DE3836809A1 - Strahlungsempfindliche zusammensetzung und verfahren zur herstellung von bildmustern - Google Patents

Strahlungsempfindliche zusammensetzung und verfahren zur herstellung von bildmustern

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Description

Die Erfindung betrifft eine strahlungsempfindliche Zusammensetzung, die durch Bestrahlung mit beispielsweise Licht, Elektronen- oder Röntgenstrahlen unlöslich wird, und ein Verfahren zur Herstellung von Bildmustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung.
Die Reduzierprojektionsbestrahlung wird hauptsächlich in der Photolithographie zur Herstellung von integrierten Schaltungen und Großschaltkreisen verwendet. Liegt dabei die Größe des zu bildenden Bildmusters im Submikronen-Bereich, so ist der Kontrast der Lichtbildfläche, die ein optisches System passiert hat, vermindert, auch dann, wenn der Kontrast des Maskenmusters hoch ist. So wurde in der JP-A 59-1 04 642 ein Verfahren zur Herstellung von Resistmustern vorgeschlagen, in dem eine ein Arylnitron enthaltende Schicht auf einem Photoresistfilm gebildet wird, wodurch der Bildkontrast, der durch Belichtung vermindert worden ist, erhöht wird. In diesem Verfahren wird jedoch die Formveränderung des Bildmusters, die durch das vom Substrat reflektierte Licht und durch die Lichtabsorption durch den Photoresist selbst verursacht wird, und die daraus folgende geringere Auflösung des Bildmusters nicht berücksichtigt. Der Photoresist ist gegenüber vom Substrat reflektiertem Licht empfindlich, was zu einer schlechteren Form des Bildmusters führt. Ist die Absorption durch den Photoresist selbst groß, so erfolgt die Lichtabsorption im oberen Bereich des Photoresistfilms, das daraus entstehende Bildmuster hat einen Querschnitt eines umgekehrten Trapez (bei negativ arbeitendem Photoresist). In beiden Fällen ist die Auflösung vermindert.
Aufgabe der Erfindung war es daher, eine strahlungsempfindliche Zusammensetzung anzugeben, mit der Bildmuster von hoher Auflösung und hohem Kontrast hergestellt werden können, sowie ein Verfahren zur Herstellung von Bildmustern unter Verwendung dieser Zusammensetzung zur Verfügung zu stellen.
Die Aufgabe wird anspruchsgemäß gelöst durch eine strahlungsempfindliche Zusammensetzung, die eine nach Bestrahlung strahlungsempfindliche Verbindung (Strahlungsabsorptionsverminderung) und ein organisches Polymer enthält, das nach dem Ausbilden als Film unlöslich oder kaum löslich in einem gewünschten Lösungsmittel ist, wobei die Löslichkeit durch die Anwesenheit eines Zersetzungsprodukts der strahlungsempfindlichen Verbindung verändert wird.
Die erfindungsgemäße strahlungsempfindliche Zusammensetzung weist vor der Bestrahlung eine genügend hohe Strahlungsabsorption auf, die jedoch nach Bestrahlung mit beispielsweise Licht, Elektronen- oder Röntgenstrahlen abnimmt. Deshalb kann von oben eingestrahltes Licht die unteren Bereiche des aufgebrachten Films der Zusammensetzung erreichen, das vom Substrat reflektierte führt nicht zu einer Verformung des Bildmusters. Auf diese Weise können Bildmuster mit hoher Auflösung erhalten werden.
Es ist an sich bekannt, daß Diazoniumsalze nach Bestrahlung die Absorption von Strahlung, insbesondere von Licht, vermindern.
Die erfindungsgemäße strahlungsempfindlichen Verbindung zu einem Film auf dem Substrat aufgebracht werden. Werden jedoch auf diese Weise ein alkalilösliches Phenolharz, wie beispielsweise ein Novolak- oder Kresol-Novolakharz oder ein Polyvinylphenolharz, als organisches Polymer und ein Diazoniumsalz als strahlungsempfindliche Verbindung aufgebracht, so kann eine Phasentrennung auftreten, wodurch ein einheitlicher Film nur schwer zu erreichen ist. Außerdem ist eine diese Bestandteile enthaltende Lösung nicht stabil, da sie sich leicht zersetzt. In einem solchen Fall wird der Film vorzugsweise auf folgende Weise hergestellt: zuerst wird in herkömmlicher Weise, wie mit einer Umlaufbeschichtungsvorrichtung, auf dem Substrat ein Film des organischen Polymers gebildet, der dann mit einer das Diazoniumsalz enthaltenden Lösung in Berührung gebracht wird. Die Lösung diffundiert in den Film, wodurch ein praktisch homogenes Gemisch des Diazoniumsalzes und des organischen Polymers entsteht. Auf diese Weise kann das oben angegebene Problem der Instabilität einer ein Diazoniumsalz und ein Phenolharz enthaltenden Lösung gelöst werden.
Die Menge an im Beschichtungsfilm vorhandenem Diazoniumsalz hängt von der Konzentration des Diazoniumsalzes in der Lösung und der Berührungszeit der Lösung mit dem Film ab. In vielen Fällen wird die Sättigungskonzentration des Diazoniumsalzes im Beschichtungsfilm schnell erreicht.
Die erfindungsgemäße strahlungsempfindliche Zusammensetzung enthält die strahlungsempfindliche Verbindung vorzugsweise in einer Menge von 10 bis 50 und insbesondere von 12 bis 25 Masse-%, bezogen auf das organische Polymer. Liegt die Menge unter 10 Masse-%, so treten verschiedene Probleme beim Unlöslichmachen des Beschichtungsfilms auf; sind mehr als 50 Masse-% vorhanden, so ist die Lichtabsorption zu stark, das Licht erreicht nur schwer den unteren Filmbereich.
Wird der Beschichtungsfilm aus einem Phenolharz mit einer Lösung des Diazoniumsalzes in Berührung gebracht, so werden vorzugsweise Essigsäure und Wasser als gemischtes Lösungsmittel verwendet. Essigsäure ist ein gutes Lösungsmittel für Phenolharz, Wasser löst das Phenolharz nicht auf. Durch Verwendung dieses Gemisches ist es möglich, das Diazoniumsalz in den Phenolharzfilm einzubringen, ohne das Phenolharz aufzulösen. Essigsäure wird in dem gemischten Lösungsmittel in einer Menge von vorzugsweise 10 bis 90 und insbesondere von 20 bis 80 Masse-% des Wassers verwendet. Liegt die Menge unter 10%, so findet keine Diffusion des Diazoniumsalzes statt, bei mehr als 90 Masse-% wird das Phenolharz zum Teil aufgelöst, was nicht erwünscht ist. Diese Werte hängen auch vom Harz ab; da beispielsweise Polyvinylphenol leicht in Essigsäure gelöst werden kann, ist ein Bereich von 10 bis 30 Masse-% bevorzugt.
Die erfindungsgemäß verwendeten Diazoniumsalze sind vorzugsweise aromatische Diazoniumsalze und insbesondere Diazoniumchlorid- Zinkchlorid-Doppelsalze, Diazoniumfluorborat, Diazoniumsulfonat, Diazoniumsulfat oder ein aromatisches Diazoniumsulfonat. Auch 5-Diazo-meldrumsäure kann verwendet werden.
Aromatische Diazoniumsalze der folgenden allgemeinen Formeln (I) und (II) sind besonders bevorzugt, da sie sich nach Bestrahlung leicht zersetzen:
wobei R₁, R₂, R₃ und R₄ je ein Wasserstoff- oder Halogenatom oder einen Alkyl-, Alkoxy- oder Arylrest bedeuten und X Cl, BF₄, SO₃H, HSO₄, PF₆, 1/2SO₄ oder eine aromatische Sulfonsäure ist,
in der A ein Alkoxy-, Pyrrolidino- oder Morpholinorest ist und
R₃, R₄ und X die oben angegebene Bedeutung haben.
Bedeutet X in den Formeln (I) und (II) Chlor, so liegt es vorzugsweise als Doppelsalz mit Zinkchlorid vor. Ist A ein Alkoxyrest, so hat dieser vorzugsweise 1 oder 2 Kohlenstoffatome.
Die Dicke der Grundharzschicht liegt vorzugsweise bei 0,3 bis 2,0 µm und insbesondere bei 0,5 bis 1,5 µm. Ist die Schicht zu dick, so ist eine hohe Auflösung schwer zu erreichen, bei einer zu dünnen Schicht können sich in dem Film kleine Löcher bilden.
Die erfindungsgemäße Zusammensetzung kann auch ein Azid enthalten. Bekanntlich ist eine Zusammensetzung, die ein Azid und ein Phenolharz enthält, eine negativ arbeitende Photoresistzusammensetzung. Die erfindungsgemäße Zusammensetzung hat jedoch eine andere Wirkung als ein Photoresist. Deshalb liegt die Menge an Azid vorzugsweise unter der, die in gewöhnlichen Photoresistzusammensetzungen enthalten ist. In der erfindungsgemäßen Zusammensetzung liegt das Azid in einer Menge von 5 bis 10 Masse-%, bezogen auf das organische Polymer, vor.
Ein Beispiel für ein bevorzugtes Azid ist ein Bisazid der folgenden allgemeinen Formel (III)
in der Y -SO₂-, -CH₂-, -S- oder -CO- ist.
Es können auch andere Bisazide verwendet werden, beispielsweise 3,3′-Dimethoxy-4,4′-diazidobiphenyl.
Als Monoazide werden Verbindungen mit einer Azidgruppe im aromatischen Ring bevorzugt, insbesondere 3-(4-Azidostyryl)- 5,5-dimethyl-2-cyclohexen-1-on, 4-Azido-2′-methoxycalcon, 4- Azido-4′-methoxycalcon, 4-(N,N-Dimethylamino)-4′-azidocalcon oder 3-[4-(p-Azidophenyl)-1,3-butadienyl]-5,5-dimethyl-2- cyclohexen-1-on.
Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Bildmusters unter Verwendung der erfindungsgemäßen Zusammensetzung, in dem beispielsweises ein Film mit einer Zweischichtstruktur verwendet wird. Im erfindungsgemäßen Verfahren wird zuerst ein Beschichtungsfilm der erfindungsgemäßen Zusammensetzung auf dem Substrat hergestellt (dieser Film wird im folgenden mit "Grundpolymerschicht" bezeichnet, das Polymer in dieser Schicht wird mit "erstes organisches Polymer" angegeben). Auf diese Grundpolymerschicht wird eine Schicht aufgebracht, die die strahlungsempfindliche Verbindung und ein zweites organisches Polymer enthält (diese Schicht wird als "lichtempfindliche Schicht" bezeichnet), wodurch ein Film mit Zweischichtstruktur entsteht. Dieser Film wird zu einem Bildmuster belichtet, die lichtempfindliche Schicht wird entfernt und die Grundpolymerschicht entwickelt. Die Entfernung der lichtempfindlichen Schicht und die Entwicklung können gleichzeitig erfolgen, wenn das richtige Lösungsmittel gewählt wird.
Die strahlungsempfindliche Verbindung kann in der lichtempfindlichen Schicht und in der Grundpolymerschicht verschieden sein, die Herstellung ist jedoch leichter, wenn in beiden Schichten die gleiche Verbindung verwendet wird. Das erfindungsgemäße Verfahren wird vorzugsweise wie folgt durchgeführt:
Ein Film eines organischen Polymers wird auf einem Substrat gebildet, eine Lösung, die das zweite organische Polymer und die strahlungsempfindliche Verbindung enthält, wird auf diesen Film aufgebracht. Die strahlungsempfindliche Verbindung diffundiert in den Film und bildet die Grundpolymerschicht. Überschüssige Lösung wird beispielsweise durch Schleudern des Substrats in einer Schleuder entfernt, es entsteht eine lichtempfindliche Schicht, die die zurückbleibende strahlungsempfindliche Verbindung und das zweite organische Polymer enthält. Nach dem bildmustergemäßen Belichten wird die lichtempfindliche Schicht entfernt, die Grundpolymerschicht wird entwickelt.
Das zweite organische Polymer ist vorzugsweise in einem Lösungsmittel löslich, das das organische Polymer der Grundpolymerschicht nicht löst, da die Grundpolymerschicht nicht in der Lösung des zweiten organischen Polymers, das zur Herstellung des zweischichtigen Films verwendet wird, aufgelöst werden darf. Das zweite organische Polymer ist vorzugsweise ein Polymer mit hoher Durchlässigkeit für den Stickstoff, der durch die Photozersetzung des Diazoniumsalzes nach Bestrahlung freigesetzt wird. Besonders bevorzugt sind Poly(N-vinylpyrrolidon), N-Vinylpyrrolidon-Vinylacetat-, Acrylamid-Diacetonacrylamid- und Methylvinylether-Maleinsäureanhydrid- Copolymere.
In der lichtempfindlichen Schicht liegt die strahlungsempfindliche Verbindung vorzugsweise in einer Menge von 80 Masse-% oder mehr, bezogen auf das zweite organische Polymer, vor, da auf diese Weise die optische Dichte der lichtempfindlichen Schicht erhöht werden kann. Liegt der Anteil an strahlungsempfindlicher Verbindung jedoch über 200 Masse- %, so kann die Verbindung in der lichtempfindlichen Schicht auskristallisieren. D. h., der Anteil an strahlungsempfindlichen Verbindung im zweiten organischen Polymer beträgt vorzugsweise 80 bis 200 Masse-%.
Die lichtempfindliche Schicht hat vorzugsweise eine Dicke von 0,2 bis 1,0 µm und insbesondere von 0,4 bis 0,7 µm. Bei einer zu dicken Schicht ist die Auflösung vermindert, bei einer zu dünnen Schicht können leicht kleine Löcher entstehen.
Die Entfernung der lichtempfindlichen Schicht und die Entwicklung der Grundpolymerschicht können gleichzeitig oder getrennt durchgeführt werden. Ist die lichtempfindliche Schicht wasserlöslich und kann die Grundpolymerschicht mit einer Alkalilösung entwickelt werden, so kann die lichtempfindliche Schicht gleichzeitig mit der Entwicklung entfernt werden.
Die erfindungsgemäße Zusammensetzung weist eine hohe Auflösung auf, da die strahlungsempfindliche Verbindung durch Bestrahlung zersetzt und dadurch entfärbt wird, außerdem wird sie durch das vom Substrat reflektierte Licht kaum beeinflußt. Die Wirkung der erfindungsgemäßen Zusammensetzung auf das Unlöslichmachen des Beschichtungsfilms beruht vermutlich darauf, daß das Zersetzungsprodukt der strahlungsempfindlichen Verbindung in vielen Lösungsmitteln unlöslich oder kaum löslich ist und somit die Auflösung des organischen Polymers verhindert. In einigen Fällen wird auch der bestrahlte Bereich in Lösungsmitteln gelöst, die eine hohe Löslichkeit für organische Polymere haben.
Bei Filmen mit einer Zweischichtstruktur dient die obere lichtempfindliche Schicht als kontrasterhöhende Schicht, was zu einem höheren Kontrast führt.
Die bekannten Bildmuster haben einen Kontrast mit einem γ- Wert von 2 und einen Linien- und Zwischenraumabstand von 0,6 µm. Die Überlegenheit der erfindungsgemäßen strahlungsempfindlichen Zusammensetzung über bekannte Zusammensetzungen ergibt sich aus den folgenden Beispielen.
Beispiel 1
Ein 20 masse-%ige Lösung eines Phenolharzes (Alnovol PN 430 von Hoechst & Co.) in Ethylcellosolveacetat wurde auf eine Siliciumscheibe als Substrat zu einem Film mit einer Dicke von 0,7 µm aufgebracht. Der Film wurde 1 min bei 80°C vorgehärtet, dann wurde eine wäßrige Essigsäurelösung der folgenden Zusammensetzung 1 auf diesen Film aufgebracht, über die Gesamtfläche verteilt und 1 min stehengelassen. Auf diese Weise wurde der Film mit der Diazonylverbindung dotiert, es entstand eine Grundpolymerschicht.
Auf diese Grundpolymerschicht wurde in einer Schleuder eine wäßrige Essigsäurelösung einer Diazonylverbindung und von Polyvinylpyrrolidon aufgebracht und zu einer die Diazoniumverbindung und Polyvinylpyrrolidon enthaltenden, lichtempfindlichen Schicht getrocknet. Die Dicke dieser lichtempfindlichen Schicht betrug 0,5 µm.
Der so hergestellte Film mit einer Zweischichstruktur wurde mit einem Reproduzierprojektions-i-Zeilenausrichtgerät (Hitachi) bildmustergemäß belichtet, die lichtempfindliche Schicht wurde dann mit Wasser weggewaschen.
Die Grundpolymerschicht wurde mit 2,38 masse-%iger wäßriger Tetramethylammoniumhydroxidlösung 30 s lang entwickelt, es entstand mit hoher Genauigkeit ein Resistbildmuster mit einem Linien- und Zwischenraumabstand von 0,5 µm. Die Belichtungsmenge entsprach ziemlich genau der für gewöhnliche positiv arbeitende Resistzusammensetzungen, der Kontrast, angegeben als γ-Wert, betrug über etwa 4, was mehr als doppelt so viel ist wie in herkömmlichen Verfahren.
Zusammensetzung
4-(N,N-Dimethylamino)-benzol-diazoniumchlorid-Zinkchlorid-Doppelsalz-
(Nr. 1 der folgenden Tabelle) 7,5%
N-Vinylpyrrolidon-Vinylacetat-Copolymer 5%
Essigsäure 45%
Wasser 42,5%
Beispiel 2
Gemäß Beispiel 1 wurden Bildmuster hergestellt mit dem Unterschied, daß die Diazoniumsalze Nr. 2 bis 11 der folgenden Tabelle anstelle des Diazoniumsalzes des Beispiels 1 verwendet wurden. Alle Diazoniumsalze Nr. 2 bis 11 gaben feine Bildmuster mit einem Kontrast von γ = 4, einem Linien- und Zwischenraumabstand von 0,5 µm und hoher Auflösung.
Tabelle
Beispiel 3
Es wurden gemäß Beispiel 1 Bildmuster hergestellt unter Verwendung der Diazoniumsalze Nr. 12 bis 14 der Tabelle anstelle des Diazoniumsalzes des Beispiels 1. Die Kontaktbelichtung wurde mit einem Interferenzfilter von 315 nm mit einer Ultrahochdruck-Xe-Hg-Lampe anstelle des Reduzierprojektions- i-Zeilenausrichtgeräts durchgeführt. Alle Diazoniumsalze Nr. 12 bis 14 gaben feine Bildmuster mit einem Kontrast von γ = 4 und einem Linien- und Zwischenraumabstand von 0,5 µm.
Beispiel 4
Gemäß der Arbeitsweise des Beispiels 1 wurde ein Bildmuster hergestellt mit dem Unterschied, daß ein Beschichtungsfilm aus einem Phenolharz (Alnovol PN 430) und 3-(4-Azidostyryl)- 5,5-dimethyl-2-cyclohexen-1-on in einer Menge von 10 Masse-% des Phenolharzes anstelle des Beschichtungsfilms des Beispiels 1 verwendet wurde. Es entstanden feine Muster mit einem Kontrast von γ = 4 und einem Linien- und Zwischenraumabstand von 0,5 µm.
Beispiel 5
Gemäß der Arbeitsweise des Beispiels 3 wurden Bildmuster hergestellt mit dem Unterschied, daß ein Beschichtungsfilm aus einem Phenolharz (Alnovol PN 430) und 3,1′-Dimethoxy- 4,4′-diazidobiphenyl in einer Menge von 10 Masse-% des Phenolharzes anstelle des Films des Beispiels 3 verwendet wurde. Es entstanden feine Bildmuster mit einem Kontrast von γ = 4 und einem Linien- und Zwischenraumabstand von 0,5 µm.
Beispiel 6
Mit einem Elektronenstrahl-Zeichengerät (Hitachi) wurde auf einem Film mit einer Zweischichtstruktur, der gemäß Beispiel 1 hergestellt worden war, ein Bildmuster gezeichnet, das gemäß Beispiel 1 entwickelt wurde. Das entstandene feine Bildmuster hatte einen Linien- und Zwischenraumabstand von 0,5 µm und einen Kontrast von γ = 4.
Beispiel 7
Gemäß der Arbeitsweise des Beispiels 1 wurden Bildmuster hergestellt mit dem Unterschied, daß das Diazoniumsalz Nr. 8 der Tabelle anstelle des Diazoniumsalzes des Beispiels 1 verwendet wurde, der Beschichtungsfilm aus einem Phenolharz (Alnovol PN 430) und 3-[4-(p-Azidophenyl)-1,3-butadienyl]- 5,5-dimethyl-2-cyclohexen-1-on in einer Menge von 10 Masse-% des Phenolharzes verwendet wurde und anstelle des Reduzierprojektions- i-Zeilenausrichtgeräts ein Reduzierprojektions- g-Zeilenausrichtgerät eingesetzt wurde. Das entstandene feine Muster hatte einen Linien- und Zwischenraumabstand von 0,5 µm und einen Kontrast von γ = 4. Die Entwicklungszeit betrug 120 s.

Claims (28)

1. Strahlungsempfindliche Zusammensetzung, enthaltend eine strahlungsempfindliche Verbindung, die nach Bestrahlung eine verminderte Strahlungsabsorption aufweist, und ein organisches Polymer, dessen Löslichkeit in einem bestimmten Lösungsmittel nach dem Ausbilden als Film durch die Anwesenheit eines durch die Bestrahlung entstehenden Zersetzungsprodukts der strahlungsempfindlichen Verbindung verändert und vermindert wird.
2. Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das organische Polymer ein Phenolharz ist.
3. Zusammensetzung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Phenolharz ein Novolak- oder Kresol- Novolakharz und/oder ein Polyvinylphenolharz ist.
4. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die strahlungsempfindliche Verbindung ein aromatisches Diazoniumsalz ist.
5. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die strahlungsempfindliche Verbindung ein aromatisches Diazoniumsalz ist.
5. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das aromatische Diazoniumsalz ein Diazoniumchlorid-Zinkchlorid-Doppelsalz, Diazoniumfluorborat, Diazoniumsulfonat, Diazoniumsulfat, ein aromatisches Diazoniumsulfonat und/oder Diazo-meldrumsäure ist.
6. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das aromatische Diazoniumsalz eine Verbindung der folgenden Formel (I) ist, in der R₁, R₂, R₃ und R₄ je ein Wasserstoff- oder Halogenatom oder einen Alkyl-, Alkoxy- oder Arylrest bedeuten und X Cl, BF₄, SO₃H, HSO₄, PF₆, 1/2SO₄ oder eine aromatische Sulfonsäure ist.
7. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das aromatische Diazoniumsalz eine Verbindung der folgenden Formel (II) ist, in der A einen Alkoxy-, Pyrrolidono- oder Morpholinorest,
R₃ einen Alkoxyrest,
R₄ einen Arylrest oder ein Halogenatom und
X Cl, BF₄, SO₃H, HSO₄, PF₆, 1/2SO₄ oder eine aromatische Sulfonsäure bedeuten.
8. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die strahlungsempfindliche Verbindung in einer Menge von 10 bis 50 Masse-% des organischen Polymers vorliegt.
9. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die strahlungsempfindliche Verbindung in einer Menge von 15 bis 25 Masse-% des organischen Polymers vorliegt.
10. Verfahren zur Herstellung von Bildmustern, gekennzeichnet durch folgende Stufen:
  • - Herstellen auf einem Substrat einer Grundpolymerschicht mit einer strahlungsempfindlichen Verbindung, die nach Bestrahlung eine verminderte Strahlungsabsorption aufweist, und einem organischen Polymer, dessen Löslichkeit in einem gewünschten Lösungsmittel nach dem Ausbilden als Film verändert und vermindert ist,
  • - Aufbringen auf diese Grundpolymerschicht einer lichtempfindlichen Schicht, die ein zweites organisches Polymer und eine strahlungsempfindliche Verbindung enthält, die nach Bestrahlung eine verminderte Strahlungsabsorption aufweist,
  • - selektives Bestrahlen des gewünschten Bereichs der Grundpolymerschicht durch die lichtempfindliche Schicht und
  • - Entfernen der lichtempfindlichen Schicht und Entwickeln der Grundpolymerschicht.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundpolymerschicht durch Aufbringen eines Films des organischen Polymers auf das Substrat und In-Berührungbringen einer die strahlungsempfindliche Verbindung enthaltenden Lösung mit der Oberfläche des Films hergestellt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß als organisches Polymer ein Phenolharz verwendet wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Phenolharz ein Novolak- oder Kresol-Novolakharz und/oder ein Polyvinylphenolharz verwendet wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß als strahlungsempfindliche Verbindung ein aromatisches Diazoniumsalz verwendet wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß als aromatisches Diazoniumsalz ein Diazoniumchlorid-Zinkchlorid-Doppelsalz, Diazoniumfluorborat, Diazoniumsulfonat, Diazoniumsulfat, ein aromatisches Diazoniumsulfonat und/oder Diazo-meldrumsäure verwendet wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß als aromatisches Diazoniumsalz eine Verbindung der Formel (I) verwendet wird, in der R₁, R₂, R₃ und R₄ je ein Wasserstoff- oder Halogenatom, einen Alkyl-, Alkoxy- oder Arylrest bedeuten und X Cl, BF₄, SO₃H, HSO₄, PF₆, 1/2SO₄ oder eine aromatische Sulfonsäure ist.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß als aromatisches Diazoniumsalz eine Verbindung der Formel (II) verwendet wird, in der bedeuten:
A einen Alkoxy-, Pyrrolidino- oder Morpholinrest,
R₃ einen Alkoxyrest,
R₄ einen Arylrest oder ein Halogenatom und
X Cl, BF₄, SO₃H, HSO₄, PF₆, 1/2SO₄ oder eine aromatische Sulfonsäure.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die strahlungsempfindliche Verbindung in einer Menge von 10 bis 50 Masse-% des organischen Polymers verwendet wird.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß die strahlungsempfindliche Verbindung in einer Menge von 15 bis 25 Masse-% des organischen Polymers verwendet wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundpolymerschicht in einer Dicke von 0,3 bis 2,0 µm hergestellt wird.
21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundpolymerschicht in einer Dicke von 0,5 bis 1,5 µm hergestellt wird.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtempfindliche Schicht einer Dicke von 0,2 bis 1,0 µm hergestellt wird.
23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtempfindliche Schicht in einer Dicke von 0,4 bis 0,7 µm hergestellt wird.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtempfindliche Verbindung in der lichtempfindlichen Schicht in einer Menge von 80 bis 200 Masse-% des zweiten organischen Polymers verwendet wird.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß als zweites organisches Polymer Poly(N-vinylpyrrolidon), ein N-Vinylpyrrolidon-Vinylacetat-, Acrylamid-Diacetonacrylamid- oder Methylvinylether Maleinsäureanhydrid-Copolymer verwendet wird.
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß eine Grundpolymerschicht hergestellt wird, die zusätzlich ein Azid enthält.
27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß das Azid in einer Menge von 5 bis 10 Masse-% des organischen Polymers verwendet wird.
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