JP2669884B2 - 鏡面炉 - Google Patents

鏡面炉

Info

Publication number
JP2669884B2
JP2669884B2 JP1046391A JP4639189A JP2669884B2 JP 2669884 B2 JP2669884 B2 JP 2669884B2 JP 1046391 A JP1046391 A JP 1046391A JP 4639189 A JP4639189 A JP 4639189A JP 2669884 B2 JP2669884 B2 JP 2669884B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mirror
furnace
segment
parabolic
mirror furnace
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1046391A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH01310291A (ja
Inventor
ハラルト、レンスキー
Original Assignee
ドルニエ、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ドルニエ、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング filed Critical ドルニエ、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング
Publication of JPH01310291A publication Critical patent/JPH01310291A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2669884B2 publication Critical patent/JP2669884B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16Heating of the molten zone
    • C30B13/22Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
    • C30B13/24Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge using electromagnetic waves
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/0033Heating devices using lamps
    • H05B3/0038Heating devices using lamps for industrial applications

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、第1の焦点範囲にビーム源が配置され、第
2の焦点範囲に処理すべき材料が配置される場合によっ
ては変形されている楕円面セグメントを有している鏡面
炉に関する。かかる鏡面炉は主に結晶を引き上げるため
に採用される。
〔従来の技術〕
ドイツ連邦共和国特許出願公開第2205558号公報記載
の鏡面炉は、処理すべき材料を両側から加熱する二つの
楕円面体から成っている。ラジアル対称は処理すべき材
料の回転によってしか達成できない。
対称性を改善するために、米国特許第4184065号明細
書において、二つの楕円面体から成る鏡面炉に、両方の
楕円面体を所定の間隔だけ互いに分離する中間部片を設
けることが知られている。しかしこの鏡面炉の場合も、
ラジアル対称は試験片の回転によってしか達成できな
い。
ドイツ連邦共和国特許第3541988 C1号公報に、変形
された楕円面体形状をした冒頭に述べた形式の鏡面炉が
記載されている。この鏡面炉は、試験片が正しい寸法を
有し正しく配置されているときに、十分なラジアル対称
およびアキシャル対称を達成できる。楕円面体の対称軸
が試験片の軸心と一致していないとき、熱入射ビームは
ラジアル対称とならず、このことは溶解領域の形状に悪
い影響を与える。試験片軸心および楕円面体軸心が一致
しているとき、熱入射ビームはアキシャル非対称とな
り、結晶引上げ長さは著しく制限される。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明の目的は、アキシャル対称が改善され、結晶引
上げ長さが増大されるように、鏡面炉を改良することに
ある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明によればこの目的は、冒頭に述べた形式の鏡面
炉において、鏡面炉の両端に、場合によっては変形され
ている放物面セグメントがそれぞれ設けられていること
によって達成される。
〔発明の効果〕
本発明に基づいて、鏡面炉の両端に、ビームを二回反
射して溶解範囲に導くための場合によっては変形されて
いる放物面セグメントが利用されている。即ち本発明に
基づく鏡面炉は、二つの(正確なあるいは大体の)放物
面セグメントおよびこれら両者の間に位置する一つの
(正確なあるいは大体の)楕円面セグメントから構成さ
れている鏡面を有している。
一つの実施例において、一方あるいは両方の放物鏡面
の焦点は同時に楕円鏡面の焦点と一致している。焦点に
はビーム源(例えば白熱コイルや気中放電ランプ)が配
置され、そのビームは材料の溶解すべき領域に焦束さ
れ、詳しくは、ビームの一部は楕円鏡面で一回反射して
焦束され、残りは放物鏡面で二回反射して焦束される。
後者の場合に第1の放物表面はほぼ平行な光線を発生
し、この光線は第2の放物鏡面に入射しそこで試験片に
焦束される。
これによって溶解領域の範囲において試験片へ入射す
るエネルギービームの十分なラジアル対称およびアキシ
ャル対称が得られ、これによって結晶に対して一定した
成長条件が生ずる。本発明によれば、従来の楕円鏡面炉
に比べて鏡面シェルの直径が同じ場合、結晶引上げ長さ
を著しく増大できる。
更に溶解領域の長さを温度に無関係に連続的に変更す
ることができる。
本発明によれば反射したビームは点状あるいはリング
状に焦束され、その場合リング状焦点の直径は溶解領域
の直径と同じか、あるいはそれよりも小さい。その場合
一回反射された光および二回反射された光に対する焦点
の直径は異なっている。
この単純な実施例において、楕円面体の焦点および隣
接する放物面体の焦点は一致している。
別の実施例においては、放物面セグメントの焦点と楕
円面セグメントの焦点は一致しておらず、互いに離され
ている。
有利な実施例において、上述した一つあるいは複数の
鏡面セグメントは、互いに軸方向に鏡面炉の主軸に沿っ
て移動でき、これによって放物面セグメントの焦点と楕
円面セグメントの焦点を互いに引き離して、溶解領域の
長さを連続的に変更できる。
〔実施例〕
以下図面に示した実施例を参照して本発明を詳細に説
明する。
図面は、反射面が放物面セグメント1,3および楕円面
セグメント2から構成されている鏡面炉を示している。
これらのセグメント1,2,3の寸法は、セグメント1,3がそ
れぞれの焦点4,7の高さまで達するように決められてい
る。焦点4にビーム源が配置されている。図面において
二つの部分ビーム5,6が示されており、これらは処理す
べき材料8に向けられている。一方の部分ビーム5は楕
円面セグメント2に到達し、そこで一回反射され、それ
から焦点7の範囲における溶解領域に達する。
他方の部分ビーム6はまず放物面セグメント1に達
し、そこで別の放物面セグメント3に向けて反射され、
そこから焦点7の範囲における溶解領域に達する。
図示していないが、一つあるいは複数の鏡面セグメン
ト1,2,3を互いに軸方向に移動可能にすることもでき
る。これによって焦点7の範囲における溶解領域の長さ
を連続的に変更することができる。その場合各セグメン
ト間に生ずる隙間は例えば円筒状の別の鏡面セグメント
で覆われる。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明に基づく鏡面炉の概略断面図である。 1……放物面セグメント、2……楕円面セグメント、3
……放物面セグメント、4……焦点、7……焦点、8…
…処理すべき材料。

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1の焦点(4)範囲にビーム源が配置さ
    れ、第2の焦点(7)範囲に処理すべき材料(8)が配
    置される場合によっては変形されている楕円面セグメン
    ト(2)を有している鏡面炉において、この鏡面炉の両
    端に、場合によっては変形されている放物面セグメント
    (1,3)がそれぞれ設けられていることを特徴とする鏡
    面炉。
  2. 【請求項2】一方あるいは両方の放物面セグメント(1,
    3)の焦点範囲が、楕円面セグメント(2)の焦点範囲
    と一致していることを特徴とする請求項1記載の鏡面
    炉。
  3. 【請求項3】一方あるいは両方の放物面セグメント(1,
    3)およびないし楕円面セグメント(2)が、鏡面炉の
    主軸に沿って移動可能であることを特徴とする請求項1
    又は2記載の鏡面炉。
  4. 【請求項4】放物面セグメント(1,3)がそれぞれ鏡面
    炉の一端から最も近い焦点(4,7)の高さまで延びてい
    ることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに
    記載の鏡面炉。
JP1046391A 1988-03-05 1989-02-27 鏡面炉 Expired - Lifetime JP2669884B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3807302.1 1988-03-05
DE3807302A DE3807302A1 (de) 1988-03-05 1988-03-05 Spiegelofen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01310291A JPH01310291A (ja) 1989-12-14
JP2669884B2 true JP2669884B2 (ja) 1997-10-29

Family

ID=6348989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1046391A Expired - Lifetime JP2669884B2 (ja) 1988-03-05 1989-02-27 鏡面炉

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5038395A (ja)
JP (1) JP2669884B2 (ja)
DE (1) DE3807302A1 (ja)
FR (1) FR2628192B1 (ja)
SE (1) SE500337C2 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5517005A (en) * 1988-05-19 1996-05-14 Quadlux, Inc. Visible light and infra-red cooking apparatus
FR2669412B1 (fr) * 1990-11-16 1993-02-19 Dubuit Jean Louis Enceinte de sechage a rayonnement ultraviolet.
US5204534A (en) * 1990-11-07 1993-04-20 Dubuit Jean Louis Ultraviolet radiation drying oven and drying enclosure thereof
DE4039546A1 (de) * 1990-12-11 1992-06-17 Battelle Institut E V Vorrichtung zur herstellung von fehlerarmen kristallen im zonenschmelzverfahren
RU2047876C1 (ru) * 1993-03-30 1995-11-10 Научно-производственная фирма "МГМ" Устройство для светолучевой обработки
US6093252A (en) 1995-08-03 2000-07-25 Asm America, Inc. Process chamber with inner support
JP3841866B2 (ja) * 1996-03-04 2006-11-08 三菱電機株式会社 再結晶化材料の製法、その製造装置および加熱方法
US5960158A (en) 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US5990454A (en) 1997-09-23 1999-11-23 Quadlux, Inc. Lightwave oven and method of cooking therewith having multiple cook modes and sequential lamp operation
US6013900A (en) 1997-09-23 2000-01-11 Quadlux, Inc. High efficiency lightwave oven
US5958271A (en) 1997-09-23 1999-09-28 Quadlux, Inc. Lightwave oven and method of cooking therewith with cookware reflectivity compensation
US5970214A (en) 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5930456A (en) 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
US6771895B2 (en) 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
US6383330B1 (en) 1999-09-10 2002-05-07 Asm America, Inc. Quartz wafer processing chamber
US7169233B2 (en) 2003-11-21 2007-01-30 Asm America, Inc. Reactor chamber
US10446386B1 (en) * 2017-07-16 2019-10-15 Carlos Botero High-pressure heat bulb

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1286217B (de) * 1967-03-10 1969-01-02 Telefonbau & Normalzeit Gmbh Verfahren zum Herstellen von Schutzrohrkontakten
US3627590A (en) * 1968-12-02 1971-12-14 Western Electric Co Method for heat treatment of workpieces
FR2040636A5 (ja) * 1969-04-08 1971-01-22 Anvar
JPS4936523B1 (ja) * 1970-09-18 1974-10-01
US3801773A (en) * 1970-10-23 1974-04-02 Nippon Electric Co Apparatus for heating a sample with radiation energy concentrated by a reflector essentially composed of spheroidal surface portions
JPS5029405B1 (ja) * 1971-02-06 1975-09-23
DE2209558A1 (de) * 1972-02-29 1973-09-06 Nold Demmig & Co Tech Buero Ha Geschicklichkeits - kugelspiel
US3956611A (en) * 1973-12-17 1976-05-11 Ushio Electric Inc. High pressure radiant energy image furnace
DE2420545C3 (de) * 1974-04-27 1979-01-25 H. Maihak Ag, 2000 Hamburg Infrarotstrahleranordnung
JPS53135037A (en) * 1977-04-28 1978-11-25 Nichiden Kikai Kk Heating apparatus
JPS6086091A (ja) * 1983-10-18 1985-05-15 Natl Inst For Res In Inorg Mater 浮遊帯域溶融装置
DE3541988C1 (de) * 1985-11-28 1986-07-24 Dornier System Gmbh, 7990 Friedrichshafen Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen

Also Published As

Publication number Publication date
JPH01310291A (ja) 1989-12-14
FR2628192A1 (fr) 1989-09-08
SE500337C2 (sv) 1994-06-06
SE8900749D0 (sv) 1989-03-03
DE3807302C2 (ja) 1991-04-18
US5038395A (en) 1991-08-06
FR2628192B1 (fr) 1991-02-15
SE8900749L (sv) 1989-09-06
DE3807302A1 (de) 1989-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2669884B2 (ja) 鏡面炉
US4095881A (en) Efficient illumination system
US4357075A (en) Confocal reflector system
EP0653648A1 (en) Device for use in light-beam processing
US5475571A (en) Ring Light collector
RU2047876C1 (ru) Устройство для светолучевой обработки
US4355350A (en) Reflector for use in an artificial lighting device
GB2040431A (en) Illumination system for photo-copying devices
JPH0372298A (ja) 多層膜反射鏡の製造方法
US3263070A (en) Apparatus for producing a source of light of reduced size
US4457600A (en) Light projection systems
JPS62138383A (ja) 結晶の育成および作成装置
JPS5984423A (ja) エネルギ照射装置
JPH0211754Y2 (ja)
JPH0216502A (ja) フレネル・レンズ型複合反射装置
JP5955575B2 (ja) 単結晶育成装置
JPS63157123A (ja) 線状ビ−ム光学系
JPS5856205B2 (ja) リ−ドスイツチのガラス管封止装置
JP2658921B2 (ja) イメージ炉
JPS6224883A (ja) 円周部のレ−ザ−表面処理方法
JPH0552479A (ja) 楕円筒状イメージ炉
JPH03184686A (ja) レーザビームによる管内周面加工方法
RU94020941A (ru) Устройство для фокусировки лазерного излучения
RU2062185C1 (ru) Устройство для светолучевой пайки
JPH0446676B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080924

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees