DE3882035T2 - Verfahren zur Packung eines Mikrowellen-Rohrmodulators. - Google Patents

Verfahren zur Packung eines Mikrowellen-Rohrmodulators.

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DE3882035T2 DE88310282T DE3882035T DE3882035T2 DE 3882035 T2 DE3882035 T2 DE 3882035T2 DE 88310282 T DE88310282 T DE 88310282T DE 3882035 T DE3882035 T DE 3882035T DE 3882035 T2 DE3882035 T2 DE 3882035T2
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Description

  • Die Erfindung betrifft das Packen von Modulatoren, die zum Versorgen von Ausgangstransformatoren von Mikrowellensenderöhren mit Hochspannungspulsen benutzt werden.
  • Es sind eine Anzahl von Vorrichtungen entworfen worden, um Pulse zum Gebrauch in Mikrowellenmodulationsanwendungen zu erzeugen. Einige dieser Vorrichtungen benutzen parallelgeschaltete Feldeffekttransistoren (FET's) um die nötige Engergie zum Treiben eines Ausgangstransformators eines Mikrowellenröhrenmodulators zu erzeugen, aber diese Konfigurationen minimieren nicht den elektrischen Widerstand und die Induktivität in den Primärwicklungsschaltkreisen der zugehörigen Ausgangstransformatoren und erfordern Modifikationen, um ihre Energieversorgungskapazitäten zu erhöhen. Siehe bspw. US-Patente mit folgenden Nummern: 3,374,406; 3,374,407; 3,426,255; 3,509,567; 3,525,861; 3,544,399; 3,562,672; 3,582,975; 3,828,324; 3,914,555; 3,967,217; 3,995,178; 4,010,450; 4,071,777; 4,095,251; 4,143,387; 4,221,044; 4,235,010; 4,247,903; 4,262,296; 4,304,042; 4,328,470; 4,409,594; 4,425,527; 4,662,058; 4,679,050; 4,679,299; 4,683,287; 4,689,802.
  • Erfindungsgemäß wird geschaffen ein Verfahren zum Packen von Leistungstransistoren zu einem effektiven Modul im Primärwicklungsschaltkreis eines Ausgangstransformators eines Mikrowellenröhrenmodulators, um den elektrischen Widerstand und die Induktivität in dem Primärwicklungsschaltkreis zu minimieren, gekennzeichnet durch Verbinden einer ersten Platte mit einem ersten Ende der Primärwicklung des Ausgangstransformators des Mikrowellenröhrenmodulators, wobei die erste Platte zur Verbindung mit einer Quelle positiver Spannung eingerichtet ist; Anbringen einer-zweiten Platte in beabstandeter Nebeneinanderlage zur ersten Platte, wobei die zweite Platte zur Verbindung mit Masse eingerichtet ist; Anbringen einer dritten Platte in fortlaufend beabstandeter Nebeneinanderlage zu der ersten Platte und der zweiten Platte, und Verbinden der dritten Platte mit einem zweiten Ende der Primärwicklung des Ausgangstransformators; und Anbringen einer Mehrzahl von Leistungstransistoren des Primärwicklungsschaltkreises des Ausgangstransformators auf der dritten Platte in kleinstmöglichen Abständen von dem zweiten Ende der Primärwicklung des Ausgangstransformators, und Verbinden eines ersten Anschlusses eines jeden der Leistungstransistoren mit der dritten Platte und daher effektiv mit dem zweiten Ende der Primärwicklung des Ausgangstransformators, wobei die erste Platte einen Pfad geringen Widerstands für Stromfluß zwischen der Primärwicklung des Ausgangstransformators und der Quelle positiver Spannung bildet, wobei die dritte Platte einen Pfad geringen Widerstands für Stromfluß zwischen den ersten Anschlüssen der Leistungstransistoren und der Primärwicklung des Ausgangstransformators bildet, und wobei die ersten und dritten Platten ebenfalls die Induktivität im Primärwicklungsschaltkreis des Ausgangstransformators minimieren.
  • Ebenfalls gemäß der vorliegenden Erfindung wird geschaffen ein Mikrowellenröhrenmodulator mit einer effektiven Anordung von Leistungstransistoren im Primärwicklungsschaltkreis eines Ausgangstransformators des Mikrowellenröhrenmodulators, um den elektrischen Widerstand und die Induktivität im Primärwicklungsschaltkreis zu minimieren, dadurch gekennzeichnet, daß der Modulator aufweist: eine erste Platte, die mit einem ersten Ende der Primärwicklung des Ausgangstransformators des Mikrowellenröhren modulators verbunden ist und zur Verbindung mit einer Quelle positiver Spannung eingerichtet ist; eine zweite Platte, die in beabstandeter Nebeneinanderlage zu der ersten Platte angeordnet und zur Verbindung mit Masse eingerichtet ist; eine dritte Platte, die in fortlaufend beabstandeter Nebeneinanderlage zu der ersten Platte und der zweiten Platte angeordnet ist, wobei die dritte Platte mit einem zweiten Ende der Ausgangstransformatorprimärwicklung verbunden ist; und eine Mehrzahl von Leistungstransistoren des Ausgangstransformatorprimärwicklungsschaltkreises, die auf der dritten Platte in kleinstmöglichen Abständen von dem zweiten Ende der Ausgangstransformatorprimärwicklung angebracht sind, wobei ein erster Anschluß eines jeden der Leistungstransistoren mit der dritten Platte verbunden ist und deswegen effektiv mit dem zweiten Ende der Ausgangstransformatorprimärwicklung verbunden ist, wobei die erste Platte einen Pfad geringen Widerstands für Stromfluß zwischen der Ausgangstransformatorprimärwicklung und der Quelle positiver Spannung bildet, wobei die dritte Platte einen Pfad geringen Widerstands für Stromfluß zwischen den ersten Anschlüssen der Leistungstransistoren und der Ausgangstransformatorprimärwicklung bildet, wobei die ersten und dritten Platten ebenfalls die Induktivität in dem Ausgangstransformatorpriiiiärwicklungsschaltkreis minimieren.
  • In einer hier zu beschreibenden Ausführungsform schafft die vorliegende Erfindung einen Modulator, der Elemente in einer Kombination und Konfiguration aufweist, die gleichzeitig den elektrischen Widerstand und die Induktivität im Primärwicklungsschaltkreis seines zugehörigen Mikrowellenröhrenmodulatorausgangstransformators minimiert und das Kombinieren von Modulatoreinheiten erleichtert, um den Ausgangstransformator mit inkremental erhöhten Mengen von Energie zu versorgen.
  • Die hier zu beschreibende Ausführungsform schafft einen Modulator, der die Primärwicklungen von zweckmäßig ausgewählten Transformatoren mit Hochspannungspulsen mit kurzen Anstiegs- und Abfallszeiten versorgen kann, wobei die Transformatoren mit einer groben Zahl verschiedener Mikrowellensenderöhren verbunden sein können, wie bspw. Magnetrons, gepulsten Cavity- Oszillatoren, Querfeldverstärkern und Wanderwellenröhren (TWTs).
  • Die bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bevorzugt einen Modulator mit einer Mehrzahl von Platten, die zuni Anbringen von Komponenten wie Transistoren und Transformatoren benutzt werden, so dap die kritischen Distanzen zwischen den Komponenten minimiert sind und so zur Minimierung des elektrischen Widerstands und der Induktivität in der zugehörigen Schaltung beigetragen wird.
  • Die bevorzugte Ausführungsform des Modulators weist eine Mehrzahl von Platten auf, die zum Anbringen von Komponenten benutzt werden, so daß die Platten als elektrische Leiter zwischen gemeinsamen Elementen der Komponenten fungieren, um so zusätzlich zur Minimierung des elektrischen Widerstands und der Induktivität in der zugehörigen Schaltung beizutragen.
