DE4120966A1 - Farbfilter und verfahren zur herstellung desselben - Google Patents

Farbfilter und verfahren zur herstellung desselben

Info

Publication number
DE4120966A1
DE4120966A1 DE4120966A DE4120966A DE4120966A1 DE 4120966 A1 DE4120966 A1 DE 4120966A1 DE 4120966 A DE4120966 A DE 4120966A DE 4120966 A DE4120966 A DE 4120966A DE 4120966 A1 DE4120966 A1 DE 4120966A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
layers
lenses
color filter
colored
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE4120966A
Other languages
English (en)
Inventor
Sang Sik Kim
Han Su Park
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of DE4120966A1 publication Critical patent/DE4120966A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14632—Wafer-level processed structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14806—Structural or functional details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Farbfilter und ein Verfahren zur Herstellung desselben und insbesondere ein Farbfilter, das die Empfindlichkeit und die Spektraleigenschaften von Bildelementen verbessert, indem sie eine Rückstreuung und diffuse Reflexion verhindert.
In jüngster Zeit können Festkörper-Bildsensoreinrichtungen, die in der Lage sind, Elektronenröhren zu ersetzen, und daher als die Bildsensorvorrichtungen der nächsten Generation angesehen werden, die Farbe erzielen, indem Farbfilter an der Oberseite des opto-elektrischen Umsetzerbereichs gebildet werden.
Ferner konnen Anzeigeeinrichtungen, wie beispielsweise eine Flüssigkristallanzeige (LCD), ebenfalls die Farbgebung in gleicher Weise erreichen.
Die Farbfilter sind in zwei Typen eingeteilt: einer ist ein organisches Filter, das durch Färben von organischem Material, wie beispielsweise Kasein oder Gelatine, hergestellt wird, und der andere ist ein unorganisches Filter, das die optische Interferenzerscheinung ausnützt.
Fig. 1 zeigt eine Querschnittsansicht eines Farbfilters für eine übliche ladungsgekoppelte Einrichtung (CCD).
In der in Fig. 1 dargestellten CCD hat ein Substrat 1 eine konkave und konvexe Oberfläche, und an der konkaven Oberfläche werden Photodioden 2, 3 und 4 gebildet, während an der konvexen Oberfläche eine leitende Schicht 5 und eine Isolierschicht 7 gebildet werden.
Auf der CCD werden eine Abflachungsschicht 9 und viele Zwischenschichten, 13, 17 und 21 hergestellt, indem ein transparentes Material, wie beispielsweise Polyimid, abgeschieden wird.
Auf der Oberfläche der Abflachungsschicht 9 und den Zwischenschichten 13 und 17 werden angefärbte Schichten 11, 15 und 19, die jeweils den Photodioden 2, 3 und 4 entsprechen, gebildet. Die angefärbten Schichten 11, 15 und 19 bestehen aus organischem Material, wie beispielsweise Kasein oder Gelatine, die einen bestimmten Anteil von Ammonium enthalten und die mit Farbstoffen, wie beispielsweise Magenta, Zyan und Gelb, zur Erzielung eines jeden Spektrums gefärbt sind.
Ferner ist eine Linsenschicht 23 auf der gesamten Oberfläche der Anordnung gebildet und auf dieser Linsenschicht 23 sind Linsen 25, 26 und 27 jeweils entsprechend den Photodioden 2, 3 und 4 hergestellt.
Es wird nunmehr ein Verfahren zur Herstellung eines vorstehend beschriebenen Farbfilters kurz erläutert.
Die Halbleitervorrichtung 1 hat eine konkave und konvexe Oberflächenstruktur und an der konvexen Oberfläche werden die metallische leitende Schicht 5 und die Isolierschicht 7 hergestellt.
Auf dieser CCD wird die Abflachungsschicht 9 (flating layer) aus transparentem Material, wie beispielsweise Polyimid, gebildet und anschließend wird auf dieser Abflachungsschicht 9 die angefärbte Schicht 11 entsprechend der Photodiode 2 hergestellt.
Die angefärbte Schicht 11 ist mit Magenta oder Zyan oder Gelb gefärbt.
Anschließend wird die Zwischenschicht 13 gebildet, indem das Polyimid auf der gesamten Oberfläche der Anordnung aufgebracht wird.
In gleicher Weise werden die angefärbten Schichten 15 und 19 und die Zwischenschicht 17 hergestellt.
Die Zwischenschichten 13 und 19 dienen dazu, ein Vermischen von Farben mit der vorausgehend gebildeten angefärbten Schicht zu verhindern, wenn eine weitere angefärbte Schicht hergestellt wird.
Anschließend werden die höchste Zwischenschicht 21 und die Linsenschicht 23 gebildet.
Dabei wird die höchste Zwischenschicht 21 mit dem gleichen Werkstoff wie die unteren Zwischenschichten 13 und 17 hergestellt, und die Linsenschicht 23 besteht aus einem organischen Material.
Nach Aufbringen des gleichen oder eines ähnlichen Materials wie die Linsenschicht 23 auf der gesamten Oberfläche der Anordnung werden die Linsen 25, 26 und 27 entsprechend einer jeden Photodiode durch ein photolithographisches Verfahren und ein thermisches Verfahren gebildet.
In dem vorstehend beschriebenen Farbfilter wird das auf den Linsen unter einem normalen Winkel einfallende Licht auf jeder angefärbten Schicht fokussiert und das Licht einer jeden vorgeschriebenen Farbe wird durch jede Photodiode erfaßt.
Doch verschlechtert das bisher beschriebene, bekannte Farbfilter die Empfindlichkeit der Photodioden, da alle auf die Linsen einfallenden Lichtstrahlen nicht auf die angefärbten Schichten fokussiert werden, bedingt durch die Oberfächenkrümmung der Linsen, und die rückgestreuten Lichtanteile wirken aufeinander über benachbarte Linsen ein und verschlechtern das Spektralverhalten einer jeden Photodiode.
Da es ferner schwierig ist, einander berührende Linsen herzustellen und somit die höchste Zwischenschicht zwischen den Linsen freiliegt, verschlechtern die auf den freiliegenden Abschnitt der höchsten Zwischenschicht einfallenden Lichtstrahlen die Spektraleigenschaften der benachbarten Photodioden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Farbfilter zu schaffen, das die Empfindlichkeit und das Spektralverhalten von Dioden durch Verhinderung einer Rückstreuung verbessert.
Ferner liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Farbfilter zu schaffen, das das Spektralverhalten von Photodioden verbessert, indem ein Eindringen von Lichtstrahlen im Abschnitt zwischen benachbarten Photodioden verhindert wird.
Schließlich liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung des vorstehend beschriebenen Farbfilters zur Verfügung zu stellen.
Erfindungsgemäß wird ein Farbfilter geschaffen, das auf einem Halbleitersubstrat mit einer Matrix von Bildelementen gebildet wird und das gekennzeichnet ist durch:
eine auf dem Halbleitersubstrat gebildete Abflachungsschicht,
mindestens zwei Zwischenschichten die auf der Abflachungsschicht gebildet werden,
mindestens zwei unter den Zwischenschichten gebildete angefärbte Schichten für Spektren einfallenden Lichts ensprechend einem jeden Bildelement,
eine auf der höchsten Zwischenschicht gebildete Linsenschicht,
eine Anzahl Linsen mit einer vorgeschriebenen Krümmung, die auf der Linsenschicht entsprechend jeden Bildelements gebildet werden, und
eine eine Rückstreuung verhindernde Schicht, die dünn auf den Linsen gebildet wird.
Erfindungsgemäß wird ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Farbfilters auf einem Halbleitersubstrat mit einer Matrix von Bildelementen geschaffen, das gekennzeichnet ist durch folgende Schritte:
Bildung einer Abflachungsschicht auf dem Halbleitersubstrat,
Bildung einer angefärbten Schicht auf der Abflachungsschicht entsprechend einem der Bildelemente und Bildung einer Zwischenschicht auf der angefärbten Schicht, wobei der vorausgehende Schritt mindestens zweimal wiederholt wird,
Bildung einer Linsenschicht auf der höchsten Zwischenschicht,
Bildung von Linsen mit vorgeschriebener Krümmung auf der Linsenschicht entsprechend jedem Bildelement, und,
Bildung von einer Rückstreuung verhindernden Schichten auf den Linsen.
Die genannten und weitere Aufgabenstellungen, Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich im einzelnen aus der nachfolgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen in Verbindung mit den anliegenden Zeichnungen; es zeigen:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht eines bekannten Farbfilters,
Fig. 2 eine Querschnittsansicht eines erfindungsgemäßen Farbfilters, und
Fig. 3 (A)-(C) eine Reihe von Querschnittsansichten, die zur Erläuterung eines Verfahrens zur Herstellung eines erfindungsgemäßen Farbfilters dienen.
Die Erfindung wird nunmehr unter Bezugnahme auf die anliegenden Zeichnungen näher beschrieben.
Fig. 2 ist eine Querschnittsansicht eines auf einer CCD hergestellten Farbfilters.
Ein Halbleitersubstrat 31 hat eine konkave und konvexe Oberflächenstruktur.
An der konkaven Oberfläche sind eine erste, zweite und dritte Photodiode 32, 33 und 34 in einer Matrixform ausgebildet, während an der konvexen Oberfläche eine leitende Schicht 35 und eine Isolierschicht 37 gebildet werden.
Auf dieser CCD wird eine Abflachungsschicht 39 gebildet, um den Stufenunterschied zwischen den konkaven und konvexen Oberflächen zu beseitigen, und eine erste, zweite und dritte Zwischenschicht 43, 47 und 51 werden aufeinander folgend auf der Abflachungsschicht 39 gebildet.
Die Abflachungsschicht 39 und die Zwischenschichten 43, 47 und 51 bestehen aus einem Werkstoff, der 90% des einfallenden Lichts durchläßt, wenn die Wellenlänge im Bereich von 400 bis etwa 700 nm liegt und der keine Änderung der Werkstoffeigenschaften im Temperaturbereich von 150 bis 200°C hat.
Ferner werden auf der Abflachungsschicht 39 und der ersten und zweiten Zwischenschicht 43 und 47 eine erste, zweite und dritte angefärbte Schicht 41, 45 und 49 entsprechend den Photodioden 32, 33 und 34 gebildet.
Die angefärbten Schichten 41, 45 und 49 bestehen aus Kasein oder Gelatine, die einen bestimmten Betrag von Ammonium enthalten und die teils mit Magenta, Zyan und Gelb gefärbt sind.
Auf der dritten Zwischenschicht 51 wird eine Linsenschicht 53 aus Polyimid oder Acryl gebildet.
Anschließend werden auf dieser Linsenschicht 53 eine erste, zweite und dritte Linsenschicht 55, 56 und 57 entsprechend der ersten, zweiten und dritten Photodiode 31, 33 und 34 gebildet.
Die Linsen 55, 56 und 57 liegen um einen bestimmten Betrag voneinander entfernt und auf diesen Linsen werden Schichten 59 zur Verhinderung einer Rückstreuung gebildet.
Die Schichten 59 zur Verhinderung einer Rückstreuung bestehen aus einem entspiegelnden Werkstoff.
Ferner sind die eine Rückstreuung verhindernden Schichten 59 einander überlappend ausgebildet um die auf den Abschnitt zwischen den Linsen liegenden Bereich einfallender Lichtstrahlen auf die erste, zweite und dritte Photodiode 32, 33 und 34 zu fokussieren.
Fig. 3 (A)-(C) stellen eine Folge der Verarbeitungsstufen dar.
In Fig. 3 (A) werden an der vertieften Fläche des Siliziumsubstrats 31 die Photodioden 32, 33 und 34 gebildet, während an der konvexen Oberfläche die leitende Schicht 35 aus Aluminium und die Isolierschicht 37 aus SiO2 gebildet werden.
Auf dieser CCD wird die Abflachungsschicht 39 in einer Dicke von 0,3 bis etwa 3,0 µm durch Aufbringen von Polyimid gebildet.
Als nächstes wird nach dem Aufbringen des Kaseins oder der Gelatine mit einer bestimmten Menge von Ammonium und einer Musterherstellung des aufgebrachten Films mittels üblicher Photolitographie, die erste angefärbte Schicht durch Aufbringen eines Färbemittels auf der gesamten Oberfläche der Anordnung gebildet.
Das Färbemittel reagiert mit dem Muster der angefärbten Schicht, aber nicht mit der Abflachungsschicht 39.
Als nächstes wird das Färbemittel auf der Abflachungsschicht 39 mittels eines entionisierten Wassers entfernt.
Dabei wird die erste angefärbte Schicht 39 durch das Magenta gefärbt, um das Magentaspektrum zu erhalten.
Als nächstes wird die erste Zwischenschicht mit einer Dicke von 1 µm auf der Abflachungsschicht 39 durch Aufbringen des gleichen Werkstoffs, wie sie die Abflachungsschicht 39 aufweist, auf die gesamte Fläche der Anordnung gebildet.
In Fig. 3 (B) werden auf der ersten Zwischenschicht 43 die zweite und dritte gefärbte Schicht 45 und 49 in gleicher Weise hergestellt.
Die erste und zweite angefärbte Schicht 45 und 49 werden jeweils durch Zyan und Gelb angefärbt, damit jeweils das Zyan- und das Gelb-Spektrum erhalten werden.
Ferner werden auf der zweiten und dritten angefärbten Schicht 45 und 49 die zweite und dritte Zwischenschicht 47 und 51 in gleicher Weise wie bei der ersten Zwischenschicht 43 gebildet.
In Fig. 3 (C) wird die Linsenschicht 53 aus Polyimid oder Acryl auf der dritten Zwischenschicht 51 gebildet.
Als nächstes werden die erste, zweite und dritte Linse 55, 56 und 57 jeweils auf der Linsenschicht 53 entsprechend der ersten, zweiten und dritten Photodiode 32, 33 und 34 gebildet.
Die Linsen 55, 56 und 57 werden durch thermische Verarbeitung nach Belichtung und Entwicklung unter Verwendung einer Photomaske hergestellt.
Dabei müssen die Linsen mit einem bestimmten Abstand zur Verhinderung der Überlappung gebildet werden.
Als nächstes werden an diesen Linsen die Schichten 59 zur Verhinderung einer Rückstreuung gebildet.
Die Schichten 59 zur Verhinderung einer Rückstreuung werden gebildet, indem ein entspiegelnder Werkstoff, wie beispielsweise Xylol oder Gase, aufgebracht werden.
Durch Ausbildung der eine Rückstreuung verhindernden Schichten 59 ohne überlappenden Abschnitt haben die Abschnitte zwischen den Linsen eine vorgeschriebene Krümmung.
Somit können die auf Abschnitte zwischen benachbarten Linsen einfallenden Lichtstrahlen auf die Photodioden 32, 33 und 34 fokussiert werden.
Wie bereits erwähnt wurde, verhindert die Erfindung eine Rückstreuung der einfallenden Lichtstrahlen als Folge der Krümmung der Linsen, indem der entspiegelnde Werkstoff auf der Oberfläche der Linsen gebildet wird, wodurch das Ausmaß der Konzentration des einfallenden Lichts erhöht und eine Verschlechterung des Spektralverhaltens der Photodioden infolge einer Streuung verhindert wird.
Ferner haben durch die Ausbildung der die Rückstreuung verhindernden Schichten mit entsprechendem Abstand die Abschnitte zwischen den benachbarten Linsen eine vorgeschriebene Krümmung, womit die Empfindlichkeit und das Spektralverhalten der Photodioden verbessert wird, indem die einfallenden Lichtstrahlen auf diese Abschnitte fokussiert werden.
Somit hat die Erfindung den Vorteil, daß die einfallenden Lichtstrahlen mittels der eine Rückstreuung verhindernden Schichten an einer Streuung gehindert werden und die Empfindlichkeit und das Spektralverhalten der Photodioden kann verbessert werden, indem die einfallenden Lichtstrahlen auf die Abschnitte zwischen den benachbarten Linsen fokussiert werden.
Die Erfindung ist in keiner Weise auf die vorstehend beschriebene Ausführungsform beschränkt. Verschiedene Abänderungen der angegebenen Ausführungsform, sowie weitere Ausführungsformen der Erfindung sind nach Bezugnahme auf die Beschreibung der Erfindung für den Fachmann offensichtlich. Daher werden derartige Abänderungen oder Ausführungsformen im Rahmen der anliegenden Ansprüche von der Erfindung mitumfaßt.

Claims (8)

1. Farbfilter, das auf einem Halbleitersubstrat mit einer Matrix von Bildelementen gebildet wird, gekennzeichnet durch:
eine auf dem Halbleitersubstrat (31) gebildete Abflachungsschicht (39),
mindestens zwei Zwischenschichten (43, 47), die auf der Abflachungsschicht gebildet werden,
mindestens zwei unter den Zwischenschichten gebildete angefärbte Schichten (41, 45, 49) für Spektren einfallenden Lichts ensprechend einem jeden Bildelement,
eine auf der höchsten Zwischenschicht gebildete Linsenschicht (53),
eine Anzahl Linsen (55, 56, 57) mit einer vorgeschriebenen Krümmung, die auf der Linsenschicht entsprechend jeden Bildelements gebildet werden, und
eine eine Rückstreuung verhindernde Schicht (59), die dünn auf den Linsen gebildet wird.
2. Farbfilter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Rückstreuung verhindernden Schichten (59) in Berührung miteinander gebildet werden.
3. Farbfilter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Rückstreuung verhindernden Schichten (59) aus einem entspiegelnden Werkstoff bestehen.
4. Verfahren zur Herstellung eines Farbfilters auf einem Halbleitersubstrat mit einer Matrix von Bildelementen, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
Bildung einer Abflachungsschicht (39) auf dem Halbleitersubstrat,
Bildung einer angefärbten Schicht (41, 45, 49) auf der Abflachungsschicht entsprechend einem der Bildelemente und Bildung einer Zwischenschicht (43, 47) auf der angefärbten Schicht, wobei der vorausgehende Schritt mindestens zweimal wiederholt wird,
Bildung einer Linsenschicht (53) auf der höchsten Zwischenschicht,
Bildung von Linsen (55, 56, 57) mit vorgeschriebener Krümmung auf der Linsenschicht entsprechend jedem Bildelement, und,
Bildung von einer Rückstreuung verhindernden Schichten (59) auf den Linsen.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Rückstreuung verhindernden Schichten (59) aus einem entspiegelnden Werkstoff bestehen.
6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Rückstreuung verhindernden Schichten (59) mittels eines Beschichtungsverfahrens oder eines Aufdampfverfahrens gebildet werden.
7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Rückstreuung verhindernden Schichten (59) in Bildung miteinander gebildet werden.
8. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Rückstreuung verhindernden Schichten (59) eine vorgeschriebene Krümmung an den in Berühung miteinander befindlichen Abschnitten haben.
DE4120966A 1991-01-10 1991-06-25 Farbfilter und verfahren zur herstellung desselben Ceased DE4120966A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910000266A KR920015461A (ko) 1991-01-10 1991-01-10 칼라필터 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4120966A1 true DE4120966A1 (de) 1992-07-16

Family

ID=19309598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4120966A Ceased DE4120966A1 (de) 1991-01-10 1991-06-25 Farbfilter und verfahren zur herstellung desselben

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR920015461A (de)
DE (1) DE4120966A1 (de)
GB (1) GB2251721B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5377046A (en) * 1993-01-21 1994-12-27 Ryan Screen Printing Inc. Indicator viewing angle enhancer
DE102007006921B4 (de) * 2006-02-13 2009-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Farbfilter, Farbfilterfeld, Verfahren zur Herstellung und Bildsensor
CN110612606A (zh) * 2018-04-06 2019-12-24 汉阳大学校产学协力团 包括量子点层的双重图像传感器

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2601148B2 (ja) * 1993-07-23 1997-04-16 日本電気株式会社 固体撮像装置
KR0147401B1 (ko) * 1994-02-23 1998-08-01 구본준 고체촬상소자 및 그 제조방법
CN101769784B (zh) * 2008-12-27 2012-06-20 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 感测器组合

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3425923A1 (de) * 1983-07-29 1985-02-14 Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha, Shinjuku, Tokio/Tokyo Kunststofflinse
JPH01246505A (ja) * 1988-03-29 1989-10-02 Canon Inc 固体撮像素子

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59198754A (ja) * 1983-04-26 1984-11-10 Toshiba Corp カラ−用固体撮像デバイス
US4694185A (en) * 1986-04-18 1987-09-15 Eastman Kodak Company Light sensing devices with lenticular pixels

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3425923A1 (de) * 1983-07-29 1985-02-14 Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha, Shinjuku, Tokio/Tokyo Kunststofflinse
JPH01246505A (ja) * 1988-03-29 1989-10-02 Canon Inc 固体撮像素子

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Patents Abstracts of Japan, P-181, Dec. 22, 1989, Vol. 13/No. 583 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5377046A (en) * 1993-01-21 1994-12-27 Ryan Screen Printing Inc. Indicator viewing angle enhancer
DE102007006921B4 (de) * 2006-02-13 2009-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Farbfilter, Farbfilterfeld, Verfahren zur Herstellung und Bildsensor
CN110612606A (zh) * 2018-04-06 2019-12-24 汉阳大学校产学协力团 包括量子点层的双重图像传感器
CN110612606B (zh) * 2018-04-06 2023-08-22 汉阳大学校产学协力团 包括量子点层的双重图像传感器

Also Published As

Publication number Publication date
GB2251721B (en) 1994-11-16
GB2251721A (en) 1992-07-15
KR920015461A (ko) 1992-08-26
GB9113673D0 (en) 1991-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69130777T2 (de) Herstellungsverfahren für Mikrolinsen
DE69125927T2 (de) Festkörper-bildaufnahmevorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
DE69333000T2 (de) Herstellungverfahren einer Flüssigkristallanzeige
DE69410155T2 (de) Linsenanordnung für Fotodiode, bestehend aus einer Apertur mit einem Lins-Gebiet und mit einem Gebiet ohne Linse
DE69126165T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Farbfilters
DE4415140C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Festkörper-Bildsensors
DE19525745B4 (de) Verfahren zur Bildung eines Abdeckungsmusters
DE69220218T2 (de) Infrarot-filter
DE69224788T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Festkoerper- Bildaufnahmevorrichtung
DE3934301A1 (de) Einstueckiges optisches element und verfahren zu dessen herstellung
DE3006919C2 (de) Festkörper-Farbbildaufnahmevorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE4007119A1 (de) Farbfilter und verfahren zu seiner herstellung
DE3031759A1 (de) Festkoerper-bildaufnahmevorrichtung
US4339514A (en) Process for making solid-state color imaging device
DE112020007036T5 (de) Gegensubstrat, Anzeigefeld und Anzeigevorrichtung
DE69518028T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Farbfilters und mehrfarbige Flüssigkristallgeräte
DE10352741B4 (de) Strahlungsdetektierendes optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung
DE3332276C2 (de)
DE4120966A1 (de) Farbfilter und verfahren zur herstellung desselben
EP0081055B1 (de) Aufzeichnungsträger mit einer mehrfarbigen Feinstruktur, insbesondere in Form einer Mikrolandkarte, und Verfahren zur Herstellung des Aufzeichnungsträgers
DE69325728T2 (de) Farbfilter für Bildsensor
US4786819A (en) Method of fabricating a contact type color image sensor
DE69222230T2 (de) Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung
DE69020135T2 (de) Konvergierender filter und verfahren zur herstellung.
DE2554613C3 (de) Ladungsspeicherplatte für eine Einröhren-Farbbildkameraröhre

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection