DE3908322A1 - Zirkoniumdioxid-sinterkoerper, der zur bildung eines duennfilms geeignet ist, und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents
Zirkoniumdioxid-sinterkoerper, der zur bildung eines duennfilms geeignet ist, und verfahren zu seiner herstellungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen Zirkoniumdioxid(ZrO2)-Sinterkörper,
der zur Bildung eines Dünnfilms geeignet ist, und ein Verfahren
zur Herstellung des Sinterkörpers. Insbesondere betrifft die Er
findung einen hochreinen Zirkoniumdioxid-Sinterkörper, der bei
spielsweise zur Verwendung bei der Vakuumaufdampfung und der
Zerstäubung geeignet ist, und ein Verfahren zu seiner Herstel
lung.
Ein Zirkoniumdioxid(ZrO2)-Dünnfilm, der durch Vakuumaufdampfung
oder Zerstäubung hergestellt wird, ist für optische Anwendungen
wegen seiner hervorragenden Eigenschaften wie Lichtdurchlässig
keit, hoher Härte, hohem Brechungsindex und hoher Beständigkeit
gegen Umgebungsbedingungen in weitem Umfang anwendbar.
Da ZrO2 einer Phasenumwandlung (monoklin ⇄ tetragonal) unter
worfen ist, die von einer großen Volumenänderung in einem Tem
peraturbereich von 900 bis 1200°C begleitet wird, war es auf
herkömmliche Weise schwierig, hochdichte Sinterkörper aus rei
nem ZrO2 herzustellen. D.h., um früher ZrO2-Sinterkörper her
zustellen, wurden 3 Mol% oder mehr eines Stabilisators wie CaO,
MgO oder Y2O3 zum Zwecke der Stabilisierung der tetragonalen
Modifikation der ZrO2-Kristalle zugefügt, und die Kristalle wur
den bei einer Temperatur nicht unter 1400°C gesintert, um einen
stabilisierten (oder teilweise stabilisierten) ZrO2-Sinterkör
per zu erhalten. Diese Sinterkörper enthalten jedoch unvermeid
bar eine relativ große Menge des Stabilisators, die die Rein
heit erniedrigt. Deshalb ist der Zirkoniumdioxidfilm, der dar
aus durch Vakuumaufdampfung oder Zerstäubung erhalten wurde,
für die Verwendung als optischer Film nicht zufriedenstellend,
insbesondere wegen niedriger Lichtdurchlässigkeit und niedrigem
Brechungsindex.
Es wurden einige Vorschläge zur Herstellung von ZrO2-Sinterkör
pern gemacht, deren Dichte der wahren Dichte von hochreinem mo
noklinem ZrO2 (5,83 g/cm3, durch Röntgenstrahlen ermittelt) an
nähernd entspricht, wie beschrieben von A.C.D. Chaklader und
V. T. Baker, Am. Ceram. Soc. Bull. 44 (1965), 258-259; G. K.
Bansal und A. H. Heuler, J. Am. Ceram. Soc. Bull. 58 (1979), 76-77;
H. J. Garrett und R. Ruh, Am. Ceram. Soc. Bull. 47 (1968),
578-579; M. Yoshimura und S. Somiya, Am. Ceram. Soc. Bull. 59
(1980), 246; Murase, Kato und Hirano, J. Ceram. Soc. Japan 91
(1983), 561-564. Alle diese vorgeschlagenen Verfahren schlie
ßen jedoch komplizierte Prozesse wie Heißpressen, Reaktions-
Heißpressen, Reoxidation nach Vakuumsintern, Hydrothermalsyn
these aus Zirkonium und Wasser und Verwendung von superfeinen
Teilchen, die durch Hydrolyse von ZrOCl2 erhalten wurden, ein,
weshalb die Herstellungskosten der durch diese Verfahren herge
stellten Sinterkörper zwangsläufig sehr hoch sind. Darüber hin
aus haben die Sinterprodukte, die gemäß diesen Verfahren erhal
ten werden, den Nachteil, daß sie eine Restspannung zeigen, was
sie während ihres Produktionsverfahrens sehr rißanfällig macht.
Folglich kann ein großformatiger Sinterkörper, der für die Her
stellung eines Dünnfilms geeignet ist, nicht erhalten werden.
Die so erhaltenen Sinterprodukte reißen ferner sehr leicht,
wenn sie als Quelle zum Vakuumaufdampfen oder als Target zum
Zerstäuben verwendet werden. Dementsprechend war es allgemein
üblich, ein Sinterprodukt mit einer Dichte von nicht mehr als
4,9 g/cm3 (oder im allgemeinen 4,0-4,5 g/cm3) zur Herstellung
eines hochreinen ZrO2-Films zu verwenden. Die Verwendung eines
derartigen Sinterprodukts als Verdampfungsquelle zum Vakuumauf
dampfen unter Anwendung von Energiestrahlen wie Elektronenstrah
len hat jedoch den Nachteil, daß aufgrund der Bildung von gro
ßen Vertiefungen auf der Oberfläche der Verdampfungsquelle, wo
der Strahl direkt aufgestrahlt wird, kaum ein gleichmäßiger
Film erhalten werden kann, wenn die Strahlungsleistung gestei
gert wird. Ferner kann auch im Fall der Anwendung eines derar
tigen Sinterproduktes alsVerdampfungsquelle bei einem Vakuum
aufdampfungsverfahren mit Widerstandsheizung oder als Target
bei einem Zerstäubungsverfahren kaum ein gleichmäßiger Film er
halten werden, was auf den Einfluß einer großen Menge absorbier
ten Gases im Sinterkörper niedriger Dichte zurückzuführen ist.
Darüber hinaus sind die Sinterprodukte, die durch die bekannten
Verfahren erhalten werden, als Quelle zur Bildung eines Dünn
films sehr kurzlebig und somit sehr wenig rentabel.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen hervorragenden
ZrO2-Sinterkörper zur Bildung eines dünnen Zirkoniumdioxidfilms
mittels Aufdampfens oder Zerstäubens und ein Verfahren zu sei
ner Herstellung bereitzustellen.
Die Erfinder führten umfassende Untersuchungen zur Lösung der
vorstehend erwähnten Probleme durch und stellten fest, daß die
Dichte eines Sinterkörpers, der aus ZrO2-Pulvern, die ja eine
hohe Sinterfähigkeit zeigen, erhalten wird, so gesteuert werden
kann, daß eine optimale Dichte zur Herstellung eines Dünnfilms
erhalten wird, indem die Sinterfähigkeit der ZrO2-Pulver - ge
eigneterweise durch Überwachung der Sinterbedingungen - herab
gesetzt wird.
Der Erfindung liegt diese Feststellung zugrunde. Die Erfindung
stellt einen ZrO2-Sinterkörper zur Verfügung, der zur Bildung
eines Dünnfilms geeignet ist und der eine Dichte von mehr als
4,9 g/cm3 und eine Reinheit von wenigstens 99,0 Masse% ein
schließlich von unvermeidbar enthaltenem Hafniumdioxid (HfO2)
aufweist, und stellt ein Verfahren zu seiner Herstellung zur
Verfügung. Die Erfindung wird in Einzelheiten nachstehend be
schrieben.
Der erfindungsgemäße ZrO2-Sinterkörper weist als eines seiner
Merkmale eine Dichte auf, die größer als 4,9 g/cm3 ist. Dement
sprechend ist der ZrO2-Sinterkörper von der Bildung von großen
Oberflächenunebenheiten und -sprüngen auf der bestrahlten Ober
fläche frei, wenn er als Verdampfungsquelle zum Vakuumaufdamp
fen unter Anwendung von Energiestrahlen wie Elektronenstrahlen
verwendet wird. Dementsprechend kann ein gleichmäßiger vakuum
aufgedampfter Film erhalten werden. Da ferner der erfindungs
gemäße Sinterkörper nur wenig darin absorbiertes Gas enthält,
kann ein durchweg gleichmäßiger Film erhalten werden, wenn der
Sinterkörper als Verdampfungsquelle zum Vakuumaufdampfen mit Wi
derstandsheizung oder als Target zum Zerstäuben verwendet wird.
Da der Sinterkörper wie vorstehend erwähnt eine geeignete Dich
te hat, kann auch seine Lebensdauer als Verdampfungsquelle oder
als Target verlängert werden. So kann die Produktivität der
Filmbildung angehoben werden. Übersteigt die Dichte des Sinter
körpers 5,3 g/cm3, tritt in dem Sinterkörper Restspannung auf,
die zu einer hohen Wahrscheinlichkeit der Bildung von Sprüngen
im Laufe seiner Herstellung und während seines Gebrauchs führt,
so daß die gewünschte Dichte im Bereich von 4,9 bis 5,3 g/cm3
liegt. Wird andererseits ein Sinterkörper mit einer Dichte, die
niedriger als 4,9 g/cm3 ist, als Verdampfungsquelle oder Target
zur Herstellung des ZrO2-Films verwendet, ist die Qualität des
resultierenden Films unbeständig.
Der erfindungsgemäße ZrO2-Sinterkörper enthält keine große Men
ge an Stabilisator und hat eine Reinheit von wenigstens 99,0
Masseprozent (einschließlich von unvermeidbar enthaltenem Haf
niumdioxid). Dementsprechend ist der daraus erhaltene ZrO2-Film
in seinen charakteristischen Eigenschaften, die von einem opti
schen Film gefordert werden, wie Lichtdurchlässigkeit und hohem
Brechungsindex, hervorragend. Der Grund, weswegen der erfin
dungsgemäße Sinterkörper keine Zugabe einer großen Menge Stabi
lisator erfordert, ist, daß der ZrO2-Sinterkörper im Sintergrad
geeignet gemäßigt wurde und genug Porosität besitzt, die für
die Volumenänderung aufgrund der Phasenumwandlung tragbar ist.
Demgemäß besteht kein Bedarf, die Kristalle des Sinterkörpers
absichtlich zu stabilisieren.
Wie vorstehend beschrieben, wird der Sintergrad des ZrO2-Sinter
körpers geeignet gesenkt, um jegliche Restspannung zu vermeiden,
so daß der Sinterkörper im Verlauf seiner Herstellung und Anwen
dung sogar im Fall eines großformatigen Sinterkörpers, der bei
den Vakuumaufdampfungsgeräten oder den Zerstäubungsgeräten er
forderlich sein kann, wo die Fläche des größten Oberflächenbe
reichs des Sinterkörpers wenigstens 20 cm2 und die Länge seiner
kürzesten Seite nicht weniger als 5 mm beträgt, keine Rißbil
dung zeigt. Eine derartig große Abmessung eines Sinterkörpers
mit einer Dichte von mehr als 4,9 g/cm3 und einer Reinheit von
nicht weniger als 99,0 Masse% ist neu und konnte durch bekannte
Verfahren nicht erzielt werden.
Aus den vorstehend genannten Gründen kann der ZrO2-Sinterkörper
zur Bildung eines Dünnfilms gemäß der Erfindung in gewünschten
Größen hergestellt werden, hat eine verlängerte Lebensdauer und
ist von Oberflächenfehlern und von der Bildung von Sprüngen,
die aufgrund seiner Bestrahlung während seiner Verwendung auf
treten würden, frei. Da ferner die Menge des absorbierten Gases
in dem Sinterkörper gering ist, kann der Sinterkörper vorteil
hafterweise als Verdampfungsquelle zum Elektronenstrahl- oder
Widerstandsheizungs-Vakuumaufdampfen oder als Zerstäubungstar
get verwendet werden.
Nach umfassenden Untersuchungen zum Herstellungsverfahren eines
hochreinen ZrO2-Sinterkörpers, der zur Bildung eines ZrO2-Dünn
films geeignet ist, fanden die Erfinder ferner, daß die hohe
Sinterfähigkeit des ZrO2 abgeschwächt und ein ZrO2-Sinterkörper
mit einer Dichte von wenigstens 4,9 g/cm3 bequem erhalten wer
den kann, indem die Korngröße des ZrO2-Pulvers, das als Rohma
terial Verwendung findet, gesteuert bzw. eingestellt wird oder
indem dem Rohmaterialpulver CaO zugesetzt wird. D.h., bei einem
erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines ZrO2-Sinter
körpers für die Verwendung zur Dünnfilmherstellung werden Zir
koniumdioxidpulver mit einer Reinheit von wenigstens 99,0 Mas
se% (einschließlich von unvermeidbaren enthaltenem Hafniumdi
oxid) und mit einer derartigen Teilchengrößenverteilung der Se
kundärteilchen, daß nicht weniger als 30 Masse% Teilchen mit ei
ner Größe von 10 µm bis weniger als 40 µm und nicht weniger als
2 Masse% Teilchen mit einer Größe von weniger als 1 µm vorhan
den sind, bei Raumtemperatur geformt und dann gesintert. Ent
sprechend einer bevorzugten Abwandlung des Verfahrens wird den
Zirkoniumdioxidpulvern CaO in einer Menge von 50 ppm bis 2000
ppm zugesetzt.
CaO bewirkt ein Erniedrigen der Sinterfähigkeit der ZrO2-Pulver,
wenn aber sein Gehalt 2000 ppm übersteigt, besteht die Gefahr,
daß in dem Sinterkörper im Verlauf seiner Herstellung und wäh
rend seiner Verwendung Risse gebildet werden.
Im Rahmen der Erfindung kann jedes herkömmliche Verfahren zur
Herstellung der rohen ZrO2-Pulver angewendet werden; es ist je
doch vom Standpunkt der Vereinfachung des Herstellungsverfah
rens und der Verringerung der Herstellungskosten wünschenswert,
die Pulver durch Calcinieren von Zirkoniumhydroxid (ZrO2×H2)
herzustellen.
Wegen der vorstehend erwähnten Wahl der Teilchengrößenvertei
lung der ZrO2-Pulver sind die groben Teilchen, die in relativ
hoher Menge in den Pulvern enthalten sind, dazu wirksam, den
Sintergrad zu erniedrigen; gleichzeitig dienen die sehr feinen
Pulver, die in einer geringen Menge enthalten sind, dazu, einen
geeigneten Sintergrad beizubehalten. Auf diese Weise kann die
Sinterfähigkeit der ZrO2-Pulver für die Bildung eines Dünnfilms
mit den gewünschten Eigenschaften in geeigneter Weise gesteuert
werden.
Die Zugabe von CaO zu den ZrO2-Pulvern wirkt sich dahingehend
aus, daß das Sintern der ZrO2-Pulver gehemmt wird. In diesem
Falle wird deshalb die Zugabemenge des CaO auf den vorstehend
erwähnten Bereich von 50 bis 2000 ppm beschränkt. Wenn die
Teilchengrößenverteilung der ZrO2-Pulver wie vorstehend erwähnt
eingestellt wird, kann die Zugabe von CaO unnötig sein. Wenn
die Teilchengrößenverteilung der ZrO2-Pulver nicht eingestellt
wird, ist jedoch die vorstehend erwähnte Zugabe von CaO vorzu
ziehen. Weniger als 50 ppm CaO haben keine Wirkung auf die
Steuerung der Sinterfähigkeit. Zusätzlich ist CaO wirksam, um
die ZrO2-Kristalle in der tetragonalen Modifikation zu stabili
sieren, und demgemäß schreitet die Phasenumwandlung von tetra
gonal nach monoklin in dem normalen Umwandlungs-Temperaturbe
reich von 900 bis 1200°C bei der Zugabe einer übermäßig großen
Menge von CaO nicht fort, wodurch eine Unterkühlung hervorgeru
fen wird und die Phasenumwandlung, die von einer großen Ausdeh
nung begleitet wird, bei einer tieferen Temperatur plötzlich
vonstatten geht. Wenn die Menge des zugesetzten CaO 2000 ppm
übersteigt, werden deshalb leicht feine Risse in dem resultie
renden ZrO2-Sinterkörper gebildet. Es ist kein besonderes Ver
fahren der Zugabe von CaO erforderlich, weil jedoch das Mischen
im trockenen Zustand unter Anwendung z.B. eines Mischers oder
einer Kugelmühle eine Neigung zur Entmischung hervorruft, ist
die Zugabe in nassem Zustand z.B. durch Zusatz von Calciumsal
zen zu ZrO2-haltigen Aufschlämmungen wünschenswert. Ein Verfah
ren des Vermischens zweier Arten von ZrO2-Pulvern, eines mit
einer hohen CaO-Konzentration und eines anderen mit einer nied
rigen CaO-Konzentration, kann auch gewählt werden.
Dann werden die so erhaltenen ZrO2-Pulver bei Raumtemperatur
durch bekannte Verfahren geformt, beispielsweise durch isosta
tisches Kaltpressen eines Vorformlings, der aus den Pulvern
mittels uniaxialen Pressens in einer metallischen Form geformt
worden ist, oder durch direktes isostatisches Kaltpressen der
Pulver. Fehler wie ein Verziehen und eine ungleichmäßige Dichte,
die im Verlauf des Sinterns verursacht werden, werden in Gren
zen gehalten; die Dichte des resultierenden Sinterkörpers kann
erhöht werden, und ferner wird die Sinterzeit verkürzt und kann
unerwünschtes Teilchenwachstum verhindert werden. Der Formungs
druck beim isostatischen Kaltpressen beträgt wünschenswerter
weise nicht weniger als 7,85 kN/cm2, und im Fall der kombinier
ten Anwendung einer metallischen Form ist es wünschenswert, daß
der Druck, der auf die metallische Form ausgeübt wird, nicht
weniger als 981 N/cm2 beträgt.
Durch Sintern des auf diese Weise erhaltenen Formkörpers wird
der fertige Sinterkörper erhalten. Die Sintertemperatur ist
nicht begrenzt, solange sie nicht unter 1000°C sinkt. Wenn je
doch die Temperatur über 1400°C ansteigt, schreitet das Sintern
zu weit fort, wodurch in dem resultierenden Sinterkörper Risse
gebildet werden, so daß es wünschenswert ist, daß die Tempera
tur nicht mehr als 1400°C beträgt. Wenn die Sintertemperatur
andererseits niedriger als 1000°C ist, schreitet das Sintern
kaum voran, was zum Auseinanderfallen des resultierenden Sin
terkörpers führt. Es ist wünschenswert, daß der Sinterkörper
für eine Stunde oder länger bei der Sintertemperatur gehalten
wird.
Die Dichte des ZrO2-Sinterkörpers, der durch das vorstehend er
wähnte Verfahren hergestellt wird, kann auf mehr als 4,9 g/cm3
gebracht werden. Wenn die Dichte zu hoch ist, besteht jedoch
die Neigung, daß der resultierende Sinterkörper eine ungenügen
de Temperaturwechselbeständigkeit hat, so daß es wünschenswert
ist, die Dichte auf nicht mehr als 5,3 g/cm3 einzustellen. Die
Einstellung der Dichte kann geeigneterweise durch Einstellung
der Sintertemperatur erfolgen.
Durch das vorstehend beschriebene Verfahren kann der Sinterkör
per mit einem gesteuerten Sintergrad, der zur Bildung eines
Dünnfilms unter Verwendung des Sinterkörpers geeignet ist, auf
einfache Weise hergestellt werden.
Der erfindungsgemäße Sinterkörper kann am vorteilhaftesten zur
Herstellung eines Dünnfilms durch ein Verfahren wie das Vakuum
aufdampfen oder das Zerstäuben verwendet werden. Durch die Ver
wendung des Sinterkörpers kann mit einer hohen Produktivität
ein gleichmäßiger Dünnfilm aus ZrO2 mit hervorragenden Eigen
schaften als optischer Film erhalten werden, und die Lebensdau
er des Sinterkörpers wird erheblich verlängert.
Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf bevorzugte
Ausführungsformen näher erläutert.
ZrO2-Pulver, die als Ausgangsmaterial verwendet wurden:
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,0 Masse%;
Teilchengrößenverteilung (in Masse%, durch Sedimentationsver fahren bestimmt):
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,0 Masse%;
Teilchengrößenverteilung (in Masse%, durch Sedimentationsver fahren bestimmt):
weniger als 1 µm: 8%,
1 µm bis weniger als 10 µm: 23%,
10 µm bis weniger als 40 µm: 51%,
nicht weniger als 40 µm: 18%.
1 µm bis weniger als 10 µm: 23%,
10 µm bis weniger als 40 µm: 51%,
nicht weniger als 40 µm: 18%.
100 Masseteilen der ZrO2-Pulver wurden 2 Masseteile Wachs zuge
setzt, um eine zu formende Mischung zu erhalten. 510 g der Mi
schung wurden unter einem Druck von 1,96 kN/cm2 in einer metal
lischen Form vorgeformt und dann mittels einer isostatischen
Kaltpresse unter einem Druck von 19,6 kN/cm2 geformt, um einen
Formkörper mit einer Dichte von 3,18 g/cm3 zu erhalten. Der
Preßling wurde nach dem Entwachsen in einen Sinterofen einge
führt und 6 h lang bei einer Temperatur von 1250°C gesintert.
Der so erhaltene Sinterkörper (6,5 cm×6,5 cm×2,3 cm) hatte
eine Dichte von 5,15 g/cm3.
Der resultierende Sinterkörper wurde durch ein Trockenverfahren
auf eine Größe von 6,0 cm×6,0 cm×2,0 cm geformt und als Ver
dampfungsquelle zum Elektronenstrahl-Vakuumaufdampfen verwendet.
Ein gleichmäßiger ZrO2-Film mit einer glatten Oberfläche konnte
durchweg hergestellt werden, und die Verdampfungsquelle war von
Rissen und Oberflächenunebenheiten frei.
6120 g derselben ZrO2-Pulver, die in Beispiel 1 verwendet wur
den, wurden in eine Gummiform eingefüllt und direkt einem iso
statischen Kaltpressen unterzogen, um einen Formkörper mit ei
ner Dichte von 3,15 g/cm3 zu erhalten. Der so erhaltene Form
körper wurde entwachst und unter denselben Bedingungen wie in
Beispiel 1 gesintert, um einen Sinterkörper (32,8 cm×10,9 cm
×3,4 cm) mit einer Dichte von 4,94 g/cm3 zu erhalten. Der so
erhaltene Sinterkörper konnte ähnlich wie der in Beispiel 1 er
haltene ohne Schwierigkeiten als Verdampfungsquelle zum Elek
tronenstrahl-Vakuumaufdampfen verwendet werden.
1020 g derselben ZrO2-Pulver, die in Beispiel 1 verwendet wur
den, wurden in einer metallischen Form mit einem Durchmesser
von 20 cm vorgeformt und - ähnlich wie in Beispiel 1 - isosta
tischem Kaltpressen, Entwachsen und Sintern unterzogen, um ei
nen Sinterkörper mit einem Durchmesser von 15,7 cm, einer Dicke
von 0,99 cm und einer Dichte von 5,22 g/cm3 zu erhalten. Der
so erhaltene Sinterkörper wurde auf einen Durchmesser von 15,24
cm und eine Dicke von 0,635 cm gebracht, mit einem Kupferblech
verbunden und ohne Schwierigkeiten als Target zum Zerstäuben
verwendet, wobei ein durchweg gleichmäßiger ZrO2-Film erhalten
wurde.
ZrO2-Pulver, die als Ausgangsmaterial verwendet wurden:
Reinheit (einschließlich HfO2) : 99,9 Masse%, enthaltene CaO- Menge: nicht mehr als 10 ppm;
Teilchengrößenverteilung (in Masse%, durch Sedimentationsver fahren bestimmt):
Reinheit (einschließlich HfO2) : 99,9 Masse%, enthaltene CaO- Menge: nicht mehr als 10 ppm;
Teilchengrößenverteilung (in Masse%, durch Sedimentationsver fahren bestimmt):
weniger als 1 µm: 16%,
1 µm bis weniger als 10 µm: 51%,
10 µm bis weniger als 40 µm: 33%,
nicht weniger als 40 µm: 0%.
1 µm bis weniger als 10 µm: 51%,
10 µm bis weniger als 40 µm: 33%,
nicht weniger als 40 µm: 0%.
100 Masseteilen der ZrO2-Pulver wurden 2 Masseteile Wachs zuge
setzt, um eine zu formende Mischung herzustellen. 520 g der Mi
schung wurden - ähnlich wie in Beispiel 1 - geformt, und der
Formkörper wurde nach dem Entwachsen in einen Sinterofen einge
führt und 6 h lang bei 1220°C gesintert. Der so erhaltene Sin
terkörper (6,6 cm×6,6 cm×2,35 cm) hatte eine Dichte von
4,98 g/cm3. Der Sinterkörper wurde dann - ähnlich wie in Bei
spiel 1 - geformt und konnte ohne Schwierigkeiten als Verdamp
fungsquelle zum Elektronenstrahl-Vakuumaufdampfen verwendet wer
den.
ZrO2-Pulver, die als Ausgangsmaterial verwendet wurden:
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,8 Masse%, enthaltene CaO- Menge: 500 ppm;
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,8 Masse%, enthaltene CaO- Menge: 500 ppm;
Teilchengrößenverteilung (in Masse%, durch Sedimentationsver
fahren bestimmt):
weniger als 10 µm: 98%,
nicht weniger als 10 µm: 2%.
weniger als 10 µm: 98%,
nicht weniger als 10 µm: 2%.
Ein Sinterkörper (6,45 cm×6,45 cm×2,28 cm) wurde durch das
selbe Verfahren wie in Beispiel 1 erhalten. Die Dichte des er
haltenen Sinterkörpers betrug 5,27 g/cm3, und der Sinterkörper
konnte ohne Schwierigkeiten als Verdampfungsquelle zum Vakuum
aufdampfen verwendet werden.
ZrO2-Pulver, die als Ausgangsmaterial verwendet wurden:
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,8 Masse%, enthaltene CaO- Menge: 2000 ppm;
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,8 Masse%, enthaltene CaO- Menge: 2000 ppm;
Teilchengrößenverteilung (in Masse%, durch Sedimentationsver
fahren bestimmt):
weniger als 10 µm: 87%,
nicht weniger als 10 µm: 13%.
weniger als 10 µm: 87%,
nicht weniger als 10 µm: 13%.
Die Pulver wurden geformt, entwachst und 6 h lang bei 1290°C
durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 3 gesintert, um einen
Sinterkörper mit einem Durchmesser von 16,0 cm, einer Dicke von
1,01 cm und einer Dichte von 4,92 g/cm3 zu erhalten. Der so er
haltene Sinterkörper hatte keine Risse und konnte als Target
zum Zerstäuben ohne Schwierigkeiten verwendet werden.
ZrO2-Pulver, die als Ausgangsmaterial verwendet wurden:
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,2 Masse%, enthaltene CaO- Menge: 400 ppm;
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,2 Masse%, enthaltene CaO- Menge: 400 ppm;
Teilchengrößenverteilung (in Masse%, durch Sedimentationsver
fahren bestimmt):
weniger als 1 µm: 5%,
1 µm bis weniger als 10 µm: 58%,
10 µm bis weniger als 40 µm: 35%,
nicht weniger als 40 µm: 2,%.
weniger als 1 µm: 5%,
1 µm bis weniger als 10 µm: 58%,
10 µm bis weniger als 40 µm: 35%,
nicht weniger als 40 µm: 2,%.
100 Masseteilen der ZrO2-Pulver wurden 2 Masseteile Wachs zuge
setzt, um eine zu formende Mischung zu erhalten. 3210 g der Mi
schung wurden unter einem Druck von 19,6 kN/cm2 unter Anwendung
einer isostatischen Kaltpresse direkt geformt, um einen Form
körper mit einer Dichte von 8,16 g/cm3 zu erhalten. Der Form
körper wurde nach Entwachsen in einen Sinterofen eingeführt und
6 h lang bei 1240°C gesintert, wobei ein Sinterkörper (13,4 cm
×39,8 cm×1,2 cm) mit einer Dichte von 4,91 g/cm3 erhalten
wurde. In dem Sinterkörper wurde kein Riß beobachtet. Der Sin
terkörper wurde durch ein Trockenverfahren auf eine Größe von
12,7 cm×38,1 cm×0,5 cm gebracht und mit einem Kupferblech
zum Kühlen verbunden und konnte mit zufriedenstellendem Ergeb
nis ohne Schwierigkeiten als Target zum Zerstäuben verwendet
werden.
ZrO2-Pulver, die als Ausgangsmaterial verwendet wurden:
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,8 Masse%, enthaltene CaO- Menge: nicht mehr als 10 ppm;
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,8 Masse%, enthaltene CaO- Menge: nicht mehr als 10 ppm;
Teilchengrößenverteilung (in Masse%, durch Sedimentationsver
fahren bestimmt):
weniger als 1 µm: 42%,
1 µm bis weniger als 5 µm: 48%,
5 µm bis weniger als 10 µm: 7%,
nicht weniger als 10 µm: 3%.
weniger als 1 µm: 42%,
1 µm bis weniger als 5 µm: 48%,
5 µm bis weniger als 10 µm: 7%,
nicht weniger als 10 µm: 3%.
Der Sinterkörper wurde bei 1250°C durch dasselbe Verfahren wie
in Beispiel 1 erhalten. Das Ergebnis war, daß in dem Sinterkör
per zahlreiche Risse beobachtet wurden; der Sinterkörper konnte
nicht zufriedenstellend zur Bildung eines Dünnfilms verwendet
werden.
