DE3811949C2

DE3811949C2 -

Info

Publication number: DE3811949C2
Application number: DE19883811949
Authority: DE
Inventors: Heinz 7100 Heilbronn De Rinderle
Original assignee: Telefunken Electronic GmbH
Current assignee: Atmel Germany GmbH
Priority date: 1988-04-11
Filing date: 1988-04-11
Publication date: 1991-08-01
Also published as: DE3811949A1

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltung zur Einstellung des Arbeitspunktes eines Transistors mit einem Pinchwider stand im Basisstromkreis.

Eine derartige Schaltung ist aus der Literaturstelle "IBM Technical Disclosure Bulletin", Vol. 26, No. 7b, Dec. 1983, Seiten 3616 bis 3617, bekannt. Diese Schaltung stellt einen strombegrenzten Inverter dar, der einen Pinchwiderstand zum Bereitstellen des Basisstromes für einen logischen Inverter aufweist. Dieser als Stromquelle arbeitende Pinchwiderstand läßt einen Betrieb des Schaltkreises mit einer sehr niedrigen Ver sorgungsspannung zu. Bei dieser Schaltung werden jedoch durch Temperaturschwankungen bedingte Instabilitäten des Arbeitspunktes des Transistors nicht beseitigt.

Aus dem Buch von TIETZE und SCHENK: Halbleiter schaltungstechnik, 5. Auflage, Springer Verlag Berlin, Heidelberg, New York, 1986, S. 42-43 ist es bekannt, zur Einstellung des Arbeitspunktes eines Transistors entweder der Signalspannungsquelle eine Gleich spannungsquelle in Reihe zu schalten, oder einen von der Betriebsspannung gespeisten Spannungsleiter zu ver wenden.

Die Fig. 1 zeigt eine bekannte Verstärkerschaltung, bei der zur Einstellung des Arbeitspunktes des Verstär kertransistors 1 dessen Basispotential durch einen Spannungsteiler erzeugt wird, der aus den ohmschen Wider ständen 2 und 3 besteht. Das Basispotential des Transistors 1 wird am Widerstand 2 abgegriffen. Bei der Schaltung der Fig. 1 wird das Eingangssignal über den Kondensator 4 der Basis des Transistors 1 zugeführt. Die Betriebsspannungsquelle ist bei der Schaltung der Fig. 1 mit der Bezugsziffer 5 bezeichnet. Der Widerstand 6 ist der Kollektorwiderstand des Transistors 1 und der Wider stand 7 ist der Emitterwiderstand des Transistors 1. Der gestrichelt eingezeichnete Kondensator 8 ist für den Fall vorgesehen, daß die durch den Emitterwider stand 7 verursachte Gegenkopplung für das Signal un wirksam sein soll.

Die bekannte Schaltung der Fig. 1 hat den Nachteil, daß zur Stabilisierung des Arbeitspunktes des Transi stors 1 ein Emitterwiderstand 7 benötigt wird, der so hochohmig sein muß, daß bei dem gewählten Emitterstrom ein Spannungsabfall entsteht, der einem vielfachen Wert der Temperaturspannung des Transistors (U_T = ) ent spricht und z. B. 100 bis 500 mV beträgt. Der Emitter widerstand 7 hat bei der bekannten Schaltung der Fig. 1 die Aufgabe, Instabilitäten des Arbeitspunktes des Verstärkertransistors, die durch Temperaturänderungen sowie Änderungen der Transistoreigenschaften wie z. B. Änderung des Stromverstärkungsfaktors oder Änderung der Basis-Emitter-Spannung entstehen, zu reduzieren. Ein weiterer Nachteil der bekannten Schaltung der Fig. 1 besteht darin, daß durch Streuung der Transistorparame ter (H_FE) bedingte Änderungen des Basisstromes Änderun gen des Basispotentials entstehen. Um diese Änderungen des Basisstromes klein zu halten, muß bei der bekannten Schaltung der Fig. 1 der Spannungsteiler niederohmig ausgebildet werden, eine Maßnahme, die zu einem nieder ohmigen Eingangswiderstand führt, der für manche Anwen dungszwecke unerwünscht ist. Außerdem erfordert ein niederohmiger Spannungsteiler einen relativ hohen Be triebsstrom.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schal tung zur Einstellung des Arbeitspunktes eines Transistors anzugeben, die eine Stabilisierung des Arbeitspunktes des Transi stors ohne großen Aufwand ermöglicht. Diese Aufgabe wird bei einer Schaltung der eingangs erwähnten Art durch die Kennzeichen der Ansprüche 1 und 2 gelöst.

