DE4036081A1 - Tragbare halbleiterspeichervorrichtung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine tragbare Halbleiterspeicher­ vorrichtung, insbesondere Maßnahmen gegen statische Elek­ trizität in einer solchen Halbleiterspeichervorrichtung.

Die Fig. 11 und 12 sind ein Querschnitt durch bzw. eine Draufsicht auf eine konventionelle tragbare Halbleiterspei­ chervorrichtung. Eine Halbleiterspeichervorrichtung 1 umfaßt eine Leiterplatte 3, auf der eine Vielzahl von Halb­ leiterspeichern 2 befestigt ist. Die Leiterplatte 3 ist mittels eines Rahmens 4 festgelegt. Metallplatten 5 und 6 sind auf den beiden Oberseiten des Rahmens 4 gehaltert, und ein Verbinder 7, über den diese Halbleiterspeichervorrich­ tung 1 elektrisch an ein Endgerät (nicht gezeigt) ange­ schlossen ist, ist an einem Endabschnitt des Rahmens 4 vor­ gesehen. Ein Erdleiter 3a der Leiterplatte 3 ist mit der Platte 6 elektrisch über eine Schraubenfeder 8 verbunden, und die Platten 5 und 6 sind elektrisch miteinander ver­ bunden, indem eine an der Seite der Platte 5 ausgebildete Kralle 5a mit einer an der Seite der Platte 6 ausgebildeten Kralle 6a in Kontakt gebracht wird (Fig. 13).

Nach der Fertigstellung der in dieser Weise ausgebildeten tragbaren Halbleiterspeichervorrichtung wird an der Vor­ richtung 1, die an ein Endgerät 9 (Fig. 14) angeschlossen ist, ein Test durch Anlegen statischer Elektrizität mit einem elektrostatischen Simulator 10 wie folgt durchge­ führt: Zuerst wird ein Entladekondensator 13 über einen Ladewiderstand 12 mittels einer Spannungsquelle 11 im elektrostatischen Simulator 10 aufgeladen. Dann werden die im Entladekondensator 13 gespeicherten elektrischen Ladun­ gen an die Platte 5 oder 6 der Halbleiterspeichervorrich­ tung 1 durch einen Entladewiderstand 15 angelegt, indem ein Schalter 14 in eine Stellung umgeschaltet wird, in der eine Elektrode 16 des elektrostatischen Simulators 10 mit der Platte 5 oder 6 der Vorrichtung 1 in Kontakt liegt, so daß ein Entladestrom 17 durch die Speichervorrichtung 1 fließt. 18 bezeichnet eine Vorimpedanz.

Fig. 15 zeigt schematisch, wie der Entladestrom 17 in die Halbleiterspeichervorrichtung 1 fließt. Nachdem die stati­ sche Elektrizität an die Platte 6 über die Elektrode 16 des elektrostatischen Simulators 10 angelegt ist, fließt der Entladestrom 17 von der Platte 6 über die Schraubenfeder 8 zum Erdleiter 3a der Leiterplatte 3.

Da die Schraubenfeder 8 die Aufgabe hat, die Platte 6 mit dem Erdleiter 3a der Leiterplatte 3 elektrisch zu koppeln, ist sie normalerweise in einem Teil der Halbleiterspeicher­ vorrichtung 1 angeordnet, der vom Verbinder 7 entfernt ist, d. h. in einem Teil, der nicht dicht mit Schaltungsbau­ elementen oder Leitern bestückt ist, wie die Fig. 11 und 12 zeigen. Obwohl also ein Teil 17a des Entladestroms 17 durch den Erdleiter 3a der Leiterplatte 3 und einen Erdanschluß 7a des Verbinders 7 zurück zum Endgerät 9 fließt, fließt der andere Teil 17b des Entladestroms 17 durch die Halb­ leiterspeicher 2 und durch eine Gruppe von Ein-Ausgabean­ schlüssen 7b und einen Versorgungsanschluß 7c des Verbin­ ders 7 zurück zum Endgerät 9. 19 bezeichnet eine Erdimpe­ danz der Halbleiterspeichervorrichtung 1. Fig. 16 zeigt, wie der Entladestrom 17b im Halbleiterspeicher 2 fließt.

Allgemein hat ein elektrostatischer Entladestrom einen hohen Wert. Bei einem Entladewiderstand von 200 Ω, einer Kapazität des Entladekondensators von 200 pF, einer an den Kondensator angelegten Spannung von 10 kV und einer Vor­ impedanz von 0 Ω hat der Entladestrom einen Höchstwert von 50 A, und die Zeitkonstante des Entladestroms ist 40 ns = 200 Ω×200 pF.

Da also bei der konventionellen Halbleiterspeichervorrich­ tung 1 ein großer Entladestrom 17b durch die Halbleiter­ speicher 2 fließt, besteht die Gefahr, daß die Halbleiter­ speicher 2 verschlechtert oder beschädigt werden.

Da ferner die Schraubenfeder 8 und der Verbinder 7 vonein­ ander entfernt angeordnet sind, nimmt die Erdimpedanz 19 der Halbleiterspeichervorrichtung 1 auf einen Wert zu, der nicht vernachlässigbar ist, wodurch eine Gegen-EMK e erzeugt wird. Wenn der effektive Scheinwiderstand der Erd­ impedanz 19 mit L bezeichnet wird, wird die Gegen-EMK e wie folgt geschrieben:

e = -L×di/dt,

wobei di ein momentaner Strom und dt die Zeitdauer ist, während der der momentane Strom fließt.

Infolgedessen baut sich eine Potentialdifferenz zwischen dem Erdleiter 3a der Halbleiterspeichervorrichtung 1 und weiteren Signalleitern auf, so daß die Gefahr besteht, daß in den Halbleiterspeichern 2 gespeicherte Informationen beschädigt werden und die Halbleiterspeicher 2 selbst sich verschlechtern oder beschädigt werden.

Die Erfindung richtet sich auf die Beseitigung der oben angesprochenen Probleme des Standes der Technik, und es ist Aufgabe der Erfindung, eine tragbare Halbleiterspeicher­ vorrichtung anzugeben, bei der im Fall einer elektrostati­ schen Entladung in einer Platte eine Beschädigung gespei­ cherter Informationen sowie eine Verschlechterung und Be­ schädigung der Speicherelemente, z. B. der Halbleiterspei­ cher, vermieden wird.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung umfaßt eine tragbare Halb­ leiterspeichervorrichtung eine Speichereinrichtung zur Speicherung von Informationen, ein Gehäuse zur Aufnahme der Speichereinrichtung, einen Verbinder, durch den die Vor­ richtung mit einem externen Schaltkreis verbunden ist und der eine Vielzahl von Anschlüssen aufweist, die einen Erd­ anschluß und Ein-Ausgabeanschlüsse, durch die Informationen in die Speichereinrichtung eingegeben und aus ihr ausgege­ ben werden, umfassen, einen ersten Erdleiter, durch den der Erdanschluß des Verbinders an die Speichereinrichtung ange­ schlossen ist, und eine Kopplungseinrichtung, die nahe dem Erdanschluß des Verbinders angeordnet ist und den Erdan­ schluß elektrisch mit dem Gehäuse koppelt.

Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung umfaßt eine trag­ bare Halbleiterspeichervorrichtung eine Speichereinrichtung zur Speicherung von Informationen, ein Gehäuse zur Aufnahme der Speichereinrichtung, einen Verbinder, durch den die Vorrichtung mit einem externen Schaltkreis verbunden ist, wobei der Verbinder eine Vielzahl von Anschlüssen aufweist, die einen Erdanschluß und Ein-Ausgabeanschlüsse, durch die Informationen in die Speichereinrichtung eingegeben und daraus ausgegeben werden, umfassen, einen ersten Erdleiter, durch den der Erdanschluß des Verbinders mit der Speicher­ einrichtung verbunden ist, einen zweiten Erdleiter, der vom ersten Erdleiter im Bereich des Erdanschlusses des Verbin­ ders abzweigt, und eine Kopplungseinrichtung, durch die der zweite Erdleiter elektrisch mit dem Gehäuse gekoppelt ist.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung fließt ein elektrostati­ scher Entladestrom vom Gehäuse zum Erdanschluß des Verbin­ ders durch die Kopplungseinrichtung und dann zu einem externen Schaltkreis, während sein Höchstwert durch die Kopplungseinrichtung niedrig gehalten wird.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung fließt ein elek­ trostatischer Entladestrom vom Gehäuse zum Erdanschluß des Verbinders durch die Kopplungseinrichtung und den zweiten Erdleiter und weiter zu einem externen Schaltkreis, während sein Höchstwert durch die Kopplungseinrichtung niedrig gehalten wird.

Die Erfindung wird nachstehend auch hinsichtlich weiterer Merkmale und Vorteile anhand der Beschreibung von Ausfüh­ rungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Die Zeichnungen zeigen in:

Fig. 1 und 2 einen Querschnitt bzw. eine Draufsicht eines ersten Ausführungsbeispiels der tragbaren Halbleiterspeichervorrichtung nach der Er­ findung;

Fig. 3 ein Schema, das zeigt, wie ein Entladestrom in der tragbaren Halbleitervorrichtung nach den Fig. 1 und 2 fließt;

Fig. 4A und 4B Modifikationen einer Kopplungseinrichtung des ersten Ausführungsbeispiels der Erfindung;

Fig. 5 einen Querschnitt durch ein zweites Ausfüh­ rungsbeispiel der Erfindung;

Fig. 6 ein Schema, das zeigt, wie ein Entladestrom in der tragbaren Halbleitervorrichtung nach Fig. 5 fließt;

Fig. 7A bis 7D Modifikationen der Kopplungseinrichtung des zweiten Ausführungsbeispiels der Erfindung;

Fig. 8 und 9 einen Querschnitt und eine Draufsicht eines dritten Ausführungsbeispiels der Erfindung;

Fig. 10 ein Schema, das zeigt, wie ein Entladestrom in der tragbaren Halbleitervorrichtung nach den Fig. 8 und 9 fließt;

Fig. 11 und 12 einen Querschnitt und eine Draufsicht einer konventionellen tragbaren Halbleiterspeicher­ vorrichtung;

Fig. 13 einen Schnitt entlang der Linie I-I von Fig. 12;

Fig. 14 die Durchführung einer Prüfung der tragbaren Halbleiterspeichervorrichtung unter Anlegen von statischer Elektrizität;

Fig. 15 ein Schema, das zeigt, wie ein Entladestrom in der konventionellen tragbaren Halbleiterspei­ chervorrichtung fließt; und

Fig. 16 das Fließen eines Entladestroms in einem Halb­ leiterspeicher.

Nach den Fig. 1 und 2 umfaßt eine tragbare Halbleiterspei­ chervorrichtung 21 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel eine Leiterplatte 23, auf der eine Vielzahl von Halbleiter­ speichern 22 befestigt ist. Die Leiterplatte 23 ist mittels eines Rahmens 24 festgelegt. Metallplatten 25 und 26 sind jeweils auf den beiden Oberflächen des Rahmens 24 abge­ stützt, und ein Verbinder 27, über den diese Halbleiter­ speichervorrichtung 21 an ein Endgerät (nicht gezeigt) elektrisch angeschlossen ist, ist an einem Ende des Rahmens 24 vorgesehen.

Der Verbinder 27 hat eine Vielzahl von Anschlüssen, und zwar einen Erdanschluß 27a, mehrere Ein-Ausgabeanschlüsse 27b, durch die Daten in die Halbleiterspeicher 22 einge­ geben bzw. daraus ausgegeben werden, und einen Versorgungs­ anschluß (nicht gezeigt). Der Erdanschluß 27a ist mit einem Erdleiter 23a der Leiterplatte 23 verbunden, und die Ein- Ausgabeanschlüsse 27b sind mit den entsprechenden Halblei­ terspeichern 22 durch Leiterbahnen (nicht gezeigt) der Leiterplatte 23 verbunden. Der Erdanschluß 27a ist um eine Strecke D länger als die übrigen Anschlüsse des Verbinders 27 wie etwa die Ein-Ausgabeanschlüsse 27b ausgeführt und verläuft somit weiter zu einem Einführkanal 27d des Ver­ binders 27.

Im Rahmen 24 ist im Bereich des Erdanschlusses 27a des Verbinders 27 ein Durchkontaktloch 24a an einer Stelle ge­ bildet, die dem Erdleiter der Leiterplatte 23 zugewandt ist, und eine Schraubenfeder 28 aus einem Leitermaterial ist in dem Durchkontaktloch 24 so angeordnet, daß eine elektrische Kopplung zwischen dem Erdleiter 23a der Leiter­ platte 23 und der Platte 26 hergestellt ist.

Die Platten 25 und 26 weisen jeweils eine Mehrzahl von Krallen 25a und 26a an ihren Seiten auf, wie Fig. 2 zeigt. Die Krallen 25a liegen an den entsprechenden Krallen 26a an, wodurch die Platte 25 mit der Platte 26 elektrisch ge­ koppelt ist, so daß zwischen den Platten 25 und 26 keine Potentialdifferenz vorhanden ist. Das heißt also, die Plat­ ten 25 und 26 sind mit dem Erdanschluß 27a des Verbinders 27 über die Schraubenfeder 28 und den Erdleiter 23a der Leiterplatte 23 elektrisch gekoppelt.

Die Vielzahl Halbleiterspeicher 22 bildet eine Speicher­ einrichtung, die Platten 25 und 26 und der Rahmen 24 bilden gemeinsam ein Gehäuse, das die Speichereinrichtung aufnimmt, und die Schraubenfeder 28 bildet eine Kopplungseinrichtung.

Nachstehend wird der Betrieb des ersten Ausführungsbei­ spiels erläutert. Zuerst wird der Verbinder 27 der Halb- Leiterspeichervorrichtung 21 in das Endgerät 29 eingeführt, wie Fig. 3 zeigt. In diesem Zustand wird die Elektrode 16 des elektrostatischen Simulators 10 gemäß Fig. 14 mit der Platte 26 oder 25 der Halbleiterspeichervorrichtung 21 in Kontakt gebracht, und dann wird die Halbleiterspeichervor­ richtung 21 mit statischer Elektrizität beaufschlagt. Dadurch fließt ein Entladestrom 30 von der Platte 26 zum Endgerät 29 durch die Schraubenfeder 28, den Erdleiter 23a der Leiterplatte 23 und den Erdanschluß 27a des Verbinders 27. Da die Schraubenfeder 28 im Bereich des Erdanschlusses 27a des Verbinders 27 vorgesehen ist, fließt der Entlade­ strom 30 zu diesem Zeitpunkt direkt von der Schraubenfeder 28 zum Erdanschluß 27a des Verbinders 27, ohne daß er in die Halbleiterspeicher 22 oder zu den Ein-Ausgabeanschlüs­ sen 27b und dem Versorgungsanschluß 27c des Verbinders 27 gelangt.

Infolgedessen kann vermieden werden, daß die Halbleiter­ speicher 22 aufgrund des Durchgangs des Entladestroms 30 verschlechtert oder beschädigt werden.

Durch das Anlegen der statischen Elektrizität wird außerdem das Potential am Erdanschluß 27a des Verbinders 27 ausge­ hend vom Bezugspotential des Entladekondensators 13 des elektrostatischen Simulators 10 erhöht, wodurch das Poten­ tial an den Erdleitern der Halbleiterspeicher 22 erhöht wird. Da jedoch eine große Anzahl von Bauelementen wie etwa Entkopplungskondensatoren allgemein zwischen dem Erdleiter und dem Versorgungsleiter im Halbleiterspeicher 22 ange­ ordnet ist, erhöht sich das Potential an der Versorgungs­ leitung oder an der Signalleitung des Halbleiterspeichers 22 nach Maßgabe des Potentials am Erdleiter. Mit anderen Worten baut sich also zwischen dem Erdleiter und dem Ver­ sorgungsleiter oder dem Signalleiter keine Potentialdif­ ferenz auf, und dadurch kann eine Beschädigung der gespei­ cherten Informationen und eine Verschlechterung bzw. Be­ schädigung des Halbleiterspeichers 22 ausgeschlossen werden.

Wenn der Entladestrom 30 fließt, ändern sich die Potentiale an den Platten 25 und 26, der Schraubenfeder 28 und dem Erdanschluß 27a des Verbinders 27 sofort. Es ist daher erwünscht, daß die Bauelemente von benachbarten Schalt­ kreisen und Signalleitern um einen Abstand getrennt sind, der sicherstellt, daß keine Kriechentladung auftritt. Der Entladestrom 30 erhöht zwar auch das Potential der elek­ trischen Schaltkreise im Endgerät 29, aber eine Verschlech­ terung und Beschädigung der elektrischen Schaltkreise kann dadurch ausgeschlossen werden, daß diese von anderen Bau­ elementen um einen Kriechabstand getrennt angeordnet wer­ den, der sicherstellt, daß die Auswirkungen des durch den Entladestrom hervorgerufenen Potentialanstiegs eliminiert werden.

Wie Fig. 1 zeigt, ist der Erdanschluß 27a des Verbinders 27 länger als die übrigen Anschlüsse ausgeführt und erstreckt sich daher weiter zum Einführungskanal 27d des Verbinders 27. Wenn daher die Halbleiterspeichervorrichtung 21 in das Endgerät 29 eingesetzt wird, wird der Erdanschluß 27a vor den übrigen Anschlüssen mit dem Endgerät 29 verbunden.

Dadurch werden die gegen die statische Elektrizität der Halbleiterspeicher 22 ergriffenen Gegenmaßnahmen noch wirksamer.

Die Richtung, in die der Entladestrom 30 fließt, ist nicht auf die oben beschriebene Richtung beschränkt. Der Entlade­ strom 30 fließt in eine entgegengesetzte Richtung, d. h. vom Endgerät 29 zu der Platte 26 durch den Erdanschluß 27a des Verbinders 27 und die Schraubenfeder 28, indem die Polaritäten der Spannungsquelle 11 des elektrostatischen Simulators 10 umgekehrt werden.

Das oben beschriebene erste Ausführungsbeispiel verwendet die Schraubenfeder 28 als Kopplungseinrichtung. Eine ring­ förmige Feder 38 gemäß Fig. 4A oder eine Blattfeder 48 gemäß Fig. 4B kann jedoch ebenfalls verwendet werden.

Fig. 5 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel. Dabei ver­ wendet eine Halbleiterspeichervorrichtung 31 einen Kopp­ lungskondensator 58 als die Kopplungseinrichtung. Der Kopp­ lungskondensator 58 ist in dem im Rahmen 24 gebildeten Durchkontaktloch 24a angeordnet. Wenn in diesem Fall sta­ tische Elektrizität an die Platte 26 angelegt wird, fließt ein Entladestrom 40 von der Platte 26 zum Inneren der Halb­ leiterspeichervorrichtung 31, wie Fig. 6 zeigt. Die Platte 26 ist jedoch mit dem Erdanschluß 27a des Verbinders 27 über den Kopplungskondensator 58 verbunden, und der Fluß der Gleichstromkomponenten des Entladestroms 40 ist von dem Kopplungskondensator 58 blockiert, d. h. es können nur die Wechselstromkomponenten des Entladestroms 40 den Kopplungs­ kondensator 58 passieren und dann zum Endgerät 29 durch den Erdanschluß 27a des Verbinders 27 fließen.

Da bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel der Kopplungs­ kondensator 58 im Bereich des Erdanschlusses 27a des Ver­ binders 27 liegt, fließt kein Entladestrom 40 in den Halb­ leiterspeichern 22 oder den Ein-Ausgabeanschlüssen 27b und dem Versorgungsanschluß 27c des Verbinders 27, so daß ebenso wie beim ersten Ausführungsbeispiel die Gefahr einer Verschlechterung und Beschädigung der Halbleiterspeicher 22 beseitigt ist.

Da ferner die Gleichstromkomponenten des Entladestroms 40 durch den Kopplungskondensator 58 blockiert werden, ist der Wert des Entladestroms 40, der durch den Erdanschluß 27a des Verbinders 27 geht, verringert. Auch wenn ferner die Gleichstromstörsignale den Platten 25 und 26 überlagert sind, können sie von dem Kopplungskondensator 58 blockiert werden, und nachteilige Auswirkungen der Störsignale auf die eingebauten Halbleiterspeicher 22 können dadurch be­ seitigt werden. Wenn die Prüfung durch Anlegen der stati­ schen Elektrizität mit dem elektrostatischen Simulator von Fig. 14 durchgeführt wird, kann dadurch, daß der Kopplungs­ kondensator 58 in Reihe mit dem Entladekondensator 13 im elektrostatischen Simulator 10 geschaltet ist, die Entlade­ zeitkonstante auf einen Wert verringert werden, der durch die vereinte Kapazität dieser Kondensatoren definiert ist, so daß die Entladungsenergie in äquivalenter Weise verrin­ gert werden kann.

Fig. 7A zeigt einen Kopplungswiderstand 68, der als Kopp­ lungseinrichtung anstelle des Kopplungskondensators 58 verwendbar ist. Mit diesem Kopplungswiderstand 68 kann der Höchstwert des Entladestroms 40 auf einen niedrigen Wert vermindert werden, der durch den Widerstandswert des Kopp­ lungswiderstands 68 bestimmt ist. Durch Einschalten des Kopplungswiderstands 68 kann ferner die Entladezeitkon­ stante größer gemacht werden, und das Potential an den Ein-Ausgabeanschlüssen von Halbleiterbauelementen, die in der elektronischen Schaltung im Endgerät 29 vorhanden sind, kann erhöht werden, wenn das Potential am Erdanschluß 27a des Verbinders 27 aufgrund des Entladestroms 40 ansteigt. Infolgedessen kann zwischen den Ein-Ausgabeanschlüssen und den Erdanschlüssen der Halbleiterbauelemente keine Poten­ tialdifferenz erzeugt werden, so daß eine Beschädigung der Halbleiterbauelemente vermieden wird.

Ein Überspannungsschutzelement 78 gemäß Fig. 7B kann eben­ falls als Kopplungseinrichtung verwendet werden. Dieses Überspannungsschutzelement 78 hat eine extrem hohe Impe­ danz, bis seine Klemmenspannung eine Betriebsspannung (Durchbruchspannung) erreicht, wodurch der Fluß der Gleich- und Wechselstromkomponenten des Entladestroms 40 blockiert wird. Die Impedanz des Überspannungsschutzelements 78 fällt ab, wenn die Klemmenspannung die Betriebsspannung über­ steigt, so daß der Entladestrom 40 zum Erdanschluß 27a fließen kann. Für die praktische Implementierung kann eine Zweirichtungs-Z-Diode, ein Überspannungsableiter oder eine Funkenstrecke als Überspannungsschutzelement 78 verwendet werden.

Eine Kombination des Kopplungskondensators 58 und des Kopplungswiderstands 68 in Reihenschaltung miteinander gemäß Fig. 7C kann als Kopplungseinrichtung verwendet werden. Bei dieser Kombination kann der Fluß der Gleich­ stromkomponenten blockiert werden, während gleichzeitig der Höchstwert des Entladestroms niedrig gehalten werden kann. Eine Kombination aus Kopplungswiderstand 68 und Überspan­ nungsschutzelement 78 in Reihenschaltung miteinander gemäß Fig. 7D kann ebenfalls als Kopplungseinrichtung verwendet werden. Bei dieser Kombination kann der Höchstwert des Ent­ ladestroms 40 durch den Kopplungswiderstand 68 niedrig gehalten werden, nachdem die Impedanz des Überspannungs­ schutzelements 78 durch die Betriebsspannung des Überspan­ nungsschutzelements 78 verringert wurde.

Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 5 ist der Kopplungs­ kondensator 58 zwischen der Leiterplatte 23 und der Platte 26 in solcher Weise angeordnet, daß er diese Bauelemente miteinander verbindet. Der Kopplungskondensator 58, der Kopplungswiderstand 68 oder das Überspannungsschutzelement 78 kann jedoch auf der Leiterplatte 23 so angeordnet sein, daß ein Anschluß mit dem Erdanschluß 27a des Verbinders 27 und der andere Anschluß elektrisch mit einer der Platten 25 oder 26 verbunden ist.

Die Fig. 8, 9 und 10 zeigen ein drittes Ausführungsbei­ spiel. Gemäß Fig. 9 ist in einer Halbleiterspeichervor­ richtung 41 der Erdanschluß 27a des Verbinders 27 mit einem ersten Erdleiter 43a der Leiterplatte 43 verbunden, der seinerseits an die Halbleiterspeicher 22 gekoppelt ist. Auf der Leiterplatte 43 ist außerdem ein zweiter Erdleiter 43b, der mit dem ersten Erdleiter 43a im Bereich des Erdan­ schlusses 27a des Verbinders 27 verbunden ist, als Zweig­ leiter des ersten Erdleiters 43a ausgebildet.

Ein Durchkontaktloch 44a ist in einem Teil des Rahmens 44, der vom Verbinder 27 entfernt ist, ausgebildet, also in einem Teil, der nicht dicht mit Bauelementen wie etwa den Halbleiterspeichern 22 oder Leitern bestückt ist, wie Fig. 8 zeigt, und eine aus einem Leitermaterial bestehende Schraubenfeder 88 ist in dem Durchkontaktloch 44a ange­ ordnet. Das Durchkontaktloch 44a ist an einer Stelle ge­ bildet, an der es mit dem zweiten Erdleiter 43b ausgerich­ tet ist, so daß die in dem Durchkontaktloch 44a angeordnete Schraubenfeder 88 eine elektrische Verbindung zwischen dem zweiten Erdleiter 43b und der Platte 26 herstellen kann.

Wenn bei diesem dritten Ausführungsbeispiel statische Elektrizität an die Platte 26 angelegt wird, wie Fig. 10 zeigt, fließt ein Entladestrom 50 von der Platte 26 zum Endgerät 29 durch die Schraubenfeder 88, den zweiten Erd­ leiter 43b und den Erdanschluß 27a des Verbinders 27. Da der zweite Erdleiter 43b der Leiterplatte 43 von dem ersten Erdleiter 43a im Bereich des Erdanschlusses 27a des Ver­ binders 27 abzweigt, fließt zu diesem Zeitpunkt der Ent­ ladestrom 50 vom zweiten Erdleiter 43b zum Erdanschluß 27a des Verbinders 27, ohne in die Halbleiterspeicher 22 oder zu den Ein-Ausgabeanschlüssen 27b und dem Versorgungsan­ schluß 27c des Verbinders 27 zu fließen. Infolgedessen ist eine Verschlechterung und Beschädigung der Halbleiterspei­ cher 22 aufgrund des Durchgangs des Entladestroms 50 aus­ geschlossen.

Das dritte Ausführungsbeispiel kann anstelle der Schrauben­ feder 88 die Ringfeder 38 von Fig. 4A oder die Blattfeder 48 von Fig. 4B oder eines der Elemente der Fig. 7A-D ver­ wenden.

Ferner kann als Leiterplatte 43 auch eine Mehrschicht- Leiterplatte verwendet werden. In diesem Fall wird entweder eine vollständige Schicht oder ein Teil einer Schicht als der zweite Erdleiter 43b verwendet.

Als Speicher in den oben beschriebenen Ausführungsbeispie­ len kann auch ein anderes Speichermedium als der Halblei­ terspeicher 22 verwendet werden.

Claims (16)

1. Tragbare Halbleiterspeichervorrichtung, gekennzeichnet durch
eine Speichereinrichtung (22) zur Speicherung von In­ formationen;
ein Gehäuse (24, 25, 26) zur Aufnahme der Speicherein­ richtung;
einen Verbinder (27), durch den die Vorrichtung mit einem externen Schaltkreis verbunden ist und der eine Vielzahl von Anschlüssen aufweist, die einen Erdanschluß (27a) und Ein-Ausgabeanschlüsse (27b), durch die Informa­ tionen in die Speichereinrichtung eingegeben und aus ihr ausgegeben werden, umfassen;
einen ersten Erdleiter (23a), durch den der Erdanschluß (27a) des Verbinders (27) an die Speichereinrichtung (22) angeschlossen ist; und
eine Kopplungseinrichtung, die nahe dem Erdanschluß (27a) des Verbinders (27) angeordnet ist und den Erdan­ schluß (27a) elektrisch mit dem Gehäuse koppelt.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplungseinrichtung eine Leitungseinrichtung ist, die elektrisches Leiten zwischen dem Erdanschluß (27a) und dem Gehäuse (24, 25, 26) zuläßt.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitungseinrichtung eine Schraubenfeder (28), eine ringförmige Feder (38) oder eine Blattfeder (48) ist.

4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplungseinrichtung ein Kondensator (58), ein Widerstand (68) oder ein Überspannungsschutzelement (78) ist.

5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplungseinrichtung eine Kombination aus zwei Elementen ist, die ausgewählt sind aus einem Kondensator (58), einem Widerstand (68) und einem Überspannungsschutz­ element (78), wobei die beiden Elemente miteinander in Reihe geschaltet sind.

6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Erdanschluß (27a) des Verbinders (27) länger als die übrigen Anschlüsse ausgeführt ist, so daß er sich wei­ ter zu einem Einführkanal (27d) des Verbinders (27) erstreckt.

7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Speichereinrichtung wenigstens ein Halbleiter­ speicher (22) ist.

8. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse aus einem Paar von Platten (25, 26), die mit der Speichereinrichtung (22) zwischen sich angeordnet sind, und einem Rahmen (24) zur Halterung der Platten besteht.

9. Tragbare Halbleiterspeichervorrichtung, gekennzeichnet durch
eine Speichereinrichtung (22) zur Speicherung von In­ formationen;
ein Gehäuse (24, 25, 26) zur Aufnahme der Speicherein­ richtung;
einen Verbinder (27), durch den die Vorrichtung mit einem externen Schaltkreis verbunden ist, wobei der Ver­ binder eine Vielzahl von Anschlüssen aufweist, die einen Erdanschluß (27a) und Ein-Ausgabeanschlüsse (27b), durch die Informationen in die Speichereinrichtung eingegeben und daraus ausgegeben werden, umfassen;
einen ersten Erdleiter (43a), durch den der Erdanschluß (27a) des Verbinders (27) mit der Speichereinrichtung ver­ bunden ist;
einen zweiten Erdleiter (43b), der vom ersten Erdleiter (43a) im Bereich des Erdanschlusses (27a) des Verbinders (27) abzweigt; und
eine Kopplungseinrichtung (88), durch die der zweite Erdleiter (43b) elektrisch mit dem Gehäuse (24, 25, 26) gekoppelt ist.

10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplungseinrichtung eine Leitungseinrichtung umfaßt, die elektrisches Leiten zwischen dem zweiten Erd­ leiter (43b) und dem Gehäuse (24, 25, 26) zuläßt.

11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitungseinrichtung eine Schraubenfeder (28), eine ringförmige Feder (38) oder eine Blattfeder (48) ist.

12. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplungseinrichtung ein Kondensator (58), ein Widerstand (68) oder ein Überspannungsschutzelement (78) ist.

13. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kopplungseinrichtung eine Kombination aus zwei Elementen ist, die ausgewählt sind aus einem Kondensator (58), einem Widerstand (68) und einem Überspannungsschutz­ element (78), wobei die beiden Elemente miteinander in Reihe geschaltet sind.

14. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Erdanschluß (27a) des Verbinders (27) länger als die übrigen Anschlüsse ausgeführt ist, so daß er sich wei­ ter zu einem Einführkanal (27d) des Verbinders (27) erstreckt.

15. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Speichereinrichtung wenigstens ein Halbleiter­ speicher (22) ist.

16. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse aus einem Paar von Platten (25, 26), die mit der Speichereinrichtung (22) zwischen sich angeordnet sind, und einem Rahmen (24) zur Halterung der Platten besteht.