DE3786885T2 - Schaltung für das Schalten mit bipolaren Transistoren. - Google Patents

Schaltung für das Schalten mit bipolaren Transistoren.

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DE3786885T2 DE87402550T DE3786885T DE3786885T2 DE 3786885 T2 DE3786885 T2 DE 3786885T2 DE 87402550 T DE87402550 T DE 87402550T DE 3786885 T DE3786885 T DE 3786885T DE 3786885 T2 DE3786885 T2 DE 3786885T2
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Description

    GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf bipolare digitale logische Schaltungen und insbesondere auf bipolare integrierte Schaltkreise, welche Digitalsignale auf Signalleitungen legen, und sie gehört zu einer Gruppe von Erfindungen, abgedeckt durch die gleichzeitig anhängigen Anmeldungen EP-A-0 267 853 und EP-A-0 268 530.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • In einem digitalen logischen Schaltkreis ist eine wünschenswerte Betriebskenngröße eine hohe Schaltgeschwindigkeit von einem Logikzustand zum anderen. Andere Erfordernisse, wie die Leistungsabfuhr, jedoch können Hochgeschwindigkeitskonstruktionen Beschränkungen unterwerfen. Digitale Signalübertragung erzwingt solche Beschränkungen; eine hohe Übertragungsrate erfordert jedoch hohe Schaltgeschwindigkeiten für die Logikschaltkreise, welche die Logiksignale aussenden und empfangen.
  • Ein Typ von Datenübertragung ist Differentialdatenübertragung, wobei die Differenz im Spannungspegel zwischen zwei Signalleitungen das übertragene Signal bildet. Differentialdatenübertragung wird üblicherweise verwendet für die Datenübertragung mit Raten mehr als 100 Kilobaud über lange Distanzen. Rauschsignale verschieben die Massepegelspannung und erscheinen als Spannungen im gemeinsamen Modus. Demgemäß werden die nachteiligen Effekte von Rauschen im wesentlichen verringert.
  • Um solche Datenübertragung zu normen, wurden verschiedene Standards verfolgt. Diese Standards werfen Probleme auf, die überwunden werden müssen.
  • Beispielsweise ein solcher Standard ist der Standard 422, RS422, der definiert wird durch die Electronics Industry of America, EIA. Dieser Standard ermöglicht Datenraten bis zu 10 Millionen Baud über ein verdrilltes Paar von Signalleitungen. Treiberschaltungen, d. h. Schaltungen, welche Signale auf die Linien legen, müssen in der Lage sein, ein Minimumdifferentialsignal von 2 V auf die verdrillte Paarleitung legen, welche mit 100 Ohm Widerstand abgeschlossen ist.
  • Dieses Erfordernis bildet eine schwierige Beschränkung für die Treiberschaltung, wenn die Schaltung gespeist wird mit einer ziemlich nahe bei Masse liegenden Versorgungsspannung, wie etwa +5 V, eine üblicherweise verwendete Spannung für die Speisung von integrierten Schaltkreisen. Diese Treiberschaltung muß in einer 2-V-Differenz innerhalb der 5-V-Differenz zwischen Spannungsversorgung und Masse schalten. Die Schaltgeschwindigkeit der Treiberschaltung muß hoch bleiben, um eine hohe Datenübertragungsrate zu ermöglichen, und die Schaltung muß in der Lage sein, große Ströme zu verarbeiten, um die Digitalsignale auf die Signalleitung zu bringen.
  • Ein anderes Problem bei RS422 besteht darin, daß die verdrillte Paarleitung oft verwendet wird als ein Bus, an den eine Mehrzahl von Treibern, Signalquellen, angeschlossen sind. Wenn mehrere Treiber an einen gemeinsamen Bus angeschlossen sind, darf nur ein Treiber zu irgendeiner Zeit Daten übertragen. Die verbleibenden Treiber sollten in einem hochimpedanten Zustand bleiben, um den Bus nicht zu belasten. Da große positive und negative Signale gemeinsamen Modus an den Treiberausgangsklemmen, die an ein Bussystem angeschlossen sind, erscheinen können, ist das Aufrechterhalten einer hohen Impedanz über einen weiten Bereich der Spannung gemeinsamen Modus und unabhängig davon, ob der Treiber mit Leistung versorgt wird oder nicht, wünschenswert.
  • Noch ein weiteres Problem ist die Möglichkeit exzessiver Ströme durch die Treiberschaltung. Wenn mehrere Treiberschaltungen an einen Bus angeschlossen sind, können die verschiedenen Treiberschaltungen an unterschiedlichen Spannungspegeln an Masse gelegt sein. Dies erzeugt eine Differenz in der Spannung im gemeinsamen Modus an den Ausgangsklemmen der Treiberschaltungen, wenn mehr als eine dieser Schaltungen versucht, über den Bus zu irgendeinem Zeitpunkt zu kommunizieren. Die Spannungsdifferenz erzeugt einen Gleichstrom durch die Treiberschaltung. Wenn der Strom nicht in irgendeiner Weise begrenzt wird, kann der Gleichstrom die Temperatur der Schaltung auf so hohe Werte anheben, daß die Treiberschaltung beschädigt wird, was eine gemeinsame Gefahr für integrierte Schaltkreise ist.
  • Darüberhinaus kann durch unterschiedliche Spannungen des gemeinsamen Modus ungewünschte Hitze erzeugt werden, und Hitze kann auch in anderer Weise erzeugt werden. Die Treiberschaltung sollte gegenüber exzessiver Wärme geschützt sein.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung löst diese Probleme oder entschärft sie im wesentlichen. Die vorliegende Erfindung schafft einen bipolaren Leitungstreiber als integrierten Schaltkreis, der mit einer einzigen +5 V Versorgung und Masse arbeitet. Der Spannungshub ist groß relativ zu dieser 5-V-Differenz, und eine Schaltgeschwindigkeit wird aufrechterhalten.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird dies erzielt durch die Kombination wie im Patentanspruch 1 definiert. Ansprüche 2 bis 5 definieren bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung.
  • Es ist festzuhalten, daß eine Schaltung, welche die in der Präambel des Patentanspruchs 1 niedergelegten Merkmale aufweist, aus DE-A-27 19 462 bekannt ist.
  • Die Schaltung sorgt für einen hochimpedanten Ausgang über einen Gleichtaktspannungsbereich von -7 V bis +12 V, gleichgültig, ob die Leistung ein- oder ausgeschaltet ist. Dies wird erzielt ohne irgendeine merkbare Beeinträchtigung der Geschwindigkeit. Die Treiberschaltung hat eine maximale Verzögerungszeit von nur 20 Nanosekunden. Die Anstiegs- und Abfallzeiten sind kleiner als 20 Nanosekunden, und die Datenübertragungsrate ist größer als 10 Megabaud.
  • Zusätzlich hat die Schaltung Strombegrenzungskreise, welche die Schaltung gegen Gleichtaktspannungsdifferenzen schützt, sowie gegen Überhitzung. Eine von zwei Spannungsquellen zu dem Ausgangstransistor wird gesteuert durch eine Strombegrenzerschaltung, die reagiert auf Strom durch den Ausgangstransistor und die Temperatur des Leistungstrieberschaltkreises. Die Strombegrenzungsschaltung schaltet die Stromquelle ab in Reaktion auf einen exzessiven Ausgangsstrom oder exzessive Temperaturen. Spezielle Techniken werden verwendet, um Schwingung zu vermeiden bezüglich des Ausgangsstromes und der Temperatur.
  • BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die vorliegende Erfindung läßt sich verstehen durch Studium der nachstehenden Beschreibung und Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen:
  • Fig. 1 ist ein allgemeines Schaltungsdiagramm, unterteilt in verschiedene Abschnitte.
  • Fig. 2 ist ein Schaltungsdiagramm des Differentialverstärkerabschnitts des Fig. 1.
  • Fig. 3A ist ein Schaltungsdiagramm des Treiberabschnitts der Fig. 1; Fig. 3B zeigt die Spannungssignale an verschiedenen Punkten des Treiberabschnitts bei Übertragung von Daten.
  • Fig. 3C ist ein detailliertes Schaltungsdiagramm des Referenzstromquellenblocks im Treiberabschnitt.
  • Fig. 4A ist ein generelles Blockdiagramm des Entsperr/Sperrabschnitt, dargestellt in Fig. 1; Fig. 4B ist ein Schaltungsdiagramm der verschiedenen Blöcke in Fig. 4A.
  • Fig. 5A ist ein Schaltungsdiagramm des Schaltungsbegrenzerabschnitts nach Fig. 1; Fig. 5B detailliert den thermischen Abschaltblock in Fig. 5A.
  • Fig. 6A ist ein Schaltungsdiagramm eines alternativen Strombegrenzerabschnitts aus Fig. 1; Fig. 6B ist ein detailliertes Schaltungsdiagramm des Hystereseverstärkers aus Fig. 6A; Fig. 6C ist ein detailliertes Schaltungsdiagramm des Flankenimpulsblocks aus Fig. 6A; Fig. 6D ist ein detailliertes Schaltungsdiagramm aus Fig. 6C und zeigt einige der Betriebsmerkmale des Flankenimpulsblocks; Fig. 6E illustriert die Wirkungsweise des Flankenimpulsblocks durch Spannungssignale an verschiedenen Punkten des Blocks der Fig. 6C.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Fig. 1 zeigt die generelle Organisation des Leitungstreiberschaltkreises. Die Unterteilung des vorliegenden Leitungstreiberschaltkreises in verschiedene Teile wird verwendet, um das Verständnis der verschiedenen Merkmale der Schaltung zu unterstützen. Es ist jedoch Festzuhalten, daß die Unterteilung des Leitungstreiberschaltkreises in verschiedene Teile etwas willkürlich ist. In vielen Fällen ist es schwierig, ein bestimmtes Element in eine Unterteilung oder die andere aufzuteilen.