  • Die bevorzugte Ausführungsform des Modulators weist eine Konfiguration auf, die das Kombinieren mit ähnlichen Modulatoren erlaubt, um inkremental größere Mengen von Energie zu erzeugen.
  • Die bevorzugte Ausführungsform des Modulators kann durch Kombinieren einer angemessenen Anzahl von Modulatoreinheiten und durch Gebrauchen geeigneter Ausgangstransformatoren an eine große Anzahl von Mikrowellensenderöhren angepaßt werden.
  • Die bevorzugte Ausführungsform des Modulators ist verhältsmäßig klein und verhältnismäßig einfach herzustellen und zu warten.
  • Die bevorzugte Ausführungsform der Erfindung wird nun anhand eines Beispiels und unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, in denen gleiche Bezugszeichen gleiche Teile in allen Figuren bezeichnen. Es zeigen:
  • Fig. 1 eine perspektivische Ansicht von vier Mikrowellenröhrenmodulatoreinheiten, die mit einem Mikrowellenröhrenausgangstransformator verbunden sind und die Merkmale der Erfindung verkörpern;
  • Fig. 2 eine perspektivische Ansicht, die die gegenüberliegende Seite einer der Einheiten aus Fig. 1 zeigt;
  • Fig. 3 eine Seitenansicht, teilweise im Schnitt, entlang der Linie 3-3 in Fig. 2;
  • Fig. 4 eine rückseitige Ansicht einer der Platten des Modulators.
  • Im wesentlichen ist der Mikrowellenröhrenmodulator auf und zwischen drei Hauptplatten und zwei kleineren Platten montiert. Die Platten dienen als Träger für die Komponenten und gleichzeitig als elektrische Leiter geringen Widerstands zwischen gemeinsamen Elementen dieser Komponenten. Die Platte und Komponenten sind so angeordnet, daß die Abstände zwischen den Komponenten im Primärschaltkreis eines zugehörigen Ausgangstransformators minmiert sind, wodurch der elektrische Widerstand und die Induktivität minimiert wird, und daß das Kombinieren einer Anzahl von Modulatoreinheiten erleichtert wird, um inkremental ansteigende Energie zum Treiben eines Ausgangstransformators zu erzeugen.
  • In Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht von vier Mikrowellenmodulatoreinheiten gezeigt, die grundsätzlich mit den Bezugszeichen 10 bezeichnet sind. Jede Modulatoreinheit 10 weist eine erste Platte 12, eine zweite Platte 14 in dazu beabstandeter Nebeneinanderlage, und eine dritte Platte 16 in fortlaufend beabstandeter Nebeneinanderlage zu der ersten Platte 12 und der zweiten Platte 14 auf. Die Platten 12, 14 und 16 sind voneinander elektrisch isoliert.
  • Fig. 2 ist eine perspektivische Ansicht von der gegenüberliegenden Richtung einer der Modulatoreinheiten 10, Fig. 3 ist eine Seitenansicht entlang der Linie 3-3 in Fig. 2. Ein zugehöriger Ausgangstransformator 18 ist in Fig. 3 gezeigt. Die erste Platte 12 ist an dem ersten Ende 20 der Primärwicklung des Transformators 18 mit Schrauben 22 befestigt, die dritte Platte 16 ist an dem zweiten Ende 24 der Primärwicklung des Transformators 18 mit Schrauben 26 befestigt. Die zweite Platte 14 ist an der dritten Platte 16 mittels Streben 28 befestigt, ist aber von der zweiten Platte 14 und dem zweiten Ende 24 der Transformatorprimärwicklung elektrisch isoliert. Zwischen der esten Platte 12 und der zweiten Platte 14 erstreckt sich eine Anzahl von Primärstromspeicherkondensatoren 30, die mit der ersten Platte 12 und mit der zweiten Platte 14 verbunden sind. Die erste Platte 12 und die zweite Platte 14 dienen als Träger und als elektrische Leiter geringen Widerstands für die Kondensatoren 30, wobei die erste Platte 12 mit einer Quelle positiver Spannung und die zweite Platte 14 mit Masse verbunden ist.
  • Auf der dritten Platte 16 ist eine Mehrzahl von Leistungstransistoren 32 angebracht, die Feldeffekttransistoren (FET's) sein können. Die Transistoren 32 sind in Parallelschaltung verbunden und der Drain-Anschluß eines jeden ist mit der dritten Platte 16 verbunden. Die Transistoren 32 sind in einer gemeinsamen Gate-Konfiguration verbunden, um die Effekte der Drain- zu-Gate-Kapazität zu minimieren und so die Transistorschaltgeschwindigkeit zu erhöhen. Die Platte 16 dient sowohl als Träger für die Transistoren 32 als auch als elektrischer Leiter geringen Widerstands zwischen den Drain- Anschlüssen der Transistoren 32 und dem zweiten Ende 24 der Primärwicklung des Ausgangstransformators 18. Wie in Fig. 2 zu erkennen ist, sind die Transistoren 32 zueinander dicht benachbart angeordnet, um die Abstände zwischen Verbindungen zu ihren jeweiligen Anschlüssen zu minimieren.
  • Auf der zweiten Platte 14 ist eine Mehrzahl von Treibertransistoren 42 angebracht, die Feldeffekttransistoren sein können. Die Treibertransistoren 42 sind in Parallelschaltung verbunden und der Source-Anschluß eines jeden ist über Sicherungswiderstände (nicht gezeigt) mit der zweiten Platte 14 verbunden. Die zweite Platte 14 dient sowohl als Träger für die Transistoren 42 als auch als elektrischer Leiter geringen Widerstands zwischen den Source-Anschluß-Sicherungwiderständen und Masse. Die Drain- Anschlüsse der Treibertransistoren 42 sind mit einem ersten Ende der Primärwicklung eines Kopplungstransformators 38 verbunden der mittig auf der zweiten Platte 14 angebracht ist. Das zweite Ende der Primärwicklung des Kopplungstransformators 38 ist mit einer Quelle positiver Spannung verbunden. Die Gate-Anschlüsse der Treibertransistoren 42 sind über Widerstände mit einem ersten Ende einer Rückkopplungswicklung des Kopplungstransformators 38 verbunden, das zweite Ende der Rückkopplungswicklung ist mit Masse verbunden. Die Treibertransistoren 42 und die zugehörigen Widerstände bilden eine Treiberschaltung, die ankommende Signale verstärkt, bevor sie in den Primärwicklungsschaltkreis des Ausgangstransformators 18 über den Kopplungstransformator 38 eingespeist werden.
  • Fig. 4 ist eine Ansicht der Oberfläche der dritten Platte 16, die der zweiten Platte 14 gegenübersteht. Wie in der Fig. 3 und 4 gezeigt ist, ist eine vierte Platte 34 dicht benachbart der dritten Platte 16 angebracht, ist aber davon elektrisch isoliert und getrennt mittels eines Isolators 36. Die vierte Platte 34 ist über Sicherungswiderstände (lediglich schematisch gezeigt in Fig. 3) mit dem Source-Anschluß eines jeden der Transistoren 32 verbunden und dient als Leiter geringen Widerstands zwischen den Source-Sicherungswiderständen und einem Ende der Ausgangswicklung eines Transformators 38, der einen Treiberverstärker an den Primärwicklungsschaltkreis des Modulators 10 koppelt.
  • Eine fünfte Platte 40 ist dicht benachbart der dritten Platte 16 angebracht, ist aber davon ebenfalls elektrisch isoliert und getrennt mittels eines Isolators 36. Die fünfte Platte 40 ist über Störschwingungsbegrenzungswiderstände (lediglich schematisch gezeigt in Fig. 3) mit dem Gate- Anschluß eines jeden Transistors 32 verbunden und dient als Leiter geringen Widerstands zwischen den Gate-Widerständen und Masse.
  • In der in Fig. 1 und 3 gezeigten Ausführungsform der Erfindung können bis zu vier Modulatoreinheiten 10 an einem Ausgangstransformator 18 angebracht werden, um vier inkrementale Niveaus von elektrischer Energie zu erzeugen. Die erste Platte 12 eines jeden Modulators 10 kann an dem ersten Ende 20 der Primärwicklung des Transformators 18 mittels Schrauben 22 angebracht werden, die dritte Platte 16 eines jeden Modulators 10 kann an dem zweiten Ende 24 der Primärwicklung des Transformators 18 mittels Schrauben 26 angebracht werden. Solch eine Konfiguration bringt die Komponenten im Primärwicklungsschaltkreis des Transformators 18 dicht benachbart zueinander und mit den Kontaktenden 20 und 24 der Primärwicklung des Ausgangstransformators 18 wodurch die Strompfade kurz und der davon abhängige Widerstand und die Induktivität bei einem Minimum gehalten werden.
  • Um die Möglichkeit einer Verletzung durch einen elektrischen Schlag bei Anwendungen zu vermeiden, bei denen eine gewisse Wahrscheinlichkeit besteht, das Bedienungspersonal in der Nähe einer freiliegenden Modulatoreinrichtung arbeiten muß, können die Platten so angeordnet werden, daß die innerste Platte diejenige ist, die mit einer Spannungsquelle verbunden ist und daß die äußerste Platte mit Masse verbunden ist.

Claims (38)

1. Verfahren zum Packen von Leistungstransistoren (32) zu einem effektiven Modul im Primärwicklungsschaltkreis eines Ausgangstransformators (18) eines Mikrowellenröhrenmodulators, um den elektrischen Widerstand und die Induktivität in dem Primärwicklungsschaltkreis zu minimieren, gekennzeichnet durch Verbinden einer ersten Platte (12) mit einem ersten Ende (20) der Primärwicklung des Ausgangstransformators des Mikrowellenröhrenmodulators, wobei die erste Platte (12) zur Verbindung mit einer Quelle positiver Spannung eingerichtet ist; Anbringen einer zweiten Platte (14) in beabstandeter Nebeneinanderlage zur ersten Platte (12), wobei die zweite Platte (14) zur Verbindung mit Masse eingerichtet ist; Anbringen einer dritten Platte (16) in fortlaufend beabstandeter Nebeneinanderlage zu der ersten Platte (12) und der zweiten Platte (14), und Verbinden der dritten Platte (16) mit einem zweiten Ende (24) der Primärwicklung des Ausgangstransformators; und Anbringen einer Mehrzahl von Leistungstransistoren (32) des Primärwicklungsschaltkreises des Ausgangstransformators auf der dritten Platte (16) in kleinstmöglichen Abständen von dem zweiten Ende (24) der Primärwicklung des Ausgangstransformators, und Verbinden eines ersten Anschlusses eines jeden der Leistungstransistoren (32) mit der dritten Platte (16) und daher effektiv mit dem zweiten Ende (24) der Primärwicklung des Ausgangstransformators, wobei die erste Platte (12) einen Pfad geringen Widerstands für Stromfluß zwischen der Primärwicklung des Ausgangstransformators und der Quelle positiver Spannung bildet, wobei die dritte Platte (16) einen Pfad geringen Widerstands für Stromfluß zwischen den ersten Anschlüssen der Leistungstransistoren (32) und der Primärwicklung des Ausgangstransformators bildet, und wobei die ersten und dritten Platten (12 bzw. 16) ebenfalls die Induktivität im Primärwicklungsschaltkreis des Ausgangstransformators minimieren.
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch den Schritt das Verbindens der Leistungstransistoren (32) in Parallelschaltung.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch den Schritt des Anbringens eines Kopplungstransformators (38) mit einer Primärwicklung, einer Rückkopplungswicklung und einer Sekundärwicklung an der zweiten Platte (14), wobei die Primärwicklung ein erstes Ende und eine zweites Ende aufweist, wobei die Rückkopplungswicklung ein gemeinsames Ende zur Verbindung mit Masse und ein Ausgangsende aufweist, und wobei die Sekundärwicklung ein gemeinsames Ende zur Verbindung mit Masse und eine Ausgangsende aufweist.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Ende der Primärwicklung des Kopplungstransformators (38) zur Verbindung mit der Quelle positiver Spannung eingerichtet ist.
5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Kopplungstransformator (38) mittig auf der zweiten Platte (14) und zwischen der zweiten Platte (14) und der dritten Platte (16) angebracht ist.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenen Ansprüche, gekennzeichnet durch den Schritt des Anbringens einer vierten Platte (34) in beabstandeter Nebeneinanderlage zu und elektrisch isoliert von der dritten Platte (16), und Verbinden der vierten Platte (34) über jeweilige Sicherungswiderstände mit einem zweiten Anschluß eines jeden der Leistungstransistoren (32).
7. Verfahren nach Anspruch 6, gekennzeichnet durch den Schritt des Verbindens der vierten Platte (34) mit dem Ausgangsende der Sekundärwicklung des Kopplungstransformators (38).
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, gekennzeichnet durch den Schritt des Anbringens einer fünften Platte (40) in beabstandeter Nebeneinanderlage zu der dritten Platte (16) und elektrisch isoliert von der dritten Platte (16) und der vierten Platte (34), und Verbinden der fünften Platte (40) über jeweilige Störbegrenzungswiderstände mit dem dritten Anschluß der Leistungstransistoren (32).
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die fünfte Platte (40) zur Verbindung mit Masse eingerichtet ist.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch den Schritt des Verbindens einer Mehrzahl von Kondensatoren (30) zwischen der ersten Platte (12) und der zweiten Platte (14), so daß die Verbindungen sowohl einen elektrischen Durchgang als auch eine mechanische Abstützung für die Kondensatoren (30) bilden.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch den Schritt des Anbringens einer Mehrzahl von Treibertransistoren (42) auf der zweiten Platte (14).
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Treibertransistoren (42) miteinander in Parallelschaltung verbunden sind.
13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Treibertransistoren (42) Feldeffekttransistoren sind.
14. Verfahren nach Anspruch 13, gekennzeichnet durch den Schritt des Verbindens der Treibertransistoren (42) in einer gemeinsamen Source- Konfiguration, wobei der Source-Anschluß eines jeden der Treibertransistoren (42) über einen jeweiligen Sicherungswiderstand mit der zweiten Platte (14) verbunden wird und so im Gebrauch effektiv mit Masse verbunden wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, gekennzeichnet durch den Schritt des Verbindens der Drain-Anschlüsse der Feldeffekt-Treibertransitoren (42) mit dem ersten Ende der Primärwicklung des Kopplungstransformators (38).
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, gekennzeichnet durch den Schritt des Verbindens des Augsgangsendes der Rückkopplungswicklung des Kopplungstransformators (38) über jeweilige Widerstände mit den Gate-Anschlüssen der Feldeffekt-Treibertransistoren (42), wobei die Gate-Anschlüsse mit anderen jeweiligen Widerständen verbunden sind, die zur Verbindung mit einer Eingangssignalquelle eingerichtet sind.
17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungstransistoren (32) Feldeffekttransistoren sind und daß die ersten Anschlüsse die Drain-Anschlüsse der Feldeffekttransistoren sind.
18. Verfahren nach Anspruch 17, gekennzeichnet durch den Schritt des Verbindens der Feldeffekttransistoren (32) in einer gemeinsamen Gate- Konfiguration, um die Effekte der Drain-zu-Gate-Kapazität zu minimieren und so die Schaltgeschwindigkeit der Transistoren zu erhöhen, wobei der Drain-Anschluß eines jeden der Leistungstransistoren mit der dritten Platte (16) verbunden ist und so effektiv mit dem zweiten Ende (24) der Primärwicklung des Ausgangstransformators verbunden ist.
19. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch den Schritt des Verbindens einer Mehrzahl von Modulen (10) mit einem einzigen Ausgangstransformator (18) des Mikrowellenröhrenmodulators, um so die für dessen Betrieb verfügbare elektrische Energie zu erhöhen.
20. Mikrowellenröhrenmodulator (10) mit einer effektiven Anordung von Leistungstransistoren (32) im Primärwicklungsschaltkreis eines Ausgangstransformators (18) des Mikrowellenröhrenmodulators, um den elektrischen Widerstand und die Induktivität im Primärwicklungsschaltkreis zu minimieren, dadurch gekennzeichnet, daß der Modulator (10) aufweist: eine erste Platte (12), die mit einem ersten Ende (20) der Primärwicklung des Ausgangstransformators des Mikrowellenröhrenmodulators verbunden ist und zur Verbindung mit einer Quelle positiver Spannung eingerichtet ist; eine zweite Platte (14), die in beabstandeter Nebeneinanderlage zu der ersten Platte (12) angeordnet und zur Verbindung mit Masse eingerichtet ist; eine dritte Platte (16), die in fortlaufend beabstandeter Nebeneinanderlage zu der ersten Platte (12) und der zweiten Platte (14) angeordnet ist, wobei die dritte Platte (16) mit einem zweiten Ende (24) der Ausgangstransformatorprimärwicklung verbunden ist; und eine Mehrzahl von Leistungstransistoren (32) des Ausgangstransformatorprimärwickl ungsschaltkrei ses, die auf der dritten Platte (16) in kleinstmöglichen Abständen von dem zweiten Ende (24) der Ausgangstransformatorprimärwicklung angebracht sind, wobei ein erster Anschluß eines jeden der Leistungstransistoren (32) mit der dritten Platte (16) verbunden ist und deswegen effektiv mit dem zweiten Ende (24) der Ausgangstransformatorprimärwicklung verbunden ist, wobei die erste Platte (12) einen Pfad geringen Widerstands für Stromfluß zwischen der Ausgangstransformatorprimärwicklung und der Quelle positiver Spannung bildet, wobei die dritte Platte (16) einen Pfad geringen Widerstands für Stromfluß zwischen den ersten Anschlüssen der Leistungstransistoren (32) und der Ausgangstransformatorprimärwicklung bildet, wobei die ersten und dritten Platten (12 und 16) ebenfalls die Induktivität in dem Ausgangstransformatorprimärwicklungsschaltkreis minimieren.
21. Modulator nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungstransistoren (32) in Parallelschaltung verbunden sind.
22. Modulator nach Anspruch 20 und 21, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kopplungstransformator (38) an der zweiten Platte (14) angebracht ist, wobei der Kopplungstransformator (38) eine Primärwicklung, eine Rückkopplungswicklung und eine Sekundärwicklung aufweist, wobei die Primärwicklung ein erstes Ende und ein zweites Ende aufweist, wobei die Rückkopplungswicklung ein gemeinsames Ende und ein Ausgangsende aufweist, wobei das gemeinsame Ende zur Verbindung mit Masse eingerichtet ist, wobei die Sekundärwicklung ein gemeinsames Ende und ein Ausgangsende aufweist, wobei das gemeinsame Ende zur Verbindung mit Masse eingerichtet ist.
23. Modulator nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß der Kopplungstransformator (38) mittig auf der zweiten Platte (14) und zwischen der zweiten Platte (14) und der dritten Platte (16) angebracht ist.
24. Moldulator nach Anspruch 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Ende der Primärwicklung des Kopplungstransformators (38) zur Verbindung mit der Quelle positiver Spannung eingerichtet ist.
25. Modulator nach einem der Ansprüche 20 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß eine vierte Platte (34) in beabstandeter Nebeneinanderlage zu und elektrisch isoliert von der dritten Platte (16) angeordnet ist, wobei die vierte Platte (34) über jeweilige Sicherungswiderstände mit dem zweiten Anschluß eines jeden der Leistungstransistoren (32) verbunden ist.
26. Modulator nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die vierte Platte (34) mit dem Ausgangsende der Sekundärwicklung des Kopplungstransformators (38) verbunden ist.
27. Modulator nach Anspruch 25 oder 26, dadurch gekennzeichnet, daß eine fünfte Platte (40) in beabstandeter Nebeneinanderlage zu der dritten Platte (16) und elektrisch isoliert von der dritten Platte (16) und der vierten Platte (34) angeordnet ist, wobei die fünfte Platte (40) über jeweilige Störbegrenzungswiderstände mit den dritten Anschlüssen der Leistungstransistoren (32) verbunden ist.
28. Modulator nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß die fünfte Platte (40) zur Verbindung mit Masse eingerichtet ist.
29. Modulator nach einem der Ansprüchen 20 bis 28, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mehrzahl von Kondensatoren (30) zwischen der ersten Platte (12) und der zweiten Platte (14) verbunden sind, so daß die Verbindungen sowohl einen elektrischen Durchgang als auch eine mechanische Abstützung für die Kondensatoren (30) bilden.
30. Modulator nach einem der Ansprüche 20 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mehrzahl von Treibertransistoren (42) auf der zweiten Platte (14) angebracht ist.
31. Modulator nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, daß die Treibertransistoren (42) in Parallelschaltung verbunden sind.
32. Modulator nach Anspruch 30 oder 31, dadurch gekennzeichnet, daß die Treibertransistoren (42) Feldeffekttransistoren sind.
33. Modulator nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß die Treibertransistoren (42) in einer gemeinsamen Source-Konfiguration verbunden sind, wobei der Source-Anschluß eines jeden der Treibertransistoren (42) über einen jeweiligen Sicherungswiderstand mit der zweiten Platte (14) verbunden ist und deswegen im Gebrauch effektiv mit Masse verbunden ist.
34. Modulator nach Anspurch 32 oder 33, dadurch gekennzeichnet, daß die Drain-Anschlüsse der Treiber-Feldeffekttransistoren (42) mit dem ersten Ende der Primärwicklung des Kopplungstransformators (38) verbunden sind.
35. Modulator nach einem der Ansprüche 30 bis 34, daduch gekennzeichnet, daß das Ausgangsende der Rückkopplungswicklung des Kopplungstransformators (38) über jeweilige Widerstände mit den Gate-Anschlüssen der Treibertransistoren (42) verbunden ist, wobei die Gate-Anschlüsse mit anderen jeweiligen Widerständen verbunden sind, die zur Verbindung mit einer Eingangssignalquelle eingerichtet sind.
36. Modulator nach einem der Anspruch 20 bis 35, dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungstransistoren (32) Feldeffekttransistoren sind und dar die ersten Anschlüsse die Drain-Anschlüsse der Feldeffekttransistoren sind.
37. Modulator nach Anspruch 36, dadurch gekennzeichnet, daß die Leistungstransistoren (32) in einer gemeinsamen Gate-Konfiguration verbunden sind, um die Effekte der Drain-zu-Gate-Kapazität zu minimieren und dadurch die Schaltgeschwindigkeit der Transistoren zu erhöhen, wobei der Drain-Anschluß eines jeden der Leistungstransistoren (32) mit der dritten Platte (16) verbunden ist und deswegen effektiv mit dem zweiten Ende (24) der Ausgangstransformatorprimärwicklung verbunden ist.
38. Modulator nach einem der Ansprüche 20 bis 37, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mehrzahl von Modulen (10) mit einem einzigen Ausgangstransformator (18) des Mikrowellenröhrenmodulators verbunden sind, um die für dessen Betrieb verfügbare elektrische Energie zu erhöhen.
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