DE3889392T2 - Schleudergiessbare Mischungen für die Herstellung von Schichten mit erhöhtem Kontrast im tiefen UV-Licht. - Google Patents

Schleudergiessbare Mischungen für die Herstellung von Schichten mit erhöhtem Kontrast im tiefen UV-Licht.

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Description

  • Wie beschrieben in dem U.S. Patent No. 4,677,079, Griffing et al, werden Diarylnitrone als photobleichbare Verbindungen verwendet, um lithographische Kontrastvergrößerung-Zusammensetzungen nahe UV (350-450 nm) herzustellen. Mittlere UV-Abbildungsflächen (300-350 nm) sind mit bestimmten α-Aryl-N-Alkylnitronen befriedigt worden. Vor kurzem sind Anstrengungen unternommen worden, ein Kontrastvergrößerungsvermögen auf Photoresiste in den dunklen UV Bereichen von 200-300 nm anzuwenden.
  • Die gegenwärtig einzig bekannten Nitrone, die in dem 200- 300 nm Bereich absorbieren, sind die Dialkylnitrone. Die meisten Dialkylnitrone hydrolysieren und/oder dimerisieren jedoch rasch. Es wäre daher wünschenswert, Organonitrone zu finden, die in dem dunklen UV Bereich verwendbar und in Lösung stabil sind.
  • Die vorliegende Erfindung basiert auf der Entdeckung, daß bestimmte α-Alkyl-N-Alkylnitrone mit der Formel
  • als photobleichbare Farbstoffe verwendet werden können, um dunkle UV-Kontrastvergrößerungsschichten (CEL) bei photolithographischen Anwendungen zu schaffen, worin R ausgewählt ist von Wasserstoff und einem C(1-8) Alkylradikal, X ein monovalentes Radikal ist, ausgewählt von Wasserstoff und einem Elektronen abziehenden Radikal, ausgewählt von der Klasse, bestehend aus Carbalkoxy, Acyl und Oxiran, Y eine monovalente aliphatische Gruppe ist, ausgewählt von R¹ und
  • wobei R¹ ein C(1-8) Alkylradikal R² und R³ monovalente Radikale sind, ausgewählt von Wasserstoff und C(1-8) Alkyl, Z ein Glied ist, ausgewählt von Wasserstoff, C(1-8) Alkylradikal oder ein Elektronen abziehendes Radikal, ausgewählt von der Klasse, bestehend aus Nitril, Carbalkoxy und Acyl, und R und/oder Y ein C(3-5) bivalentes Alkylenradikal sein können, oder ein C(3-5) bivalentes Alkylenradikal substituiert mit einem bis drei monovalenten Radikalen, oder ein Gemisch davon, ausgewählt von der Klasse, bestehend aus Cyan, Halogen, Carboalkoxy, Nitro, Amino und Alkylamino, wobei die bivalenten Radikale zusammen einen C(5-7) heterozyklischen Ring bilden können.
  • Durch die vorliegende Erfindung sind schleudergießbare Mischungen bereitgestellt, die für die Anbringung von Kontrastvergrößerungsschichten (CEL) an Photoresisten nützlich sind, welche für eine Absorption in dem 200-300 nm- Bereich fähig sind, bestehend aus
  • (A) 100 Gewichtsteilen eines inerten Lösungsmittels,
  • (B) 5 bis 20 Gewichtsteilen eines inerten organischen Bindemittels und
  • (C) 5 bis 20 Gewichtsteilen eines α-Alkyl-N-Alkylnitrons der Formel (1) wie vorstehend definiert.
  • Die Alkylradikale, welche durch R, R¹ und R² bei der Formel (1) eingeschlossen sind, sind bspw. Methyl, Ethyl, Propyl, Butyl, Pentyl, Hexyl, Heptyl und Octyl. Elektronen abziehende Radikale, die bei X der Formel (1) eingeschlossen sind, sind bspw. Carbalkoxy und Carbonyl. Elektronen abziehende Radikale, die bei Z der Formel (1) eingeschlossen sind, sind bspw. Nitril, Carbalkoxy und Carbonyl.
  • Einige der Dialkylnitrone, die in der Praxis der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, sind bspw.
  • α-Isopropyl-N-α-Cyanbutyrylnitron,
  • α-Methylpyruvat-N-Isopropylnitron,
  • Isopropylglyoxalnitron-Oxaziridin,
  • 2,2,5-Trimethyl-Δ¹-Pyrrolin-1-Oxid,
  • Ethylglyoxalnitron-Oxaziridin,
  • α-Ethylpyruvat-N-Methylnitron,
  • α-Ethylpyruvat-N-Isopropylnitron,
  • α-Methylpyruvat-N-Cyclohexylnitron,
  • 2,5-Dimethyl-5-Carbethoxy-Δ¹-Pyrrolin-1-Oxid,
  • 4,5,5-Trimethyl-Δ¹-Pyrroline-1-Oxid, und
  • 2-Cyan-4,5,5-Trimethyl-Δ¹-Pyrrolin-1-Oxid.
  • Unter den Lösemitteln, die zur Herstellung dieser schleudergießbaren Mischungen der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, sind bspw. Wasser und organische Lösemittel, wie bspw. Butanol, insbesondere 1-Butanol, und Ethylbenzol.
  • Geeignete Bindemittel, die in der Praxis der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, sind bspw. Polyvinylpyrrolidon, Hydroxypropylzellulose, Polystyrol, Copolymere von Vinylpyrrolidon mit Vinylacetat, Copolymere von Styrol mit Vinylalkohol.
  • Ein zusätzlicher Aspekt der vorliegenden Erfindung ist auf Verbundstoffe ausgerichtet, die für die Herstellung von gemusterten Photoresisten mit verbesserter Auflösung unter Verwendung einer dunklen UV-Bestrahlung nützlich sind, bestehend aus einem Photoresist und einer (CEL) Schicht darauf, wobei die Kontrastvergrößerungsschicht aus einer schleudergießbaren Mischung hergestellt ist, bestehend aus den vorbeschriebenen schleudergießbaren CEL-Zusammensetzungen. Die Verbundstoffe können eine Photoresistschicht mit einer Dicke von 0.2 bis 5 Mikron haben und vorzugsweise 0.5 bis 2 Mikron, während die CEL-Schicht von 0.1 bis 2 Mikron und vorzugsweise von 0.2 bis 1 Mikron dick sein kann.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines gemusterten Photoresisten bereitgestellt, bestehend aus
  • (i) einem Schleudergießen der schleudergießbaren Mischung wie oben definiert auf die Oberfläche eines Photoresisten zur Erzeugung eines CEL-Photoresistverbundstoffes,
  • (ii) einer Projektion eines Luftbildes unter Verwendung von UV-Licht (200-300 nm) auf die Oberfläche des CEL- Photoresistverbundstoffes,
  • (iii) einem Entstrippen der resultierenden photogebleichten CEL-Schicht von der Oberfläche des Photoresist und
  • (iv) einem Entwickeln der Photoresistschicht.
  • Techniken, die für die Projektion eines Luftbildes auf die Oberfläche des CEL-Photoresistverbundstoffes angewendet werden können, sind angegeben in dem U.S. Patent 4,677,049 (Griffing et al).
  • Die Angabe "inert" in Bezug auf die oben erwähnten organischen Polymerbindemittel bedeutet die Fähigkeit des Bindemittels zur Ausbildung einer photobleichbaren Schicht mit dem Alkylnitron der Formel (1), welches nach einem erfolgten Photobleichen unmittelbar entfernt werden kann gleichzeitig mit oder getrennt von der Oberfläche des Photoresisten durch ein Entstrippen mit einem Lösemittel. In solchen Fällen, wo das Lösemittel, bspw. n-Butanol, den Photoresisten angreifen kann, kann eine Sperrbeschichtung, wie bspw. Polyvinylalkohol, zwischen dem Photoresisten und CEL benutzt werden.
  • Das Entstrippen des photogebleichten CEL kann als eine getrennte Stufe vor dem Entwickeln des Photoresisten stattfinden. In dem letzteren Fall kann ein wasserlösliches inertes organisches Bindemittel als ein Teil einer wäßrigen schleudergießbaren Mischung verwendet werden. In den Fällen, wo ein organisches Lösemittel in der schleudergießbaren CEL Mischung verwendet wird, kann ein Entstrippen des CEL vor dem Entwickeln des Photoresisten erforderlich sein.
  • Jedes geeignete organische Lösemittel, welches nicht die Photoresistoberfläche angreift, kann verwendet werden, um die Entfernung des photogebleichten CEL von dem Photoresisten zu bewirken. Bevorzugt wird jedoch die Verwendung eines organischen Lösemittels, wie bspw. Toluol, Trichlorethylen, Chlorbenzol oder Mischungen mit Anisol, wie angegeben von P.R. West in dem U.S. Patent No. 4,623,611.
  • Weitere Photoresisten, die in der Praxis der vorliegenden Erfindung in Kombination mit den vorbeschriebenen schleudergießbaren Zusammensetzungen benutzt werden können, sind bspw. Shipley 2400 Reihen und die kürzlich beschriebenen dunklen UV Onium Salz Resiste.
  • Die Erfindung schließt Verbundstoffe ein, bestehend aus einer Kontrastvergrößerungsschicht und einer Photoresistschicht, wobei die Kontrastvergrößerungsschicht von der schleudergießbaren Mischung wie vorstehend definiert erhalten ist.
  • Damit die Fachleute auf dem vorliegenden Gebiet die Erfindung besser ausüben können, werden die folgenden Beispiele zur Darstellung und nicht zur Beschränkung angegeben. Alle Teile sind in Gewicht angegeben.
  • Beispiel 1
  • Eine Lösung von 1.14 Gramm (10 Millimol) α-Hydroxyaminoisobutyronitril und 10 ml Methylenchlorid wurde mit 0.72 Gramm (10 Millimol) Isobutyraldehyd und 1.0 Gramm Natriumsulfat behandelt. Nach einem Umrühren für 16 Stunden wurde die Lösung gefiltert, das Lösemittel unter verringertem Druck verdampft und der Rest mit Äther trituriert. Erhalten wurde eine 1.02 Gramm (55%) Ausbeute eines weißen Feststoffes von 92 - 93ºC, λmax = 243, ε = 9800. Auf der Basis eines Herstellungsverfahrens und der vorerwähnten Spektraldaten war das Material α-Isopropyl-N-α-Cyanbutyrylnitron.
  • Eine Mischung von 10 Teilen des vorerwähnten Nitrons, 10 Teilen eines Copolymers von Vinylacetat und Vinylpryrrolidon und 80 Teilen 1-Butanol wurde bei 3000 U/min für 25 Sekunden auf ein Shipley 2417 Photoresist mit einer Dicke von 0.5 Mikrons geschleudert, welches zuvor mit einer 500 Angström Polyvinylalkohol-Sperrschicht beschichtet worden war. Das Shipley Photoresist war zuvor auf ein Silizium-Wafer aufgebracht worden. Das behandelte Silizium- Wafer wurde für 14 Sekunden auf einem Suss MA-56 Drucker unter Verwendung des UV-250nm Modus belichtet. Das Wafer wurde dann in Wasser gespült und für eine Minute in einem Shipley 351 Entwickler verdünnt mit Wasser im Verhältnis 3 : 1 entwickelt. Ein ähnliches Wafer ohne das Nitron CEL wurde für 7 Sekunden belichtet, gespült mit Wasser und gleichartig entwickelt. Ein Vergleich der Wafer mittels eines Raster-Elektronenmikroskops zeigte, daß das CEL den Kontrast des Photoresisten verbessert hatte.
  • Beispiel 2
  • Eine Lösung von 0.75 Gramm (10 Millimol) Isopropylhydroxylamin und 10 ml Methylenchlorid wurde mit 1.02 Gramm (10 Millimol) Methylpyruvat behandelt. Die Mischung wurde bei Raumtemperatur für 19 Stunden umgerührt und mit Magnesiumsulfat getrocknet. Nach der Verdampfung des Methylenchlorids unter verringertem Druck wurde ein flüssiges Produkt abgetrennt, welches 1.2 Gramm (75%) wog, λmax = 271 und ε = 12,700. Auf der Basis eines Herstellungsverfahrens und der vorerwähnten Spektraldaten war das Produkt α-Methylpyruvat-N-Isopropylnitron.