  • Der allgemeine Betrieb des Leitungstreiberschaltkreises ist die Übertragung eines digitalen Signals an der Eingangsklemme 15 in gleiche und komplementäre Signale an den Ausgangsklemmen 17, 18. Die Differenz der Spannung zwischen den Signalen auf den Ausgangsklemmen 17, 18 bildet die Differenzsignale.
  • Die Schaltung hat einen Differentialverstärkerabschnitt 10, der wahre und komplementäre Signale aus den Daten erzeugt, die an der Eingangsklemme 15 empfangen werden. Die Signale von dem Differentialverstärkerabschnitt 10 werden zu einem ersten Treiberabschnitt 11 über einen Signalpfad 21 übertragen. Der erste Treiberabschnitt 11 erzeugt einen Satz von Signalen an der Ausgangsklemme 17 in einer geeigneten Kondition, um auf die Signalleitung geschaltet zu werden, mit der die Ausgangsklemme zu verbinden ist, d. h. der Treiberabschnitt 11 "treibt" das Ausgangssignal auf die Signalleitung.
  • In ähnlicher Weise empfängt ein zweiter Treiberabschnitt 12 die Komplementärsignale von dem Differentialverstärkerabschnitt 10 für die Übertragung des komplementären Signalsatzes durch die Ausgangsklemme 18.
  • Ein anderer Teil der Schaltung ist ein Entsperr/Sperrabschnitt 13, der die Treiberabschnitte 11, 12 aus- und einschaltet. Der Abschnitt 13 wird gesteuert durch ein Entsperr/Sperrsignal, empfangen an einer Eingangsklemme 16. Um hohe Datenübertragungsraten zu ermöglichen, schaltet der Entsperr/Sperrabschnitt 13 die Treiberabschnitte 11, 12 extrem schnell aus und ein. Die Kommunikation zwischen den Treiberabschnitten 11, 12 und dem Abschnitt 13 erfolgt über einen Signalpfad 23. Da der zweite Treiberabschnitt 12 derselbe ist und in derselben Weise angeschlossen ist wie der Treiberabschnitt 11, sind die Signalpfade zwischen dem zweiten Treiberabschnitt 12 und dem Entsperr/Sperrabschnitt 13 und anderen Abschnitten des Leitungstreiberschaltkreises nicht beziffert.
  • Ein Strombegrenzerabschnitt 14 spricht an auf Signale vom Differentialverstärkerabschnitt 10 und erstem und zweitem Treiberabschnitt 11, 12 über Signalleitungen 21, 22. Der Strombegrenzerabschnitt 14 dient dazu, die Ströme zu begrenzen, die durch die Ausgangsklemmen 17, 18 fließen und durch die Treiberabschnitte 11, 12. Dies verhindert eine Überhitzung und mögliche Beschädigung des Treiberschaltkreises.
  • Differentialverstärkerabschnitt
  • In Fig. 2 kann man erkennen, daß der Differentialverstärkerabschnitt 11 ein Paar von emittergekoppelten Schottky-Transistoren Q2, Q3 umfaßt. Beide Emitterklemmen sind verbunden mit einer Stromquelle (oder, genauer gesagt, Stromsenke), nämlich Transistor Q4. Das Datensignal an Klemme 15 schaltet den Transistor Q1 aus und ein, um den Strom durch den Transistor Q4 durch den Transistor Q2 oder Q3 kurzzuschließen. Wenn das Datensignal hoch liegt oder logisch "1" ist, ist die Spannung an der Basis des Schottky-Transistors Q2 hoch und schaltet den Transistor ein. Der Transistor Q3 andererseits ist ausgeschaltet, wodurch die Basis des Transistors Q7 hochgelegt wird, wodurch dieser Transistor einschaltet. Demgemäß ist das Signal auf Leitungen 21A, 21B, welche den Signalpfad 21 bilden, hoch. Das Signal vom Transistor Q6 zum zweiten Treiberabschnitt 12 andererseits ist niedrig.
  • Ein niedriges oder logisches "0" Signal auf dem Dateneingang 15 erzeugt entgegengesetzte Signale für die Treiberabschnitte 11, 12.
  • Um die Schaltzeiten des Verstärkerabschnitts 10 zu
  • beschleunigen, sind viele Transistoren Q2, Q3, wie in den Zeichnungen angedeutet, sogenannte Schottky-Transistoren. Ein solcher Transistor hat eine Schottky-Diode über seiner Basis-Kollektor-Sperrschicht, um den Transistor daran zu hindern, bei vollständiger Durchschaltung gesättigt zu werden. Dies senkt die Abschaltzeit des Transistors. Schottky-Transistoren sind in anderen Teilen der Treiberschaltung vorgesehen neben dem Differentialverstärker 10 für schnelle Schaltzeiten.
  • Es ist festzuhalten, daß die Kollektorklemmen beider Transistoren Q2, Q3 mit einer Leitung 24 von dem Entsperr/Sperrabschnitt 13 verbunden sind. Signale auf der Leitung 24 beschleunigt das Abschalten von NPN-Transistoren in den Treiberabschnitten 11, 12. Diese Funktion wird später diskutiert.
  • Treiberabschnitt
  • Jeder der Treiberabschnitte 11, 12 ist durch Fig. 3A illustriert, welche die besonderen Einzelheiten des Treiberabschnitts 11 zeigt. Ein Transistor Q14 ist ein Ausgangstransistor für die Ausgangsklemme 17, angeschlossen an eine Emitterklemme des Transistors Q14. Wenn er durchgeschaltet wird, zieht der Transistor Q14 die Spannung auf einer Signalleitung verbunden mit der Ausgangsklemme 17 hoch oder auf logisch "1". Der Transistor Q14 ist auch groß genug, um den Ausgangsstrom der Signalleitung zu verarbeiten. Die Transistoren Q15, Q16 unterstützen das Einschalten des Ausgangstransistors Q14, wie unten erläutert. PNP-Transistoren Q17-Q19 sind Stromquellentransistoren für den Treiberabschnitt 11. Die Transistoren Q18-Q19 repräsentieren symbolisch einen komplizierteren Referenzspannungsquellenblock 36, der in Fig. 3C detailliert ist. Die NPN-Transistoren Q10-Q12, die auf Signale auf Leitungen 21A, B vom Verstärker 10 ansprechen, schalten den Logikzustand des Treiberabschnitts 11 vom einen Zustand in den anderen.
  • Jede der Leitungen 21A, B von dem Differentialverstärkerabschnitt 10 ist verbunden mit den Basisklemmen der Transistoren Q10 bzw. Q11 des Treiberabschnitts 11. Die Emitterklemme des Transistors Q10 ist verbunden mit der Basisklemme des Transistors Q12. Die Kollektorklemme verbindet den Transistor Q10 mit den Transistoren Q14-Q16 und den PNP-Stromquellentransistoren Q17-Q19 über ein Paar von Schottky-Dioden S10, S11.
  • Der Transistor Q12 ist ein zweiter Ausgangstransistor. Über eine Schottky-Diode S14 ist die Kollektorklemme des Transistors Q12 verbunden mit der Ausgangsklemme 17. Seine Emitterklemme ist verbunden mit Masse über einen Widerstand R5.
  • Die Kollektorklemme des Transistors Q10 ist verbunden mit einer Kollektorklemme des PNP-Stromquellentransistors Q17 über die Schottky-Diode S10 und Impedanzmittel in Form von zwei Widerständen R2, R1. Andererseits ist der Stromquellentransistor Q18 mit seiner Kollektorklemme mit der Basisklemme des Ausgangstransistors Q14 verbunden. Jener Transistor ist mit seiner Kollektorklemme mit der VCC-Spannungsversorgung über eine Schottky-Diode S16 verbunden.
  • Die anderen Transistoren Q15, Q16 und ein Kondensator C1 dienen dazu, das Einschalten des Ausgangstransistors Q14 zu beschleunigen. Die Emitterklemme des Transistors Q15 ist verbunden mit der Basisklemme des Transistors Q14, und die Kollektorklemme des Transistors Q15 ist verbunden mit der VCC-Versorgungsspannung über eine Schottky-Diode S19. Die Basisklemme des Transistors Q15 ist verbunden mit einem Knoten 60 zwischen der Schottky-Diode S10 und dem Widerstand R2.
  • Der Transistors Q16 ist mit seiner Kollektorklemme parallelgeschaltet mit der Kollektorklemme des Transistors Q15. Die Basisklemme des Transistors Q16 ist verbunden mit der Kollektorklemme des PNP-Transistors Q17 und die Emitterklemme mit einem Knoten 62 zwischen den Widerständen R1, R2.
  • Der Kondensator C1 ist mit einer Platte an die Basisklemme des Ausgangstransistors Q14 gelegt. Die andere Platte des Kondensators C1 ist verbunden mit dem Knoten 62.
  • Wenn der Differentialverstärkerabschnitt 10 ein Hochsignal auf Leitung 21A, 21B erzeugt, werden die Transistoren Q10-Q12 durchgeschaltet. Der Strom wird von den NPN-Transistoren Q14-Q16 weggeführt, welche ausgeschaltet bleiben. Mit eingeschaltetem Transistor Q10 wird Strom von dem Stromversorgungs-PNP-Transistor Q17 zu Masse übertragen über den großen Ausgangstransistor Q12. In ähnlicher Weise wird, wenn der Transistor Q11 eingeschaltet ist, Strom von dem Stromquellentransistor Q18 zu Masse übertragen und zur Basisklemme des Transistors Q12 über den Transistor Q10.
  • Bei ausgeschaltetem zweiten Ausgangstransistor Q12 ist die Ausgangsklemme 17 über eine Schottky-Diode S14 an Masse gelegt. Ein niedriges Logiksignal resultiert an der Ausgangsklemme 17.
