DE4008883C2 - Nur-Lese-Speicher vom Maskentyp und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich allgemein auf einen Nur-Lese-Speicher vom Maskentyp und Verfahren zu dessen Her­ stellung.

Ein gattungsgemäßer Nur-Lese-Speicher vom Maskentyp und ein gattungsgemäßes Verfahren zu dessen Herstellung sind aus der JP 59-106 147 (A) bekannt.

Die sich im Moment im Gebrauch befindlichen integrierten Speicher­ schaltkreise können grob entsprechend ihrer Schreibfunktion in Schreib/Lesespeicher (read/write memory) oder RWM, bei denen nicht nur ein Auslesen, sondern auch freies Schreiben nach der Her­ stellung erfolgen kann, und in Nur-Lese-Speicher oder ROM, bei denen kein Schreiben erfolgen kann und die nach der Herstellung nur zum Auslesen benutzt werden, eingeteilt werden. Das ROM wird zum Speichern von festgelegter Information, wie z.B. Zeichenmuster, verwendet, da die darin gespeicherte Information nach Abschalten der Spannungsversorgung erhalten bleibt. Das ROM kann ferner in ein lösch- und programmierbares ROM oder EPROM, bei dem die gespei­ cherte Information nach der Herstellung elektrisch verändert und die gespeicherte Information z.B. durch Betrahlung mit ultravio­ lettem Licht gelöscht werden kann, und ein Masken-ROM, bei dem die Information im Verlauf der Herstellung eingeschrieben wird und nach der Fertigstellung nicht mehr geändert werden kann, klassifiziert werden. Das Masken-ROM wird zur Speicherung von festgelegten Daten, wie z.B. Zeichenmuster bei einem Monitor oder das BASIC-Programm eines Personal Computers, verwendet.

Der Speicherbereich der zur Zeit kommerziell erhältlichen Masken- ROMs umfaßt im allgemeinen eine große Zahl von in Form einer Matrix angeordneten MOS-Transistoren. Jeder dieser MOS-Transistoren wird als Speicherzelle verwendet. Wenn ein MOS-Transistor auf einem Halbleitersubstrat gebildet wird, ist es erforderlich, drei Bereiche, d.h. Source, Drain und Gate, zu schaffen. Für die Größe eines jeden dieser drei Bereiche ist es notwendig, groß genug zu sein, um die Funktion als MOS-Transistor zu erreichen, so daß dieser nicht unbegrenzt verkleinert werden kann. Daher ergeben sich trotz der neuerlichen Forderung nach Verkleinerung der inte­ grierten Halbleiterschaltkreiseinrichtungen natürlich vorgegebene Beschränkungen der Miniaturisierung der Speicherbereichfläche als ganzes, solange MOS-Tranistoren als Speicherzellen verwendet werden. Dieses Problem wird insbesondere mit einer Vergrößerung der Speicherkapazität des Masken-ROM ernst. Andererseits ist die Forderung nach größerer Speicherkapazität der IC-Speicher einschließlich des Masken-ROMs in den letzten Jahren stärker geworden. Daher ist bereits ein verbessertes Masken-ROM vorge­ schlagen worden, um den gegenläufigen Forderungen nach Miniaturi­ sierung einer Vielzahl von integrierten Halbleitereinrichtungen einschließlich der IC-Speicher und der größeren Speicherkapa­ zitäten der IC-Speicher zu entsprechen. Bei einem solchen ver­ besserten Masken-ROM wird eine Einrichtung oder ein Element mit dem Aufbau einer Diode anstelle einer Einrichtung oder eines Elementes mit der Konfiguration eines MOS-Transistors als Speicher­ zelle verwendet.

Die Fig. 6A bis 6C zeigen die Struktur eines Speicherzellenfeldes in einem verbesserten Masken-ROM, die in der JP 61-1904 (B2) bzw. in der zugehörigen Offenlegungsschrift JP 59-106 147 (A) beschrieben ist. Fig. 6A zeigt eine Draufsicht des Speicherzellenfeldes und die Fig. 6B und 6C sind Querschnitte entlang der unterbrochenen Linien (a) bzw. (b) der Fig. 6A. Bezüglich dieser Figuren ist dieses Speicherzellenfeld auf einem monokristallinen Siliziumhalbleitersub­ strat 40 gebildet. Ein aus einer Siliziumdioxidschicht gebildeter Isolierfilm 48 ist auf der Oberfläche des Substrates 40 geschaffen. Eine große Anzahl von bandartigen N-Polysiliziumschichten 42 ist parallel auf diesem Substrat 40 gebildet. Es ist eine Isolierschicht 41 auf der gesamten Oberfläche des Halbleitersubstrates 40, ein­ schließlich der Polysiliziumschichten 42, geschaffen und es sind Öffnungen oder Kontaktlöcher 44 selektiv in der Isolierschicht 41 gebildet. P-Polysiliziumbereiche 45 werden durch Einlagern von Störstellen in die Polysiliziumschichten 42 unterhalb dieser Kon­ taktlöcher 44 geschaffen. Es ist eine große Zahl von parallelen bandförmigen und elektrisch leitenden Schichten 43 auf der Isolier­ schicht 41 und auf den Kontaktlöchern 44 gebildet, die die Poly­ siliziumschichten 42 schneiden. Diese Kontaktlöcher 44 sind selektiv an den Kreuzungspunkten der Polysiliziumschichten 42 und der elektrisch leitenden Schichten 43 gebildet. Jede der band­ förmigen Polysiliziumschichten 42 entspricht einer Wortleitung und jede der bandförmigen elektrisch leitenden Schichten 43 einer Bitleitung.

Wie aus der Fig. 6A ersichtlich ist, bilden die Kreuzungspunkte der bandförmigen Polysiliziumschichten 42 und der bandförmigen elektrisch leitenden Schichten eine Matrix. Bezüglich der Fig. 6B und 6C sind unterhalb der Kontaktlöcher 44 pn-Übergänge in den Polysiliziumschichten 42 nur an den Kreuzungspunkten gebildet, die zu Kontaktlöchern gehören. Wenn eine Spannung in Vorwärts­ richtung an die elektrisch leitenden Schichten 43, deren Kreuzungs­ punkte zu den Kontaktlöchern 44 gehören, angelegt wird, fließt ein Strom in den zugehörigen Polysiliziumschichten 42. Wenn anderer­ seits eine Spannung in Vorwärtsrichtung an die elektrisch leitenden Schichten 43, deren Kreuzungspunkte nicht zu den Kontaktlöchern 44 gehören, angelegt wird, fließt an diesen Kreuzungspunkten kein Strom durch die Polysiliziumschichten 42, da die elektrisch lei­ tenden Schichten 43 und die Polysiliziumschichten 42 durch die Isolierschicht 41 voneinander isoliert sind. Wenn eine Bitleitung ausgewählt wird, wird eine vorbestimmte Spannung an diese Bit­ leitung angelegt und es wird dann eine Wortleitung ausgewählt und geprüft, ob ein Strom in dieser Wortleitung fließt oder nicht, so daß daher getestet werden kann, ob am Kreuzungspunkt der elektrisch leitenden Schicht 43, die zur ausgewählten Bitleitung gehört, mit der Polysiliziumschicht 42, die zur ausgewählten Wortleitung, ein Kontaktloch gebildet ist oder nicht. Wenn die An- oder Abwesenheit der Kontaktlöcher mit den logischen Werten "1" oder "0" in Verbindung gebracht wird und bei der Herstellung des Speicherzellenfeldes des Masken-ROMs das Muster zum Bilden der Kontaktlöcher in Abhängigkeit von der im Masken-ROM zu speichernden Information ausgewählt wird, wird es möglich, die gespeicherte Information vom Masken-ROM nach der Fertigstellung wie bei der herkömmlichen Einrichtung auszulesen. Dies bedeutet, daß nicht wie bei der herkömmlichen Technik ein einzelner MOS-Transistor als Speicherzelle verwendet wird, sondern ein einfacher pn-Übergang, d.h., eine Diode. Die für eine Speicherzelle erforderliche Fläche wird durch die Breiten der Polysiliziumschicht 42 und der elek­ trisch leitenden Schicht 43 bestimmt. Die Minimalwerte der Breiten der elektrisch leitenden Schichten 43 und der Polysiliziumschichten 42 werden durch die Grenzen für die Breite und den Abstand von Leiterbahnen bei der zur Zeit möglichen Herstellungstechnik bestimmt. Durch eine Verminderung dieser Breiten kann die von jeder Speicherzelle auf dem Substrat belegte Fläche erheblich kleiner als die einer herkömmlichen Einrichtung sein, solange Kontaktlöcher 44 geschaffen werden können. Damit kann ein Masken-ROM gebildet werden, das signifikant kleiner ist als das herkömmliche Masken-ROM, bei dem ein MOS-Transistor als Speicherzelle verwendet wird.

Nun wird der Prozeß zur Herstellung des in Fig. 6 dargestellten Speicherzellenfeldes erläutert. Zuerst wird durch selektive Oxidation ein Oxidfilm auf einem monokristallinen Siliziumsubstrat, auf dem das Speicherzellenfeld gebildet werden soll, geschaffen. Auf diese Weise entsteht ein monokristallines Siliziumsubstrat 40 mit einer isolierenden Oberflächenschicht. Es wird eine große Zahl von zueinander parallelen bandförmigen Polysiliziumschichten auf diesem Isolierfilm gebildet. Polysilizium ist ein intrinsischer Halbleiter, d.h. seine Leitfähigkeit ist weder vom N- noch vom P-Typ. Um eine N-Typ Polysiliziumschicht zu schaffen werden Störstellen vom N-Typ in diese Polysiliziumschicht eingelagert. Auf diese Weise entsteht eine große Zahl von parallelen bandartigen Polysiliziumschichten 42 vom N-Typ. Dann wird eine Isolierschicht 41 auf der gesamten Ober­ fläche des Substrates 40, einschließlich der Oberflächen der Poly­ siliziumschichten 42 vom N-Typ, geschaffen. Anschließend werden in Abhängigkeit von der gewünschten im Masken-ROM zu speichernden Information Kontaktlöcher 44 durch selektives Ätzen der Isolier­ schicht 41 gebildet. Nun werden durch Ionenimplantation Störstellen vom P-Typ selektiv in diejenigen Bereiche der Polysiliziumschichten 42 vom N-Typ eingelagert, in denen die Kontaktlöcher 44 gebildet sind. Auf diese Weise werden Polysiliziumbereiche 45 vom P-Typ in denjenigen Bereichen der n-Typ Polysiliziumschichten 42 gebildet, in denen die Kontaktlöcher 44 gebildet sind. Zuletzt wird eine große Zahl von parallelen, bandförmigen und elektrisch leitenden Schichten 43 aus z.B. Aluminium auf die Isolierschicht 41 ein­ schließlich der Kontaktlöcher 44 aufgebracht.

Im folgenden wird der tatsächliche Herstellungsprozeß des Masken- ROM-Chips mit dem oben beschriebenen Speicherzellenfeld beschrieben. Fig. 7 stellt ein Flußdiagramm dar, das die Züge des Herstellungs­ prozesses für den Masken-ROM-Chip zeigt. Bezüglich dieser Figur wird auf dem monokristallinen Siliziumsubstrat ein Bereich oder eine Insel eines Leitfähigkeitstypes geschaffen, der dem Leit­ fähigkeitstyp des monokristallinen Siliziumsubstrates entgegen­ gesetzt ist. Dieser Bereich kann als Bereich dienen, auf dem die Source und Drain des Transistors in einem nachfolgenden Prozeß gebildet werden. Das Substrat wird dann selektiv oxidiert, um einen dicken Feldoxidfilm für die Isolation benachbarter Schalt­ kreiseinrichtungen oder Bauelemente voneinander zu bilden. Nun werden die Polysiliziumschichten geschaffen, die das Gate der P-Kanal und N-Kanal Transistoren, die als periphere Schaltkreise des Speicherzellenfeldes benutzt werden, und die Wortleitungen des Speicherzellenfeldes bilden sollen. Die Polysiliziumschichten, die die Wortleitungen darstellen sollen, werden zu diesem Zeit­ punkt durch Einlagern von N-Störstellen in N-Typ Polysilizium­ schichten umgewandelt. Die Source- und Drain-Bereiche der N- und P-Kanal Transistoren werden nun durch selektives Einführen von Störstellen in die Substratoberfläche gebildet. Dann wird ein Isolierfilm auf der gesamten Oberfläche des Substrates geschaffen, um die Unebenheiten auf dem Substrat auszugleichen. In Fig. 7 ist dies als "Bildung einer glatten Deckschicht" bezeichnet. Anschließend werden Kontaktlöcher selektiv in diesem Isolierfilm gebildet. Nun werden P-Typ Störstellen durch diese Kontaktlöcher mittels Ionenimplantation in diejenigen Polysiliziumschichten eingelagert, die die Wortleitungen des Speicherzellenfeldes bilden sollen. In Fig. 7 ist dies als "Implantation" bezeichnet. Auf diese Weise werden pn-Übergänge nur in denjenigen Speicherzellen gebildet, die mit Kontaktlöchern versehen sind. Nun werden entsprechend dem gewünschten Verdrahtungsmuster elektrisch leitende Schichten auf dem Substrat, einschließlich der Kontaktlöcher, gebildet. Zuletzt wird eine Glasschicht als schützende Schicht für die Einrichtung aufgebracht.

