CN110612606A - 包括量子点层的双重图像传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开双重图像传感器。根据本发明一个实施列的双重图像传感器包括：第一图像传感器模块及第二图像传感器模块，安装于印刷电路板上，所述第一图像传感器模块，包括：第一壳体，安装于所述印刷电路板上；第一图像传感器，安装于所述印刷电路板上，且形成于所述第一壳体的第一面；及第一透镜，形成于所述第一壳体的第二面，所述第二图像传感器模块，包括：第二壳体，安装于所述印刷电路板上；第二图像传感器，安装于所述印刷电路板上，且形成于所述第二壳体的第一面；第二透镜，形成于所述第一壳体的第二面；及量子点层，形成于所述第二图像传感器与所述第二透镜之间，且通过吸收紫外线，发光为可视光。

Description

包括量子点层的双重图像传感器
技术领域
本发明涉及包括量子点层的双重图像传感器，更具体地，本发明涉及可显示紫外线的包括双重量子点层的图像传感器。
背景技术
近期以来，随着电脑产业及通信产业的发展，在各领域数码相机、摄录像机、PCS(Personal Communication System)、游戏设备、监控摄像机、医用微型相机等，具有提高性能的图像传感器的需求量增大。
在通常情况下，图像传感器大分为CCD(电荷耦合元件，Charge Coupled Device)型及CMOS(互补金属氧化物半导体，Complementary Metal Oxide Semiconductor)型。在此，CCD型图像传感器利用门脉冲将由光发生的电子直接移动至输出部。
因此，即使因外部噪音，电压发生变化，电子数量不发生变化，即，其具有噪音不影响输出信号的特性。因此，图像传感器频繁用于如数码相机及摄录像机等像素要求高的多功能设备。
由于CMOS图像传感器的驱动方式简单，且可将信号处理电路集成于单晶片，可使产品小型化。由于CMOS图像传感器电力消耗非常低，可适用于电池容量有限制的产品。
此外，CMOS图像传感器因可兼容使用CMOS工程技术，可降低其制造单价。因此，CMOS图像传感器随着技术开发及其高分辨率的实现，其使用量急剧增加。
此外，图像传感器具有可对肉眼看不到的红外线或紫外线光反映的特性。因此，有根据需要隔绝可视光，使紫外线或红外线透过的必要性。在此情况下，进一步使用红外线或紫外线像素。
大韩民国公开专利第10-2010-0079088号，利用量子点透镜代替微透镜及彩色过滤器感应可视光的技术，具有工程复杂且不能感应紫外线或红外线光的问题。
大韩民国公开专利第10-2015-0118885号，涉及作为紫外线检测物质，使用有机物质、量子点及III-V物质的有机光电二极管(OPD)结构的技术。因为通过吸收光形成电子-空穴对(EHP)，并通过上/下部电极形成电流，具有光电转换效率低、工程复杂的问题。
根据Ludong Li，通过将宽禁带材料(Wide-band gap material；ZnO quantumdot)使用为频道，氧化锌量子点(ZnO QD)吸收紫外线生成电子-空穴对的技术，具有工程复杂问题。
美国注册专利第9,635,325号为使氮化硅(SiNx)作为光致发光物质作用，起到换低速档(energy-down-shift)作用的技术。其排除可视光线，仅感应紫外线。因为光学的光流量(flux)不足，存在难以图像化的问题。
然而，如前所述，为了利用图像传感器测定属于红外线或紫外线的光，使用了在红外线或紫外线的波长带域具有高感光度的光电二极管(SOI，ZnO纳米图案，TiO2纳米棒(nano-rod)，石墨烯等)。
但在红外线或紫外线的波长带域，具由高感光度的光电二极管，存在工程复杂，只能简单确认紫外线或红外线光量的问题。
此外，为了在紫外线波长带域实现高感光度(高光电流)，目前的可测定紫外线光的图像传感器要适用如SOI结构、ZnO、TiO2、石墨烯或量子点等的宽带隙(wide band-gap)物质，制造光电二极管。
但是，适用宽带隙(wide band-gap)物质制造的光电二极管工程复杂(complexity)，且目前的图像传感器只能确认紫外线量。
此外，目前的Si CMOS图像传感器如使用紫外线灯(UV lamp)或紫外发光二极管(UV LED)照射的话使用<400nm波长的紫外线光(UV light)，但是，因为在<400nm的波长因为量子效率低(quantum efficiency)，不能得到清晰的图像。
发明内容
技术问题
本发明一些实施例的目的为利用包括第一图像传感器模块及包括量子点层的第二图像传感器模块，吸收不同波长帶域的光，以测定对象体的深度剖面(depth pofile)。
本发明一些实施例的目的为通过利用量子点层，根据紫外线量可进行显示(图像化)的双重图像传感器。
本发明一些实施例的目的为通过利用量子点层，吸收紫外线波长帶域的光，作为可视光进行发光，制造均可感应可视光线及紫外线的双重图像传感器。
本发明一些实施例的目的为通过在目前所使用的图像传感器安装量子点层的简单工程制造可感应紫外线的双重图像传感器。
技术方案
根据本发明一个实施例的双重图像传感器，包括：第一图像传感器模块及第二图像传感器模块，安装于印刷电路板上；所述第一图像传感器模块，包括：第一壳体，安装于所述印刷电路板上；第一图像传感器，安装于印刷电路板上，且形成于所述第一壳体的第一面；及第一透镜，形成于所述第一壳体的第二面；所述第二图像传感器模块，包括：第二壳体，安装于所述印刷电路板上；第二图像传感器，安装于所述印刷电路板上，且形成于第二壳体的第一面；第二透镜，形成于所述第一壳体的第二面；及量子点层，形成于所述第二图像传感器与所述第二透镜之间，且通过吸收紫外线，作为可视光发光。
所述双重图像传感器吸收第一可视光线及第二可视光线，所述第一可视光线可被吸收于所述第一图像传感器模块及所述第二图像传感器模块，所述第二可视光线可由量子点层被入射，被吸收于所述第二图像传感器模块。
所述量子点层可通过对所述紫外线进行能量换低速档(energy-down-shift)，使所述第二可视光发光。
所述双重图像传感器通过吸收相互不同的波长带域的光，可测定对象体的深度剖面(depth pofile)。
所述第一图像传感器模块及所述第二图像传感器模块从对象体的焦距可相异。
所述量子点层可为青色量子点层，所述青色量子点层可透过第一可视光线，且可选择性地吸收所述紫外线，以增幅青色的第二可视光线。
所述量子点层可为赤色量子点层，所述青色量子点层可透过所述第一可视光线，且可选择性地吸收所述紫外线，以增幅赤色的所述第二可视光线。
所述量子点层可为绿色量子点层，所述绿色量子点层可透过所述第一可视光线，且可选择性地吸收所述紫外线，增幅绿色的所述第二可视光线。
所述量子点层根据量子点的浓度可控制透过率(transmittance)。
所述量子点层可包括闪锌矿(zinc blende)结构的CdS,CdSe,CdTe,ZnS,ZnSe,ZnTe,HgS,HgSe,HgTe,CdSeS,CdSeTe,CdSTe,ZnSeS,ZnSeTe,ZnSTe,HgSeS,HgSeTe,HgSTe,CdZnS,CdZnSe,CdZnTe,CdHgS,CdHgSe,CdHgTe,HgZnS,HgZnSe,HggZnTe,CdZnSeS,CdZnSeTe,CdZnSTe,CdHgSeS,CdHgSeTe,CdHgSTe,HgZnSeS,HgZnSeTe,HgZnSTe,GaN,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,AlP,AlS,AlSb,AlN,AlP,AlAs,InN,InP,InAs,PbS,PbSe,Si,Ge,MgS,MgSe,MgTe,GaNP,GaNAs,GaPAs,AlNP,AlNAs,AlPAs,InNP,InNAs,InPAs,GaAlNP,GaAlNAs,GaAlPAs,GaInNP,GaInNAs,GaInPAs,InAlNP,InAlNAs,InAlPAs及其组合中至少任何一个量子点。
所述量子点层可包括核心/外壳结构的量子点，核心/外壳结构的量子点及合金结构的量子点中至少任何一个。
所述印刷电路板可进一步包括安装于所述第一图像传感器模块及第二图像传感器模块周围的至少一个以上的光源。
所述第一图像传感器模块可进一步包括形成于第一图像传感器上的第一红外线剖切过滤器(IR-cut filter)。
所述第一图像传感器模块可进一步包括形成于第一图像传感器上的第一空白过滤器(blank filter)。
所述第二图像传感器模块可进一步包括形成于所述量子点层上的第二红外线隔绝过滤器。
所述第一图像传感器及第二图像传感器，可包括：光电转换元件，与基片上的多个像素区域对应地形成；配线层，形成于形成有所述光电转换元件的的基片上；及彩色过滤器，形成于所述配线层，且与所述光电转换元件对应地形成，所述彩色过滤器中至少一个通过吸收光，作为特定波长区域的可视光发光。
所述光电转换元件可为以硅为基础的光电二极管。
所述的第一图像传感器及第二图像传感器可进一步包括形成于所述RGB彩色过滤器上的微透镜。
根据本发明另外一种实施例的双重图像传感器，包括：透镜夹，安装于印刷电路板上；第一图像传感器模块及第二图像传感器模块，安装于所述印刷电路板上，且形成于所述透镜夹的第一面；及透镜，形成于所述透镜夹的第二面；且，所述第二图像传感器模块，包括第二壳体，安装于所述印刷电路板上；及第二图像传感器，安装于所述印刷电路板上，且形成于所述第二壳体的第一面；所述第二图像传感器模块，包括：第二壳体，安装于所述印刷电路板上；第二图像传感器，安装于所述印刷电路板上，且形成于所述第二壳体的第一面；及量子点层，形成于所述第二图像传感器上，且通过吸收紫外线作为可视光发光。
所述的双重图像传感器，可进一步包括形成于第一图像传感器模块及第二图像传感器模块和所述透镜之间的透镜。
技术效果
根据本发明的实施例，利用包括第一图像传感器模块及包括量子点层的第二图像传感器模块的双重图像传感器，吸收不同波长带域的光，可测定对象体的深度剖面(depthpofile)。
根据本发明的实施例，使用量子点层，根据紫外线量可制造可进行显示化(图像化)的双重图像传感器。
根据本发明的实施例，通过使用量子点层吸收紫外线波长带域的光，作为可视光进行发光，可制造均可感应可视光线及紫外线的双重图像传感器。
根据本发明的实施例，通过在目前所使用的图像传感器安装量子点层的简单工程，可制造可感应紫外线的双重图像传感器。
附图说明
图1a至图1c是示出根据本发明一个实施例的包括量子点层的双重图像传感器的剖面图；
图2是示出根据本发明另外一个实施例的包括在量子点层的双重图像传感器的第一图像传感器的剖面图；
图3是示出根据本发明一个实施例的包括在双重图像传感器的第二图像传感器及量子点层的剖面图；
图4是示出包括光源的根据本发明的一个实施例的双重图像传感器的平面图；
图5是示出根据本发明的另一个实施例的双重图像传感器的剖面图；
图6是根据包括光源的本发明的另一个实施例的双重图像传感器的平面图；
图7a是示出在移动设备以模式被安装的根据本发明的一个实施例的双重图像传感器的概略图；
图7b是示出在移动设备以模式被安装的根据本发明的另一个实施例的双重图像传感器的概略图；
图8是示出在移动设备以模式被安装的根据本发明的一些实施例的双重图像传感器应用例子的概略图；
图9是示出根据本发明一些实施例的根据安装于双重传感器的量子点层波长的(Wavelength)发光强度(photoluminescence intensity；PL intensity)及吸收率(Absorption；Abs)的图表；
图10是示出根据本发明一些实施例的双重图像传感器的波长的硅量子效率(Siquantum efficiency)、紫外线灯的光谱功率(Spectral power@UV lamp)及量子点发射(Quantum-dot emission)强度的图表；
图11是示出根据本发明一些实施例的利用包括双重图像传感器的紫外线照相机的紫外线防晒剂测定(Sunscreen test)结果的图；
图12及图13是根据本发明一些实施例的利用包括双重图像传感器的紫外线照相机(UV camera)皮肤深度剖面(Depth profile of skin)测定结果的图；
图14是示出根据本发明一些实施例的利用包括双重图像传感器的紫外线照相机(UV camera)建筑的拍摄图像；
图15是示出根据本发明一些实施例的利用包括双重图像传感器的紫外线照相机(UV camera)的皮脂测定结果的图。
具体实施方式
以下，参考附图对实施例进行详细地说明。但是，经这些实施例，不限制或限定权利要求。
在本发明使用的用语是为了说明实施例的，而不是要限制本发明。在本说明书中，没有特别地提及时，单数形式的语句也包括复数形式。
在说明书中使用的“包括(comprises)”和/或“含有(comprising)”不排除所提到的构成要素、步骤、动作和/或元件是一个以上的其他构成要素、步骤、动作和/或元件的存在或者附件。
在本说明使用的“实施例”、“例”、“侧面”、“示例”等，不可解释成比说明的任意方面(aspect)或者设计不同的方面或者设计良好，或者有益点。
还有，用语‘或者’比起‘异或(exclusive or)’意味着‘逻辑或(inclusive or)’。即，没有被提及或者从文字上没有明确之外，‘x利用a或者b’的表现的意思是逻辑的自然包容排列(natural inclusive permutations)中的任何一个。
还有，在本说明书及权利要求中使用的单数表现(“一”或者“一个”)没有被提及或者从文字上没有明确关于单数形态之外，一般被解释成“一个以上”的意思。
在以下说明中被使用的用语在有关技术领域被选择为一般的且普遍的，但是，随着技术的发达和/或变化、惯例、技术者的偏好等，可有其他用语。
因此，以下说明中被使用的用语不能理解为限定技术思想，且理解为用语说明实施例的示例用语。
还有，在特定的情况下也有申请人任意选用的用语，在这种情况下，在相应说明部分中记载其详细的意思。因此，在以下说明被使用的用语被理解为不是单纯的用语名称，而是以其用语具有的意思和经说明书整体的内容为基础。
一方面，第一、第二等用语可用于说明多样地构成要素，但是，构成要素不被用语所限定。用语只由将一个构成要素从其他构成要素区别的目的被使用。
还有，当膜、层、领域、构成要素等部分在其他部分的“上面”或“之上”时，不仅就在其他部分上面的情况，也包括其中间由其他膜、层、领域、构成要素等的情况。
没有其他定义，在本说明书使用的所有用语(包括技术及科学用语)可由在本发明所属技术领域的技术人员共同理解的意思被使用。并且，一般使用的定义在字典里的用语，没有明确的特别定义之外，不可理想的或者过度的解释。
一方面，在说明本发明过程中，当对有关公告技能或者构成的具体说明判断为不必要的模糊本发明的概要时，省略其详细的说明。
并且，在本说明书使用的用语(terminology)是用于表现本发明实施例而被使用的用语，这随着用户、运营者的意图或者本发明所属领域的惯例等，可有所不同。因此，对本用语的定义以本说明书的整个内容为基础被下定义。
以下，将参照图1a至图1c，说明根据本发明一些实施例的包括量子点层的双重图像传感器。
图1a至图1c是示出根据本发明一些实施例的双重图像传感器的剖面图。
因为，除了印刷电路板100的结构，图1a至图1c包括相同的构成要素。因此，对于重复的构成要素，将在图1a进行说明。
根据本发明的一个实施例的双重图像传感器包括安装于了印刷电路板100上的第一图像传感器模块200及包括量子点层(quantum-dot layer；340)的第二图像传感器模块300。
根据本发明一个实施例的双重图像传感器可吸收第一可视光线及第二可视光线，第一可视光线可吸收于第一图像传感器模块200及第二图像传感器模块300，第二可是光线可由量子点层340被入射，吸收于第二图像传感器模块300。
因此，第一可视光P1可包括从外部入射的可视光，第二可视光P2可包括从外部入射的紫外线波长带域的光或红外线波长带域的光通过量子点层340被变换的可视光。
因此，根据本发明一些实施例的包括量子点层的图像传感器由安装量子点层340的单纯工程，可通过第一可视光P1感应可视光，且可通过由量子点层340入射的第二可视光感应红外线或紫外线。
此外，根据本发明一些实施例的包括量子点层的图像传感器可通过由量子点层340入射的第二可视光，根据紫外线波长带域的光或红外线波长带域的光量进行显示(图像化)。
根据本发明一个实施例的双重图像传感器通过吸收相互不同的波长带域的光，可测定对象体400的深度剖面(depth pofile)。
对于对象体400不进行特别限制。例如，对象体可为人的皮肤。
例如，对于人的皮肤，光的波长越长，投射深度越深。对于深蓝(Deep blue)光，可测定从皮肤约1mm的穿透深度(penetration depth)，且对于紫外线光，可测定从皮肤约0.5mm的穿透深度。
即，根据本发明一个实施例的双重图像传感器通过第二图像传感器300测定紫外线图像，可测定从皮肤～0.5mm以下的近表面(near surface)信息，可测定深度剖面。
进一步具体地，因为根据本发明一个实施例的双重图像传感器的第一图像传感器模块200不包括量子点层340，可利用深蓝(Deep blue)检测出对照用对象体400的深度深的位置。
此外，因为根据本发明一个实施例的双重图像传感器的第二图像传感器模块300包括量子点层340，可利用紫外线检测出对照用对象体400深度浅的位置，测定对象体400的深度剖面(depth pofile)。
由于根据光的波长，人皮肤的渗透深度(penetration depth)不同，利用根据本发明一个实施例的双重图像传感器，可通过吸收相互不同波长带域的光，完成皮肤的深度剖面(depth profile)。
此外，根据本发明一个实施例的双重图像传感器可通过使用量子点层340吸收紫外线波长带域的光，使其作为可视光线发光，可传感可视光线及紫外线。
此外，根据本发明一个实施例的双重图像传感器可通过在目前所使用的图像传感器安装量子点层340的简单工程，传感紫外线。
根据本发明一个实施例的双重图像传感器包括印刷电路板100。
所具备的印刷电路板100可为能够一并安装第一图像传感器模块200及第二图像传感器300的一个印刷电路板100，此外，根据实施例，所具备的印刷电路板100也可为能够分别安装第一图像传感器模块200及第二图像传感器模块300的多个印刷电路板100。
印刷电路板可起到支撑第一图像传感器模块200及第二图像传感器模块300的基板的作用。但是，根据实施例，在印刷电路板100的下部可配备另外的基板。
此外，印刷电路板100通过形成于第一图像传感器模块200的第一壳体210及第二图像传感器模块300的第二壳体310下部，可关闭第一图像传感器模块200及第二图像传感器模块300。
在印刷电路板100上可安装第一图像传感器220及第二图像传感器，印刷电路板100能以电子式被连接于第一图像传感器220及第二图像传感器320。
第一图像传感器模块200包括安装于安装在印刷电路板100上的第一壳体210，安装于印刷电路板100上，且形成于第一壳体210第一面的第一图像传感器220及形成于第一壳体210第二面的第一透镜230。
在第一壳体210的第一面(下部面)及第二面(上部面)可分别形成中孔，形成于第一面的中孔受印刷电路板100的支撑，可配置第一图像传感器220，在形成于第二面的中孔可收容第一透镜230。
第一透镜230可包括至少一个透镜。光通过第一透镜230可入射于第一图像传感器220。
第一透镜230可具有一定曲率半径，曲率半径可根据入射与第一图像传感器220的光波长变化。
第一透镜230通过聚集光，使从第一传感器220可被吸收的可视光线或紫外线量增加，提高图像传感器的感光度。
此外，第一壳体210可结合于外壳(未图示)。第一壳体210及外壳(未图示)的结合可由缔结口(未图示)完成。因此，在第一壳体210的角部可形成缔结口被插入的贯穿部。
第一壳体210可为由硅或环氧树脂填充的块形态。
此外，第一壳体210的表面可由涂布物质被涂布。因此，第一壳体210的表面可防止光的流入。
如第一壳体210邻接于第一面时，因为印刷电路板100隔绝光，第一壳体210的第一面(下部面)可不由涂布物质被涂布。
安装在印刷电路板100的第一图像传感器220可位于第一壳体210的内侧。在此情况下，第一图像传感器220可位于印刷电路板100的上面。
关于第一图像传感器220，将参照图2进行更详细的说明。
图2是示出根据本发明另外一个实施例的包括在量子点层的双重图像传感器的第一图像传感器的剖面图。
第一图像传感器220可包括有源像素传感器阵列(Active Pixel Sensor array)，可根据一些行和列，包括根据行或列二维性地被排列的多个单位像素。
在各个单位像素可由入射光发生电子式信号，单位像素可包括光电转换元件120与逻辑元件。逻辑元件可包括转移晶体管(TX)、复位晶体管(RX)、源极随耦器晶体管(SF)及电流源晶体管(CS)及漂浮扩散区(FD)。
第一图像传感器220可包括：光电转换元件222，与基片221上的多个像素区域对应地形成；配线层223，形成于所述光电转换元件222所形成的基片221上；彩色过滤器224R，224G，224B，形成于所述配线层223，且与所述光电转换元件222对应地形成。
包括光电转换元件222，与基片221上的多个像素区域对应地形成。
基片221可使用n型或p型的，具有导电型的基片或大块(bulk)基片上形成有p型或n型外延层的外延层基片。基片221内可形成用于区分活性区与场区的元件分离膜(未图示)，在基片120的活性区可形成光电转换元件120及逻辑元件。
此外，在基片221内可形成深井(deep well；未图示)。深井为防止在从基片221深处所生成的电荷流入至光电转换元件222，形成势垒(potential barrier)，并通过增加电荷及孔重新结合(recombination)的现象，可起到减少由电荷的随机漂移(random drift)产生的像素间相声(cross-talk)的防撞护栏作用。
光电转换元件222通过吸收入射光(incident light)蓄积与光亮对应的电荷。作为光电转换元件222，可利用光电二极管、光电晶体光、光电门、固定(pinned)光电二极管或其组合，且优选地，光电转换元件222可使用硅基片光电二极管。
优选地，硅基片光电二极管可为在基片222内掺杂不纯净物质所形成的掺杂区域。硅基片的光电二极管可包括N型掺杂区域及P型掺杂区域，N型掺杂区域可在基片221内深刻地形成，P型掺杂区域可在N型掺杂区域的表面浅地形成。
光电转换元件222所形成的基片上形成有配线层223。
优选地，光电转换元件222及形成有逻辑元件的基片221上部形成有多个绝缘层，各个绝缘层可包括用于电子式路由及/或遮光技术的配线层223。
为提高透过率，光电转换元件222上部所形成的绝缘层可由透过率高的绝缘物质形成，且可包括用于提高光电转换元件222上部的光透过率的光透过部。
配线层223通过触电(未图示)连接于下部的逻辑元件或其他配线，并可形成于形成有一些光电转换元件222的区域以外的区域。
因此，配线层223可形成于个单位像素的逻辑元件上部，并可隔绝光入射于逻辑元件所形成的的区域的现象。
配线层223可包括多个金属配线，配线层223可由钨(W)或铜(Cu)等金属物质形成。
根据本发明一个实施例的包括量子点层的图像传感器可包括形成于所述配线层223上，且与所述光电转换元件222对应地形成的彩色过滤器224R，224G，224B，彩色过滤器224R，224G，224B可包括赤色彩色过滤器224R、绿色彩色过滤器224G及青色彩色过滤器224B。
彩色过滤器224R，224G，224B根据像素，可包括赤色彩色过滤器224R、绿色彩色过滤器224G及青色彩色过滤器224B。
赤色彩色过滤器224R在可视光通过赤色光，赤色像素的光电转换元件222可生成对应于赤色光的光电子。
绿色彩色过滤器224G在可视光的绿色光通过，绿色像素的光电转换元件222可生成对应绿色光的光电子。
青色彩色过滤器224B在可视光的青色光通过，且青色像素的光电转换元件222可生成对应青色光的光电子。
此外，根据实施例，彩色过滤器可包括白(W,white)、品红(Mg；magenta)、黄(Y；yellow)或青色(Cy；cyan)。
第一图像传感器220可进一步包括形成于RGB彩色过滤器224R，224G，224B上的微透镜225，在第一图像传感器220可形成微透镜。
光(紫外线或可视光线)通过微透镜225集中光后，因被光电转换元件222被吸收，在光电转换元件222被吸收的紫外线或红外线量增加，可提高第一图像传感器220的感光度。
此外，微透镜225可与光电转换元件222对应地形成，具有一定曲率半径。
微透镜225的曲率半径可根据向各像素入射的光波长而不同，且通过改变向光电转换元件222以外区域入射的光的路径，可向光电转换元件222聚光。
再参照图1a，根据本发明一个实施例的双重图像传感器的第一图像传感器模块200可进一步包括形成于第一图像传感器220上的第一红外线剖切过滤器(IR-cut filter；250)。
第一紫外线隔绝过滤器250为用于隔绝一般拍摄时起到噪音作用的紫外线的过滤器，例如，在760nm以上的波长区域，透过率可为10％以上。
第一紫外线隔绝过滤器250作为紫外线吸收过滤器玻璃要素，优选地，可由平板玻璃、薄膜或薄片构成。
第一紫外线隔绝过滤器250可具有少于0.3mm的，优选地，可具有少于0.25mm或少于0.21mm的厚度。虽可使用比第一紫外线隔绝薄膜250薄的玻璃(具有较高含量的IR吸收粒子，优选地，具有Cu粒子)，为机械的安定化，可具有前述范围。
根据实施例，第一紫外线隔绝薄膜250可为包括基材及基材内着色成分的无机或有机涂布。着色成分可在基材被溶解，也可由小粒子(颜料)构成。
优选地，为避免散射，颜料可具有少于1μm的粒子大小。更优选地，可具有8至1000nm，最优选的，可具有10至500nm的周粒子直径。
着色成分可具有偶氮染料、聚甲炔染料、花青染料、三苯甲烷染料、与蒽醌一样的羰基染料、靛蓝、卟啉及酞菁中至少任何一个，优选地，着色成分可包括卟啉和酞菁。
着色成分可填埋或溶解于无机或有机基材内。优选地，无机基材为溶胶凝胶基材。
有机基材可包括聚氨基甲酸乙酯树脂、混合聚合物、硅(由有机及/或无机交叉结合)、酚醛树脂、环氧化合物、锦纶、聚酰亚胺、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)、聚酯树脂及其混合物及聚合物中至少任何一个。
优选地，基材可为从溶胶凝胶基材被选择的基材。
有机或无机涂布可由旋转涂布、喷雾涂布、深涂布、铸造、丝网印刷、医治(doctoring)、喷墨打印、移印、压延涂布及喷雾涂布中至少任何一个方法。优选地，有机或无机涂布可由旋转涂布方法被涂布。
此外，根据本发明一个实施例的双重图像传感器的第一图像传感器模块200可进一步包括形成于第一图像传感器上的空白过滤器(blank filter；240)。优选地，空白过滤器可形成于第一紫外线隔绝过滤器的上部250。
第二图像传感器模块300包括量子点成340，量子点层通过在玻璃、石英或透明薄膜的薄膜或薄片涂布量子点241被制造，因此，在所使用的透明薄膜可发生<10％的透过率减少。
因此，为了使第一图像传感器模块200的条件与第二图像传感器模块300的条件相同，可插入空白过滤器240。
透明基片可使用玻璃(glass)、石英(quartz)及聚合物(polymer)中至少任何一个，例如，聚合物可使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。优选地，透明基片可使用在所有波长具有约90％透过率的石英。此外，透明基片可为薄膜或膜片形态。
第二图像传感器模块300包括安装于印刷电路板100上的第二壳体310、安装于印刷电路板100上，且形成于第二壳体310第一面的第二图像传感器320、形成于第二壳体310第二面的第二透镜330及形成于第二图像传感器与第二透镜330之间，且通过吸收紫外线，作为可视光发光的量子点层340。
因为第二图像传感器模块300的印刷电路板100、第二壳体310、第二图像传感器320及第二透镜330包括与第一图像传感器模块200的印刷电路板100、第一壳体210、第一图像传感器220及第一透镜相同的构成，将省略关于相同构成要素的说明。
第二图像传感器模块300形成于第二图像传感器320及第二透镜330之间，并包括通过吸收紫外线，作为紫外线发光的量子点层340。
关于第二图像传感器模块300的第二图像传感器320及量子点层340，将参照图3进行更详细的说明。
图3是示出根据本发明一个实施例的包括在双重图像传感器的第二图像传感器及量子点层的剖面图。
包括在第二图像传感器模块300的第二图像传感器320可包括：光电转换元件322，与基片321上的多个像素区域对应地形成；配线层323，形成于形成有所述光电转换元件322的的基片上321；及彩色过滤器324R、324G、324B，形成于所述配线层323上，且与所述光电转换元件322对应地形成。
此外，第二图像传感器模块300形成于第二图像传感器320上，且包括通过吸收紫外线以可视光发光的量子点层340。
在量子点层340可吸收光可为紫外线波长带域的光。
使用为光电转换元件322的以硅为基础的光电二极管根据从外部入射的光的波长范围，入射于以硅为基础的光电二极管被入射的深度不同。
具有高能源(E≥3.1eV)，且波长短的紫外线波长带域的光(λ≤400nm)的情况下，以硅为基础的光电二极管的情况下，以硅为基础的光电二极管只能在近地表(nearsurface)吸收光，由表面复合(surface recombination)自由电荷(free charge)减少。因此，由入射光子(incident photon)变化的电荷电流效率(change current efficiency)及图像传感器的感光度可非常低。
但是，根据本发明一个实施例的双重图像传感器通过将第二图像包括于第二图像传感器模块300，可使被入射的紫外线波长带域的光转换为可视光(第二可视光线)。
因此，以硅为基础的光电二极管通过将被入射的紫外线波长带域的光可入射于以硅为基础的感光度高的可视光(第二可视光线)，检测紫外线波长带域的光，以提高双重图像传感器的紫外线感光度。
此外，量子点层340通过对紫外线波长带域的光进行能量换低速档(energy-down-shift)，使所述第二可视光P2发光。
进一步具体地，包括在量子点层340的量子点可吸收约400nm以下的波长范围的紫外线波长带域的光，被吸收的紫外线波长带域的光可由量子点的光作为约380nm至800nm波长范围的第二可视光P2发光。
因此，量子点层340可将被入射的光的波长能量换低速档为长波。
根据本发明一个实施例的双重图像传感器的量子点层340可由包括赤色量子点的赤色量子点层、包括绿色量子点的绿色量子点层及包括青色量子点的青色量子点层中的任何一个形成。
当量子点层340为青色量子点层时，青色量子点层可使青色、绿色及赤色的可视光线波长带域的光穿透，且可选择性地吸收紫外线波长带域的光，以增幅青色的可视光。
进一步具体地，当可视光线入射于包括青色量子点层的第二图像传感器模式，可视光线通过穿透于赤色彩色过滤器324R、绿色彩色过滤器324G及青色彩色过滤器324B，第一可视光线P1的线可入射于光电转换元件322。
如紫外线波长带域的光入射于包括青色量子点层的第二图像传感器模块300，青色量子点层吸收紫外线波长带域的光，是青色可视光线(第二可是光线；P2)发光，青色可视光线(第二可视光线；P2)不能穿透于赤色彩色过滤器324R及绿色彩色过滤器324G，只能穿透于青色彩色过滤器。
因此，在对应于赤色彩色过滤器324B及绿色彩色过滤器324G的光电转换元件322只能入射第一可视光线P1，在对应于青色彩色过滤器324B的光电转换过滤器322入射第一可视光线P1及第二可视光线P2，可吸收更多光，并使光强度或光流量(flux)发生差异。
当量子点层340为赤色量子点层时，赤色量子点层通过透过可视光线波长带域的青色、绿色及赤色光，并选择性地吸收紫外线波长带域的光或红外线波长带域的光，可增幅赤色可视光。
更具体地，当可视光线入射至包括赤色量子点层的第二图像传感器模块300时，可视光线通过透过赤色彩色过滤器324R、绿色彩色过滤器324G及青色彩色过滤器324B，可使第一可视光线P1入射至光电转换元件322。
如紫外线波长带域的光或红外线波长带域的光被入射至包括赤色量子点层的第二图像传感器300，在赤色量子点层通过吸收紫外线波长带域的光或红外线波长带域的光，可使赤色可视光线(第二可视光线；P2)发光，赤色可视光线(第二可视光线；P2)不能在青色彩色过滤器324B及绿色彩色过滤器324G透过，只能在赤色彩色过滤器324R透过。
因此，在对应于青色彩色过滤器324B及绿色彩色过滤器324G的光电转换元件322只能入射第一可视光线，在对应于赤色彩色过滤器324B的光电转换过滤器322入射第一可视光线P1及第二可视光线P2，可吸收更多光，并使光强度或光流量(flux)发生差异。
当量子点层150为绿色量子点层时，绿色量子点层通过透过可视光线波长带域的青色、绿色及赤色光，并选择性地吸收紫外线波长带域的光或红外线波长带域的光，可增幅绿色可视光。
更具体地，当可视光线入射至包括绿色量子点层的图像传感器时，可视光线通过透过赤色彩色过滤器140R、绿色彩色过滤器140G及青色彩色过滤器140B，可使第一可视光线P1入射至光电转换元件120。
如紫外线波长带域的光或红外线波长带域的光被入射至包括绿色量子点层的图像传感器，在绿色量子点层通过吸收紫外线波长带域的光或红外线波长带域的光，可使绿色可视光线(第二可视光线；P2)发光，绿色可视光线(第二可视光线；P2)不能在青色彩色过滤器140B及赤色彩色过滤器140R透过，只能在绿色彩色过滤器140G透过。
因此，对应青色彩色过滤器140B及赤色彩色过滤器140R的光电转换元件120只能入射第一可视光线，对应绿色彩色过滤器140G的光电转换元件120只能入射第一可视光线及第二可是光线，可吸收更多的光，发生光强度或光流量(flux)上的差异。
虽在图3示出了用量子点层340使用青色量子点层340的技术，但不限于此，也可使用赤色量子点层或绿色量子点层。
此外，量子点层340通过调整量子点浓度可控制透过率(transmittance)。
量子点层340，如量子点的浓度增加，可由量子点内340的光散射(lightscattering)减少在可视光线波长带域的透过率。
因此，如果包括在量子点层340的量子点浓度增加，第一可视光P1的光强度或光流量(flux)减少，使第二可视光线P2的影响变得更大，可明确确认出在光电转换元件322像素强度(pixel intensity)差异。
更具体地，包括量子点层340的第二图像传感器模块300的第二图像传感器模块322的第一可视光线P1可由量子1点层340减少可视光线波长带域光的透过率。
但是，第二可视光线P2由量子点层340使紫外线波长带域的光作为可视光线波长带域的光发光，可增加光的强度及光量(flux)。
因此，根据本发明一个实施例的双重图像传感器第一可视光P1的光强度或光流量(flux)减少，使第二可视光线P2的影响变得更大，可明确确认出在光电转换元件120像素强度(pixel intensity)差异。
量子点层340可包括透明基片及形成于透明基片上的量子点341。
透明基片可使用玻璃(glass)、石英(quartz)及聚合物(polymer)中至少任何一个，例如，聚合物可使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。优选地，透明基片可使用在所有波长具有约90％透过率的石英。此外，透明基片可为薄膜或膜片形态。
量子点341可通过沉积或涂层方法，形成于透明基片上。
量子点层340可包括多个量子点，量子点可包括赤色、绿色或青色量子点。
量子点层可包括闪锌矿(zinc blende)结构的CdS,CdSe,CdTe,ZnS,ZnSe,ZnTe,HgS,HgSe,HgTe,CdSeS,CdSeTe,CdSTe,ZnSeS,ZnSeTe,ZnSTe,HgSeS,HgSeTe,HgSTe,CdZnS,CdZnSe,CdZnTe,CdHgS,CdHgSe,CdHgTe,HgZnS,HgZnSe,HggZnTe,CdZnSeS,CdZnSeTe,CdZnSTe,CdHgSeS,CdHgSeTe,CdHgSTe,HgZnSeS,HgZnSeTe,HgZnSTe,GaN,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,AlP,AlS,AlSb,AlN,AlP,AlAs,InN,InP,InAs,PbS,PbSe,Si,Ge,MgS,MgSe,MgTe,GaNP,GaNAs,GaPAs,AlNP,AlNAs,AlPAs,InNP,InNAs,InPAs,GaAlNP,GaAlNAs,GaAlPAs,GaInNP,GaInNAs,GaInPAs,InAlNP,InAlNAs,InAlPAs及其组合中至少任何一个。
闪锌矿(zinc blende)结构将阳性元素设为M、阴性元素设为X时，作为在组成MX的化学物可看到的结晶结构形式之一，闪锌矿(例；ZnS)的结构属于此，在空间群F43m的等轴晶系X做面心立方格，具备M横位于正四面体型四配位位置的结构。
此外，量子点341可包括核心/单一外壳结构的量子点，核心/多重外壳结构的量子点及合金结构量子点中至少任何一个。
核心/单一外壳结构的量子点或核心/多重结构的量子点通过调整量子点核心的直径及量子点外壳的厚度，可增加外部量子产率(external quantum yield)。
根据实施例，根据本发明一个实施例的双重图像传感器的第二图像传感器模块300可进一步包括两子点层340上的第二红外线隔绝过滤器350。
第二红外线隔绝过滤器350是例如在760nm以上的波长领域，透过率可在10％以下。
第二紫外线隔绝过滤器350作为红外线吸收过滤器玻璃要素，优选地，可由平板玻璃、薄膜或薄片构成。
第二紫外线隔绝过滤器350可具有少于0.3mm的，优选地，可具有少于0.25mm或少于0.21mm的厚度。虽可使用比第二红外线隔绝薄膜350薄的玻璃(具有较高含量的IR吸收粒子，优选地，具有Cu粒子)，为了第二红外线隔绝过滤器的机械性安定化，可具有前述范围。
根据实施例，第二紫外线隔绝薄膜350可为包括基材及基材内着色成分的无机或有机涂布。着色成分可在基材被溶解，也可由小粒子(颜料)构成。
优选地，为避免散射，颜料可具有少于1μm的粒子大小。更优选地，可具有8至1000nm的粒子大小，最优选的，可具有10至500nm的周粒子直径。
着色成分可具有偶氮染料、聚甲炔染料、花青染料、三苯甲烷染料、与蒽醌一样的羰基染料、靛蓝、卟啉及酞菁中至少任何一个，优选地，着色成分可包括卟啉和酞菁。
着色成分可填埋或溶解于无机或有机基材内。优选地，无机基材为溶胶凝胶基材。
有机基材可包括聚氨基甲酸乙酯树脂、混合聚合物、硅(由有机及/或无机交叉结合)、酚醛树脂、环氧化合物、锦纶、聚酰亚胺、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)、聚酯树脂及其混合物及聚合物中至少任何一个，优选地，基材可为从溶胶凝胶基材被选择的基材。
有机或无机涂布可由旋转涂布、喷雾涂布、深涂布、铸造、丝网印刷、医治(doctoring)、喷墨打印、移印、压延涂布及喷雾涂布中至少任何一个方法。优选地，有机或无机涂布可由旋转涂布方法被涂布。
参照图1a，根据本发明一个实施例的双重图像传感器通过制造将不包括量子点层340的第一图像传感器模块200及包括量子点层340的第二图像传感器模块300包括在内的双重相机模式，分别在第一图像传感器模块200及第二图像传感器模块300被拍摄的两张图像，可抽出通过图像处理由紫外线波长带域的光所生成的图像。
目前，安装于智能手机的双重相机一般通过安装广角镜头与远距镜头增加清晰的图像及视野角。
但是，根据本发明的一个实施例的双重图像传感器通过包括量子点层340，可通过使用相同的透镜及图像传感器生成清晰的图像，并增加视角。
此外，不包括量子点层340的目前的双重图像传感器，虽然由R-光，G-光，B-光生成图像，根据本发明一个实施例的双重图像传感器通过包括量子点层340，可增加除了现有的R-光、G-光、B-光外，由紫外线光生成的B-光，生成图像。
根据本发明一个实施例的双重图像传感器可当做模式安装于如智能手机一样的移动设备，或者通过被另行制作，单独进行操作。
进一步具体地，根据本发明一个实施例的双重图像传感器可安装于手机设备内，或者，制作为另外模式，如，能够拆卸地安装于手机设备，或者可单独制作为独立起到相机作用的双重图像传感器。
但是，根据本发明一个实施例的双重图像传感器的安装形态不限于此，根据本发明一个实施例的双重图像传感器不限于最初包括图像传感器的设备种类或领域，只要是使用现有图像传感器的领域，均可简单适用。
因为，根据本发明一个实施例的双重图像传感器通过包括第一图像传感器模块200及包括量子点层340的第二图像传感器模块300，可通过太阳光测定出可视光波长带域的光及紫外线波长带域的光。
根据实施例，根据本发明一个实施例的双重图像传感器只作为移动设备或另外，并通过安装附加光源，可照射紫外线光。
光源可包括紫外线灯(UV lamp)及紫外线发光二极管(UV LED)中至少任何一个。
根据实施例，根据本发明一个实施例的双重图像传感器的第一图像传感器模块200及第二图像传感器模块300从对象体400的焦距可以相不同。
图1a示出的根据本发明一个实施例的双重图像传感器的第一图像传感器模式200及第二图像传感器模式300与对象体400之间的焦距D1相同。
以下，将参照图1b及图1c，说明与对象体400的焦距相不同的根据本发明一个实施例的双重图像传感器。
图1a至图1c是示出根据本发明一个实施例的包括量子点层的双重图像传感器的剖面图。
如图1b一样，根据本发明一个实施例的双重图像传感器可利用曲折的印刷电路板100制造与对象体400的焦距D1,D2相异的结构。
此外，如图1c一样，根据本发明一个实施例的双重图像传感器可利用具有段差的印刷电路板100制造与对象体400的焦距D1,D2相异的结构。
根据本发明一个实施例的双重图像传感器可根据使用者需求变更印刷电路板110的结构，制造与对象体400的焦距D1,D2相异的双重图像传感器。
第一透镜230及第二透镜330与对象体400的焦距(focal length)测定第一透镜230及第二透镜330收剑或发散光的程度。焦距D1,D2越短，深度越深，焦距D1,D2越长，深度越短。
此外，第一透镜230及第二透镜330与对象体的焦距D1,D2越短，光圈数值越小，入射光量增加，可得到高亮度的图像，焦距D1,D2越长，光圈数值越大，入射光量减少，可得到低亮度的图像。
此外，根据本发明一个实施例的双重图像传感器通过第一图像传感器模式200及第二图像传感器模式可得到较清晰、质量高的图像。
图4是示出包括光源的根据本发明的一个实施例的双重图像传感器的平面图。
根据本发明一个实施例的双重图像传感器的印刷电路板100可进一步包括安装于第一图像传感器模式200及第二图像传感器模式300周围的至少一个以上的光源500。
因此，光源500可配置于第一壳体210及第二壳体310的周围。但是，不限于此，光源500可配置于第一图像传感器及第二图像传感器被收容的第一壳体210及第二壳体310内。
光源500可包括紫外线灯(UV lamp)及紫外线发光二极管(UV LED)中至少任何一个。
光源500可在印刷电路板100上形成为至少一个以上，且能以一定间隔被设置。
优选地，在第一图像传感器模式200及第二图像传感器模式300周围安装8个光源500，但不限于此，可根据周围环境或对象体被调整。
根据本发明一个实施例的双重图像传感器通过包括光源500，可更精确地测定对象体，以防止测定错误。
图5是示出根据本发明的另一个实施例的双重图像传感器的剖面图。
根据本发明另一个实施例的双重图像传感器包括与根据本发明一个实施例的双重图像传感器相同的构成要素。因此，将省略对相同构成要素的说明。
根据本发明另一个实施例的双重图像传感器包括安装于印刷电路板100上的透镜夹；安装于所述印刷电路板100上，且形成于所述透镜夹110的第一面的第一图像传感器模块200及第二图像传感器模块300；及形成于所述透镜夹110的第二面的透镜600。
第一图像传感器模块200包括安装于印刷电路板100上的第一壳体210及安装于印刷电路板100，且形成于第一壳体210的第一面的第一图像传感器220。
第二图像传感器模块300包括安装于印刷电路板100上的第二壳体310，安装于印刷电路板100上，且形成于第二壳体310第一面的第二图像传感器320及，形成于第二图像传感器320上，且通过吸收紫外线，作为可视光发光的量子点层340。
印刷电路板100可具备为为能够一并安装第一图像传感器模块200及第二图像传感器模块300的单个印刷电路板100，此外，根据实施例，印刷电路板100也可具备为能够分别安装第一图像传感器模块200及第二图像传感器模块的多个印刷电路板100。
印刷电路板100可起到支撑第一图像传感器模块200及第二图像传感器模块300的基板的作用。但是，根据实施例，在印刷电路板100的下部可配备另外的基板。
此外，印刷电路板100通过形成于第一图像传感器模块200的第一壳体210及第二图像传感器模块300的第二壳体310下部，可关闭第一图像传感器模块200及第二图像传感器模块300。
在印刷电路板100上可安装第一图像传感器220及第二图像传感器320，印刷电路板100能以电子式与第一图像传感器220及第二图像传感器320连接。
在透镜夹110的第一面(下部面)及第二面(上部面)可分别形成中孔，形成于第一面的中孔受印刷电路板100的支撑，可配置第一图像传感器模块220及第二图像传感器模块300，在形成于第二面的中孔可收容透镜600。
透镜600可包括至少一个镜头。
透镜600可具有一定曲率半径，曲率半径可根据入射与第一图像传感器220的光波长变化。透镜600通过聚集光，使从第一传感器220及第二图像传感器320可被吸收的可视光线或紫外线量增加，提高图像传感器的感光度。
此外，透镜夹110可结合于外壳(未图示)。例如，透镜夹110及外壳(未图示)的结合可由缔结口(未图示)完成。因此，在透镜夹110的角部可形成缔结口被插入的贯穿部。
第一壳体210可为由硅或环氧树脂填充的块形态。
此外，第一壳体210的表面可由涂布物质被涂布。因此，第一壳体210的表面可防止光的流入。
如第一壳体210邻接于第一面时，因为印刷电路板100隔绝光，第一壳体210的第一面(下部面)可不油涂布物质被涂布。
除了安装在透镜夹110内部的印刷电路板100上安装的第一图像传感器模块220及第二图像传感器模块300在第一壳体210及在第二壳体310的第二面不包括透镜以外，与根据本发明一个实施例的包括在双重相机的第一图像传感器模式220及第二图像传感器模式300相同。
根据实施例，根据本发明的实施例的双重相机可包括镜子700。
镜子700可以是L型镜子，镜子140可转换具备于第一图像传感器模块220及第二图像传感器模块300上部光的入射路径，以使入射光分别入射于第一图像传感器模块220及第二图像传感器模块300。因此，镜子700能以尖部面向下部(或上部)的形态被配置于与透镜600对应的位置。
镜子700的宽度可大于或大致等于透镜夹110第二面的中孔或透镜600的宽度。
此外，根据本发明的另一个实施例的双重图像传感器通过包括第一图像传感器模块200及包括量子点层340的第二图像传感器模块300，可通过太阳光测定可视光波长带域的光及紫外线波长带域的光。
图6是根据包括光源的本发明的另一个实施例的双重图像传感器的平面图。
根据本发明的另一个实施例的双重图像传感器的印刷电路板可进一步包括安装于第一图像传感器模块及第二图像传感器模块周围的至少一个以上的光源500。
进一步具体地，根据本发明的另一个实施列的双重图像传感器可在收容第一图像传感器模式及第二图像传感器模块的透镜夹110周围配置光源。但是，不限于此，光源500可配置于收容第一图像传感器模块及第二图像传感器模块的透镜夹110内。
光源500可包括紫外线灯(UV lamp)及紫外线发光二极管(UV LED)中至少任何一个。
在印刷电路板上，可形成至少一个光源500，且能以一定间隔设置。
优选地，在第一图像传感器模式及第二图像传感器模式周围可安装8个光源500，但不限于此，可根据周围环境或对象体被调整。
根据本发明一个实施例的双重图像传感器通过包括光源500，可更精确地测定对象体，以防止测定错误。
图7a是示出在移动设备以模式被安装的根据本发明的一个实施例的双重图像传感器的概略图。
根据本发明一个实施例的双重图像传感器可通过双重相机被制造，安装于移动设备800。
因此，根据本发明一个实施例的双重图像传感器通过包括第一图像传感器模块200及包括量子点层的第二图像传感器模块，可通过太阳光测定出可视光波长带域的光及紫外线波长。
根据实施例，将根据本发明另一个实施列的双重图像传感器制造为双重相机安装于移动设备800时，通过在第一图像传感器模块200或/及第二图像传感器模块300的内部或外部配置光源，容易测定出对象体。
图7b是示出在移动设备以模式被安装的根据本发明的另一个实施例的双重图像传感器的概略图。
根据本发明的另一个实施例的双重图像传感器可由双重相机制造，被安装于移动设备800。
因此，根据本发明的另一个实施列的双重图像传感器通过包括包括第一图像传感器模式及量子点层的第二图像传感器，通过太阳光可测定可视光波长带域的光及紫外线波长带域的光。
根据实施例，将根据本发明另一个实施例的双重图像传感器制造为双重相机安装于移动设备800时，可通过在透镜周围配置光，容易测定出对象体。
图8是示出在移动设备以模式被安装的根据本发明的一些实施例的双重图像传感器应用例子的概略图。
根据本发明一些实施例的双重图像传感器通过制造为双重相机，安装于移动设备800，可测定对象体400。
例如，根据本发明一些实施例的双重图像传感器由双重相机被制造，可较容易地拆卸于移动设备800，
图9是示出根据本发明一些实施例的根据安装于双重传感器的量子点层波长的(Wavelength)发光强度(photoluminescence intensity；PL intensity)及吸收率(Absorption；Abs)的图表。
参照图9，可知，量子点层通过吸收紫外线放出青色可视光线，且在可视光线带域表现出了透过率若干减少的倾向。
图10是示出根据本发明一些实施例的双重图像传感器的波长的硅量子效率(Siquantum efficiency)、紫外线灯的光谱功率(Spectral power@UV lamp)及量子点发射(Quantum-dot emission)强度的图表。
参照图10，根据本发明一些实施列的双重图像传感器由量子点层紫外线光变换为青色光(blue-light)，可增加硅的量子效率。因此，根据本发明一些实施列的双重图像传感器通过增加图像传感器的感光度，可确保清晰的图像。
图11是示出根据本发明一些实施例的利用包括双重图像传感器的紫外线照相机的紫外线防晒剂测定(Sunscreen test)结果的图。
如参照图11中的在部分手擦上防晒剂，利用根据本发明一些实施例的包括双重图像传感器的紫外线相机(UV camera)拍摄在太阳光所看到结果的左图，因为防晒剂反射紫外线，仅有擦上紫外线的部分反射率高，向相机流入的光流量(flux)增多，像素强度(pixelintensity)也高。
此外，如参照图11中的在整个左手擦防晒剂、在右手不擦防晒剂的情况下利用紫外线相机拍摄的结果，可知擦上防晒剂的左手由于紫外线反射率高，像素强度高，不擦上防晒剂的右手由于紫外线被吸收于皮肤，像素强度低。
图12及图13是根据本发明一些实施例的利用包括双重图像传感器的紫外线照相机(UV camera)皮肤深度剖面(Depth profile of skin)测定结果的图。
参照图12，虽然在深蓝(Deep blue)光，不能测定出皮肤的特异事项(参照左图)，对于紫外线光，通过像素强度测定为高值，可测定由白斑症的病变存在于皮肤的表面。(参照右边的图像)
此外，参照图12，在深蓝频道(deep blue channel)不能看到但在紫外线频道可看到的病菌，可预测出病菌可位于皮肤的0～0.5mm。
参照图13，虽然在深蓝(Deep blue)测定出的像素强度高，亮度也高，但因为在紫外线测定出的强度低，白斑症的病变在皮肤较深的位置。可知，其位于比紫外线的穿透深度更深的位置。
例如，参照图13，对于在深蓝频道(Deep blue channel)可看到，但在紫外线频道(UV channel)不能看到的病菌，可预测出病菌位于皮肤的0.5mm～1mm之间。
因此，参照图12及图13，根据本发明一些实施列的包括在双重图像传感器的不包括量子点层的第一图像传感器模块可利用深蓝(Deep blue)测定皮肤的深处。且包括量子点层的第二图像传感器模块可利用紫外线测定出皮肤的最表面，拍摄白癜风患者的黑素细胞被破坏的深度。
即，通过根据本发明一些实施例的双重图像传感器，可完成皮肤的深度剖面，可在医学性诊断应用。
图14是示出根据本发明一些实施例的利用包括双重图像传感器的紫外线照相机(UV camera)建筑的拍摄图像。
参照图14，可知，根据本发明一些实施例的双重图像传感器可图像化可视光及紫外线。
图15是示出根据本发明一些实施例的利用包括双重图像传感器的紫外线照相机(UV camera)的皮脂测定结果的图。
参照图15，如利用不包括量子点层的一般图像传感器，不能测定出皮脂(参照左图)，而如利用根据本发明一些实施例的双重图像传感器，因为根据本发明一些实施例的双重图像传感器包括量子点层，可利用紫外线测定出皮脂(参照右图)。
如上所述，本发明虽然由限定的实施例和图面被说明，但是本发明不限于所述的实施例，且所属本发明领域的技术人员，从这些记载可多样地修改及变更。所以，本发明的范围不能局限于由说明的实施例被决定，且不仅是后述的权利要求，而且经与此权利要求均等的被决定。

Claims (20)

1.一种双重图像传感器，包括：
第一图像传感器模块及第二图像传感器模块，安装于印刷电路板上，
所述第一图像传感器模块，包括：
第一壳体，安装于所述印刷电路板上；
第一图像传感器，安装于所述印刷电路板上，且形成于所述第一壳体的第一面；及
第一透镜，形成于所述第一壳体的第二面，
所述第二图像传感器模块，包括：
第二壳体，安装于所述印刷电路板上；
第二图像传感器，安装于所述印刷电路板上，且形成于所述第二壳体的第一面；
第二透镜，形成于所述第二壳体的第二面；及
量子点层，形成于所述第二图像传感器与所述第二透镜之间，且通过吸收紫外线，发光为可视光。
2.根据权利要求1所述的双重图像传感器，其中，所述双重图像传感器吸收第一可视光线及第二可视光线，
所述第一可视光线被吸收于所述第一图像传感器模块及所述第二图像传感器模块，
所述第二可视光线由量子点层被入射，被吸收于所述第二图像传感器模块。
3.根据权利要求2所述的双重图像传感器，其中，所述量子点层通过对所述紫外线进行能量换低速档(energy-down-shift)，使所述第二可视光发光。
4.根据权利要求1所述的双重图像传感器，其中，所述双重图像传感器通过吸收不同波长带域的光，测定对象体的深度剖面(depth pofile)。
5.根据权利要求1所述的双重图像传感器，其中，
所述第一图像传感器模块及所述第二图像传感器模块从对象体的焦距相互不同。
6.根据权利要求2所述的双重图像传感器，其中，所述量子点层为青色量子点层，
所述青色量子点层透过所述第一可视光线，且选择性地吸收所述紫外线，以增幅青色的所述第二可视光线。
7.根据权利要求2所述的双重图像传感器，其中，所述量子点层为赤色量子点层，
所述赤色量子点层透过所述第一可视光线，且选择性地吸收所述紫外线，以增幅赤色的所述第二可视光线。
8.根据权利要求2所述的双重图像传感器，其中，所述量子点层为绿色量子点层，
所述绿色量子点层透过所述第一可视光线，且选择性地吸收所述紫外线，以增幅绿色的所述第二可视光线。
9.根据权利要求1所述的双重图像传感器，其中，
所述量子点层根据量子点的浓度控制透过率(transmittance)。
10.根据权利要求1所述的双重图像传感器，其中，
量子点层包括闪锌矿(zinc blende)结构的CdS,CdSe,CdTe,ZnS,ZnSe,ZnTe,HgS,HgSe,HgTe,CdSeS,CdSeTe,CdSTe,ZnSeS,ZnSeTe,ZnSTe,HgSeS,HgSeTe,HgSTe,CdZnS,CdZnSe,CdZnTe,CdHgS,CdHgSe,CdHgTe,HgZnS,HgZnSe,HggZnTe,CdZnSeS,CdZnSeTe,CdZnSTe,CdHgSeS,CdHgSeTe,CdHgSTe,HgZnSeS,HgZnSeTe,HgZnSTe,GaN,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,AlP,AlS,AlSb,AlN,AlP,AlAs,InN,InP,InAs,PbS,PbSe,Si,Ge,MgS,MgSe,MgTe,GaNP,GaNAs,GaPAs,AlNP,AlNAs,AlPAs,InNP,InNAs,InPAs,GaAlNP,GaAlNAs,GaAlPAs,GaInNP,GaInNAs,GaInPAs,InAlNP,InAlNAs,InAlPAs及其组合中至少任何一个量子点。
11.根据权利要求1所述的双重图像传感器，其中，所述量子点层包括核心/单一外壳结构的量子点，核心/多重外壳结构的量子点及合金结构的量子点中至少任何一个。
12.根据权利要求1所述的双重图像传感器，其中，所述印刷电路板进一步包括安装于所述第一图像传感器模块及第二图像传感器模块周围的至少一个以上的光源。
13.根据权利要求1所述的双重图像传感器，其中，所述第一图像传感器模块进一步包括形成于第一图像传感器上的第一红外线剖切过滤器(IR-cut filter)。
14.根据权利要求1所述的双重图像传感器，其中，所述第一图像传感器模块进一步包括形成于第一图像传感器上的第一空白过滤器(blank filter)。
15.根据权利要求1所述的双重图像传感器，其中，所述第二图像传感器模块进一步包括形成于所述量子点层上的第二红外线隔绝过滤器。
16.根据权利要求1所述的双重图像传感器，其中，所述第一图像传感器及第二图像传感器，包括：
光电转换元件，与基片上的多个像素区域对应地形成；
配线层，形成于形成有所述光电转换元件的的基片上；及
RGB彩色过滤器，形成于所述配线层上，且与所述光电转换元件对应地形成。
17.根据权利要求16所述的双重图像传感器，其中，所述光电转换元件为以硅为基础的光电二极管。
18.根据权利要求16所述的双重图像传感器，其中，所述第一图像传感器及第二图像传感器进一步包括形成于所述RGB彩色过滤器上的微透镜。
19.一种双重图像传感器，包括：
透镜夹，安装于印刷电路板上；
第一图像传感器模块及第二图像传感器模块，安装于所述印刷电路板上，且形成于所述透镜夹的第一面；及
透镜，形成于所述透镜夹的第二面，
所述第一图像传感器模块，包括：
第一壳体，安装于所述印刷电路板上；及
第一图像传感器，安装于所述印刷电路板上，且形成于所述第一壳体的第一面，
所述第二图像传感器模块，包括：
第二壳体，安装于所述印刷电路板上；
第二图像传感器，安装于所述印刷电路板上，且形成于所述第二壳体的第一面；及
量子点层，形成于所述第二图像传感器上，且通过吸收紫外线反光为可视光。
20.根据权利要求19所述的双重图像传感器，其中，所述的双重图像传感器，进一步包括形成于第一图像传感器模块及第二图像传感器模块和所述透镜之间的镜子。
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