DE2532670A1 - Leistungsverstaerker, aufgebaut als hybride mikroelektronik-einheit - Google Patents

Leistungsverstaerker, aufgebaut als hybride mikroelektronik-einheit

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Description

PATENTANWALT
6 Fra.......; air: Λ,ιίί,ι 70
Schneckenhorstr. 27- Tel. 6)7079
2i. Juli 1975
MOTOROLA, INC. Gzw/goe
Leistungsverstärker, aufgebaut als hybride Mikroelektronik-Einheit
Die Erfindung bezieht sich auf einen Leistungsverstärker, der als hybride Mikroelektronik-Einheit aufgebaut ist.
Die Erfindung findet vorzugsweise bei tragbaren Hochfrequenzsendern Verwendung. Derartige tragbare Hochfrequenzsender, die in der Hand des Benutzers gehalten werden, sind an sich bekannt. Sie besitzen jedoch eine begrenzte Leistung und sind unhandlich, in bekannten Einheiten wurden Übertragungsleitungen in Mikro-Streifenleitertechnik zur Impedanzanpassung verwendet, jedoch sind solche Übertragungsleitungen in hohen Frequenzbereichen zu umfangreich und weisen zudem eine niedrige Wirksamkeit auf. Für das Arbeiten bei einem relativ hohen Leistungspegel weisen die Mikro-Streifen-übertragungsleitungen zu hohe Einfügungsverluste auf, wobei diese Verluste ^
beträchtlich ansteigen, wenn etwas Unsymmetrie in den Leitungen vorhanden ist. Weiterhin war es schwierig, die bekannten Schaltkreise nach dem Zusammenbau der Bauelemente noch nachträglich abzustimmen.
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Obgleich Hochfrequenz-Yerstärkerstufen in bekannter Weise als Module ausgebildet sind, war es bisher notwendig gewesen, solche Module in einem Chassis zu befestigen, und zwar in einer Weise, um eine angemessene Masseverarbeitung für den Kreis und eine ausreichende Wärmesenke für die aktiven Elemente des Kreises vorzusehen. Ein weiteres Problem resultierte daraus, daß der Leistungsverstärker in ein leitfähiges Gehäuse gebracht wurde, durch das die Induktivität und der Q-Wert der Spulen beträchtlich geändert wurde und außerdem die Verkopplung zwischen den Spulen eine ungünstige Zwischenwirkung hatte.
Es ist daher die Aufgabe der Erfindung, eine kleine, sehr wirksame, in sich geschlossene Hochfrequenz-Leistungsverstärkerstufe vorzusehen, und zwar speziell in Form eines Steck-Moduls, dessen Gehäuse eine Wärmesenke bildet und das ausreichend mit Masse verbunden ist.
Ein weiteres Objekt der Erfindung ist, den Hochfrequenz-Verstär-
■>
ker so aufzubauen, daß er präzise abgestimmt werden kann, nachdem die gesamte Einheit zusammengebaut ist und die keine weitere Abstimmung erfordert, wenn die Einheit in ein anderes Gerät eingebaut ist.
Diese Aufgaben werden gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß der Hochfrequenz-Leistungsverstärker eine in sich geschlossene hybride
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Mikro-Elektronikeinheit ist, die zunächst aus einem flachen keramischen Träger besteht, auf dem Leiterbahnen und Bauelemente, angeordnet sind und der durch ein leitendes Gehäuse umgeben ist, das einen geerdeten Schild und eine Wärmesenke darstellt. Der Träger ist eine flache, rechteckige, keramische Platte mit einer kontinuierlichen leitfähigen Beschichtung auf der einen Seite, die auf der Basis des Gehäuses aufliegt und mit ihr elektrisch verbunden ist. Eine Vielzahl von Leitern ist ,auf der entgegengesetzten Seite des keramischen Plättchens so ausgebildet und angeordnet . daß sie ein vorbestimmtes Muster bilden. Einer dieser Leiter ist durch öffnungen in dem Träger hindurch zu der kontinuierlichen Beschichtung durchverbunden, um die Masseverbindungen für die Bauelemente auf dem Träger zu gewährleisten. Die Bauelemente sind zunächst ein Transistorblock, dessen Kollektorelektrode direkt mit einem Leiter auf dem Träger verbunden ist. Eine Vielzahl von induktiven Leiterbahnen ist vorgesehen, die ein Trimmsegment besitzen zwecks Einstellung der Induktivität nach Zusammenbau der Bauelemente auf dem Träger. Eine Vielzahl von Chip-Kondensatoren ist zwischen die Leiter geschaltet; Luftspulen, ein als Chip ausgebildetes induktives Bauelement und Widerstände sind ebenfalls zwischen die Leiter geschaltet. Leitfähige Streifen bilden Brücken zum Verbinden von Leitern, die von Zwischenleitern auf dem Träger getrennt sind. Das Gehäuse besitzt einen leitfähigen Teil, der die Basis des Gehäuses bildet und drei Seitenwände, die Aufnahmen für eine vierte isolierende Wand
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besitzen, in welcher Anschlüsse befestigt sind. Eine leitfähige Platte schließt die Oberseite des Gehäuses ab, so daß dieses ein ■■ komplettes Gehäuse für den Träger bzw. für die darauf befindlichen Komponenten bildet. Die in sich geschlossene Einheit bildet einen Steck-Modul mit Bohrungen in dem Gehäuse zur Aufnahme von Masseverbindungsstiften und/oder Clips und mit Stiften an dem keramischen Träger zwecks Herstellung von Verbindungen zu dem Verstärker.
Anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels der Erfindung soll diese näher beschrieben werden.
Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf den Hochfrequenz-Leistungsverstärker gemäß der Erfindung mit abgenommener oberer Abdeckung, um die auf dem Träger befindlichen Bauelemente hervortreten zu lassen,
Fig. 2 eine Rückansicht des Gehäuses der Verstärkereinheit,v
Flg. 3 einen Schnitt der Verstärkereinheit nach Fig. 1 entlang der Schnittlinie 3-3,
Fig. 4 ein Schaltkreis für einen Leistungsverstärker, und
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Fig. 5 eine vergrößerte Ansicht des Leiterbahnmusters auf dem keramischen Träger und die Verbindung der Bauelemente mit diesem Leiterbahnmuster.
Die Fig. 1, 2 und 3 erläutern den Aufbau des Hochfrequenz-LeistungsVerstärkers nach der Erfindung. Er weist einen keramischen Träger 10 in der Form eines flachen rechteckigen Plättchens auf. Dieses Plättchen ist an der Unterseite vollständig mit einem leitfähigen Überzug 12 bedeckt (Fig. 3) und besitzt leitfähige Teile 14 auf der Oberseite, deren Gestalt und Anordnung aus der Fig. 5 hervorgehen. Auf der Oberseite des Träger-Plättchens 10 sind die elektronischen Bauelemente angeordnet und mit den leitl'ähigen Teilen l*i verbunden. Die im speziellen verwendeten Bauelemente sowie ihre Verbindung untereinander v/erden später noch im einzelnen erläutert.
leitenden .
Die Verstärkereinheit befindet sich in einem/Gehäuse 16, das ein Grundteil 18 mit einem erhöhten zentralen Teil 19 aufweist,, auf dem sich der Träger 10 befindet und das elektrisch mit dem unterseitigen überzug 12 verbunden ist. Das Gehäuse hat außerdem eine Rückwand 20 und Seitenwände 21, 22 von beachtlicher Dicke. Das Grundteil und die Wände des Gehäuses weisen eine beträchtliche Masse auf und bilden somit eine wirksame Wärmesenke für die auf dem Träger vorgesehenen Transistoren oder sonstige merklich war-
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meerzeugende Bauteile, An der der Wand 20 gegenüberliegenden Seite befindet sich ein isolierender Abschluß 23> durch den sich Anschlüsse 26, 27, 28 erstrecken. Der isolierende Abschluß ist in Schlitzen 24, die sich an den frontseitigen Binden der Seitenwände 21, 22 erstrecken, gehaltert. Die Anschlüsse 26 bis 28 sind mit den Leitern 14 der Plättchenoberseite verbunden. Schließlich weist das Gehäuse 16 noch ein Oberteil 29 aus leitfähigem Material auf, das in Ausnehmungen am Ende der Wände 20, ' 21, 22 eingepaßt und dort verlötet ist. Das Oberteil erstreckt sich, wie die Fig. 3 erkennen läßt, auch über die Spitze des Abschlußteils 23 und hält dieses an seinem Platz.
Der Leistungsverstärker bildet einen hybriden Mikro-Elektronik-Steck-Modul, der von einem Chassis 11 getragen v/erden kann (Fig. 1). Das Chassis weist Steckfassungen 13 zur Aufnahme der Steckerstifte 26, 27, 28 zwecks Herstellen einer elektrischen Verbindung zur Verstärkereinheit auf. Die Seitenwände 21, 22 des Gehäuses l6 weisen öffnungen 15 zur Aufnahme von leltfähigen^
Stiften 17, die am Chassis 11 befestigt sind, auf. Diese Stifte 17 dienen zur Herstellung der Masseverbindung zum Chassis und können auch eine Wärmeleitung zum Chassis herstellen, wenngleich das Gehäuse selbst die Wärmeleitung in der Hauptsache bewerkstelligt. Wie die Fig. 1 und 2 zeigen, besitzt die Gehäusewand an ihrer Außenseite eine Ausnehmung 25, die einen leitfähigen Clip 37 aufnehmen kann zwecks Herstellen einer guten elektrischen
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Verbindung zum benachbarten Modul. Wie die Fig» I zeigt, sind die Stifte 17 länger als die Steckerstifte 26 bis 28. Dementsprechend führen die Stifte 17 den Modul beim Anbringen auf dem Chassis zur Erleichterung des Einbringens der Steckerstifte 26 bis 28 in die Steckfassungen 13.
Die Fig. i\ zeigt ein Schaltbild eines Leistungsverstärkers gemäß der Erfindung, jedoch ist hervorzuheben, daß die Erfindung keineswegs auf die spezifische Schaltung nach Fig. 4 beschränkt ist. Das Eingangssignal am Anschluß 26 gelangt über einen Koppelkondensator 30 an einen abgestimmten Eingangskreis, bestehend aus den Kondensatoren 31, 32 und den Induktionsspulen 33, 3^. Das Ausgangssignal dieses abgestimmten Kreises bildet sich am Widerstand 35 und wird der Basis eines Transistors 36 zugeführt. Der Emitter dieses Transistors ist mit Masse, und der Kollektor über die Drosselspule 38 mit der Klemme 27 verbunden, an der der positive Pol der Versorgungsspannung anliegt.
Es ist zweckmäßig, parallel zur Drossel einen Widerstand 39 zu schalten, Versorgungsstrom wird durch den Kondensator kO geleitet. Das Ausgangssignal des Transistors 36, abgenommen am Kollektor, gelangt auf einen abgestimmten Ausgangskreis, bestehend aus den Kondensatoren 4l, 42 und 43, sowie den Induktionsspulen 44 und 45. Der Ausgangskoppelkondensator 47 gibt die verstärkten Hochfrequenzsignale an die Ausgangsklemme 28
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weiter, wobei zwischen dieser Klemme und Masse ein Widerstand 48 geschaltet ist. Der Verstärker weist weiterhin einen Gegenkoppelkreis auf, bestehend aus dem Kondensator 50 und dem Widerstand 51,der von dem Kollektor zur Basis des Transistors 36 führt und in bekannter Weise den Verstärker stabilisiert.
Die Fig. 5 zeigt die' Leiter 14 an der Oberseite des Trägers 10 im Detail in Verbindung mit den Anschlüssen 26, 27, 28, d.h. die technische Realisierung der Schaltung nach Fig. 4. Der Anschluß 26 ist mit dem Leiter 55 verbunden, der einer der Leiter Ik auf der Oberseite des Trägers 10 ist. Der Kondensator 30, zweckmäßig ausgebildet als monolithischer Chip-Kondensator, liegt zwischen den Leitern 55 und 56, wobei letzterer wiederum ein Teil des erwähnten Leiters lH darstellt. Zwischen dem Leiter 56 und dem Leiter 58 liegt ein weiterer Kondensator, der Kondensator 31 der Fig. 4, der ebenfalls ein monolithischer Chip-Kondensator sein kann. Die Leiterbahn 58 führt das Massepotential und erstreckt sich in der Form eines liegenden U im Zentrum >devs Plättchens 10. Die Leiterbahn ist zudem mittels das Plättchen durchdringender Leiter mit der Beschichtung 12 an der Unterseite des Plättchens verbunden, die ihrerseits elektrisch mit dem leitfähigen Gehäuse 20 verbunden ist, wodurch eine sehr gute Masseverbindung zwischen der Leiterbahn 58 über den Leiter 12 zu dem Gehäuse 20 gegeben ist.
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Die Spule 33 der Pig. 4 wird durch eine spiralförmige Leiterbahn 60,
Plättchens 10 die einen Teil der Leiter 14 darstellt,auf der Oberseite des / gebildet. Ein flacher eingelöteter Leiterstrelfen 65 verbindet die Leiterbahn 56 mit dem Zentrum 6l der Spirale, wobei dieser Streifen die Bahnen 62, 63 der Spirale isoliert überbrückt. Die Spiralbahn 60 weist eine Schleife 66 auf in Verbindung mit zahlreichen Trimm-Streifen 67, die die Schleifenbahn 66 überbrücken. Die Trimm-Streifen können je nach dem einzustellenden Wert der Induktivität aufgetrennt werden, z.B. indem sie mittels eines Laserstrahls durchschnitten werden. Dieser Vorgang kann noch durchgeführt werden, nachdem bereits alle Bauelemente auf dem Träger montiert sind, da der Laserstrahl beim Schneiden der Streifen den Träger nicht soweit heizt, daß die Lötverbindungen zu den Leiterbahnen 14 zerstört würden. Die Leiterbahnteile 66,
67 der Spule 60 bilden somit quasi eine Mikrostreifen-Trimmspule. Die Spulen-Spiralbahn 60 ist zwischen die Leiterbahnen 56 und
68 geschaltet. Zwischen dem Leiter 68 und dem Leiter 70 liegt eine weitere Induktionsspule 72, ebenfalls Teil des Leitersystems 14 auf der Oberseite des Trägers 10. Die die Induktionsspule bildende Leiterbahn hat eine solche Konfiguration, daß verschiedene Teile aufgetrennt werden können, um die Induktivität zu ändern. Die Induktionsspule 72 besitzt zunächst einen Leiterbahnteil 73, die sich von dem Leiter 68 zu einem Paar von Überbrückungsteilen Tk und 75 erstreckt, welche mit dem Teil 78 verbunden sind, der seinerseits mit dem Leiter 70 in Verbindung steht. Der Leiter-
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bahnteil 73 erstreckt sich an den Überbrückungsteilen 75 vorbei, um dann in den Verbindungsteil γβ überzugehen, der seinerseits mit dem Teil 77 unter Bildung einer mit dem Teil 70 verbundenen Schleife in Verbindung steht. Die Bahn 78 zweigt vom Bahnteil 77 ab und ist ebenfalls mit dem Leiter 70 verbunden.
Es ist augenscheinlich, daß durch Auftrennung von ein oder mehreren Überbrückungsteilen der Wert der Induktivität geändert werden kann.
Zwischen dem Leiterbahnteil 77 und der Massebahn 58 liegt der Widerstand 35, an dem sich das Ausgangssignal des eingangsseitigen Abstimmkreises abbildet.
Die Leiterbahn 80, die als weiterer Teil der Beschichtung 14 auf der Oberfläche des Trägers vorgesehen ist, weist eine Stelle auf, die einen Tansistorblock 82 aufnehmen kann. Der Block 82 weist eine Kollektorelektrode auf, die unmittelbar mit dem Leiter ^80 verbunden ist. Die'Basiselektrode des Blockes 82 ist über die Leiter 84 mit dem Leiter 70 verbunden, um das Ausgangssignal des abgestimmten Eingangskreises aufzunehmen. Die Emitterelektrode des Blockes82istüber Leiter 86 mit dem Masseleiter 58 verbunden.
Mit dem Leiter 80, der mit dem Kollektor verbunden ist, ist ein die Induktivität der Drosselspule 38 der Fig. 4 realisierender Chip 88 verbunden. Mit der anderen Klemme ist dieser Chip mit
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dem Leiter 90 verbunden, der an die Klemme 27 angeschlossen ist. Der Induktivitätswert dieser Drossel ist nicht kritisch, solange er einen minimalen Wert übersteigt. Wie bereits früher erwähnt wurde, wird an die Klemme 27 der positive Pol der Verstärkerversorgungsspannung angeschlossen. Dieses Potential gelangt dann durch den Leiter 90 und die Drossel 88 bzw. 38 zu dem Leiter 80,
82 der mit der Kollektor-Elektrode des Transistors/verbunden ist.
Zwischen die Leiter 80 und 90 kann noch ein Widerstand 39 geschaltet sein, jedoch ist dieser Widerstand nicht unbedingt erforderlich. Zwischen den Leiter 90 und den Masseleiter 58 ist der Kondensator ho geschaltet. Zwischen dem Leiter 80 und dem Masseleiter 58 liegt der Kondensator Ul. Alle diese Kondensatoren, wie auch die nachfolgenden Kondensatoren 42, 43 können aus einem monolithischen Chip bestehen.
Zwischen die Leiter 80 und 92 ist eine Luftspule 93 geschaltet. Die Spule weist eine Vielzahl von Windungen auf und besitzt eine horizontale Achse, wenn die Spule in einer Position gemäß Fig. 1 ist. Die Spule 93 überbrückt dabei einen Teil des Masseleiters* 58. Der Leiter 92 1st mit dem Leiter Sk über einen S-förmigen Leiter 95 verbunden, der Brücken 96 und 97, verbunden zwischen benachbarten Leiterstreifen, aufweist. Es ist ersichtlich, daß eine der Brücken öder ein Teil der von ihnen überbrückten Schleife unterbrochen v/erden Kann, um die Induktivität des Leiters 95
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zu ändern. Dieser Leiter 95ist in Serie geschaltet mit der Spule 93, d.h. im Schaltkreis nach Fig. 4. Es Ist daher auch noch nach dem Zusammenbau der Einheit möglich, den Wert der Induktivität 44 zu ändern. Zwischen den Leiter 94 und den Masseleiter 58 ist der Kondensator 42 geschaltet. Eine größere Spule 100 liegt zwischen dem Leiter 94 und dem Leiter 102. Diese Spule ist um eine vertikale Achse, gewunden, wie es aus Fig. 1 zu ersehen ist, und zwar steht diese Achse senkrecht zur Achse der Spule 93. Die gegenseitige Beeinflussung der beiden Spulen ist daher so gering wie möglich. Zwischen den Leitern 102 und 104 befindet sich ein Induktiver Abschnitt 105, der eine Brücke 106 zwischen benachbarten Leiterstreifen aufweist. Es ist ersichtlich, daß durch Auftrennen der Brücke oder der überbrückten Schleife der Induktivitätswert des Abschnittes 105 geändert werden kann. Dieser induktive Abschnitt liegt in Serie mit der Spule 100 und beide bilden die Induktionsspule 45 der Fig. 3. Der Wert dieser Induktivität kann daher ebenfalls geändert werden, nachdem die Einheit zusammengebaut wurde.
Der Leiter 104 ist über den Kondensator 43 mit dem Masseleiter 58 und über den Koppelkondensator 47 mit dem Ausgangsleiter 108 verbunden.
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Wenn der Widerstand 48 nach Fig. 3 vorgesehen wird, so wird er zwischen den Ausgangsleiter 108 und den Masseleiter 58 geschaltet. Mit dem Ausgangsleiter ist die Ausgangsklemme 28 verbunden.
Der mit dem Kollektor des Transistors 82 verbundene Leiter 80 ist mittels eines Leiterstreifens 110 mit dem Leiter 112 verbunden. Ein monolithischer Chip-Transistor ist zwischen die Leiter 112 und 114 geschaltet. Zwischen den Leiter 114 und die Spiralbahn 72 ist der Widerstand 51 geschaltet. Der Kondensator 50 und der Widerstand 51 bilden den Gegenkoppelkreis zwischen dem Kollektor des Transistors 82 und seiner Basis (Fig. 4). Der Widerstand 51 ist nicht direkt mit dem Leiter 70 verbunden, der mit der Basis in Verbindung steht, sondern mit dem Leiter 76, der Teil des induktiven Leiters 72 ist. Dadurch liegt ein Teil des induktiven Leiters 75 in Serie mit dem Widerstand 51, jedoch ist dies nicht kennzeichnend für das Arbeiten der Schaltung.
Beim Zusammenbau der Bauelemente auf dem Träger wird zuerst.^der Transistorblock 82 auf dem Leiter 80 angeordnet.
Der Block kann auf einer Basis angeordnet werden, die einen Goldüberzug besitzt; wenn der Leiter 80 ebenfalls eine Goldplattierung besitzt, so kann der Block auf dem Leiter 80 unter Verwendung eines eutektischen Zementes befestigt werden. Diese Verfahrensstufe erfordert die Höchsttemperatur beim Zusammenbau.
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Im zweiten Schritt werden die Chip-Kondensatoren, die Luftspulen, die als Chip ausgebildeten induktiven Bauelemente, die Widerstände und die Brückenteile mit den Leitern lh verlötet„ und zwar bei einer niedrigeren Temperatur. Alle diese Bauelemente können gleichzeitig verlötet werden.
Die dritte Stufe ist das Aufbringen des Keramikträgers auf die Basis 18 des Gehäuses 16, das die Wärmesenke bildet. Dies kann bei einer noch niedrigeren Temperatur erfolgen, so daß die Lötverbindungen sowie die Verbindungen des Transistorblockes nicht zerstört werden.
Nachdem der Träger in dem Gehäuse angebracht ist, kann die Verstärkereinheit getestet bzw. abgestimmt werden durch Auftrennen von Leitern,wie es im vorhergehenden beschrieben wurde. Bei Verwendung eines Laserstrahls zum Auftrennen der Leiter heizt dieser Strahl die Träger im wesentlichen nicht auf; die Wärme wird lokal erzeugt und breitet sich nicht so aus, als daß sie die Lötverbindungen der Bauelemente beeinträchtigen könnte. Da die Ver-Stärkereinheit getestet und justiert werden kann, nachdem sie vollständig zusammengebaut ist, ist ein weiteres Testen und Einstellen nicht notwendig, wenn die Einheit in die Einrichtung eingesetzt wird, in der sie verwendet wird.
Der Hochfrequenzverstärker kann vorzugsweise in tragbaren Hochfrequenzsendern benutzt werden, wobei es nur notwendig ist,
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• 253267Π
den Modul einzustecken, ohne daß ein weiteres Abstimmen bzw.
