DE3811949C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3811949C2 DE3811949C2 DE19883811949 DE3811949A DE3811949C2 DE 3811949 C2 DE3811949 C2 DE 3811949C2 DE 19883811949 DE19883811949 DE 19883811949 DE 3811949 A DE3811949 A DE 3811949A DE 3811949 C2 DE3811949 C2 DE 3811949C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- pinch
- resistors
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 101150087426 Gnal gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0641—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type
- H01L27/0647—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. vertical bipolar transistor and bipolar lateral transistor and resistor
- H01L27/0652—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
- H01L27/0658—Vertical bipolar transistor in combination with resistors or capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltung zur Einstellung
des Arbeitspunktes eines Transistors mit einem Pinchwider
stand im Basisstromkreis.
Eine derartige Schaltung ist aus der Literaturstelle
"IBM Technical Disclosure Bulletin", Vol. 26, No. 7b,
Dec. 1983, Seiten 3616 bis 3617, bekannt. Diese Schaltung
stellt einen strombegrenzten Inverter dar, der
einen Pinchwiderstand zum Bereitstellen des Basisstromes
für einen logischen Inverter aufweist. Dieser als
Stromquelle arbeitende Pinchwiderstand läßt einen
Betrieb des Schaltkreises mit einer sehr niedrigen Ver
sorgungsspannung zu. Bei dieser Schaltung werden jedoch
durch Temperaturschwankungen bedingte Instabilitäten
des Arbeitspunktes des Transistors nicht beseitigt.
Aus dem Buch von TIETZE und SCHENK: Halbleiter
schaltungstechnik, 5. Auflage, Springer Verlag Berlin,
Heidelberg, New York, 1986, S. 42-43 ist es bekannt,
zur Einstellung des Arbeitspunktes eines Transistors
entweder der Signalspannungsquelle eine Gleich
spannungsquelle in Reihe zu schalten, oder einen von der
Betriebsspannung gespeisten Spannungsleiter zu ver
wenden.
Die Fig. 1 zeigt eine bekannte Verstärkerschaltung,
bei der zur Einstellung des Arbeitspunktes des Verstär
kertransistors 1 dessen Basispotential durch einen
Spannungsteiler erzeugt wird, der aus den ohmschen Wider
ständen 2 und 3 besteht. Das Basispotential des
Transistors 1 wird am Widerstand 2 abgegriffen. Bei der
Schaltung der Fig. 1 wird das Eingangssignal über den
Kondensator 4 der Basis des Transistors 1 zugeführt.
Die Betriebsspannungsquelle ist bei der Schaltung der Fig. 1
mit der Bezugsziffer 5 bezeichnet. Der Widerstand 6 ist
der Kollektorwiderstand des Transistors 1 und der Wider
stand 7 ist der Emitterwiderstand des Transistors 1.
Der gestrichelt eingezeichnete Kondensator 8 ist für
den Fall vorgesehen, daß die durch den Emitterwider
stand 7 verursachte Gegenkopplung für das Signal un
wirksam sein soll.
Die bekannte Schaltung der Fig. 1 hat den Nachteil,
daß zur Stabilisierung des Arbeitspunktes des Transi
stors 1 ein Emitterwiderstand 7 benötigt wird, der so
hochohmig sein muß, daß bei dem gewählten Emitterstrom
ein Spannungsabfall entsteht, der einem vielfachen Wert
der Temperaturspannung des Transistors (UT = ) ent
spricht und z. B. 100 bis 500 mV beträgt. Der Emitter
widerstand 7 hat bei der bekannten Schaltung der Fig. 1
die Aufgabe, Instabilitäten des Arbeitspunktes des
Verstärkertransistors, die durch Temperaturänderungen
sowie Änderungen der Transistoreigenschaften wie z. B.
Änderung des Stromverstärkungsfaktors oder Änderung der
Basis-Emitter-Spannung entstehen, zu reduzieren. Ein
weiterer Nachteil der bekannten Schaltung der Fig. 1
besteht darin, daß durch Streuung der Transistorparame
ter (HFE) bedingte Änderungen des Basisstromes Änderun
gen des Basispotentials entstehen. Um diese Änderungen
des Basisstromes klein zu halten, muß bei der bekannten
Schaltung der Fig. 1 der Spannungsteiler niederohmig
ausgebildet werden, eine Maßnahme, die zu einem nieder
ohmigen Eingangswiderstand führt, der für manche Anwen
dungszwecke unerwünscht ist. Außerdem erfordert ein
niederohmiger Spannungsteiler einen relativ hohen Be
triebsstrom.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schal
tung zur Einstellung des Arbeitspunktes eines Transistors anzugeben, die
eine Stabilisierung des Arbeitspunktes des Transi
stors ohne großen Aufwand ermöglicht. Diese Aufgabe
wird bei einer Schaltung der eingangs erwähnten Art
durch die Kennzeichen der Ansprüche 1 und 2 gelöst.
Die Fig. 2 zeigt ein Beispiel einer Schaltungsanordnung nach der
Erfindung, bei der das Basispotential für den Transi
stor 1, dessen Arbeitspunkt ohne großen Aufwand stabilisiert werden soll,
durch die Reihenschaltung der weiteren Gleichspannungsquelle 9 und des
Widerstandes 2′ erzeugt wird. Durch die Arbeitspunkt
stabilisierung soll erreicht werden, daß der Kollektor
strom des Transistors 1 konstant oder nahezu konstant
bleibt. Durch entsprechende Bemessung der Spannung der
Spannungsquelle 9 kann dabei erreicht werden, daß der Einfluß
der Temperatur auf den Arbeitspunkt des Transistors 1
ein Minimum wird.
Dabei ist der Widerstand 2′ ein Pinchwider
stand, dessen Widerstandszone gleichzeitig und im glei
chen Arbeitsgang mit der Basiszone des Transistors 1 in
einem gemeinsamen Halbleiterkörper hergestellt wird, wobei
sich der Arbeitspunkt der Schaltung der Fig. 2 in
einfacher Weise stabilisieren läßt (z. B. Kollektorstrom des
Transistors 1). Die Stabilisierung des Arbeitspunktes
wird auch dann er
reicht, wenn der Pinchwiderstand 2′ relativ hochohmig
ist. Der Betriebsstrom für die Erzeugung der Basisvor
spannung ist dann bei der Schaltung der Fig. 2 relativ
klein, da dieser Betriebsstrom gleich dem Basisstrom
des Transistors 1 ist.
Ein Pinchwiderstand 2′ besteht gemäß der Fig. 3 aus
einer Widerstandszone 10, die von zwei Halbleiterzonen
11 und 12 in vertikaler Richtung begrenzt wird. Die
Halbleiterzonen 11 und 12 haben den entgegengesetzten
Leitungstyp wie die Widerstandszone 10. Die Widerstands
zone 10 wird im gleichen Verfahrensschritt wie die Ba
siszone 13 des in der Fig. 3 neben dem Pinchwiderstand
befindlichen Transistors 1 hergestellt, so daß die Wi
derstandszone 10 den gleichen Leitungstyp, die gleiche
Leitfähigkeit und die gleiche Eindringtiefe wie die
Basiszone 13 des Transistors 1 aufweist. In analoger
Weise wird die über der Widerstandszone 10 liegende
Halbleiterzone 11, die an die Halbleiteroberfläche
grenzt, im gleichen Arbeitsgang wie die Emitterzone 14
des Transistors 1 hergestellt, so daß die Halbleiter
zone 11 den gleichen Leitungstyp, die gleiche Leitfähig
keit sowie die gleiche Tiefe wie die Emitterzone 14 des
Transistors 1 aufweist. Der gemeinsame Halbleiterkörper der inte
grierten Schaltungsanordnung der Fig. 3 besteht aus
einem Substrat 15 vom ersten Leitungstyp und einer epi
taktischen Schicht 12 vom zweiten Leitungstyp. Die elek
trische Trennung der Bauelemente der Schaltungsanord
nung der Fig. 3 erfolgt durch Separationszonen 16, die
den ersten Leitungstyp aufweisen. Die Widerstandszone
10 und die Basiszone 13 haben den ersten Leitungstyp.
Unter dem Pinchwiderstand 2′ und unter dem Transistor 1
befinden sich vergrabene Schichten 17 und 18 vom zwei
ten Leitungstyp. Anstelle der Separationszonen 16 kön
nen auch sogenannte Oxidisolationszonen angewandt wer
den.
Die Verwendung eines Pinchwiderstandes hat in diesem Fall den Vorteil,
daß dessen Widerstandswert mit dem Stromverstärkungs
faktor (HFE) des mitintegrierten (npn-)Transistors 1
derart korreliert ist, daß der Widerstandswert des
Pinchwiderstandes 2′ im wesentlichen dem Stromverstär
kungsfaktor des (npn-)Transistors 1 proportional ist.
Unter diesen Umständen ist es
möglich, den durch die Streuung des Stromver
stärkungsfaktors (HFE) bedingten Einfluß auf den Kol
lektorstrom des Transistors 1 durch die gegenläufig
wirkende Streuung des Pinchwiderstandes 2′ zu kompen
sieren.
Bei der Schaltung der Fig. 4 wird das Eingangssignal
wie bei der Schaltung der Fig. 2 der Basis des Transi
stors 1 über einen Kondensator 4 zugeführt. Bei der
Schaltung der Fig. 4 ist ein Spannungsteiler vorgese
hen, der aus den Pinchwiderständen 2′ und 3′ besteht.
Die beiden Pinchwiderstände 2′ und 3′ werden in dersel
ben Weise wie der Pinchwiderstand 2′ der Schaltung der
Fig. 2 hergestellt, d. h. in den gleichen Arbeitsgän
gen, in denen der Transistor 1 hergestellt wird. Der
Spannungsteiler mit den Pinchwiderständen 2′ und 3′
dient bei der Schaltung der Fig. 4 zur Erzeugung des
Basispotentials des Transistors 1. Der gestrichelt ein
gezeichnete Emitterwiderstand 7′ ist für den Fall vor
gesehen, daß eine Gegenkopplung für das zu verstärkende
Signal vorgesehen ist. Die Schaltung der Fig. 4 hat
dieselben Vorteile wie die Schaltung der Fig. 2. Die
bei der Schaltung der Fig. 2 durch die Spannungsquelle
9 erzielte Temperaturkompensation des Arbeitspunktes
wird bei der Schaltung der Fig. 4 durch den Spannungs
teiler aus den Pinchwiderständen 2′ und 3′ erreicht,
wobei man nicht an eine bestimmte Spannung gebunden
ist.
Die Schaltung der Fig. 5 zeigt die Arbeitspunktstabi
lisierung der Transistoren 19 und 20 einer Differenz
verstärkerstufe. Der Stromquellentransistor 21 liefert
den Betriebsstrom für die Differenzverstärkertransisto
ren 19 und 20. Der Transistor 21 und der als Diode ge
schaltete Transistor 22 bilden eine Stromspiegelschal
tung. Das Eingangssignal wird bei der Schaltung der
Fig. 5 den Basen der Transistoren 19 und 20 zugeführt.
Am Eingang der Schaltung der Fig. 5 befindet sich ein
Spannungsteiler, der aus den Widerständen 23 und 24
sowie aus dem als Diode geschalteten Transistor 25 be
steht. Der als Diode geschaltete Transistor 25 dient
zur Erzeugung des Grundpotentials für den Spannungstei
ler. Der Verbindungspunkt 26 der Widerstände 23 und 24
ist über den Widerstand 27 mit der Basis des Transi
stors 19 und über den Widerstand 28 mit der Basis des
Transistors 20 verbunden. Der gegebenenfalls vorhandene
Kondensator 29 hat die Aufgabe, Störspannungen, die am
Verbindungspunkt 26 auftreten, abzuleiten. Die Kollek
torwiderstände 30, 31 sind Arbeitswiderstände. Diese
Arbeitswiderstände bestimmen mit die Verstärkung der
Schaltung. Die Ausgangssignalkomponenten werden den
Kollektoren der Transistoren 19 und 20 entnommen. Die
Versorgung der Schaltung der Fig. 5 erfolgt durch die
Spannungsquelle 5.
Die Widerstände 23 und 24 des Spannungsteilers sind
Pinchwiderstände, die zur Arbeitspunktstabilisierung
dienen. Werden auch die Widerstände 27 und 28 als Pinch
widerstände ausgebildet, so kann der Eingangswiderstand
der Schaltung der Fig. 5 relativ hochohmig gemacht
werden. Sämtliche Pinchwiderstände der Schaltung der
Fig. 5 werden im selben Arbeitsgang wie die Differenzverstärkungstransistoren
19 und 20 der Schaltung der Fig. 5 hergestellt. Da
es bei integrierten Schaltungen ohnehin üblich ist, aus Verein
fachungsgründen sämtliche Transistoren einer Schaltung
im allgemeinen im gleichen Arbeitsgang herzustellen,
werden die Pinchwiderstände in diesem Fall im gleichen
Arbeitsgang wie sämtliche Transistoren der Schaltung
der Fig. 5 hergestellt.
Die Schaltung der Fig. 6 unterscheidet sich von der
Schaltung der Fig. 5 im wesentlichen dadurch, daß noch
ein zusätzlicher Verstärkertransistor 33 vorhanden ist,
dessen Basis über einen Kondensator 34 mit dem Kollek
tor des Transistors 20 verbunden ist. Die Basis des
Transistors 33 erhält ihr Potential über einen Pinch
widerstand 35 von der Spannungsquelle 5. Der Pinchwider
stand 35 wird ebenfalls wie die anderen Pinchwiderstän
de im gleichen Arbeitsgang wie die Transistoren der
Schaltung hergestellt.
Die Schaltung der Fig. 6 findet beispielsweise als
ZF-Verstärker Anwendung. Das am Punkt 36 erscheinende
Signal wird mit Hilfe des Keramikfilters 37 zu dessen
Ausgang gefiltert. Die Spule 38 wirkt als Drossel. An
stelle der Drossel 38 kann auch der Widerstand 39 vor
gesehen sein. Am Eingang der Schaltung der Fig. 6 sind
die Kondensatoren 4a und 4b vorgesehen.
Die Fig. 7 zeigt eine Variante der Ausgangsstufe der
Schaltung der Fig. 6. Bei diesem Schaltungsteil ist
der Knoten 36 mit dem Emitter des Transistors 33, mit
dem Abgriff einer Spule 38′ sowie mit dem Filter 37
verbunden. Parallel zur Spule 38′ ist ein Kondensator
40 geschaltet. Die Parallelschaltung des Kondensators
40 und der Spule 38′ bilden einen Selektionskreis für
ein Signal, welches außer dem Signal des Transistors 33
dem Knoten 36 zugeführt wird. Das Signal am Aus
gang 41 entspricht dem Signal am Emitter des Transi
stors 33 und das Signal am Ausgang 42 entspricht dem
Signal, welches außer dem Signal des Emitters des Tran
sistors 33 dem Knotenpunkt 36 zugeführt wird.
Die Verstärkerstufe der Fig. 8 weist einen Differenz
verstärker auf, der aus den Transistoren 43 und 44 be
steht. Die Basis des Transistors 43 ist über den Wider
stand 45 und die Basis des Transistors 44 ist über den
Widerstand 46 an die Spannungsquelle 5 geschaltet. Die
Emitter der beiden Transistoren 43 und 44 sind mitein
ander verbunden. Der Kollektor des Transistors 43 ist
über den Widerstand 47 und der Kollektor des Transi
stors 44 ist über den Widerstand 48 mit der Spannungs
quelle 5 verbunden. Der Verbindungspunkt 49 der beiden
Emitter der Transistoren 43 und 44 ist über den Wider
stand 50 mit Masse verbunden. Am Eingang der Schaltung
befinden sich die beiden Kondensatoren 4a und 4b. Die
Widerstände 45 und 46 sind Pinchwiderstände, die im
gleichen Arbeitsgang wie die Transistoren der Schaltung
hergestellt werden. Bei dieser Schaltung bewirken die
im allgemeinen hochohmig bemessenen Basisvorwiderstände
45 und 46 eine Gegenkopplung für die Arbeitspunkte der
Transistoren 43, 44, die bewirkt, daß z. B. Offset-Feh
ler der Basis-Emitterspannung der Transistoren 43, 44
in ihrer Auswirkung reduziert werden.
Die Schaltung der Fig. 9 stimmt weitgehend mit der
Schaltung der Fig. 8 überein,
enthält jedoch gegenüber der Schaltung der Fig. 8
noch zusätzlich eine Diode 51, die zwischen den Verbin
dungspunkt der Widerstände 45 und 46 und die Betriebs
spannung 5 geschaltet ist. Außerdem ist anstelle des
Widerstandes 50 in der Fig. 8 bei der Schaltung der
Fig. 9 eine Stromquelle 52 vorgesehen. Die Diode 51
hat die Aufgabe, das Basispotential für die Transisto
ren 43 und 44 zu vermindern (Potentialversatz). Die
Stromquelle 52 liefert einen konstanten Betriebsstrom
für die Emitter der Transistoren 43 und 44. Sowohl bei
der Schaltung der Fig. 8 als auch bei der Schaltung
der Fig. 9 handelt es sich um Verstärkerstufen in Dif
ferenzschaltung, bei denen das Eingangssignal den Basen
der Transistoren 43 und 44 zugeführt wird, während die
Kollektoren der Transistoren 43 und 44 das Ausgangssi
gnal liefern. Auch bei der Schaltung der Fig. 9 sind
die Widerstände 45 und 46 Pinchwiderstände, die zusam
men mit den Transistoren der Schaltung hergestellt wer
den.
Die Schaltung der Fig. 10 stimmt weitgehend mit der
Schaltung der Fig. 9 überein. Als Stromquelle 52 ist
bei der Schaltung der Fig. 10 ein Transistor 52′ mit
einer variablen Spannungsquelle 52′′ vorgesehen, die zur
variablen Ansteuerung der Basis des Transistors 52′
dient. Die symbolisch dargestellte variable Spannungs
quelle 52′′ dient in Verbindung mit dem Transistor 52′
zur Steuerung der Verstärkung der Verstärkerschaltung.
Bei der Schaltung der Fig. 10 sind als Lastwiderstände
nicht nur die Widerstände 47 und 48 vorgesehen, sondern
zusätzlich noch die Transistoren 53 und 54, die aktive
Lasten sind, deren Kollektorströme sich den jeweiligen
Kollektorströmen der Transistoren 43 und 44 anpassen.
Dadurch wird erreicht, daß das Ausgangspotential an den
Kollektoren der Transistoren 43 und 44 bei Änderung des
Betriebsstromes der Transistoren 43 und 44 weitgehend
konstant bleibt. Der Transistor 53 ist mit seiner Emit
ter-Kollektorstrecke zwischen den Kollektor des Transi
stors 43 und das Betriebspotential der Quelle 5 geschal
tet, während der Transistor 54 mit seiner Emitter-Kol
lektorstrecke zwischen den Kollektor des Transistors 44
und das Betriebspotential der Quelle 5 geschaltet ist.
Die Basen der Transistoren 53 und 54 sind miteinander
verbunden. Der Widerstand 47 ist zwischen die Basis und
den Kollektor des Transistors 53 geschaltet und der
Widerstand 48 ist zwischen die Basis und den Kollektor
des Transistors 48 geschaltet. Bei der Schaltung der
Fig. 10 sind die Widerstände 45 und 46 Pinchwiderstän
de, die zusammen mit den Transistoren der Schaltung
hergestellt werden.
Die in den Fig. 9 und 10 verwendete Diode 51 zum
Erzeugen eines Potentialversatzes für die Basen der
Transistoren 43 und 44 bewirkt eine Vergrößerung des
Signalaussteuerbereichs am Ausgang der Verstärkerschal
tung.
Die Fig. 11 zeigt ein Beispiel für die Integration der
Pinchwiderstände 45 und 46 sowie der Diode 51 (Fig. 9
und 10). Die Pinchzonen sind die Halbleiterzonen 45′
und 46′, die von der Halbleiterzone 55 überdeckt sind.
Der Halbleiterkörper der integrierten Schaltung der
Fig. 11 besteht aus einem Substrat 56 und einer epi
taktischen Schicht 57. Die Halbleiterzonen 45′, 46′ und
55 befinden sich in der epitaktischen Schicht 57. Die
Halbleiterzone 45′ wird durch die Elektroden 58 und 59
und die Halbleiterzone 46′ wird durch die Elektroden 60
und 61 kontaktiert. Die Elektrode 62 und die hochdotier
te Halbleiterzone 63 dienen zur Kontaktierung der epi
taktischen Schicht 57. Die Elektroden 61, 62 und 59
sind bei der fertigen Anordnung miteinander verbunden.
Neben den Pinchwiderständen 45′ und 46′ befindet sich
in der integrierten Schaltungsanordnung der Fig. 11
ein Transistor mit der Emitterzone 64, der Basiszone 65
und der Kollektorzone 66, die durch die epitaktische
Schicht 57 gebildet wird. Die Bauelemente sind bei der
integrierten Schaltungsanordnung der Fig. 11 durch die
Separationszonen 67 voneinander elektrisch getrennt.
Die Halbleiterzone 68 dient zur Kontaktierung der Basis
zone 65. Die Halbleiterzone 69 bildet zusammen mit der
epitaktischen Schicht 57 eine Diode, die der Diode 51
in den Fig. 9 und 10 entspricht. Die Halbleiterzone
69 wird durch die Elektrode 70 kontaktiert. Durch die
Separationszonen 67 wird die epitaktische Schicht 57 in
Boxen unterteilt, die voneinander elektrisch getrennt
sind. In der einen Box befinden sich die Pinchwiderstän
de 45′ und 46′ zusammen mit der Halbleiterdiode, die
durch die Halbleiterzone 69 und die epitaktische Schicht
57 gebildet wird, während sich der Transistor der Fig.
11 in einer anderen Box befindet. Die Pinchzonen 45′
und 46′ werden gleichzeitig und im gleichen Arbeitsgang
mit der Basiszone 65 des Transistors hergestellt, wäh
rend die Halbleiterzone 55 gleichzeitig und zusammen
mit der Emitterzone 64 des Transistors hergestellt wird.
Claims (16)
1. Schaltung zur Einstellung des Arbeitspunktes eines
Transistors (1) mit einem Pinchwiderstand (2′) im
Basisstromkreis sowie einer Betriebsspannungsquelle (5),
dadurch gekennzeichnet, daß eine von der ersten
Betriebsspannungsquelle (5) unabhängige weitere Gleich
spannungsquelle (9) vorgesehen ist, daß der Pinchwider
stand (2′) zwischen dem einen Pol der weiteren Gleich
spannungsquelle (9) und der Basis-Elektrode des Transi
stors (1), dessen Arbeitspunkt einzustellen ist,
geschaltet ist, daß der andere Pol der weiteren Gleich
spannungsquelle (9) mit der Emitter-Elektrode des Tran
sistors (1) verbunden ist und daß im Bereich der zulässigen
Spannungswerte für die Basis-Emitter-Spannung des
Transistors (1) der Spannungswert für die weitere
Gleichspannungsquelle (9) so eingestellt wird, daß der
Arbeitspunkt des Transistors (1) gegenüber Temperatur
schwankungen stabilisiert ist.
2. Schaltung zur Einstellung des Arbeitspunktes eines
Transistors (1) mit einem Pinchwiderstand (2′) im
Basisstromkreis sowie einer Betriebsspannungsquelle (5),
dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein weiterer Widerstand
(3′) vorgesehen ist, der zusammen mit dem Pinchwider
stand (2′) einen Spannungsteiler zur Erzeugung eines
Basispotentials für den Transistor (1) bildet und daß
dieser weitere Widerstand (3′) ebenfalls ein Pinch
widerstand ist.
3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Pinchwiderstand (2′) bzw. die
Pinchwiderstände (2′, 3′) in einem gemeinsamen Halb
leiterkörper (15, 12; 56, 57) zusammen mit dem Transistor (1) hergestellt
ist bzw. sind, dessen Arbeitspunkt eingestellt wird.
4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Widerstandszone (10) des Pinchwiderstandes (2′) bzw.
die Widerstandszonen (45′, 46′) der Pinchwiderstände (2′, 3′)
zusammen mit der Basiszone des Transistors (1) und im
gleichen Arbeitsgang wie die Basiszone (13, 65) des Transistors
(1) hergestellt ist bzw. sind.
5. Schaltung nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch
gekennzeichnet, daß Mittel zum Versatz des Basispoten
tials des Transistors (1) vorgesehen sind.
6. Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß zum Versatz des Basispotentials des Transistors (1)
ein als Diode geschalteter Transistor vorgesehen ist.
7. Schaltung nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Differenzverstärker vorgesehen
ist, bei dem das Basispotential der Differenzverstärkertransistoren (19,
20) mit Hilfe von Pinchwiderständen (23, 24) einge
stellt wird.
8. Schaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Spannungsteiler aus Pinchwiderständen (23, 24)
zur Einstellung des Basispotentials vorgesehen ist und
daß Widerstände (27, 28) zwischen den Verbindungspunkt
der Pinchwiderstände (23, 24) des Spannungsteilers und
die Basen der Differenzverstärkertransistoren (19, 20)
geschaltet sind.
9. Schaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die Widerstände (27, 28) die zwischen den Verbin
dungspunkt der Pinchwiderstände (23, 24) des Spannungs
teilers und die Basen der Transistoren (19, 20) des
Differenzverstärkers geschaltet sind, Pinchwiderstände
sind.
10. Schaltung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, da
durch gekennzeichnet, daß der Differenzverstärkerstufe
(19, 20) eine Transistorverstärkerstufe nachgeschaltet
ist, deren Transistor (33) sein Basispotential über
einen Pinchwiderstand (35) erhält.
11. Schaltung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen den Bezugspunkt der Schaltung und den
Emitter des Transistors (33) der Verstärkerstufe eine
Spule (38) geschaltet ist.
12. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Differenzverstärkerstufe vor
gesehen ist, daß die Basen der Transistoren (43, 44)
der Differenzverstärkerstufe über Pinchwiderstände (45,
46) mit dem Betriebspotential der Schaltung verbunden
sind.
13. Schaltung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet,
daß die Basen der Transistoren (43, 44) der Differenz
verstärkerstufe über Pinchwiderstände (45, 46) sowie
über eine Diode (51) mit dem Betriebspotential der
Schaltung verbunden sind.
14. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß eine Differenzverstärker
stufe vorgesehen ist und daß als Lastwiderstände der
Transistoren (43, 44) der Differenzverstärkerstufe
Transistoren (53, 54) vorgesehen sind, wobei zwischen
deren Basis und Kollektor jeweils ein Widerstand (47,
48) geschaltet ist.
15. Schaltung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß der Emitterstrom der Transistoren (43, 44) der
Differenzverstärkerstufe gesteuert wird.
16. Schaltung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Steuerung der Emitterströme der Transistoren
(43, 44) der Differenzverstärkerstufe ein Transistor
(52′) vorgesehen ist, dessen Basispotential gesteuert
wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883811949 DE3811949A1 (de) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | Schaltung zur einstellung des arbeitspunktes eines transistors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883811949 DE3811949A1 (de) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | Schaltung zur einstellung des arbeitspunktes eines transistors |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3811949A1 DE3811949A1 (de) | 1989-10-19 |
DE3811949C2 true DE3811949C2 (de) | 1991-08-01 |
Family
ID=6351708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19883811949 Granted DE3811949A1 (de) | 1988-04-11 | 1988-04-11 | Schaltung zur einstellung des arbeitspunktes eines transistors |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3811949A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4329639A1 (de) * | 1993-09-02 | 1995-03-09 | Telefunken Microelectron | Schaltungsanordnung mit gesteuerten Pinch-Widerständen |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19629769C1 (de) * | 1996-07-23 | 1997-09-04 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur Einstellung des Arbeitspunktes |
US11735902B2 (en) | 2020-03-24 | 2023-08-22 | Analog Devices International Unlimited Company | Bipolar junction transistor heater circuit |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1141338B (de) * | 1960-04-08 | 1962-12-20 | Siemens Ag Albis | Transistorverstaerker mit stabilisiertem Arbeitspunkt |
DE1614474A1 (de) * | 1966-04-02 | 1972-03-02 | Sanyo Electric Co | Temperatur-stabilisierte Halbleitervorrichtung |
US3534245A (en) * | 1967-12-08 | 1970-10-13 | Rca Corp | Electrical circuit for providing substantially constant current |
DE1921131C3 (de) * | 1969-04-25 | 1979-01-18 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Anordnung zur Temperaturkompensation eines als Regel-Stellglied in Verstärkern angeordneten Feldeffekttransistors |
US3614480A (en) * | 1969-10-13 | 1971-10-19 | Bell Telephone Labor Inc | Temperature-stabilized electronic devices |
GB1494491A (en) * | 1974-01-16 | 1977-12-07 | Hitachi Ltd | Compensation means in combination with a pulse generator circuit utilising field effect transistors |
JPS5753672B2 (de) * | 1974-04-10 | 1982-11-13 | ||
JPS5165861A (en) * | 1974-12-05 | 1976-06-07 | Sony Corp | Toranjisutano baiasukairo |
US4019071A (en) * | 1976-04-12 | 1977-04-19 | Rca Corporation | Biasing current attenuator |
-
1988
- 1988-04-11 DE DE19883811949 patent/DE3811949A1/de active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4329639A1 (de) * | 1993-09-02 | 1995-03-09 | Telefunken Microelectron | Schaltungsanordnung mit gesteuerten Pinch-Widerständen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3811949A1 (de) | 1989-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3927278C2 (de) | Spannungsreglerschaltkreis | |
DE2423478C3 (de) | Stromquellenschaltung | |
DE68926201T2 (de) | Operationsverstärkerschaltung | |
DE2424812A1 (de) | Verstaerker mit ueberstromschutz | |
DE1948850A1 (de) | Differenzverstaerker | |
DE2254618B2 (de) | Integrierte spannungsregelschaltung | |
DE2923360C2 (de) | Konstantstromquellenschaltung | |
DE1901804B2 (de) | Stabilisierter differentialverstaerker | |
DE1487396B2 (de) | Spannungsteilerschaltung | |
DE2850487A1 (de) | Transistor-verstaerkerkreis | |
DE2354340C3 (de) | Signalverstärker mit stabilisiertem Arbeitspunkt | |
DE1909721A1 (de) | Elektrische Schaltung zur Erzeugung von Vorspannungen | |
DE1904333A1 (de) | Spannungsregelschaltung fuer vorzugsweise monolithisch aufgebaute Spannungsregler | |
DE3811949C2 (de) | ||
DE2853581C2 (de) | Emitterfolgerschaltung | |
DE3622615C1 (de) | Spannungsgesteuerter Verstaerker fuer erdsymmetrische,elektrische Signale | |
DE1541488A1 (de) | Halbleiterkaskodenverstaerker in integrierter Schaltung | |
DE2409340A1 (de) | Logarithmische verstaerkerschaltungsanordnung | |
DE2134774C3 (de) | Schaltungsanordnung zur Stabilisierung eines Stromes | |
DE2424814B2 (de) | Gegentakt-b-verstaerkerschaltung | |
DE2032631C3 (de) | Differenzverstärker | |
DE2349462B2 (de) | Stabilisationsschaltung fuer einen konstanten strom | |
DE2648080A1 (de) | Breitbandverstaerker | |
DE3035286C2 (de) | Verstärker | |
DE3119048C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licenses declared (paragraph 23) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: TEMIC TELEFUNKEN MICROELECTRONIC GMBH, 74072 HEILB |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: TEMIC SEMICONDUCTOR GMBH, 74072 HEILBRONN, DE |
|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: ATMEL GERMANY GMBH, 74072 HEILBRONN, DE |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |