DE3741567A1 - Mit schottky-sperrschichtdiode geklemmter transistor - Google Patents

Mit schottky-sperrschichtdiode geklemmter transistor

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Tsunehiro Koyama
Youichirou Taki
Yoshihiko Hirata
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10D10/221—Schottky barrier BJTs

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS54154967A (en) * 1978-05-29 1979-12-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor electronic device
JPS59139681A (ja) * 1983-01-31 1984-08-10 Hitachi Ltd シヨツトキバリアダイオ−ド

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Datenbuch "Mitsubishi Semiconductors 1985, Bipolar Digital JC ALSTTL *

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