DE3825955A1 - Verfahren zur herstellung homogener siliciumnitrid-sinterkoerper - Google Patents
Verfahren zur herstellung homogener siliciumnitrid-sinterkoerperInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines ho
mogenen Siliciumnitrid-Sinterkörpers durch Formen einer Mi
schung aus Siliciumnitrid-Ausgangsmaterial und pulverförmigem
Sinterhilfsmittel und Brennen der geformten Mischung, bei dem
die Qualitätsminderung zeigende Oberflächenschicht des herge
stellten Sinterkörpers dünn ist.
Wenn ein Siliciumnitrid-Formkörper gebrannt oder der erhaltene
Sinterkörper einer isostatischen Heißpreßbehandlung (HIP-Be
handlung) unterzogen wird, wird an der Oberfläche des Formkör
pers, die mit der Atmosphäre in direkter Berührung ist, eine
Verdampfung oder eine Reaktion mit Atmosphärengas verursacht,
wodurch auf der Oberfläche des Formkörpers eine Qualitätsmin
derung zeigende Oberflächenschicht gebildet wird.
Die Erfinder haben verschiedene Analysen und Untersuchungen
der Qualitätsminderung zeigenden Oberflächenschicht durchge
führt und gefunden, daß sich die Zusammensetzung und die Struk
tur der Qualitätsminderung zeigenden Oberflächenschicht von
der Zusammensetzung und der Struktur des Inneren des Sinter
körpers (des normalen Bereichs) unterscheiden und daß im Ver
gleich zu dem Inneren des Sinterkörpers verschiedene Eigen
schaften verändert sind. Konkret kann festgestellt werden, daß
sich die Qualitätsminderung zeigende Oberflächenschicht in den
folgenden Punkten wesentlich von dem Inneren des Sinterkörpers
unterscheidet:
1) Porengrößenverteilung und Porosität bzw. relatives Poren
volumen;
2) Art und Menge der Sinterhilfsmittel und der gebildeten in
tergranularen bzw. interkristallinen Phase;
3) Farbton (spiegelt den Punkt 2 wider);
4) mechanische Eigenschaften wie z.B. Härte und Festigkeit
(spiegeln die Punkte 1 und 2 wider).
Obwohl der Prozeß der Bildung der Qualitätsminderung zeigenden
Oberflächenschicht nicht genau aufgeklärt ist, wird angenommen,
daß er etwa auf die folgenden Tatsachen zurückzuführen ist:
(i) Wenn der Stickstoff-Partialdruck (N2-Druck) um den Körper
niedrig ist wie z.B. bei dem drucklosen Sinterverfahren, tritt
während des Brennens eine Hitzezersetzungsreaktion bzw. eine
thermische Disoziationsreaktion von Si3N4 ein. Ferner reagiert
Si3N4 während des Brennens mit Oxiden wie z.B. SiO2,Y2O3 und
MgO, die als Sinterhilfsmittel zugesetzt worden sind, und wird
in Gasform zerstreut. D.h., es wird angenommen, daß die folgen
den Reaktionen verursacht werden:
Si₃N₄ → 3 Si + 2 N₂ ↑
Si₃N₄ + 3 SiO₂ → 6 SiO ↑ + 2 N₂ ↑
Si₃N₄ + 3 MO → 3 M + 3 SiO ↑ + 2 N₂ ↑
(M: Metall in dem Sinterhilfsmittel)
Si₃N₄ + 3 SiO₂ → 6 SiO ↑ + 2 N₂ ↑
Si₃N₄ + 3 MO → 3 M + 3 SiO ↑ + 2 N₂ ↑
(M: Metall in dem Sinterhilfsmittel)
Diese Zersetzungsreaktionen führen zu einer Abnahme der Masse
des Sinterkörpers. Wenn diese Reaktionen mit einer Geschwindig
keit vonstatten gehen, die größer ist als die Schrumpfungsge
schwindigkeit während des Brennens, schreitet die Verdichtung
nicht fort. Ferner werden Probleme wie z.B. eine Anschwellungs-
bzw. Aufblähungserscheinung und die Bildung von Poren hervor
gerufen, wenn die Zersetzung und die Verdampfung nach der
Verdichtung fortschreiten.
Eine solche Erscheinung tritt in heftigem Ausmaß an der Ober
fläche des Körpers auf und schreitet mit dem Anstieg der Tem
peratur oder mit der Zunahme der Brennzeit in das Innere des
Körpers fort, so daß in der Nähe der Oberfläche des Sinterkör
pers eine Schicht gebildet wird, die viele Poren enthält und
sich von dem Inneren des Körpers unterscheidet.
(ii) Die vorstehend beschriebene Zersetzungsreaktion kann
durch Erhöhung des N2-Druckes der Atmosphäre eingeschränkt wer
den. Ferner geht die Zersetzungsreaktion kaum vonstatten, wenn
der N2-Druck höher wird, jedoch wird eine andere, neue Reak
tion verursacht, die zu einer Bewegung und einer Abscheidung
bzw. einer Entmischung der Sinterhilfsmittelkomponente führt,
wodurch in der Nähe der Oberfläche des Sinterkörpers eine
Schicht gebildet wird, die sich hinsichtlich der Zusammenset
zung oder der Menge des Sinterhilfsmittels von dem Inneren des
Sinterkörpers unterscheidet. Als Ergebnis ist der Farbton in
der Nähe der Oberfläche des Sinterkörpers im allgemeinen an
ders als der Farbton im Inneren des Sinterkörpers, und es kann
auch eine andere Phase gebildet werden. Obwohl der Mechanismus
der Bildung einer solchen Oberflächenschicht nicht klar ist,
wird angenommen, daß sie auf die Wirkung von sich lösendem
Stickstoff in der Nähe der Oberfläche, auf die Wirkung der Re
aktion mit Fremdbestandteilen im Atmosphärengas (O2, CO u.
dgl.) oder auf die Kompressionswirkung, die auf dem hohen N2-
Druck basiert, zurückzuführen ist. Eine solche Oberflächen
schicht wird dicker, wenn der N2-Druck zunimmt oder wenn die
Dauer der Druckanwendung länger wird.
Die Oberfläche und das Innere des Körpers unterscheiden sich
hinsichtlich der Poren und der Zusammensetzung, was auf die
Reaktionen gemäß den vorstehend beschriebenen Punkten (i) und
(ii) zurückzuführen ist und z.B. durch den Farbton und die me
chanischen Eigenschaften widergespiegelt wird.
Aus den vorstehend erwähnten Gründen wird angenommen, daß es
für eine Verminderung der Dicke der Qualitätsminderung zeigen
den Oberflächenschicht wirksam ist, den Atmosphärendruck und
die Brenntemperatur bis zu einem gewissen Grade einzuschränken
und die Brennzeit zu verkürzen. Wenn der Atmosphärendruck und
die Brenntemperatur herabgesetzt werden und die Brennzeit ver
kürzt wird, ist es jedoch schwierig, eine homogene Verdichtung
und eine hohe Verfestigung des erhaltenen Siliciumnitrid-Sin
terkörpers zu erreichen.
Um homogene und dichte Siliciumnitrid-Sinterkörper mit hoher
Festigkeit zu erhalten, ist bisher ein Verfahren gewählt wor
den, bei dem der Druck der Atmosphäre auf nicht weniger als
50,7 MPa erhöht wird oder die Brenntemperatur erhöht wird, wo
bei die Qualitätsminderung zeigende Oberflächenschicht geop
fert wird.