  • Wenn andererseits das Dateneingangssignal zur Eingangsklemme 15 niedrig liegt, sind die Signale vom Differentialverstärker 10 zum Treiberabschnitt 11 niedrig. Diese niedrigen Spannungen schalten die Transistoren Q10-Q12 aus, und Strom beginnt, in die Basisbereiche der Transistoren Q14-Q16 zu fließen, um sie einzuschalten. Der Ausgangstransistor Q14 schaltet durch, um die Spannung an Ausgangsklemme 17 auf den hohen logischen "1" Pegel zu heben. Der Treiberabschnitt 11 ist so ausgelegt, daß die Spannung an der Ausgangsklemme sehr schnell angehoben wird. Dieses erwünschte Resultat erfolgt jedoch innerhalb der Beschränkungen des Betriebs zwischen +5 und 0 (Masse) V.
  • Bei ausgeschalteten Transistoren Q10-Q12 ist die Ausgangsklemme 17 mit der Emitterklemme des Transistors Q14 gekoppelt, der nun eingeschaltet ist. Der Strom vom PNP-Transistor Q18 fließt in die Basisklemme des Ausgangstransistors Q14. Da der Ausgangstransistor Q14 eingeschaltet ist, ist die Spannung an der Ausgangsklemme 17 hoch oder auf logisch "1".
  • Bei der Ausführung des Einschaltens des Transistors Q14 und Anhebens der Spannung an der Ausgangsklemme 17 kommt der Kondensator C1 ins Spiel. Der Kondensator C1 ist im Rückkopplungsmodus angeschlossen zum Hochziehen des Knotens 62, so daß die Transistoren Q15 und Q14 schnell durchschalten. Die hohe Spannung am Knoten 62 zieht auch die Ausgangsklemme 17 hoch durch die Basis-Emitter-Sperrschicht des Transistors Q14, Q15. (Ohne die Wirkung des Kondensators C1 steigt die Spannung an der Ausgangsklemme langsamer exponentiell an.) Wenn die Transistoren Q10-Q12 eingeschaltet sind, sammelt sich Ladung auf dem Rückkopplungskondensator C1 derart, daß der Knoten 62 auf höherer Spannung liegt als die Emitterklemme des Transistors Q15. Wenn der Transistor Q14 beginnt einzuschalten, steigt die Basisklemmenspannung des Transistors Q14, so daß die Spannung am Knoten 62 in entsprechender Weise ansteigt. Wenn der Knoten 62 hoch liegt und seine Emitterklemme hoch liegt, schaltet der Transistor Q16 aus und bildet eine hochimpedante Sperre für den Strom von dem Kondensator C1. Der Strom fließt durch den Widerstand R2. Der Spannungsanstieg am Knoten 62 zieht auch den Widerstand R2 hoch, so daß der Strom durch den Widerstand R2 den Knoten 62 auflädt wie auch die Basisklemme des Transistors Q15.
  • Der Transistor Q15 seinerseits treibt den Strom von seiner Emitterklemme in die Basisklemme des Transistors Q14, um jenen Transistor weiter durchzuschalten. Die Spannung an der Ausgangsklemme 17 steigt schnell bis zu einem Erreichen der Maximalspannung. An diesem Punkt beginnt die Spannung am Knoten 62 exponentiell zu fallen. Wenn einmal der Transistor Q14 vollständig durchgeschaltet ist und ein stabiler Zustand erreicht ist, ist der Transistor Q15 aus. Seine Basis-Emitter-Sperrschicht ist nun unter Sperrspannung.
  • R2 hat 2.6 Kilo-Ohm, während R1 etwa 30 Kilo-Ohm hat. R2 hat jenen ausgewählten Widerstandswert, so daß er nicht eine zu große RC-Zeitkonstante erzeugt für die Stromentladung vom Kondensator C1 zum Knoten 60, jedoch ist R2 groß genug, exzessiven Strom und Leistungsumsatz zu ermeiden. R1 andererseits erzeugt die hohe Impedanz für den Strom von diesem Kondensator C1, wenn der Transistor Q16 abgeschaltet ist.
  • Fig. 3B illustriert die Spannungsänderungen an verschiedenen Punkten oder Knoten vom Eingangssignal zu dem Differentialverstärkerabschnitt 10 weiter bis zu dem Ausgangssignal des Treiberabschnitts 11, gezeigt in Fig. 3A. Im Differentialverstärkerabschnitt 10 (Fig. 2) ist der Knoten 69 mit der Kollektorklemme des Transistors Q3 verbunden und der Basisklemme des Transistors Q7. Der Knoten 70 ist verbunden mit dem Transistor Q10 an dessen Kollektorklemme im Treiberabschnitt 11 (Fig. 3A). Der Knoten 60 führt zu der Basisklemme des Transistors Q15, während der Knoten 62 zwischen den Widerständen R1 und R2 liegt. Die gezeigten Spannungen sind für diese besondere Ausführungsform der Erfindung. Was besonders zu bemerken ist, ist, daß die Spannung am Knoten 62 +6,3 V erreicht, mehr als 1,3 V höher als die Versorgungsspannung. Dies seinerseits, wie vorher erläutert, hebt schnell die Spannung an der Ausgangsklemme 17 durch den Basis-Emitter-Spannungsabfall der Transistoren Q15 und Q14.
  • Fig. 3C detailliert die Schaltung des Referenzstromquellenblocks 36 aus Fig. 3A. Die in Durchlaßrichtung vorgespannte Basis-Emitter-Sperrschicht der Transistoren Q24-Q26 erzeugt einen festen Referenzstrom IR durch einen Widerstand, angeschlossen zwischen der Emitterklemme des Transistors Q26 und Masse. Der durch den Transistor Q24 fließende Strom beträgt demgemäß IR/β Ein Transistor Q23 ist als ein Stromspiegel an den Transistor Q24 angeschlossen. Da der Transistor Q23 eine Basis-Emitter-Sperrschichtfläche besitzt, die fünfmal größer ist als die des Transistors Q24, gibt es einen Strom von 5 IR/β von der Kollektorklemme des Transistors Q23. Dieser Strom fließt durch einen Transistor Q28, der mit seiner Kollektorklemme an die Kollektorklemme von Q23 angeschlossen ist.
  • Wenn ein Knoten 5 niedrig vorgespannt ist, dann ist die Basis-Emitter-Sperrschicht des Transistors Q28 in Durchlaßrichtung vorgespannt, und der Strom vom Transistor Q23 fließt durch den Transistor Q28. Ein Transistor Q27, der mit seiner Basisklemme mit der des Transistors Q28 verbunden ist, hat ebenfalls nur ein Zehntel des Widerstandes zwischen seiner Emitterklemme und dem Knoten 65 im Vergleich mit dem Widerstand zwischen der Emitterklemme des Transistors Q28 und dem Knoten 65. Demgemäß führt der Transistor das Zehnfache an Strom des Transistors 28.
  • Die Steuerung über den Strom von dem Emitter Q18 erfolgt durch ein Signal von dem Entsperr/Sperrabschnitt 13 über Leitung 23A, angeschlossen an Knoten 65. Wenn das Signal auf der Leitung 23A hoch ist, dann sind die Transistoren Q27, Q28 nicht mehr länger richtig vorgespannt, und kein Strom fließt durch die Transistoren. Dioden D20-D22 und S20 schaffen dann einen Parallelpfad für den Konstantstrom vom Transistor Q23. Kein Strom wird erzeugt durch den PNP-Transistor Q18, bis nicht der Knoten 65 wieder niedrig gezogen wird durch das Signal auf Leitung 23A.
  • Der vervielfachte Strom 50 IR/β fließt durch einen Transistor Q19 auf der gleichen Stromstrecke wie Transistor Q27. Der Strom wird erneut multipliziert (mit zwei) durch den PNP-Transistor Q18. Der Transistor Q18 hat die doppelte Basis-Emitter-Sperrschichtfläche wie jene des Transistors Q19. Der Referenzstromquellenblock 36 liefert demgemäß einen Strom von 100 IR/β vom Transistor Q18, wenn der Knoten 65 niedrig liegt.
  • Dieser Referenzstrom wird multipliziert durch die Stromverstärkung ß des Ausgangstransistors Q14 des Treiberabschnitts 11. Demgemäß ist der Abschnitt 11 eine Quelle für einen Strom der Höhe 100 IR; der Transistor Q14 kann einen Strom an die Ausgangsklemme 17 von mindestens dieser Höhe liefern. In der dargestellten Ausführungsform ist der Minimumstrom 20 Milliampere. Mehr Strom kann auch zur Basis des Transistors Q14 geliefert werden durch den Transistor Q15 zum Erhöhen des Ausgangsstromes. Dieser zusätzliche Strom hängt jedoch davon ab, ob der PNP-Stromquellentransistor Q17 eingeschaltet ist oder nicht. Wie unten erörtert, bestimmen verschiedene Bedingungen, ob der Transistor Q17 ein ist oder nicht.
  • Die vorliegende Schaltung ist auch in der Lage, eine hohe Impedanz über einen hohen Gleichtaktbereich von -7 V bis +12 V aufrechtzuerhalten, unabhängig davon, ob die Leistung ein- oder ausgeschaltet ist.
  • Gleichtaktmassepotential und Rauschen auf den Ausgangsklemmen 17, 18 tritt auf, wenn mehrere Treiberschaltungen an die Signalleitungen angeschlossen sind. Hohe Impedanz ist in jeder Treiberschaltung erforderlich, wenn sie gesperrt ist. Die vorliegende Schaltung sorgt für eine solche hohe Impedanz zwischen dem Bereich von -7 bis +12 V auf den Aufgangsklemmen 17, 18. Wenn beispielsweise der Leitungstreiberschaltkreis gesperrt ist, trifft eine hohe positive Spannung auf die in Sperrichtung vorgespannte Schottky-Diode S6 (gezeigt in Fig. 4B) oder die in Sperrichtung vorgespannte Basis-Emitter-Sperrschicht der NPN-Transistoren Q15 und Q14. Auch die in Sperrichtung vorgespannten Basis-Emitter-Sperrschichten der PNP-Transistoren Q18 und Q17 weisen eine hohe Impedanz auf zusammen mit der Schottky-Diode S19. für niedrige Spannungen an der Ausgangsklemme 17 sind die Transistoren Q15 und Q14 abgeschaltet, die Schottky-Dioden S16, S17, S18 und S10 sind ebenfalls in Sperrichtung vorgespannt für eine hohe Impedanz bezüglich jenes Signals.
  • Selbst wenn der Leitungstreiberschaltkreis abgeschaltet ist und die erste Spannungsversorgung, die normalerweise bei +5 V VCC liegt, an Masse liegt, weist die Treiberschaltung immer noch eine hohe Impedanz gegenüber positiven und negativen Spannungen an den Ausgangsklemmen 17 und 18 im Bereich zwischen -7 und +12 V auf.
  • Entsperr/Sperrabschnitt
  • Die generelle Organisation des Entsperr/Sperrabschnitts 13 ist in Fig. 4A gezeigt. Der Abschnitt 13 schaltet die Treiberschaltungen 11, 12 ein und aus, und zwar so schnell wie möglich, um die Gesamtdatenübertragungsrate der Leitungstreiberschaltung zu erhöhen. Ein hochliegendes oder "1"-Signal an einer Entsperr/Sperreingangsklemme 16 schaltet die Treiberschaltkreise 11, 12 ein. Ein niedriges oder "0"-Signal an der Klemme 15 schaltet die Treiberschaltkreise 11, 12 ab. Wenn der Leitungstreiberschaltkreis gesperrt ist, weist der Leitungstreiberschaltkreis eine hohe Impedanz auf.
  • Die Eingangsklemme 16 zu dem Entsperr/Sperrabschnitt 13 ist mit zwei Verstärkern 30, 31 verbunden, die Signale für einen PNP-Sperrblock 32, PNP-Anreicherungsblock 33 und Treibersperrblock 34 erzeugen. Der PNP-Sperrblock 32 unterstützt das Abschalten der PNP-Transistoren, die als Stromquellen in den Treiberabschnitten 11, 12 verwendet werden. In ähnlicher Weise unterstützt der PNP-Entsperrblock 33 zusammen mit Verstärker 31 das Einschalten der PNP-Transistoren. Diese Unterstützungen sind besonders wichtig für PNP-Transistoren, die inhärent langsam schalten. Der Treibersperrblock 34 beschleunigt das Abschalten der NPN-Transistoren in den Treiberabschnitten 11, 12.
  • Genauer gesagt, unterstützt die Leitung 23D vom PNP-Sperrblock 32 das Abschalten der PNP-Transistoren Q18 bis Q20 des Referenzstromquellenblocks 36 (gezeigt in Fig. 3C). Die Leitung 32C vom PNP-Sperrblock 32 und Verstärkerblock 31 unterstützt das Schalten des PNP-Transistors Q21 im gleichen Block 36 in Ein- und Aus-Richtung. In gleicher Weise unterstützt die Leitung 23B von PNP-Sperr- und Entsperrblöcken 32, 33 das Beschleunigen des PNP-Transistors Q17 im Treiberabschnitt 11 (gezeigt in Fig. 3A) beim Aus- und Einschalten, während Signale vom Verstärkerblock 30 auf Leitung 23A den Referenzstromquellenblock 36 aus- und einschalten. Die Leitung 23E vom Treibersperrblock 34 und Leitung 24 vom Block 34 und PNP-Entsperrblock 33 unterstützen das Ausschalten der NPN-Transistoren in den Treiberabschnitten 11, 12.
  • Fig. 4B zeigt das detaillierte Schaltungsdiagramm des Abschnitts 13. Der Verstärker 30 hat zwei emittergekoppelte Transistoren Q32, Q33. Die Basis des Transistors Q33 ist über zwei Dioden mit einer Emitter- bzw. Basisklemme eines PNP-Transistors Q30 verbunden, der mit seiner Basis an Masse liegt. Wenn das Signal auf der Eingangsklemme 16 niedrig ist im Sperrstatus, ist der Transistor Q32 ausgeschaltet. Ein hohes oder Entsperrsignal an der Klemme 16 schaltet einen Eingangstransistor Q31 aus und ermöglicht der Basis des zweiten emittergekoppelten Transistors Q32 nach oben durchgezogen zu werden. Der Transistor Q32 schaltet ein, und der resultierende Strom durch den Transistor erzeugt eine Spannung über einem 10 Kilo-Ohm-Widerstand. Ein Transistor Q35, der mit seiner Basis-Emitter-Sperrschicht über den Widerstand geschaltet ist, wird eingeschaltet. Gleichzeitig senkt der Strom durch den Transistor Q32 die Spannung an der Basisklemme eines Transistors Q36 ab. Der Transistor Q36, der mit einer Emitterklemme an einer Kollektorklemme des Transistors Q35 liegt, wird abgeschnitten.
  • In ähnlicher Weise hat der Verstärker 31 emittergekoppelte Transistoren Q51, Q52, die in derselben Weise arbeiten. Der Transistor Q52 ist mit seiner Basisklemme an eine Emitterklemme eines Transistors Q55 angeschlossen, der mit seiner Basisklemme an Masse liegt. Wenn das Entsperr/Sperrsignal an Klemme 16 niedrig liegt, ist der Transistor Q51 aus. Ein Transistor Q54 erhält keinen Strom von der Emitterklemme des Transistors Q51 über einen Widerstand, der zwischen der Basis und den Emitterklemmen des Transistors Q54 angeschlossen ist. Er ist aus. Wenn das Signal andererseits hoch liegt, schaltet der Transistor Q51 ein zusammen mit Transistor Q54.
  • Wenn demgemäß das Eingangssignal an Klemme 16 niedrig liegt, sind die Transistoren Q32 und Q35 im Verstärkerblock 30 aus. Während der Transistor Q36 nominell ein ist, zieht er wenig Strom, da seine Hauptstromquelle durch den Transistor Q35 blockiert ist. Das Signal auf Leitung 23A und dem Knoten 65 im Referenzstromquellenblock 36 liegt hoch. Der Stromquellenblock 36, der in Fig. 3C dargestellt ist, bleibt aus.
  • Die PNP-Transistoren Q37 bis Q39 des PNP-Sperrblocks 32 sind aus, da ihre Basis-Emitter-Sperrschicht nicht in Durchlaßrichtung vorspannt ist. Im einzelnen bleibt bei ausgeschaltetem Transistor Q38 das Signal auf der Leitung 23C unbestimmt. In dem PNP-Anreicherungsblock 33 bleiben die Transistoren Q42, Q43 und Q45 ein; kein Signal erscheint auf Leitung 23B zu dem PNP-Stromquellentransistor Q17 des Treiberabschnitts 11 (gezeigt in Fig. 3A). In dem Verstärkerblock 31 sind die Transistoren Q51 und Q54 ebenfalls ausgeschaltet.
  • PNP-Transistoranreicherung
  • Wenn das Signal auf Klemme 16 sich von Sperren zum Entsperren ändert, also von niedrig nach hoch, schalten die Transistoren Q32, Q35 ein. Demgemäß ist die Spannung auf Leitung 23A niedrig und der Knoten 65 ist in gleicher Weise niedrig. Der Referenzstromblock 36 wird eingeschaltet.
  • Angekoppelt an die Transistoren Q32, Q35 ist der Transistor Q42 in dem PNP-Anreicherungsblock 33. Der Transistor Q42 schaltet aus mit dem Einschalten des Transistors Q35. Die Basisklemme des Transistors Q42 wird nach unten gezogen durch den Strom und den resultierenden Spannungsabfall über einem 15 Kilo-Ohm-Widerstand, angeschlossen zwischen der VCC-Spannungsversorgung und den Basisklemmen der nun leitenden Transistoren Q40, Q41. Bei ausgeschaltetem Transistor Q42 gibt es keinen Strom- und Spannungsabfall zwischen Basis- und Emitterklemmen eines Transistors Q45, der mit seiner Basisklemme an den Transistor Q42 an dessen Emitterklemme angeschlossen ist und an Masse gelegt ist über einen 5 Kilo-Ohm-Widerstand. Der Transistor Q45 ist aus, und die Kollektorklemme des Transistors Q45 wird höher und höher gezogen durch die in Durchlaßrichtung vorgespannte Basis-Emitter-Sperrschicht des Transistors Q43, der mit seiner Basisklemme mit der Kollektorklemme des Transistors Q42 und VCC über einen Widerstand und Schottky-Diode verbunden ist.
  • Ein Transistor Q44, mit seinem Kollektor und Basiselektroden, verbunden mit der Basisklemme des Transistors Q45, und seiner Emitterklemme, verbunden mit der Kollektorklemme desselben Transistors, arbeitet als ein Kondensator. Dieser Transistor Q44 liefert gespeicherte Ladung zurück als Strom in die Basisklemme des Transistors Q45 und der Übergangsstrom wird multipliziert durch die Stromverstärkung des Transistors Q45. Zeitweilig schaltet der Transistor Q45 ein, und ein hoher Saugstrom fließt durch den Transistor Q43 und die Signalleitung 23B, die mit der Basisklemme des PNP-Transistors Q17 in den Treiberabschnitten 11, 12 verbunden ist. Der Saugstrom unterstützt das Einschalten des PNP-Transistors Q17; je höher der Saugstrom, desto schneller schaltet der PNP-Transistor ein.
