KR890002708A - 심-uv콘트라스트 증강층을 제조하는데 유용한 스핀 피복가능한 혼합물 - Google Patents

심-uv콘트라스트 증강층을 제조하는데 유용한 스핀 피복가능한 혼합물 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

심-UV콘트라스트 증강층을 제조하는데 유용한 스핀 피복하능한 혼합물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (9)

  1. (A) 불활성 용매 100중량부, (B) 불활성 유기 결합제 2 내지 20중량부, 및 (C) 하기 일반식(Ⅰ)의-알킬-N-알킬 니트론 2 내지 20중량부로 이루어짐을 특징으로 하는, 200 내지 300㎚의 영역내에서 흡수가능한 감광성내식막상에 콘트라스트 증강층을 적용하는데 유용한 스핀 피복가능한 혼합물.
    상기 식에서, R은 수소 및 C(1-8)알킬 라디칼로부터 선택되고, X는 수소, 및 카브알콕시, 아실 및 옥시란으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 전자 흡인 라디칼로부터 선택된 1가 라디칼이며, Y는 R1및 일반식R²로 부터 선택된 1가 지방족 그룹이고, R1은 C(1-8)알킬 라디칼이며, R2및 R3는 수소 및 C(1-8)알킬로부터 선택된 1가 라디칼이고, Z는 수소, C(1-8)알킬 라디칼 및 니트릴, 카브알콕시 및 아실로 이루어진 그룹으로 부터 선택된 전자 흡인 라디칼로부터 선택된 라디칼이며, R 및/또는 Y는 C(3-5)2가 알킬렌 라디칼, 또는 1내지 3개의 1가 라디칼로 치환된 C(3-5)2가 알킬렌 라디칼 또는 시아노, 할로겐, 카브알콕시, 니트로, 아미노 및 알킬 아미노로 이루어진 그룹으로부터 선택된 이들의 혼합물이고, 2가 라디칼은 함께 C(5-7)헤테로사이클릭 환을 형성할 수 있다.
  2. 제1항에 있어서,-알킬-N-알킬 니트론이-이소프로필, N--시아노이소부티릴 니트론인 스핀 피복가능한 혼합물.
  3. 제1항에 있어서,-알킬-N-알킬 니트론이 2,2,5-트리메틸- 1-피롤린-1-옥사이드인 스핀 피복 가능한 혼합물.
  4. 제1항에 있어서,-알킬-N-알킬 니트론이-메틸피루베이트-N-이소프로필 니트론인 스핀 피복 가능한 혼합물.
  5. 제1항에 있어서, 불활성 유기 결합체가 하이드록시프로필 셀룰로오즈인 스핀 피복가능한 혼합물.
  6. 제1항에 있어서, 용매가 물인 스핀 피복가능한 혼합물.
  7. 제1항에 있어서, 용매가 1-부탄올인 스핀 피복가능한 혼합물.
  8. (A) 불활성 용매 100중량부, (B)불활성 유기 결합제 2 내지 20중량부, 및 (C) 일반식(Ⅰ)의-알킬-N-알킬 니트론 2 내지 20중량부로 이루어진-알킬-N-알킬 니트론 혼합물을 감광성 내식막의 표면에 스핀 피복하여 콘트라스트 증강층-감광성내식막 복합체를 생성하고, UV광 (200내지 300㎚)을 이용하는 가공상(aerial image)을 생성된 복합체의 표면에 투영한 후, 생성된 광표백된 콘트라스트 증강층을 감광성내식막의 표면으로부터 재거하고, 감광성내식막 층을 현상하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하여 패턴화된 감광성 내식막을 제조하는 방법.
    (Ⅰ)
    상기식에서 R은 수소 및 C(1-8)알킬 라디칼로부터 선택되고, X는 수소, 및 카브알콕시, 아실 및 옥시란으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 전자 흡인 라디칼로부터 선택된 1가 라디칼이며; Y는 수소, 또는 R1및 일반식로 부터 선택된 1가 지방족 그룹이고; R1은 C(1-8)알킬라디칼이며, R2및 R3는 수소 및 C(1-8)알킬로부터 선택된 1가 라디칼이고, Z는 수소, C(1-8)알킬 라디칼, 및 니트릴, 카브알콕시 및 아실로 이루어진 그룹으로 부터 선택된 전자 흡인 라디칼로부터 선택된 라디칼이며, R및/또는 Y는 C(3-5)2가 알킬렌 라디칼, 또는 1 내지 3개의 1가 라디칼로 치환된 C(3-5)2가 알킬렌 라디칼, 또는 시아노, 할로겐, 카브알콕시, 니트로, 아미노 및 알킬아미노로 이루어진 그룹으로부터 선택된 이들의 혼합물이고, 2가 라디칼은 함께 C(5-7)헤테로사이클릭 환을 형성할 수 있다.
  9. (A) 불활성 용매 100중량부, (B)불활성 유기 결합체 2 내지 20중량부 및 (C)다음 일반식(Ⅰ)의-알킬-N-알킬 니트론 2 내지 20중량부로 이루어진 콘드라스트 증강층과 감광성 내식막 층으로 이루어짐을 특징으로 하는 복합체.
    (Ⅰ)
    상기식에서, R은 수소 및 C(1-8)알킬 라디칼로부터 선택되고, X는 수소, 및 카브알콕시, 아실 및 옥시란으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 전자 흡인 라디칼로부터 선택된 1가 라디칼이며; Y는 수소, 또는 R1및 수소 또는 일반식로 부터 선택된 1가 지방족 그룹이고; R1은 C(1-8)알킬라디칼이며, R2및 R3는 수소 및 C(1-8)알킬로부터 선택된 1가 라디칼이고,Z는 수소, C(1-8)알킬 라디칼, 및 니트릴, 카브알콕시 및 아실로 이루어진 그룹으로 부터 선택된 전자 흡인 라디칼로부터 선택된 라디칼이며, R및/또는 Y는 C(3-5)2가 알킬렌 라디칼, 또는 1 내지 3개의 1가 라디칼로 치환된 C(3-5)2가 알킬렌 라디칼, 또는 시아노, 할로겐, 카브알콕시, 니트로, 아미노 및 알킬아미노로 이루어진 그룹으로부터 선택된 이들의 혼합물이고, 2가 라디칼은 함께 C(5-7)헤테로사이클릭 환을 형성할 수 있다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880009691A 1987-07-31 1988-07-30 심-uv 콘트라스트 향상층을 제조하는데 유용한 원심 주형 가능한 혼합물 및 이를 사용하여 패턴화된 감광성 내식막을 제조하는 방법 KR960005035B1 (ko)

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US6162579A (en) * 1996-04-19 2000-12-19 Corning Incorporated Nitrone compounds as photopolymer polymerization inhibitors and contrast enhancing additives

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3481739A (en) * 1966-04-22 1969-12-02 Horizons Research Inc Increased speed in nonsilver light sensitive systems by incorporating therein organic n-oxides
US4677049A (en) * 1983-09-28 1987-06-30 General Electric Company Spin castable photobleachable layer forming compositions
JPS61121050A (ja) * 1984-11-16 1986-06-09 Fuji Photo Film Co Ltd 新規なフオトレジスト組成物
US4578344A (en) * 1984-12-20 1986-03-25 General Electric Company Photolithographic method using a two-layer photoresist and photobleachable film
JPS6269259A (ja) * 1985-09-24 1987-03-30 Toshiba Corp パタ−ン形成方法
JPH0688961B2 (ja) * 1985-12-30 1994-11-09 マイクロサイ，インコーポレイテッド ニトロン類の製造方法
IE59915B1 (en) * 1986-07-25 1994-04-20 Microsi Inc Contrast enhancement layer compositions, alkylnitrones, and use

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