DE10120730B4 - Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Phasengrenze - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Messung der Phasengrenze Download PDF

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    • C30B11/006Controlling or regulating

Abstract

Verfahren zur Messung der Phasengrenze bei der Züchtung von Kristallen, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Phasengrenze (14) zwischen der flüssigen Kristallschmelze (12) und dem festen Kristall (13) durch ein an einem Rohr (15) angeordnetes, in die flüssige Kristallschmelze (12) eingetauchtes Fenster (16) ein optisches Signal eingestrahlt wird und die Lage der Phasengrenze (14) anhand des an der Phasengrenze (14) reflektierten Signals ermittelt wird.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Messung der Phasengrenze bei der Züchtung von Kristallen, insbesondere bei der Züchtung von Kristallen nach dem VGF-Verfahren (VGF = Vertical Gradient Freezing, Erstarren im vertikalen Temperaturgradienten).
  • Die Lokalisierung der bei der Züchtung eines Kristalls in einem Behälter oder dergleichen von unten nach oben wandernden Phasengrenze fest/flüssig, das heißt die Kenntnis der aktuellen Kristallhöhe ist für den Züchtungsprozeß von entscheidender Bedeutung. Nur so ist eine Kontrolle und gezielte Steuerung des Kristallwachstums möglich.
  • Die Kristallzüchtung nach dem VGF-Verfahren wird in der Regel in einem abgeschlossenen Behälter unter Vakuum, Inertgas oder Reaktivgas durchgeführt.
  • Insbesondere bei hochschmelzenden Materialien und bei Materialien mit hohem Dampfdruck ist jedoch der Züchtungsraum im Behälter nicht ohne weiteres zugänglich. Fenster in einem Behälter stellen jedoch in verschiedener Hinsicht immer Problemstellen dar. Außerdem werden optische Fenster meist schnell bedampft, so daß keine oder keine reproduzierbare Messung möglich ist.
  • In der Literatur sind folgende Möglichkeiten der Bestimmung der Lage bzw. Höhe der Phasengrenze beschrieben:
    • 1. Indirekte Methode: Bei vorgegebenen Temperatursprüngen lassen sich gezielt Dotierungselemente in den Kristall einbauen. Dabei wird die Temperaturabhängigkeit und/oder Wachstumsgeschwindigkeit des Segregationskoeffizienten ausgenutzt. Die Verteilung der Dotierungselemente wird dann im fertigen Kristall untersucht. Als indirekte Methode kann dieses Verfahren nicht zur Prozeßsteuerung herangezogen werden.
    • 2. Ultraschallmessung (z.B. K. Wilke, J. Bohm in "Kristallzüchtung", Seite 595): Zur Bestimmung der Phasengrenze wird die Schallgeschwindigkeit im Kristall herangezogen. Sender und Empfänger werden außen am Züchtungsbehälter, z.B. einem Graphittiegel, angebracht. Dabei muß zwischen Sender und Empfänger über alle Materialübergänge hinweg ein vollständiger mechanischer Kontakt vorhanden sein. Bereits geringe Unterschiede in den Ausdehnungskoeffizienten von Tiegelmaterial und Kristall lassen jedoch Spalte zwischen Tiegel und Kristall entstehen und führen daher zu großen Meßungenauigkeiten. Ein weiterer Fehler entsteht durch die hohe Temperaturabhängigkeit der Schallausbreitungsgeschwindigkeit. Da sich die Temperatur und der Temperaturgradient während der Kristallzüchtung ständig verändert, ist keine genaue Kalibrierung des Meßsignals möglich. Außerdem kann nicht ausgeschlossen werden, daß die Ultraschallwellen, die ja mechanische Schockwellen sind, Störungen an der wachsenden Kristallfront hervorrufen.
    • 3. Mechanische Tastung der Kristallhöhe (Stockbarger, D.C. "Artificial Fluorite", J. optical Soc. Amer. 39 (1949), Seiten 731–740): Mit einem Taststab aus z.B. Wolfram oder Graphit wird während des Zuchtprozesses die Höhe des Kristalls im Zuchtbehälter in beliebigen Intervallen bestimmt. Die mechanische Bewegung des Tasters kann jedoch zu Temperaturinhomogenitäten in der Schmelze und zur Auslösung von unerwünschter Konvektion in der Schmelze führen. Die Belastung des Kristalls bei der Berührung durch die Tastspitze kann den Einbau von mechanischen Spannungen im Kristall zur Folge haben, die diesen Kristallbereich für die weitere Verwendung unbrauchbar machen. Auch ein nachgeschalteter Temperprozeß kann diese Defekte nicht mehr eliminieren.
  • So sind beispielsweise aus der DE 39 04 858 A1 ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Feststellung der Lage der Oberfläche einer Schmelze gasförmig/flüssig durch optische Triangulierung bekannt.
  • Des weiteren sind aus der DE 198 06 446 A1 ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Messung des relativen Abstandes zweier unmittelbar benachbarter gasförmig/flüssig Grenzflächen in optischen Schicht-systemen von festen Medien mittels eines Fokussensors bekannt.
  • In der DE 2 337 169 A1 wird die Bestimmung einer Schmelzoberfläche gasförmig/flüssig beim Ziehen von Kristallen aus einer Schmelze durch Messung der zeitlichen Änderung der Höhe der Schmelzoberfläche beschrieben.
  • In einer weiteren Alternative erfolgt in der US-A 6,071,340 die Kontrolle des Flüssigkeits-spiegels beim Ziehen von Kristallen mittels dem Czochralski-Verfahren durch Messung der Reflexion eines auf die Oberfläche gasförmig/flüssig einer Schmelze eingetragenen Signals.
  • Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Messung der Phasengrenze bei der Züchtung von Kristallen zu schaffen, das bzw. die eine kontinuierliche Messung der Lage der Phasengrenze zur Ermittlung der Wachstumsgeschwindigkeit als Voraussetzung für eine gezielte Kontrolle und Steuerung des Züchtungsprozesses ermöglicht.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit den in den Patentansprüchen angegebenen Merkmalen gelöst.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Vorrichtung ist besonders geeignet zur Messung der Kristallhöhe in einem Züchtungsbehälter.
  • Die Feststellung der Lage der Phasengrenze bzw. die Messung der Kristallhöhe erfolgt erfindungsgemäß berührungslos mit einer optischen Methode. Die Reflexion und gegebenenfalls auch der Phasensprung eines optischen Signals an der Grenzfläche flüssig/fest (Kristall/Schmelze) dient dabei zur Feststellung der Lage oder Höhe dieser Grenzfläche (der Phasengrenze) im Züchtungsbehälter.
  • Die Feststellung der Lage der Phasengrenze kann durch eine Triangulation mit konfokalem Aufbau, mittels eines interferometrischen Abgleichs oder anhand der Laufzeit des optischen Signals erfolgen.
  • Das zur Einführung des optischen Signals erforderliche optische Fenster wird an einem hohlen Stab oder einem Rohr aus zum Beispiel Wolfram oder Graphit angebracht, der bzw. das im oberen Bereich der Schmelze wenige Millimeter tief in diese eingetaucht wird. Der optische Strahlengang des einfallenden und reflektierten Signals verläuft dabei vorzugsweise senkrecht. Diese Ausführung ist besonders vorteilhaft, wenn die Reflexion des optischen Signals an der Oberfläche der Schmelze sehr groß ist.
  • Als Materialien für die Fenster, die hoch temperaturbeständig sein müssen, sind SiC und Diamant verwendbar. Beide Materialien haben einen großen spektralen Transmissionsbereich, ein hohes Transmissionsvermögen und weisen eine hohe Resistenz gegen eine chemisch aggressive Umgebung auf. Der große spektrale Durchlässigkeitsbereich erlaubt es, die jeweils verwendete Wellenlänge an das Absorptionsverhalten der zu messenden Kristallsubstanz optimal anzupassen.
  • Wichtig ist, daß das für das Fenster verwendete Material ein Einkristall ist.
  • Wenn die Substanz für den Kristall CaF2 ist, hat die Verwendung eines SiC- oder Diamantfensters an einem Graphitrohr den zusätzlichen Vorteil, daß diese Materialien vom flüssigen Calziumfluorid nicht benetzt werden. Bei einem Absturz der Meßvorrichtung etwa kann diese ohne weiteres wieder vom festen Kristall abgenommen werden.
  • Durch den vorzugsweise senkrechten Strahlengang ist eine Nachjustierung infolge von sich ändernden Einfalls- und Reflexionswinkeln und ein Nachfokussieren während des Wanderns der Phasengrenze nicht erforderlich.
  • Die Feststellung der Lage oder Höhe der Phasengrenze kann erfindungsgemäß über eine direkte Laufzeitmessung am Meßsignal erfolgen. Um eine Auflösung von zum Beispiel 0,1 mm zu erzielen, muß mit einem Laserpuls im Femtosekundenbereich gearbeitet werden.
  • Die Messung kann jedoch auch über den Phasensprung des Meßsignals an der Phasengrenze erfolgen. Als Lichtquelle können dann handelsübliche He-Ne-Laser mit 10 mW Leistung verwendet werden.
  • Die Ein- und Auskopplung des Lasersignals kann über ein Lichtleitkabel erfolgen, das im Bereich der wassergekühlten Behälterwand mit der entsprechenden Optik angeordnet wird.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren und die erfindungsgemäße Vorrichtung arbeitet temperaturunabhängig und berührungslos, erlaubt eine kontinuierliche Messung und führt zu keiner Schädigung des Kristallgitters des wachsenden Kristalls. Das Meßsignal kann direkt zur Steuerung des Prozesses herangezogen werden.
  • Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist, daß die bestehenden Anlagen zur Kristallzüchtung nicht besonders umgebaut werden müssen, sondern es kann zum Beispiel das Rohr mit dem Fenster, das in die Schmelze eingetaucht wird, in eine bereits bestehende Führung für einen Taststab eingesetzt werden. Diese bestehenden Führungen sind in der Regel auch bereits gasdicht ausgebildet, um im Züchtungsbehälter die erforderliche Vakuum- oder Inertgasatmosphäre aufrechterhalten zu können.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 einen Querschnitt durch einen Tiegel zur Züchtung eines Kristalls nach dem VGF-Verfahren mit einem in eine Schmelze eingetauchten optischen Fenster;
  • 2 den prinzipiellen Aufbau einer Vorrichtung zur konfokalen Abstandsmessung;
  • 3 eine Skizze zur interferometrischen Abstandsmessung; und
  • 4 ein Prinzipschaltbild zur Laufzeit-Abstandsmessung.
  • Vor der Erläuterung von Beispielen sollen die physikalischen Grundlagen eines optischen Abstandsmeßsystems kurz angeführt werden.
  • Der Reflexionsgrad R für senkrechten Einfall an der Grenze zweier optischer Medien mit den Brechzahlen n1 und n2 ist gemäß der Fresnelschen Formeln gegeben durch R = ((n2 – n1)/(n1 + n2))2
  • In erster Näherung unterscheiden sich die Brechzahlen der festen und der flüssigen Phase eines Materials nur auf Grund der unterschiedlichen Dichten. Nach dem Gesetz von Clausius-Mosotti kann man die Brechzahl nS der Schmelze mit einer Dichte ρS aus der Brechzahl nF des festen Kristalls kurz unterhalb der Schmelztemperatur mit der Dichte ρF gemäß der Beziehung (nS 2 – 1)/(nF 2 – 1) = ρSF bzw. nS = √1 + (ρSF)(nF 2 – 1)abschätzen.
  • Wenn das Material für den Kristall CaF2 ist, ist die Dichte der Schmelze ρS = 2,53 g/cm3 und die Schmelztemperatur TS ca. 1380°C. Die Dichte des festen Kristalls in der Nähe der Schmelztemperatur wird aus der Dichte bei 20°C (ρF,20°C = 3,18 g/cm3) und dem kubischen Ausdehnungskoeffizienten β = 60 × 10–6/K angenähert. Auf die gleiche Weise läßt sich die Brechzahl des festen CaF2 beim Schmelzpunkt ausrechnen.
  • Da die Brechzahl nF,632nm von festem CaF2 bei 20°C und einer Wellenlänge von 632 nm gleich nF,632nm = 1,433 ist, ergibt sich als Schätzwert für die Brechzahl nS,632nm von festem CaF2 in der Nähe der Schmelztemperatur nF,632nm,1380°C = 1,423und für die Brechzahl des flüssigen CaF2 nS,632nm = 1,356.
  • Unter Verwendung dieser Werte für die Brechzahlen ergibt sich dann der Reflexionsgrad R an der Phasengrenze fest/flüssig zu RPhg,632nm = 5,8 × 10–4 = 0,058 %.
  • An der Oberfläche der Schmelze zum Vakuum beträgt dagegen der Reflexionsgrad RVak,632nm = 2,3 %
  • Die optische Reflexion ist an dieser Grenze daher also etwa 40mal größer als die an der zu messenden Phasengrenze flüssig/fest.
  • Der Oberflächenreflex muß daher weitgehend unterdrückt werden. Zudem muß verhindert werden, daß eventuell vorhandene Defekte auf der flüssigen Oberfläche die optische Durchlässigkeit behindern oder das Meßsignal verfälschen.
  • Bei dem beschriebenen Verfahren und bei der beschriebenen Vorrichtung wird daher vorzugsweise ein optisches Fenster verwendet, das an der Vorderseite eines Hohlstabes oder Rohres befestigt ist und in die Kristallschmelze eingetaucht wird. Das Rohr besteht aus einem hitzefesten Material wie Wolfram oder Graphit (ähnlich wie der Schmelztiegel). Um den am Fenster auftretenden Reflex zu unterdrücken, wird das Fenster gegenüber der optischen Achse um einen bestimmten Winkel verkippt. Zusätzlich wird durch diese Verkippung erreicht, daß sich eventuell in der Schmelze auftretende Gasblasen nicht am Fenster ansammeln, sondern an die Oberfläche der Schmelze aufsteigen können.
  • Die 1 zeigt einen Schnitt durch einen entsprechenden Aufbau. In einem als Züchtungsbehälter für einen CaF2-Kristall dienenden Graphittiegel 10 befindet sich eine Kristallschmelze 12, die sich von unten her bereits teilweise zu einem Kristall 13 verfestigt hat, so daß sich zwischen der Kristallschmelze 12 und dem Kristall 13 eine Phasengrenze 14 flüssig/fest ausgebildet hat. Im Raum über der Kristallschmelze 12 befindet sich in der Regel ein Vakuum.
  • In die Kristallschmelze 12 taucht von oben her ein Graphitrohr 15 einige Millimeter tief in die Schmelze 12 ein. Am unteren Ende des Rohrs 15 ist ein optisches Fenster 16 aus SiC oder Diamant befestigt. Das Fenster 16 und das Rohr 15 schließen außen bündig ab. Das Fenster 16 ist gegen die optische Achse 17, die im wesentlichen mit der Längsachse des Rohrs 15 zusammenfällt und senkrecht, das heißt in der Senkrechten zur Phasengrenze 14 verläuft, um einige Grad geneigt. Die an den beiden planparallelen Oberflächen des Fenster 16 reflektierte Strahlung 18 wird daher nicht in der optischen Achse 17 zurückreflektiert, sondern in einem Winkel dazu und kann die Messung nicht mehr beeinflussen.
  • Da der als Züchtungsbehälter dienenden Graphittiegel 10 eine Temperatur von mehr als 1500°C haben kann, muß dafür gesorgt werden, daß die thermische Eigenstrahlung des Tiegels und des darin befindlichen Materials das Meßsignal nicht wesentlich stört, auch wenn ein gewisser Teil der Eigenstrahlung in Richtung der an der Phasengrenze reflektierten Strahlung in das Rohr 15 eindringt.
  • Bei einer Temperatur von 1500°C liegt das Maximum der Strahlung eines Schwarzen Körpers nach dem Wienschen Gesetz bei etwa 1,6 μm. Zu Wellenlängen, die kleiner sind als die des Strahlungsmaximums, fällt die spektrale Energieverteilung nach dem Planckschen Gesetz über die Schwarzkörperstrahlung exponentiell steil ab. Es ist daher zur Erreichung eines möglichst hohen Signal-Rausch-Verhältnisses zwischen dem reflektierten Meßsignal und der Hintergrundstrahlung des Tiegels eine möglichst kurze Wellenlänge für das Meßsignal und ein möglichst schmales spektrales Band zu benutzen. Ein He-Ne-Laser mit einer Wellenlänge von 0,632 μm oder 632 nm ist als Lichtquelle gut geeignet. Zusätzlich schirmt ein schmalbandiges Spektralfilter die Schwarzkörperstrahlung ab, die außerhalb der Bandbreite des Meßsignals liegt.
  • Grundsätzlich können zur Messung einer Entfernung oder eines Abstandes die geradlinige Ausbreitung des Lichts (Triangulation, konfokale Abstandsmessung); die zeitliche Kohärenz der Lichtstrahlen (phasenmessendes Interferometer) oder die Laufzeit des Lichts herangezogen werden.
  • In der 2 ist das Schema der Abstandsmessung durch Triangulation mit einem konfokalen Aufbau gezeigt. Das Licht einer Lichtquelle 20 läuft über einen Strahlteiler 21 zu einem ersten Linsensystem 22, der das Lichtbündel parallel macht, und von dort zu einem zweiten Linsensystem 23 in der Nähe des optischen Fensters 16 am Ende des (hier nicht gezeigten) Rohrs 15. Vom Linsensystem 23 wird das Licht auf die Phasengrenze 14 fokussiert.
  • Die beiden Linsensysteme 22, 23 können in das Rohr 15 integriert sein.
  • Das an der Phasengrenze 14 reflektierte Licht läuft den gleichen Weg zurück und wird am Strahlteiler 21 auf eine Lochblende gelenkt, hinter der sich ein geeigneter Spektralfilter und ein Sensor befinden. Lochblende, Spektralfilter und Sensor bilden bei der in der 2 gezeigten Ausführungsform einen Detektor 24.
  • Wenn sich Lichtquelle 20, Phasengrenze 14 und Lochblende in einander optisch konjugierten Ebenen befinden, ergibt sich am Sensor des Detektors 24 das maximale Signal. Eine Verschiebung der Phasengrenze 14 wird zum Beispiel über eine Verschiebung des ersten Linsensystems 22, mit der ein konfokaler Abgleich erfolgt, ausgeglichen. Mit anderen Worten läßt sich aus der für den konfokalen Abgleich erforderlichen Verschiebung des ersten Linsensystems 22 der Ort bzw. die Lage der Phasengrenze 14 ermitteln.
  • Die 3 zeigt das Prinzip der interferometrischen Abstandsmessung. Hier dient ein Interferometer dazu, den Abgleich der konjugierten Ebenen durch Verschieben einer Linse 31 festzustellen. Bei unvollständigem Abgleich ist wegen der Fokusabweichung die Wellenfront des an der Phasengrenze reflektierten Lichtbündels gekrümmt. Der Fokusfehler läßt sich zum Beispiel durch eine Zerlegung der reflektierten Wellenfront in Zernike-Polynome nachweisen. Eine andere Möglichkeit beruht auf einer Verwendung eines Shack-Hartmann-Sensors. Auch dabei wird als Maß für den konfokalen Abgleich die Ebenheit der Wellenfront bzw. bei einer Abweichung die Krümmung der Wellenfront gemessen.
  • Die 4 zeigt das Prinzipschaltbild bei der Abstandsmessung mit der Laufzeitmethode. Dazu werden von einer Lichtquelle 41 kurze Lichtimpulse auf ein Ziel, im vorliegenden Fall die Phasengrenze 14, gesendet, und das von der Phasengrenze 14 reflektierte Licht in einem Sensor 42 aufgenommen. Das Signal vom Sensor 42 wird in einem Signalprozessor 43 verarbeitet. Aus der Laufzeit der Lichtimpulse und der sehr genau bekannten Ausbreitungsgeschwindigkeit des Lichts läßt sich dann der Abstand der Lichtquelle 41 und des Sensors 42 von der Phasengrenze 14 bzw. die Höhe der Phasengrenze 14 im Tiegel 10 bestimmen.
  • Bei einer gewünschten Meßgenauigkeit Δs von 0,1 mm ist mit der Lichtgeschwindigkeit c = 2,997 × 108 m/s eine Zeitauflö sung von Δt = Δs/c ≤ 0,3 × 10–12 s erforderlich. Vorteilhaft wird dazu das Licht eines Lasers mit Hochfrequenz im Bereich von über einem GHz moduliert. Die Phase des von der Kristallphasengrenze 14 reflektierten Signals wird auf elektronischem Weg mit der Phasenlage des ausgesendeten Signals verglichen, wobei der Phasensprung an der Kristallphasengrenze 14 berücksichtigt wird. Die aufmodulierte Hochfrequenz kann vorteilhaft zusätzlich über einen gewissen Bereich durchgestimmt werden. Aus der Messung der Phasenlage des Signals läßt sich dann der Abstand in Abhängigkeit von der Modulationsfrequenz bestimmen.
  • Als Lichtquelle 41 läßt sich zum Beispiel ein Femtosekundenlaser verwenden. Die sehr kurzen Impulse dieses Lasers ermöglichen eine direkte Laufzeitmessung am optischen Signal.
  • Das Signal über die aktuelle Lage oder Höhe der Phasengrenze 14 im Tiegel 10 kann unmittelbar als Istwert zur Steuerung des Kristallisationsvorganges herangezogen werden.
  • 10
    Tiegel
    12
    Kristallschmelze
    13
    Kristall
    14
    Phasengrenze
    15
    Rohr
    16
    Fenster
    17
    optische Achse
    18
    (am Fenster 16) reflektierte Strahlung
    20
    Lichtquelle
    22
    erstes Linsensystem
    23
    zweites Linsensystem
    24
    Detektor
    31
    Linse
    41
    Lichtquelle
    42
    Sensor
    43
    Signalprozessor

Claims (17)

  1. Verfahren zur Messung der Phasengrenze bei der Züchtung von Kristallen, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Phasengrenze (14) zwischen der flüssigen Kristallschmelze (12) und dem festen Kristall (13) durch ein an einem Rohr (15) angeordnetes, in die flüssige Kristallschmelze (12) eingetauchtes Fenster (16) ein optisches Signal eingestrahlt wird und die Lage der Phasengrenze (14) anhand des an der Phasengrenze (14) reflektierten Signals ermittelt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Feststellung der Lage der Phasengrenze mittels einer Triangulation mit konfokalem Aufbau erfolgt.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Feststellung der Lage der Phasengrenze mittels eines interferometrischen Abgleichs erfolgt.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Feststellung der Lage der Phasengrenze anhand der Laufzeit des optischen Signals erfolgt.
  5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Kristall (13) nach der VGF-Methode in einem Züchtungsbehälter (10) gezüchtet wird.
  6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der optische Strahlengang des einfallenden und des reflektierten optischen Signals senkrecht verläuft.
  7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Fenster (16) am Ende des Rohrs (15) angebracht ist.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Fenster (16) am Ende des Rohrs (15) gegen die optische Achse (17) verkippt ist.
  9. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Material für den Kristall (13) CaF2 ist.
  10. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Fenster (16) aus SiC und/oder Diamant ist.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Material für das Fenster (16) ein Einkristall ist.
  12. Vorrichtung zur Messung der Phasengrenze bei der Züchtung von Kristallen, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zum Einstrahlen eines optischen Signals auf die Phasengrenze (14) zwischen der flüssigen Kristallschmelze (12) und dem festen Kristall (13), wobei die Lage der Phasengrenze (14) anhand des an der Phasengrenze (14) reflektierten Signals mittels einer Triangulation mit konfokalem Aufbau, mittels eines interferometrischen Abgleichs oder mittels der Laufzeit des optischen Signals festgestellt wird, wobei die Einstrahlung des optischen Signals durch ein an einem Rohr angeordnetes, in die Schmelze eingetauchtes Fenster (16) erfolgt.
  13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Kristall (13) nach der VGF-Methode in einem Züchtungsbehälter (10) gezüchtet wird.
  14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Fenster (16) am Ende eines Rohrs (15) angebracht ist, das von oben in die flüssige Kristallschmelze (12) eingetaucht wird, und daß der optische Strahlengang des einfallenden und des reflektierten optischen Signals senkrecht verläuft.
  15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Fenster (16) am Ende des Rohrs (15) gegen die optische Achse (17) verkippt ist.
  16. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Material für den Kristall CaF2 ist, und/oder daß das Fenster (16) aus SiC oder Diamant ist.
  17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Material für das Fenster (16) ein Einkristall ist.
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