Bei dem vorstehend erwähnten bekannten Verfahren zur Herstel
lung von Siliciumnitrid-Sinterkörpern wird jedoch die Quali
tätsminderung zeigende Oberflächenschicht des erhaltenen Sin
terkörpers dicker, so daß bei der Durchführung im industriel
len Maßstab die Menge des durch Oberflächenbearbeitung zu ent
fernenden Werkstoffs zunimmt und infolgedessen Probleme wie z.
B. eine Verlängerung der Bearbeitungszeit und eine Zunahme der
Betriebskosten verursacht werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur
Herstellung eines homogenen Siliciumnitrid-Sinterkörpers durch
Formen einer Mischung aus Siliciumnitrid-Ausgangsmaterial und
pulverförmigem Sinterhilfsmittel und Brennen der geformten Mi
schung derart zu verbessern, daß die Qualitätsminderung zeigen
de Oberflächenschicht des erhaltenen Sinterkörpers dünn ist.
Eine erste Ausgestaltung der Erfindung besteht in einem Verfah
ren zur Herstellung eines homogenen Siliciumnitrid-Sinterkör
pers durch Formen einer Mischung aus Siliciumnitrid-Ausgangs
material und pulverförmigem Sinterhilfsmittel und Brennen der
geformten Mischung, bei dem der erhaltene Formkörper vorgesin
tert und dann einer isostatischen Heißpreßbehandlung bei einer
Temperatur von 1500 bis 1700°C und einem Druck von mehr als
20,3 MPa und weniger als 50,7 MPa in einer Stickstoffgasatmo
sphäre und/oder einem Inertgas unterzogen wird, um einen Sin
terkörper zu erhalten, dessen Qualitätsminderung zeigende Ober
flächenschicht dünn ist.
Eine zweite Ausgestaltung der Erfindung besteht in einem Ver
fahren zur Herstellung eines homogenenSiliciumnitrid-Sinter
körpers durch Formen einer Mischung aus Siliciumnitrid-Aus
gangsmaterial und pulverförmigem Sinterhilfsmittel und Brennen
der geformten Mischung, bei dem der erhaltene Formkörper in ei
ner Atmosphäre, die hauptsächlich aus einem Stickstoffgas und/
oder einem Inertgas besteht, unter der Bedingung, daß der Ge
halt von CO-Gas bei einer Temperatur von nicht weniger als
800°C nicht mehr als 10% beträgt, gebrannt wird, um dadurch
einen Sinterkörper zu erhalten, dessen Qualitätsminderung zei
gende Oberflächenschicht dünn ist.
D.h., das Hauptmerkmal des erfindungsgemäßen Verfahrens zur
Herstellung von Siliciumnitrid-Sinterkörpern liegt in der vor
stehend erwähnten Steuerung der Atmosphäre während des Bren
nens. Die Bildung der Qualitätsminderung zeigenden Oberflächen
schicht in dem Sinterkörper kann herabgesetzt werden, indem
während des Brennens der CO-Gehalt in der Atmosphäre gesteuert
wird, um die Reaktion zwischen dem Formkörper und der Atmosphä
re zu unterdrücken. Zu diesem Zweck wird der vorgesinterte Kör
per einer isostatischen Heißpreßbehandlung (HIP-Behandlung)
bei einer Temperatur von 1500 bis 1700°C und einem Druck von
mehr als 20,3 MPa und weniger als 50,7 MPa in einem Stickstoff
gas und/oder einem Inertgas unterzogen, oder das Brennen wird
in einer Atmosphäre, die hauptsächlich aus einem Stickstoffgas
und/oder einem Inertgas besteht, unter der Bedingung durch
geführt, daß der Gehalt von CO-Gas bei einer Temperatur von
nicht weniger als 800°C nicht mehr als 10% beträgt.
Die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung werden nachste
hend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher er
läutert.
Fig. 1 ist eine graphische Darstellung, die die Beziehung zwi
schen dem HIP-Druck einerseits und der Dicke der Oberflächen
schicht in dem Sinterkörper und der Vierpunkt-Biegefestigkeit
andererseits zeigt.
Fig. 2 ist eine graphische Darstellung, die die Beziehung zwi
schen dem Abstand von der gebrannten Oberfläche und der Vier
punkt-Biegefestigkeit zeigt.
Fig. 3 ist eine graphische Darstellung, die die Abhängigkeit
der Dicke der Oberflächenschicht von dem HIP-Druck und der HIP-
Temperatur zeigt.
Fig. 4 ist ein Flußdiagramm, das eine Ausführungsform des er
sten erfindungsgemäßen Verfahrens zeigt.
Der homogene Siliciumnitrid-Sinterkörper kann erfindungsgemäß
folgendermaßen hergestellt werden.
Wenn bei dem ersten erfindungsgemäßen Verfahren eine Mischung
aus Siliciumnitrid-Ausgangsmaterial und pulverförmigem Sinter
hilfsmittel nach dem Formen gebrannt wird, wird die vorstehend
erwähnte Mischung nach dem Mischen, Pulverisieren und Granu
lieren einmal zwangsgetrocknet, und der zwangsgetrockneten Mi
schung wird nötigenfalls Wasser zugesetzt, und sie wird ge
siebt und zu einer gewünschten Gestalt geformt. Dann wird der
Formkörper vorgesintert und ferner einer HIP-Behandlung bei
1500 bis 1700°C und einem Druck von mehr als 20,3 MPa und we
niger als 50,7 MPa in einer Stickstoffgas- und/oder Inertgas
atmosphäre unterzogen.
Ferner ist es vorteilhaft, daß die Mischung aus Siliciumnitrid-
Ausgangsmaterial und pulverförmigem Sinterhilfsmittel nach dem
Pulverisieren und vor dem Granulieren durch ein Sieb mit Öff
nungen von nicht mehr als 32 µm und vorzugsweise nicht mehr
als 20 µm hindurchfallen gelassen wird. Wenn die Sieböffnungen
größer als 32 µm sind, können grobe Teilchen und Fremdsubstan
zen bzw. Verunreinigungen, die in dem Ausgangsmaterial enthal
ten sind, nach dem Granulieren nicht wirksam entfernt werden,
so daß es schwierig ist, die Gleichmäßigkeit des granulierten
Pulvers aufrechtzuerhalten. Die groben Teilchen und die Fremd
substanzen können besonders im Fall der Anwendung eines Siebes
mit Öffnungen von nicht mehr als 20 µm wirksamer entfernt wer
den als im Fall der Anwendung eines Siebes mit Öffnungen von
mehr als 32 µm.
Der Grund dafür, daß das Pulver nach dem Granulieren und vor
dem Formen einmal zwangsgetrocknet wird, liegt darin, daß,
wenn die Zwangstrocknung nicht durchgeführt wird, durch den
Formungsdruck bei dem darauffolgenden Formungsschritt kein
gleichmäßiges Zusammensinken des granulierten Pulvers verur
sacht wird und kein homogener und dichter Formkörper mit weni
ger Poren erhalten werden kann und infolgedessen trotz kapsel
freier isostatischer Heißpreßbehandlung (HIP-Behandlung) kein
homogener Sinterkörper mit hoher Festigkeit erhalten werden
kann.
Ferner wird der Unterschied im Wassergehalt zwischen den gra
nulierten Teilchen beseitigt, wenn nach der Zwangstrocknung
nötigenfalls dem granulierten Pulver Wasser zugesetzt wird und
das granulierte Pulver gesiebt wird. Dadurch kann ein homoge
neres granuliertes Pulver erhalten werden, und infolgedessen
können homogenere und dichtere Formkörper erhalten werden.