  • Gleichzeitig schaltet das Entsperrsignal auf Klemme 16 die Transistoren Q51 und Q54 im Verstärker 31 ein. Die Spannung auf Leitung 23C wird abgesenkt, und Strom wird gezogen durch die Leitung 23C von dem Basisbereich des PNP-Transistors Q21 (Fig. 3C). Dieser Strom durch den Transistor Q21 schaltet die PNP-Transistoren Q18 bis Q20 durch und die Referenzstromversorgung wird vollständig eingeschaltet.
  • Diese hohe Basisstromübersteuerung von dem Transistor Q54 im Verstärker 31 wird abgeschaltet nach einiger Zeit durch den Transistor Q20, der ebenfalls anfänglich eingeschaltet wurde durch den Strom, erzeugt durch den Transistor Q54. Der Strom von der Kollektorklemme des Transistors Q20 wird rückgekoppelt auf die Leitung 23F zur Basisklemme eines Transistors Q56 im Verstärkerabschnitt 31. Der Transistor Q56 schaltet ein. Über zwei Schottky-Dioden werden dann die Basisklemmen der emittergekoppelten Transistoren Q51 und Q52 heruntergezogen, um die Transistoren auszuschalten. Ohne Strom über dem 10 Kilo-Ohm-Widerstand zwischen der Basisklemme und Masse wird der Transistor Q54 ausgeschaltet. Die Stromübersteuerung zum Transistor Q21 endet.
  • Wenn der Knoten 65 niedrig liegt, bleiben jedoch alle Transistoren in dem Referenzstromquellenblock 36 ein. Die Transistoren bleiben in diesem Zustand, bis ein Sperrsignal auf die Eingangsklemme 16 gelegt wird.
  • Es ist festzuhalten, daß diese Technik für das Herbeiführen eines anfänglichen Saugstroms zum rapiden Durchschalten eines Transistors sich unterscheidet von der vorbeschriebenen Kondensator-Rückkopplungstechnik. Eine hohe Stromübersteuerung muß den Transistor Q21 zum Einschalten zwingen, wie auch die Transistoren Q18 bis Q20. Die gegenwärtige Technik der Erzeugung der Stromübersteuerung durch einen Transistor, der erst eingeschaltet wird und dann ausgeschaltet wird, sobald die PNP-Transistoren eingeschaltet worden sind, ist besser geeignet als die begrenztere Stromübersteuerung von der Kondensator-Rückkopplungstechnik.
  • PNP-Transistorsperrung
  • Das Sperrsignal tritt auf, wenn die Spannung an der Klemme 16 von hoch nach niedrig geht. In dem Verstärker 30 schalten die Transistoren Q32 und Q35 aus. Wenn der Transistor Q35 ausschaltet, wird seine Kollektorklemme höhergezogen durch die in Vorwärtsrichtung vorgespannte Basis-Emitter-Sperrschicht des Transistors Q36. Ein Transistor Q34 ist mit seiner Kollektorklemme mit der Basisklemme des Transistors Q35 verbunden, und seine Basis- und Emitterelektroden sind verbunden mit dem Transistor Q35 an dessen Kollektorklemme und wirkt als ein Kondensator und entlädt seine gespeicherte Ladung in den Basisbereich des Transistors Q35. Dies schaltet den Transistor Q35 zeitweilig ein. Ein Strom wird durch den Transistor Q36 gezogen und von den Basisbereichen der Transistoren Q37 bis Q39 des Blocks 32, um diese einzuschalten.
  • Der PNP-Transistor Q39 liefert eine momentane Stromspitze in die Basisbereiche der PNP-Transistoren Q18, Q20 des Referenzstromblocks 36 über Leitung 23D. Der PNP-Transistor Q21 wird ebenfalls ausgeschaltet durch die Stromspitze über Leitung 23C vom Transistor Q38. Eine Stromspitze wird außerdem geliefert vom Transistor Q37 an die Basisregion des Transistors Q17 für ein schnelles Abschalten über Leitung 23B.
  • NPN-Transistorsperrung
  • Der Entsperr/Sperrabschnitt 13 sorgt auch für ein schnelles Abschalten der NPN-Transistoren der Treiberabschnitte 11, 12, wenn der Abschnitt 13 gesperrt wird. Wie in Fig. 3A und 3B gezeigt, sind die Basisbereiche der NPN-Transistoren Q14 bis Q16 des Treiberabschnitts 11 mit dem Abschnitt 13 über eine Leitung 23E verbunden. Wenn ein Sperrsignal an Klemme 16 erscheint, werden die Transistoren Q32 und Q35 im Verstärkerblock 30 ausgeschaltet, und der Knoten 65 im Block 36 steigt an. Demzufolge schalten die PNP-Transistoren Q18-Q21 ab, und der Rückkopplungsstrom auf Leitung 23F wird ausgeschaltet. Der Transistor Q56 im Verstärker 31 schaltet aus. In dem NPN-Sperrblock 34 wird demgemäß der Transistor Q58 eingeschaltet durch die hohe Spannung von der VCC-Versorgungsspannung an der Basisklemme des Transistors. Strom fließt demgemäß von der VCC-Spannungsversorgung über einen 10 Kilo-Ohm-Widerstand, die Basisregion eines Transistors 59 zu der Kollektorklemme des Transistors Q58. Die Spannung über dem Widerstand und der Basis-Emitter-Sperrschicht des Transistors Q59 schaltet den Transistor Q61 aus. Die Leitung 23E ist dann mit der Spannungsversorgung gekoppelt.
  • Bevor jedoch die langsamer schaltenden PNP-Transistoren Q18-Q21 ausgeschaltet werden, und der Strom zu dem Transistor Q56 endet, wirken der Verstärkerblock 30, der PNP-Anreicherungsblock 33 und der NPN-Sperrblock 34 zusammen zum Treiben der Spannung auf der Leitung 23E nach unten und zum Ziehen von Strom weg von den Basisbereichen der NPN-Transistoren Q14-Q16 über Schottky-Dioden S16-S18.
  • Wenn der Entsperr/Sperrabschnitt 13 gesperrt wird, werden die Transistoren Q32 und Q37 im Verstärkerblock 30 ausgeschaltet. Die Emitterklemme der Transistoren Q40, Q41 steigt in der Spannung an. Die Basisklemme des Transistors Q42 geht hoch, und der Transistor Q42 zusammen mit Transistor Q45 wird durchgeschaltet. Dies klemmt wirksam die Leitung 24, die mit der Kollektorklemme des Transistors Q45 verbunden ist, an Masse.
  • In dem NPN-Sperrblock 34 ist nun die Basis-Emitter-Sperrschicht des Transistors Q62 in Einschaltrichtung vorgespannt und zwingt die Spannung an der Basisklemme des Transistors Q63 nach unten. Der Transistor Q63 schaltet aus. Bei ausgeschaltetem Transistor Q63, der über Transistor Q60 wirksam die Spannungen an den Basis- und Emitterklemmen des Transistors Q61 geklemmt hatte, wird jenem Transistor ermöglicht, einzuschalten. Demgemäß wird die Leitung 23E, die mit dem Kollektor des Transistors Q61 verbunden ist, nach unten gezogen.
  • Ein anderes Ergebnis des Nach-Unten-Treibens der Leitung 24 durch die Wirkung des Transistors Q45 in dem PNP-Anreicherungsblock 33 besteht darin, daß andere NPN-Transistoren in dem Treiberabschnitt 11 (und 12) ebenfalls schnell ausgeschaltet werden. Die Leitung 24 ist verbunden mit den Kollektorelektroden der emittergekoppelten Transistoren Q2, Q3 in dem Differentialverstärker 10, gezeigt in Fig. 2. Wenn die Spannung auf Leitung 24 nach unten getrieben wird (über Schottky-Dioden S2), wird auch der Basisbereich des Transistors Q7 nach unten getrieben. Der Transistor Q7 ist nun ausgeschaltet, unabhängig von dem Logikstatus an der Dateneingangsklemme 15. Über die Leitungen 21A, 21B sind die Basisbereiche der Transistoren Q10, Q11 an Masse gekoppelt, und ohne Strom durch den Transistor Q10 ist auch der Basisbereich des zweiten Ausgangstransistors Q12 wirksam an Masse gelegt. Diese NPN-Transistoren werden ausgeschaltet.
  • Strombegrenzerabschnitt
  • Um die Treiberschaltungen 11, 12 gegen Überhitzung zu sichern, ist ein Strombegrenzerabschnitt 14 vorgesehen. Die Einzelheiten einer bevorzugten Konstruktion des Abschnitts 14 sind in Fig. 5A gezeigt. Der Strom wird in zwei Weisen begrenzt. Zunächst begrenzt der Abschnitt 14 den Strom von den Treiberabschnitten 11, 12, wenn die Gleichtaktspannungen auf den Signalleitungen exzessiven Strom aus der Schaltung ziehen. Zweitens schaltet der Abschnitt 14 den Strom durch die Treiberabschnitte 11, 12 vollständig aus, wenn die Temperatur der Schaltung eine vorbestimmte Betriebstemperatur übersteigt.
  • In Fig. 5A ist ein Teil des Treiberabschnitts 11 gezeichnet, um besser die Verbindungen zwischen dem Treiberabschnitt 11 (und 12) und dem Strombegrenzerabschnitt 14 darzustellen. Die Treiberabschnitte 11, 12 sind gemeinsam parallel an einen Knoten 71 angeschlossen zu dem Kollektor des Ausgangstransistors Q14. Mit anderen Worten ist die Kollektorklemme des entsprechenden Ausgangstransistors des zweiten Treiberabschnitts 12 an den Knoten 71 angeschlossen, und die beiden Abschnitte teilen sich die Schottky-Diode 16.
  • Jeder Abschnitt 11, 12 hat jedoch seinen eigenen spiegelnden Transistor Q64, Fühlertransistoren Q65, Q66 und Setz/Rücksetz-Zwischenspeicher 35. Die Ausgangsklemmen der beiden Zwischenspeicher 35 sind gemeinsam an einen Knoten 68 angeschlossen, der mit Leitung 35A verbunden ist. Die Leitung 35A ist verbunden mit der Basisklemme des Transistors Q46 in dem PNP-Anreicherungsblock 33 der Fig. 4B. Wenn in Betrieb, kann einer der Zwischenspeicher 35 die Leitung 25A nach unten ziehen und Transistor Q46 abschalten. Der Transistor Q46 ist normalerweise ein, wenn der gesamte Leitungstreiberschaltkreis eingeschaltet ist, d. h. das Signal an der Klemme 16 hoch ist. Wenn der Transistor Q46 abgeschaltet wird, zieht die Versorgungsspannung VCC die Kollektorklemme jenes Transistors Q46 hoch zusammen mit einem Knoten 73, der an Leitung 23B angeschlossen ist.
  • Wie in Fig. 3A gezeigt, ist die Leitung 23B verbunden mit der Basisklemme des PNP-Stromquellentransistors Q17. Die hohe Spannung an der Basis des Transistors Q17 schaltet jenen Transistor aus. Der einzige zur Verfügung stehende Strom zum Treiben des Ausgangstransistors Q14 im Stromtreiberabschnitt 11 bzw. 12 stammt von dem Referenzstromblock 36.
  • Der spiegelnde Transistor Q64 im Strombegrenzerabschnitt 14, gezeigt in Fig. 5A, ist mit seiner Basis bzw. seinem Emitter direkt mit der Basis- bzw. der Emitterklemme des Ausgangstransistors Q14 verbunden. Der Strom durch den Ausgangstransistor Q14 wird "gespiegelt" durch den Transistor Q64, obwohl mit einem Zwölftel der Höhe infolge der Größenunterschiede der Transistoren. Der Strom durch den Transistor Q14 (über den spiegelnden Transistor Q64) wird überwacht von einem Paar von PNP-Fühlertransistoren Q65, Q66. Der Transistor Q66 ist mit einer Emitterklemme mit der Spannungsversorgung VCC verbunden, seine Basisklemme ist verbunden über einen Widerstand R11 mit der Basisklemme des Transistors Q65. Der Emitter des Transistors Q66 ist verbunden mit der VCC-Spannungsversorgung über eine Schottky-Diode S21; die Basisklemme des Transistors Q65 ist verbunden mit der Kollektorklemme des spiegelnden Transistors Q64. Ein Widerstand R10 verbindet die Diode S21 mit der Kollektorklemme des Transistors Q64.
  • Der Transistor Q65 erfühlt die Höhe des Stromes durch den Ausgang des Transistors Q14 durch den Strom durch den Widerstand R10. Mehr Strom durch den Transistor Q14 erzeugt mehr Strom durch den Widerstand R10. Die Basis-Emitter-Sperrrschicht des Transistors Q65 ist in Durchlaßrichtung vorgespannt in direkter Proportion zu der Stromhöhe durch den Widerstand R10. Dies wiederum führt zu mehr abfließendem Strom durch die Kollektorklemme des Transistors Q65. Dieser Strom liefert ein Setzsignal für den Setz/Rücksetz-Zwischenspeicher 35, der bei 35 als gestrichelte Linie dargestellt ist.
  • Der Transistor Q66 liefert das Rücksetzsignal für den Zwischenspeicher 35. Wie der Transistor Q65 erzeugt der Transistor Q66 Strom an seiner Kollektorklemme in direkter Proportion zu der Stromhöhe durch den Widerstand R10.
  • Der Setz/Rücksetz-Zwischenspeicher 35, dargestellt in Fig. 5A, hat sechs NPN-Transistoren Q100-Q105, von denen jeder mit seiner Emitter-Klemme direkt an Masse liegt. Der Transistor Q100 ist über seine Basisklemme mit der Kollektorklemme des Transistors Q66 verbunden und seiner Kollektorklemme an Spannungsversorgung VCC gelegt über einen Widerstand und an die Basisklemme des Transistors Q101. Die Kollektorklemme des Transistors Q101 ist verbunden mit der Kollektorklemme des Transistors Q103. Jene Klemme ist ferner verbunden mit der Spannungsversorgung über einen 40 Kilo-Ohm-Widerstand. Über einen weiteren Widerstand von 1 Kilo-Ohm ist die Kollektorklemme des Transistors Q103 verbunden mit der Basisklemme des Transistors Q104, der ebenfalls mit seiner Kollektorklemme an die Spannungsversorgung über einen 40 Kilo-Ohm-Widerstand angeschlossen ist. In ähnlicher Weise ist die Kollektorklemme des Transistors Q103 verbunden mit der Basisklemme des Transistors Q105 über einen 1 Kilo-Ohm-Widerstand. Der Transistor Q105 ist mit seiner Kollektorklemme an die Leitung 25A gelegt.
  • Die Kollektorklemme des Fühlertransistors Q65 ist verbunden mit der Basisklemme des Transistors Q102 über einen Widerstand; der Transistor Q102 ist mit seiner Kollektorklemme ferner verbunden mit der Basisklemme des Transistors Q103. Die Basisklemme des Transistors Q103 ist ferner verbunden mit der Kollektorklemme des Transistors Q104 über eine Rückkopplungsstrecke.
  • Bei Beginn jedes Datenübertragungszyklus fließt kein Strom durch den Ausgang des Transistors Q14 und die Fühlertransistoren Q65, Q66. Der Transistor Q100 in dem Zwischenspeicher 35 ist demgemäß ausgeschaltet und ermöglicht der Spannung an der Basisklemme des Transistors Q104, hochgezogen zu werden. Der Transistor Q101 ist eingeschaltet. Dies zieht den Basisbereich des Transistors Q104 nach unten zum Ausschalten des Transistors Q104, und der Transistor Q104 ist an seiner Kollektorklemme hochgezogen. Durch die Rückkopplungsstrecke zum Basisbereich des Transistors Q103 wird dieser Transistor eingeschaltet, Ohne Strom vom Fühlertransistor Q65 ist auch der Transistor Q102 aus. Die beschriebene Schaltung ist nun verriegelt, und die Spannung an der Basisklemme des Transistors Q105 ist niedrig. Der Transistor Q105 ist aus, und der Knoten 68 ist nicht an Masse gekoppelt.
  • Selbst bei Beginn von Stromfluß von dem Fühlertransistor Q66 zum Einschalten des Transistors Q100 und Ausschalten des Transistors Q101 bleibt der Zustand der Transistoren Q103-Q105 unverändert. Diese Transistoren bleiben verriegelt, bis die Höhe des Stromes durch den Ausgangstransistor Q14 in dem Treiberabschnitt 11, 12 bewirkt, daß genug Strom vom Fühlertransistor Q65 erzeugt wird, da die Basis-Emitter-Sperrschicht jenes Transistors vorgespannt ist durch die Spannung über Widerstand R10. Bei einem vorbestimmten Punkt wird der Transistor Q102 eingeschaltet. Mit eingeschaltetem Transistor Q102 ist der Transistor Q103 ausgeschaltet, was den Transistor Q104 einschaltet. Der Transistor Q105 ist ebenfalls eingeschaltet, da die Spannung an der Basisklemme des Transistors hochgezogen wird durch die Spannungsversorgung. Der Knoten 68 und die Leitung 25A werden nun nach unten gezogen; der Zwischenspeicher 35 ist gesetzt. Der PNP-Transistor Q17 in den Treiberabschnitten 11, 12 ist ausgeschaltet.
  • Der Fühlertransistor Q66 erzeugt den Strom für das Rücksetzsignal. Da seine Basis-Emitter-Sperrschicht vorgespannt ist sowohl durch die Schottky-Diode S21 als auch den Widerstand 10, liefert der Transistor Q66 normalerweise Strom, um den Transistor Q100 durchgeschaltet zu halten. Der Fühlertransistor Q66 erzeugt ein Rücksetzsignal, wenn der Transistor ausgeschaltet wird und kein Strom dem Transistor Q100 zugeführt wird. Dies erfolgt bei jedem Datenübertragungspunkt, wenn das Datensignal an der Eingangsklemme 15 (Fig. 2) den Logikzustand umschaltet. Wenn beispielsweise das Signal an Klemme 15 eine "1" oder ein hochliegendes Signal vom Treiberabschnitt 11 bewirkt, ist der Transistor Q66 ein. Wenn das Signal an Klemme 15 schaltet, schaltet der Transistor Q66 aus, wenn der Treiber 11 eine "0" oder ein niedriges Signal erzeugt. Es ist jedoch festzuhalten, daß, wenn die Bedingung, die bewirkte, daß ein hoher Strom von dem Treiberabschnitt gezogen wurde, auch einen hohen Strom von dem komplementären Treiberabschnitt 12 zieht, der Setz/Rücksetz-Zwischenspeicher jenes Abschnitts 12 bewirkt, daß sein PNP-Stromquellentransistoren Q17 ebenfalls ausschaltet. Der Strom ist immer noch begrenzt.
  • Neben dem Schutz gegen exzessive Ausgangsströme hat die vorliegende Schaltung einen Schutz gegen exzessive Temperatur durch einen Thermoschutzblock 39. Der Thermoschutzblock 39 schaltet die Treiberabschnitte 11, 12 ab, wenn der Treiberschaltkreis zu heiß wird. Der Block 39 sendet Signale auf Leitung 25B, 25C als Teil der Signalstrecke 25 zu dem Sperr/Entsperrabschnitt 13, um die Treiberabschnitte 11, 12 auszuschalten (zu sperren).
  • Die Details des Blocks 39 sind in Fig. 5B gezeigt. In dem Block 39 ist ein Paar von Transistoren Q84, Q85 relativ zu einem Transistor Q87 so angeordnet, daß ein Strom proportional der Temperatur in einer bekannten Schaltungsanordnung geliefert wird. Der Strom durch die parallelen und als Diode geschalteten Transistoren Q84, Q85 wird durch einen PNP-Transistor Q83 gezogen. Dieselbe Strommenge wird durch einen Transistor Q82 in einer Stromspiegelanordnung gezogen. Schottky-Transistoren Q79-Q81 bilden einen Zwischenspeicher, besser gesagt einen Hystereseverstärker, der auf den Strom durch den Transistor Q82 reagiert. Im Normalbetrieb schalten die Transistoren Q74, Q75 und Q76 aus und ein, entsprechend dem Zustand der Transistoren Q79-Q81.
  • Die Transistoren Q79-Q81 werden verriegelt, wenn der Strom durch die Fühlertransistoren Q84, Q85 eine vorbestimmte Höhe übersteigt. An dieser Stelle reicht der Strom von dem Transistor Q82 für das Vorspannen in Durchlaßrichtung der Basis-Emitter-Sperrschicht des Transistors Q81. Bei durchgeschaltetem Transistor Q81 ist der Transistor Q80 aus, und der Transistor Q79 ist ein. Der Transistor Q76, der mit seiner Basisklemme an den Transistor Q79 an dessen Kollektor angeschlossen ist, schaltet deshalb aus, da seine Basisklemme niedrig gezogen wird. Im Gegensatz dazu sind die beiden parallelgeschalteten Transistoren Q74, Q75 mit ihren Basisklemmen hochgezogen, und die Transistoren schalten ein. Mit den Kollektorklemmen der Transistoren Q74, Q75, verbunden mit den Signalleitungen 25B bzw. 25C, sind die Spannungen auf den Leitungen 25B, 25C niedrig.
  • Aus Fig. 4B kann man erkennen, daß die Leitungen 25B, 25C mit den Basisklemmen des Transistors Q35 im Verstärkerblock 30 bzw. des Transistors Q54 im Verstärkerblock 31 verbunden sind. Wenn der Thermoschutzblock 39 diese Leitungen 25B, 25C niedrigzieht in Reaktion auf exzessive Temperatur, werden beide Transistoren Q35 und Q54 ausgeschaltet. Die Leitung 23A geht demgemäß hoch und schaltet den Strom von dem PNP-Stromquellentransistor Q18 des Stromquellenblocks 36 ab, der in Fig. 3A dargestellt und in Fig. 3C detailliert wurde. Die Leitung 23B geht ebenfalls hoch, da der Transistor Q46 in dem PNP-Entsperrblock 33 ausgeschaltet wird. Infolgedessen wird auch der PNP-Stromquellentransistor Q17 des Treiberabschnitts 11, 12 ausgeschaltet. Die Treiberabschnitte 11, 12 sind gesperrt; nur eine hohe Impedanz erscheint über den Ausgangsklemmen 17, 18.
  • Die Transistoren Q77, Q78 halten durch den Thermoschutzblock 39 die Treiberabschnitte 11, 12 gesperrt während des Übergangszustands, wenn die Leistung eingeschaltet wird. Mit ansteigendem VCC auf +5 V wird der Transistor Q77 an seiner Basisklemme niedriggehalten durch zwei Widerstände von 20 und 60 Kilo-Ohm, die als Spannungsteiler wirken. Mit ausgeschaltetem Transistor Q77 fließt kein Strom durch einen 40 Kilo- Ohm-Widerstand, der zwischen der Kollektorklemme des Transistors und der Spannungsversorgung angeschlossen ist. Die Basisklemme des Transistors Q78, angeschlossen an die Kollektorklemme des Transistors Q77, wird hochgezogen, und der Transistor Q78 wird eingeschaltet. Der Transistor Q78 wiederum ist mit seiner Kollektorklemme an die Basisklemme des Transistors Q76 gelegt. Der Transistor Q76 ist an seiner Basisklemme demgemäß niedriggezogen durch den eingeschalteten Transistor Q78. Bei ausgeschaltetem Transistor Q76 zieht die VCC-Versorgungsspannung die Basisklemmen der Transistoren Q74, Q75 nach oben über einen 10 Kilo- Ohm-Widerstand. Die Transistoren Q74, Q75 schalten ein, und die Leitungen 25B, 25C werden niedriggezogen zum Sperren der Treiberschaltkreise 11, 12, wie zuvor erklärt.
  • Wenn sich VCC stabilisiert und vollständig zu +5 V zurückkehrt, steigt die Spannung an der Basisklemme des Transistors Q77 hinreichend an, um den Transistor einzuschalten. Der Transistor Q78 wird ausgeschaltet, der Transistor Q76 ein und so weiter. Das Ergebnis ist, daß die Leitungen 25B, 25C befreit werden von der Wirkung der Transistoren Q77, Q78. Der Rest der Schaltung kann ohne Störungen arbeiten.
  • Während der Thermoschutzblock 39 verwendet werden könnte, um nur einen der PNP-Stromquellentransistoren abzuschalten, d. h. den Transistor Q17, zeigt die Ausführungsform hier, daß alle Ströme durch die Treiberabschnitte 11, 12 abgeschaltet werden. Dies ist sehr sinnvoll, wenn mehr als ein Treiberschaltkreis auf einem integrierten Schaltkreis zusammengefaßt sind. Wenn die Ströme durch die mehrfachen Treiberschaltkreise (mit entsprechenden Treiberabschnitten 11, 12) die integrierte Schaltung exzessiv aufheizen, stellt die vollständige Abschaltung aller Treiberschaltkreise durch einen Thermoschutzblock 39, angeschlossen an den Entsperr/Sperrabschnitt 13 jedes Treiberschaltkreises, besser den Schutz des integrierten Schaltkreises vor zerstörender Hitze sicher.
  • Frühere Thermoschutzkonstruktionen hatten das Problem der Schwingung. Wenn das Abschalten erfolgt und weniger Leistung umgesetzt wird, dann kühlt sich die Schaltung ab, wie dies erwünscht ist. Die Abschaltschaltung wird dann abgelöst, und die Schaltung heizt sich wieder auf. Es wird wieder abgeschaltet und so weiter.
  • Der Thermoschutzblock 39 der vorliegenden Erfindung vermeidet Schwingungen. Der Transistor Q79 ist mit seinem Basisbereich an die Kollektorklemme des Transistors Q80 angeschlossen, die ebenfalls verbunden ist mit der Basisklemme des Transistors Q79. Diese Rückkopplungsanordnung erzeugt einen Hystereseeffekt. Der Transistor Q81 bleibt eingeschaltet, selbst noch nachdem der Strom vom Transistor Q82 unter den Pegel fällt, der ursprünglich den Transistor Q81 einschaltete. Die Transistoren Q79-Q81 bleiben verriegelt, bis der Strom vom Transistor Q82 so niedrig ist, daß der Transistor Q81 nicht eingeschaltet bleiben kann. An diesem Punkt ist die Temperatur, erfaßt durch die Transistoren Q84-Q85, bei weitem niedriger als die Triggertemperatur, und Schwingung wird vermieden.
  • In gleicher Weise wird die Schwingung in dem vorbeschriebenen Strombegrenzerkreis mit Setz/Rücksetz-Zwischenspeicher 35 und Fühlertransistoren Q65, Q66 vermieden. Selbst wenn der Strom durch den Ausgangstransistor Q14 fluktuiert, wird der Strom begrenzt, bis der Zwischenspeicher 35 rückgesetzt bei einem Datenübergangspunkt (oder der Schaltkreis gesperrt wird).
  • Ein alternativer Strombegrenzerabschnitt 14 ist in Fig. 6A gezeigt. Wo ein Element der Schaltung dieselbe Funktion wie in der Zeichnung nach Fig. 5A hat, wurden die gleichen Bezugszeichen beibehalten.
  • Für den alternativen Strombegrenzerabschnitt wird der Strom im Treiberabschnitt 11 (und 12) direkt überwacht. Der Widerstand R10 ist direkt in der Strecke des Stromes durch den Ausgangstransistor Q14 zwischen der Schottky-Diode S16 und dem Knoten 71. Der spiegelnde Transistor Q64 aus Fig. 5A wird nicht benötigt, und die Fühlertransistoren Q65, Q66 sind mit ihren Basis-Emitter-Sperrschichten über den Widerstand R10 gelegt bzw. über den Widerstand R10 und die Diode S16.
  • Es ist festzuhalten, daß der entsprechende Ausgangstransistor des komplementären Treiberabschnitts 12 parallelgeschaltet ist zu dem Ausgangstransistor Q14 des Treiberabschnitts 11, wie unter Bezugnahme auf Fig. 5A erläutert. Da die Fühlertransistoren Q65, Q66 den Ausgangsstrom durch entweder den einen oder den anderen Treiberabschnitt 11, 12 überwachen, gibt es keinen Duplikatschaltkreis, der erforderlich wäre für die Setz/Rücksetz-Zwischenspeicherung 35 in der ersten Strombegrenzerkonstruktion.
  • Der alternative Strombegrenzer arbeitet in der gleichen Weise wie vorher erläutert. Ansteigender Strom durch den Ausgangstransistor Q14 bewirkt eine ansteigende Spannung über dem Widerstand R10, und die Spannungsdifferenz über den Leitungen 22A, 22B nimmt ebenfalls zu. Wenn der Stromanstieg groß genug ist, werden beide PNP-Fühlertransistoren Q65, Q66 eingeschaltet. NPN-Transistoren Q68, Q70 werden dann jeweils eingeschaltet, und die kombinierten Ströme durch die beiden Transistoren fließen durch einen als Diode geschalteten Transistor Q79. Ein Transistor Q72 ist verbunden mit dem Transistor Q71 in Stromspiegelschaltung, so daß dieselbe Stromhöhe durch den Transistor Q72 wie durch den Transistor Q71 gezogen wird. Der Strom vom Transistor Q73 ist angeschlossen an einen Hystereseverstärker 37 an einem Knoten 66. Wie gezeigt, verriegelt sich der Verstärker 37, wenn die Eingangsspannung am Knoten 66 eine Referenzspannung VBE übersteigt, nämlich die Spannung über einer in Durchlaßrichtung vorgespannten Basis-Emitter-Sperrschicht eines Transistors.
  • Wenn beide Transistoren Q65, Q66 eingeschaltet sind, ist der Strom durch den Knoten 66 hoch genug zum Erzeugen einer Spannung über einem 10 Kilo-Ohm-Widerstand R5, die höher ist als VBE. Der Verstärker 37 verriegelt sich, welcher dann Strom an die Basisklemme eines Transistors Q73 liefert. Der Verstärker 37 bleibt verriegelt, solange nicht beide Fühlertransistoren aus sind. Der Verstärker 37 entriegelt sich und trennt sich selbst bei jedem negativen Impuls von einem Flankenpulsgenerator 38, der ebenfalls verbunden ist mit dem Eingangsknoten 66 zum Verstärker 37. Der Generator 38 feuert einen negativen Impuls bei jedem Datensignalübergang an Eingangsklemme 15.
  • Einmal eingeschaltet, zieht der Transistor Q73 die Spannung auf Leitung 25 nach unten. Die Spannung auf Leitung 23B geht dadurch nach oben zum Ausschalten des PNP-Stromquellentransistors Q17 in den Treiberabschnitten 11, 12. Weniger Strom steht als Ausgangsstrom zur Verfügung durch den Transistor Q14, und der Strom ist begrenzt.
  • Die Anordnung, welche den Strom von zwei Fühlertransistoren erfordert, um den Hystereseverstärker 37 einzuschalten, und beide Fühlertransistoren zum Entriegeln des Verstärkers 37, vermeidet das vorbeschriebene Problem der Schwingung rings um einen hohen Ausgangsstrom. Der gezogene Ausgangsstrom muß erheblich unter den Triggerpunkt des Verstärkers 37 abfallen, bevor der PNP-Stromquellentransistor Q17 wieder eingeschaltet wird für eine Zunahme des Ausgangsstroms.
  • Die Einzelheiten des Hystereseverstärkers 37 sind in Fig. 6B gezeigt. Der Flankenpulsgenerator 38 gibt den Verstärker 37 frei durch einen ins Negative gehenden Impuls bei jeder Anstiegs- oder Abfallflanke eines Eingangsdatensignals. Die Details des Flankenimpulsgenerators sind in Fig. 6C gezeigt. Der Hystereseverstärker 37 kann auch freigegeben werden durch Sperren der Treiberabschnitte 11, 12, d. h. ein Nullausgangsstrom gibt die Verriegelung des Verstärkers 37 frei.
  • Der Hystereseverstärker 37 in Fig. 6B hat den Eingangsknoten 66, der verbunden ist mit einer Basisklemme eines Transistors Q90. Der Transistor Q90 und ein Transistor Q91 sind mit ihren Emitterklemmen verbunden mit Masse und verbunden mit ihren Kollektorklemmen mit der VCC-Versorgungsspannung über 20 Kilo-Ohm-Widerstände. Der Transistor Q90 ist mit seiner Kollektorklemme ebenfalls direkt verbunden mit dem Transistor Q91 an dessen Basisklemme, und die Kollektorklemme des Transistors Q91 ist rückverbunden mit der Basisklemme des Transistors 90 über einen Widerstand. Der Verstärker schaltet ein und verriegelt sich, wenn das Eingangssignal am Knoten 66 höher ist als VBE. Eine solche Spannung wird erzeugt an der Basisklemme des Transistors Q90 durch den kombinierten Strom von den beiden Fühlertransistoren Q65, Q66 über einem 10 Kilo-Ohm-Widerstand zwischen Basisklemme und Masse. Der Transistor Q90 schaltet den Transistor Q91 aus. Die Spannung an der Kollektorklemme des Transistors 91 (Knoten 67) liegt hoch; der Transistor Q93 wird eingeschaltet.
  • Der Knoten 67 wird rückgekoppelt zur Basisklemme des Transistors Q90, so daß die Schaltung nun verriegelt ist. Die ursprüngliche Eingangsspannung am Knoten 66 kann abfallen, doch hält die Rückkopplungsschaltung den Transistor Q90 an der Basisklemme hoch. Das Eingangssignal muß weiter unter VBE fallen, bevor die Rückkopplungsschaltung nicht mehr den Abfall der Eingangsspannung kompensieren kann. Dann wird der Transistor Q90 ausgeschaltet, und der Verstärker 37 ist entriegelt.
  • Fig. 6C zeigt das Schaltungsdiagramm des Flankenimpulsgeneratorblocks 38. Die Basisklemmen der Transistoren Q93, Q96 sind verbunden mit den Leitungen 21A von jedem der Treiberabschnitte 11, 12. Wenn diese Abschnitte 11, 12 in ihren Logikzuständen umschalten, erzeugt der Block 38 ins Negative gehende Impulse am Knoten 66.
  • Fig. 6D illustriert den Teil des Betriebsschaltkreises des Blocks 38. Parasitäre Kondensatoren, die aktiv eingesetzt werden beim Betrieb des Blocks 38, sind durch gestrichelte Linien gezeigt. Fig. 6E zeigt die Spannungssignale an verschiedenen Knoten der Schaltung. Natürlich bewirken die positiven Spannungsspitzen an der Basisklemme des Transistors Q92 entsprechende negative Spitzen am Knoten 66, wenn der Transistor Q92 ein- und ausgeschaltet wird.
  • Es ist festzuhalten, daß die Treiberabschnitte 11, 12 auch so konstruiert sind, daß der Strom begrenzt wird, sollte die Ausgangsklemme 17 hochgezogen werden. Wie in Fig. 3A gezeigt, wird die Basisklemme des Transistors Q11 von den Wirkungen von Spannungsänderungen an der Kollektorklemme entkoppelt durch einen Unterschaltkreis eines Transistors Q13, Schottky-Diode S15 und Widerständen, wie gezeigt. Demgemäß zieht der zweite Ausgangstransistor Q12 einen konstanten Ausgangsstrom durch die Ausgangsklemme 17, unabhängig von der hohen Spannung an Klemme 17.

Claims (5)

1. Eine Schaltung für das Schalten eines PNP-Transitors (Q17; Q37, Q39) mit hoher Geschwindigkeit; umfassend: Schaltmittel (Q42; Q32, Q33), die auf ein Eingangssignal ansprechen; einen ersten Transistor (Q45; Q35) mit einem Basisanschluß, der an die Schaltmittel (Q42; Q32, Q33) angekoppelt ist, derart, daß der erste Transistor (Q45; Q35) ausschaltet, wenn die Schaltmittel (Q42; Q32, Q33) in einen ersten Zustand schalten, welcher erste Transistor eine Kollektorklemme umfaßt, eine Emitterklemme, gekoppelt mit einer zweiten Spannungsversorgung, einen zweiten Transistor (Q43; Q36) mit einem Basisanschluß, angekoppelt an die Schaltmittel, (Q42; Q32, Q33) derart, daß der zweite Transistor (Q43; Q36) einschaltet, wenn die Schaltmittel (Q42; Q32, Q33) in den ersten Zustand schalten, welcher zweite Transistor eine Kollektorklemme, gekoppelt mit einer ersten Versorgungsversorgung (Vcc) und eine Emitterklemme aufweist, verbunden mit der Kollektorklemme des ersten Transistors (Q45; Q35), welche Schaltung gekennzeichnet ist durch:
kapazitive Mittel (Q44; Q34), geschaltet zwischen Basis- und Kollektorklemmen des ersten Transistors (Q45, Q35), wobei der PNP-Transistor (Q17; Q37, Q39) einzuschalten ist, wenn die Schaltmittel (Q42; Q33, Q32) in den ersten Zustand schalten im Ansprechen auf das Eingangssignal, wobei der PNP-Transistor (Q17; Q37, Q39) eine Basisklemme, verbunden mit der Kollektorklemme des zweiten Transistors (Q43; Q36), aufweist, wodurch die kapazitiven Mittel (Q44; Q34) den ersten Transistor momentan durchschalten, wenn das Schaltmittel in den ersten Zustand schaltet und dadurch einen Saugstrom erzeugt in der Basis des PNP-Transistors (Q17; Q37, Q39), wodurch der PNP-Transistor (Q17; Q37, Q39) mit hoher Geschwindigkeit eingeschaltet wird.
2. Eine Schaltung nach Anspruch 1, bei der der einzuschaltende PNP-Transistor (Q37) mit der Basis eines weiteren PNP-Transistors (Q17) verbunden ist, so daß der weitere PNP-Transistor (Q17) mit hoher Geschwindigkeit abgeschaltet werden kann.
3. Eine Schaltung nach Anspruch 2 in Kombination mit einer weiteren Schaltung nach Anspruch 1, bei denen der PNP-Transistor (Q17) der weiteren Schaltung (Block 33) identisch ist mit dem weiteren PNP-Transistor (Q17).
4. Die Schaltung nach Anspruch 1, 2 oder 3, bei der die kapazitiven Mitteln dritte Transistormittel (Q44; Q34) umfassen mit einer Emitterklemme, die eine erste Klemme der kapazitiven Mittel bildet, und mit einer Basis- und einer Kollektorklemme, die eine zweite Klemme der kapazitiven Mittel (Q44; Q34) bilden.
5. Die Schaltung nach Anspruch 4, bei der die ersten, zweiten und dritten Transistoren NPN-Transistoren umfassen.
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