DE3807302C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3807302C2
DE3807302C2 DE3807302A DE3807302A DE3807302C2 DE 3807302 C2 DE3807302 C2 DE 3807302C2 DE 3807302 A DE3807302 A DE 3807302A DE 3807302 A DE3807302 A DE 3807302A DE 3807302 C2 DE3807302 C2 DE 3807302C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
mirror
parabolic
oven
segments
ellipsoid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE3807302A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3807302A1 (de
Inventor
Harald Dr.Phys. 7770 Ueberlingen De Lenski
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dornier GmbH
Original Assignee
Dornier GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dornier GmbH filed Critical Dornier GmbH
Priority to DE3807302A priority Critical patent/DE3807302A1/de
Priority to JP1046391A priority patent/JP2669884B2/ja
Priority to FR898902713A priority patent/FR2628192B1/fr
Priority to SE8900749A priority patent/SE500337C2/sv
Priority to US07/320,083 priority patent/US5038395A/en
Publication of DE3807302A1 publication Critical patent/DE3807302A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3807302C2 publication Critical patent/DE3807302C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16Heating of the molten zone
    • C30B13/22Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
    • C30B13/24Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge using electromagnetic waves
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/0033Heating devices using lamps
    • H05B3/0038Heating devices using lamps for industrial applications

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft einen Spiegelofen nach dem Ober­ begriff des Anspruchs 1. Solche Öfen werden hauptsächlich zum Ziehen von Kristallen eingesetzt.
Der Spiegelofen der DE-OS 22 05 558 besteht aus zwei Ellip­ soiden, die das zu prozessierende Material von zwei Seiten erhitzen. Eine Radialsymmetrie kann nur durch Rotation des zu prozessierenden Materials erreicht werden.
Zur Verbesserung der Symmetrie ist aus der US-PS 41 84 065 bekannt, in einen aus zwei Ellipsoiden bestehenden Spiegel­ ofen ein Zwischenstück einzusetzen, das die beiden Ellip­ soide um einen bestimmten Abstand voneinander trennt. Auch bei diesem Ofen ist eine Radialsymmetrie nur durch Drehen der Probe erreichbar.
Die DE-PS 35 41 988 C1 beschreibt einen Spiegelofen mit modifizierter Ellipsoid-Geometrie, der den Oberbegriff des Anspruchs 1 bildet. Dieser Ofen erreicht eine ausreichende Radial- und Axialsymmetrie, wenn die Probe die richtigen Dimensionen hat und richtig angeordnet ist. Wenn die Symme­ trieachse des Ellipsoids nicht mit der Achse der Probe zu­ sammenfällt, ist die Wärmeeinstrahlung nicht radialsymme­ trisch, was die Form der Schmelzzone ungünstig beeinflußt. Wenn Probeachse und Ellipsoidachse zusammenfallen, erhält man eine axiale Asymmetrie der Wärmeeinstrahlung und eine stark eingeschränkte Ziehlänge.
Aufgabe der Erfindung ist es, diesen Spiegelofen dahin­ gehend zu verbessern, daß die Axialsymmetrie verbessert und die Ziehlänge vergrößert wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst von einem Spiegelofen mit den Merkmalen der Ansprüche.
Erfindungsgemäß werden an den Enden des Ofens zwei, even­ tuell modifizierte parabolische Spiegelsegmente verwendet, die die Strahlung über Zweifachreflexion zum Schmelzbereich leiten. Der erfindungsgemäße Spiegelofen enthält also eine Spiegelfläche, die zusammengesetzt ist aus zwei (exakten oder genäherten) parabolischen Segmenten und einem dazwi­ schenliegenden (exakten oder genäherten) Ellipsoidsegment.
In einer Ausführung fallen die Brennpunkte eines oder beider Parabolspiegel gleichzeitig mit den Brennpunkten des Ellip­ soidspiegels zusammen. Im Brennpunkt ist eine Strahlungs­ quelle angeordnet (z.B. eine Glühwendel oder eine Gasent­ ladungslampe), deren Strahlung auf die zu schmelzende Zone des Materials fokussiert wird, und zwar
  • - zu einem bestimmten Anteil durch einfache Reflexion über den Ellipsoidspiegel und
  • - zum anderen durch zweifache Reflexion über die Parabol­ spiel, wobei der erste Parabolspiegel angenähert paral­ leles Licht erzeugt, das auf den zweiten Parabolspiegel fällt und dort auf die Probe fokussiert wird.
Dadurch wird eine weitgehende radiale und axiale Symmetrie der Energieeinstrahlung auf die Probe im Bereich der Schmelzzone erreicht, wodurch definierte Wachstumsbedingun­ gen für den Kristall herrschen. Die Erfindung erlaubt eine deutliche Vergrößerung der Ziehlänge bei gleichem Außen­ durchmesser der Spiegelschale gegenüber bisherigen Ellip­ soidöfen.
Zusätzlich wird die Möglichkeit eröffnet, die Länge der Schmelzzone - unabhängig von der Temperatur - kontinuier­ lich zu verändern.
Durch die Erfindung wird die reflektierte Strahlung punkt- oder ringförmig fokussiert, wobei der Durchmesser des Ring­ fokus gleich oder kleiner dem Durchmesser der Schmelzzone sein kann. Dabei kann der Durchmesser des Fokus für das ein­ fach und für das doppelt reflektierte Licht unterschiedlich sein.
In dieser einfachen Ausführung fallen jeweils ein Brenn­ punkt des Ellipsoids und der Brennpunkt des benachbarten Paraboloids zusammen.
In einer anderen Ausführung müssen die Brennpunkte der parabolischen und der ellipsoiden Segmente nicht zusammen­ fallen, sondern können voneinander entfernt sein.
In einer bevorzugten Ausführung können ein oder mehrere der genannten Spiegelsegmente gegeneinander axial längs der Hauptachse des Spiegelofens verschiebbar sein, wodurch die Brennpunkte der parabolischen und der elliptischen Segmente auseinandergezogen werden und dadurch die Länge der Schmelz­ zone kontinuierlich veränderbar ist.
Die Erfindung wird anhand einer Figur näher erläutert.
Die Fig. zeigt einen Spiegelofen, dessen reflektierende Flächen aus den parabolischen Segmenten 1 und 3 und aus einem Ellipsoidsegment 2 bestehen. Die Dimensionen der Segmente 1, 2, 3 sind hier so gewählt, daß die Segmente 1 und 3 bis auf die Höhe der jeweiligen Brennpunkte 4 und 7 reichen. Im Brennpunkt 4 ist eine Strahlungsquelle angeord­ net. Mit den Bezugsziffern 5 und 6 sind zwei Teilstrahlen gezeigt, die auf das zu prozessierende Material 8 gerichtet sind. Teilstrahl 5 geht auf die Ellipsoidfläche 2, wird dort einmal reflektiert und gelangt dann in die Schmelzzone im Fokusbereich 7.
Teilstrahl 6 gelangt zuerst an das parabolische Segment 1, wird von dort gespiegelt auf das parabolische Segment 3 und gelangt von dort zur Schmelzzone im Fokusbereich 7.
Nicht gezeigt ist die Ausführung, bei der ein oder mehrere Spiegelsegmente 1, 2, 3 gegeneinander axial verschiebbar sind, wodurch eine kontinuierliche Längenänderung der Schmelzzone im Bereich 7 erreicht wird. Dabei können der oder die entstehenden Spalte von weiteren Spiegelsegmenten, z.B. mit Zylinderform, abgedeckt sein.

Claims (4)

1. Spiegelofen mit einem, eventuell modifiziertem, Ellip­ soidsegment (2), in dessen ersten Fokusbereich (4) eine Strahlungsquelle angeordnet ist, in dessen zweiten Fokusbereich (7) das zu prozessierende Material (8) angeordnet ist, gekennzeichnet durch zwei, eventuell modifizierte, parabolische Segmente (1, 3) an den Enden des Spiegelofens.
2. Spiegelofen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Fokusbereiche eines oder beider parabolischer Segmente (1, 3) mit denen des Ellipsoidsegments (2) zusammenfallen.
3. Spiegelofen nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eines oder beide parabolischen Segmente (1, 3) und/oder das Ellipsoidsegment (2) längs der Hauptachse des Spiegelofens verschiebbar sind.
4. Spiegelofen nach mindestens einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die parabolischen Segmente (1, 3) sich jeweils vom Ende des Ofens bis auf die Höhe des nächsten Brennpunkts (4, 7) erstrecken.
DE3807302A 1988-03-05 1988-03-05 Spiegelofen Granted DE3807302A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3807302A DE3807302A1 (de) 1988-03-05 1988-03-05 Spiegelofen
JP1046391A JP2669884B2 (ja) 1988-03-05 1989-02-27 鏡面炉
FR898902713A FR2628192B1 (fr) 1988-03-05 1989-03-02 Four a miroir
SE8900749A SE500337C2 (sv) 1988-03-05 1989-03-03 Spegelugn
US07/320,083 US5038395A (en) 1988-03-05 1989-03-06 Reflector furnace

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3807302A DE3807302A1 (de) 1988-03-05 1988-03-05 Spiegelofen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3807302A1 DE3807302A1 (de) 1989-09-14
DE3807302C2 true DE3807302C2 (de) 1991-04-18

Family

ID=6348989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3807302A Granted DE3807302A1 (de) 1988-03-05 1988-03-05 Spiegelofen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5038395A (de)
JP (1) JP2669884B2 (de)
DE (1) DE3807302A1 (de)
FR (1) FR2628192B1 (de)
SE (1) SE500337C2 (de)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5517005A (en) * 1988-05-19 1996-05-14 Quadlux, Inc. Visible light and infra-red cooking apparatus
FR2669412B1 (fr) * 1990-11-16 1993-02-19 Dubuit Jean Louis Enceinte de sechage a rayonnement ultraviolet.
US5204534A (en) * 1990-11-07 1993-04-20 Dubuit Jean Louis Ultraviolet radiation drying oven and drying enclosure thereof
DE4039546A1 (de) * 1990-12-11 1992-06-17 Battelle Institut E V Vorrichtung zur herstellung von fehlerarmen kristallen im zonenschmelzverfahren
RU2047876C1 (ru) * 1993-03-30 1995-11-10 Научно-производственная фирма "МГМ" Устройство для светолучевой обработки
US6093252A (en) * 1995-08-03 2000-07-25 Asm America, Inc. Process chamber with inner support
JP3841866B2 (ja) * 1996-03-04 2006-11-08 三菱電機株式会社 再結晶化材料の製法、その製造装置および加熱方法
US5960158A (en) 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US5990454A (en) 1997-09-23 1999-11-23 Quadlux, Inc. Lightwave oven and method of cooking therewith having multiple cook modes and sequential lamp operation
US5958271A (en) 1997-09-23 1999-09-28 Quadlux, Inc. Lightwave oven and method of cooking therewith with cookware reflectivity compensation
US6013900A (en) 1997-09-23 2000-01-11 Quadlux, Inc. High efficiency lightwave oven
US5930456A (en) 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5970214A (en) 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
US6771895B2 (en) 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
US6383330B1 (en) 1999-09-10 2002-05-07 Asm America, Inc. Quartz wafer processing chamber
US7169233B2 (en) 2003-11-21 2007-01-30 Asm America, Inc. Reactor chamber
US10446386B1 (en) * 2017-07-16 2019-10-15 Carlos Botero High-pressure heat bulb

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1286217B (de) * 1967-03-10 1969-01-02 Telefonbau & Normalzeit Gmbh Verfahren zum Herstellen von Schutzrohrkontakten
US3627590A (en) * 1968-12-02 1971-12-14 Western Electric Co Method for heat treatment of workpieces
FR2040636A5 (de) * 1969-04-08 1971-01-22 Anvar
JPS4936523B1 (de) * 1970-09-18 1974-10-01
US3801773A (en) * 1970-10-23 1974-04-02 Nippon Electric Co Apparatus for heating a sample with radiation energy concentrated by a reflector essentially composed of spheroidal surface portions
JPS5029405B1 (de) * 1971-02-06 1975-09-23
DE2209558A1 (de) * 1972-02-29 1973-09-06 Nold Demmig & Co Tech Buero Ha Geschicklichkeits - kugelspiel
US3956611A (en) * 1973-12-17 1976-05-11 Ushio Electric Inc. High pressure radiant energy image furnace
DE2420545C3 (de) * 1974-04-27 1979-01-25 H. Maihak Ag, 2000 Hamburg Infrarotstrahleranordnung
JPS53135037A (en) * 1977-04-28 1978-11-25 Nichiden Kikai Kk Heating apparatus
JPS6086091A (ja) * 1983-10-18 1985-05-15 Natl Inst For Res In Inorg Mater 浮遊帯域溶融装置
DE3541988C1 (de) * 1985-11-28 1986-07-24 Dornier System Gmbh, 7990 Friedrichshafen Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen

Also Published As

Publication number Publication date
SE500337C2 (sv) 1994-06-06
SE8900749D0 (sv) 1989-03-03
FR2628192B1 (fr) 1991-02-15
US5038395A (en) 1991-08-06
JPH01310291A (ja) 1989-12-14
FR2628192A1 (fr) 1989-09-08
JP2669884B2 (ja) 1997-10-29
SE8900749L (sv) 1989-09-06
DE3807302A1 (de) 1989-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3807302C2 (de)
DE3620789C2 (de) Abgeblendeter Kraftfahrzeugscheinwerfer
EP0391287B1 (de) Operationsleuchte
DE60036886T2 (de) Wirksame anordnung zum koppeln von licht zwischen einer lichtquelle und einem lichtleiter
DE69130738T2 (de) Reflektor mit lampe
DE2634241A1 (de) Hochwirksames beleuchtungssystem
EP0519112A1 (de) Reflektor und Verfahren zum Erzeugen einer Reflektorform
EP0468328A1 (de) Spiegel zur Veränderung der geometrischen Gestalt eines Lichtbündels
DE3814539C2 (de)
DE3929285C3 (de) Endoskopoptik
EP0370191B1 (de) Bikonvexe Stablinse
DE2931292A1 (de) Roehrengluehlampe
DE69609546T2 (de) Glühlampe
DE3903616C1 (de)
DE4128776A1 (de) Spiegelfassung fuer laser
DE3437212A1 (de) Einseitig gesockelte niederdruckentladungslampe
DE2856548C2 (de) Kraftfahrzeugscheinwerfer
DE3530002C2 (de) Scheinwerfer-Einheit mit zwei Reflektoren für Kraftfahrzeuge
DE69215654T2 (de) Elektrische Lichtquelle mit Reflektor
DE4136251C2 (de) Indirekte Spiegelleuchte
DE3633440C2 (de) Reflektor und Abschirmungssystem für eine Leuchte mit linear ausgedehnter Lichtquelle
DE3426624C2 (de) Röntgenröhre
DE3408718C2 (de)
DE3503576A1 (de) Kochflaeche mit einer glaskeramischen platte
EP0373706B1 (de) Strahlheizkörper für Kochgeräte

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee