DE4121447A1 - Luftgekuehlter waermeaustauscher fuer vielchip-baugruppen - Google Patents
Luftgekuehlter waermeaustauscher fuer vielchip-baugruppenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung
zum Luftkühlen schaltungsintegrierter Computerchips und
insbesondere eine Verfahren und eine Vorrichtung zum Luft
kühlen eines Arrays solcher Chips unter Einsatz einer luft
gekühlten Verdampfungs- und Kondensatorvorrichtung, wobei
der Verdampfer und Kondensator selbstversorgend sind und
keine externe Energieversorgung benötigen.
Bei Computern hohen Leistungsverbrauchs nach modernem De
sign besteht die Notwendigkeit der Luftkühlung solcher Com
putersysteme hoher Leistung, um Marktanforderungen nachzukom
men. Versuche, die gemacht worden sind, um Luft zum Kühlen
von Halbleiterbauelementen oder Chips extrem hoher Leistung
zu verwenden, haben sich als unzureichend herausgestellt,
da Luft kein hocheffizientes Wärmeübertragungsmedium ist.
Wärmeübertragung von einem Chip mit hoher Leistung zu einem
luftgekühlten System erfordert eine sehr große Wärmedissipa
tionsfläche oder Wärmesenke. Moderne Chipgehäusetechniken,
die das Unterbringen von mehreren Chips hoher Leistung in
nerhalb eines sehr kompakten Gebiets bzw. Fläche erlauben,
führen zu dem Problem, daß eine große Fläche als Wärmesenke
zur Wärmedissipation erforderlich ist.
Versuche sind durchgeführt worden, um forciertes Flüssig
keitskühlen als Mittel zum Kühlen von Chips hoher Leistung
zu verwenden. Eine forcierte Flüssigkeitskühlung erfordert
jedoch Pumpen und Rohre und in den meisten Fällen ein zu
sätzliches Gehäuse, um diesen Kühlungstyp unterbringen zu
können. Zudem haben die Benutzer bzw. Kunden solcher Compu
ter geringes Vertrauen in eine forcierte Flüssigkeitsküh
lung.
Ein solcher Versuch mit Flüssigkeitskühlung für elektrische
Bauelemente ist die direkte Wärmeübertragung in einem ko
chenden bzw. heißen Tauchbad, wobei die Halbleiterkomponen
ten vollständig innerhalb einer dielektrischen Flüssigkeit
untergetaucht sind. Der Kühlungsgrad hängt vom Auffinden
einer dielektrischen Flüssigkeit mit geeignetem Phasenüber
gang und dielektrischen Eigenschaften ab. Ein weiteres Kühl
system mit untergetauchtem Bauelement verwendet herkömmlich
eine gerippte Kondensator-Kühlschlange innerhalb des Dampf
raumes zur Wärmeentfernung und -abführung. Kondensatoren
für solche heißen Systeme können in dem Dampf- bzw. Gasraum
überhalb den Komponenten angeordnet sein oder entfernt ange
ordnet sein.
Weitere Systeme wie z. B. der Cray-2-Computer verwenden ein
direktes Tauchbadystem mit erzwungener bzw. angetriebener
Konvektion, das eine Flüssigkeit bzw. ein Fluid verwendet,
das nicht kocht bzw. siedet. Die Flüssigkeit fließt an den
Komponenten vorbei, wo sie Wärme aufnimmt, und fließt dann
zu einem externen Wärmetauscher, wo sie gekühlt wird. Der
Fluidfluß in diesem System erfordert Pumpen und ein exter
nes Rohrsystem.
Bei Systemen, bei denen die integrierten Schaltungschips
in einem Kühlmittel oder einer kochbaren Flüssigkeit einge
taucht sind, muß bei der Auswahl der Flüssigkeit sorgfältig
vorgegangen werden, d. h., die dielektrischen und korrosiven
Eigenschaften der Flüssigkeit zusammen mit den Wärmeübertra
gungseigenschaften und der Dampfphasenänderungstemperatur
müssen beim Aufstellen eines hochzuverlässigen Kühlsystems
beachtet werden.
Andere Systeme haben herkömmliche gerippte Kühlkörperstruk
turen bzw. Wärmesenkestrukturen in einer luftgekühlten An
ordnung verwendet, aber diese Systeme sind nur für Einrich
tungen mit niedrigem Energieverbrauch verwendbar. Da Luft
kein sehr effizientes Kühlmedium ist, ist der abgeführte
Wärmebetrag niedrig. Damit ist diese Lösung nur für Chips
mit relativ geringer Leistungsaufnahme geeignet, außer eine
größere Luftkontaktfläche oder Wärmeabführung wird vorgese
hen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Kühlvorrich
tung für zumindest ein elektronisches Bauelement relativ
hohen Leistungsverbrauchs anzugeben, die effizient eine
Luftkühlung des elektrischen Bauelements ermöglicht.
Diese Aufgabe wird durch die Vorrichtung nach Anspruch 1
6 oder 14 gelöst.
Demnach besteht die Erfindung in ihrer allgemeinsten Form
in einer vorrichtung zum Abführen bzw. Entfernen von Wärme
von zumindest einem beim Betrieb wärmeerzeugenden elektroni
schen Bauelement, wobei die Vorrichtung aufweist: eine Wär
meübertragungseinrichtung, die in leitender Wärmeübertra
gungsbeziehung zu der elektrischen Komponente angeordnet
ist und insbesondere aufweist: zumindest ein Element, das
aus einem thermisch leitenden dielektrischen Material be
steht, das zwischen dem elektrischen Bauelement und der
Wärmeübertragungseinrichtung angeordnet ist, eine Kammerein
richtung, die als einen Teil von ihr zumindest einen Ab
schnitt der Wärmeübertragungseinrichtung aufweist, eine
siedbare Flüssigkeit innerhalb der Kammereinrichtung, wobei
die Flüssigkeit von der zumindest einen elektronischen Kom
ponente getrennt ist und die Eigenschaft des Siedens hat,
um einen Dampf in Antwort auf eine Wärmeübertragung von
der zumindest einen Komponente auf die Flüssigkeit über
die Wärmeübertragungseinrichtung zu erzeugen, und eine Kon
densiereinrichtung in fluider Flußverbindung mit der Kammer
einrichtung zum Ermöglichen des Kondensierens des Dampfs
und Zurückführen des kondensierten Fluids in die Kammerein
richtung.
Bevorzugterweise wird eine Vorrichtung eingesetzt, die eine
luftgekühlte, selbstversorgende Verdampfungs- und Kondensie
rungsvorrichtung ohne externer Energieversorgung aufweist,
wobei die Einrichtung eine Kühlplatte hat, die eine erste
Oberfläche mit Aufnahmen bzw. Vertiefungen oder Chipsitzen
bzw. -stellen hat, die in ihr in einer Matrix oder einem
Feld entsprechend der Matrix oder dem Feld der Chips eines
Multichipmoduls oder einer Einheit ausgebildet sind. Die
andere Oberfläche der Kühlplatte weist eine gerippte Anord
nung auf, die in Verbindung mit der Kühlplatte einen Teil
einer isolierten Verdampfungskammer der Kühleinheit bildet,
wobei das Kammergehäuse ein siedbares Fluid aufweist, das
seine Phase von flüssig zu gasförmig bzw. dampfförmig än
dert. Oberhalb der isolierten Kammer angeordnet und angren
zend an die isolierte Kammer ist eine Kondensationskammer
die eine Vielzahl von rohrförmigen Passierwegen aufweist,
wobei ihre externen Abschnitte für eine vollständige bzw.
leichte Entfernung der Wärme gerippt sind. Zum Anbringen
des Kühlplattenabschnitts der Einheit auf bzw. an den Chips
werden geeignete Wärmeübertragungssockel bzw. -teile
(slugs) aus dielektrischem Material wie z. B. Aluminiumni
tridteile in die Aufnahmen eingelötet, wobei die entgegenge
setzten Oberflächen dieser Teile in geeigneter Weise mit
den freiliegenden Flächen der Chips gebondet sind. Wärme
wird von den Chips durch die Sockel, durch die Lotbefesti
gung und durch die Kühlplatte übertragen, um ein Sieden des
Fluids innerhalb der Kammer zu verursachen, wobei dessen
Dämpfe in die Kondensationskammer in den oberen Abschnitt
der Kühleinheit aufsteigen, wo der Dampf kondensiert wird
und als Flüssigkeit zu der Verdampfungskammer zurückgeführt
wird.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird
ein Vielchipmodul mit einer selbstversorgenden mechanisch
befestigbaren Kühleinheit geschaffen.
Weitere vorteilhafte Weiterbildungen sind den Unteransprü
chen zu entnehmen.
Weitere Vorteile und Anwendungsmöglichkeiten der vorliegen
den Erfindung sind aus der nachfolgenden Beschreibung von
Ausführungsformen in Verbindung mit den beiliegenden Zeich
nungen ersichtlich. Es zeigen
Fig. 1 eine isometrische Ansicht der Kühlvorrichtung gemäß
der vorliegenden Erfindung, die in Explosionsanordnung be
züglich einer Fläche eines Multichipmoduls gezeigt ist.
Fig. 2 ist eine diagrammartige Querschnittsansicht der Kühl
vorrichtung nach Fig. 1 entlang der Linie 2-2 von Fig. 1
gesehen;
Fig. 3 eine Querschnittsansicht des Kühlplattenabschnitts
in zusammengebauter Anordnung mit den Wärmeübertragungssok
keln und dem Board, und
Fig. 4 eine vergrößerte, teilweise Schnittansicht, die ei
nen Abschnitt der Kühlplatte der Kühlvorrichtung und einen
einzelnen Chip des Multichipboards zeigt.
In Fig. 1 wird eine luftgekühlte, selbstversorgende Verdamp
fer- und Kondensationsvorrichtung 10 gezeigt, die benach
bart zu einer Multichip-Einheit 12 ist, die um eine Verti
kalachse herum zur Darstellung ihrer Fläche gedreht ist,
auf der Halbleiterchips 14 angeordnet sind.
Mit Bezug auf die Fig. 1 und 2 ist die Vorrichtung 10 ein
luftgekühlter, selbstversorgender Wärmetauscher oder eine
Kühleinheit mit intern ausgebildeten Kammern und Passier
bzw. Durchflußwegen, die konfiguriert, dimensioniert, ausge
legt und orientiert sind, um eine hermetisch abgeschlos
sene Verdampfungs- und Kondensationseinheit zu bilden, die,
wie im nachfolgenden beschrieben wird, wenn sie thermisch
mit einer Matrix von integrierten Schaltungschips gekoppelt
ist, die Dissipation von großen Wärmemengen ermöglicht ohne
daß externe Energiequellen, Pumpen oder andere mechanische
oder elektrische Einrichtungen notwendig wären.
Die Einheit 10 ist eine hermetisch abgedichtete Einheit,
die eine abisolierte Verdampfungskammer 16 mit einem sied
baren Fluid aufweist, die im allgemeinen boxenähnlich in
der Form mit einer geöffneten Oberseite ist und ein allge
mein plattenförmiges, im wesentlichen rechtwinkliges Kühl
plattenteil 20 in allgemein parallel beabstandeter Anord
nung zu einem ähnlich ausgebildeten Rückwandteil 22 ent
hält. Das Kühlplattenteil 20 weist auf der Boilerseite ein
Feld aus Rippen 21 auf, die das Wärmeübertragungsoberflä
chengebiet auf der Boilerseite aus Gründen erhöht bzw. ver
größert, die im nachfolgenden deutlich werden. Eine Boden
wand 24 und Seitenwände 26 und 28 verbinden die gegenüber
liegenden Kanten des Kühlplattenteils 20 und des Rückwand
teils 22, um die an der Oberseite offene Kammer 16 zu bil
den.
Die Kammer 16 ist mit einer geöffneten Oberseite oder einem
Durchlaßweg 30 versehen, der in Übereinstimmung mit der
dargestellten Ausführungsform in einem Winkel zu der Be
festigungsfläche der Kühlplatte 20 ausgebildet ist. Der
Durchlaßweg 30 ist als kanalähnlicher Abschnitt ausgebil
det, der mit einer oberen Empfangskammer 32 verbindet, die
als Teil von ihr eine Vielzahl von Rohren bzw. Röhren oder
andere Kondensationspassierwege 34 aufweist, die von der
Kammer 32 weggehen und in Flußverbindung mit der Kammer
32 sind. Dabei sind alle die rohrähnlichen Durchlaßwege
34 aus Rohren oder anderen Teilen mit Rippen 36 auf ihrer
Außenfläche ausgebildet. Weitere Rippen können in geeig
neter Weise an den Innenwänden der Passierwege 34 befestigt
werden, wenn gewünscht. Die rohrähnlichen Kondensationspas
sierwege 34 dienen als Kondensationskammer, wobei die Pas
sierwege 34 langgestreckt sind, im Gebiet der Empfangskam
mer 32 offen sind und am gegenüberliegenden bzw. anderen
Ende durch Kappenteile 34a abgedeckt, verstöpselt oder ir
gendwie anders abgeschlossen sind, wie z. B. durch U-förmige
Kurvenstücke oder Ahnliches.
Obwohl die obere Empfangskammer 32 mit Abstand relativ zu
der Verdampfungskammer 16 dargestellt ist, und zwar mit
dem angewinkelten Dukt-Passierweg 30, ist es klar, daß die
Kammer auch unmittelbar oberhalb der Verdampfungskammer
ausgebildet sein kann, wobei der verbindende Passierweg 30
vertikal ist. Des weiteren, obwohl der Ausdruck
rohrförmig mit Bezug auf die Passierwege 34 der Kondensa
tionskammer benutzt wird, ist der Ausdruck rohrförmig, wie
er nachfolgend benutzt wird, so aufzufassen, daß er ein
rohrförmiges Teil bzw. Rohr mitumfaßt, ganz gleich, ob mit
kreisförmigem oder rechtwinkeligem Querschnitt.
Eine Ausrichtung bei der Verwendung der Einheit 10 ist so,
wie es in Fig. 2 gezeigt wird, d. h., das Kühlplattenteil 20
ist im wesentlichen vertikal zu den Passierwegen 34 der Kon
densationskammer mit der Empfangskammer 32 ausgerichtet,
und zwar in einer im allgemeinen horizontalen Richtung in
einer Ebene oberhalb des oberen offenen Endes 30 der unte
ren Kammer 16. Der Grund dafür besteht darin, wie es nach
folgend beschrieben wird, daß es erforderlich ist, daß die
Kammer 16 die siedbare Flüssigkeit 14 in Übereinstimmungen
mit dem Schwerkraftgesetz aufnimmt, d. h., daß die Kammer 16
am unteren Punkt des Systems positioniert ist, wohingegen
die Passierwege 34 der Kondensationskammer in einem höheren
Punkt in dem System angeordnet sind. Eine andere Ausrich
tung beim Einsatz der Einheit 10 besteht darin, das Kühl
plattenteil 20 in einer allgemeinen Horizontalrichtung be
züglich der Passierwege 34 der Kondensationskammer ausge
richtet zu haben und die obere Kammer 32 in einer allgemei
nen Vertikalrichtung in einem Bereich oberhalb der weiter
unten liegenden Kammer 16 ausgerichtet zu haben.
Die Kammer 16 bildet die Verdampfungskammer und die Passier
wege 34 formen die Kondensationskammer, die intern miteinan
der innerhalb der Einheit 10 durch den Passierweg 30 verbun
den sind. Die Kammern 16 und 32 zusammen mit dem verbin
denden Passierweg 30 und den kondensierenden Passierwegen
34 sind als hermetisch abgedichtete Einheit zum Ausbilden
eines geschlossenen Weges zum Fortleiten von Dämpfen von
der Verdampfungskammer 16 zu der Empfangskammer 32 ausgebil
det, wo der Dampf die kondensierenden Passierwege 34 betritt
und nach der Luftkühlung über die Rippen bzw. Lamellen 36
seine Phase ins Flüssige ändert, wobei die Flüssigkeit dann
zur unten liegenden Kammer 16 aufgrund der Schwerkraft zu
rückkehrt.
Das Kühlplattenteil 20 hat einen Aufbau, der zum Teil durch
die Konfiguration der Multichipeinheit 12 festgelegt ist.
Wie nachfolgend beschrieben wird, ist die externe Ober
fläche des Kühlplattenteils 20 für eine Anbringung an der
freiliegenden Oberfläche der Einheit 12 (siehe auch Fig. 4)
ausgelegt, wobei die Umfangskonfiguration 13 der Einheit 12
etwas erhöht ist, relativ zu einer Ebene, die durch die
äußere, freiliegende Oberfläche der Chips 14 auf der Ein
heit 12 gezogen ist. Fig. 3 zeigt, daß die Zusätze um den
Umfang 13 herum solche Einrichtungen wie einen Netzstecker
17 und gewisse Befestigungseinrichtungen 19 einschließen,
die für die Erfindung nicht relevant sind. In der Praxis
stehen die Chips 14 ungefähr 0,6604 mm (26 mils) über die
Oberfläche der gedruckten Leiterplatte 15 ab, auf der sie
angebracht sind. Die Chips 14 können in irgendeinem Muster
auf der Oberfläche der Leiterplatte 15 angeordnet sein,
aber, wie in Fig. 1 gezeigt wird, sind die Chips 14 in ei
ner symmetrischen Matrix oder einem symmetrischen Array
bzw. Feld aus 4 Chips pro Reihe in 4 Reihen angeordnet,
und zwar mit gleichem Seitenabstand zwischen den Chips.
Die Abmessungen des Umfangs des Kühlplattenteils 20 werden
allgemein durch die Dimensionen des erhöhten Umfangs 13
der Einheit 12 bestimmt. Die äußere Oberfläche des Kühlplat
tenteils 20 kann zumindest eine Kühlplattenaufnahme oder
eine Tasche 50 an einem Ort aufweisen, der dem Ort des zu
kühlenden Chips 14 entspricht. Wie in Fig. 1 gezeigt wird,
ist eine Matrix oder ein Feld von Taschen 50 vorhanden,
und zwar entsprechend der Anzahl und dem Ort für das Feld
von Chips 14 auf der Einheit 12. Die Taschen 50 sind zum
Aufnehmen von keramischen Substraten wie z. B. Aluminium
nitridsockeln 52 ausgelegt, die einen Hauptkörperabschnitt
haben, welcher einen äußeren Umfang hat, der leicht
kleiner ist als der innere Umfang der Taschen 50, und einen
vergrößerten Flanschabschnitt 52a mit einer planaren Ober
fläche in gegenüberliegender Anordnung zu der freiliegen
den Oberfläche der Chips 14. Die Sockel 52 können aus ir
gendeiner anderen Keramik gebildet werden, die hohe thermi
sche Leitfähigkeitseigenschaften hat.
Wie in Fig. 4 gezeigt wird, werden die Hauptkörperabschnit
te der Aluminiumnitridsockel 52 innerhalb der Taschen 50
aufgenommen und in geeigneter Weise gesichert, wie z. B.
durch den Einsatz von Lot 54 oder irgendeines anderen adhe
siven Materials mit niedrigem thermischem Widerstand. Die
Oberfläche des Flanschabschnitts 52a ist an der Oberfläche
des Chips 14 durch eine geeignete Einrichtung befestigt,
wie z. B. einem thermisch leitenden Epoxidkleber oder einem
Si/Au-Eutektikum oder einem Lot.
Die Auswahl des Aluminiumnitrids als Material für die Sok
kel 52 beruht auf den Eigenschaften dieses Materials, d. h.,
daß das Aluminiumnitrid ein Dielektrikum ist, mit einer
hohen thermischen Konduktivität, daß es thermische Ausdeh
nungseigenschaften zeigt, die zu denjenigen der Chips 14
passen, und daß es ausreichenden elektrischen Widerstand
hat, um eine geeignete elektrische Isolation zwischen dem
Chip und dem Kühlsystem zu bewerkstelligen, der auf elektri
schem Massepotential bzw. Erdepotential ist. Alternativer
weise könnte eine elektrische Isolation durch Beschichten
der Kühlplatte mit einem Oberflächendielektrikum oder durch
den Einsatz eines metallischen Sockels, der mit einem Ober
flächendielektrikum überzogen bzw. ummantelt ist, ermög
licht werden.
Mit Bezug auf Fig. 4 wird das Befestigungsverfahren bzw.
Anbringungsverfahren der Sockel 52 innerhalb der Taschen
50 beschrieben. Wie es ersichtlich ist, ist jede Tasche
50 freigelassen bzw. abgesetzt in der Nähe ihres freien
Endes, um eine periphere nach außen sich erstreckende Schul
terfläche 50a zu erzeugen. Diese Schulter stellt ein zusätz
liches Volumen innerhalb der Tasche 50 dar, um ein Löten
ohne irgendeine kritische Lotmenge zu erleichtern, die pro
Tasche 50 eingesetzt wird.
Um das Lot 54 für die Befestigung der Sockel 52 anzuwenden,
wird die Einheit 10 vertikal so angeordnet, daß die Kühl
plattentaschen 50 innerhalb des Kühlplattenteils 20 nach
oben schauen. Eine vorgegebene Menge von Lot 54 mit niedri
gem Schmelzpunkt wird dann in jede Tasche 50 untergebracht,
und zwar in Abhängigkeit von der Taschengröße und -tiefe,
für die der Sockel 52 in der Tasche 50 eingesetzt werden
soll. Das Lot 54 wird dann geschmolzen und die Sockel 52
werden eingefügt. Während dieses Einfügens bzw. Einsetzens
fließt das Lot in Richtung des geöffneten Endes der Tasche
52, wobei der Überschuß an Lot dann auf die Schulterfläche
50a fließt. Danach kühlt das Lot ab. Eine gewisse Vibration
kann nützlich sein, um sicherzustellen, daß keine Luftta
schen bzw. Lufteinschlüsse zwischen den Sockeln 52 und den
inneren Wänden der Taschen 50 existieren. Das Vorhandensein
von Lufttaschen bei dieser Verbindung verschlechtert die
thermischen Übertragungseigenschaften. Mit den Sockeln 52,
die so innerhalb der Taschen 50 untergebracht bzw. befe
stigt sind, ermöglicht die Verbindung den Taschen 50, die
Kühlplattenstruktur des Kühlplattenteils 20 nach unten und
um den Sockel 52 herum zu erweitern, wodurch ein verminder
ter thermischer Widerstandsweg von der Oberfläche des Chips
14 über den Sockel 52 um die Seiten und die Oberseite des
Sockels 52 herum und über das Kühlplattenteil 20 in sein
Inneres erzeugt wird.
Bevorzugterweise werden die Sockel 52 zuerst an den Chips
14 angebracht, wobei die Chips 14 dann elektrisch auf der
Leiterplatte 15 angebracht werden. Dann wird die gesamte
Anordnung an der Kühlplatte 20 gesichtert. Die Chips 14
werden entweder gelötet, mit Epoxidharz verklebt oder in
irgendeiner anderen Art und Weise auf den Sockeln 52 ange
bracht, wobei das Lot um den gesamten Sockel herumfließt.
Um eine optimale Übertragung von Wärme von den Chips 14
zu bewirken, wird die Wärme, die über das Kühlplattenteil
20 übertragen wird, dann zu der inneren Oberfläche der Kühl
platte 20 übertragen, die als eine Wand der Verdampfungskam
mer 16 dient, welche eine kochende Kammer definiert, die
über einen verbindenden Passierweg 30 und über die Empfangs
kammer 32 mit den Passierwegen 34 kommuniziert, die als
luftgekühlter Kondensierer wirken. Die Kammer 16 enthält
auch eine Menge eines Arbeitsfluids oder Kühlmittels, das
bereits als siedbare Flüssigkeit 40 bezeichnet worden ist.
Die zu kühlenden Einrichtungen, d. h. die Chips 14 der Ein
heit 12, sind auf einer Wärmeübertragungsoberfläche befe
stigt, die dem Außeren der Kühlplatte 20 entspricht, wobei
die andere Oberfläche der Kühlplatte 20 im Inneren der Kam
mer 16 liegt.
Die Wärme strömt durch die Wände der Kühlplattentaschen
50 in die Kühlplatte 20, wobei die innere Oberfläche von
dieser eine Vielzahl von Rippen 21 aufweist, die einstückig
mit der Platte ausgebildet sind und in die Boilerkammer
16 hineinragen. Die inneren Rippen können jede geeignete
Form oder Anordnung einnehmen, wie z. B. eine Balkenform,
eine Triangularform oder irgendeine andere Form, und können
parallel zueinander angeordnet sein, sich schneiden oder
irgendeine andere geeignete Anordnung haben. In der darge
stellten Ausführungsform sind die Rippen 21 allgemein bal
kenförmige Metallteile in eng zueinander beabstandeter para
leller Anordnung, die in integraler d. h. einstückiger Form
auf der Rückseite der inneren Oberfläche des Kühlplatten
teils 20 ausgebildet sein können, wobei die Rippen 21 ausge
legt sind, die Wärmeenergieverteilung von dem Kühlplatten
teil zu einem Pool siedbarer Flüssigkeit 40 zu verbessern,
die innerhalb der Siede- oder Verdampfungskammer 16 abge
dichtet ist. Die Rippen 21 vergrößern im wesentlichen die
Oberflächenkontaktfläche zwischen der siedbaren Flüssigkeit
40 und dem Inneren des Kühlplattenteils 20.
Das Kühlmittel oder die siedbare Flüssigkeit 40 kann z. B.
ein flüssiges Kühlmittel sein, das unter dem Namen Fluor
inert bekannt ist. Fast jedes andere Fluid kann wegen sei
ner thermodynamischen Eigenschaften ausgewählt werden, wie
z. B. Wasser, Glykol, Alkohol und sogar flüssige Metalle
mit niedrigerem Schmelzpunkt. Alle diese Fluide werden im
folgenden kollektiverweise als siedbare Flüssigkeiten bezei
chnet. Das Kühlmittel oder die Flüssigkeit 40 wird bevorzug
terweise in der Siedekammer 16 untergebracht, und zwar in
einer Menge, die ausreicht, um vollständig die Rippen 21
abzudecken. Damit wird Wärmeenergie von den Chips 14 über
die Aluminiumnitridsockel 52 zu dem Kühlplattenteil 20 und
zu den internen Kühlkörperrippen 21 transferiert, wo sie
dann zum Kühlmittel oder der Flüssigkeit 40 verteilt wird.
Die Höhe der Temperaturdifferenz zwischen den Kühlkörperrip
pen 21 und der Kühlluft ist eine Funktion der siedbaren
Flüssigkeit, der Kondensatorgröße und des Rippenaufbaus,
des Luftflusses durch den Kondensator und anderer Parame
ter. Da es keine Elektronik gibt, die in dem Kühlmittel
40 untergetaucht ist, sind die dielektrischen Eigenschaften
von Fluorinert oder einer anderen siedbaren Flüssigkeit
nicht kritisch für die vorliegende Erfindung. D. h., daß
andere, weniger teuere Kühlmittel mit besseren thermischen
Eigenschaften eingesetzt werden können, wie schon oben aus
geführt worden ist.
Beim Betrieb verdampft die freigesetzte Wärmeenergie, die
der Verdampfungskammer 16 zugeführt wird, das Kühlmittel
40, wobei der sich ergebende Dampf bzw. das sich ergebende
Gas nach oben steigt und der Flüssigkeit entkommt. Dieses
Verdampfen oder Phasenändern der Flüssigkeit erfordert ei
nen Eingang hoher Energie bei konstanter Temperatur, wobei
diese Energie von der Kühlplatte 20 und den Rippen 21 abge
zogen wird. Wegen seiner niedrigen Dichte wandert der Dampf
nach oben von der Kammer 16 über den duktähnlichen Passier
weg 30 durch die Empfangskammer 32 in den Kondensatorab
schnitt, der durch die Passierwege 34 definiert ist. Der
Kondensator besteht aus einer Vielzahl von kühlenden Pas
sierwegen 34 mit der angebrachten gerippten Struktur 36,
die betriebsmäßig mit einem Kühlluftsystem verbindet. D. h.,
die Teile 34 und die gerippte Struktur 36 (siehe auch Fig.
2) sind zum Erzeugen von Luftkühlungspfaden über die offe
nen Abstände bzw. Räume zwischen den Teilen 34 und den Rip
pen 36 ausgelegt, wobei dieses Luftkühlen durch Ventilato
ren in dem Computergehäuse erzeugt wird. Wenn der Dampf
von der Siedekammer 16 zu den Kondensatorpassierwegen 34
ansteigt, kommt er mit deren Oberflächen in Kontakt. Kühlen
de Luft, die durch die offenen Kühlwege außerhalb der Pas
sierwege 34 und der Rippen 36 vorbeiströmt, kühlt die Innen
seite der Teile 34, wodurch der Dampf kondensiert und eine
Phasenänderung zurück in die flüssige Phase bewirkt wird,
in welcher das Kühlmittel unter Schwerkraft zu der Siedekam
mer 16 zurückkehrt, um den Zyklus zu wiederholen. Diese
Konstruktion der Einheit 10 reduziert den thermischen Se
rienwiderstand bis zu dem Punkt, wo die lufgekühlten Türme,
die aus den Komponenten 34 und 36 gebildet sind, dafür aus
reichend sorgen, die Wärme abzuführen, die von den Chips 14
mit hohem Leistungsverbrauch erzeugt wird. Anders ausge
drückt, während des Betriebs erzeugen die Flüssigkeit und
der Wärmeeingang Dampf. Die Chips 14 erzeugen Wärme, die in
die Kühlplatte 20 und die Kühlkörperrippen 21 geleitet
wird. Diese erwärmt dann das Kühlmittel 40 bzw. bringt dann
das Kühlmittel 40 zum Sieden, um Dampf zu erzeugen. Der
sich ergebende Dampf steigt durch das flüssige Kühlmittel
40 über den Passierweg 30 und die Kammer 32 in die Kondensa
torpassierwege 34 auf, wo der Dampf seine Wärme abgibt und
in die flüssige Phase zurückkehrt. Die Flüssigkeit kehrt
dann unter Schwerkraft in die Siedekammer 16 zurück, wo der
Zyklus fortfährt, sich selbst zu wiederholen. Dies besei
tigt das Erfordernis einer Pumpe.
Elektrische Verbindungen von den Chips 14 zu dem Gehäuse
oder der gedruckten Leiterplatte 15 können durch den Ein
satz von TAB, PGA oder jeder anderen vergleichbaren Technik
ausgeführt werden. Die Chips 14 und die gesamte zugewiesene
Hardware sind außerhalb zu dem Kühlplattenteil 20 und kom
men nicht mit dem Fluid 40 in Kontakt. Es besteht keine
Notwendigkeit, jemals das Kühlplattenteil 20 oder die Ein
heit 10 zu öffnen oder auseinanderzubauen. Die Einheit 10,
vollständig mit Kühlmittel 40, kann eigenständig als voll
ständig hermetisch abgedichtete Einheit zusammengebaut wer
den. Da es keine Fluidverbindungen gibt, die hergestellt
werden müssen oder brechen bzw. ausfallen könnten, ähnelt
die hier beschriebene Vorrichtung einem luftgekühlten Sy
stem von einem Herstellungsgesichtspunkt oder von einem
Außendienstgesichtspunkt her gesehen.
Durch Separieren der zu kühlenden Chips 14 gegenüber dem
Kühlmittel 40 wird eine Anzahl von wichtigen Vorteilen er
reicht. Aus der Einheit 10 ergibt sich eine luftgekühlte
Vorrichtung zur Wärmeentfernung, die keine Materialkompati
bilitätsvoraussetzungen zwischen den Chips 14 und dem Kühl
mittel 40 benötigt. Die Chips 14 sind in thermischer Über
tragungsbeziehung nur mit der äußeren Oberfläche des Kühl
plattenteils 20, wodurch jede Entfernung oder jedes Erset
zen irgendeines Chips vereinfacht wird. Schließlich verbes
sert das Design der Kühlplattentasche 50 und der Einsatz
der Sockel 52 den Wärmeübertragungsweg zwischen den Chips
14 und dem Kühlplattenteil 20 so, daß, wenn Blasen oder
Hohlräume in den Taschen 50 vorhanden sind, die thermische
Leistungsfähigkeit nur leicht verschlechtert wird.
Kurz gesagt, wie es oben ausführlich beschrieben worden
ist, wird das Kühlen der Chips 14 auf der Multichipeinheit
12 durch den Einsatz einer isolierten, hermetisch abgedich
teten Einheit 10 mit einer abgedichteten Kammer 16 ausge
führt, die eine siedbare Flüssigkeit 40 beeinhaltet, welche
physikalisch gegenüber den Chips 14 isoliert ist, damit
die Auswahl einer Flüssigkeit streng bezüglich ihrer ökono
mischen und wärmeübertragenden Eigenschaften stattfinden
kann. Das Koppeln der Flüssigkeiten mit den Kühlplattenauf
nahmen oder Taschen 50 erlaubt der Vorrichtung das Kühlen
von Chips 14 hohen Leistungsverbrauchs, wobei getriebene
Kühlluft über die Rippen 36 der Einheit 10 strömt und der
resultierende thermische Widerstand sehr gering ist. Anders
ausgedrückt, müssen im Vergleich zum Stand der Technik die
dielektrischen und korrosiven Eigenschaften des Fluids 10
nicht mit Bezug auf eine mögliche Beschädigung oder Ver
schlechterung der Chips 14 in Betracht gezogen werden, da
die Chips 14 physikalisch gegenüber dem siedbaren
Fluid 40 getrennt sind und nicht in dieses eingetaucht
sind, und brauchen deshalb nur mit Bezug auf die Eigenschaf
ten des Materials, aus dem die Kammern aufgebaut sind, be
achtet werden. In der bevorzugten Ausführungsform bestehen
die Kammern und Passierwege einschließlich der Passierwege
34 aus geeignetem wärmeübertragendem Metallmaterial, wie
z. B. Aluminium, Messing, Kupfer o. ä. In der bevorzugten
Ausführungsform bestehen das Kühlplattenteil 20 und die
Rippen 21 aus Kupfer, um eine maximale Wärmeübertragungs
effizienz der Einheit 10 zu gewährleisten.
Claims (20)
1. Vorrichtung zum Entfernen von Wärme von zumindest einem
wärmeverbrauchenden elektronischen Bauelement bei Betrieb,
die aufweist:
eine Wärmeübertragungseinrichtung (20), die in leiten der Wärmetransferbeziehung mit dem elektronischen Bauele ment angeordnet ist, gekennzeichnet durch:
zumindest ein Element (52), das aus einem thermisch leitenden dielektrischen Material besteht, das zwischen dem elektronischen Bauelement (12) und der Wärmeübertra gungseinrichtung (20) angeordnet ist,
eine Kammereinrichtung (16) die als einen Teil zumin dest einen Abschnit (21) der Wärmeübertragungseinrichtung aufweist,
eine siedbare Flüssigkeit (40) innerhalb der Kammerein richtung, wobei die Flüssigkeit gegenüber zumindest dem einen elektronischen Bauelement separiert ist und die Eigen schaft des Siedens hat, um Dämpfe bzw. Gase in Antwort auf den Wärmetransfer von zumindest einem Bauelement zu der Flüssigkeit über die Wärmeübertragungseinrichtung zu erzeu gen, und
eine Kondensatoreinrichtung (34, 36) in fluider Flußver bindung mit der Kammereinrichtung zum Ermöglichen der Kon densation des Dampfes und der Rückkehr des kondensierten Fluids zu der Kammereinrichtung.
eine Wärmeübertragungseinrichtung (20), die in leiten der Wärmetransferbeziehung mit dem elektronischen Bauele ment angeordnet ist, gekennzeichnet durch:
zumindest ein Element (52), das aus einem thermisch leitenden dielektrischen Material besteht, das zwischen dem elektronischen Bauelement (12) und der Wärmeübertra gungseinrichtung (20) angeordnet ist,
eine Kammereinrichtung (16) die als einen Teil zumin dest einen Abschnit (21) der Wärmeübertragungseinrichtung aufweist,
eine siedbare Flüssigkeit (40) innerhalb der Kammerein richtung, wobei die Flüssigkeit gegenüber zumindest dem einen elektronischen Bauelement separiert ist und die Eigen schaft des Siedens hat, um Dämpfe bzw. Gase in Antwort auf den Wärmetransfer von zumindest einem Bauelement zu der Flüssigkeit über die Wärmeübertragungseinrichtung zu erzeu gen, und
eine Kondensatoreinrichtung (34, 36) in fluider Flußver bindung mit der Kammereinrichtung zum Ermöglichen der Kon densation des Dampfes und der Rückkehr des kondensierten Fluids zu der Kammereinrichtung.
2. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kammereinrichtung und die Kondensatoreinrichtung
als hermetisch abgedichtete Einheit mit der siedbaren Flüs
sigkeit darin ausgebildet sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Wärmeübertragungseinrichtung ein plattenförmiges
Teil aufweist, daß eine Wand der Kammereinrichtung bildet.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß das plattenförmige Teil eine zusätzliche Wärmetransfer
einrichtung auf seiner Oberfläche innerhalb der Kammerein
richtung hat.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kondensatoreinrichtung eine zusätzliche Wärmeüber
tragungseinrichtung auf ihrer Außenseite zum Aussetzen ge
genüber der Luftzirkulation hat um eine Kühlung der Dämpfe
innerhalb der kondensierenden Einrichtung zu ermöglichen.
6. Vorrichtung zum Entfernen von Wärme von zumindest einer
wärmeerzeugenden elektronischen Einrichtung, gekennzeichnet
durch:
ein Kühlteil mit einer ersten Oberfläche, die zum Emp fangen der wärmefreisetzenden elektrischen Einrichtung in Wärmeübertragungsbeziehung damit konfiguriert ist und mit einer zweiten Oberfläche, die allgemein gegenüber der er sten Oberfläche ist,
zumindest ein thermisch leitendes Teil (52), das aus dielektrischem Material gebildet ist und in einer wärmelei tenden Beziehung zwischen dem Kühlteil und der elektroni schen Einrichtung angeordnet ist,
eine Einrichtung zum Bilden einer Kammer, die gegenüber der ersten Oberfläche isoliert ist und die zweite Oberflä che aufweist,
ein siedbares Kühlmittel, das in der Kammer unterge bracht ist und in Wärmeübertragungsbeziehung zu der zweiten Oberfläche ist, wobei Wärme durch das Kühlteil zu dem Kühl mittel zum Bewirken eines Phasenübergangs des Kühlmittels von einer flüssigen Phase in eine gasförmige Phase übertra gen wird, und,
eine Kondensatoreinrichtung, die betriebsmäßig mit der Kammer zum Kondensieren des Kühlmittels von seiner gasförmi gen Phase in seine flüssige Phase verbunden ist, während Wärmeenergie abgeführt wird.
ein Kühlteil mit einer ersten Oberfläche, die zum Emp fangen der wärmefreisetzenden elektrischen Einrichtung in Wärmeübertragungsbeziehung damit konfiguriert ist und mit einer zweiten Oberfläche, die allgemein gegenüber der er sten Oberfläche ist,
zumindest ein thermisch leitendes Teil (52), das aus dielektrischem Material gebildet ist und in einer wärmelei tenden Beziehung zwischen dem Kühlteil und der elektroni schen Einrichtung angeordnet ist,
eine Einrichtung zum Bilden einer Kammer, die gegenüber der ersten Oberfläche isoliert ist und die zweite Oberflä che aufweist,
ein siedbares Kühlmittel, das in der Kammer unterge bracht ist und in Wärmeübertragungsbeziehung zu der zweiten Oberfläche ist, wobei Wärme durch das Kühlteil zu dem Kühl mittel zum Bewirken eines Phasenübergangs des Kühlmittels von einer flüssigen Phase in eine gasförmige Phase übertra gen wird, und,
eine Kondensatoreinrichtung, die betriebsmäßig mit der Kammer zum Kondensieren des Kühlmittels von seiner gasförmi gen Phase in seine flüssige Phase verbunden ist, während Wärmeenergie abgeführt wird.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Passierwegeinrichtung zum Zurückführen des flüssi
gen Kühlmittels von der Kondensatoreinrichtung zu der Kam
mer vorgesehen ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kondensatoreinrichtung eine Kammereinrichtung auf
weist und daß die Kammereinrichtung, die Kammer und die
Passierwegeinrichtung als hermetisch abgedichtete Einheit
mit dem Kühlmittel darin ausgebildet sind.
9. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kammer eine gerippte Einrichtung als Wärmesenke
in thermischer Ubertragungsbeziehung mit der zweiten Ober
fläche aufweist.
10. Vorrichtung nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch eine
Tascheneinrichtung innerhalb der ersten Oberfläche des Kühl
teils und zumindest ein thermisch leitendes Teil das dafür
ausgelegt ist, innerhalb der Tascheneinrichtung aufgenommen
zu werden, wobei das thermisch leitende Teil eine Oberflä
che hat, die dafür ausgelegt ist, daß sie an der Oberfläche
der zumindest einen elektronischen Einrichtung in Wärmeüber
tragungsbeziehung mit diesem angebracht werden kann.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß das thermisch leitende Teil aus dielektrischem Material
besteht.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß das dielektrische Material Aluminiumnitrid ist.
13. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß das thermisch leitende Teil aus einem thermisch leiten
den Metall besteht, das zumindest teilweise mit einem di
elektrischen Material überzogen ist.
14. Luftgekühlte Vorrichtung zum Abführen von Wärme von
einer Matrix von wärmeerzeugenden Halbleitereinrichtungen,
gekennzeichnet durch:
eine Behältereinrichtung zum Bilden einer Kammer, wobei die Behältereinrichtung eine Befestigungsoberfläche für Wärmeübertragung außerhalb der Kammer aufweist und wobei die Befestigungsoberfläche für Wärmeübertragung eine ähnli che Matrix aus Taschen, die darin ausgebildet sind, hat,
ein thermisch leitendes Substrat, das an jeder der Halb leitereinrichtungen angebracht ist,
ein Lotmittel mit niedrigem Schmelzpunkt zum Bonden jedes dieser Substrate mit der jeweiligen elektronischen Einrichtung in die Taschen, wodurch jede dieser elektri schen Einrichtungen gegenüber der Kammer isoliert wird,
eine Wärmesenkeeinrichtung, die sich in die Kammer von einer Oberfläche erstreckt, welche gegenüber der Befesti gungsoberfläche für Wärmeübertragung liegt,
ein siedbares Kühlmittel, das in der Kammer unterge bracht ist und vollständig die Wärmesenkeeinrichtung zum Bewirken eines Phasenübergangs abdeckt, um Wärme von der Wärmesenkeeinrichtung zu entfernen, und
eine Kondensatoreinrichtung, die betriebsmäßig mit der Behältereinrichtung verbunden ist, um das siedbare Kühlmit tel von einer gasförmigen Phase in seine flüssige Phase zu kondensieren.
eine Behältereinrichtung zum Bilden einer Kammer, wobei die Behältereinrichtung eine Befestigungsoberfläche für Wärmeübertragung außerhalb der Kammer aufweist und wobei die Befestigungsoberfläche für Wärmeübertragung eine ähnli che Matrix aus Taschen, die darin ausgebildet sind, hat,
ein thermisch leitendes Substrat, das an jeder der Halb leitereinrichtungen angebracht ist,
ein Lotmittel mit niedrigem Schmelzpunkt zum Bonden jedes dieser Substrate mit der jeweiligen elektronischen Einrichtung in die Taschen, wodurch jede dieser elektri schen Einrichtungen gegenüber der Kammer isoliert wird,
eine Wärmesenkeeinrichtung, die sich in die Kammer von einer Oberfläche erstreckt, welche gegenüber der Befesti gungsoberfläche für Wärmeübertragung liegt,
ein siedbares Kühlmittel, das in der Kammer unterge bracht ist und vollständig die Wärmesenkeeinrichtung zum Bewirken eines Phasenübergangs abdeckt, um Wärme von der Wärmesenkeeinrichtung zu entfernen, und
eine Kondensatoreinrichtung, die betriebsmäßig mit der Behältereinrichtung verbunden ist, um das siedbare Kühlmit tel von einer gasförmigen Phase in seine flüssige Phase zu kondensieren.
15. Vorrichtung nach Anspruch 14, gekennzeichnet durch eine
Passierwegeinrichtung zum Zurückführen des flüssigen Kühl
mittels von der Kondensatoreinrichtung zu der Kammer.
16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kondensatoreinrichtung eine innere Kammereinrich
tung aufweist und daß die Kammereinrichtung, die Kammer
und die Passierwegeinrichtung als eine hermetisch abgedich
tete Einheit mit dem Kühlmittel darin ausgebildet sind.
17. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat aus elektrischem Material gebildet ist.
18. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat eine dielektrische Beschichtung auf der
Halbleitereinrichtung aufweist.
19. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet,
daß das dielektrische Material ein Aluminiumnitridsockel
ist.
20. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kondensatoreinrichtung eine Passierwegeinrichtung
mit äußeren Rippen enthält und daß die äußeren Rippen der
Luftzirkulation ausgesetzt sind.
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