DE3586175T2 - Photolithographisches verfahren. - Google Patents
Photolithographisches verfahren.Info
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Description
- Bei der Photolithografie werden beträchtliche Vorteile erhalten, wenn zweischichtige Widerstände zur Erzeugung eines Musters auf einem geeigneten Substrat bei der Herstellung von elektronischen Geräten oder integrierten Stromkreisen auf Halbleiterchips verwendet werden.
- Die Verwendung solcher zweischichtiger Photowiderstände ist bspw. in der EP-A-0 002 999 beschrieben.
- Die Tiefe der Fokusbegrenzungen wird dadurch minimalisiert, daß die Primärabbildung auf einen positiven Photowiderstand beschränkt wird, der als eine dünne Schicht auf eine dicke planare Polymerschicht, wie bspw. ein Polymethylmethacrylat, aufgebracht ist. Ein geeigneter Farbstoff, der in dem aktiven Bereich der dünn aufgebrachten oberen positiven Widerstandsschicht absorbiert, kann in die dickere PMMA planare Basisschicht eingebracht sein. Der Farbstoff kann eventuelles Störlicht absorbieren, welches dazu neigen könnte, von dem stützenden Substrathintergrund zu der dünnen oberen positiven Widerstandsschicht hin zu reflektie ren, wodurch eine scharfe Auflösung in der resultierenden tragbaren gleichförmigen Maske (PCM) gestört wird, die von dem oberen positiven Photowiderstand erhalten wird.
- Verfahren und Zusammensetzungen, die bei der Anwendung des PCM auf die Mikrolithografie nützlich sind, sind in dem IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol 25, No. 11B, April 1983, Seiten 5922-5924 beschrieben. Obwohl mit dem zweischichtigen Photowiderstandsverfahren verbesserte Ergebnisse erzielt wurden, das von Chen et al in dem US Patent 4,362,809 beschrieben wird, können Veränderungen in den Profilen und in der Dicke des oberen Widerstandsmusters seine Wirksamkeit als eine Maske während der tiefen UV-Bestrahlung der unteren Widerstandsschicht verringern. Gerundete Konturen und ein Mangel an Gleichförmigkeit bei der Dicke der letzten vertikalen Widerstandprofile können oft auftreten.
- Wie es früher entdeckt und in der EP-A-0 110 165 beschrieben wurde, können bei der Mikrolithografie verbesserte Ergebnisse durch die Aufbringung einer kontrastvergrößernden Schicht auf eine Novolak-Widerstandsschicht erhalten werden, die nach der Bestrahlung zu einem Luftbild entwickelt wird, welches durch den Durchgang von UV-Licht durch eine Maske erhalten ist.
- Die vorliegende Erfindung ist auf der Entdeckung begründet, daß eine Verbesserung bei den Wandprofilen und bei den mit Reflexionen und Beugungswirkungen verbundenen Problemen, wie bspw. Resten von restlichem Widerstand, wie in den Fig. 2a und 3a gezeigt, im wesentlichen eliminiert werden können, wie in den Fig. 2b und 3b gezeigt, wenn die kontrastvergrößerte Photolithografie mit der vorerwähnten Zweischichten- Photowiderstand-Technologie kombiniert wird.
- Bei einem photolithografischen Verfahren, welches einen Zweischichten-Photowiderstand mit dem Ergebnis einer unvollständigen Auflösung der unteren Photowiderstandsschicht als Folge von Veränderungen in dem Profil und in der Dicke des oberen Photowiderstandsmusters verwendet, besteht die Verbesserung darin, daß ein photobleichfähiger Film auf die Oberfläche der oberen Photowiderstandsschicht aufgebracht wird, bevor der Zweischichten-Photowiderstand gemustertem UV-Licht ausgesetzt wird, sodaß dadurch die Veränderungen und die Dicke der resultierenden tragbaren gleichförmigen Maske verringert werden, die von der Entwicklung der bestrahlten oberen Photowiderstandsschicht erhalten ist, und die Auflösung des resultierenden gemusterten Photowiderstandsreliefs verbessert wird, das von der anschließenden Bestrahlung und Entwicklung der unteren Photowiderstandsschicht erhalten ist.
- In Fig. 1 ist in größerem Detail ein Photowiderstandsverbund gezeigt, der für die Praxis der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, um verschiedene Substrate während der Herstellung von elektronischen Geräten und integrierten Stromkreisen zu mustern. In Fig. 1 bedeutet PMMA Polymethylmethacrylat, welches einen Absorptionsfarbstoff hat, der zur Ausbildung einer dicken, planaren, antireflektierenden, photosensitiven Polymerschicht verwendet ist; eine positive Widerstandsschicht bedeutet einen Photowiderstand, wie bspw. Polynovolak, der zur Erzeugung einer oberen tragbaren gleichförmigen Maske (PCM) verwendet werden kann. In Fig. 1 ist auch eine kontrastvergrößernde Schicht (CEL) gezeigt, die eine photobleichbare Verbindung enthält, welche weiter unten näher erläutert wird.
- Um die Vorteile der Erfindung vollständiger zu verstehen, wird auf die Zeichnungen verwiesen. In Fig. 1 ist eine Schnittansicht eines Siliconsubstrats gezeigt, das mit einer Schicht PMMA, Novolak und CEL bedeckt ist. Die Fig. 2a, 2b, 3a und 3b zeigen die Ergebnisse, die mit und ohne die Verwendung von CEL erhalten sind, namlich bspw. die Unterschiede bei den Gittermustern und den vergabelten Leitungsenden.
- In Fig. 2a, Linie 15, und Fig. 3a, Linie 15, sind insbesondere unvollständig aufgelöste Gittermuster gezeigt, während in Fig. 2a, Linie 10, und Fig. 3a, Linie 20, vergabelte Leitungsenden angedeutet sind und Fig. 3b einen Bereich zeigt, der frei von solchen Nachteilen ist.
- Die Erfindung besteht auch in einem photolithografischen Verfahren zum Ausbilden eines gemusterten Photowiderstandsrefliefs von einem zweischichtigen Photowiderstand, welches die folgenden Verfahrensschritte umfaßt:
- (1) Ablagerung wenigstens eines ersten Widerstandes auf einem Substrat zur Erzeugung einer Bodenwiderstandsschicht, die eine im wesentlichen planare obere Oberfläche aufweist, und Ablagerung eines zweiten Widerstandes als eine obere Widerstandsschicht, um eine vielschichtige Substratbeschichtung zu erzeugen, bei welcher die Bodenwiderstandsschicht zwischen dem Substrat und der oberen Widerstandsschicht angeordnet ist,
- (2) Bestrahlung der oberen Widerstandsschicht mit Licht in einem Bereich, bei welchem der zweite Widerstand insensitiv ist, wobei das Licht durch eine Maske hindurchgeleitet worden ist, um nur ausgewählte Bereiche der oberen Widerstandsschicht zu bestrahlen, und
- (3) anschließendes Entwickeln der oberen Schicht, um eine tragbare gleichförmige Maske zu erzeugen, wobei die Schichten der Substratbeschichtung ausgenommen die obere Widerstandsschicht behandelt werden, um das Muster der tragbaren gleichförmigen Maske in diesen Schichten zu wiederholen,
- wobei eine unvollständige Auflösung der Bodenwiderstandsschicht erhalten wird als Folge von Veränderungen des Profils und der Dicke des oberen Photowiderstandsmusters, dadurch gekennzeichnet, daß ein photobleichfähiger Film aus einem Arylnitron und einem inerten organischen Polymerbindemittel auf die Oberfläche der oberen Photowiderstandsschicht aufgebracht wird vor dem Bestrahlen des zweischichtigen Photowiderstandes mit gemustertem UV-Licht in einer Menge, die ausreicht, um die Veränderungen und die Dicke der resultierenden tragbaren gleichförmige Maske zu verringern, welche von der Entwicklung der bestrahlten oberen Photowiderstandsschicht erhalten ist und die Auflösung des resultierenden gemusterten Photowiderstandsreliefs zu verbessern, das von der anschließenden Bestrahlung und Entwicklung der Bodenphotowiderstandsschicht erhalten ist.
- Unter den Polymethylmethacrylaten, die für die Praxis der vorliegenden Erfindung zur Ausbildung der anfänglichen antireflektierenden Widerstandsschicht an der Oberseite der Grenzfläche, wie in Fig. 1 gezeigt, verwendet werden können, sind bspw. Elvacite 2041 und 2010 von DuPont de Nemours Company, Wilmington, Delaware; KTI-Standard PMMA-Widerstand, usw. Wie in der parallelen Anmeldung S.N. 619,526 beschrieben ist, kann der vorerwähnte PMMA-Widerstand in der Kombination mit einem Absorptionsfarbstoff verwendet werden, wie bspw. der 1,3-Propan-Diol-Diester von Methyl(p-Diethylamino- α-Cyano)Zimtsäure oder Kumarin. Die PMMA-Widerstandsschicht kann auf ein Substrat, wie ein Siliconsubstrat oder Glassubstrat, in der Form eines Schleudergußgemisches aufgebracht werden, welches 100 Teile eines inerten organischen Lösungsmittels, wie bspw. Toluol, Chlorbenzol, Methylisobutylketon, usw. umfaßt, wobei 100 Teile des organischen Lösungsmittels, 1-15 Teile von PMMA und 0.01-1.0 Teile des Absorptionsfarbstoffes verwendet werden können. Der Farbstoff kann bei etwa 436 nm absorbieren und bei etwa 220- 250 nm nicht absorbieren.
- Unter den positiven Photowiderstand-Zusammensetzungen, die bei der Herstellung der PCM (tragbaren gleichförmigen Maske) verwendet werden können, sind Novolakharze eingeschlossen, die mit Naphthoquinondiazide modifiziert sind, deren chemisches Verhalten für positive Arbeitssysteme von Jeffrey C. Streeter, Eastman Kodak Company, Proceedings of the Microelectronic Seminar Interface '76, Seiten 116-221, dargestellt ist. Eine typische Reaktion zur Herstellung dieser positiven Photowiderstände besteht darin, daß die Hydroxylgruppen auf ein Phenol-Formaldehydharz mit Naphthoquinon-Diazid-Sulfonyl-Chlorid reagieren. Die bei den positiven Novolakwiderständen am häufigsten verwendeten Lösungsmittel sind 2-Ethoxyethylacetat und 2-Methoxyethylacetat. In einigen Fällen kann Xylol und Butylacetat in das Lösungsmittelsystem eingegliedert werden, um verschiedene Trocknungs- und Beschichtungscharakteristiken zu ergeben.
- Schleudergußfähige Gemische, die zur Bildung des in Fig. 1 gezeigten CEL verwendet werden können, sind insbesondere in der parallelen Anmeldung S.N. 536,923 beschrieben. Bspw. kann ein Gemisch verwendet werden, welches gewichtsmaßig
- (A) 100 Teile eines organischen Lösungsmittels,
- (B) 1-30 Teile, vorzugsweise 5-15 Teile, eines inerten organischen Polymerbindemittels, und
- (C) 1-30 Teile, vorzugsweise 5-15 Teile, eines Arylnitrons umfaßt.
- Arylnitrone, die für die Praxis des Verfahrens der vorliegenden Erfindung zur Herstellung einer photobleichfähigen Schicht benutzt werden können, sind durch die folgende Formel dargestellt:
- In der Formel 1 ist Z eine monovalente Gruppe, ausgewählt von
- (R³)a-Q-R&sup4;--
- oder R&sup5;-, und Z' ist eine monovalente Gruppe, ausgewählt von -R&sup6;(X)b', R, R¹, R² und R³ sind monovalente Radikale, ausgewählt aus der Klasse von Wasserstoff, C(1-8) Alkyl, C(1-8) substituiertes Alkyl, C(6-13) Aryl-Kohlenwasserstoff und C(6-13) substituierte Aryl-Kohlenwasserstoffe. Q ist ein monovalentes, divalentes oder trivalentes Atom, ausgewählt aus der Gruppe F, C., Br, I, O, S, N, wobei a Werte von 0,1 oder 2 haben kann. R&sup4; is ein C(6-13) Aryl-Kohlenwasserstoff oder ein C(6-13) substituierter Aryl-Kohlenwasserstoff. R&sup5; ist aus der Gruppe der substituierten oder nicht substituierten C(6-20) aromatischen heterocyclischen Verbindungen ausgewählt, die ein oder mehrere Atome aus der Gruppe O, N oder S einschließen. R&sup6; ist aus der Gruppe der C(6-20) aromatischen Kohlenwasserstoffe ausgewählt, und X ist aus der Gruppe der Halogen, Cyan, Alkylcarbonyl, C(1-8) Alkyl, C(1-8) substituiertes Alkyl, C(6-13) Aryl- Kohlenwasserstoff, C(6-13) substituierten Aryl-Kohlenwasserstoffe, oder Alkoxycarbonyl in jeder Kombination der Werte von b ausgewählt, welches 0, 1, 2 oder 3 sein kann, wobei n einen Wert von 0, 1, 2, 3 oder 4 haben kann. Die vorstehenden Verbindungen können unter Verwendung von Verfahren hergestellt werden, die bspw. beschrieben sind in "Methoden der Organischen Chemie (Houben-Weyl), Vol. 10, Teil 4 (1968) , Seiten 315-416, oder beschrieben sind von Jan Hamer und Anthony Macaluso in Chemical Reviews 1 (64), Nitrones, Seiten 476-483.
- Verschiedene Aryl-Ringsysteme mit einer Vielzahl von Substituenten können konstruiert werden, um den besonderen Erfordernissen des optischen Systems zu genügen, welches bei dem Verfahren der Photoabbildung benutzt wird. Die Arylnitrone ergeben Löschungskoeffizienten von 2 bis 5 x 10&sup4; Liter Mol&supmin;¹cm&supmin;¹ und bleichen mit Quantenausbeuten im Bereich von 0.1 bis 0.5.
- Für Direkt-Stufe-auf-die Wafer-Systeme, welche bei 405 nm abbilden können, haben sich die folgenden Nitrone als besonders nützlich erwiesen:
- wobei Ar ein C(6-13) monovalentes, aromatisches, organisches Radikal oder ein substituertes C(6-13) monovalentes, aromatisches, organisches Radikal ist und n gleich 0 oder 1 ist. Unter diese Unterklasse der p-Aminoarylnitrone sind auch heterocyklische Verbindungen eingeschlossen, wie bspw.
- Geeignete Bindemittel, die zur Bereitstellung eines schleudergußfähigen Gemisches für die Bildung einer photobleichfähigen Schicht verwendet werden können, welche die Arylnitrone der Formel (1) einschließt, sind: Vinylacetatpolymere (Homopolymere und Mischpolymere) und ihre teilweise verseiften Produkte (bspw. Polyvinylacetat), Mischpolymere von Styrol oder seinen Derivaten, Polymere oder Mischpolymere von Acrylat- oder Methacrylatestern, Acetalharze, Acrylnitril/Butadien-Mischpolymere, Ethylzellulose und andere kohlenwasserstofflösliche Zelluloseether, Zellulosepropionat und andere kohlenwasserstofflösliche Zelluloseester, Poly(Chloropren), Poly(Ethylenoxyd), Poly(Vinylpyrrolidon).
- Geeignete Lösungsmittel, die zur Bereitstellung eines schleudergußfähigen Gemisches verwendet werden können, um die photobleichfähige Schicht zu bilden, die das Arylnitron der Formel (1) einschließt, sind: aromatische Kohlenwasserstoffe (bspw. Toluol-Xylol, Ethyl-Benzol, Chlorbenzol) mit oder ohne aliphatische Kohlenwasserstoffe (bspw. Cyclohexan), halogenhaltige aliphatische Verbindungen (bspw. Trichlorethylen), Methylchloroform, Alkohole (bspw. Propanol, Butanol).
- Diarylnitrone der Formel 2, bei welcher R³ CH&sub3;CH&sub2;- ist und n = 0, sind als besonders nützlich gefunden worden. Bspw. wurde gefunden, daß α-(4-Diethylaminophenyl)-N-Phenylnitron bei 405 nm sehr stark absorbiert und auf nahezu Transparenz bleicht mit einem hohen Wirkungsgrad bei derselben Wellenlänge, indem es einer unimolekularen Zyklisierung zu einem Oxaziridin unterliegt. Es ist in Lösungen von mäßig geringer Polarität (bspw. Toluol, Ethylbenzol) sehr löslich und bildet bei hohen Ladungsdichten mit einer Vielzahl von Polymeren gute Filme wie bspw. Polystyrol, Poly(Hydroxyethylmethacrylat), Poly-α- Methylstyrol, Poly(Methylmethacrylat), Polyvinylpyrrolidon, Vinylpyridin/Styrol-Mischpolymere und Allylalkohol/Styrol- Mischpolymere. Zusätzlich hat α-(4-Diethylaminophenyl)-N- Phenylnitron einen Löschungskoeffizienten in Bezug auf ein Gewichtsverhältnis von 130 Liter/Gramm-cm bei 405 nm. Es kann zu einer kontrastvergrößernden Schicht durch Ausbildung einer 8% Lösung in Toluol mit einem Styrol/Allylalkohol-Mischpolymer als ein Bindemittel gebildet werden.
- Für die Praxis des Verfahrens der vorliegenden Erfindung wird eine Verbund-Photowiderstandsstruktur, wie in Fig. 1 gezeigt, hergestellt, indem anfänglich in herkömmlicher Weise ein Polymethylmethacrylat-Harz auf ein geeignetes Substrat, wie bspw. ein Silikonsubstrat, bspw. ein Silikonwafer, im Schleuderguß aufgebracht wird, wobei eine Lösung des Polymethylmethacrylat-Harzes in einem organischen Lösungsmittel, wie bspw. Toluol, verwendet wird, welches wie oben angedeutet auch einen Absorptionsfarbstoff enthalten kann. Dabei kann ein Gemisch aus 100 Teilen des organischen Lösungsmittels, 1-15 Teilen von PMMA und 0.01 bis 1 Teilen des Absorptionsfarbstoffes verwendet werden.
- Nachdem die PMMA-Schicht auf die Oberfläche des Substrats aufgeschleudert worden ist, kann sie bei einer Temperatur von 140-200ºC gebacken werden, um eine Polymethylmethacrylat-Widerstandsschicht zu erzeugen, die eine Dicke von 1-3 Mikrons hat. Ein positiver Photowiderstand kann dann mit einer Dicke von etwa 0.1-1.0 Mikrons aufgebracht werden. Der positive Photowiderstand, der ein Novolakharz sein kann, modifiziert mit Naphthoquinondiazid verwendet in einem Lösungsmittel, wie bspw. 2-Ethoxyethylacetat oder 2-Methoxyethylacetat, oder in einigen Fällen Xylol und Butylacetat, kann ebenfalls auf die PMMA-Oberfläche mit einer Dicke von etwa 0.5 Mikrons aufgeschleudert werden. Der positive Novolakwiderstand kann dann bei einer Temperatur in dem Bereich von 70-90ºC über eine Dauer von 1-30 Minuten gebacken werden. Die Kontrast-Vergrößerungsschicht kann auf die Oberfläche des positiven Photowiderstandes in einer Dicke von etwa 0.2 bis 1.0 Mikrons aufgeschleudert werden.
- Die Bestrahlung des photolithografischen Verbundes der Fig. 1 kann mit einer Quecksilberbogenlampe durchgeführt werden, die eine Intensität von 100 mw/cm² und eine Wellenlänge von 360-40 nm über eine Dauer von 0.3 bis 1 Sekunde hat. Die Kontrast-Vergrößerungsschicht und die positiven Photowiderstandsschichten können gleichzeitig bestrahlt werden, wenn ein Drucker verwendet wird, der bei der geeigneten Wellenlänge arbeitet. Die Entfernung der Kontrast-Vergrößerungsschicht (CEL) wird am besten durch ein Besprühen der CEL mit einem geeigneten Lösungsmittel, wie bspw. Trichlorethylen, erreicht. Nach der Entfernung der CEL wird dann der positive Widerstand mit einer herkömmlichen Entwicklerlösung, wie bspw. einem wässrigen Alkalihydroxyd, entwickelt. Das NaOH sollte eine molare Konzentration in dem Bereich von 0.2 bis 0.5 für optimale Ergebnisse haben. Falls gewünscht, kann dann die entwickelte PCM mit Sauerstoffplasma gesäubert werden gemäß dem Verfahren von Petrillo et al, Submicrometer Contact Hole Delineation with a Two-Layer Deep-UV Portable Conformable Masking System, J. Vac. Sci. Technol. B1(4), Okt.-Dez. 1983.
- Der positive Widerstand-PMMA-Verbund kann einer UV-Bestrahlung mit einer Wellenlänge von 190 bis 250 nm ausgesetzt werden. Der resultierende bestrahlte PMMA-Verbund kann unter Verwendung einer Standard-Aceton/Isopropanol-Lösung entwickelt werden, um eine gemusterte PMMA-Photowiderstandsschicht auf einem geeigneten Substrat zu erzeugen, wie bspw. einem Silikonwafer, welches für die Herstellung eines Halbleitergerätes nützlich ist.
- Um für diejenigen, die sich in der Technik auskennen, die Erfindung ausführbar zu machen, wird zur Darstellung und nicht zur Begrenzung das folgende Beispiel angegeben. Alle Teile sind bezogen auf das Gewicht.
- Eine Chlorbenzollösung von 8% PMMA (Elvacite 2041) und 0.4% des 1.3-Propandioldiesters von Methyl (p-Diethylamino- α-Cyan) Zimtsäure wurden durch Schleuderguß auf zwei Silikonwafer aufgebracht. Zwei Schichten der Harzlösung wurden bei 180ºC mit einer Unterbrechung von 30 Minuten nach jeder Beschichtung aufgebracht. Der resultierende "gelbe PMMA"-Film auf jedem Wafer wurde bei 5000 U/min mit Shipley 1450B-Photowiderstand beschichtet und für 7 Minuten bei 85ºC gebacken. Eines der Wafer wurde dann mit einer kontrastvergrößernden Schicht (CEL) beschichtet, wobei eine Lösung verwendet wurde, die 8 Gew.-% α-(4-Diethylaminophenyl)-N-Phenylnitron und 8 Gew.-% eines Allylalkohol- Styrol-Mischpolymers in Ethylbenzol enthielt. Die Wafer wurden dann bestrahlt unter Verwendung eines Optimetrix 8010-Steppers mit einer Matrix von Bestrahlungen. Das Wafer mit der CEL wurde für 15 Sekunden mit Trichlorethylen sprühgestrippt und dann für 15 Sekunden mit Shipley 351- Entwickler verdünnt mit einem Teil auf 3 Teile Wasser sprühentwickelt. Das Wafer mit der CEL wurde direkt mit einem höheren Kontrastentwickler, nämlich Shipley 351 verdünnt mit einem Teil auf 5 Teile Wasser, für 25 Sekunden sprühentwickelt. Beide Wafer wurden dann für 75 Sekunden durch Überflutung bestrahlt unter Verwendung einer mit einer Quecksilberlampe ausgerüsteten, für ein Verschmelzungssystem tiefen UV-Quelle. Die Wafer wurden danach unter Verwendung von Diglym sprühentwickelt und mit Isopropanol gespült. Von der ursprünglichen Bestrahlungsmatrix wurde der Stempel ausgewählt, der bei der 0.8 µ-Leitung und den Abstandsmustern die beste Qualität hatte. Dies entsprach 2150 Millisekunden für das Wafer mit CEL und 660 Millisekunden für das Wafer ohne CEL. Das Wafer ohne CEL zeigte aufgelöste 0.8 µ-Leitungen/Abstandsmuster mit kleinen Schaden. Derselbe Stempel hatte jedoch unvollständig aufgelöste 0.65 µ-Gittermuster, wie bei 15 in den Figuren 2a und 3a gezeigt, und ausgedrückte Nachteile, die in den vergabelten Leitungsenden resultieren, wie bei 10 in Fig. 2a und 20 in Fig. 3a gezeigt. Im Gegensatz dazu hatte der Stempel auf dem CEL-Wafer mit gutem 0.8 µ-Gitter Leitungen/Abstandsmuster von 0.65 µ, die sauber aufgelöst waren und keine Nachteile hatten.
Claims (4)
1. Photolithografisches Verfahren zum Ausbilden eines
gemusterten Photowiderstandsreliefs von einem
zweischichtigen Photowiderstand mit den Verfahrensschritten
(1) Ablagerung wenigstens eines ersten Widerstandes auf
einem Substrat zur Erzeugung einer
Bodenwiderstandsschicht, die eine im wesentlichen planare obere
Oberfläche aufweist, und Ablagerung eines zweiten
Widerstandes als eine obere Widerstandsschicht, um
eine vielschichtige Substratbeschichtung zu erzeugen,
bei welcher die Bodenwiderstandsschicht zwischen dem
Substrat und der oberen Widerstandsschicht angeordnet
ist,
(2) Bestrahlung der oberen Widerstandsschicht mit Licht
in einem Bereich, bei welchem der zweite Widerstand
insensitiv ist, wobei das Licht durch eine Maske
hindurchgeleitet worden ist, um nur ausgewählte
Bereiche der oberen Widerstandsschicht zu bestrahlen,
und
(3) anschließendes Entwickeln der oberen Schicht, um
eine tragbare gleichförmige Maske zu erzeugen, wobei
die Schichten der Substratbeschichtung ausgenommen
die obere Widerstandsschicht behandelt werden, tun
das Muster der tragbaren gleichförmigen Maske in
diesen Schichten zu wiederholen,
wobei eine unvollständige Auflösung der
Bodenwiderstandsschicht erhalten wird als Folge von Veränderungen des
Profils und der Dicke des oberen Photowiderstandsmusters,
dadurch gekennzeichnet, daß ein photobleichfähiger Film
aus einem Arylnitron und einem inerten organischen
Polymerbindemittel auf die Oberfläche der oberen
Photowiderstandsschicht aufgebracht wird vor dem Bestrahlen
des zweischichtigen Photowiderstandes mit gemustertem UV
Licht in einer Menge, die ausreicht, um die Veränderungen
und die Dicke der resultierenden tragbaren gleichförmigen
Maske zu verringern, welche von der Entwicklung der
bestrahlten oberen Photowiderstandsschicht erhalten ist,
und die Auflösung des resultierenden gemusterten
Photowiderstandsreliefs zu verbessern, das von der
anschließenden Bestrahlung und Entwicklung der
Bodenphotowiderstandsschicht erhalten ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der zweischichtige Photowiderstand eine mit einem
Polynovalakharz beschichtete Polymethylmethacrylatschicht
aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der photobleichfähige Film α-(4-Diethylaminophenyl)-
N-Phenylnitron und ein Styrol/Allylcohol Mischpolymer
aufweist.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Polymethylmethacrylatschicht eine effektive
Menge an 1,3-Propandiol-Diester von Methyl(p-Diethylamino-
α-Cyan)-Zimtsäure enthält.
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