sein, beispielsweise eine solche, die eine As-Konzen tration von 5 Gew.-% aufweist.

Die Interferenz-Steuerschicht kann aus einer Se-Te-Legierung gebildet sein, in welcher die Se-Te-Legierung eine Se-Te-Le gierung ist, die einen Te-Gehalt von nicht weniger als etwa 20 Gew.-% und nicht mehr als etwa 28 Gew.-% aufweist. Die Dicke der Interferenz-Steuerschicht sollte nicht weniger als 0,04 µm und nicht mehr als 0,09 µm oder nicht weniger als 0,17 µm und nicht mehr als 0,22 µm betragen.

Wenn ein Halbleiterlaser (Wellenlänge: 780 nm) als eine Licht quelle für die Belichtung verwendet wird, so ist es wirksam, ein lichtempfindliches Teil zu verwenden, in welchem die La dungstransportschicht aus reinem Selen oder einer Se-Legierung gebildet wird, die Ladungserzeugungsschicht aus einer Se-Te- Legierung gebildet ist, die Beschichtungsschicht aus einer Se- Legierung gebildet ist, und die Interferenz-Steuerschicht aus einer Se-Te-Legierung gebildet ist.

Bei einer bestimmten Ausführungsform wird die Ladungserzeu gungsschicht aus einer Se-Te-Legierung mit einem hohen Te-Ge halt gebildet, wobei eine Te-Konzentration von etwa 43 Gew.-% vorgesehen ist, die Beschichtungsschicht wird entweder aus einer Se-Te-Legierung gebildet, die einen niedrigen Te-Gehalt von etwa 5 Gew.-% aufweist, oder aus einer Se-As-Legierung, die einen niedrigen As-Gehalt mit einer As-Konzentration von etwa 5 Gew.-% aufweist, die Interferenz-Steuerschicht wird aus einer Se-Te-Legierung gebildet, welche eine Te-Konzentra tion von nicht weniger als etwa 20 Gew.-% und nicht mehr als etwa 28 Gew.-% aufweist, und die Filmdicke der Interferenz- Steuerschicht wird so eingestellt, daß sie nicht weniger als 0,04 µm und nicht mehr als 0,09 µm und nicht mehr als 0,22 µm beträgt.

Die voranstehenden und weitere Zielrichtungen, Wirkungen, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nach stehend anhand der Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt:

Fig. 6 eine schematische Querschnittsansicht mit einer Dar stellung eines konventionellen lichtempfindlichen Teils;

Fig. 7 ein schematisches Diagramm zur Erläuterung der Mehr fachreflexion, die auftritt, wenn kohärentes Licht auf das in Fig. 6 gezeigte lichtempfindliche Teil auffällt;

Fig. 8 ein Vektordiagramm zur Erläuterung des Fresnel-Ober flächenamplituden-Reflexionsvermögens des in Fig. 6 dargestellten lichtempfindlichen Teils;

Fig. 1 eine schematische Querschnittsansicht mit einer Dar stellung einer Ausführungsform eines lichtempfind lichen Teils gemäß der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2 ein schematisches Diagramm zur Erläuterung einer Mehrfachreflexion, die auftritt, wenn kohärentes Licht auf das in Fig. 1 gezeigte lichtempfindliche Teil auftrifft;

Fig. 3 ein Vektordiagramm zur Erläuterung des Fresnel- Oberflächenamplituden-Reflexionsvermögens des in Fig. 1 gezeigten lichtempfindlichen Teils, welches auftritt, wenn eine optische Phasendifferenz der Filmdicke einer Interferenz-Steuerschicht im wesent lichen gleich π/2 ist (im Bogenmaß);

Fig. 4 ein Vektordiagramm zur Erläuterung des Fresnel- Oberflächenamplituden-Reflexionsvermögens des in Fig. 1 gezeigten lichtempfindlichen Teils, welches beobachtet wird, wenn die optische Phasendifferenz der Filmdicke der Interferenz-Steuerschicht im we sentlichen gleich π/2 ist (im Bogenmaß), und die optische Abweichung bezüglich der Filmdicke ± π/8 ist; und

Fig. 5A bis 5D Ansichten von Diagrammen, die jeweils ein spektrales Oberflächenreflexionsvermögen der licht empfindlichen Teile zeigen, die bei der Ausführungs form 1 oder 2 oder in einem Vergleichsbeispiel 1 oder 2 erhalten wurden.

Nachstehend wird unter Bezug der beigefügten Figuren die vor liegende Erfindung eingehender erläutert.

Fig. 1 ist eine schematische Querschnittsansicht mit einer Darstellung einer Ausführungsform des lichtempfindlichen Teils gemäß der vorliegenden Erfindung. In Fig. 1 sind Bauteile, die gleich oder ähnlich den Bauteilen des konven tionellen lichtempfindlichen Teils sind, wie es in Fig. 6 ge zeigt ist, jeweils durch die gleichen entsprechenden numeri schen Werte repräsentiert.

Bei dem lichtempfindlichen Teil gemäß der vorliegenden Erfin dung ist eine Interferenz-Steuerschicht (ICL) 5 zwischen OCL 4 und CGL 3 angeordnet, wie in Fig. 1 dargestellt ist. Wenn das lichtempfindliche Teil, welches einen derartigen Aufbau aufweist, mit einem Laserlicht bestrahlt wird, so wird eine Mehrfachreflexion in OCL 4 und ICL 5 beobachtet, etwa so wie in Fig. 2 gezeigt, wobei die Laserlichtstrahlen R₁₁, R₁₂ . . ., die infolge der Mehrfachreflexion innerhalb OCL 4 er zeugt werden, beinahe vollständig durch die Laserlichtstrah len R₂₁, R₂₂ . . . ausgelöscht werden können, die infolge der Mehrfachreflexion innerhalb ICL 5 entstehen. Fig. 2 er läutert die Mehrfachreflexion, die durch ein Laserlicht er zeugt wird, welches diagonal auf die Oberfläche des Licht empfindlichen Teils gemäß der vorliegenden Erfindung auf trifft, um deutlich die Reflexion an Grenzflächen zwischen OGL 4 und ICL 5 und zwischen CGL 3 und ICL 5 zu erläutern. Dies führt dazu, daß die Intensität des vertikal auf CGL 3 einfallenden Laserlichts gleichförmig wird, und daß daher die Ausbildung irgendeines Interferenzmusters wirksam eli miniert werden kann, wenn der Brechungsindex und die Dicke von ICL 5 geeignet ausgewählt werden, wie nachstehend noch im einzelnen erläutert wird.

Das Prinzip des Brechungsindex und der Dicke der ICL 5 wird nachstehend theoretisch diskutiert. Die Verstärkung und Ab schwächung von Laserlicht, welches an CGL 3 infolge der In terferenz übertragen wird, entspricht der Verstärkung und Ab schwächung des Oberflächenamplituden-Reflexionsvermögens des lichtempfindlichen Teils. Um das auf CGL 3 auftreffende Laserlicht gleichförmig zu machen, müssen daher die Licht strahlen 7, die auf die Oberfläche des lichtempfindlichen Teils reflektiert werden, gleichförmig gemacht werden.

Andererseits ergibt sich ein Oberflächenamplituden-Reflexions vermögen R eines konventionellen lichtempfindlichen Teils, welches in Fig. 6 gezeigt ist, aus der folgenden Gleichung (1):

R = γ₁ + γ₂ · exp(-2iδ₁) - γ₁ · γ₂² · exp(-4iδ₁) + γ₁² · γ₂³ · exp(-6iδ₁) (1)

wobei γ₁ und γ₂ ein Fresnel-Reflexionsvermögen an der Grenzfläche zwischen OCL 4 und der Luft bzw. ein Fresnel- Reflexionsvermögen an der Grenzfläche zwischen OCL 4 und CGL 3 repräsentieren und durch die nachfolgenden Gleichun gen (2-1) und (2-2) gegeben sind, wenn die Brechungsindices der Luft, von OCL 4 und von CGL 3 als n₀, n₁ bzw. n₂ definiert werden:

γ₁ = (n₁ - n₀)/(n₁ - n₀) (2-1)

γ₂ = (n₂ - n₁)/(n₂ + n₁) (2-2)

Weiterhin stellt δ₁ eine optische Phasendifferenz dar und ergibt sich aus der folgenden Gleichung (3), wenn die Wellen länge des Laserlichtes und die Dicke von OCL 4 durch λ bzw. d gegeben sind:

δ₁ = 2π · n₁ · d/λ (3)

In der Gleichung (1) können das dritte Glied und höhere Glie der vernachlässigt werden.

Die voranstehenden Überlegungen lassen sich anhand eines Vek tordiagramms ausdrücken, welches in Fig. 8 erläutert ist. Fig. 8 zeigt ein Beispiel, in welchem die Werte für die Brechungs indices n₀, n₁ und n₂ und für die Wellenlänge des Laser lichtes λ gegeben sind durch 1, 2,5, 3,5 bzw. 0,78 µm. In die sem Falle lassen sich γ₁ und γ₂ berechnen zu 0,429 und 0,167 entsprechend Gleichung (2), und die Trajektorie des Oberflächenamplituden-Reflexionsvermögens R wird ein Kreis, wie in Fig. 8 dargestellt ist, wenn es eine Abweichung bezüg lich der Filmdicke gibt, so daß die optische Phasendifferenz größer oder gleich 2π ist (Bogenmaß). Das Maximum und Minimum von R in Fig. 8 entspricht der Größe von R, die dann auftritt, wenn infolge der Interferenz eine Verstärkung oder Abschwä chung erfolgt. Werden diese Werte als R_max bzw. R_min defi niert, so läßt sich die Differenz R_max-R_min zu 0,334 be rechnen.

Nachstehend wird das lichtempfindliche Teil erläutert, wel ches mit ICL 5 gemäß Fig. 1 versehen ist. In diesem Fall er gibt sich das Oberflächenamplituden-Reflexionsvermögen R des lichtempfindlichen Teils aus der folgenden Gleichung (4):

R = γ₁ + γ₂ · exp(-2iδ₁) - γ₃ · exp[-2i(δ₁ + δ₂)] (4)

wobei γ₁, γ₂ und γ₃ das Fresnel-Reflexionsvermögen re präsentieren, welches an der Grenzfläche zwischen Luft und OCL 4, an der Grenzfläche zwischen OCL 4 und ICL 5, bzw. an der Grenzfläche zwischen ICL 5 und CGL 3 beobachtet wird, und sich aus einer der nachfolgenden Gleichungen (5-1), (5-2), bzw. (5-3) ergibt, wenn die Brechungsindices von Luft, OCL 4, ICL 5, und CGL 3 festgelegt werden als n₀, n₁, n₂ bzw. n₃:

γ₁ = (n₁ - n₀)/(n₁ + n₀) (5-1)

γ₂ = (n₂ - n₁)/(n₂ + n₁) (5-2)

γ₃ = (n₃ - n₂)/(n₃ + n₂) (5-3)

Weiterhin stellen δ₁ und δ₂ optische Phasendifferenzen dar und ergeben sich aus den folgenden Gleichungen (6-1) und (6-2), wenn die Wellenlänge des Laserlichtes und die Film dicke von OCL 4 und ICL 5 als λ, d₁ bzw. d₂ definiert werden:

w₁ = 2π · n₁ · d₁/λ (6-1)

δ₂ = 2π · n₂ · d₂/λ (6-2)

In Gleichung (4) können das vierte Glied und höhere Glieder vernachlässigt werden.

Die voranstehenden Überlegungen lassen sich durch ein Vektor diagramm ausdrücken, welches in Fig. 3 dargestellt ist. Bei der in Fig. 3 gezeigten Ausführungsform wird angenommen, daß die Brechungsindices n₀, n₁, n₂ und n₃ und die Wellen länge des Laserlichtes λ 1, 2,5, 3,0, 3,5 bzw. 0,78 µm betra gen. Weiterhin weisen OCL 4 und ICL 5 jeweils Filmdickenabwei chungen auf, so daß die optische Phasendifferenz 62 gleich π/2 (Bogenmaß) ist.

In diesem Falle bilden die Vektoren γ₂ und γ₃ einen Winkel von 2δ₂, also π (Bogenmaß), und die Richtungen dieser Vekto ren verlaufen einander entgegengesetzt. Darüber erfüllt der Brechungsindex n₂ von ICL 5 in der Größenordnung von 3,0 im wesentlichen die Antireflexionsanforderung: n₂ ² = n₁·n₃ in bezug auf OCL 4 (Brechungsindex n₁= 2,5) und CGL 3 (Brechungsindex n₃= 3,5). In diesem Falle lassen sich γ₁, γ₂ und γ₃ als 0,429, 0,091 bzw. 0,077 berechnen entspre chend Gleichung (5), und daher wird γ₂ im wesentlichen durch q₃ ausgeglichen, wie in Fig. 6 gezeigt ist, und die Trajek torie des Oberflächenamplituden-Reflexionsvermögens R wird ein Kreis, der erheblich kleiner ist als der in Fig. 8 dar gestellte Kreis. Die Differenz R_max-R_min ist sehr klein und liegt in der Größenordnung von 0,028. Dies bedeutet, daß die Verstärkung und Abschwächung dieser Größe infolge der Interferenz wesentlich verringert wird, verglichen mit dem lichtempfindlichen Teil, welches keine ICL 5 aufweist.

In der Praxis weist ICL 5 ebenfalls eine Abweichung der Film dicke auf. Falls die Abweichung der Filmdicke von ICL 5 ± π/8 beträgt (Bogenmaß), ausgedrückt anhand der optischen Phasendifferenz, so verläuft die Richtung von γ₁ nicht vollständig entgegengesetzt zu der von γ₃, und diese bei den bilden einen Winkel von π/4 (Bogenmaß). Dies läßt sich durch ein Vektordiagramm ausdrücken, wie es in Fig. 4 ge zeigt ist. In diesem Falle beträgt die Differenz R_max-R_min 0,13, und dies ist etwas weniger als 40% des Wertes für das Material, welches keine ICL 5 aufweist.

Die Dicke d₂ von ICL 5 ergibt sich aus der folgenden Glei chung (7):

d₂ = δ₂ · λ/(2π · n₂) (7)

Wie voranstehend beschrieben wurde, muß, damit die Richtun gen von γ₂ und γ₃ in entgegengesetzten Richtungen verlau fen, die optische Phasendifferenz δ₂ gleich π/2 (Bogenmaß) sein, 3π/2 (Bogenmaß), 5π/2 (Bogenmaß), . . ., und in jedem Fall muß die Dicke von ICL 5 einen Wert von 650 Å, 1950 Å, 3250 Å, . . ., aufweisen. In diesem Fall wird die Dicke von d₂ von ICL 5 berechnet unter der Annahme, daß jede Schicht ei ne Abweichung der Filmdicke von ± π/8 (Bogenmaß) aufweist, ausgedrückt anhand der optischen Phasendifferenz. Die erhaltenen Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle 1 dargestellt.

Tabelle 1

Wie aus den in Tabelle 1 aufgeführten Daten hervorgeht, muß dann, wenn δ₂ den Wert 5π/2 ± π/8 übersteigt, ICL so ge wählt werden, daß die Abweichung der Filmdicke 9% oder klei ner wird, jedoch ist dies vom technischen Standpunkt aus sehr schwierig. Aus diesem Grunde wird d₂ so gewählt, daß es nicht kleiner als 400 Å und nicht größer als 900 Å ist, oder nicht kleiner als 1700 Å und nicht größer als 2200 Å, vom Standpunkt der praktischen Anwendbarkeit aus.

Wie voranstehend erläutert wurde, kann bei einem lichtempfind lichen Teil, welches ein leitfähiges Substrat aufweist, auf welchem in dieser Reihenfolge eine CTL, eine CGL, und eine OCL angeordnet sind, die Ausbildung eines Interferenzmusters auf den sich ergebenden Bildern infolge der Mehrfachreflexion innerhalb OCL eines kohärenten Lichtes wie beispielsweise Laserlichtes dadurch eliminiert werden, daß zwischen OCL (Brechungsindex = n₁) und CGL (Brechungsindex = n₃) eine ICL angeordnet wird, die einen Brechungsindex aufweist, der im wesentlichen gleich dem geometrischen Mittel von n₁ und n₃ ist und das Antireflexionserfordernis erfüllt (n₂ ² = n₁·n₃), und welche eine Dicke aufweist, so daß die op tische Phasendifferenz etwa π/2 (Bogenmaß) oder 3π/2 (Bogen maß) beträgt, selbst wenn OCT eine Abweichung der Filmdicke von 2π (Bogenmaß) aufweist, ausgedrückt anhand der optischen Phasendifferenz.

Wenn ein Halbleiterlaser (Wellenlänge 780 nm) als Quelle des kohärenten Lichtes verwendet wird, weist das lichtempfindli che Teil vorzugsweise eine CTL aus reinem Se oder einer Se- Legierung auf, eine OCL aus einer Se-Legierung, und eine ICL aus einer Se-Te-Legierung. Auf diese Weise weist das sich er gebende lichtempfindliche Teil eine hohe Empfindlichkeit auf, gute Elektrifizierungseigenschaften, und eine lange Lebens dauer, und kann über einen langen Zeitraum Bilder hoher Qua lität erzeugen.

Bei einer bestimmten Ausführungsform wird CGL aus einer Se- Te-Legierung mit einem hohen Te-Gehalt gebildet, welche eine Te-Konzentration von etwa 43 Gew.-% aufweist (mit einem Bre chungsindex von etwa 3,5), OCL wird entweder aus einer Se- Te-Legierung mit einem niedrigen Te-Gehalt gebildet, die ei ne Te-Konzentration von etwa 5 Gew.-% aufweist, oder aus ei ner Se-As-Legierung mit einem niedrigen As-Gehalt mit einer As-Konzentration von etwa 5 Gew.-% (die jeweils einen Bre chungsindex von etwa 2,5 aufweisen), ICL wird aus einer Se- Te-Legierung gebildet, die eine Te-Konzentration von nicht weniger als etwa 20 Gew.-% aufweist und von nicht mehr als etwa 28 Gew.-% (mit einem Brechungsindex von etwa 3,0), und die Filmdicke der ICL wird so eingestellt, daß sie nicht kleiner ist als 0,04 µm und nicht größer als 0,09 µm, oder nicht kleiner als 0,17 µm und nicht größer als 0,22 µm. Wenn die Filmdicke der ICL in den voranstehend angegebenen Bereich fällt, wäre die Absorption von Licht durch ICL an sich ver nachlässigbar, da die Schicht sehr dünn ist.

Nachstehend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfin dung beschrieben.

Vergleichsbeispiel 1

Wie in Fig. 6 gezeigt ist, wurde ein lichtempfindliches Teil durch Vakuumablagerung einer CTL 2 aus reinem Selen auf einem zylindrischen Aluminiumsubstrat 1 mit einer Dicke von 60 µm hergestellt, durch eine darauffolgende Vakuumablagerung einer Zwischenschicht aus einer Se-Te-Legierung mit einem leichten Konzentrationsgradienten des Te in einem Bereich von 5 bis 22,5 Gew.-% auf CTL 2 mit einer Dicke von 2 µm, mit einer darauffolgenden Vakuumablagerung einer Se-Te-Legierung mit einem Te-Gehalt von 43 Gew.-% (Brechungsindex 3,5) auf der Zwischenschicht in einer Dicke von 0,3 µm, um eine CGL 3 aus zubilden, und durch eine Vakuumablagerung einer Se-Te-Legie rung mit einem Te-Gehalt von 5 Gew.-% (Brechungsindex 2,5) auf CGL 3 mit einer solchen Dicke, daß deren Durchschnitts dicke 3 µm betrug und eine Dickenabweichung 0,5 µm war, so daß - mit anderen Worten - deren Dicke sich innerhalb des Bereiches von 2,5 auf 3,5 µm änderte.

Das auf diese Weise hergestellte lichtempfindliche Teil wies eine hervorragende Qualität auf, es zeigte beispielsweise nur eine leichte Variation in der Empfindlichkeit und der fest gestellten Ladung, nachdem das Teil wiederholt 500 Ladungs zyklen unterworfen wurde, wobei jeder Zyklus eine Ladung und eine Entladung der Ladung durch Licht umfaßte, und das Teil wies eine niedrige Restspannung auf. Wenn das lichtempfind liche Teil allerdings an einem Drucker angebracht wurde, in welchem ein Halbleiterlaser als eine Lichtquelle für die Be lichtung verwendet wurde, und bei welchem Halbton-Tonerbil der ausgedruckt wurden, so zeigte sich deutlich auf dem ge samten Bild ein Interferenzmuster, welches der Dickenabwei chung von OCL 4 entsprach.

Ausführungsform 1

Auf dieselbe Weise, die bei dem Vergleichsbeispiel 1 verwen det wurde, wurden eine CTL 2 und eine CGL 3 auf einem zylin drischen Aluminiumsubstrat 1 gebildet, dann wurde eine Se- Te-Legierung mit einem Te-Gehalt von 22,5 Gew.-% (Brechungs index 3,0) im Vakuum auf CGL 3 mit einer Dicke von 0,06 µm abgelagert, um eine ICL 5 zu bilden, und eine OCL 4 wurde auf ICL 5 über eine Vakuumablagerung auf dieselbe Weise auf gebracht, die bei dem Vergleichsbeispiel 1 verwendet wurde, um so ein lichtempfindliches Teil zu erzeugen, welches einen in Fig. 1 gezeigten Aufbau aufwies.

Das auf diese Weise erhaltene lichtempfindliche Teil wies hervorragende elektrophotographische Eigenschaften auf. Wenn das lichtempfindliche Teil an einem Drucker angebracht wurde, bei welchem ein Halbleiterlaser als eine Lichtquelle für die Belichtung verwendet wurde, und bei welchem Halbton-Tonerbil der ausgedruckt wurden, wurden darüber hinaus klare Bilder mit hoher Qualität erhalten, und es zeigte sich überhaupt nicht irgendein Interferenzmuster aufgrund der Dickenabwei chung von OCL 4. Darüber hinaus diente die ICL 5 des licht empfindlichen Teils dazu, eine thermische Diffusion des Te von CGL 3 auf OCL 4 zu verhindern, und dies führte dazu, daß das Teil eine wesentlich verringerte Variation der Empfind lichkeit zeigte, nachdem es wiederholt 500 Ladungszyklen un terworfen wurde, wobei jeder Zyklus ein Laden und ein Löschen der Ladung durch Licht umfaßte.

Ausführungsbeispiel 2

Es wurde auf dieselbe Weise wie bei der Ausführungsform 1 ein lichtempfindliches Teil hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Dicke der ICL 5 von 0,06 µm auf 0,19 µm geändert wurde.

Das sich ergebende lichtempfindliche Teil zeigte hervorragen de Eigenschaften, die beinahe vergleichbar waren mit den Ei genschaften des lichtempfindlichen Teils, welches bei der Aus führungsform 1 erhalten wurde.

Vergleichsbeispiel 2

Es wurde ein lichtempfindliches Teil auf dieselbe Weise wie bei der Ausführungsform 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Dicke der ICL 5 von 0,06 µm auf 0,13 µm geändert wurde.

Das sich ergebende lichtempfindliche Teil zeigte hervorragen de elektrophotographische Eigenschaften, die beinahe ver gleichbar waren mit denen des lichtempfindlichen Teils, wel ches bei der Ausführungsform 1 erhalten wurde, wenn das licht empfindliche Teil jedoch bei einem Drucker eingesetzt wurde, bei welchem ein Halbleiterlaser als eine Lichtquelle für die Belichtung eingesetzt wurde, und bei welchem Halbton-Toner bilder ausgedruckt wurden, zeigte sich deutlich auf dem ge samten Bild ein Interferenzmuster, welches der Dickenabwei chung von OCL 4 entsprach. Darüber hinaus diente ICL 5 des lichtempfindlichen Teils zur Verhinderung der thermischen Dif fusion des Te von CGL 3 auf OCL 4, und dies führte dazu, daß das Teil eine wesentlich verringerte Variation der Empfind lichkeit zeigte, nachdem es wiederholt 500 Ladungszyklen un terworfen wurde, wobei jeder Zyklus das Laden und das Löschen der Ladung durch Licht umfaßte, wie bei dem lichtempfindlichen Teil, welches bei der Ausführungsform 1 erhalten wurde.

Ausführungsform 3

Es wurde ein lichtempfindliches Teil auf dieselbe Weise wie bei der Ausführungsform 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Dicke der ICL 5 von 0,06 µm so geändert wurde, daß sie eine Streuung innerhalb des Bereiches von 0,05 bis 0,08 µm aufwies (Dickenänderung von 50%).

Das sich ergebende lichtempfindliche Teil zeigte hervorragen de Eigenschaften, die beinahe mit den Eigenschaften vergleich bar waren, die bei dem bei der Ausführungsform 1 erhaltenen lichtempfindlichen Teil auftraten.

Ausführungsform 4

Es wurde ein lichtempfindliches Teil auf dieselbe Weise wie bei der Ausführungsform 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Dicke der ICL 5 von 0,06 µm so geändert wurde, daß sie eine Streuung innerhalb des Bereiches von 0,18 bis 0,21 µm aufwies (Dickenabweichung von 17%).

Das sich ergebende lichtempfindliche Teil zeigte hervorragen de Eigenschaften, die beinahe mit den Eigenschaften des licht empfindlichen Teils vergleichbar waren, welches bei der Aus führungsform 1 erhalten wurde.

Versuchsbeispiel 1

Es wurde ein lichtempfindliches Teil auf dieselbe Weise wie bei der Ausführungsform 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Dicke der ICL 5 von 0,06 µm so geändert wurde, daß ihre Streuung innerhalb des Bereiches von 0 bis 0,1 µm lag.

Das sich ergebende lichtempfindliche Teil wies hervorragende elektrophotographische Eigenschaften auf. Wenn allerdings das lichtempfindliche Teil bei einem Drucker eingesetzt wurde, bei welchem ein Halbleiterlaser als eine Lichtquelle für die Belichtung verwendet wurde, und bei welchem Halbton-Tonerbil der ausgedruckt wurden, wurden auf einem Teil des Bildes Interferenzmuster gebildet, die der Dickenabweichung von OCL 4 entsprachen. Die Dicke von ICL 5 an der Grenzfläche zwischen dem Bereich, der frei von einem Interferenzmuster war, und dem Bereich, welcher ein Interferenzmuster trug, war etwa 0,03 µm und etwa 0,1 µm.

Versuchsbeispiel 2

Es wurde ein lichtempfindliches Teil auf dieselbe Weise her gestellt wie bei der Ausführungsform 1, mit der Ausnahme, daß die Dicke von ICL 5 von 0,06 µm so geändert wurde, daß sie ei ne Streuung innerhalb des Bereiches von 0,15 bis 0,25 µm auf wies (Dickenabweichung 50%).

Das sich ergebende lichtempfindliche Teil wies hervorragende elektrophotographische Eigenschaften auf. Wenn das licht empfindliche Teil allerdings bei einem Drucker eingesetzt wurde, bei welchem ein Halbleiterlaser als eine Lichtquelle für die Belichtung verwendet wurde, und bei welchem Halbton- Tonerbilder ausgedruckt wurden, wurden auf einem Teil des Bildes Interferenzmuster erzeugt, welche der Dickenabweichung von OCL 4 entsprachen. Die Dicke von ICL 5 an der Grenzfläche zwischen dem Bereich, der frei von einem Interferenzmuster war, und dem Bereich, welcher ein Interferenzmuster trug, war etwa 0,16 µm und etwa 0,22 um. Darüber hinaus diente ICL 5 des lichtempfindlichen Teils zur Verhinderung der thermischen Diffusion des Te von CGL 3 nach OCL 4, wie bei dem bei der Ausführungsform 1 erhaltenen lichtempfindlichen Teil.

Vergleichsbeispiel 3

Es wurde ein lichtempfindliches Teil auf dieselbe Weise er zeugt wie bei der Ausführungsform 1, mit der Ausnahme, daß die Dicke von ICL 5 von 0,06 µm auf 0,45 µm geändert wurde.

Wenn das lichtempfindliche Teil bei einem Drucker angebracht wurde, bei dem ein Halbleiterlaser als Lichtquelle für die Belichtung verwendet wurde, und bei welchem Halbton-Toner bilder ausgedruckt wurden, wurde überhaupt kein Interferenz muster gebildet, welches der Dickenabweichung von OCL 4 hät te entsprechen können. Allerdings wurde die Variation der Eigenschaften des lichtempfindlichen Teils dadurch untersucht, daß dieses wiederholt 500 Ladungszyklen unterworfen wurde, wo bei jeder Zyklus das Laden und Löschen der Ladung mit Licht umfaßte, und hieraus ergab sich, daß seine Elektrizierung wesentlich verringert war, verglichen mit der bei den licht empfindlichen Teilen, die bei den Vergleichsbeispielen 1 und 2, den Ausführungsformen 1 bis 4, und den Versuchsbeispielen 1 und 2 erhalten wurden.

Versuchsbeispiel 3

Es wurden vier Arten lichtempfindlicher Teile auf dieselbe Weise wie bei der Ausführungsform 1 hergestellt, mit der Aus nahme, daß die Te-Konzentration in ICL 5 von 22,5 Gew.-% auf 14, 18, 28 und 32 Gew.-% geändert wurde.

Wenn diese lichtempfindlichen Teile bei einem Drucker ange bracht wurden, bei welchem ein Halbleiterlaser als Lichtquel le für die Belichtung verwendet wurde, und bei welchem Halb ton-Tonerbilder ausgedruckt wurden, wurde deutlich ein Inter ferenzmuster gebildet, welches der Abweichung der Dicke von OCL 4 entsprach, und zwar in dem Falle des lichtempfindlichen Teils, das mit einer ICL 5 versehen war, die eine Te-Konzen tration von 14 Gew.-% aufwies, und es wurde ein geringfügiges Interferenzmuster auf den Teilen erzeugt, die mit einer ICL 5 versehen waren, welche Te-Konzentrationen von 18 bzw. 32 Gew.-% aufwiesen, wogegen überhaupt kein Interferenzmuster auf dem Teil erzeugt wurde, das mit einer ICL 5 versehen war, welche eine Te-Konzentration von 28 Gew.-% aufwies. Darüber hinaus wurde festgestellt, daß das lichtempfindliche Teil, welches mit einer ICL 5 versehen war, das eine Te-Konzentra tion von 32 Gew.-% aufwies, eine wesentliche Verringerung der anfänglichen Elektrifizierung zeigte, und daß das licht empfindliche Teil, welches mit einer ICL 5 versehen war, das eine Te-Konzentration von 28 Gew.-% aufwies, eine verhältnis mäßig starke Verringerung der Elektrifizierung aufwies, wel che festgestellt wurde, nachdem das Teil wiederholt 500 La dungszyklen unterworfen wurde, wobei jeder Zyklus ein Laden und ein Löschen der Ladung durch Licht umfaßte. Darüber hin aus diente bei den lichtempfindlichen Teilen, die mit einer ICL 5 versehen waren, welche Te-Konzentrationen von 14, 18 und 28 Gew.-% aufwies, ICL 5 dazu, die thermische Diffusion des Te von CGL 3 nach OCL 4 zu verhindern, und dies führte dazu, daß diese Teile eine wesentlich verringerte Variation der Empfindlichkeit aufwiesen, die festgestellt wurde, nach dem sie wiederholt 500 Ladungszyklen, wie voranstehend be schrieben, unterworfen wurden.

Um die Ergebnisse weiter zu untersuchen, die bei den Ausfüh rungsformen, den Vergleichsbeispielen und den Versuchsbeispie len erhalten wurden, wurden die lichtempfindlichen Teile der Vergleichsbeispiele 1 und 2 und der Beispiele 1 und 2 mit ei nem Licht bestrahlt, welches eine Wellenlänge von etwa 780 nm aufwies, um ihr spektrales Reflexionsvermögen zu bestimmen. Die auf diese Weise erhaltenen Ergebnisse sind in den Fig. 5A bis 5D dargestellt, wobei Fig. 5A ein Diagramm ist, welches die Ergebnisse zeigt, die bei dem Teil des Vergleichsbeispiels 1 erhalten wurden, Fig. 5B ist ein Diagramm ist, welches die Ergebnisse zeigt, die bei den Teilen der Ausführungsform 1 er halten wurden, Fig. 5C ein Diagramm ist, welches die Ergebnis se zeigt, die bei dem Teil der Ausführungsform 2 erhalten wur den, und Fig. 5D ein Diagramm ist, welches die Ergebnisse zeigt, die bei dem Teil des Vergleichsbeispiels 2 erhalten wurden. Wie aus diesen Figuren hervorgeht, war die Abweichung des Reflexionsvermögens groß im Falle der lichtempfindlichen Teile der Vergleichsbeispiele 1 und 2, da das Teil des Ver gleichsbeispiels 1 keine ICL aufwies, und da beim Vergleichs beispiel 2 keine derartige Dicke vorgesehen war, daß die Ver stärkung und Abschwächung von Licht infolge der Interferenz ausgeglichen wurde, und aus diesem Grunde daher ein Interfe renzmuster auf den Bildern ausgebildet wurde. Andererseits war die Abweichung des Reflexionsvermögens, die bei den licht empfindlichen Teilen der Ausführungsformen 1 und 2 beobachtet wurde, klein, da deren ICL dazu dient, die Verstärkung und Abschwächung infolge der Interferenz zu verringern, die von der Mehrfachreflexion innerhalb der OCL herrührt, und daher kam es nicht zur Ausbildung irgendeines Interferenzmusters. Die voranstehenden Ergebnisse zeigen an, daß die theoretische Begründung für die Anwesenheit der ICL zutreffend ist, und die Theorie wird deutlich durch die Ergebnisse von Beispielen oder dergleichen gestützt.

Bei den voranstehenden Beispielen wird eine Se-Te-Legierung mit einer Te-Konzentration von 5 Gew.-% verwendet für die Herstellung der OCL, jedoch können dieselben Ergebnisse auch dadurch erzielt werden, daß eine Se-As-Legierung verwendet wird, die eine As-Konzentration von 5 Gew.-% aufweist, da deren Brechungsindex im wesentlichen gleich dem der Se-Te- Legierung ist, die eine Te-Konzentration von 5 Gew.-% auf weist. Zusätzlich können Verunreinigungen zur Verbesserung der elektrophotographischen Eigenschaften dem Se oder den Se-Legierungen zugefügt werden, um jede Schicht des licht empfindlichen Teils gemäß der vorliegenden Erfindung herzu stellen, und eine derartige Zufügung hat keinen Einfluß auf die Wirkungen der vorliegenden Erfindung.

Das lichtempfindliche Teil gemäß der vorliegenden Erfindung weist ein leitfähiges Substrat auf, auf welchem in dieser Reihenfolge zumindest eine Ladungstransportschicht, eine Ladungserzeugungsschicht und eine Beschichtungsschicht vor gesehen ist, und bei welchem zusätzlich zwischen der Ladungs erzeugungsschicht und der Beschichtungsschicht eine Interfe renz-Steuerschicht vorgesehen ist, die einen Brechungsindex aufweist, der im wesentlichen gleich dem geometrischen Mittel der Brechungsindices der Ladungserzeugungsschicht und der Beschichtungsschicht ist, und deren Dicke so gewählt ist, daß die optische Phasendifferenz im wesentlichen gleich π/2 (Bogenmaß) oder 3π/2 (Bogenmaß) ist. Die Verwendung einer der artigen Interferenz-Steuerschicht ermöglicht es, ein licht empfindliches Teil zu erhalten, bei welchem keine Erzeugung irgendeines Interferenzmusters auf den sich ergebenden Bil dern geschieht, infolge der Interferenz aufgrund der Mehr fachreflexion innerhalb der Beschichtungsschicht und der Abweichung bezüglich der Filmdicke, selbst wenn kohärentes Licht wie etwa Laserlicht für die Belichtung verwendet wird. Die Abweichung in der Dicke der Interferenz-Steuerschicht kann größer sein als bei der Beschichtungsschicht, und daher ist die Toleranz bezüglich der Variation der Filmdicke wäh rend der Ausbildung der Interferenz-Steuerschicht hoch.

Wenn ein Halbleiterlaser (Wellenlänge 780 nm) als Lichtquel le für die Belichtung verwendet wird, so ist es wirkungsvoll, ein lichtempfindliches Teil zu verwenden, bei welchem die Ladungstransportschicht aus reinem Selen oder einer Se-Legie rung gebildet ist, bei welchem die Ladungserzeugungsschicht aus einer Se-Te-Legierung gebildet ist, die Beschichtungs schicht aus einer Se-Legierung gebildet ist, und die Inter ferenz-Steuerschicht aus einer Se-Te-Legierung gebildet ist. Im einzelnen werden derartige lichtempfindliche Teile bevor zugt, bei welchen die Ladungserzeugungsschicht aus einer Se-Te-Legierung mit einem hohen Te-Gehalt mit einer Te-Kon zentration von etwa 43 Gew.-% gebildet wird, die Beschich tungsschicht entweder aus einer Se-Te-Legierung mit einem niedrigen Te-Gehalt mit einer Te-Konzentration von etwa 5 Gew.-% oder aus einer Se-As-Legierung mit einem niedrigen As-Gehalt mit einer As-Konzentration von etwa 5 Gew.-% ge bildet wird, die Interferenz-Steuerschicht aus einer Se-Te- Legierung gebildet wird, die eine Te-Konzentration von nicht weniger als etwa 20 Gew.-% und nicht mehr als etwa 28 Gew.-% aufweist, und die Filmdicke der Interferenz-Steuerschicht wird so gesteuert, daß sie nicht kleiner ist als 0,04 µm und nicht größer als 0,09 µm, oder so, daß sie nicht klei ner ist als 0,17 µm und nicht größer als 0,22 µm.

Bei dem lichtempfindlichen Teil gemäß der vorliegenden Er findung mit einem derartigen Aufbau dient die Interferenz- Steuerschicht weiterhin dazu, die thermische Diffusion von Te von der Ladungserzeugungsschicht zu der Beschichtungs schicht zu verhindern, wodurch jegliche Variation der Eigen schaften des lichtempfindlichen Teils verhindert werden kann.

Die Erfindung wurde im einzelnen in bezug auf bevorzugte Aus führungsbeispiele beschrieben, und aus den voranstehenden Ausführungen wird einem Fachmann auf diesem Gebiet deutlich, daß sich Änderungen und Modifikationen vornehmen lassen, ohne von der Erfindung in ihren breiteren Aspekten abzuweichen, und daher soll der Umfang der vorliegenden Erfindung durch die Gesamtheit der vorliegenden Anmeldeunterlagen bestimmt sein, also sämtliche derartige Änderungen und Modifikationen umfassen, die in den wahren Bereich der Erfindung fallen.

Claims

1. Lichtempfindliches Teil für die Elektrophotographie, gekennzeichnet durch:
ein leitfähiges Substrat; und
eine auf dem leitfähigen Substrat ausgebildete licht empfindliche Schicht, welche aufweist:
eine Ladungserzeugungsschicht, welche zur Erzeugung von Ladungen bei einer Bestrahlung mit Licht ausgebildet ist;
eine Ladungstransportschicht, die zwischen der Ladungs erzeugungsschicht und dem leitfähigen Substrat angeordnet ist, und die in der Ladungserzeugungsschicht erzeugten Ladungen zu dem leitfähigen Substrat befördert;
eine Beschichtungsschicht zum Schutz der Ladungstransport schicht und der Ladungserzeugungsschicht; und
eine zwischen der Beschichtungsschicht und der Ladungs erzeugungsschicht angeordnete Interferenz-Steuerschicht, welche einen Brechungsindex aufweist, der im wesentlichen gleich dem geometrischen Mittel der Brechungsindices der Ladungserzeugungsschicht und der Beschichtungsschicht ist, und die eine solche Filmdicke aufweist, daß die optische Phasendifferenz im wesentlichen gleich π/2+nπ (n = 0 oder 1) (Bogenmaß) ist.

2. Lichtempfindliches Teil nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß die Ladungstransportschicht aus einem Mate rial gebildet ist, welches aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus reinem Se und Se-Legierungen besteht.

3. Lichtempfindliches Teil nach Anspruch 2, dadurch gekenn zeichnet, daß die Ladungserzeugungsschicht aus einer Se- Te-Legierung gebildet ist.

4. Lichtempfindliches Teil nach Anspruch 3, dadurch gekenn zeichnet, daß die Se-Te-Legierung eine Se-Te-Legierung ist, die einen hohen Te-Gehalt mit einer Te-Konzentration von etwa 43 Gew.-% aufweist.

5. Lichtempfindliches Teil nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß die Beschichtungsschicht aus einer Se-Schicht gebildet ist.

6. Lichtempfindliches Teil nach Anspruch 5, dadurch gekenn zeichnet, daß die Se-Legierung eine Se-Te-Legierung ist.

7. Lichtempfindliches Teil nach Anspruch 6, dadurch gekenn zeichnet, daß die Se-Te-Legierung eine Se-Te-Legierung mit einem niedrigen Te-Gehalt mit einer Te-Konzentration von etwa 5 Gew.-% ist.

8. Lichtempfindliches Teil nach Anspruch 5, dadurch gekenn zeichnet, daß die Se-Legierung eine Se-As-Legierung ist.

9. Lichtempfindliches Teil nach Anspruch 8, dadurch gekenn zeichnet, daß die Se-As-Legierung eine Se-As-Legierung mit einem niedrigen As-Gehalt mit einer As-Konzentration von etwa 5 Gew.-% ist.

10. Lichtempfindliches Teil nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß die Interferenz-Steuerschicht aus einer Se- Te-Legierung gebildet ist.

11. Lichtempfindliches Teil nach Anspruch 10, dadurch gekenn zeichnet, daß die Se-Te-Legierung eine Se-As-Legierung mit einer Te-Konzentration von nicht weniger als etwa 20 Gew.-% und nicht mehr als etwa 28 Gew.-% ist.

12. Lichtempfindliches Teil nach Anspruch 11, dadurch gekenn zeichnet, daß die Dicke der Interferenz-Steuerschicht nicht geringer ist als 0,04 µm und nicht größer als 0,09 µm.

13. Lichtempfindliches Teil nach Anspruch 11, dadurch gekenn zeichnet, daß die Dicke der Interferenz-Steuerschicht nicht kleiner als 0,17 µm und nicht größer als 0,22 µm ist.

14. Lichtempfindliches Teil nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß die Ladungstransportschicht aus reinem Se len oder einer Se-Legierung gebildet ist, daß die Ladungs erzeugungsschicht aus einer Se-Te-Legierung gebildet ist, daß die Beschichtungsschicht aus einer Se-Legierung gebil det ist, und daß die Interferenz-Steuerschicht aus einer Se-Te-Legierung gebildet ist.

15. Lichtempfindliches Teil nach Anspruch 14, dadurch gekenn zeichnet,
daß die Ladungserzeugungsschicht aus einer Se-Te-Legie rung mit einem hohen Te-Gehalt mit einer Te-Konzentration von etwa 43 Gew.-% gebildet ist,
daß die Beschichtungsschicht entweder aus einer Se-Te- Legierung mit niedrigem Te-Gehalt mit einer Te-Konzen tration von etwa 5 Gew.-% gebildet ist, oder aus einer Se-As-Legierung mit niedrigem As-Gehalt mit einer As- Konzentration von etwa 5 Gew.-%, und
daß die Interferenz-Steuerschicht aus einer Se-Te-Legie rung mit einer Te-Konzentration von nicht weniger als etwa 20 Gew.-% und nicht mehr als etwa 28 Gew.-% gebil det ist, und daß die Filmdicke der Interferenz-Steuer schicht nicht kleiner ist als 0,04 µm und nicht größer als 0,09 µm, oder nicht kleiner als 0,17 µm und nicht größer als 0,22 µm.