Die Fig. 2 zeigt ein Beispiel einer Schaltungsanordnung nach der Erfindung, bei der das Basispotential für den Transi stor 1, dessen Arbeitspunkt ohne großen Aufwand stabilisiert werden soll, durch die Reihenschaltung der weiteren Gleichspannungsquelle 9 und des Widerstandes 2′ erzeugt wird. Durch die Arbeitspunkt stabilisierung soll erreicht werden, daß der Kollektor strom des Transistors 1 konstant oder nahezu konstant bleibt. Durch entsprechende Bemessung der Spannung der Spannungsquelle 9 kann dabei erreicht werden, daß der Einfluß der Temperatur auf den Arbeitspunkt des Transistors 1 ein Minimum wird.

Dabei ist der Widerstand 2′ ein Pinchwider stand, dessen Widerstandszone gleichzeitig und im glei chen Arbeitsgang mit der Basiszone des Transistors 1 in einem gemeinsamen Halbleiterkörper hergestellt wird, wobei sich der Arbeitspunkt der Schaltung der Fig. 2 in einfacher Weise stabilisieren läßt (z. B. Kollektorstrom des Transistors 1). Die Stabilisierung des Arbeitspunktes wird auch dann er reicht, wenn der Pinchwiderstand 2′ relativ hochohmig ist. Der Betriebsstrom für die Erzeugung der Basisvor spannung ist dann bei der Schaltung der Fig. 2 relativ klein, da dieser Betriebsstrom gleich dem Basisstrom des Transistors 1 ist.

Ein Pinchwiderstand 2′ besteht gemäß der Fig. 3 aus einer Widerstandszone 10, die von zwei Halbleiterzonen 11 und 12 in vertikaler Richtung begrenzt wird. Die Halbleiterzonen 11 und 12 haben den entgegengesetzten Leitungstyp wie die Widerstandszone 10. Die Widerstands zone 10 wird im gleichen Verfahrensschritt wie die Ba siszone 13 des in der Fig. 3 neben dem Pinchwiderstand befindlichen Transistors 1 hergestellt, so daß die Wi derstandszone 10 den gleichen Leitungstyp, die gleiche Leitfähigkeit und die gleiche Eindringtiefe wie die Basiszone 13 des Transistors 1 aufweist. In analoger Weise wird die über der Widerstandszone 10 liegende Halbleiterzone 11, die an die Halbleiteroberfläche grenzt, im gleichen Arbeitsgang wie die Emitterzone 14 des Transistors 1 hergestellt, so daß die Halbleiter zone 11 den gleichen Leitungstyp, die gleiche Leitfähig keit sowie die gleiche Tiefe wie die Emitterzone 14 des Transistors 1 aufweist. Der gemeinsame Halbleiterkörper der inte grierten Schaltungsanordnung der Fig. 3 besteht aus einem Substrat 15 vom ersten Leitungstyp und einer epi taktischen Schicht 12 vom zweiten Leitungstyp. Die elek trische Trennung der Bauelemente der Schaltungsanord nung der Fig. 3 erfolgt durch Separationszonen 16, die den ersten Leitungstyp aufweisen. Die Widerstandszone 10 und die Basiszone 13 haben den ersten Leitungstyp. Unter dem Pinchwiderstand 2′ und unter dem Transistor 1 befinden sich vergrabene Schichten 17 und 18 vom zwei ten Leitungstyp. Anstelle der Separationszonen 16 kön nen auch sogenannte Oxidisolationszonen angewandt wer den.

Die Verwendung eines Pinchwiderstandes hat in diesem Fall den Vorteil, daß dessen Widerstandswert mit dem Stromverstärkungs faktor (H_FE) des mitintegrierten (npn-)Transistors 1 derart korreliert ist, daß der Widerstandswert des Pinchwiderstandes 2′ im wesentlichen dem Stromverstär kungsfaktor des (npn-)Transistors 1 proportional ist. Unter diesen Umständen ist es möglich, den durch die Streuung des Stromver stärkungsfaktors (H_FE) bedingten Einfluß auf den Kol lektorstrom des Transistors 1 durch die gegenläufig wirkende Streuung des Pinchwiderstandes 2′ zu kompen sieren.

Bei der Schaltung der Fig. 4 wird das Eingangssignal wie bei der Schaltung der Fig. 2 der Basis des Transi stors 1 über einen Kondensator 4 zugeführt. Bei der Schaltung der Fig. 4 ist ein Spannungsteiler vorgese hen, der aus den Pinchwiderständen 2′ und 3′ besteht. Die beiden Pinchwiderstände 2′ und 3′ werden in dersel ben Weise wie der Pinchwiderstand 2′ der Schaltung der Fig. 2 hergestellt, d. h. in den gleichen Arbeitsgän gen, in denen der Transistor 1 hergestellt wird. Der Spannungsteiler mit den Pinchwiderständen 2′ und 3′ dient bei der Schaltung der Fig. 4 zur Erzeugung des Basispotentials des Transistors 1. Der gestrichelt ein gezeichnete Emitterwiderstand 7′ ist für den Fall vor gesehen, daß eine Gegenkopplung für das zu verstärkende Signal vorgesehen ist. Die Schaltung der Fig. 4 hat dieselben Vorteile wie die Schaltung der Fig. 2. Die bei der Schaltung der Fig. 2 durch die Spannungsquelle 9 erzielte Temperaturkompensation des Arbeitspunktes wird bei der Schaltung der Fig. 4 durch den Spannungs teiler aus den Pinchwiderständen 2′ und 3′ erreicht, wobei man nicht an eine bestimmte Spannung gebunden ist.

Die Schaltung der Fig. 5 zeigt die Arbeitspunktstabi lisierung der Transistoren 19 und 20 einer Differenz verstärkerstufe. Der Stromquellentransistor 21 liefert den Betriebsstrom für die Differenzverstärkertransisto ren 19 und 20. Der Transistor 21 und der als Diode ge schaltete Transistor 22 bilden eine Stromspiegelschal tung. Das Eingangssignal wird bei der Schaltung der Fig. 5 den Basen der Transistoren 19 und 20 zugeführt.

Am Eingang der Schaltung der Fig. 5 befindet sich ein Spannungsteiler, der aus den Widerständen 23 und 24 sowie aus dem als Diode geschalteten Transistor 25 be steht. Der als Diode geschaltete Transistor 25 dient zur Erzeugung des Grundpotentials für den Spannungstei ler. Der Verbindungspunkt 26 der Widerstände 23 und 24 ist über den Widerstand 27 mit der Basis des Transi stors 19 und über den Widerstand 28 mit der Basis des Transistors 20 verbunden. Der gegebenenfalls vorhandene Kondensator 29 hat die Aufgabe, Störspannungen, die am Verbindungspunkt 26 auftreten, abzuleiten. Die Kollek torwiderstände 30, 31 sind Arbeitswiderstände. Diese Arbeitswiderstände bestimmen mit die Verstärkung der Schaltung. Die Ausgangssignalkomponenten werden den Kollektoren der Transistoren 19 und 20 entnommen. Die Versorgung der Schaltung der Fig. 5 erfolgt durch die Spannungsquelle 5.

Die Widerstände 23 und 24 des Spannungsteilers sind Pinchwiderstände, die zur Arbeitspunktstabilisierung dienen. Werden auch die Widerstände 27 und 28 als Pinch widerstände ausgebildet, so kann der Eingangswiderstand der Schaltung der Fig. 5 relativ hochohmig gemacht werden. Sämtliche Pinchwiderstände der Schaltung der Fig. 5 werden im selben Arbeitsgang wie die Differenzverstärkungstransistoren 19 und 20 der Schaltung der Fig. 5 hergestellt. Da es bei integrierten Schaltungen ohnehin üblich ist, aus Verein fachungsgründen sämtliche Transistoren einer Schaltung im allgemeinen im gleichen Arbeitsgang herzustellen, werden die Pinchwiderstände in diesem Fall im gleichen Arbeitsgang wie sämtliche Transistoren der Schaltung der Fig. 5 hergestellt.

Die Schaltung der Fig. 6 unterscheidet sich von der Schaltung der Fig. 5 im wesentlichen dadurch, daß noch ein zusätzlicher Verstärkertransistor 33 vorhanden ist, dessen Basis über einen Kondensator 34 mit dem Kollek tor des Transistors 20 verbunden ist. Die Basis des Transistors 33 erhält ihr Potential über einen Pinch widerstand 35 von der Spannungsquelle 5. Der Pinchwider stand 35 wird ebenfalls wie die anderen Pinchwiderstän de im gleichen Arbeitsgang wie die Transistoren der Schaltung hergestellt.

Die Schaltung der Fig. 6 findet beispielsweise als ZF-Verstärker Anwendung. Das am Punkt 36 erscheinende Signal wird mit Hilfe des Keramikfilters 37 zu dessen Ausgang gefiltert. Die Spule 38 wirkt als Drossel. An stelle der Drossel 38 kann auch der Widerstand 39 vor gesehen sein. Am Eingang der Schaltung der Fig. 6 sind die Kondensatoren 4a und 4b vorgesehen.

Die Fig. 7 zeigt eine Variante der Ausgangsstufe der Schaltung der Fig. 6. Bei diesem Schaltungsteil ist der Knoten 36 mit dem Emitter des Transistors 33, mit dem Abgriff einer Spule 38′ sowie mit dem Filter 37 verbunden. Parallel zur Spule 38′ ist ein Kondensator 40 geschaltet. Die Parallelschaltung des Kondensators 40 und der Spule 38′ bilden einen Selektionskreis für ein Signal, welches außer dem Signal des Transistors 33 dem Knoten 36 zugeführt wird. Das Signal am Aus gang 41 entspricht dem Signal am Emitter des Transi stors 33 und das Signal am Ausgang 42 entspricht dem Signal, welches außer dem Signal des Emitters des Tran sistors 33 dem Knotenpunkt 36 zugeführt wird.

Die Verstärkerstufe der Fig. 8 weist einen Differenz verstärker auf, der aus den Transistoren 43 und 44 be steht. Die Basis des Transistors 43 ist über den Wider stand 45 und die Basis des Transistors 44 ist über den Widerstand 46 an die Spannungsquelle 5 geschaltet. Die Emitter der beiden Transistoren 43 und 44 sind mitein ander verbunden. Der Kollektor des Transistors 43 ist über den Widerstand 47 und der Kollektor des Transi stors 44 ist über den Widerstand 48 mit der Spannungs quelle 5 verbunden. Der Verbindungspunkt 49 der beiden Emitter der Transistoren 43 und 44 ist über den Wider stand 50 mit Masse verbunden. Am Eingang der Schaltung befinden sich die beiden Kondensatoren 4a und 4b. Die Widerstände 45 und 46 sind Pinchwiderstände, die im gleichen Arbeitsgang wie die Transistoren der Schaltung hergestellt werden. Bei dieser Schaltung bewirken die im allgemeinen hochohmig bemessenen Basisvorwiderstände 45 und 46 eine Gegenkopplung für die Arbeitspunkte der Transistoren 43, 44, die bewirkt, daß z. B. Offset-Feh ler der Basis-Emitterspannung der Transistoren 43, 44 in ihrer Auswirkung reduziert werden.

Die Schaltung der Fig. 9 stimmt weitgehend mit der Schaltung der Fig. 8 überein, enthält jedoch gegenüber der Schaltung der Fig. 8 noch zusätzlich eine Diode 51, die zwischen den Verbin dungspunkt der Widerstände 45 und 46 und die Betriebs spannung 5 geschaltet ist. Außerdem ist anstelle des Widerstandes 50 in der Fig. 8 bei der Schaltung der Fig. 9 eine Stromquelle 52 vorgesehen. Die Diode 51 hat die Aufgabe, das Basispotential für die Transisto ren 43 und 44 zu vermindern (Potentialversatz). Die Stromquelle 52 liefert einen konstanten Betriebsstrom für die Emitter der Transistoren 43 und 44. Sowohl bei der Schaltung der Fig. 8 als auch bei der Schaltung der Fig. 9 handelt es sich um Verstärkerstufen in Dif ferenzschaltung, bei denen das Eingangssignal den Basen der Transistoren 43 und 44 zugeführt wird, während die Kollektoren der Transistoren 43 und 44 das Ausgangssi gnal liefern. Auch bei der Schaltung der Fig. 9 sind die Widerstände 45 und 46 Pinchwiderstände, die zusam men mit den Transistoren der Schaltung hergestellt wer den.

Die Schaltung der Fig. 10 stimmt weitgehend mit der Schaltung der Fig. 9 überein. Als Stromquelle 52 ist bei der Schaltung der Fig. 10 ein Transistor 52′ mit einer variablen Spannungsquelle 52′′ vorgesehen, die zur variablen Ansteuerung der Basis des Transistors 52′ dient. Die symbolisch dargestellte variable Spannungs quelle 52′′ dient in Verbindung mit dem Transistor 52′ zur Steuerung der Verstärkung der Verstärkerschaltung.

Bei der Schaltung der Fig. 10 sind als Lastwiderstände nicht nur die Widerstände 47 und 48 vorgesehen, sondern zusätzlich noch die Transistoren 53 und 54, die aktive Lasten sind, deren Kollektorströme sich den jeweiligen Kollektorströmen der Transistoren 43 und 44 anpassen. Dadurch wird erreicht, daß das Ausgangspotential an den Kollektoren der Transistoren 43 und 44 bei Änderung des Betriebsstromes der Transistoren 43 und 44 weitgehend konstant bleibt. Der Transistor 53 ist mit seiner Emit ter-Kollektorstrecke zwischen den Kollektor des Transi stors 43 und das Betriebspotential der Quelle 5 geschal tet, während der Transistor 54 mit seiner Emitter-Kol lektorstrecke zwischen den Kollektor des Transistors 44 und das Betriebspotential der Quelle 5 geschaltet ist.

Die Basen der Transistoren 53 und 54 sind miteinander verbunden. Der Widerstand 47 ist zwischen die Basis und den Kollektor des Transistors 53 geschaltet und der Widerstand 48 ist zwischen die Basis und den Kollektor des Transistors 48 geschaltet. Bei der Schaltung der Fig. 10 sind die Widerstände 45 und 46 Pinchwiderstän de, die zusammen mit den Transistoren der Schaltung hergestellt werden.

Die in den Fig. 9 und 10 verwendete Diode 51 zum Erzeugen eines Potentialversatzes für die Basen der Transistoren 43 und 44 bewirkt eine Vergrößerung des Signalaussteuerbereichs am Ausgang der Verstärkerschal tung.

Die Fig. 11 zeigt ein Beispiel für die Integration der Pinchwiderstände 45 und 46 sowie der Diode 51 (Fig. 9 und 10). Die Pinchzonen sind die Halbleiterzonen 45′ und 46′, die von der Halbleiterzone 55 überdeckt sind. Der Halbleiterkörper der integrierten Schaltung der Fig. 11 besteht aus einem Substrat 56 und einer epi taktischen Schicht 57. Die Halbleiterzonen 45′, 46′ und 55 befinden sich in der epitaktischen Schicht 57. Die Halbleiterzone 45′ wird durch die Elektroden 58 und 59 und die Halbleiterzone 46′ wird durch die Elektroden 60 und 61 kontaktiert. Die Elektrode 62 und die hochdotier te Halbleiterzone 63 dienen zur Kontaktierung der epi taktischen Schicht 57. Die Elektroden 61, 62 und 59 sind bei der fertigen Anordnung miteinander verbunden.

Neben den Pinchwiderständen 45′ und 46′ befindet sich in der integrierten Schaltungsanordnung der Fig. 11 ein Transistor mit der Emitterzone 64, der Basiszone 65 und der Kollektorzone 66, die durch die epitaktische Schicht 57 gebildet wird. Die Bauelemente sind bei der integrierten Schaltungsanordnung der Fig. 11 durch die Separationszonen 67 voneinander elektrisch getrennt. Die Halbleiterzone 68 dient zur Kontaktierung der Basis zone 65. Die Halbleiterzone 69 bildet zusammen mit der epitaktischen Schicht 57 eine Diode, die der Diode 51 in den Fig. 9 und 10 entspricht. Die Halbleiterzone 69 wird durch die Elektrode 70 kontaktiert. Durch die Separationszonen 67 wird die epitaktische Schicht 57 in Boxen unterteilt, die voneinander elektrisch getrennt sind. In der einen Box befinden sich die Pinchwiderstän de 45′ und 46′ zusammen mit der Halbleiterdiode, die durch die Halbleiterzone 69 und die epitaktische Schicht 57 gebildet wird, während sich der Transistor der Fig. 11 in einer anderen Box befindet. Die Pinchzonen 45′ und 46′ werden gleichzeitig und im gleichen Arbeitsgang mit der Basiszone 65 des Transistors hergestellt, wäh rend die Halbleiterzone 55 gleichzeitig und zusammen mit der Emitterzone 64 des Transistors hergestellt wird.