  • Ein Ansatz von 10 Gew.-% des vorerwähnten Nitrons, 10 Gew.-% Hydroxypropylzellulose in 1-Butanol wurde auf eine Quarzscheibe bei 4000 U/min über eine Zeitdauer von 30 Sekunden gegossen. Der resultierende Film zeigte eine 0% Durchlassung von 253 - 289 nm, eine 1% Durchlassung von 248 - 293 nm und eine 5% Durchlassung von 240 - 296 nm. Der Film wurde gebleicht unter Verwendung einer 1000 Watt Lampe, die bei 10% des vollen Ausgangs arbeitete, und es folgte eine Filmdurchlassung als eine Funktion der Zeit bei 270 nm. Es wurde gefunden, daß das resultierende CEL ausgezeichnete Bleicheigenschaften hatte. Das Nitron wurde als stabil in einer Lösung für eine unbestimmte Zeitdauer bei Umgebungstemperaturen befunden.
  • Beispiel 3
  • Die heftig umgerührte Mischung von 7.05 Gramm (44 Millimol) 5-Methyl-5-Nitro-2-Hexanon und 1.95 Gramm (36 Millimol) Ammoniumchlorid in 65 ml Wasser, gekühlt auf 0 - 10ºC, wurde mit 9.75 Gramm (149 Millimol) Zinkstaub über 1.5 Stunden behandelt, wobei die Reaktionstemperatur auf weniger als 10ºC gehalten wurde. Das Zinkoxid wurde gefiltert und mit 25 ml heißem Wasser gewaschen (kombinierte wäßrige Schichten wurden bei 70 - 75ºC entstrippt). Der resultierende Rest wurde mit Chloroform behandelt, gefolgt von Kaliumcarbonat und Magnesiumsulfat. Nach der Filtrierung wurde die Mischung entstrippt und das Produkt bei 60ºC destilliert, um 4.07 Gramm (73% von 2,2,5-Trimethyl-Δ¹-Pyrrolin-1-Oxid zu erhalten. Das Nitron hat ein λmax = 229 nm, ε = 8400.
  • Ein Ansatz von 7.5% des vorerwähnten Nitrons und 5% Hydroxypropylzellulose und 2-Butanol wurden auf eine Quarzscheibe bei 4000 U/min / 30Sekunden geschleudert. Der resultierende Film zeigte eine 0% Durchlassung von 221 - 244 nm, weniger als 1% Durchlassung von 270 - 247 nm und weniger als 5% Durchlassung von 212 - 253 nm. Der Film wurde gebleicht bei 10% der vollen Bogenstärke, und die UV Filmdurchlassung wurde als eine Funktion der Zeit bei 230 nm gemessen. Es wurde gefunden, daß das resultierende CEL ausgezeichnete Bleicheigenschaften hatte.
  • Obwohl die vorstehenden Beispiele nur auf wenige von sehr vielen Variablen ausgerichtet sind, die in der Praxis der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, sollte verstanden sein, daß die vorliegende Erfindung auf eine viel größere Vielzahl von Dialkylnitronen in schleudergießbaren Mischungen ausgerichtet ist, die davon erhalten werden, wie es in der Beschreibung vor diesen Beispielen angegeben ist.

Claims (9)

1. Schleudergießbare Mischungen für die Anbringung von Kontrastvergrößerungsschichten an Photoresisten, welche für eine Absorption in dem 200 - 300 nm-Bereich fähig sind, bestehend aus
(A) 100 Gewichtsteilen eines inerten Lösungsmittels,
(B) 2 bis 20 Gewichtsteilen eines inerten organischen Bindemittels und
(C) 2 bis 20 Gewichtsteilen eines α-Akyl-N-Alkylnitrons der Formel
worin R ausgewählt ist von Wasserstoff und einem C(1-8) Alkylradikal, X ein monovalentes Radikal ist, ausgewählt von Wasserstoff und einem Elektronen abziehenden Radikal, ausgewählt von der Klasse, bestehend aus Carbalkoxy, Acyl und Oxiran, Y eine monovalente aliphatische Gruppe ist, ausgewählt von R¹ und
wobei R¹ ein C(1-8) Alkylradikal ist, R² und R³ monovalente Radikale sind, ausgewählt von Wasserstoff und C(1-8) Alkyl, Z ein Glied ist, ausgewählt von Wasserstoff, C(1-8) Alkylradikal oder ein Elektronen abziehendes Radikal, ausgewählt von der Klasse, bestehend aus Nitril, Carbalkoxy und Acyl, und R und/oder Y ein C(3-5) bivalentes Alkylenradikal sein können, oder ein C(3-5) bivalentes Alkylenradikalsubstituiert mit einem bis drei monovalenten Radikalen-oder ein Gemisch davon, ausgewählt von der Klasse, bestehend aus Cyan, Halogen, Carbalkoxy, Nitro, Amino und Alkylamino, wobei die bivalenten Radikale zusammen einen C(5-7) heterocyklischen Ring bilden können.
2. Schleudergießbare Mischung nach Anspruch 1, bei welcher das α-Alkyl-N-Alkylnitron α-Isopropyl-N-α-Cyanisobutyrylnitron ist.
3. Schleudergießbare Mischung nach Anspruch 1, bei welcher das α-Alkyl-N-Alkylnitron 2,2,5-Trimethyl-Δ¹-Pyrrolin- 1-Oxid ist.
4. Schleudergießbare Mischung nach Anspruch 1, bei welcher das α-Alkyl-N-Alkylnitron α-Methylpyruvat-N-Isopropylnitron ist.
5. Schleudergießbare Mischung nach Anspruch 1, bei welcher das inerte organische Bindemittel Hydroxypropyl-Cellulose ist.
6. Schleudergießbare Mischung nach Anspruch 1, bei welcher das Lösemittel Wasser ist.
7. Schleudergießbare Mischung nach Anspruch 1, bei welcher das Lösemittel 1-Butanol ist.
8. Verfahren zur Herstellung eines gemusterten Photoresisten, bestehend aus
(i) einem Schleudergießen der schleudergießbaren Mischung nach Anspruch 1 auf die Oberfläche eines Photoresisten zur Erzeugung eines Kontrastvergrößerungsschicht-Photoresist-Verbundes,
(ii) einer Projektion eines Luftbildes unter Verwendung von UV-Licht (200-300 nm) auf die Oberfläche des Verbundes nach (i),
(iii) Entstrippen der resultierenden photogebleichten Kontrastvergrößerungsschicht von der Oberfläche des Photoresist und
(iv) Entwickeln der Photoresistschicht.
9. Verbundstoffe, bestehend aus einer Kontrastvergrößerungsschicht und einer Photoresistschicht, wobei die Kontrastvergrößerungsschicht von der schleudergießbaren Mischung des Anspruchs 1 erhalten ist.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6162579A (en) * 1996-04-19 2000-12-19 Corning Incorporated Nitrone compounds as photopolymer polymerization inhibitors and contrast enhancing additives

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3481739A (en) * 1966-04-22 1969-12-02 Horizons Research Inc Increased speed in nonsilver light sensitive systems by incorporating therein organic n-oxides
US4677049A (en) * 1983-09-28 1987-06-30 General Electric Company Spin castable photobleachable layer forming compositions
JPS61121050A (ja) * 1984-11-16 1986-06-09 Fuji Photo Film Co Ltd 新規なフオトレジスト組成物
US4578344A (en) * 1984-12-20 1986-03-25 General Electric Company Photolithographic method using a two-layer photoresist and photobleachable film
JPS6269259A (ja) * 1985-09-24 1987-03-30 Toshiba Corp パタ−ン形成方法
JPH0688961B2 (ja) * 1985-12-30 1994-11-09 マイクロサイ,インコーポレイテッド ニトロン類の製造方法
IE59915B1 (en) * 1986-07-25 1994-04-20 Microsi Inc Contrast enhancement layer compositions, alkylnitrones, and use

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Publication number Publication date
JPH07109512B2 (ja) 1995-11-22
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KR960005035B1 (ko) 1996-04-18
IE63705B1 (en) 1995-05-31
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IE882355L (en) 1989-01-31
CA1328700C (en) 1994-04-19
MY103752A (en) 1993-09-30
EP0301559B1 (de) 1994-05-04
DE3889392D1 (de) 1994-06-09
EP0301559A2 (de) 1989-02-01
JPH0250162A (ja) 1990-02-20

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