DE3937549A1 - Elektronische schaltung und verfahren zur herstellung derselben - Google Patents

Elektronische schaltung und verfahren zur herstellung derselben

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DE3937549A1
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Ryohei Satoh
Muneo Ohshima
Takashi Kuroki
Toshitada Netsu
Takaji Takenaka
Toshinori Ameya
Mitsuru Fujii
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Hitachi Ltd
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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektronische Schaltungsanordnung, die ein keramisches Substrat aufweist, das eine Anschlußfläche bzw. einen Anschlußfleck zum Anbringen von leitenden Anschlüssen an einem Chip (metallization pad) bzw. Metallisationsanschlußfleck aufweist, und ins­ besondere eine elektronische Schaltungsvorrichtung, bei der ein Metalli­ sationsanschlußfleck verstärkt ist, der fein (klein) und von geringer Festig­ keit bzw. Stärke ist, und bei der ein Lötmaterial mit Sicherheit und Genauig­ keit dem Metallisationsanschlußfleck zugeführt werden kann.
Die offengelegte japanische Patentanschrift Nr. 92 242/83 oder die japanische Patentveröffentlichung Nr. 6 143/88 (die die gleiche Anmeldung, wie die obenstehende offengelegte Veröffentlichung ist) beschreibt, daß herkömmliche Strukturen von Metallisationsanschlußflecken auf keramischen Substraten in zwei Typen unterteilt sind, die einen Typ (1) umfassen, bei dem ein Metalli­ sationsanschlußfleck auf einer oberen Fläche eines Substrats ausgebildet ist, wie es in Fig. 3(a) gezeigt ist, und einen anderen Typ (2), bei dem ein Metallisationsanschlußstück zusätzlich an peripheren Kanten des Substrats mit einer dielektrischen Schicht abgedeckt ist und mit dieser verlötet oder mit dieser hartgelötet ist, wie in Fig. 3(b) gezeigt wird. In Fig. 3(a) wird ein Halbleiter 1 gezeigt (z. B. ein Halbleiterchip), ein Lötmaterial 2, ein Metalli­ sationsanschlußfleck 13, ein anderes Lötmaterial 5, ein Anschlußstift bzw. Kontaktstift 6 und eine keramische Verdrahtungsplatte bzw. Leiterplatte 7. In Fig. 3(b) ist weiterhin ein Paar von dielektrischen Abdeckschichten 14 vorgesehen. Der erste, herkömmliche Strukturtyp von Metallisationsanschluß­ flecken auf keramischen Substraten, gezeigt in Fig. 3(a), weist das Problem auf, daß er leicht an der Schnittstelle bzw. Übergangsstelle desselben zwischen den Metallisationsanschlußfleck und der keramischen Leiterplatte durch eine Belastung bzw. eine Spannung bricht, die bei einem Montage­ schritt bzw. Herstellungsschritt auftritt, wie z. B. Löten, oder während des Gebrauchs dieser Struktur. Der zweite, herkömmliche Strukturtyp für Metallisationsanschlußflecke auf keramischen Substraten, gezeigt in Fig. 3(b), weist den Nachteil auf, daß, obwohl das Problem des ersten Typs gelöst werden kann, das Zuführen von Lötmaterial auf ein feines Muster schwierig ist. Insbesondere, gibt es zwar beim Aufbringen bzw. Zuführen eines Löt­ materials kein Problem, wenn ein Lötmaterial in der Form eines Paste aufgedruckt wird, aber dafür im Falle einer gewöhnlichen Tauchmethode oder wenn ein Lötmaterial in Form einer Folie oder eines Tropfens bzw. Kugel zuzuführen ist kann die Situation auftreten, daß eine dielektrische Schicht, die periphere Kanten eines Metallisationsanschlußfleckes abdeckt, ein Hinder­ nis darstellt, so daß das Lötmaterial nicht mit dem Anschlußfleck in Kontakt kommen kann. Dementsprechend besteht der Nachteil, daß eine unvollständi­ ge Kontaktierung mit dem Anschlußfleck ausgebildet werden kann. Dies ist ein fortschreitend, zunehmendes ernstes Problem, wenn diese Anschlußflecken feiner werden.
Der Stand der Technik weist den Nachteil auf, daß er zwei Erfordernisse gleichzeitig nicht befriedigen kann, und zwar
  • 1. die Verbesserung des Metallisationsanschlußflecks auf einem keramischen Substrat und außerdem
  • 2. das erleichterte Zuführen eines Lötmaterials auf den Metallisationsanschluß­ fleck.
Dementsprechend besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, das oben beschriebene Problem zu lösen und einen Metallisationsanschlußfleck zu realisieren, der eine hohe Verbindungsfestigkeit auf einem keramischen Substrat aufweist und einfach bzw. leicht mit einem Lötmaterial zu be­ schicken ist.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß ein Metallisationsanschlußfleck so ausgebildet wird, daß periphere Kanten desselben mit einer Keramik abge­ deckt werden und daß eine Oberfläche desselben, und zwar eine andere als die peripheren Kanten, die mit der Keramik abgedeckt sind, entweder auf keramischen Substrates (und der keramischen Abdeckung der peripheren Kanten des Metallisationsanschlußfleckes) liegt oder absteht von (bzw. sich abhebt von) einer Oberfläche des Substrates (und von der keramischen Abdeckung der äußeren Kanten).
Diese Konstruktion kann leicht durch Drucken einer dielektrischen Schicht (aus einem keramischen Material, z. B. aus dem gleichen Material wie das Keramiksubstrat) auf periphere Kanten des Metallisationsanschlußfleckes realisiert werden, und zwar nach Erzeugung bzw. Ausbildung des Anschluß­ flecks, und anschließendem Sintern bzw. Aufsintern der Schicht nach Pressen derselben.
Mit der oben beschriebenen Konstruktion wird die dielektrische Schicht auf den peripheren Kanten bzw. Flächen des Metallisationsanschlußfleckes mit dem keramischen Substrat einstückig gemacht bzw. verbunden, um ein Brechen an den Übergangsstellen zwischen dem Anschlußfleck und dem Substrat mit Sicherheit zu verhindern; und konsequenterweise kann dadurch ein Anschlußfleck mit hoher Festigkeit realisiert werden.
Des weiteren, da ein Metallisationsanschlußfleck so ausgebildet wird, daß ein freiliegender Abschnitt desselben (nicht bedeckt von dem gesinterten di­ elektrischen Material) auf der selben Ebene wie die Oberfläche des gesin­ terten dielektrischen Materials liegt oder von der Oberfläche des gesinterten dielektrischen Materials absteht, und des weiteren auf der gleichen Ebene wie das Substrat ist oder von der Oberfläche des Substrats absteht, kann Lötmaterial mit hoher Sicherheit bzw. Zuverlässigkeit mit dem Anschlußfleck kontaktiert werden, wenn das keramische Substrat in ein Lötmaterial einge­ taucht wird, wobei eine nasse bzw. benetzende Ausbreitungsreaktion und eine Diffusionsreaktion stattfinden und wobei demzufolge das Aufbringen von Lötmaterial auf einen Anschlußfleck mit Sicherheit ausgeführt werden kann.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen, Merkmale und Anwendungen der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungs­ beispielen in Verbindung mit den Zeichnungen. Es zeigt
Fig. 1 eine teilweise Schnittansicht einer Ausführungsform einer elektronischen Schaltungsvorrichtung mit einem Metallisationsan­ schlußfleck, der gemäß der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist;
Fig. 2(a)-(e) ein Verfahren zum Ausbilden eines Metallisationsanschlußfleckes gemäß der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 3(a) und 3(b) teilweise Schnittansichten, von denen jede verbundene Abschnitte eines Halbleiters und eines Anschlußstifts mit einem Metalli­ sationsanschlußfleck entsprechend des Standes der Technik zeigen.
Im folgenden wird eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die Fig. 1 und 2(a)-(e) beschrieben. Diese Ausführungsform ist erläuternd für die vorliegende Erfindung aber limitiert sie in keinster Weise.
Fig. 1 zeigt einen teilweisen Schnitt einer elektronischen Schaltungsvorrich­ tung mit einem Metallisationsanschlußfleck, der entsprechend der vorliegen­ den Erfindung aufgebaut ist. Außerdem zeigen die Fig. 2(a)-(e) ein Ver­ fahren bzw. einen Herstellungsprozeß für die Bildung eines Metallisationsan­ schlußfleckes.
Fig. 1 zeigt einen Halbleiter 1 (z. B. einen Halbleiterchip mit einer inte­ grierten Schaltung), ein Lötmaterial bzw. Lot 2, einen Metallisationsanschluß­ fleck 3, der gemäß der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist, ein Lötmaterial 5, einen Anschlußstift 6 und ein keramisches Substrat 7.
Nachfolgend wird ein Verfahren zum Ausbilden eines Metallisationsanschluß­ fleckes gemäß der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die Fig. 2(a)-(e) beschrieben. Eine Leitpaste 8 aus Wolfram, Molybden oder ähnlichem wird auf eine Rohplatte bzw. auf einen Rohling 9 aufgedruckt und getrocknet, um Metallisationsanschlußflecke, wie in Fig. 2(a) gezeigt wird, auszubilden.
Anschließend wird eine dielektrische Paste 4 auf periphere Kanten jedes der Anschlußflecke aufgedruckt und getrocknet, wie es in Fig. 2(b) gezeigt wird. Die dielektrische Paste kann das gleiche keramische Material wie das keramische Material des Rohlings 9 enthalten. Erläuternderweise können beide, sowohl die dielektrische Paste als auch der Rohling aus einer Aluminiumoxidkeramik oder einer Mullit-Keramik gebildet sein.
Danach wird eine Vielzahl von Rohlingen zusammen in Schichten durch eine Preßtechnik zusammengeklebt, wie in Fig. 2(c) gezeigt wird, und gesintert (nach einer Preßprozedur), so daß eine Struktur erhalten werden kann, in der die peripheren Kanten der Metallisationsanschlußflecke in das keramische Material des Substrats eindringen, wobei obenliegende und untenliegende Oberflächen bzw. eine Oberseite und eine Unterseite des keramischen Sub­ strats und freiliegende Oberflächen der Anschlußflecken auf derselben Ebene liegen wie in Fig. 2(d) gezeigt wird.
Erläuternderweise wird eine Vielzahl von Rohlingen gestapelt, indem eine herkömmliche Vorrichtung verwendet wird, die sowohl stapelt und auch die Positionierung zwischen den Rohlingen einstellt, und danach werden die gestapelten Rohlinge positioniert, um sie unter hoher Temperatur zu pressen. Während die gestapelten Rohlinge gepreßt werden, wird ein Abstandshalter zwischen die gestapelten Rohlinge und eine Platte zum Durchführen des Pressens eingefügt. Das Heißpressen wird z. B. bei einer Temperatur im Bereich von 100°C bis 150°C mit einem Druck (auf die gestapelten Rohlinge) von 100 bis 150 kg/cm2 für 10 bis 30 Minuten durchgeführt. Nach dem Pressen werden die gepreßten, gestapelten Rohlinge abgekühlt, der Abstand­ halter wird entfernt und die gepreßten, gestapelten Rohlinge werden gesintert, und zwar z. B. bei einer Temperatur innerhalb eines Bereiches von 1550°C bis 1650°C für 1 bis 6 Stunden unter einer reduzierenden Atmosphäre bzw. Umgebung, z. B. Wasserstoff.
Wie in den Fig. 2(c) und (d) gezeigt wird, sind die peripheren Kanten der Metallisationsanschlußflecke nach dem Pressen und dem Sintern in die Keramik geschoben (dringen in sie ein) und die freiliegenden Oberflächen der Metallisationsanschlußflecke sind auf im wesentlichen der gleichen Ebene wie die einstückig gesinterte dielektrische Paste und das keramische Substrat (der gesinterte Rohling). Somit steht die gesinterte dielektrische Paste nicht unterhalb der freiliegenden Oberfläche des Metallisationsanschlußfleckes ab.
Des weiteren sind galvanisierte bzw. beschichtete Metallisationen 10, wie z. B. mit Nickel galvanisierte oder mit Gold galvanisierte Schichten zum Löten auf die freiliegenden Oberflächen der Anschlußflecken aufgebracht, so daß eine Metallisationsstruktur erhalten werden kann, bei der Metall von den oben­ liegenden und untenliegenden Oberflächen des vielschichtigen Keramiksub­ strats absteht (bzw. sich davon abhebt), wie in Fig. 2(e) gezeigt wird. Galvanisierte Metallisationen können durch konventionelles Elektrogal­ vanisieren oder nicht-elektrische Galvanisierungstechniken ausgebildet werden und beispielsweise so ausgebildet sein, daß sie eine Dicke von 1 bis 5 µm haben. Dementsprechend sind die freiliegenden Oberflächen der Metalli­ sationsanschlußflecke (d. h. die freiliegenden Oberflächen der galvanisierten Metallisationen 10) weiter von der Substratoberläche (auf der die Metalli­ sationsanschlußflecke untergebracht sind) weg bzw. entfernt, wie die freilie­ genden Oberflächen der gesinterten dielektrischen Paste, wodurch insbeson­ dere geeignete Metallisationsanschlußflecke erzeugt werden, und zwar für Vorrichtungen bzw. Schaltungen erhöhter Dichte zum Aufbringen von Löt­ material auf die Metallisationsanschlußflecke durch Tauchen oder durch die Anwendung einer Folie oder eines Tropfens.
Das vielschichtige Keramiksubstrat wird dann in geschmolzenes Lötmaterial eingetaucht, um das Lötmaterial den Metallisationsanschlußflecken auf den obenliegenden und untenliegenden Oberflächen der vielschichtigen Keramik zuzuführen. Dann werden ein Halbleiter 1 und Stifte 6 in geeigneten Positionen angeordnet und das Lötmaterial wird erhitzt und geschmolzen, damit der Halbleiter und die Stifte mit der vielschichtigen Keramik verlötet werden. Demzufolge wird eine elektronische Schaltungsvorrichtung, wie sie in Fig. 1 gezeigt ist, erzeugt.
Die Festigkeit des Verbindungsteils, das auf diese Art und Weise, wie oben beschrieben, erzeugt wird, wurde überprüft. Die Überprüfung bewies, daß mit dem herkömmlichen Verbindungsteil, wie es in Fig. 3(a) gezeigt wird, der Metallisationsanschlußfleck und das Keramiksubstrat leicht voneinander getrennt werden können, und zwar an den Übergangsstellen bzw. der Schnittstelle zwischen dem Metallisationsanschlußfleck und der Keramik. Andererseits, im Falle des Verbindungsteils bzw. der Verbindungsstruktur gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wie oben beschrie­ ben, wird das Lötmaterial selbst abgetrennt, und zwar zwischen sowohl dem Metallisationsanschlußfleck und dem Halbleiter als auch zwischen dem Me­ tallisationsanschlußfleck und den Stiften, bevor jede Trennung zwischen dem Metallisationsanschlußfleck und dem Substrat an den Schnittstelle zwischen dem Metallisationsanschlußfleck und dem Substrat auftritt. Dementsprechend weisen die Verbindungsabschnitte im Falle der Verbindungsteile der vorlie­ genden Erfindung eine ausreichende Verbindungsfestigkeit auf.
Des weiteren, im Falle des herkömmlichen Verbindungsteils, wie es in Fig. 3(b) gezeigt wird, werden manchmal nicht die gesamten Anschlußflecke mit dem Lötmaterial kontaktiert, da die Oberflächenspannung des Lötmaterials und die Abdeckung auf den peripheren Kanten ein Hindernis für das Zuführen von Lötmaterial beim Tauchen darstellen. Somit findet ein unvollständiges Aufbringen von Lötmaterial statt und ein solches unvollständiges Aufbringen des Lötmaterials war ein besonderes Problem bei Verbindungsabschnitten eines Halbleiters, weil die Größe eines Anschlußfleckes zum Verbinden mit einem Halbleiter kleiner ist als diejenige zum Verbinden eines Stiftes bzw. Lötstiftes. Im Gegensatz hierzu, und zwar im Fall der vorliegenden Erfin­ dung, war Lötmaterial mit Sicherheit auf allen Abschnitten aufgebracht, da es keine Abdeckung gibt, die bezüglich der Oberfläche des Metallisationsan­ schlußfleckes und den peripheren Kanten des Metallisationsanschlußfleckes absteht. Somit wird ein unvollständiges Aufbringen von Lötmaterial verhin­ dert.
Im Fall von Lötmaterial in Form eines Tropfens oder einer Folie wird, da ein Positionieren gegenüber dem Anschlußfleck und die Genauigkeit in den Abmessungen schwierig sind, wenn eine Abdeckung vorhanden ist, die bezüg­ lich der Oberfläche des Metallisationsanschlußfleckes absteht, dadurch ein mechanisches Hindernis erzeugt, so daß manchmal das Lötmaterial nicht auf einen Anschlußfleck aufgebracht ist. Gemäß der vorliegenden Erfindung jedoch ist dieser Punkt im großen Ausmaß verbessert worden und es ist möglich, eine zuverlässige Verbindung mit feineren bzw. kleineren Anschluß­ flecken zu erhalten.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird der Vorteil erzeugt, daß sowohl eine wesentliche Verbesserung bezüglich der Verbindungsfestigkeit in dem Lötab­ schnitt einer elektronischen Schaltungsvorrichtung mit einem keramischen Substrat als auch die Verhinderung einer unvollständigen Verbindung gleich­ zeitig realisiert werden können. Des weiteren kann die vorliegende Erfindung wesentlich zur Realisierung einer elektronischen Schaltungsvorrichtung beitragen, die ein keramisches Substrat aufweist und eine hohe Dichte und eine hohe Zuverlässigkeit hat.
Während bevorzugte Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Erfindung gezeigt und beschrieben worden sind, ist es klar, daß die Erfindung nicht alleine auf diese beschränkt ist, sondern vielmehr vielzähligen Änderungen und Modifikationen unterzogen werden kann, wie sie dem Fachmann geläufig sind.

Claims (41)

1. Elektronische Schaltungsvorrichtung, die aufweist:
ein keramisches Substrat mit einer Oberseite und einer Unterseite; und einem Metallisationsanschußfleck, der zumindest auf der Oberseite oder der Unterseite vorgesehen ist und eine periphere Kante und eine frei­ liegende Fläche aufweist, wobei seine periphere Kante mit einem di­ elektrischen Material abgedeckt ist und wobei die freiliegende Fläche des Metallisationsanschlußflecks im wesentlichen auf der gleichen Ebene wie eine freiliegende Fläche des dielektrischen Materiales ist oder weiter weg von dem Substrat als die im wesentlichen gleiche Ebene ist.
2. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das dielektrische Material einstückig mit dem keramischen Substrat ist.
3. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das dielektrische Material das gleiche Material ist wie das Material des keramischen Substrats.
4. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das dielektrische Material das gleiche Material ist wie das Material des keramischen Substrats.
5. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die freiliegende Fläche des Metallisationsanschlußflecks im wesentlichen auf einer identischen Ebene wie eine Fläche der Oberseite oder der Unterseite des keramischen Substrats liegt, auf dem der Me­ tallisationsanschlußfleck angeordnet ist, oder weiter weg von dem keramischen Substrat als die im wesentliche identische Ebene ist.
6. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die freiliegende Fläche des Metallisationsanschlußfleckes auf im wesentlichen der gleichen Ebene wie die freiliegende Fläche des dielektrischen Materials liegt.
7. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die freiliegende Oberfläche des Metallisationsanschluß­ fleckes auf im wesentlichen der identischen Ebene wie die Fläche der Oberseite oder der Unterseite des keramischen Substrates liegt, auf dem der Metallisationsanschlußfleck angeordnet ist.
8. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Metallisationsanschlußfleck auf der Oberseite des kera­ mischen Substrates angeordnet ist und mit einem Halbleiterchip über ein Lot verbunden ist.
9. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Metallisationsanschlußfleck auf der Unterseite des keramischen Substrates angeordnet ist und mit einem Lötstift durch eine Lot verbunden ist.
10. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Lot einer Lötschicht ist, die durch ein Tauchverfahren aufgebracht wird.
11. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Lot eine Lötschicht ist, die durch ein Tauchverfahren aufgebracht ist.
12. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Lot ein Lötteil ist, das in der Form einer Folie oder eines Tropfens zugeführt wird.
13. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Lot ein Lötteil ist, das in Form einer Folie oder eines Tropfens zugeführt wird.
14. Elektronische Schaltungsvorrichtung, gekennzeichnet durch:
ein keramisches Substrat mit einer Oberseite und einer Unterseite; und einem Metallisationsanschlußfleck, der auf zumindest der Unterseite oder der Oberseite vorgesehen ist, wobei der Metallisationsanschlußfleck eine periphere Kante und eine freiliegende Oberfläche hat, wobei seine periphere Kante mit einem dielektrischen Material abgedeckt ist, und wobei dessen freiliegende Oberfläche weiter von zumindest der Oberseite oder der Unterseite des keramischen Substrates entfernt ist als das dielektrische Material von der Oberseite bzw. der Unterseite des ke­ ramischen Substrats entfernt ist.
15. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die freiliegende Oberfläche des Metallisationsanschluß­ fleckes von der Oberfläche von zumindest der Unterseite oder der Oberseite des keramischen Substrates absteht.
16. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Anschlußfleck auf der Oberseite des keramischen Substrats ist und einem Halbleiter über ein Lot verbunden ist.
17. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Anschlußfleck auf der Unterseite des keramischen Substrates angeordnet ist, und mit einem Lötstift durch ein Lot verbun­ den ist.
18. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Lot eine Lötschicht ist, die durch ein Tauchverfahren zugeführt wird.
19. Elekronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Lot eine Lötschicht ist, die durch ein Tauchverfahren zugeführt wird.
20. Elektronische Schaltungsanordnung nach Anspruch 14, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Lot ein Lötteil ist, das in der Form einer Folie oder eines Tropfens zugeführt wird.
21. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Lot ein Lötteil ist, das in der Form einer Folie oder eines Tropfens zugeführt wird.
22. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die freiliegende Oberfläche des Metallisationsanschluß­ fleckes die Oberfläche einer Schicht ist, die durch Galvanisieren erzeugt wird.
23. Elekronische Schaltungsvorrichtung, gekennzeichnet durch:
ein keramisches Substrat mit einer Oberseite und einer Unterseite; und einen Metallisationsanschlußfleck, der zumindest auf der Oberseite oder der Unterseite angeordnet ist, und der eine periphere Kante und eine freiliegende Oberfläche hat, wobei die periphere Kante mit einem di­ elektrischen Material bedeckt ist und wobei dessen freiliegende Ober­ fläche von dessen peripherer Kante absteht.
24. Elektrische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die freiliegende Oberfläche des Metallisationsanschluß­ fleckes auf einer im wesentlichen identischen Ebene wie die freiliegende Oberfläche des dielektrischen Materials liegt oder weiter weg von dem keramischen Substrat als die im wesentlichen gleiche Ebene ist.
25. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die freiliegende Oberfläche des Metallisationsanschluß­ fleckes auf einer im wesentlichen identischen Ebene, wie die Oberfläche der Oberseite oder der Unterseite des keramischen Substrates liegt, auf dem der Metallisationsanschlußfleck angeordnet ist, oder weiter von dem keramischen Substrat weg liegt als die Oberfläche der Oberseite oder der Unterseite des keramischen Substrats, auf dem der Metallisationsan­ schlußfleck angeordnet ist.
26. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die freiliegende Oberfläche des Metallisationsanschluß­ fleckes auf einer im wesentlichen identischen Ebene wie die Oberfläche der Oberseite oder Unterseite des keramischen Substrates liegt, auf dem der Metallisationsanschlußfleck angeordnet ist, oder weiter weg von dem keramischen Substrat als die Oberfläche der Oberseite oder Unterseite des keramischen Substrats liegt, auf dem der Metallisationsanschlußfleck angeordnet ist.
27. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die freiliegende Oberfläche des Metallisationsanschluß­ fleckes weiter weg von dem keramischen Substrat liegt, als das die im wesentlichen gleiche Ebene.
28. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Metallisationsanschlußfleck auf der Oberseite des keramischen Substrats angeordnet ist und mit einem Halbleiter durch ein Lot verbunden ist.
29. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Anschlußfleck auf der Unterseite des keramischen Substrats angeordnet ist und mit einem Lötstift durch ein Lot verbunden ist.
30. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 29, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Lot eine Lötschicht ist, die durch ein Tauchverfahren zugeführt wird.
31. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 28, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Lot eine Lötschicht ist, die durch ein Tauchverfahren zugeführt wird.
32. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 29, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Lot ein Lötteil ist, das in der Form einer Folie oder eines Tropfens zugeführt wird.
33. Elektronische Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 28, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Lot ein Lötteil ist, das in der Form einer Folie oder eines Tropfens zugeführt wird.
34. Verfahren zum Erzeugen einer elektronischen Schaltungsvorrichtung, ge­ kennzeichnet durch die folgenden Schritte:
Drucken einer Leitpaste auf einen Rohling;
Trocknen der Leitpaste, um einen Metallisationsanschlußfleck auszubilden, der eine periphere Kante und eine freiliegende Oberfläche hat;
Drucken einer dielektrischen Paste auf die periphere Kante des Metallisationsanschlußflecks;
Trocknen der dielektrischen Paste; und
Pressen des Rohlings so, daß die periphere Kante des Metallisationsan­ schlußfleckes in den Rohling eindringt und daß eine Oberfläche der dielektrischen Paste und die freiliegende Oberfläche des Metallisations­ anschlußflecks auf einer im wesentlichen gleichen Ebene liegen.
35. Verfahren zum Erzeugen einer elektronischen Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 34, gekennzeichnet durch den weiteren Schritt, daß eine galvanisierte Metallisationsschicht auf der freiliegenden Oberfläche des Metallisationsanschlußflecks so ausgebildet wird, daß eine Metallisations­ struktur erhalten wird, bei der sich die galvanisierte Metallisations­ schicht von der freiliegenden Oberfläche der dielektrischen Paste abhebt.
36. Verfahren zum Erzeugen einer elektronischen Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 35, gekennzeichnet durch den weiteren Schritt, daß das ke­ ramische Substrat in ein geschmolzenes Lot eingetaucht wird, um Löt­ material der Metallisationsstruktur zuzuführen.
37. Verfahren zum Erzeugen einer elektronischen Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 36, dadurch gekennzeichnet, daß ein Halbleiter oder ein Lötstift benachbart zu dem Metallisationsanschlußfleck angeordnet wird und mit diesem verlötet wird.
38. Verfahren zum Erzeugen einer elektronischen Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Pressen der gepreß­ te Rohling so gesintert wird, daß die dielektrische Paste und der Rohling ein einstückiges Teil bilden.
39. Verfahren zum Erzeugen einer elektronischen Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Paste und der Rohling das gleiche keramische Material enthalten.
40. Verfahren zum Erzeugen einer elektronischen Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, daß die dielektrische Paste und der Rohling das gleiche keramische Material enthalten.
41. Verfahren zum Erzeugen einer elektronischen Schaltungsvorrichtung nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, daß das Pressen so durchgeführt wird, daß eine Oberfläche des Rohlings, die Oberfläche der dielektrischen Paste und die freiliegende Oberfläche des Metallisationsanschlußfleckes alle zusammen im wesentlichen in der gleichen Ebene liegen.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4225138A1 (de) * 1992-07-30 1994-02-03 Daimler Benz Ag Multichipmodul und Verfahren zu dessen Herstellung

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5935506B2 (ja) * 2012-05-22 2016-06-15 株式会社村田製作所 積層基板およびその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1922817A1 (de) * 1968-05-15 1969-11-27 Walter Weglin Gedruckte Leiterplatte und Verfahren zu deren Herstellung
JPS614388A (ja) * 1984-06-18 1986-01-10 Konishiroku Photo Ind Co Ltd ビデオカメラの表示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1922817A1 (de) * 1968-05-15 1969-11-27 Walter Weglin Gedruckte Leiterplatte und Verfahren zu deren Herstellung
JPS614388A (ja) * 1984-06-18 1986-01-10 Konishiroku Photo Ind Co Ltd ビデオカメラの表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4225138A1 (de) * 1992-07-30 1994-02-03 Daimler Benz Ag Multichipmodul und Verfahren zu dessen Herstellung

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