Die Sintertemperatur wurde deshalb auf 1200°C herabgesetzt, um
einen Sinterkörper (7,5 cm×7,5 cm×2,6 cm) mit einer Dichte
von 3,42 g/cm3 zu erhalten. Der so erhaltene Sinterkörper wurde
auf eine Größe von 6,0 cm×6,0 cm×2,0 cm geformt und als Ver
dampfungsquelle zum Elektronenstrahl-Vakuumaufdampfen verwendet.
Es wurden jedoch zahlreiche Risse in der Verdampfungsquelle be
obachtet, und ihre Oberfläche war uneben, so daß kein zufrieden
stellender ZrO2-Film erhalten werden konnte.
ZrO2-Pulver, die als Ausgangsmaterial verwendet wurden:
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,5 Masse%, enthaltene CaO- Menge: 3000 ppm;
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,5 Masse%, enthaltene CaO- Menge: 3000 ppm;
Teilchengrößenverteilung (in Masse%, durch Sedimentationsver
fahren bestimmt):
weniger als 10 µm: 98%.
nicht weniger als 10 µm: 2%.
weniger als 10 µm: 98%.
nicht weniger als 10 µm: 2%.
Der Sinterkörper wurde durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel
1 erhalten, jedoch wurden in dem resultierenden Sinterkörper
zahlreiche Risse beobachtet.
Claims (6)
1. Zirkoniumdioxid(ZrO2)-Sinterkörper zum Bilden eines Dünn
films, dadurch gekennzeichnet, daß er eine Reinheit von nicht
weniger als 99,0 Masse% (einschließlich von unvermeidbar ent
haltenem Hafniumdioxid (HfO2)) und eine Dichte von mehr als 4,9
g/cm3 hat.
2. Zirkoniumdioxid-Sinterkörper nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß er ferner Calciumoxid (CaO) in einer Menge von 50
ppm bis 2000 ppm enthält.
3. Zirkoniumdioxid-Sinterkörper nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Fläche des größten Oberflächenbereichs
des Sinterkörpers nicht weniger als 20 cm2 und die Länge seiner
kürzesten Seite nicht weniger als 5 mm beträgt.
4. Verfahren zur Herstellung eines Zirkoniumdioxid-Sinterkör
pers nach Anspruch 1 zur Bildung eines Dünnfilms, dadurch ge
kennzeichnet, daß Zirkoniumdioxidpulver mit einer Reinheit von
nicht weniger als 99,0 Masse% (einschließlich von unvermeidbar
enthaltenem Hafniumdioxid) und mit einer derartigen Teilchen
größenverteilung der Sekundärteilchen, daß nicht weniger als 30
Masse% Teilchen mit einer Größe von 10 µm bis weniger als 40 µm
und nicht weniger als 2 Masse% Teilchen mit einer Größe von we
niger als 1 µm vorhanden sind, bei Raumtemperatur geformt und
dann gesintert werden.
5. Verfahren zur Herstellung eines Zirkoniumdioxid-Sinterkör
pers nach Anspruch 1 zur Bildung eines Dünnfilms, dadurch ge
kennzeichnet, daß Zirkoniumdioxidpulver mit einer Reinheit von
nicht weniger als 99,0 Masse% (einschließlich von unvermeidbar
enthaltenem Hafniumdioxid), die Calciumoxid in einer Menge von
50 ppm bis 2000 ppm enthalten, bei Raumtemperatur geformt und
dann gesintert werden.
6. Verfahren zur Herstellung eines Zirkoniumdioxid-Sinterkör
pers nach Anspruch 1 zur Bildung eines Dünnfilms, dadurch ge
kennzeichnet, daß Zirkoniumdioxidpulver mit einer Reinheit von
nicht weniger als 99,0 Masse% (einschließlich von unvermeidbar
enthaltenem Hafniumdioxid), die Calciumoxid in einer Menge von
50 ppm bis 2000 ppm enthalten, und mit einer derartigen Teil
chengrößenverteilung der Sekundärteilchen, daß nicht weniger
als 30 Masse% Teilchen mit einer Größe von 10 µm bis weniger
als 40 µm und nicht weniger als 2 Masse% Teilchen mit einer Grö
ße von weniger als 1 µm vorhanden sind, geformt und dann gesin
tert werden.
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Date | Code | Title | Description |
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8180 | Miscellaneous part 1 |
Free format text: 16.02.89 JP P 1-35078 |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: TIEDTKE, H., DIPL.-ING. BUEHLING, G., DIPL.-CHEM. |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |