DE3741567C2 - - Google Patents

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DE3741567C2
DE3741567C2 DE3741567A DE3741567A DE3741567C2 DE 3741567 C2 DE3741567 C2 DE 3741567C2 DE 3741567 A DE3741567 A DE 3741567A DE 3741567 A DE3741567 A DE 3741567A DE 3741567 C2 DE3741567 C2 DE 3741567C2
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Germany
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schottky junction
collector
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contact hole
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DE3741567A
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DE3741567A1 (de
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Tsunehiro Koyama
Youichirou Taki
Yoshihiko Itami Hyogo Jp Hirata
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10D10/221—Schottky barrier BJTs

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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
DE19873741567 1986-12-08 1987-12-08 Mit schottky-sperrschichtdiode geklemmter transistor Granted DE3741567A1 (de)

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JP61292729A JPS63143867A (ja) 1986-12-08 1986-12-08 半導体集積回路装置

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DE3741567A1 DE3741567A1 (de) 1988-06-09
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JPS63143867A (ja) 1988-06-16
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