DE3876384T2 - Vorrichtung zum messen des durchmessers eines kristalles. - Google Patents

Vorrichtung zum messen des durchmessers eines kristalles.

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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2601930B2 (ja) * 1990-03-29 1997-04-23 信越半導体株式会社 単結晶ネツク部直径制御方法及び装置
JPH0726817B2 (ja) * 1990-07-28 1995-03-29 信越半導体株式会社 結晶径測定装置
JPH0777996B2 (ja) * 1990-10-12 1995-08-23 信越半導体株式会社 コーン部育成制御方法及び装置
JPH0785489B2 (ja) * 1991-02-08 1995-09-13 信越半導体株式会社 単結晶の直径計測方法
JPH0717475B2 (ja) * 1991-02-14 1995-03-01 信越半導体株式会社 単結晶ネック部育成自動制御方法
WO1992019797A1 (fr) * 1991-04-26 1992-11-12 Mitsubishi Materials Corporation Procede de tirage de cristal unique
JP2785532B2 (ja) * 1991-08-24 1998-08-13 信越半導体株式会社 単結晶棒引上育成制御装置
US5286461A (en) * 1991-09-20 1994-02-15 Ferrofluidics Corporation Method and apparatus for melt level detection in czochralski crystal growth systems
US5653799A (en) * 1995-06-02 1997-08-05 Memc Electronic Materials, Inc. Method for controlling growth of a silicon crystal
US5656078A (en) * 1995-11-14 1997-08-12 Memc Electronic Materials, Inc. Non-distorting video camera for use with a system for controlling growth of a silicon crystal
US5746828A (en) * 1996-01-16 1998-05-05 General Signal Corporation Temperature control system for growing high-purity monocrystals
US6226032B1 (en) 1996-07-16 2001-05-01 General Signal Corporation Crystal diameter control system
US5846318A (en) * 1997-07-17 1998-12-08 Memc Electric Materials, Inc. Method and system for controlling growth of a silicon crystal
US5922127A (en) * 1997-09-30 1999-07-13 Memc Electronic Materials, Inc. Heat shield for crystal puller
US5882402A (en) * 1997-09-30 1999-03-16 Memc Electronic Materials, Inc. Method for controlling growth of a silicon crystal
US6106612A (en) * 1998-06-04 2000-08-22 Seh America Inc. Level detector and method for detecting a surface level of a material in a container
US6171391B1 (en) * 1998-10-14 2001-01-09 Memc Electronic Materials, Inc. Method and system for controlling growth of a silicon crystal
US6111262A (en) * 1998-10-30 2000-08-29 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Method for measuring a diameter of a crystal
JP4209082B2 (ja) 2000-06-20 2009-01-14 コバレントマテリアル株式会社 単結晶引上げ装置および引上げ方法
DE10120730B4 (de) * 2001-04-27 2006-08-24 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Phasengrenze
US7573587B1 (en) * 2008-08-25 2009-08-11 Memc Electronic Materials, Inc. Method and device for continuously measuring silicon island elevation
WO2015047816A1 (en) 2013-09-30 2015-04-02 Gt Crystal Systems, Llc Method of automatically measuring seed melt back of crystalline material
AT524604B1 (de) 2020-12-29 2025-01-15 Fametec Gmbh Verfahren zur Mitverfolgung des Kristallwachstums eines Einkristalls
CN113818075B (zh) * 2021-09-24 2022-09-30 西安奕斯伟材料科技有限公司 精准调整adc相机的方法、装置、设备及计算机存储介质
CN114277434A (zh) * 2021-12-29 2022-04-05 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种用于单晶生长的热场调节装置和方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4350557A (en) * 1974-06-14 1982-09-21 Ferrofluidics Corporation Method for circumferential dimension measuring and control in crystal rod pulling
DD132235A1 (de) * 1977-01-26 1978-09-13 Helge Fomm Verfahren und anordnung zur kristalldurchmesserkonstanthaltung bei der kristallzuechtung
US4242589A (en) * 1979-01-15 1980-12-30 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Apparatus for monitoring crystal growth
DE2923240A1 (de) * 1979-06-08 1980-12-18 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Messverfahren und messanordnung fuer den durchmesser von einkristallen beim tiegelziehen
JPS5618422A (en) * 1979-07-23 1981-02-21 Hitachi Ltd Measuring method for diameter of electron beam
JPS61501906A (ja) * 1982-01-04 1986-09-04 オ−ストラリア国 チョコラルスキ−結晶成長における直径制御
US4710258A (en) * 1984-11-30 1987-12-01 General Signal Corporation System for controlling the diameter of a crystal in a crystal growing furnace
JPH0649631B2 (ja) * 1986-10-29 1994-06-29 信越半導体株式会社 結晶径測定装置

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Publication number Publication date
JPH0559877B2 (enExample) 1993-09-01
EP0315572A3 (en) 1991-01-30
DE3876384D1 (de) 1993-01-14
EP0315572B1 (en) 1992-12-02
JPS6483595A (en) 1989-03-29
US4926357A (en) 1990-05-15
EP0315572A2 (en) 1989-05-10

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