Im Rahmen der Erfindung wird der erhaltene Formkörper einer
Vorsinterungsbehandlung und ferner einer HIP-Behandlung unter
zogen. In diesem Fall besteht die Vorsinterungsbehandlung in
einem Schritt, bei dem der Formkörper bei 1400 bis 1600°C in
einer Stickstoffgasatmosphäre und/oder in einem Inertgas unter
einem Druck von 0,10 MPa vorgesintert wird. Wenn die Brenntem
peratur weniger als 1400°C beträgt, verschwinden offene Poren
selbst beim Brennen nicht, und infolgedessen kann selbst nach
der HIP-Behandlung kein homogener Sinterkörper mit hoher Fe
stigkeit erhalten werden. Andererseits schreiten die Zerset
zungsreaktion des Siliciumnitrids und die Reaktion mit dem At
mosphärengas fort, wenn die Brenntemperatur mehr als 1600°C
beträgt, und folglich kann selbst nach der HIP-Behandlung kein
homogener Sinterkörper mit hoher Festigkeit erhalten werden.
Nach der Vorsinterungsbehandlung wird die HIP-Behandlung bei
1500 bis 1700°C unter einem Druck von mehr als 20,3 MPa und we
niger als 50,7 MPa in einer Stickstoffgasatmosphäre und/oder
in Inertgas durchgeführt.
Wenn die HIP-Behandlungstemperatur unter 1500°C liegt, kann
kein homogener Sinterkörper mit hoher Festigkeit erhalten wer
den, während die Dicke der Qualitätsminderung zeigenden Ober
flächenschicht in dem erhaltenen Sinterkörper unerwünschterma
ßen größer als 2 mm wird, wenn die HIP-Behandlungstemperatur
1700°C überschreitet.
Wenn der HIP-Druck weniger als 20,3 MPa beträgt, kann kein ho
mogener Sinterkörper mit hoher Festigkeit erhalten werden, wäh
rend die Dicke der Qualitätsminderung zeigenden Oberflächen
schicht in dem Sinterkörper unerwünschtermaßen größer als 2 mm
wird, wenn der HIP-Druck 50,7 MPa überschreitet.
Ferner beträgt die Haltezeit der Höchsttemperatur bei der HIP-
Behandlung vorteilhafterweise 0,5 bis 3 h. Wenn die Haltezeit
kürzer als 0,5 h ist, kann kein homogener Sinterkörper mit ho
her Festigkeit erhalten werden, während die Dicke der Quali
tätsminderung zeigenden Oberflächenschicht in dem Sinterkörper
unerwünschtermaßen größer als 2 mm wird, wenn die Haltezeit
länger als 5 h ist.
Wie vorstehend erwähnt wurde, kann ein homogener Siliciumni
trid-Sinterkörper mit hoher Festigkeit, dessen Qualitätsminde
rung zeigende Oberflächenschicht so dünn ist, daß ihre Dicke
nicht mehr als 2 mm beträgt, und der bei Raumtemperatur eine
Vierpunkt-Biegefestigkeit von mindestens 784,5 N/mm2 zeigt,
hergestellt werden, indem der Schritt der Zwangstrocknung des
granulierten Pulvers, der Schritt der Vorsinterung des Formkör
pers und der Schritt der kapselfreien HIP-Behandlung und fer
ner vorzugsweise der Schritt des Siebens nach dem Pulverisie
ren des Ausgangsmaterials kombiniert werden.
Die Erfinder haben von verschiedenen Seiten Untersuchungen be
züglich der Beziehung zwischen der HIP-Temperatur, dem HIP-
Druck, der Dicke der Qualitätsminderung zeigenden Oberflächen
schicht und der Vierpunkt-Biegefestigkeit durchgeführt und fan
den Beziehungen, wie sie in Fig. 1 bis 3 gezeigt sind.
Fig. 1 zeigt die Beziehung zwischen dem HIP-Druck, der Dicke
der Qualitätsminderung zeigenden Oberflächenschicht und der
Vierpunkt-Biegefestigkeit bei einer HIP-Temperatur von 1500°C.
Wie aus Fig. 1 ersichtlich ist, gibt es einen Grenzbereich, in
dem der HIP-Druck etwa 30,4 MPa beträgt, und an der dem niedri
geren Druck zugewandten Seite und an der dem höheren Druck zu
gewandten Seite des Grenzbereichs treten eine Zunahme der Dic
ke der Qualitätsminderung zeigenden Oberflächenschicht und
folglich eine Abnahme der Vierpunkt-Biegefestigkeit der ge
brannten Oberfläche ein. In diesem Fall ist die Zunahme der
Dicke der Qualitätsminderung zeigenden Oberflächenschicht an
der dem niedrigeren Druck zugewandten Seite auf die Zersetzung
des Siliciumnitrids und auf die Reaktion mit dem Atmosphären
gas zurückzuführen, während die Zunahme der Dicke der Quali
tätsminderung zeigenden Oberflächenschicht an der dem höheren
Druck zugewandten Seite auf die Änderung der Zusammensetzung
und auf die Reaktion mit dem Atmosphärengas zurückzuführen ist.
Fig. 2 zeigt die Beziehung zwischen dem Abstand von der ge
brannten Oberfläche und der Vierpunkt-Biegefestigkeit bei
einer HIP-Temperatur von 1500°C mit dem HIP-Druck als Parame
ter, und Fig. 3 zeigt die Beziehung zwischen dem HIP-Druck und
der HIP-Temperatur als Parametern der Dicke der Qualitätsmin
derung zeigenden Oberflächenschicht.
Wie aus Fig. 1 ersichtlich ist, beträgt die Dicke der Quali
tätsminderung zeigenden Oberflächenschicht nicht mehr als 2 mm,
wenn der HIP-Druck in einem Bereich von mehr als 20,3 MPa und
weniger als 50,7 MPa liegt, und bei einer Dicke von nicht mehr
als 2 mm wird eine Vierpunkt-Biegefestigkeit von mindestens
784,5 N/mm2 erhalten, ohne daß die gebrannte Oberfläche bear
beitet wird. D.h., es wird angenommen, daß eine Dicke von 2 mm
der Qualitätsminderung zeigenden Oberflächenschicht ein Grenz
wert für die Erzielung einer Vierpunkt-Biegefestigkeit von
784,5 N/mm2 ohne Bearbeitung ist. Andererseits ist eine Vier
punkt-Biegefestigkeit von 784,5 N/mm2 eine Festigkeit, die für
zufriedenstellende Eigenschaften als Lagerwerkstoff erforder
lich ist. Infolgedessen kann der Siliciumnitrid-Sinterkörper,
der durch das erste erfindungsgemäße Verfahren erhalten wird,
in vorteilhafter Weise unverändert als Lagerwerkstoff verwen
det werden, obwohl der Sinterkörper eine Qualitätsminderung
zeigende Oberflächenschicht hat.
Ferner stellt eine Dicke von 1 mm der Qualitätsminderung zei
genden Oberflächenschicht einen Grenzwert für die Erzielung ei
ner Vierpunkt-Biegefestigkeit von 980,7 N/mm2 ohne Bearbeitung
dar und wird bevorzugt.
Wenn bei dem zweiten erfindungsgemäßen Verfahren eine Mischung
aus Siliciumnitrid-Ausgangsmaterial und pulverförmigem Sinter
hilfsmittel gesintert wird, nachdem das granulierte Pulver ein
mal zwangsgetrocknet worden ist und dem zwangsgetrockneten gra
nulierten Pulver nötigenfalls Wasser zugesetzt worden ist und/
oder das zwangsgetrocknete granulierte Pulver gesiebt und dann
geformt worden ist, besteht die Brennatmosphäre hauptsächlich
aus einem Stickstoffgas und/oder einem Inertgas und wird so ge
steuert, daß der Gehalt von CO-Gas bei einer Temperatur von
nicht weniger als 800°C und vorzugsweise bei einer Temperatur
von 1000 bis 1650°C nicht mehr als 10% beträgt, wodurch ein
homogener Siliciumnitrid-Sinterkörper hergestellt werden kann.
Folglich können dadurch, daß die Brennatmosphäre in der vorste
hend erwähnten Weise gesteuert wird, Siliciumnitrid-Sinterkör
per erhalten werden, bei denen die Dicke der Qualitätsminde
rung zeigenden Oberflächenschicht gering ist und das relative
Porenvolumen im Inneren kleiner ist als in der Qualitätsver
lust zeigenden Oberflächenschicht.
In diesem Fall liegt der Atmosphärendruck vorzugsweise in dem
Bereich von 0,10 bis 202,7 MPa und insbesondere in dem Bereich
von 0,10 bis 152,0 MPa.
Wenn der Atmosphärendruck weniger als 0,10 MPa beträgt, ist
die Zersetzung des Siliciumnitrids während des Brennens heftig
und folglich eine Verdichtung unmöglich. Wenn der Atmosphären
druck andererseits 201,7 MPa überschreitet, nimmt die Menge
der Qualitätsminderung zeigenden Oberflächenschicht in dem Sin
terkörper zu und sind ferner eine lange HIP-Behandlung und ei
ne Ausrüstung mit großen Abmessungen erforderlich.
Es ist notwendig, daß der CO-Gehalt bei einer Temperatur von
nicht weniger als 800°C nicht mehr als 10% beträgt, jedoch
kann der Gehalt von CO-Gas in dem Brennofen nötigenfalls ge
steuert werden, indem in den Innenraum des Brennofens vor dem
Brennen oder während des Brennens CO-Gas oder CO2-Gas einge
führt wird.
Der Grund dafür, daß der Gehalt von CO-Gas in dem Brennofen
bei einer Temperatur von nicht weniger als 800°C auf nicht
mehr als 10% eingeschränkt ist, liegt darin, daß die Reaktion
zwischen CO-Gas und dem Formkörper bei einer Temperatur von
mehr als 800°C schnell zunimmt und einen großen Einfluß auf
die Homogenität der Oberfläche und des Inneren des Formkörpers
hat.
Ferner wird es bevorzugt, daß, nachdem der Innenraum des Brenn
ofens vor dem Brennen unter Vakuum auf einen Temperaturbereich
von 300 bis 1200°C erhitzt worden ist, das Stickstoffgas und/
oder das Inertgas derart in den Innenraum des Brennofens ein
geführt wird, daß der Gehalt von CO-Gas auf nicht mehr als 10
% eingestellt wird, um das Brennen auf diese Weise durchzufüh
ren, weil der Gehalt von CO-Gas durch Einstellen der Tempera
tur und der Zeit des Erhitzens unter Vakuum leicht gesteuert
werden kann.
Ferner ist es vorteilhaft, daß das Stickstoffgas und/oder das
Inertgas während des Brennens kontinuierlich in den Brennofen
hinein- und aus dem Brennofen herausströmen gelassen wird, um
den Gehalt von CO-Gas so zu steuern, daß er nicht mehr als 10
% beträgt, weil durch die Einstellung der Durchflußmengen und
der Ausflußmengen des Stickstoffgases und/oder des Inertgases
die Steuerung des Gehalts von CO-Gas leicht wird.
Obwohl ein solches Vorschreiben der Brennatmosphäre für den
Fall, daß die Brenntemperatur oder der Atmosphärendruck wäh
rend des Brennens verändert wird, (zweistufiges Sintern o.dgl.)
und für den Fall, daß weder die Temperatur noch der Druck ver
ändert wird, (gewöhnliches druckloses Sintern o.dgl.) wirksam
ist, erfolgt das Vorschreiben der Brennatmosphäre vorzugsweise
bei einem zweistufigen Sintern mit einem Vorsinterungsschritt
(primäres Sintern) und einem darauffolgenden isostatischen
Heißpreßschritt (HIP-Schritt) (sekundäres Sintern).
Bei dem zweistufigen Sintern können der Vorsinterungsschritt
(primäres Sintern) und der darauffolgende HIP-Schritt (sekun
däres Sintern) kontinuierlich oder diskontinuierlich in demsel
ben Brennofen durchgeführt werden, oder sie können in getrenn
ten Brennöfen durchgeführt werden. Es genügt jedoch, daß die
Brennatmosphäre in einer der zwei Stufen vorgeschrieben wird.
Im Fall des zweistufigen Sinterns mit dem Vorsinterungsschritt
und dem HIP-Schritt wird der Formkörper bei 1400 bis 1650°C
und vorzugsweise 1450 bis 1600°C unter einem Druck von 0,10 MPa
oder unter einem Druck in dem primären Sinterungsschritt pri
mär gebrannt und dann in demselben System (in demselben Brenn
ofen) oder in einem separaten System (in einem separaten Brenn
ofen) der HIP-Behandlung (dem sekundären Sintern) bei einer
Temperatur von 1500 bis 1700°C und vorzugsweise 1550 bis 1650°C
und einem Druck von 10,1 bis 202,7 MPa und vorzugsweise 20,3
bis 152,0 MPa unterzogen.
Wenn die Vorsinterungstemperatur weniger als 1400°C beträgt,
verschwinden offene Poren selbst beim Brennen nicht, und es
ist selbst nach der HIP-Behandlung (nach dem sekundären Sin
tern) schwierig, einen homogenen Sinterkörper zu erhalten.
Wenn die Vorsinterungstemperatur höher als 1650°C ist, schrei
ten die Zersetzungsreaktion des Siliciumnitrids und die Reak
tion mit der Atmosphäre fort, und es ist selbst nach der HIP-
Behandlung (nach dem sekundären Sintern) schwierig, einen ho
mogenen Sinterkörper zu erhalten.
Andererseits kann kein homogener Sinterkörper mit hoher Festig
keit erhalten werden, wenn die Temperatur der HIP-Behandlung
(des sekundären Sinterns) unter 1500°C liegt, während die
Dicke der Qualitätsminderung zeigenden Oberflächenschicht in
dem erhaltenen Sinterkörper unerwünschtermaßen dazu neigt, grö
ßer als 1 mm zu werden, wenn die HIP-Temperatur 1700°C über
schreitet.
Ferner ist es schwierig, einen homogenen Sinterkörper mit ho
her Festigkeit zu erhalten, wenn der Druck der HIP-Behandlung
(des sekundären Sinterns) unter 10,1 MPa liegt, während die
Dicke der Qualitätsminderung zeigenden Oberflächenschicht un
erwünschtermaßen dazu neigt, größer als 1 mm zu werden, wenn
der HIP-Druck höher als 202,7 MPa ist.
Ferner beträgt die Haltezeit der Höchsttemperatur bei der HIP-
Behandlung (dem sekundären Sintern) vorteilhafterweise 0,5 bis
3 h. Wenn die Haltezeit kürzer als 0,5 h ist, ist es schwierig,
einen homogenen Sinterkörper mit hoher Festigkeit zu erhalten,
während die Dicke der Qualitätsminderung zeigenden Oberflächen
schicht unerwünschtermaßen dazu neigt, größer als 1 mm zu wer
den, wenn die Haltezeit länger als 3 h ist.
Bei dem zweiten erfindungsgemäßen Verfahren wird es wie bei
dem vorstehend beschriebenen ersten erfindungsgemäßen Verfah
ren bevorzugt, vor dem Formen und Brennen eine Zwangstrocknung
des granulierten Pulvers durchzuführen und nötigenfalls Wasser
zuzusetzen und zu sieben.
Im Rahmen der Erfindung werden als Sinterhilfsmittel die ge
bräuchlichen, bekannten Sinterhilfsmittel wie z.B. MgO, Y2O3,
ZrO2 oder Al2O3 verwendet. Als Sinterhilfsmittel, das bei der
Herstellung eines homogenen Sinterkörpers nach dem zweiten er
findungsgemäßen Verfahren verwendet wird, werden z.B. minde
stens ein Seltenerdmetalloxid in einer Menge von 0,1 bis 10
Masse-% und vorzugsweise 1 bis 8 Masse-% als Hauptkomponente
bzw. wesentliche Komponente und mindestens ein aus Erdalkali
metalloxid, ZrO2 und Al2O3 ausgewähltes Oxid in einer Menge
von jeweils 0,1 bis 10 Masse-% und vorzugsweise jeweils 0,1
bis 6 Masse-% zugesetzt.
Dadurch, daß die Brennatmosphäre in der vorstehend erwähnten
Weise vorgeschrieben wird, können Siliciumnitrid-Sinterkörper
mit hoher Festigkeit hergestellt werden, bei denen die Dicke
der Qualitätsminderung zeigenden Oberflächenschicht nicht mehr
als 1 mm, das relative Porenvolumen im Inneren nicht mehr als
0,5% und die Vierpunkt-Biegefestigkeit bei Raumtemperatur min
destens 784,5 N/mm2 beträgt und die Innenstruktur sehr homogen
ist.
Ferner wird im Rahmen der Erfindung die streifenförmige Quer
schnittsstruktur, die im Inneren des Sinterkörpers gebildet
wird, abgeschwächt, so daß ein Sinterkörper mit einer homoge
nen Struktur erhalten wird.
Im Rahmen der Erfindung wird die Dicke der Qualitätsminderung
zeigenden Oberflächenschicht anhand der folgenden Punkte defi
niert:
als Dicke der Oberflächenschicht, bei der sich der Farbton
von dem Farbton im Inneren (im normalen Bereich) wesentlich unterscheidet;
als Dicke der Oberflächenschicht, bei der sich die Härte (Knoop-Härte) von der Härte im Inneren (im normalen Bereich) wesentlich unterscheidet;
als Dicke der Oberflächenschicht, bei der sich die Vierpunkt-Biegefestigkeit von der Vierpunkt-Biegefestigkeit im Inneren (im normalen Bereich) wesentlich unterscheidet.
als Dicke der Oberflächenschicht, bei der sich die Härte (Knoop-Härte) von der Härte im Inneren (im normalen Bereich) wesentlich unterscheidet;
als Dicke der Oberflächenschicht, bei der sich die Vierpunkt-Biegefestigkeit von der Vierpunkt-Biegefestigkeit im Inneren (im normalen Bereich) wesentlich unterscheidet.
Unter dem Begriff "Qualitätsminderung zeigende Oberflächenschicht"
ist eine Oberflächenschicht zu verstehen, die mindestens
einem der vorstehenden Punkte bis genügt.
Die Dicke wird in Form des Abstands in einer zu der gebrannten
Oberfläche senkrechten Richtung gemessen.
Die Dicke der Qualitätsminderung zeigenden Oberflächenschicht
wird an willkürlich gewählten Stellen im Inneren des Sinterkör
pers bestimmt, indem der Unterschied im Farbton gemessen wird,
wobei unter diesen ein Bereich mit der geringsten Dicke ausge
wählt wird.
Die Farbeneinordnung basiert auf einem korrigierten Munsell-
Farbsystem. Bei diesem Farbsystem werden der Ton [ein Tonunter
schied wird als ΔH (0-10) angegeben], die Helligkeit [ein
Helligkeitsunterschied wird als ΔV (0-1) angegeben], und die
Sättigung [ein Sättigungsunterschied wird als ΔC (0-1) ange
geben], ausgedrückt. Das Vorhandensein eines Unterschieds im
Farbton ist so definiert, daß ΔH ± etwa 5 oder ΔV ± etwa 0,1
oder ΔC ± etwa 0,2.
Die Dicke wird in Form des Abstands in einer zu der gebrannten
Oberfläche senkrechten Richtung gemessen.
Ein Abstand, der zeigt, daß sich der Mittelwert der Knoop-Här
te an der Oberfläche an fünf Stellen um mindestens 2% von dem
Mittelwert der Knoop-Härte im Inneren (im normalen Bereich) an
fünf Stellen unterscheidet, ist eine Grenze.
Wenn die Vierpunkt-Biegefestigkeit in bezug auf eine Ebene,
die sich in verschiedenem Abstand von der gebrannten Oberflä
che als Zugbeanspruchungsfläche erstreckt, gemessen wird, ist
ein Bereich, der zeigt, daß sich der Mittelwert bei n = 5 oder
mehr um mindestens 10% von dem Mittelwert im Inneren (im nor
malen Bereich) unterscheidet, eine Oberflächenschicht.
Die Siliciumnitrid-Sinterkörper, die durch das erfindungsgemä
ße Verfahren erhalten werden, haben nach der HIP-Behandlung
die vorstehend erwähnten Eigenschaften, ohne daß irgendwelche
Behandlungen zur spanenden Bearbeitung und Umformung erforder
lich sind, so daß die Kosten einer spanenden Bearbeitung und
Umformung erspart werden.
Die Erfindung wird durch die folgenden Beispiele näher erläu
tert.
Fig. 4 ist ein Flußdiagramm, das in Verbindung mit den Beispie
len 1 und 2 eine Ausführungsform des ersten erfindungsgemäßen
Verfahrens zur Herstellung eines homogenen Siliciumnitrid-Sin
terkörpers zeigt. Wie in Fig. 4 gezeigt ist, wird der Sinter
körper durch die Schritte 1 bis 9 hergestellt.
Zuerst werden Siliciumnitrid-Ausgangsmaterial und Sinterhilfs
mittel gemischt und pulverisiert (Schritt 1) und dann durch
Öffnungen von nicht mehr als 32 µm und vorzugsweise nicht mehr
als 20 µm gesiebt, um grobe Teilchen und Fremdsubstanzen wie z.
B. Stücke von Kieselsteinen, die zum Pulverisieren verwendet
werden, zu entfernen, wodurch ein pulverförmiges Ausgangsmate
rial erhalten wird, das eine mittlere Korngröße von nicht mehr
als 1 µm hat (Schritt 2).
Dann wird das pulverförmige Ausgangsmaterial granuliert
(Schritt 3) und zwangsgetrocknet, vorzugsweise bei einer Tem
peratur von 60 bis 100°C, wodurch ein homogenes granuliertes
Pulver erhalten wird, das einen geringeren Unterschied im Was
sergehalt zwischen den granulierten Teilchen zeigt (Schritt 4).
Dem granulierten Pulver werden nötigenfalls 0,5 bis 5,0 Masse-
% Wasser zugesetzt, um ein granuliertes Pulver mit gleichmäßi
gem Wassergehalt zu erhalten (Schritt 5), das ferner zur Ent
fernung von groben Teilchen, die sich durch den Wasserzusatz
zusammengeballt haben, gesiebt wird (Schritt 6). Das gesiebte
Pulver wird in der üblichen Weise geformt (Schritt 7), einer
Vorsinterungsbehandlung unterzogen (Schritt 8) und dann ge
brannt, indem es einer kapselfreien HIP-Behandlung bei einer
Temperatur von 1500 bis 1700°C unter einem Druck von mehr als
20,3 MPa und weniger als 50,7 MPa unterzogen wird (Schritt 9).
Auf diese Weise kann durch das erfindungsgemäße Verfahren ein
homogener Siliciumnitrid-Sinterkörper erhalten werden.
Zu α-Siliciumnitrid-Pulver mit einer mittleren Korngröße von
1,5 µm wurden 3 Masse-% MgO, 1 Masse-% Y2O3 und 5 Masse-% ZrO2
hinzugegeben, und Wasser wurde in einer Menge bis zu 60% zuge
geben. Die erhaltene Mischung wurde in einer Chargen-Pulveri
siervorrichtung gemischt und pulverisiert und dann durch Öff
nungen von 20 µm gesiebt, wodurch eine Aufschlämmung von Teil
chen mit einer mittleren Korngröße von 1,0 µm erhalten wurde.
Dieser Aufschlämmung wurden 2 Masse-% Polyvinylalkohol (PVA)
zugesetzt, und sie wurde unter Anwendung eines Sprühtrockners
granuliert.
Das erhaltene granulierte Pulver wurde 24 h lang in einem iso
thermen Trockner bei einer Temperatur von 80°C zwangsgetrock
net; dem zwangsgetrockneten granulierten Pulver wurden 2 Masse-
% Wasser zugesetzt, und es wurde durch Öffnungen von 250 µm ge
siebt, wodurch ein Pulver für das Formen gebildet wurde. Die
ses Pulver wurde einer isostatischen Kaltpreßbehandlung unter
einem Druck von 49 kN/cm2 unterzogen, um einen Formkörper mit
den Abmessungen 60 mm (Breite) × 65 mm (Länge) zu formen.
Dieser Formkörper wurde 3 h lang bei einer Temperatur von 500°C
entfettet und 1 h lang einem drucklosen Sintern in einer Atmo
sphäre aus Stickstoffgas (N2) bei einer Temperatur von 1500°C
unterzogen (Vorsinterungsschritt). Dann wurde der vorgesinter
te Formkörper unter den in Tabelle 1 gezeigten Bedingungen ei
ner HIP-Behandlung in einer Atmosphäre aus N2-Gas unterzogen,
wobei akzeptable Produkte (Proben Nr. 1 bis 10) erhalten wur
den. Als Vergleichsbeispiele wurden ein Produkt, das unter ei
nem HIP-Druck von 152,0 MPa erhalten worden war (Probe Nr. 11),
ein Produkt, das ohne Zwangstrocknung erhalten worden war (Pro
be Nr. 12), und ein Produkt, das bei einer HIP-Temperatur von
1800°C erhalten worden war (Probe Nr. 13), hergestellt. Die
Meßergebnisse sind ebenfalls in Tabelle 1 gezeigt.
Die Dicke der Qualitätsminderung zeigenden Oberflächenschicht
wurde bestimmt, indem die Schnittfläche der Probe hochglanzpo
liert und die Änderung ihres Farbtons gemessen wurde.
Der Festigkeitstest (Vierpunkt-Biegefestigkeit) und die Vorbe
reitung des Probestücks wurden gemäß der in JIS R 1601 angege
benen Testmethode zur Prüfung der Biegefestigkeit von Feinke
ramik durchgeführt. Um zu untersuchen, in welchem Maße die Fe
stigkeit der gebrannten Oberfläche im Vergleich zu der Festig
keit des Inneren (des normalen Bereichs) vermindert ist, wurde
die Festigkeit in diesem Fall in bezug auf die gebrannte Ober
fläche und auf eine vorgegebene Ebene des Innern (des normalen
Bereichs) als Zugbeanspruchungsfläche gemessen. Ferner wurde
die Festigkeit einer Oberfläche gemessen, die aus der gebrann
ten Oberfläche mit einer vorgegebenen Menge des durch die Be
arbeitung entfernten Werkstoffs herausgeschnitten worden war.
Die Lebensdauer bei der Dauer-Wälzprüfung wurde ermittelt, in
dem aus der Probe des Sinterkörpers eine Scheibe mit den Ab
messungen 50 mm (Durchmesser) × 10 mm (Breite) derart heraus
geschnitten wurde, daß aus einem Bereich, der der in Tabelle 1
angegebenen abgeschliffenen Menge entspricht, eine Testober
fläche wurde, und indem die freigelegte Oberfläche hochglanz
poliert wurde und einer Dauer-Wälzprüfung in einem Sechs-Kugel-
Längslager-Prüfgerät bei einer Hertzschen Beanspruchung von
4,90 kN/mm2 unterzogen wurde.
Wie aus Tabelle 1 ersichtlich ist, haben die Sinterkörper, die
durch das erste erfindungsgemäße Verfahren erhalten werden,
eine Festigkeit, die erforderlich ist, um den Eigenschaften
als gebrannte Oberfläche und als Lager zu genügen, und die Men
ge des durch Bearbeitung entfernten Werkstoffs ist selbst in
dem Fall geringer, daß die gebrannte Oberfläche spanend bear
beitet wird, um die Eigenschaften des Lagers weiter zu verbes
sern. Andererseits haben die Sinterkörper der Vergleichsbei
spiele eine geringe Festigkeit an der gebrannten Oberfläche,
so daß sie den Eigenschaften als Lager nicht genügen, und auch
die Menge des durch Bearbeitung entfernten Werkstoffs sollte
größer gemacht werden, wenn die gebrannte Oberfläche spanend
bearbeitet wird, um die Eigenschaften des Lagers zu verbessern.
Aus dem Vorstehenden geht hervor, daß die Siliciumnitrid-Sin
terkörper, die durch das erste erfindungsgemäße Verfahren er
halten werden, eine Qualitätsminderung zeigende Oberflächen
schicht mit einer geringen Dicke haben und in ihrem gesamten
Bereich einschließlich der Qualitätsminderung zeigenden Ober
flächenschicht eine hohe Festigkeit zeigen und daß die Menge
des Werkstoffs, der durch Bearbeitung zu entfernen ist, um die
notwendige Festigkeit als Lager zu erzielen, wirksam vermin
dert werden kann.
Dieses Beispiel zeigt die Einflüsse der mittleren Korngröße
nach dem Pulverisieren, der Sieböffnung nach dem Pulverisieren,
der Temperatur der Zwangstrocknung und der Menge des nach der
Trockung zugesetzten Wassers auf die Herstellung der Silicium
nitrid-Sinterkörper.
Zu α-Siliciumnitrid wurden 6 Masse-% Y2O3-Pulver und 6 Masse-%
Al2O3 hinzugegeben, und ferner wurde Wasser in einer Menge bis
zu 60% zugegeben. Die erhaltene Mischung wurde in einer Char
gen-Pulverisiervorrichtung gemischt und pulverisiert. Der er
haltenen Aufschlämmung wurden 2 Masse-% PVA zugesetzt, und sie
wurde unter Anwendung eines Sprühtrockners granuliert.
Das erhaltene granulierte Pulver wurde 24 h lang bei einer Tem
peratur, die in Tabelle 2 gezeigt ist, zwangsgetrocknet; dem
zwangsgetrockneten granulierten Pulver wurde nötigenfalls Was
ser zugesetzt, und es wurde durch Öffnungen von 250 µm gesiebt,
wodurch ein Pulver für das Formen gebildet wurde. Dieses Pul
ver wurde einer isostatischen Kaltpreßbehandlung unter einem
Druck von 49 kN/cm2 unterzogen, um einen Formkörper mit den Ab
messungen 60 mm (Breite) × 65 mm (Länge) zu formen.
Dieser Formkörper wurde 3 h lang bei einer Temperatur von 500°C
entfettet und 3 h lang einem drucklosen Sintern in einer Atmo
sphäre aus Stickstoffgas (N2) bei einer Temperatur von 1550°C
unterzogen (Vorsinterungsschritt). Der vorgesinterte Formkör
per wurde 1 bis 2 h lang einer HIP-Behandlung in einer N2-At
mosphäre unter einem Druck von 30,4 bis 35,5 MPa unterzogen,
wobei Produkte gemäß der Erfindung erhalten wurden.
Die Meßergebnisse sind in Tabelle 2 zusammen mit den Meßergeb
nissen der Vergleichsbeispiele gezeigt.
Wie aus Tabelle 2 ersichtlich ist, werden homogene Siliciumni
trid-Sinterkörper erhalten, die eine Qualitätsminderung zeigen
de Oberflächenschicht mit einer geringen Dicke haben und eine
hohe Festigkeit zeigen, wenn nach dem Granulieren und vor dem
Formen die Zwangstrocknung durchgeführt wird. Ferner werden
unter den Produkten gemäß der Erfindung Produkte, die unter
Einschränkung der mittleren Korngröße nach dem Pulverisieren
auf nicht mehr als 1 µm erhalten werden, Proben, die unter An
wendung des Siebens durch Öffnungen von nicht mehr als 32 µm
nach dem Pulverisieren erhalten werden, und Produkte, die un
ter Zusatz von Wasser nach der Zwangstrocknung erhalten werden,
bevorzugt.
Zu Siliciumnitrid-Pulver wurden verschiedene Sinterhilfsmittel
mit der in Tabelle 3 gezeigten Zusammensetzung hinzugegeben.
Die erhaltene Mischung wurde mit Wasser, Triethylamin (Verflüs
sigungsmittel bzw. Entflocker) und Bindemittel vermischt, wo
bei eine Aufschlämmung erhalten wurde. Dann wurde die Auf
schlämmung zur Entlüftung unter Vakuum gerührt, in eine Gips
form eingegossen, getrocknet und aus der Form herausgenommen,
wobei eine quadratische Platte (etwa 60 mm × 60 mm × 20 mm)
erhalten wurde. Danach wurde die quadratische Platte unter An
wendung von Gummi mit einem Druck von 29,4 kN/cm2 gepreßt und
3 h lang an der Luft bei 500°C calciniert, um das Formungs
hilfsmittel zu entfernen, wodurch eine quadratische Platte für
das Brennen erhalten wurde.
Nachdem die quadratische Platte unter Vakuum auf eine Erhit
zungstemperatur, die in Tabelle 3 gezeigt ist, erhitzt worden
war, wurde das Brennen durchgeführt, indem N2-Gas bis zu dem
in Tabelle 3 gezeigten Druck eingeleitet wurde, die Temperatur
bis zu der in Tabelle 3 gezeigten Brenntemperatur erhöht wurde
und diese Brenntemperatur 3 h lang aufrechterhalten wurde. Wäh
rend des Brennens änderte sich die Menge der in den Ofen einge
brachten Probe, so daß der CO-Gehalt in dem Ofen bei einer Tem
peratur von mindestens 800°C einen Wert zeigte, der in Tabelle
3 angegeben ist.
Die Dicke der Qualitätsminderung zeigenden Oberflächenschicht
wurde ermittelt, indem die Schnittfläche der Probe hochglanz
poliert und die Änderung ihrer Knoop-Härte gemessen wurde. Fer
ner wurde die relative Porenfläche gemessen, indem ein Bereich
innerhalb der hochglanzpolierten Oberfläche der Qualitätsmin
derung zeigenden Oberflächenschicht durch ein optisches Mikro
skop mit 400facher Vergrößerung betrachtet wurde. Die relative
Porenfläche war ein Wert, der erhalten wurde, indem aus den
tatsächlich gemessenen Flächen von 1000 willkürlich gewählten
Poren die gesamte Porenfläche ermittelt und durch die gesamte
Sichtfläche, die für die Messung der Porenfläche benötigt wur
de, geteilt wurde.
Wie aus den Ergebnissen von Tabelle 3 ersichtlich ist, werden
durch das erfindungsgemäße Verfahren homogene Siliciumnitrid-
Sinterkörper erhalten, die eine Qualitätsminderung zeigende
Oberflächenschicht mit einer geringen Dicke haben und eine ge
ringe relative Porenfläche und eine hohe Festigkeit zeigen.
Zu Siliciumnitrid-Pulver wurden als Sinterhilfsmittel 5 Masse-
% Y2O3, 3 Masse-% MgO und 1 Masse-% ZrO2 hinzugegeben, und Was
ser wurde in einer Menge bis zu 60% zugegeben. Die erhaltene
Mischung wurde gemischt und pulverisiert, wodurch eine Auf
schlämmung gebildet wurde.
Diese Aufschlämmung wurde durch Öffnungen von 20 µm gesiebt.
Der Aufschlämmung wurden 2 Masse-% Polyvinylalkohol (PVA) zu
gesetzt, und sie wurde unter Anwendung eines Sprühtrockners
granuliert. Das erhaltene granulierte Pulver wurde dann 24 h
lang bei einer Zwangstrocknungstemperatur, die in Tabelle 4
gezeigt ist, zwangsgetrocknet. Dem zwangsgetrockneten granu
lierten Pulver wurde nötigenfalls unter den in Tabelle 4 ge
zeigten Bedingungen Wasser zugesetzt, und es wurde gesiebt.
Das auf diese Weise erhaltene Pulver wurde einer isostatischen
Kaltpreßbehandlung unter einem Druck von 58,8 kN/cm2 unterzo
gen um einen Formkörper zu bilden, der 3 h lang bei 500°C
entfettet wurde, wobei ein Formkörper für das Brennen erhalten
wurde.
Der Formkörper wurde unter Vakuum in einer HIP-Vorrichtung auf
eine Erhitzungstemperatur, die in Tabelle 4 gezeigt ist, er
hitzt und 30 min bis 2 h lang bei dieser Temperatur gehalten.
Dann wurde in die HIP-Vorrichtung N2-Gas eingeleitet, um einen
Druck von 0,10 MPa herzustellen, und die Temperatur wurde auf
eine primäre Sintertemperatur erhöht. Das primäre Sintern wur
de 3 h lang bei 1500°C durchgeführt. Danach wurde wieder N2-
Gas eingeleitet, und zwar bis zu einem Druck, der in Tabelle 4
gezeigt ist, und gleichzeitig wurde die Temperatur auf eine
HIP-Behandlungstemperatur (1650°C) erhöht, wodurch die Sinter
körper gemäß der Erfindung (Proben Nr. 51 bis 56) erhalten wur
den. Unter diesen Sinterkörpern war die Menge der in den Ofen
eingebrachten Probe bei den Proben Nr. 51 bis 53 dieselbe,
während die Menge der Probe bei den Proben Nr. 54 bis 56 ge
ändert wurde. Der Höchstwert des CO-Gehalts über einen Bereich
von einer nicht weniger als 800°C betragenden Temperatur bis
zur Beendigung des primären Sinterns wurde gemessen, wobei die
in Tabelle 4 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
Wie aus Tabelle 4 ersichtlich ist, werden unter den Sinterkör
pern gemäß der Erfindung diejenigen bevorzugt, die nach Zwangs
trocknung, Zusatz von Wasser und Sieben erhalten werden.
Derselbe Formkörper wie in Beispiel 4 wurde 30 min lang in
einem Sinterofen unter Vakuum bei 1100°C gehalten, und danach
wurde in den Ofen N2-Gas eingeleitet, um einen Druck von 0,10
MPa herzustellen, und die Temperatur wurde auf eine primäre
Sintertemperatur erhöht. Das primäre Sintern wurde 3 h lang
bei 1550°C durchgeführt; während dieser Zeit betrug der Höchst
wert des CO-Gehalts in der Atmosphäre 3 Vol.-%. Dieser primär
gesinterte Formkörper wurde in eine HIP-Vorrichtung einge
bracht und einer HIP-Behandlung unter dem in Tabelle 5 gezeig
ten Druck unterzogen, wobei Produkte gemäß der Erfindung (Pro
ben Nr. 61 bis 64) erhalten wurden.
Bei diesen Sinterkörpern wurden die Dicke der Qualitätsminde
rung zeigenden Oberflächenschicht, die relative Porenfläche
und die Vierpunkt-Biegefestigkeit in derselben Weise wie in
Beispiel 1 gemessen, wobei die in Tabelle 5 gezeigten Ergebnis
se erhalten wurden.
Ferner zeigen die Vergleichsbeispiele (Proben Nr. 65 und 66)
Produkte, die durch Brennen in außerhalb des erfindungsgemäßen
Bereichs liegenden Atmosphären erhalten wurden.
Wie aus Tabelle 5 ersichtlich ist, werden durch das zweite er
findungsgemäße Verfahren homogene Siliciumnitrid-Sinterkörper
erhalten, die eine Qualitätsminderung zeigende Oberflächen
schicht haben, die dünn ist, und die ein geringes relatives
Porenvolumen und eine hohe Festigkeit haben.
Ferner kann der homogene Sinterkörper, wie aus den Tabellen 3,
4 und 5 hervorgeht, erhalten werden, indem das Brennen unter
Anwendung irgendeines Brennverfahrens, z.B. des drucklosen Sin
terns,des Sinterns unter Druck, der HIP-Behandlung oder des
primären Sinterns bzw. Vorsinterns vor der HIP-Behandlung, in
der im Rahmen der Erfindung festgelegten Atmosphäre durchge
führt wird.
Wie vorstehend erwähnt wurde, ist die Brennatmosphäre im Rah
men der Erfindung auf einen vorgeschriebenen Bereich einge
schränkt, wodurch Siliciumntrid-Sinterkörper erhalten werden
können, die an der gebrannten Oberfläche eine Qualitätsminde
rung zeigende Oberflächenschicht haben, die dünn ist, und die
eine homogene Innenstruktur und eine hohe Festigkeit haben.
Claims (15)
1. Verfahren zur Herstellung eines homogenen Siliciumnitrid-
Sinterkörpers durch Formen einer Mischung aus Siliciumnitrid-
Ausgangsmaterial und pulverförmigem Sinterhilfsmittel und Bren
nen der geformten Mischung, dadurch gekennzeichnet, daß der
erhaltene Formkörper vorgesintert und dann einer isostatischen
Heißpreßbehandlung bei einer Temperatur von 1500 bis 1700°C
und einem Druck von mehr als 20,3 MPa und weniger als 50,7 MPa
in einem Stickstoffgas und/oder einem Inertgas unterzogen wird,
um einen Sinterkörper zu erhalten, dessen Qualitätsminderung
zeigende Oberflächenschicht dünn ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der
Sinterkörper nach der isostatischen Heißpreßbehandlung nötigen
falls weiter bearbeitet wird, damit er bei Raumtemperatur eine
Vierpunkt-Biegefestigkeit von mindestens 784,5 N/mm2 zeigt.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
Formen durchgeführt wird, nachdem die Mischung gemischt, pul
verisiert, granuliert und einmal zwangsgetrocknet worden ist.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das
Formen durchgeführt wird, nachdem dem zwangsgetrockneten Pul
ver nötigenfalls zur Einstellung des Wassergehalts auf einen
vorgegebenen Wert Wasser zugesetzt worden und das Pulver dann
gesiebt worden ist.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Mischung nach dem Pulverisieren und vor dem Granulieren durch
ein Sieb mit Öffnungen von nicht mehr als 32 µm hindurchfallen
gelassen wird.
6. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
mittlere Korngröße nach dem Pulverisieren nicht mehr als 1 µm
beträgt.
7. Verfahren zur Herstellung eines homogenen Siliciumnitrid-
Sinterkörpers durch Formen einer Mischung aus Siliciumnitrid-
Ausgangsmaterial und pulverförmigem Sinterhilfsmittel und Bren
nen der geformten Mischung, dadurch gekennzeichnet, daß der
erhaltene Formkörper in einer Atmosphäre, die hauptsächlich
aus einem Stickstoffgas und/oder einem Inertgas besteht, unter
der Bedingung, daß der Gehalt von CO-Gas bei einer Temperatur
von nicht weniger als 800°C nicht mehr als 10% beträgt, ge
brannt wird, um dadurch einen Sinterkörper zu erhalten, dessen
Qualitätsminderung zeigende Oberflächenschicht dünn ist.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das
Formen durchgeführt wird, nachdem die Mischung granuliert und
einmal zwangsgetrocknet worden ist.
9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß
das Brennen bei einem Atmosphärendruck von 0,10 bis 202,7 MPa
durchgeführt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das
Brennen so durchgeführt wird, daß der CO-Gehalt bei 1000 bis
1650°C nicht mehr als 10% beträgt.
11. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß als
Sinterhilfsmittel 0,1 bis 10 Masse-% mindestens eines Selten
erdmetalloxids und jeweils 0,1 bis 10 Masse-% mindestens eines
aus Erdalkalimetalloxid, ZrO2 und Al2O3 ausgewählten Oxids zu
gesetzt werden.
12. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das
Brennen durchgeführt wird, indem ein Stickstoffgas und/oder
ein Inertgas so eingeleitet wird, daß ein nicht mehr als 10%
betragender Gehalt von CO-Gas geliefert wird, nachdem der
Formkörper unter Vakuum in einem Temperaturbereich von 300 bis
1200°C erhitzt worden ist.
13. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das
Stickstoffgas und/oder ein Inertgas kontinuierlich in einen
Brennofen hinein- und aus dem Brennofen herausströmen gelassen
wird, um während des Brennens einen nicht mehr als 10% betra
genden Gehalt von CO-Gas zu liefern.
14. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das
Brennen eine Kombination eines Vorsinterns und einer isostati
schen Heißpreßbehandlung ist.
15. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der
Sinterkörper nach der isostatischen Heißpreßbehandlung nötigen
falls weiter bearbeitet wird, damit er bei Raumtemperatur eine
Vierpunkt-Biegefestigkeit von mindestens 784,5 N/mm2 zeigt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP62191094A JPS6433074A (en) | 1987-07-30 | 1987-07-30 | Production of silicon nitride sintered body having high strength |
JP63045434A JPH01219065A (ja) | 1988-02-27 | 1988-02-27 | 均質窒化珪素焼結体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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DE3825955A1 true DE3825955A1 (de) | 1989-02-16 |
DE3825955C2 DE3825955C2 (de) | 1992-01-16 |
Family
ID=26385417
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19883825955 Granted DE3825955A1 (de) | 1987-07-30 | 1988-07-29 | Verfahren zur herstellung homogener siliciumnitrid-sinterkoerper |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8331 | Complete revocation |