Justieren notwendig wäre.
Es wurde im vorangehenden ein Hochfrequenz-Leistungsverstärker
beschrieben, bestehend aus einem flachen keramischen Träger mit einem leitfähigen überzug an der einen Seite und einer Vielzahl von Leitern auf der anderen Seite des Plattchens, die in einem
vorbestimmten Muster verlaufen. Mindestens ein Leiter ist durch den Träger hindurch mit dem leitfähigen überzug verbunden, der
auf Masse gelegt ist« Eine Vielzahl von Bauelementen, wie Transistorblock, Chip-Kondensatoren, Luftspulen, Chip-Induktionsspulen und Widerstände sind mit den Leitern auf dem Träger verbunden.
Weitere Leiter besitzen eine spiralförmige Form und bilden eine Induktionsspule die in Serie mit den Luftspulen schaltet sind und die Abstimmsegmente besitzen , um die Induktivität nach dem Zusammenbau der Bauelemente justieren zu können. Es sind weiterhin Brücken vorgesehen, um Leiter zu verbinden, die isoliert von einem Zwischenleiter angeordnet sind. Der Träger befindet sich in einem elektrisch und wärmeleitenden Gehäuse, das eine Basis besitzt, die mit dem leitfähigen überzug an der Unterseite des Trägers elektrisch und mechanisch verbunden ist und die drei leitfähige Seitenwände um den Träger herum besitzt« Die vierte Seite besitzt Anschlüsse, die zu einer Vielzahl von Leitern führen und die dazu dienen, das Eingangssignal sowie die Versorgungsspannung
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dem Verstärker zuzuführen und um das Ausgangssignal abzunehmen. Eine leitfähige Platte schließt die Oberseite des Gehäuses ab, wodurch das Gehäuse den Träger und die darauf befindlichen Bauelemente komplett einschließt und gegen äußere Einflüsse schützt.
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Claims (10)

  1. • 253267G
    Patentansprüche
    l.| Leistungsverstärker, gekennzeichnet
    durch: -den Aufbau als hybride Mikroelektronik-Einheit mit einem flachen keramischen Träger (10), der auf seinen einer Seite einen leitfähigen Überzug (12) und auf der anderen Seite ein voi^bestimmtes Leiterbahnmuster besitzt mit einer Vielzahl von Leiterbahnteilen (1*4) und mit Verbindungsgliedern zum Verbinden eines Teiles der Leiterbahn (58) mit dem leitfähigen Überzug,
    mit Anschlüssen (26, 27, 28), die mit Teilen der Leiterbahnen verbunden sind zwecks Zuführung von EingangsSignalen und Abnahme von Ausgangssignalen,
    mit einem Halbleiterblock (82), dessen eine Elektrode unter gleichzeitiger Befestigung des Blockes mit einem Teil der Leiterbahn verbunden ist und dessen andere Elektroden mit anderen Teilen der Leiterbahn verbunden sind, mit der Ausbildung eines Teils der Leiterbahnen (60) als* induktive Elemente (33) und
    mit einem leitfähigen Gehäuse (16) für den Träger, das einen Teil (19) aufweist, auf dem der leitfähige Überzug (12) aufliegt und zu dem eine elektrische Masseverbindung hergestellt wird, wobei das Gehäuse die Wärme von dem Träger ableitet*
    609808/0713
  2. 2. Leistungsverstärker nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Luftspule (93), die zwischen Teile der Leiterbahnen (80, 92) geschaltet ist, wobei diese Luftspule mit dem Leiterbahnabschnitt verbunden ist, der durch seine Ausbildung die Induktionsspule bildet.
  3. 3. Leistungsverstärker nach Anspruch 2, dadurch gekennzei chnet, daß eine zweite Luftspule (100) vorgesehen ist, die ebenfalls mit entsprechenden Leiterbahnabschnitten verbunden ist, und deren Achse senkrecht zu der Achse der ersten Luftspule (93) liegt.
  4. 4. Leistungsverstärker nach Anspruch 1, dadurch gekennzei chnet, daß der Leiterbahnabschnitt (60) der die Induktionsspule bildet, eine Vielzahl von auftrennbaren Abstimmsegmenten (67) aufweist zwecks Abstimmung der Induktion dieses Elementes.
  5. 5. Leistungsverstärker nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß ein als Chip ausgebildete Induktionsspule (88) zwischen Leiterbahnabschnitte des Trägers geschaltet ist.
    , 609808/0713
    . 253267Π
  6. 6. Leistungsverstärker nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß monolithisch ausgebildete Kondensatoren (30, 31, 32, ^0, 4l) zwischen Leiterbahnabschnitte geschaltet sind.
  7. 7. Leistungsverstärker nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß Widerstände (35) zwi sehen Leiterbahnabschnitte des Trägers geschaltet sind.
  8. 8. Leistungsverstärker nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß ein Brückenleiter (65) vorgesehen ist, der einen ersten leitfähigen Teil (56) mit einem zweiten leitfähigen Teil (6l) verbindet und der räumlich getrennt sowie isoliert von einem dritten Leiterbahnabschnitt (62, 63) liegt, der zwischen dem ersten und dem zweiten Leiterbahnabschnitt angeordnet ist.
  9. 9. Leistungsverstärker nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß eine der Anschlußklemmen (21) mit einem Leiterbahnabschnitt zwecks Zuführung der Versorgungsspannung verbunden ist.
    609808/0713
  10. 10. Leistungsverstärker nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß das leltfähige Gehäuse eine rechteckige Basis (18) zur Aufnahme des keramischen Trägers besitzt, sowie weiterhin drei Seitenwände (20, 21, 22) aufweist, die sich von der Basis aus über den Träger hinweg erstrecken, daß das Gehäuse weiterhin einen Halter (2J) für die Anschlußklemmen besitzt, der mit der BAsis und zwei Seitenwänden (21, 22) in Verbindung steht zwecks Bildung einer vierten Seitenwand um den Träger, wobei die beiden Seitenwände Aufnahmen (15) für leitfähige Stifte (17) besitzen und dadurch, daß die Anschlußklemmen durch leitfähige Stifte (26, 27, 28) gebildet werden, die sich von dem Halter in eine Richtung wegerstrecken, die parallel zu den Aufnahmen (15) für die leitfähigen Stifte (17) in den Seitenwänden ist.
    ■6 09806/0713
    Leerseite
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GB (1) GB1463925A (de)
NL (1) NL7508266A (de)
SE (1) SE400015B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3316314A1 (de) * 1982-05-15 1983-11-17 AMP Inc., 17105 Harrisburg, Pa. Elektrischer verbinder
US5051706A (en) * 1988-11-09 1991-09-24 Kabushiki Kaisha Toshiba High frequency power amplifier circuit
US5943213A (en) * 1997-11-03 1999-08-24 R-Amtech International, Inc. Three-dimensional electronic module

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5233453A (en) * 1975-09-10 1977-03-14 Nec Corp High frequency high output transistor amplifier
JPS52141621A (en) * 1977-06-06 1977-11-26 Nippon Gakki Seizo Kk Automatic rhythm playing device
JPS54163361A (en) * 1978-06-15 1979-12-25 Nippon Electric Co High frequency integrated circuit apparatus
JPS5546791A (en) * 1978-09-28 1980-04-02 Roland Kk Automatic rhythum generation system for electronic musical instrument
US4318054A (en) * 1979-02-07 1982-03-02 Nippon Gakki Seizo Kabushiki Kaisha Input circuit of audio amplifier
US4389080A (en) * 1981-07-15 1983-06-21 General Electric Plug-in ceramic hybrid module
US4523155A (en) * 1983-05-04 1985-06-11 Motorola, Inc. Temperature compensated automatic output control circuitry for RF signal power amplifiers with wide dynamic range
US4716391A (en) * 1986-07-25 1987-12-29 Motorola, Inc. Multiple resonator component-mountable filter
US4954796A (en) * 1986-07-25 1990-09-04 Motorola, Inc. Multiple resonator dielectric filter
US4965526A (en) * 1989-07-14 1990-10-23 Motorola Inc. Hybrid amplifier
US5170321A (en) * 1990-12-24 1992-12-08 Motorola, Inc. Enclosure system for environmental isolation of RF circuitry
EP0499116A1 (de) * 1991-02-11 1992-08-19 Industrielabor für Hochenergie-Elektronik Winfried P. Rütt-Hübner KG Kompaktes RF-Leistungsgenerator-System
DE4234022C2 (de) * 1992-10-09 1995-05-24 Telefunken Microelectron Schichtschaltung mit mindestens einem Leistungswiderstand
US5367434A (en) * 1993-05-06 1994-11-22 Motorola, Inc. Electrical module assembly
JPH07211856A (ja) * 1994-01-12 1995-08-11 Fujitsu Ltd 集積回路モジュール
US5535438A (en) * 1994-05-10 1996-07-09 Panasonic Technologies, Inc. Phase linear class E amplifier for a satellite communication terminal which communicates with a low earth orbiting satellite
FI971850A (fi) 1997-04-30 1998-10-31 Nokia Telecommunications Oy Järjestely radiotaajuisten signaalien keskeishäiriöiden vähentämiseksi
JP2001292028A (ja) * 2000-04-05 2001-10-19 Murata Mfg Co Ltd 電圧制御発振器の調整方法
TW535352B (en) * 2000-05-30 2003-06-01 Alps Electric Co Ltd Surface-mounting type electronic circuit unit
TW483233B (en) * 2000-05-30 2002-04-11 Alps Electric Co Ltd Electronic circuit unit
US7157972B2 (en) * 2002-12-20 2007-01-02 California Institute Of Technology Common gate with resistive feed-through low noise amplifier
US6933443B2 (en) * 2004-01-28 2005-08-23 Infineon Technologies North America Corp. Method for bonding ceramic to copper, without creating a bow in the copper
US8884714B2 (en) * 2005-12-22 2014-11-11 Pine Valley Investments, Inc. Apparatus, system, and method for digital base modulation of power amplifier in polar transmitter
CN201956484U (zh) * 2010-11-22 2011-08-31 中兴通讯股份有限公司 一种射频传输的导电装置
US10212804B2 (en) 2017-01-16 2019-02-19 Harris Global Communications, Inc. Electronic device with laterally extending thermally conductive body and related methods
RU2701486C1 (ru) * 2018-12-25 2019-09-26 Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение Ангстрем" Устройство усилителя мощности со встроенным в корпус блоком питания
RU2694141C1 (ru) * 2018-12-29 2019-07-09 Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение Ангстрем" Устройство линейного усилителя мощности дкмв диапазона
DE102019117473A1 (de) * 2019-06-28 2020-12-31 Tesat-Spacecom Gmbh & Co. Kg Schaltungsanordnung bestehend aus zwei miteinander verbundenen Hochfrequenzkomponenten
CN114980633B (zh) * 2022-08-02 2022-10-21 成都汉芯国科集成技术有限公司 一种前侧热提取结构的功率放大器装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3506877A (en) * 1968-09-25 1970-04-14 Us Navy Hermetically sealed and shielded circuit module
DE6608942U (de) * 1967-08-19 1971-12-23 Sanyo Electric Co Integrierte hybridschaltung.
DE2258557A1 (de) * 1972-11-30 1974-06-12 Licentia Gmbh Anordnung zur erzielung eines loetfreien massekontaktes

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3258606A (en) * 1962-10-16 1966-06-28 Integrated circuits using thermal effects
US3502997A (en) * 1965-10-24 1970-03-24 Motorola Inc Integrated semiconductor cascode amplifier
SE328352B (de) * 1967-09-11 1970-09-14 Ericsson Telefon Ab L M
AT280348B (de) * 1968-07-30 1970-04-10 H C Hans Dipl Ing Dr Dr List Integrierter Feld-Effekt-Kettenverstärker
BE760031A (fr) * 1969-12-11 1971-05-17 Rca Corp Boitier pour module de puissance hybride a semiconducteurs
US3694699A (en) * 1970-03-30 1972-09-26 Nat Beryllia Corp Ceramic based substrates for electronic circuits with improved heat dissipating properties and circuits including the same
US3845403A (en) * 1972-12-27 1974-10-29 Rca Corp Amplifier for amplitude modulated waves with means for improving sideband response

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE6608942U (de) * 1967-08-19 1971-12-23 Sanyo Electric Co Integrierte hybridschaltung.
US3506877A (en) * 1968-09-25 1970-04-14 Us Navy Hermetically sealed and shielded circuit module
DE2258557A1 (de) * 1972-11-30 1974-06-12 Licentia Gmbh Anordnung zur erzielung eines loetfreien massekontaktes

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Langer, E.: Charakteristische Anwendungen der Dick- und Dünnschichttechnik, In: Internationale Elektronische Rundschau, 1969, Nr. 6, S. 149-152 *
Topfer, Morton L.: Thick-Film Microelectronics, Van Nostrand Reinhold Comp., New York, 1971, S. 170-204 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3316314A1 (de) * 1982-05-15 1983-11-17 AMP Inc., 17105 Harrisburg, Pa. Elektrischer verbinder
US5051706A (en) * 1988-11-09 1991-09-24 Kabushiki Kaisha Toshiba High frequency power amplifier circuit
US5943213A (en) * 1997-11-03 1999-08-24 R-Amtech International, Inc. Three-dimensional electronic module

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5136060A (de) 1976-03-26
DE2532670C2 (de) 1987-12-17
SE7507701L (sv) 1976-02-06
GB1463925A (en) 1977-02-09
DK352475A (da) 1976-02-06
FR2281672B1 (de) 1981-08-07
CA1032657A (en) 1978-06-06
NL7508266A (nl) 1976-02-09
FR2281672A1 (fr) 1976-03-05
SE400015B (sv) 1978-03-06
US4001711A (en) 1977-01-04

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