Claims

1. Schaltung zur Einstellung des Arbeitspunktes eines Transistors (1) mit einem Pinchwiderstand (2′) im Basisstromkreis sowie einer Betriebsspannungsquelle (5), dadurch gekennzeichnet, daß eine von der ersten Betriebsspannungsquelle (5) unabhängige weitere Gleich spannungsquelle (9) vorgesehen ist, daß der Pinchwider stand (2′) zwischen dem einen Pol der weiteren Gleich spannungsquelle (9) und der Basis-Elektrode des Transi stors (1), dessen Arbeitspunkt einzustellen ist, geschaltet ist, daß der andere Pol der weiteren Gleich spannungsquelle (9) mit der Emitter-Elektrode des Tran sistors (1) verbunden ist und daß im Bereich der zulässigen Spannungswerte für die Basis-Emitter-Spannung des Transistors (1) der Spannungswert für die weitere Gleichspannungsquelle (9) so eingestellt wird, daß der Arbeitspunkt des Transistors (1) gegenüber Temperatur schwankungen stabilisiert ist.

2. Schaltung zur Einstellung des Arbeitspunktes eines Transistors (1) mit einem Pinchwiderstand (2′) im Basisstromkreis sowie einer Betriebsspannungsquelle (5), dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein weiterer Widerstand (3′) vorgesehen ist, der zusammen mit dem Pinchwider stand (2′) einen Spannungsteiler zur Erzeugung eines Basispotentials für den Transistor (1) bildet und daß dieser weitere Widerstand (3′) ebenfalls ein Pinch widerstand ist.

3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn zeichnet, daß der Pinchwiderstand (2′) bzw. die Pinchwiderstände (2′, 3′) in einem gemeinsamen Halb leiterkörper (15, 12; 56, 57) zusammen mit dem Transistor (1) hergestellt ist bzw. sind, dessen Arbeitspunkt eingestellt wird.

4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandszone (10) des Pinchwiderstandes (2′) bzw. die Widerstandszonen (45′, 46′) der Pinchwiderstände (2′, 3′) zusammen mit der Basiszone des Transistors (1) und im gleichen Arbeitsgang wie die Basiszone (13, 65) des Transistors (1) hergestellt ist bzw. sind.

5. Schaltung nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel zum Versatz des Basispoten tials des Transistors (1) vorgesehen sind.

6. Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß zum Versatz des Basispotentials des Transistors (1) ein als Diode geschalteter Transistor vorgesehen ist.

7. Schaltung nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein Differenzverstärker vorgesehen ist, bei dem das Basispotential der Differenzverstärkertransistoren (19, 20) mit Hilfe von Pinchwiderständen (23, 24) einge stellt wird.

8. Schaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein Spannungsteiler aus Pinchwiderständen (23, 24) zur Einstellung des Basispotentials vorgesehen ist und daß Widerstände (27, 28) zwischen den Verbindungspunkt der Pinchwiderstände (23, 24) des Spannungsteilers und die Basen der Differenzverstärkertransistoren (19, 20) geschaltet sind.

9. Schaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstände (27, 28) die zwischen den Verbin dungspunkt der Pinchwiderstände (23, 24) des Spannungs teilers und die Basen der Transistoren (19, 20) des Differenzverstärkers geschaltet sind, Pinchwiderstände sind.

10. Schaltung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, da durch gekennzeichnet, daß der Differenzverstärkerstufe (19, 20) eine Transistorverstärkerstufe nachgeschaltet ist, deren Transistor (33) sein Basispotential über einen Pinchwiderstand (35) erhält.

11. Schaltung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Bezugspunkt der Schaltung und den Emitter des Transistors (33) der Verstärkerstufe eine Spule (38) geschaltet ist.

12. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Differenzverstärkerstufe vor gesehen ist, daß die Basen der Transistoren (43, 44) der Differenzverstärkerstufe über Pinchwiderstände (45, 46) mit dem Betriebspotential der Schaltung verbunden sind.

13. Schaltung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Basen der Transistoren (43, 44) der Differenz verstärkerstufe über Pinchwiderstände (45, 46) sowie über eine Diode (51) mit dem Betriebspotential der Schaltung verbunden sind.

14. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Differenzverstärker stufe vorgesehen ist und daß als Lastwiderstände der Transistoren (43, 44) der Differenzverstärkerstufe Transistoren (53, 54) vorgesehen sind, wobei zwischen deren Basis und Kollektor jeweils ein Widerstand (47, 48) geschaltet ist.

15. Schaltung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Emitterstrom der Transistoren (43, 44) der Differenzverstärkerstufe gesteuert wird.

16. Schaltung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß zur Steuerung der Emitterströme der Transistoren (43, 44) der Differenzverstärkerstufe ein Transistor (52′) vorgesehen ist, dessen Basispotential gesteuert wird.