Wenn man den Herstellungsprozeß betrachtet, weist das oben be­ schriebene Masken-ROM mit einem Speicherzellenfeld, das von einem einzelnen pn-Übergang als Speicherzelle Gebrauch macht, folgende Nachteile auf.

Der Herstellungsprozeß des Speicherzellenfeldbereiches umfaßt den Schritt des Einführens von N-Störstellen in die Polysiliziumschicht, um eine N-Polysiliziumschicht zu erzeugen, und den Schritt des Einführens von P-Störstellen durch Ionenimplantation in diejenigen Bereiche der N-Polysiliziumschichten, die mit Kontaklöchern ver­ sehen sind, um Bereiche vom P-Typ zu erzeugen. Wenn Störstellen in Polysilizium eingebracht werden, das weder vom N- noch vom P-Leit­ fähigkeitstyp ist, um N-Polysilizium zu erzeugen, werden diese mit einer Konzentration in der Größenordnung 10¹⁴ . . . 10¹⁶/cm² einge­ lagert. Wenn andererseits das Polysilizium, das einmal als N-Typ gebildet worden ist, in den hierzu entgegengesetzten P-Typ umge­ wandelt werden soll, werden Störstellen mit einer Konzentration der Größenordnung 10¹⁸ . . . 10²⁰/cm², die höher ist als diejenige für den Fall, daß Polysilizium, das weder vom P- noch vom N-Typ ist, als N-Polysilizium erzeugt wird, eingelagert, da es erforder­ lich ist, die Polarität des früher mit N-Störstellen dotierten Polysiliziums durch Einlagern von P-Störstellen umzukehren. Poly­ silizium wird nicht von homogenen Einkristallen gebildet, sondern ist ein Aggregatzustand von vielen Teilchen (Korn). Fig. 9 zeigt stark schematisiert den Aufbau von Polysilizium. In dieser Figur stellt jedes Teilchen 82 ein Korn dar, die das Polysilizium bilden. Die Verteilung von in die oben beschriebene Polysiliziumstruktur eingeführten Störstellen ist nicht so gleichmäßig wie im Falle des Einlagerns von Störstellen in monokristallines Silizium. Fig. 10 zeigt den Diffusionszustand der in das N-Polysilizium (hier als ein Korn dargestellt) eingeführten P-Störstellen, um das N-Poly­ silizium in den P-Typ umzuwandeln. Aus dieser Figur ist ersicht­ lich, daß die P-Störstellen von außen nach dem Inneren des Kornes eindiffundieren. Wenn angenommen wird, daß das Korn bis in den innersten Bereich gleichmäßig als N-Typ erzeugt worden ist, werden die durch Schraffierung angedeuteten Bereiche des Kornes, in denen die Konzentration der P-Störstellen groß genug ist, um das N-Polysilizium in den P-Typ umzuwandeln, in P-Polysilizium umge­ wandelt, während die im Zentrum des Kornes gezeigten Bereiche, in denen die Konzentration der P-Störstellen nicht so hoch ist, als N-Typ bestehen bleiben. Folglich kann das einmal als N-Typ erzeugte Polysilizium nicht gleichmäßig in den P-Typ umgewandelt werden. Wenn Störstellen in das Polysilizium eingelagert werden, das weder vom P-Typ noch vom N-Typ ist, um N-Polysilizium zu erzeugen, bilden die oben beschriebenen Eigenschaften von Polysilizium kein besonderes Problem. Dies ergibt sich aus der Tatsache, daß die mit Störstellen dotierten Bereiche des Polysiliziums als N-Typ im ganzen erzeugt werden, selbst wenn die Verteilung der Störstellen im Polysilizium, d. h., der Zustand des Umwandeln in N-Polysili­ zium, bezüglich jedes Korns etwas unterschiedlich ist.

Wie oben beschrieben worden ist, ist es schwierig, das Polysilizium, das einmal als N-Typ erzeugt worden ist, auf der Ebene der Korn­ größe gleichmäßig in den P-Typ umzuwandeln. Wenn das N-Polysilizium in den P-Typ umgewandelt werden soll, existiert daher keine defi­ nierte Grenze zwischen dem Bereich, der in den P-Typ umgewandelt worden ist, und dem Bereich, der als N-Typ verbleibt. Das bedeutet, daß der pn-Übergang, der als Speicherzelle besonders kritisch ist, kaum geschaffen werden kann. Selbst wenn man annimmt, daß der pn- Übergang die Rolle einer Diode, d. h., die Rolle der Speicherzelle, spielt, tritt immer noch das Problem einer extrem kleinen Sperr­ spannung auf, da die Durchbrucheigenschaften des pn-Überganges weiter erheblich kleiner sind im Vergleich mit denen von mono­ kristallinem Silizium. Auf diese Weise ist es schwierig, einen gewünschten pn-Übergang mit dem herkömmlichen Herstellungsverfahren zu schaffen.

Andererseits ergeben sich die folgenden Beschränkungen, wenn der P-Bereich in den N-Polysiliziumschichten, die die späteren Wort­ leitungen bilden sollen, geschaffen wird. Die Fig. 8A und 8B sind Querschnitte einer Speicherzelle mit einem Kontaktloch. Die Fig. 8A und 8B zeigen die P-Schichten 45, die in den N-Polysiliziumschichten mit einer größeren bzw. geringeren Tiefe gebildet sind. Es ist zu bemerken, daß sich die N-Polysiliziumschicht 42 in die Richtung senkrecht zur Zeichenebene weiter erstreckt. In Abhängigkeit von der An- oder Abwesenheit des Kontaktloches in der ausgewählten Speicherzelle ist es für einen ausreichenden Strom erforderlich, in der der Speicherzelle entsprechenden Wortleitung zu fließen. Daher ist ein geringer Widerstandswert der Wortleitung vorzuziehen. Der Widerstand der Wortleitung wird von der Querschnittsfläche der N-Polysiliziumschicht 42 beeinflußt. Andererseits ist ein teilweise elektrisch leitender P-Polysiliziumbereich 45 in der N-Polysiliziumschicht 42, die die spätere Wortleitung bilden soll, geschaffen. Daher ist in demjenigen Bereich, in dem der P-Bereich 45 gebildet ist, d.h., im Bereich unterhalb des Kontaktloches, die effektive Querschnittsfläche der N-Polysiliziumschicht 42, durch die der Strom fließt, gleich der Querschnittsfläche a · h, wobei h und a die Dicke und Breite der N-Polysiliziumschicht 42 bedeuten, abzüglich der Querschnittsfläche des P-Polysiliziumbereiches 45, d.h., d · b, wobei d und b die Dicke bzw. Breite des P-Polysilizium­ bereiches 45 bedeuten. Um den Widerstand der Wortleitung zu vermindern, ist daher eine geringere Querschnittsfläche des P-Polysiliziumbereiches vorzuziehen (s. Fig. 8A und 8B). Das heißt, günstiger sind kleinere Werte für die Dicke d und die Breite b des Polysiliziumbereiches 45.

Eine Verminderung der Breite c des Kontaktloches bedeutet jedoch eine Erhöhung des Kontaktwiderstandes zwischen der leitenden Schicht 43 und der N-Polysiliziumschicht 42, da die Breite b des P-Polysiliziumbereiches 45 etwa gleich der Breite c des Kontakt­ loches 44 ist. Falls die Dicke d des P-Polysiliziumbereiches 45 zu klein ist, spielt andererseits der pn-Übergang nicht die Rolle einer Speicherzelle. Bei der Bildung des P-Bereiches 45 in der N-Polysiliziumschicht 42 ist es daher erforderlich, Störstellen in eine moderate Tiefe unter Beachtung der oben beschriebenen Zwänge einzulagern. Wie oben beschrieben worden ist, kann anderer­ seits der gewünschte pn-Übergang mit den herkömmlichen Her­ stellungsverfahren kaum erzeugt werden. Unter Beachtung der obigen Zwänge ist es extrem schwierig, den P-Polysiliziumbereich 45 mit der gewünschten Tiefe zu schaffen. Wenn die P-Polysiliziumbereiche 45 gebildet werden, wird die Menge der durch Ionenimplantation einzulagernden P-Störstellen im Hinblick auf eine Anhebung der Störstellenkonzentration erhöht, um einen zufriedenstellenden pn-Übergang zu erzeugen, und es wird z.B. schwierig, den Bereich der Implantation zu steuern. Falls die Energie der Ionenimplan­ tation im Hinblick auf eine Erhöhung der Tiefe der P-Polysilizium­ schicht 45 vergrößert wird, ergibt sich andererseits das Risiko, daß die N-Polysiliziumschicht 42, der Zwischenschichtfilm 48 oder sogar das Substrat 40 verletzt werden.

Ferner wird das N-Polysilizium in den P-Typ unter Bedingungen für die Ionenimplantation, wie z.B. die Energie für die Ionenimplan­ tation und die Menge der zu implantierenden Ionen, umgewandelt, die verschieden sind von den Bedingungen, unter denen monokri­ stallines Silizium vom N-Typ in den P-Typ umgewandelt wird. Damit wird der Herstellungsprozeß eines Masken-ROM-Chips mit einem Speicherzellenfeld und peripheren Schaltkreisen auf demselben Substrat, der Feldeffekttransistoren umfaßt, schwierig. Das heißt, daß der Schritt zur Bildung eines pn-Überganges in demjenigen Bereich der Wortleitung, der die zukünftige Speicherzelle dar­ stellen soll, und der Schritt zur Bildung der Source- und Drain- Bereiche des Transistors voneinander getrennt werden müssen. Dies ergibt sich aus der Tatsache, daß die Source- und Drain- Bereiche des P-Kanal Transistors durch Einlagern von P-Stör­ stellen mittels Ionenimplantation in jene Bereiche des mono­ kristallinen Siliziumsubstrates erzeugt werden, die in den N-Typ umgewandelt werden sollen, wodurch zwei P-Bereiche im N-Bereich geschaffen werden. Aus diesem Grund ist der Schritt zur Bildung des pn-Überganges in der Speicherzelle notwendigerweise zusätzlich nahe dem letzten Schritt beim Herstellungsprozeß für das Maskentyp- ROM erforderlich.

Wie oben beschrieben worden ist, weist das Maskentyp-ROM mit einem einzelnen pn-Übergang als Speicherzelle, wie in Fig. 6A gezeigt, verschiedene Herstellungsprobleme auf und kann daher nicht ohne erhebliche Schwierigkeiten als kommerzielles Produkt erzeugt werden.

Aus Elektronik, Bd. 5, 4. März 1988, S. 83-86 ist das Auf­ schmelzen einer Polysiliziumschicht mittels Laser bekannt, um in dieser Bauelemente mit einer ähnlichen Güte wie in einkristal­ linem Silizium herstellen zu können.

Aus der EP 056 186 (A2) ist es bekannt, dotiertes polykristallines Silizium mit einem Laser zu glühen und eine kristallografische Neuordnung des Siliziums zu erhalten, wobei eine im wesentlichen monokristalline Siliziumschicht erhalten wird. Zur Bildung eines pn-Überganges in dieser neu geordneten Schicht wird eine Stör­ stellendiffusion ausgeführt.

Es ist Aufgabe der Erfindung, einen Nur-Lese-Speicher vom Mas­ kentyp und ein Verfahren zu dessen Herstellung zu schaffen, bei dem die pn-Übergänge funktional und bezüglich Miniaturisierung und Betriebsgeschwindigkeit verbessert sind, und der einfach und zuverläsig hergestellt werden kann. Ferner soll ein Nur-Lese- Speicher vom Maskentyp mit weiteren Schaltkreisen auf demselben Typ geschaffen werden, bei dem die Bildung der pn-Übergänge des Speichers gleichzeitig mit dem Schritt zur Bildung solcher wei­ terer Schaltkreise erfolgen kann.

Diese Aufgabe wird gelöst durch einen Nur-Lese-Speicher vom Maskentyp nach Anspruch 1 oder ein Verfahren zu dessen Herstel­ lung nach Anspruch 3 oder Anspruch 5 oder Anspruch 6.

Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen ge­ kennzeichnet.

Beim oben erwähnten Verfahren zur Herstellung des Masken-ROMs werden die bandförmigen Polysiliziumschichten, in denen die pn-Übergänge der zukünftigen Speicherzellen gebildet werden, zuvor mit einem Laserstrahl wärmebehandelt, d.h., einem "Laser-Glühen" unterworfen, um diese in Einkristalle umzuwandeln. Bei der Herstellung eines Bereiches des zweiten Leitfähigkeitstypes in den bandförmigen Schichten kann daher das Verfahren des Standes der Technik, das im Einlagern von Störstellen des zweiten Leit­ fähigkeitstypes in das monokristalline Silizium des ersten Leit­ fähigkeitstypes mittels Ionenimplantation zur Bildung des Bereiches des zweiten Leitfähigkeitstypes besteht, ohne Modifikation ange­ wendet werden. Diese Technik, die zur Bildung des Source- und Drain- Bereiches des Transistors verwendet wird, erlaubt eine zufrieden­ stellende Steuerung der Tiefe oder Breite des Bereiches des zweiten Leitfähigkeitstypes während der Bildung des Source- und Drain- Bereiches. Da der in den zweiten Leitfähigkeitstyp umzuwandelnde Bereich aus Einkristallen gebildet ist, kann daher darüber hinaus ein pn-Übergang mit einer gleichmäßigen Übergangsoberfläche in der bandförmigen Polysiliziumschicht gebildet werden.

Beim Verfahren zur Herstellung eines Nur-Lese-Speichers vom Maskentyp mit einem peripheren Schaltkreis, der wenigstens einen Feldeffekt­ transistor aufweist, ist es durch Monokri­ stallistaion der ersten Leiter mittels Glühen, d. h., durch Überführen der ersten Leiter in kristalline Schichten desselben Types wie das Substrat, auf dem die Source- und Drain-Bereiche des Transistors geschaffen werden sollen, möglich, gleichzeitig die Bildung der pn-Übergänge der Speicherzellen und die Bildung der Source- und Drain-Bereiche des Transistors des peripheren Schaltkreises auszuführen. Entsprechend wird die Bildung der pn-Übergänge der Speicherzellen und die Bildung der Source- und Drain-Bereiche, die herkömmlicherweise in ver­ schiedenen Schritten ausgeführt werden, im selben Herstellungs­ schritt durchgeführt, was zu einem vereinfachten Schritt bei der Herstellung des Nur-Lese-Speichers vom Maskentyp mit dem einen Transistor umfassenden peripheren Schaltkreis führt.

Der Nur-Lese-Speicher vom Maskenty wird durch das oben beschriebene Herstellungsverfahren geschaffen. Die Bereiche mit implan­ tierten Störstellen weisen eine Breite, die durch die Größe der Kontaktlöcher festgelegt ist, und eine vorbestimmte Tiefe auf. Das Produkt aus Breite und Tiefe wird derart gewählt, daß es kleiner ist als ein vorbestimmter Bruchteil der Querschnittsfläche des ersten Leiters. Daher können die im Bereich der Öffnungen am Kreuzungspunkt der bandförmigen Polysiliziumschichten und der bandförmigen elektrisch leitenden Schichten geschaffenen pn-Übergänge zufriedenstellend als Speicher­ zellen wirken.

Ein integrierter Schaltkreis weist in einer anderen Ausführung einen Nur-Lese-Speicher vom Maskentyp und einen peripheren Schaltkreis auf, der wenigstens einen Feld­ effekttransistor mit einem Kanal eines ersten Leitfähigkeitstypes und im monokristallinen Substrat gebildete Source- und Drain- Bereiche umfaßt. Die pn-Übergänge des Nur-Lese- Speichers vom Maskentyp und die Source- und Drain-Bereiche von dem wenigstens einen Feldeffekttransistor können gleichzeitig durch Ionenimplantation geschaffen werden.

Der Nur-Lese-Speicher vom Maskentypn,der wie oben beschrieben als kommerzielles Produkt schwierig herzustellen war, kann unter den für die praktische Anwendung angepaßten Bedingungen einfach erzeugt werden. Der Nur-Lese-Speicher vom Maskenty ist im Hinblick auf eine Miniaturisierung der Größe und einer Beschleu­ nigung der Betriebsgeschwindigkeit der Einrichtung entwickelt worden. Dieser Aufgabe kann nun entsprochen werden, da der oben beschriebene Nur-Lese-Speicher vom Maskentyp unter an die praktische Anwendung ange­ paßten Bedingungen hergestellt werden, so daß leistungsfähige und signifikante Effekte durch die vorliegende Erfindung erzielt werden können.

Es folgt die Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:

Fig. 1 einen Querschnitt einer Speicherzelle eines Nur-Lese-Speicher vom Maskentyp, der durch das Herstellungsverfahren erzeugt worden ist;

Fig. 2 ein Flußdiagramm, das den Herstellungsprozeß für den Nur-Lese-Speicher vom Maskentyp nach einer Ausführungsform der Erfindung zeigt;

Fig. 3 einen Teilquerschnitt, der ein durch den in Fig. 2 gezeigten Herstellungsprozeß erzeugten Nur-Lese-Speicher vom Maskentyp darstellt;

Fig. 4A bis 4E einen Herstellungsprozeß für die Speicherbereiche des in Fig. 3 gezeigten Nur-Lese-Speicher vom Maskentyp;

Fig. 5A bis 5E einen weiteren Herstellungsprozeß für die Speicher­ bereiche des in Fig. 3 gezeigten Nur-Lese-Speicher vom Maskentyp;

Fig. 6A eine Draufsicht auf ein Speicherzellenfeld eines Masken- ROMs, das in der JP 61-1904 (B2) gezeigt ist;

Fig. 6B, 6C Querschnitte entlang zweier verschiedener Achsen des Speicherzellenfeldes eines herkömmlichen Masken-ROMs;

Fig. 7 ein Flußdiagramm, das ein Beispiel des Herstellungs­ prozesses für ein herkömmliches Masken-ROM darstellt;

Fig. 8A, 8B Querschnitte, die Beispiele der Speicherzelle des durch das herkömmliche Herstellungsverfahren erzeugten Masken-ROMs darstellen;

Fig. 9 ein Diagramm der Polysiliziumstruktur; und

Fig. 10 das mit P-Störstellen dotierte N-Polysilizium auf der Ebene der Korngröße.

Fig. 1 stellt einen Querschnitt der Speicherzelle eines nach dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines Masken-ROMs hergestellten Masken-ROMs dar, die ein Kontaktloch aufweist. Unter Bezugnahme auf diese Figur wird der Herstellungsprozeß für diese Speicherzelle erläutert. Zuerst wird ein Oxidfilm auf einem mono­ kristallinen Siliziumsubstrat nach irgendeinem bekannten Verfahren, wie z.B. selektive Oxidation, gebildet, um ein monokristallines Siliziumsubstrat 40 mit dem Isolierfilm auf seiner Oberfläche zu erzeugen. Es wird eine bandförmige Polysiliziumschicht 46, die die zukünftige Wortleitung darstellt, auf der ebenen Oberfläche dieses monokristallinen Siliziumsubstrates 40 geschaffen. Dann wird im Gegensatz zur herkömmlichen Praxis die Polysiliziumschicht 46 mit Laser-Licht wärmebehandelt, d.h., die Schicht wird einem "Laser- Glühen" unterworfen, um eine monokristalline Schicht zu erzeugen. Auf diese Weise wird die Polysiliziumschicht 46 in die monokri­ stalline Siliziumschicht 12 umgewandelt. Anschließend wird diese monokristalline Siliziumschicht 12 durch irgendein bekanntes Verfahren, wie z.B. thermische Diffusion oder Ionenimplantation, mit N-Störstellen dotiert. Auf diese Weise wird die monokristalline Siliziumschicht 12 gleichmäßig in eine Schicht vom N-Typ umge­ wandelt. Nun wird eine Isolierschicht 41 gleichmäßig auf die gesamte planare Oberfläche des Substrates 40, einschließlich der Oberfläche der monokristallinen Siliziumschicht 12 vom N-Typ, aufgebracht. Dann wird in der Isolierschicht 41 das Kontaktloch 44 z.B. durch Ätzen gebildet. Nun werden P-Störstellen durch Ionenimplantation über die Kontaktlöcher 44 in die monokristalline Siliziumschicht 12 eingelagert. Da die in den P-Typ umzuwandelnden Bereiche im Gegensatz zur herkömmlichen Praxis aus monokristallinem Silizium bestehen, können zu diesem Zeitpunkt die Tiefe d und die Breite b des durch Hinzufügen von Störstellen zu bildenden monokristallinen Bereiches 15 vom P-Typ einfach auf die gewünschten Werte, z. B. durch Einstellen der Energie für die Ionenimplantation und die Menge der zu implan­ tierenden Ionen, gesteuert werden, und es kann der pn-Übergang mit einer gleichmäßigen Übergangsoberfläche erzeugt werden, der als Speicherzelle ohne wesentliche Erhöhung der Tiefe d des mono­ kristallinen P-Bereiches 15 wirkt. Es ist daher möglich, eine Tiefe d für den monokristallinen Bereich 15 in der Größenordnung 100 nm (1000 Å) zu schaffen. Da die Dicke h der N-Siliziumschicht 12 normalerweise in der Größenordnung von 300 nm (3000 Å) liegt, liegt die durch die Bildung des monokristallinen P-Bereiches 15 bewirkte Verminderung der effektiven Querschnittsfläche der N-Silizium­ schicht 12 bei etwa 10 bis 25%. Damit wird der Widerstand der Wortleitung im ganzen nicht so erheblich vergrößert und es kann ein ausreichender Strom während des Datenauslesens fließen. Als letzter Schritt wird eine bandförmige und elektrisch leitende Schicht 43 aus z.B. Aluminium auf der Isolierschicht 41, einschließlich dem Kontaktloch 44, geschaffen.

Fig. 2 ist ein Flußdiagramm zur Darstellung des Herstellungsprozesses des Masken-ROM-Chips mit einem Speicher­ zellenfeld und einem peripheren Schaltkreis zum Treiben des Feldes. Nun wird unter Bezugnahme auf die Fig. 2 der Herstellungsprozeß für das Masken-ROM erläutert. Es wird auch auf die Fig. 3 und 4 Bezug genommen. Die Fig. 3 zeigt auch die typische Bildung eines Transistors vom P-Typ und eines Transistors vom N-Typ auf demselben Chip.

Zuerst werden N-Störstellen selektiv in die planare Oberfläche des monokristallinen Siliziumsubstrates 30 vom P-Typ zum Bilden eines N-Well-Bereiches eindiffundiert. Dieser Schritt entspricht der "Inselbildung" in der Fig. 2.

Ein dicker isolierender Feldoxidfilm 32 wird dann auf der planaren Oberfläche des Substrates 30 geschaffen. Im Speicherbereich M, in dem eine Speicherzelle gebildet werden soll, wird der Feldoxidfilm zu einem Zwischenschicht-Isolierfilm zwischen der Speicherzelle und dem Substrat 30 (s. Fig. 4). Dieser Schritt entspricht der "Feldoxidation" in Fig. 2.

Nun werden Polysiliziumschichten 33 und 34 selektiv in einem N-Kanal Bereich N, in dem ein N-Kanal Transistor gebildet werden soll, einem P-Kanal Bereich, in dem ein P-Kanal Transistor gebildet werden soll, und im Speicherbereich M, geschaffen. Diese Polysiliziumschichten 33 und 34 bilden eine Gate-Polysilizium­ schicht 33 eines Transistors im N-Kanal Bereich N und im P-Kanal Bereich P, und parallele bandförmige Wortleitungs-Silizium­ schichten 34 im Speicherbereich M. Dieser Schritt entspricht der "Gate-Bildung" in Fig. 2. Zu diesem Zeitpunkt wird diese Mehrzahl von parallelen bandförmigen Wortleitungs-Siliziumschichten 34, die die zukünftigen Wortleitungen im Speicherbereich M bilden, mit Laser-Licht wärmebehandelt und dadurch monokristallisiert (s. Fig. 4B). Dann werden N-Störstellen selektiv durch Ionenimplantation in die planare Oberfläche im N-Kanal Bereich N des Substrates eingelagert, um Diffusionsschichten 35b vom N-Typ zu bilden. Ferner sind diejenigen Bereiche des Speicherbereiches M, die nicht mit Kontaktlöchern versehen sind, abgedeckt. Damit werden P-Stör­ stellen selektiv durch Ionenimplantation in die N-Well 31, die in der planaren Oberfläche im P-Kanal Bereich P des Substrates 30 gebildet ist, und in diejenigen Bereiche des Speicherbereiches M, in denen Kontaktlöcher der Wortleitungs-Siliziumschichten 34 geschaffen werden sollen, zum gleichzeitigen Bilden der P-Diffu­ sionsschicht 35a und eines P-Bereiches 36 (s. Fig. 4C) eingelagert. Die Diffusionsschicht 35a vom P-Typ wird zum Source-Drain-Bereich des P-Kanal Transistors, während die N-Diffusionsschicht 35b den Source-Drain-Bereich des N-Kanal Transistors bildet. Gleichzeitig wird durch Bilden des P-Bereiches ein pn-Übergang in jeder Spei­ cherzelle, in der die Kontaktlöcher des Speicherbereiches M (s. Fig. 4D) geschaffen sind, erzeugt. Dieser Prozeß entspricht der "Bildung von N-Kanal/P-Kanal Source-Drain" in Fig. 2. Kurz gesagt werden im Unterschied zum herkömmlichen Verfahren der Source- Drain-Bereich des Transistors und der pn-Übergang der Speicherzelle gleichzeitig geschaffen. Dies wird durch die Tatsache ermöglicht, daß die Wortleitungs-Siliziumschicht 34, in der der P-Bereich 36 gebildet werden soll, zuerst monokristallisiert wird, so daß das Target (Ziel) der Ionenimplantation in die gleichen Bedingungen versetzt wird, wie die Bedingungen für die planare Oberfläche des Substrates 30, in der Source/Drain des Transistors gebildet werden soll.

Zum Glätten der Unregelmäßigkeiten auf dem Substrat 30 wird ein Isolierfilm 47 auf die gesamte Oberfläche des Substrates, ein­ schließlich des Speicherbereiches M, des N-Kanal Bereiches N und des P-Kanal Bereiches P, aufgebracht. Dieser Prozeß entspricht der "Bildung einer glatten Deckschicht" in Fig. 2.

Dann werden Kontaktlöcher 37 selektiv in den beim vorherigen Schritt gebildeten Isolierfilm 47 geätzt. Dieser Schritt entspricht der "Bildung von Kontaktlöchern" in Fig. 2.

Nun wird eine Aluminium-Verdrahtungsschicht 38 mit gewünschtem Muster auf der planaren Oberfläche des Substrates 30, einschließlich der Kontaktlöcher 37, geschaffen.

Als letzter Schritt wird zum Schutz der Einrichtung eine Glas­ schicht 39 auf der gesamten Oberfläche des Substrates 30, ein­ schließlich des Speicherbereiches M, des P-Kanal Bereiches P und des N-Kanal Bereiches N, aufgebracht. Dieser Schritt entspricht der "Bildung einer Schutzschicht" in Fig. 2.

Bei der oben beschriebenen Ausführung erfolgt die Dotierung mit P-Störstellen zum selektiven Bilden des pn-Überganges in jeder der Speicherzellen zur Vereinfachung der Herstellungsschritte des Masken-ROMs gemeinsam mit der Dotierung zum Bilden des Source/Drain- Bereiches des Transistors. Die Dotierung mit den P-Störstellen zur Bildung des pn-Überganges in der Speicherzelle kann jedoch auch in einem Schritt, der vom Schritt zur Bildung des Source/Drain- Bereiches des Transistors verschieden ist, wie herkömmlicherweise ausgeführt werden. Nun wird der Herstellungsschritt des Speicher­ bereiches in einem solchen Fall unter Bezugnahme auf die Fig. 5A bis 5E beschrieben, zusammen mit den gesamten Herstellungsschritten für das in Fig. 3 gezeigte Masken-ROM. Die Fig. 5A bis 5E sind Teilquerschnitte des Speicherbereiches, die die Herstellungs­ schritte des Speicherbereiches in einem solchen Fall darstellen.

Nach den obigen Schritten der "Feldoxidation" und der "Gate-Bildung" werden zuerst der Zwischenschichtisolierfilm 32 und die Wortlei­ tungs-Siliziumschicht 34 im Speicherbereich M der Fig. 3 (s. Fig. 5A und 5B) geschaffen. Dann wird die Wortleitungs-Siliziumschicht 34 mit Laser-Licht wärmebehandelt. Die vorher genannten Herstel­ lungsschritte des Speicherbereiches M sind dieselben wie im Falle der oben beschriebenen und in den Fig. 4A bis 4E gezeigten Aus­ führung. Beim nächsten Schritt der "Bildung von N-Kanal/P-Kanal Source-Drain" wird der gesamte Speicherbereich M abgedeckt (s. Fig. 5C). Nach Beendigung dieses Schrittes ist daher der P-Bereich in der Wortleitungs-Siliziumschicht 34 noch nicht gebildet.

Nach Entfernen der Maske und Durchlaufen der Schritte "Bildung einer glatten Deckschicht" und "Bildung von Kontaktlöchern", wird nun der Isolierfilm 47, in dem Kontaktlöcher selektiv bis zur Wortleitungs-Siliziumschicht 34 geschaffen werden sollen, im Speicherbereich M (s. Fig. 5D) gebildet. Anschließend werden unter Verwendung des Isolierfilmes 47 als Maske P-Störstellen durch Ionenimplantation in den Speicherbereich M eingelagert. Damit wird im Speicherbereich M ein pn-Übergang in jeder der Speicher­ zellen gebildet, in denen Kontaktlöcher geschaffen sind (s. Fig. 5E). Die nachfolgenden Schritte sind dieselben wie im Falle der vorherigen Ausführung. Bei dieser Ausführungsform erfolgt die Festlegung der Speicherzellen, die mit einem Kontaktloch versehen werden sollen, in einem Schritt nahe dem Ende des Herstellungs­ prozesses des Masken-ROM-Chips. Das Muster zur Bildung der Kontaktlöcher ändert sich in Übereinstimmung mit den im Masken- ROM zu speichernden Daten. Um die Zeitspanne (Umlaufzeit) vom Erhalten der Festlegung der Daten vom Benutzer, d.h., der Ent­ gegennahme eines Herstellungsauftrages für das Masken-ROM, bis zur Auslieferung des bestellten Produktes an den Benutzer zu ver­ kürzen, befindet sich der Schritt zur Bildung der Kontaktlöcher bevorzugterweise in der Nähe des letzten Herstellungsschrittes des Masken-ROM-Chips. Daher ist diese Ausführungsform im Hinblick auf eine Verminderung der Umlaufzeit wünschenswert.

Wenn das Masken-ROM in Übereinstimmung mit der Erfindung hergestellt wird, kann der Herstellungsprozeß, wie oben beschrieben, gegenüber der herkömmlichen Praxis vereinfacht werden, während der für die Speicherzelle günstige pn-Übergang und die Wortleitung mit für die praktische Anwendung gewünschtem Widerstand einfach erzeugt werden können. Es ist zu bemerken, daß der Schritt des "Laser-Glühens" im Laufe der Herstellung des Masken-ROMs nicht auf die oben beschriebenen Ausführungen beschränkt ist, sondern überall zwischen dem Schritt zum Bilden der Polysiliziumschicht, die die Wortleitung darstellen soll, und dem Schritt zum Umwandeln dieser Schicht in eine Schicht vom N-Typ eingesetzt werden kann.

Bei den oben beschriebenen Ausführungen werden die Gates der N-Kanal und P-Kanal Transistoren aus Polysilizium gebildet, das weder vom P- noch vom N-Typ ist. Zur Verminderung des Gate-Widerstandes des Transistors kann das das Gate des Transistors darstellende Poly­ silizium in den N-Typ umgewandelt werden, wobei in diesem Fall der Schritt des Umwandelns des Polysiliziums in den N-Typ gleich­ zeitig mit dem Schritt des Umwandeln des monokristallinen Siliziums, das die Wortleitung des Speicherbereiches bildet, in den N-Typ erfolgen kann.

Claims (6)

1. Nur-Lese-Speicher vom Maskentyp mit einem Substrat (30), einer auf dem Substrat gebildeten ersten Isolierschicht (32), einer Mehrzahl von ersten Leiterbahnen (34), die auf der ersten Isolierschicht (32) gebildet sind und wenigstens eine Schicht aus monokristallinem Silizium eines ersten Leitfähigkeitstypes auf einer von dem Substrat (30) abgewandten Oberfläche aufwei­ sen, wobei die ersten Leiterbahnen (34) eine vorbestimmte Schichtdicke (h) besitzen, einer zweiten Isolierschicht (47), die auf den ersten Leiterbahnen (34) gebildet ist und über ausgewählten Bereichen der ersten Leiterbahnen (34) selektiv darin gebildete Kontaktlöcher (37) aufweist, einer Mehrzahl von zweiten Leiterbahnen (38), die durch die Kontaktlöcher (37) mit Störstellenbereichen (36) eines zweiten Leitfähigkeitstypes, die sich innerhalb der ersten Leiterbahnen (34) befinden, elektrisch leitend verbunden sind, wobei die Störstellenbereiche (36) je­ weils einen pn-Übergang innerhalb der ersten Leiterbahnen (34) bilden und eine Querschnittsfläche, die von der Größe der Kon­ taktlöcher (37) und der Tiefe (d) der Störstellenbereiche (36) bestimmt ist, aufweisen, und wobei die Tiefe (d) der Störstel­ lenbereiche (36) kleiner als die Schichtdicke (h) der ersten Leiterbahnen (34) ist.

2. Nur-Lese-Speicher vom Maskentyp nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein peripheren Schaltkreisr wenig­ stens einen Feldeffekttransistor eines ersten Kanalleitfähig­ keitstypes mit im monokristallinen Substrat gebildeten Source- und Drain-Bereichen aufweist.

3. Verfahren zur Herstellung eines Nur-Lese-Speichers vom Mas­ kentyp, umfassend die Schritte: Bilden einer Mehrzahl von paral­ lelen bandförmigen Polysiliziumschichten auf einem Substrat mit einer ebenen Oberfläche, Glühen der Polysiliziumschichten mit einem Laser, um diese in monkristallisierte Schichten umzuwandeln, Einlagern von Störstellen in die monokristallisierten Schichten, um monokristalline Schichten des ersten Leitfähigkeitstypes zu schaffen, Bilden einer Isolatorschicht auf den monokristallinen Schichten des ersten Leitfähigkeitstypes, Bilden von Öffnungen in der Isolatorschicht in Übereinstimmung mit der im Nur-Lese- Speicher vom Maskentyp zu speichernden Information, wobei die Öffnungen die Oberflächen der monokristallinen Schichten des ersten Leitfähigkeitstypes erreichen, Einlagern von Störstellen durch die Öffnungen, um Bereiche eines zweiten Leitfähigkeits­ types in den mokristallinen Schichten zu bilden, und Bilden einer Mehrzahl von parallelen Leiterbahnen auf der Isolier­ schicht, wobei die Leiterbahnen die monokristallinen Schichten des ersten Leitfähigkeitstypes überqueren und die Leiterbahnen mit den Bereichen des zweiten Leitfähigkeitstypes in den Berei­ chen elektrisch leitend verbunden sind, in denen die Öffnungen gebildet sind.

4. Verfahren zur Herstellung eines Nur-Lese-Speicher vom Mas­ kentyp nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitfähigkeitstyp der N-Typ und der zweite Leitfähigkeitstyp der P-Typ ist.

5. Verfahren zur Herstellung eines Nur-Lese-Speicher vom Mas­ kentyp, umfassend die Schritte: Bilden einer Mehrzahl von paral­ lelen bandförmigen Polysiliziumschichten auf einem Substrat mit einer ebenen Oberfläche, Glühen der Polysiliziumschichten mit einem Laser, um diese in monokristallisierte Schichten umzuwandeln, Einlagern von Störstellen in die monokristallisierten Schichten, um monokristalline Schichten des ersten Leitfähigkeitstypes zu bilden, Erzeugen einer Maskenschicht mit Öffnungen in Überein­ stimmung mit der im Nur-Lese-Speicher vom Maskentyp zu spei­ chernden Information, Einlagern von Störstellen durch die ersten Öffnungen der Maskenschicht in die monokristallinen Schichten des ersten Leitfähigkeitstyp, um Bereiche eines zweiten Leit­ fähigkeitstypes zu bilden, Entfernen der Maskenschicht, Bilden einer Isolatorschicht auf den monokristallinen Schichten des ersten Leitfähigkeitstypes, Bilden von Öffnungen in der Isolator­ schicht in Übereinstimmung mit der im Nur-Lese-Speicher vom Maskentyp zu speichernden Information, wobei die Öffnungen die Oberflächen der monokristallinen Schichten des ersten Leitfähig­ keitstypes erreichen, und Bilden einer Mehrzahl von Leiterbahnen auf der Isolierschicht, wobei die Leiterbahnen die monokristallinen Schichten des ersten Leitfähigkeitstypes über­ queren, und die Leiterbahnen mit den Bereichen des zweiten Leit­ fähigkeitstypes in den Bereichen elektrisch leitend verbunden sind, in denen die Öffnungen gebildet sind.

6. Verfahren zur Herstellung eines Nur-Lese-Speichers vom Maskentyp mit einem peripheren Schaltkreis, der mindestens einen Feldeffekttransistor eines ersten Kanalleitfähigkeitstypes auf­ weist, wobei der Source- und Drain-Bereich (35b) des Feldeffekt­ transistors in einem Substrat (30) gebildet sind, mit den fol­ genden Schritten:
Bilden einer Isolierschicht (32) auf dem Substrat (30),
Bilden von ersten Leiterbahnen (34), die als Wortleitungen die­ nen, eines Halbleitermateriales desselben Leitfähigkeitstypes wie der Kanalleitfähigkeitstyp des Feldeffekttransistors bzw. der Feldeffekttransistoren,
Glühen der ersten Leiterbahnen (34), um die polykristalline Struktur der ersten Leiterbahnen (34) in eine monokristalline Struktur umzuwandeln,
Bilden von pn-Übergängen in den ersten Leiterbahnen (34) an vorbestimmten Stellen, die der im Nur-Lese-Speicher zu spei­ chernden Information entsprechen,
Bilden des Source- und Drain-Bereiches (35b) des Feldeffekt­ transistors, wobei die pn-Übergänge und der Source- und Drain- Bereich (35b) gleichzeitig durch Störstellenimplantation gebil­ det werden, und Bilden von zweiten Leiterbahnen (38), die als Bitleitungen dienen und mit den pn-Übergängen elektrisch leitend verbunden sind.