DE3908322A1 - Zirkoniumdioxid-sinterkoerper, der zur bildung eines duennfilms geeignet ist, und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Zirkoniumdioxid-sinterkoerper, der zur bildung eines duennfilms geeignet ist, und verfahren zu seiner herstellung

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Description

Die Erfindung betrifft einen Zirkoniumdioxid(ZrO2)-Sinterkörper, der zur Bildung eines Dünnfilms geeignet ist, und ein Verfahren zur Herstellung des Sinterkörpers. Insbesondere betrifft die Er­ findung einen hochreinen Zirkoniumdioxid-Sinterkörper, der bei­ spielsweise zur Verwendung bei der Vakuumaufdampfung und der Zerstäubung geeignet ist, und ein Verfahren zu seiner Herstel­ lung.
Ein Zirkoniumdioxid(ZrO2)-Dünnfilm, der durch Vakuumaufdampfung oder Zerstäubung hergestellt wird, ist für optische Anwendungen wegen seiner hervorragenden Eigenschaften wie Lichtdurchlässig­ keit, hoher Härte, hohem Brechungsindex und hoher Beständigkeit gegen Umgebungsbedingungen in weitem Umfang anwendbar.
Da ZrO2 einer Phasenumwandlung (monoklin ⇄ tetragonal) unter­ worfen ist, die von einer großen Volumenänderung in einem Tem­ peraturbereich von 900 bis 1200°C begleitet wird, war es auf herkömmliche Weise schwierig, hochdichte Sinterkörper aus rei­ nem ZrO2 herzustellen. D.h., um früher ZrO2-Sinterkörper her­ zustellen, wurden 3 Mol% oder mehr eines Stabilisators wie CaO, MgO oder Y2O3 zum Zwecke der Stabilisierung der tetragonalen Modifikation der ZrO2-Kristalle zugefügt, und die Kristalle wur­ den bei einer Temperatur nicht unter 1400°C gesintert, um einen stabilisierten (oder teilweise stabilisierten) ZrO2-Sinterkör­ per zu erhalten. Diese Sinterkörper enthalten jedoch unvermeid­ bar eine relativ große Menge des Stabilisators, die die Rein­ heit erniedrigt. Deshalb ist der Zirkoniumdioxidfilm, der dar­ aus durch Vakuumaufdampfung oder Zerstäubung erhalten wurde, für die Verwendung als optischer Film nicht zufriedenstellend, insbesondere wegen niedriger Lichtdurchlässigkeit und niedrigem Brechungsindex.
Es wurden einige Vorschläge zur Herstellung von ZrO2-Sinterkör­ pern gemacht, deren Dichte der wahren Dichte von hochreinem mo­ noklinem ZrO2 (5,83 g/cm3, durch Röntgenstrahlen ermittelt) an­ nähernd entspricht, wie beschrieben von A.C.D. Chaklader und V. T. Baker, Am. Ceram. Soc. Bull. 44 (1965), 258-259; G. K. Bansal und A. H. Heuler, J. Am. Ceram. Soc. Bull. 58 (1979), 76-77; H. J. Garrett und R. Ruh, Am. Ceram. Soc. Bull. 47 (1968), 578-579; M. Yoshimura und S. Somiya, Am. Ceram. Soc. Bull. 59 (1980), 246; Murase, Kato und Hirano, J. Ceram. Soc. Japan 91 (1983), 561-564. Alle diese vorgeschlagenen Verfahren schlie­ ßen jedoch komplizierte Prozesse wie Heißpressen, Reaktions- Heißpressen, Reoxidation nach Vakuumsintern, Hydrothermalsyn­ these aus Zirkonium und Wasser und Verwendung von superfeinen Teilchen, die durch Hydrolyse von ZrOCl2 erhalten wurden, ein, weshalb die Herstellungskosten der durch diese Verfahren herge­ stellten Sinterkörper zwangsläufig sehr hoch sind. Darüber hin­ aus haben die Sinterprodukte, die gemäß diesen Verfahren erhal­ ten werden, den Nachteil, daß sie eine Restspannung zeigen, was sie während ihres Produktionsverfahrens sehr rißanfällig macht. Folglich kann ein großformatiger Sinterkörper, der für die Her­ stellung eines Dünnfilms geeignet ist, nicht erhalten werden. Die so erhaltenen Sinterprodukte reißen ferner sehr leicht, wenn sie als Quelle zum Vakuumaufdampfen oder als Target zum Zerstäuben verwendet werden. Dementsprechend war es allgemein üblich, ein Sinterprodukt mit einer Dichte von nicht mehr als 4,9 g/cm3 (oder im allgemeinen 4,0-4,5 g/cm3) zur Herstellung eines hochreinen ZrO2-Films zu verwenden. Die Verwendung eines derartigen Sinterprodukts als Verdampfungsquelle zum Vakuumauf­ dampfen unter Anwendung von Energiestrahlen wie Elektronenstrah­ len hat jedoch den Nachteil, daß aufgrund der Bildung von gro­ ßen Vertiefungen auf der Oberfläche der Verdampfungsquelle, wo der Strahl direkt aufgestrahlt wird, kaum ein gleichmäßiger Film erhalten werden kann, wenn die Strahlungsleistung gestei­ gert wird. Ferner kann auch im Fall der Anwendung eines derar­ tigen Sinterproduktes alsVerdampfungsquelle bei einem Vakuum­ aufdampfungsverfahren mit Widerstandsheizung oder als Target bei einem Zerstäubungsverfahren kaum ein gleichmäßiger Film er­ halten werden, was auf den Einfluß einer großen Menge absorbier­ ten Gases im Sinterkörper niedriger Dichte zurückzuführen ist. Darüber hinaus sind die Sinterprodukte, die durch die bekannten Verfahren erhalten werden, als Quelle zur Bildung eines Dünn­ films sehr kurzlebig und somit sehr wenig rentabel.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen hervorragenden ZrO2-Sinterkörper zur Bildung eines dünnen Zirkoniumdioxidfilms mittels Aufdampfens oder Zerstäubens und ein Verfahren zu sei­ ner Herstellung bereitzustellen.
Die Erfinder führten umfassende Untersuchungen zur Lösung der vorstehend erwähnten Probleme durch und stellten fest, daß die Dichte eines Sinterkörpers, der aus ZrO2-Pulvern, die ja eine hohe Sinterfähigkeit zeigen, erhalten wird, so gesteuert werden kann, daß eine optimale Dichte zur Herstellung eines Dünnfilms erhalten wird, indem die Sinterfähigkeit der ZrO2-Pulver - ge­ eigneterweise durch Überwachung der Sinterbedingungen - herab­ gesetzt wird.
Der Erfindung liegt diese Feststellung zugrunde. Die Erfindung stellt einen ZrO2-Sinterkörper zur Verfügung, der zur Bildung eines Dünnfilms geeignet ist und der eine Dichte von mehr als 4,9 g/cm3 und eine Reinheit von wenigstens 99,0 Masse% ein­ schließlich von unvermeidbar enthaltenem Hafniumdioxid (HfO2) aufweist, und stellt ein Verfahren zu seiner Herstellung zur Verfügung. Die Erfindung wird in Einzelheiten nachstehend be­ schrieben.
Der erfindungsgemäße ZrO2-Sinterkörper weist als eines seiner Merkmale eine Dichte auf, die größer als 4,9 g/cm3 ist. Dement­ sprechend ist der ZrO2-Sinterkörper von der Bildung von großen Oberflächenunebenheiten und -sprüngen auf der bestrahlten Ober­ fläche frei, wenn er als Verdampfungsquelle zum Vakuumaufdamp­ fen unter Anwendung von Energiestrahlen wie Elektronenstrahlen verwendet wird. Dementsprechend kann ein gleichmäßiger vakuum­ aufgedampfter Film erhalten werden. Da ferner der erfindungs­ gemäße Sinterkörper nur wenig darin absorbiertes Gas enthält, kann ein durchweg gleichmäßiger Film erhalten werden, wenn der Sinterkörper als Verdampfungsquelle zum Vakuumaufdampfen mit Wi­ derstandsheizung oder als Target zum Zerstäuben verwendet wird. Da der Sinterkörper wie vorstehend erwähnt eine geeignete Dich­ te hat, kann auch seine Lebensdauer als Verdampfungsquelle oder als Target verlängert werden. So kann die Produktivität der Filmbildung angehoben werden. Übersteigt die Dichte des Sinter­ körpers 5,3 g/cm3, tritt in dem Sinterkörper Restspannung auf, die zu einer hohen Wahrscheinlichkeit der Bildung von Sprüngen im Laufe seiner Herstellung und während seines Gebrauchs führt, so daß die gewünschte Dichte im Bereich von 4,9 bis 5,3 g/cm3 liegt. Wird andererseits ein Sinterkörper mit einer Dichte, die niedriger als 4,9 g/cm3 ist, als Verdampfungsquelle oder Target zur Herstellung des ZrO2-Films verwendet, ist die Qualität des resultierenden Films unbeständig.
Der erfindungsgemäße ZrO2-Sinterkörper enthält keine große Men­ ge an Stabilisator und hat eine Reinheit von wenigstens 99,0 Masseprozent (einschließlich von unvermeidbar enthaltenem Haf­ niumdioxid). Dementsprechend ist der daraus erhaltene ZrO2-Film in seinen charakteristischen Eigenschaften, die von einem opti­ schen Film gefordert werden, wie Lichtdurchlässigkeit und hohem Brechungsindex, hervorragend. Der Grund, weswegen der erfin­ dungsgemäße Sinterkörper keine Zugabe einer großen Menge Stabi­ lisator erfordert, ist, daß der ZrO2-Sinterkörper im Sintergrad geeignet gemäßigt wurde und genug Porosität besitzt, die für die Volumenänderung aufgrund der Phasenumwandlung tragbar ist. Demgemäß besteht kein Bedarf, die Kristalle des Sinterkörpers absichtlich zu stabilisieren.
Wie vorstehend beschrieben, wird der Sintergrad des ZrO2-Sinter­ körpers geeignet gesenkt, um jegliche Restspannung zu vermeiden, so daß der Sinterkörper im Verlauf seiner Herstellung und Anwen­ dung sogar im Fall eines großformatigen Sinterkörpers, der bei den Vakuumaufdampfungsgeräten oder den Zerstäubungsgeräten er­ forderlich sein kann, wo die Fläche des größten Oberflächenbe­ reichs des Sinterkörpers wenigstens 20 cm2 und die Länge seiner kürzesten Seite nicht weniger als 5 mm beträgt, keine Rißbil­ dung zeigt. Eine derartig große Abmessung eines Sinterkörpers mit einer Dichte von mehr als 4,9 g/cm3 und einer Reinheit von nicht weniger als 99,0 Masse% ist neu und konnte durch bekannte Verfahren nicht erzielt werden.
Aus den vorstehend genannten Gründen kann der ZrO2-Sinterkörper zur Bildung eines Dünnfilms gemäß der Erfindung in gewünschten Größen hergestellt werden, hat eine verlängerte Lebensdauer und ist von Oberflächenfehlern und von der Bildung von Sprüngen, die aufgrund seiner Bestrahlung während seiner Verwendung auf­ treten würden, frei. Da ferner die Menge des absorbierten Gases in dem Sinterkörper gering ist, kann der Sinterkörper vorteil­ hafterweise als Verdampfungsquelle zum Elektronenstrahl- oder Widerstandsheizungs-Vakuumaufdampfen oder als Zerstäubungstar­ get verwendet werden.
Nach umfassenden Untersuchungen zum Herstellungsverfahren eines hochreinen ZrO2-Sinterkörpers, der zur Bildung eines ZrO2-Dünn­ films geeignet ist, fanden die Erfinder ferner, daß die hohe Sinterfähigkeit des ZrO2 abgeschwächt und ein ZrO2-Sinterkörper mit einer Dichte von wenigstens 4,9 g/cm3 bequem erhalten wer­ den kann, indem die Korngröße des ZrO2-Pulvers, das als Rohma­ terial Verwendung findet, gesteuert bzw. eingestellt wird oder indem dem Rohmaterialpulver CaO zugesetzt wird. D.h., bei einem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines ZrO2-Sinter­ körpers für die Verwendung zur Dünnfilmherstellung werden Zir­ koniumdioxidpulver mit einer Reinheit von wenigstens 99,0 Mas­ se% (einschließlich von unvermeidbaren enthaltenem Hafniumdi­ oxid) und mit einer derartigen Teilchengrößenverteilung der Se­ kundärteilchen, daß nicht weniger als 30 Masse% Teilchen mit ei­ ner Größe von 10 µm bis weniger als 40 µm und nicht weniger als 2 Masse% Teilchen mit einer Größe von weniger als 1 µm vorhan­ den sind, bei Raumtemperatur geformt und dann gesintert. Ent­ sprechend einer bevorzugten Abwandlung des Verfahrens wird den Zirkoniumdioxidpulvern CaO in einer Menge von 50 ppm bis 2000 ppm zugesetzt.
CaO bewirkt ein Erniedrigen der Sinterfähigkeit der ZrO2-Pulver, wenn aber sein Gehalt 2000 ppm übersteigt, besteht die Gefahr, daß in dem Sinterkörper im Verlauf seiner Herstellung und wäh­ rend seiner Verwendung Risse gebildet werden.
Im Rahmen der Erfindung kann jedes herkömmliche Verfahren zur Herstellung der rohen ZrO2-Pulver angewendet werden; es ist je­ doch vom Standpunkt der Vereinfachung des Herstellungsverfah­ rens und der Verringerung der Herstellungskosten wünschenswert, die Pulver durch Calcinieren von Zirkoniumhydroxid (ZrO2×H2) herzustellen.
Wegen der vorstehend erwähnten Wahl der Teilchengrößenvertei­ lung der ZrO2-Pulver sind die groben Teilchen, die in relativ hoher Menge in den Pulvern enthalten sind, dazu wirksam, den Sintergrad zu erniedrigen; gleichzeitig dienen die sehr feinen Pulver, die in einer geringen Menge enthalten sind, dazu, einen geeigneten Sintergrad beizubehalten. Auf diese Weise kann die Sinterfähigkeit der ZrO2-Pulver für die Bildung eines Dünnfilms mit den gewünschten Eigenschaften in geeigneter Weise gesteuert werden.
Die Zugabe von CaO zu den ZrO2-Pulvern wirkt sich dahingehend aus, daß das Sintern der ZrO2-Pulver gehemmt wird. In diesem Falle wird deshalb die Zugabemenge des CaO auf den vorstehend erwähnten Bereich von 50 bis 2000 ppm beschränkt. Wenn die Teilchengrößenverteilung der ZrO2-Pulver wie vorstehend erwähnt eingestellt wird, kann die Zugabe von CaO unnötig sein. Wenn die Teilchengrößenverteilung der ZrO2-Pulver nicht eingestellt wird, ist jedoch die vorstehend erwähnte Zugabe von CaO vorzu­ ziehen. Weniger als 50 ppm CaO haben keine Wirkung auf die Steuerung der Sinterfähigkeit. Zusätzlich ist CaO wirksam, um die ZrO2-Kristalle in der tetragonalen Modifikation zu stabili­ sieren, und demgemäß schreitet die Phasenumwandlung von tetra­ gonal nach monoklin in dem normalen Umwandlungs-Temperaturbe­ reich von 900 bis 1200°C bei der Zugabe einer übermäßig großen Menge von CaO nicht fort, wodurch eine Unterkühlung hervorgeru­ fen wird und die Phasenumwandlung, die von einer großen Ausdeh­ nung begleitet wird, bei einer tieferen Temperatur plötzlich vonstatten geht. Wenn die Menge des zugesetzten CaO 2000 ppm übersteigt, werden deshalb leicht feine Risse in dem resultie­ renden ZrO2-Sinterkörper gebildet. Es ist kein besonderes Ver­ fahren der Zugabe von CaO erforderlich, weil jedoch das Mischen im trockenen Zustand unter Anwendung z.B. eines Mischers oder einer Kugelmühle eine Neigung zur Entmischung hervorruft, ist die Zugabe in nassem Zustand z.B. durch Zusatz von Calciumsal­ zen zu ZrO2-haltigen Aufschlämmungen wünschenswert. Ein Verfah­ ren des Vermischens zweier Arten von ZrO2-Pulvern, eines mit einer hohen CaO-Konzentration und eines anderen mit einer nied­ rigen CaO-Konzentration, kann auch gewählt werden.
Dann werden die so erhaltenen ZrO2-Pulver bei Raumtemperatur durch bekannte Verfahren geformt, beispielsweise durch isosta­ tisches Kaltpressen eines Vorformlings, der aus den Pulvern mittels uniaxialen Pressens in einer metallischen Form geformt worden ist, oder durch direktes isostatisches Kaltpressen der Pulver. Fehler wie ein Verziehen und eine ungleichmäßige Dichte, die im Verlauf des Sinterns verursacht werden, werden in Gren­ zen gehalten; die Dichte des resultierenden Sinterkörpers kann erhöht werden, und ferner wird die Sinterzeit verkürzt und kann unerwünschtes Teilchenwachstum verhindert werden. Der Formungs­ druck beim isostatischen Kaltpressen beträgt wünschenswerter­ weise nicht weniger als 7,85 kN/cm2, und im Fall der kombinier­ ten Anwendung einer metallischen Form ist es wünschenswert, daß der Druck, der auf die metallische Form ausgeübt wird, nicht weniger als 981 N/cm2 beträgt.
Durch Sintern des auf diese Weise erhaltenen Formkörpers wird der fertige Sinterkörper erhalten. Die Sintertemperatur ist nicht begrenzt, solange sie nicht unter 1000°C sinkt. Wenn je­ doch die Temperatur über 1400°C ansteigt, schreitet das Sintern zu weit fort, wodurch in dem resultierenden Sinterkörper Risse gebildet werden, so daß es wünschenswert ist, daß die Tempera­ tur nicht mehr als 1400°C beträgt. Wenn die Sintertemperatur andererseits niedriger als 1000°C ist, schreitet das Sintern kaum voran, was zum Auseinanderfallen des resultierenden Sin­ terkörpers führt. Es ist wünschenswert, daß der Sinterkörper für eine Stunde oder länger bei der Sintertemperatur gehalten wird.
Die Dichte des ZrO2-Sinterkörpers, der durch das vorstehend er­ wähnte Verfahren hergestellt wird, kann auf mehr als 4,9 g/cm3 gebracht werden. Wenn die Dichte zu hoch ist, besteht jedoch die Neigung, daß der resultierende Sinterkörper eine ungenügen­ de Temperaturwechselbeständigkeit hat, so daß es wünschenswert ist, die Dichte auf nicht mehr als 5,3 g/cm3 einzustellen. Die Einstellung der Dichte kann geeigneterweise durch Einstellung der Sintertemperatur erfolgen.
Durch das vorstehend beschriebene Verfahren kann der Sinterkör­ per mit einem gesteuerten Sintergrad, der zur Bildung eines Dünnfilms unter Verwendung des Sinterkörpers geeignet ist, auf einfache Weise hergestellt werden.
Der erfindungsgemäße Sinterkörper kann am vorteilhaftesten zur Herstellung eines Dünnfilms durch ein Verfahren wie das Vakuum­ aufdampfen oder das Zerstäuben verwendet werden. Durch die Ver­ wendung des Sinterkörpers kann mit einer hohen Produktivität ein gleichmäßiger Dünnfilm aus ZrO2 mit hervorragenden Eigen­ schaften als optischer Film erhalten werden, und die Lebensdau­ er des Sinterkörpers wird erheblich verlängert.
Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf bevorzugte Ausführungsformen näher erläutert.
Beispiel 1
ZrO2-Pulver, die als Ausgangsmaterial verwendet wurden:
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,0 Masse%;
Teilchengrößenverteilung (in Masse%, durch Sedimentationsver­ fahren bestimmt):
weniger als 1 µm: 8%,
1 µm bis weniger als 10 µm: 23%,
10 µm bis weniger als 40 µm: 51%,
nicht weniger als 40 µm: 18%.
100 Masseteilen der ZrO2-Pulver wurden 2 Masseteile Wachs zuge­ setzt, um eine zu formende Mischung zu erhalten. 510 g der Mi­ schung wurden unter einem Druck von 1,96 kN/cm2 in einer metal­ lischen Form vorgeformt und dann mittels einer isostatischen Kaltpresse unter einem Druck von 19,6 kN/cm2 geformt, um einen Formkörper mit einer Dichte von 3,18 g/cm3 zu erhalten. Der Preßling wurde nach dem Entwachsen in einen Sinterofen einge­ führt und 6 h lang bei einer Temperatur von 1250°C gesintert. Der so erhaltene Sinterkörper (6,5 cm×6,5 cm×2,3 cm) hatte eine Dichte von 5,15 g/cm3.
Der resultierende Sinterkörper wurde durch ein Trockenverfahren auf eine Größe von 6,0 cm×6,0 cm×2,0 cm geformt und als Ver­ dampfungsquelle zum Elektronenstrahl-Vakuumaufdampfen verwendet. Ein gleichmäßiger ZrO2-Film mit einer glatten Oberfläche konnte durchweg hergestellt werden, und die Verdampfungsquelle war von Rissen und Oberflächenunebenheiten frei.
Beispiel 2
6120 g derselben ZrO2-Pulver, die in Beispiel 1 verwendet wur­ den, wurden in eine Gummiform eingefüllt und direkt einem iso­ statischen Kaltpressen unterzogen, um einen Formkörper mit ei­ ner Dichte von 3,15 g/cm3 zu erhalten. Der so erhaltene Form­ körper wurde entwachst und unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 1 gesintert, um einen Sinterkörper (32,8 cm×10,9 cm ×3,4 cm) mit einer Dichte von 4,94 g/cm3 zu erhalten. Der so erhaltene Sinterkörper konnte ähnlich wie der in Beispiel 1 er­ haltene ohne Schwierigkeiten als Verdampfungsquelle zum Elek­ tronenstrahl-Vakuumaufdampfen verwendet werden.
Beispiel 3
1020 g derselben ZrO2-Pulver, die in Beispiel 1 verwendet wur­ den, wurden in einer metallischen Form mit einem Durchmesser von 20 cm vorgeformt und - ähnlich wie in Beispiel 1 - isosta­ tischem Kaltpressen, Entwachsen und Sintern unterzogen, um ei­ nen Sinterkörper mit einem Durchmesser von 15,7 cm, einer Dicke von 0,99 cm und einer Dichte von 5,22 g/cm3 zu erhalten. Der so erhaltene Sinterkörper wurde auf einen Durchmesser von 15,24 cm und eine Dicke von 0,635 cm gebracht, mit einem Kupferblech verbunden und ohne Schwierigkeiten als Target zum Zerstäuben verwendet, wobei ein durchweg gleichmäßiger ZrO2-Film erhalten wurde.
Beispiel 4
ZrO2-Pulver, die als Ausgangsmaterial verwendet wurden:
Reinheit (einschließlich HfO2) : 99,9 Masse%, enthaltene CaO- Menge: nicht mehr als 10 ppm;
Teilchengrößenverteilung (in Masse%, durch Sedimentationsver­ fahren bestimmt):
weniger als 1 µm: 16%,
1 µm bis weniger als 10 µm: 51%,
10 µm bis weniger als 40 µm: 33%,
nicht weniger als 40 µm: 0%.
100 Masseteilen der ZrO2-Pulver wurden 2 Masseteile Wachs zuge­ setzt, um eine zu formende Mischung herzustellen. 520 g der Mi­ schung wurden - ähnlich wie in Beispiel 1 - geformt, und der Formkörper wurde nach dem Entwachsen in einen Sinterofen einge­ führt und 6 h lang bei 1220°C gesintert. Der so erhaltene Sin­ terkörper (6,6 cm×6,6 cm×2,35 cm) hatte eine Dichte von 4,98 g/cm3. Der Sinterkörper wurde dann - ähnlich wie in Bei­ spiel 1 - geformt und konnte ohne Schwierigkeiten als Verdamp­ fungsquelle zum Elektronenstrahl-Vakuumaufdampfen verwendet wer­ den.
Beispiel 5
ZrO2-Pulver, die als Ausgangsmaterial verwendet wurden:
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,8 Masse%, enthaltene CaO- Menge: 500 ppm;
Teilchengrößenverteilung (in Masse%, durch Sedimentationsver­ fahren bestimmt):
weniger als 10 µm: 98%,
nicht weniger als 10 µm: 2%.
Ein Sinterkörper (6,45 cm×6,45 cm×2,28 cm) wurde durch das­ selbe Verfahren wie in Beispiel 1 erhalten. Die Dichte des er­ haltenen Sinterkörpers betrug 5,27 g/cm3, und der Sinterkörper konnte ohne Schwierigkeiten als Verdampfungsquelle zum Vakuum­ aufdampfen verwendet werden.
Beispiel 6
ZrO2-Pulver, die als Ausgangsmaterial verwendet wurden:
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,8 Masse%, enthaltene CaO- Menge: 2000 ppm;
Teilchengrößenverteilung (in Masse%, durch Sedimentationsver­ fahren bestimmt):
weniger als 10 µm: 87%,
nicht weniger als 10 µm: 13%.
Die Pulver wurden geformt, entwachst und 6 h lang bei 1290°C durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 3 gesintert, um einen Sinterkörper mit einem Durchmesser von 16,0 cm, einer Dicke von 1,01 cm und einer Dichte von 4,92 g/cm3 zu erhalten. Der so er­ haltene Sinterkörper hatte keine Risse und konnte als Target zum Zerstäuben ohne Schwierigkeiten verwendet werden.
Beispiel 7
ZrO2-Pulver, die als Ausgangsmaterial verwendet wurden:
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,2 Masse%, enthaltene CaO- Menge: 400 ppm;
Teilchengrößenverteilung (in Masse%, durch Sedimentationsver­ fahren bestimmt):
weniger als 1 µm: 5%,
1 µm bis weniger als 10 µm: 58%,
10 µm bis weniger als 40 µm: 35%,
nicht weniger als 40 µm: 2,%.
100 Masseteilen der ZrO2-Pulver wurden 2 Masseteile Wachs zuge­ setzt, um eine zu formende Mischung zu erhalten. 3210 g der Mi­ schung wurden unter einem Druck von 19,6 kN/cm2 unter Anwendung einer isostatischen Kaltpresse direkt geformt, um einen Form­ körper mit einer Dichte von 8,16 g/cm3 zu erhalten. Der Form­ körper wurde nach Entwachsen in einen Sinterofen eingeführt und 6 h lang bei 1240°C gesintert, wobei ein Sinterkörper (13,4 cm ×39,8 cm×1,2 cm) mit einer Dichte von 4,91 g/cm3 erhalten wurde. In dem Sinterkörper wurde kein Riß beobachtet. Der Sin­ terkörper wurde durch ein Trockenverfahren auf eine Größe von 12,7 cm×38,1 cm×0,5 cm gebracht und mit einem Kupferblech zum Kühlen verbunden und konnte mit zufriedenstellendem Ergeb­ nis ohne Schwierigkeiten als Target zum Zerstäuben verwendet werden.
Vergleichsbeispiel 1
ZrO2-Pulver, die als Ausgangsmaterial verwendet wurden:
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,8 Masse%, enthaltene CaO- Menge: nicht mehr als 10 ppm;
Teilchengrößenverteilung (in Masse%, durch Sedimentationsver­ fahren bestimmt):
weniger als 1 µm: 42%,
1 µm bis weniger als 5 µm: 48%,
5 µm bis weniger als 10 µm: 7%,
nicht weniger als 10 µm: 3%.
Der Sinterkörper wurde bei 1250°C durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 erhalten. Das Ergebnis war, daß in dem Sinterkör­ per zahlreiche Risse beobachtet wurden; der Sinterkörper konnte nicht zufriedenstellend zur Bildung eines Dünnfilms verwendet werden.
Die Sintertemperatur wurde deshalb auf 1200°C herabgesetzt, um einen Sinterkörper (7,5 cm×7,5 cm×2,6 cm) mit einer Dichte von 3,42 g/cm3 zu erhalten. Der so erhaltene Sinterkörper wurde auf eine Größe von 6,0 cm×6,0 cm×2,0 cm geformt und als Ver­ dampfungsquelle zum Elektronenstrahl-Vakuumaufdampfen verwendet. Es wurden jedoch zahlreiche Risse in der Verdampfungsquelle be­ obachtet, und ihre Oberfläche war uneben, so daß kein zufrieden­ stellender ZrO2-Film erhalten werden konnte.
Vergleichsbeispiel 2
ZrO2-Pulver, die als Ausgangsmaterial verwendet wurden:
Reinheit (einschließlich HfO2): 99,5 Masse%, enthaltene CaO- Menge: 3000 ppm;
Teilchengrößenverteilung (in Masse%, durch Sedimentationsver­ fahren bestimmt):
weniger als 10 µm: 98%.
nicht weniger als 10 µm: 2%.
Der Sinterkörper wurde durch dasselbe Verfahren wie in Beispiel 1 erhalten, jedoch wurden in dem resultierenden Sinterkörper zahlreiche Risse beobachtet.

Claims (6)

1. Zirkoniumdioxid(ZrO2)-Sinterkörper zum Bilden eines Dünn­ films, dadurch gekennzeichnet, daß er eine Reinheit von nicht weniger als 99,0 Masse% (einschließlich von unvermeidbar ent­ haltenem Hafniumdioxid (HfO2)) und eine Dichte von mehr als 4,9 g/cm3 hat.
2. Zirkoniumdioxid-Sinterkörper nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß er ferner Calciumoxid (CaO) in einer Menge von 50 ppm bis 2000 ppm enthält.
3. Zirkoniumdioxid-Sinterkörper nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche des größten Oberflächenbereichs des Sinterkörpers nicht weniger als 20 cm2 und die Länge seiner kürzesten Seite nicht weniger als 5 mm beträgt.
4. Verfahren zur Herstellung eines Zirkoniumdioxid-Sinterkör­ pers nach Anspruch 1 zur Bildung eines Dünnfilms, dadurch ge­ kennzeichnet, daß Zirkoniumdioxidpulver mit einer Reinheit von nicht weniger als 99,0 Masse% (einschließlich von unvermeidbar enthaltenem Hafniumdioxid) und mit einer derartigen Teilchen­ größenverteilung der Sekundärteilchen, daß nicht weniger als 30 Masse% Teilchen mit einer Größe von 10 µm bis weniger als 40 µm und nicht weniger als 2 Masse% Teilchen mit einer Größe von we­ niger als 1 µm vorhanden sind, bei Raumtemperatur geformt und dann gesintert werden.
5. Verfahren zur Herstellung eines Zirkoniumdioxid-Sinterkör­ pers nach Anspruch 1 zur Bildung eines Dünnfilms, dadurch ge­ kennzeichnet, daß Zirkoniumdioxidpulver mit einer Reinheit von nicht weniger als 99,0 Masse% (einschließlich von unvermeidbar enthaltenem Hafniumdioxid), die Calciumoxid in einer Menge von 50 ppm bis 2000 ppm enthalten, bei Raumtemperatur geformt und dann gesintert werden.
6. Verfahren zur Herstellung eines Zirkoniumdioxid-Sinterkör­ pers nach Anspruch 1 zur Bildung eines Dünnfilms, dadurch ge­ kennzeichnet, daß Zirkoniumdioxidpulver mit einer Reinheit von nicht weniger als 99,0 Masse% (einschließlich von unvermeidbar enthaltenem Hafniumdioxid), die Calciumoxid in einer Menge von 50 ppm bis 2000 ppm enthalten, und mit einer derartigen Teil­ chengrößenverteilung der Sekundärteilchen, daß nicht weniger als 30 Masse% Teilchen mit einer Größe von 10 µm bis weniger als 40 µm und nicht weniger als 2 Masse% Teilchen mit einer Grö­ ße von weniger als 1 µm vorhanden sind, geformt und dann gesin­ tert werden.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4302167C1 (de) * 1993-01-27 1994-02-10 Degussa Target aus Zirkoniumdioxid und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0812930A1 (de) * 1996-06-13 1997-12-17 Deutsche Forschungsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V. Keramische Verdampfermaterialien

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5304519A (en) * 1992-10-28 1994-04-19 Praxair S.T. Technology, Inc. Powder feed composition for forming a refraction oxide coating, process used and article so produced
US5641719A (en) * 1995-05-09 1997-06-24 Flex Products, Inc. Mixed oxide high index optical coating material and method
EP0812931B1 (de) * 1996-06-13 1999-08-25 Tosoh Corporation Material zur Gasphasenabscheidung
US20030118873A1 (en) * 2001-12-21 2003-06-26 Murphy Kenneth S. Stabilized zirconia thermal barrier coating with hafnia
EP1719822A4 (de) 2004-02-27 2010-10-06 Nippon Mining Co Sputtertarget, optisches informationsaufzeichnungsmaterial und herstellungsverfahren dafür
CN1328172C (zh) * 2004-06-25 2007-07-25 郑州振中电熔锆业有限公司 高纯度二氧化锆的生产方法
US7723249B2 (en) * 2005-10-07 2010-05-25 Sulzer Metco (Us), Inc. Ceramic material for high temperature service
US8603930B2 (en) 2005-10-07 2013-12-10 Sulzer Metco (Us), Inc. High-purity fused and crushed zirconia alloy powder and method of producing same
US8278231B2 (en) * 2008-11-24 2012-10-02 Exxonmobil Chemical Patents Inc. Heat stable formed ceramic, apparatus and method of using the same
CN112552045A (zh) * 2020-12-28 2021-03-26 海宁拓材科技股份有限公司 一种低价态氧化锆光学镀膜材料及制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4266979A (en) * 1978-09-29 1981-05-12 Hitachi, Ltd. Oxygen sensor ceramic and process for preparing the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB246480A (de) * 1925-01-23 1926-12-23 Deutsche Gasgluhlicht-Auer-Gesellschaft M.B.H.
US3175919A (en) * 1962-06-06 1965-03-30 Harbison Walker Refractories Zirconia refractory
US3565645A (en) * 1967-10-30 1971-02-23 Gen Electric Densified zirconia-glass product
GB1374832A (en) * 1972-04-11 1974-11-20 Magnesium Elektron Ltd Sintered zirconia bodies
US3929498A (en) * 1972-04-11 1975-12-30 Magnesium Elektron Ltd Sintered zirconia bodies
JPS591232B2 (ja) * 1979-09-28 1984-01-11 住友アルミニウム製錬株式会社 ジルコニア焼結体の製造方法
JPS6042274A (ja) * 1983-08-11 1985-03-06 東芝セラミックス株式会社 ジルコニア質耐火物の製造法
JPH01155256A (ja) * 1987-12-14 1989-06-19 Tlv Co Ltd 蒸気乾き度計

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4266979A (en) * 1978-09-29 1981-05-12 Hitachi, Ltd. Oxygen sensor ceramic and process for preparing the same

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Am.Ceram.Soc.Bull.44 (1965), 258-259 *
Am.Ceram.Soc.Bull.47 (1968), 578-579 *
Am.Ceram.Soc.Bull.59 (1980), 246 *
J.Ceram.Soc.Japan 91 (1983), 561-564 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4302167C1 (de) * 1993-01-27 1994-02-10 Degussa Target aus Zirkoniumdioxid und Verfahren zu seiner Herstellung
EP0812930A1 (de) * 1996-06-13 1997-12-17 Deutsche Forschungsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V. Keramische Verdampfermaterialien
DE19623587A1 (de) * 1996-06-13 1997-12-18 Dlr Deutsche Forschungsanstalt Keramische Verdampfermaterialien
US6168833B1 (en) 1996-06-13 2001-01-02 DLR Deutsche Forschungsanstalt f{umlaut over (u)}r Luft-und Raumfahrt e.V. Process for coating with ceramic vaporizing materials

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GB2216546B (en) 1991-12-18
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GB2216546A (en) 1989-10-11
CA1331272C (en) 1994-08-09
GB8905574D0 (en) 1989-04-19
JPH01317167A (ja) 1989-12-21

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