DE3732426A1 - In ein elektronenmikroskop eingebautes rastertunnelmikroskop - Google Patents
In ein elektronenmikroskop eingebautes rastertunnelmikroskopInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Rastertunnelmikroskop zum Messen
der Wellung auf der Oberfläche einer Probe unter Verwendung
eines Tunnelstromes und insbesondere ein Rastertunnelmikro
skop, das in Verbindung mit einem Rasterelektronenmikroskop
verwendbar ist.
Ein Rastertunnelmikroskop, dessen Auflösung in der Größen
ordnung von Nanometern liegt, wurde erst vor kurzem entwic
kelt und es gewinnt zunehmend auf den verschiedensten Ge
bieten, wie Präzisionsbearbeitung, Supraleitung, Medizin und
Biologie ganz abgesehen von der Oberflächenphysik an Bedeu
tung.
Ein Rastertunnelmikroskop ist derart beschaffen und aus
gelegt, daß man die Wellung auf der Oberfläche einer
Probe unter Verwendung eines Tunnelstromes beobachten
kann. Wenn eine aus Wolfram oder einem ähnlichen Ma
terial hergestellte Sonde, die an ihrer Spitze in der
Größenordnung auf 1 Mikrometer poliert ist, nahe an die
Oberfläche einer gereinigten Probe, wie z. B. eines Sili
ciumkristalls, bis zu einem Abstand in der Größenordnung
von 1 Nanometer gebracht wird und dann eine Vorspannung
von einigen Millivolt oder einigen Volt an die Anordnung
aus Sonde und Probe angelegt wird, wird bewirkt, daß ein
Tunnelstrom zwischen diesen fließt. Der Tunnelstrom ist
stark von dem Abstand zwischen der Sonde und der Proben
oberfläche abhängig und verändert sich exponentiell mit
dem Abstand. Wenn die Sonde somit längs der Probenober
fläche bewegt wird und zugleich die Position der Sonde
derart gesteuert wird, daß der Strom konstant bleibt (in
der Größenordnung von 10-10 bis 10-7 Ampere) läßt sich
jegliche Änderung der Höhe der Probenoberfläche unter Ver
wendung des Steuersignals bestimmen. Wenn man die Sonde
in eine X- und eine Y-Richtung, d. h. zweidimensional, über
die Probenoberfläche bewegt, läßt sich ein dreidimensiona
les Bild der Probenoberfläche erzeugen.
Ein Mikroskop der vorstehend genannten Art kann die Wel
lungen auf einer Probenoberfläche mit einer Genauigkeit
messen, die in vertikaler Richtung 0,01 Nanometer und in
horizontaler Richtung 0,2 bis 0,3 Nanometer beträgt, ohne
die Probe zu zerstören.
Eine Voraussetzung bei einem Rastertunnelmikroskop ist,
daß seine Sonde äußerst genau in drei verschiedenen Rich
tungen, d. h. in X-, Y- und Z-Richtung, bewegt werden muß.
Üblicherweise wird eine solche genaue Bewegung mit einer
Betätigung eines piezoelektrischen Elementes erzielt, das
ein Laminat aus einigen zehnergestuften piezoelektrischen
Keramikteilen aufweist, die parallel verbunden sind. Die
ses piezoelektrische Element ist proportional zu einer
Spannung verformbar, die von außen angelegt wird und es
ermöglicht die Steuerung bis zu einigen Mikrometern unter
Verwendung einer relativ niedrigen Spannung von etwa 100 Volt.
Ein Rastertunnelmikroskop mit einer Sondenbewegungseinrich
tung mit einem piezoelektrischen Element der vorstehend
genannten Art hat den Nachteil, daß der Abtastbereich be
grenzt ist. Hierdurch wird beispielsweise verhindert, daß
man die Struktur der Anordnung von Schritten einer einato
migen Schicht betrachten kann, obgleich die Schritte selbst
zu betrachten sind. Auf dem Gebiet der Kristallographie
andererseits läßt sich die Art und Weise verstehen, mit der
sich stufenweise die Struktur einer einatomigen Schicht er
gibt und dieses Verständnis ist von großer Bedeutung.
Daher besteht ein zunehmendes Bedürfnis nach einer kombi
nierten Verwendung eines Rastertunnelmikroskops und eines
Rasterelektronenmikroskops. Die kombinierte Verwendung ist
derart, daß die Abfolge der Schritte sich durch ein Elek
tronenmikroskop beobachten läßt und anschließend die schritt
weise erhaltene Struktur in derselben Position ein und der
selben Probe durch ein Tunnelmikroskop beobachtet wird.
Um dies zu erreichen, muß ein Tunnelmikroskop in einer Pro
benkammer eines Elektronenmikroskops aufgenommen werden.
Die Unterbringung eines Tunnelmikroskops in einer Proben
kammer eines Elektronenmikroskops war bisher jedoch unprak
tisch, da das zuerst genannte für die unabhängige Anwendung
ausgelegt ist und große Abmessungen hat, um den Einfluß
von Vibrationen und jener der Temperaturabweichung und an
derer wärmetechnischer Einflußgrößen zu minimalisieren.
Ferner enthält die Sondenbewegungseinrichtung eines übli
chen Rastertunnelmikroskops im allgemeinen drei piezoelek
trische Elemente, von denen jeweils eines einer der X-,
Y- und Z-Richtungen zugeordnet sind. Die piezoelektri
schen Elemente sind in einer Dreifußkonfiguration ange
ordnet und eine Sonde ist an der Spitze des Dreifußes an
gebracht und ihre Position muß dreidimensional gesteuert
werden. Eine Schwierigkeit bei dieser Auslegung, bei der
drei piezoelektrische Elemente einfach miteinander kom
biniert werden, ist darin zu sehen, daß, wenn eines der
selben sich zusammenzieht oder expandiert, die anderen sich
ebenfalls verformen, wodurch die Positionssteuerung ungenau
wird.
Unter Berücksichtigung der vorstehenden Ausführungen wurde
eine Auslegung vorgeschlagen, bei der sechs X-richtungs
piezoelektrische Elemente und sechs Y-richtungspiezoelek
trische Elemente in Form einer Gitterstruktur verknüpft
werden und eine Sonde an der Mitte unter Zwischenlage eines
Z-richtungspiezoelektrischen Elements angebracht ist. Die
gesamte Anordnung ist auf vier Z-richtungspiezoelektrischen
Elementen gelagert. Diese Bauart ermöglicht, daß die Sonde
in irgendeine der X-, Y- und Z-Richtungen bewegt werden
kann, wobei die Position der Steuerung erleichtert wird.
Wenn jedoch eine solche Sondenbewegungseinrichtung sich in
einer Probenkammer eines Elektronenmikroskops befindet,
stellen die zahlreichen piezoelektrischen Elemente, die ober
halb der Sonde angeordnet sind, ein Hindernis für einen
Elektronenstrahl dar, der auf eine Probenoberfläche gerich
tet wird, die der Spitze der Sonde gegenüberliegt oder für
Sekundärelektronen, die aus der zu detektierenden Probe aus
treten. Insbesondere ist es unmöglich, jenen Bereich einer
Probe zu betrachten, der durch ein Rastertunnelmikroskop
betrachtet wird, wobei dieser Bereich nicht durch ein Raster
elektronenmikroskop betrachtet werden kann.
Wenn ein Tunnelmikroskop verwendet wird, um eine Probe zu
betrachten, ist es notwendig, daß der Abstand zwischen
einer Sonde und einer Probenoberfläche zuvor auf einen
solchen eingestellt werden muß, der ermöglicht, daß ein
Tunnelstrom fließen kann. In üblicher Weise wird dies da
durch erreicht, daß man eine Plattform bewegt, auf die
eine Probe gelegt ist. Die Plattform wird auch bewegt,
wenn es erwünscht ist, die Beobachtungsposition einer
Probe zu verändern. Zur Bewegung der Plattform wurden me
chanische Einrichtungen, wie eine Vorschubspindeleinrich
tung oder eine Schrägrollenführungseinrichtung verwendet.
Mechanische Einrichtungen jedoch können nicht den Totgang,
die Kreuzkupplung und andere Erscheinungen eliminieren,
die nachteilig für die Genauigkeit der Positionssteuerung
sind. Insbesondere bei einem Tunnelmikroskop der vorstehend
beschriebenen Art ist eine Positionssteuerung in der Grö
ßenordnung von Nanometern erforderlich, was sich im all
gemeinen mit einer mechanischen Einrichtung nicht erzie
len läßt.
Daher war es üblich, eine Plattform eines Tunnelmikroskops
mit Hilfe einer mechanischen Probenbewegungseinrichtung
zu bewegen und dann eine Sonde unter Verwendung einer Son
denbewegungseinrichtung mittels Feineinstellung zu bewegen,
die ein piezoelektrisches Element enthält. Da trotz allem
das Expandieren und das Zusammenziehen eines piezoelektri
schen Elementes extrem kurz ist, ist es sehr schwierig,
eine Probe auf einen Bereich zu fixieren, in dem die Sonden
bewegungseinrichtung eine Positionierung ermöglicht. Wenn
ferner die Positionszuordnung zwischen der Sonde und der
Probe durch die Sondenbewegungseinrichtung, wie vorstehend
angegeben, bestimmt ist, wird der zur Verfügung stehende
Abtastbereich um eine Größe vermindert, die der Bewegung
der Sonde entspricht. Obgleich die Probenbewegungseinrich
tung mit einem piezoelektrischen Element ausgestattet sein
kann, indem einfach bewirkt wird, daß das piezoelektrische
Element die Plattform bewegt, so ergibt sich jedoch hier
bei der Mangel an der Bereitstellung eines ausreichenden
Bewegungsweges und daher ergeben sich Schwierigkeiten bei
der Aufnahme von Proben unterschiedlicher Dicken.
Die Erfindung zielt hauptsächlich darauf ab, eine solche
Auslegung bereitzustellen, daß das Bild ein und derselben
Probe an ein und derselben Position leicht sowohl von
einem Rasterelektronenmikroskop als auch von einem Raster
tunnelmikroskop erstellt werden kann.
Ferner bezweckt die Erfindung, ein Rastertunnelmikroskop
bereitzustellen, das in einer Probenkammer eines Elektro
nenmikroskops aufgenommen werden kann.
Auch bezweckt die Erfindung, eine Sondenbewegungseinrich
tung für ein Rastertunnelmikroskop bereitzustellen, die
in Kleinbauweise ausgelegt ist und genau arbeitet.
Ferner zielt die Erfindung darauf ab, die Position einer
Plattform mit hoher Genauigkeit zu steuern, und zu ermög
lichen, daß die Plattform über einen relativ großen Bewe
gungsweg bewegt werden kann.
Ferner bezweckt die Erfindung, eine Probenbewegungsein
richtung bereitzustellen, die klein ausgelegt ist und die
hinsichtlich der Größe und Richtung der Bewegung selbst
mit Hilfe einer Fernsteuerung gesteuert werden kann.
Erfindungsgemäß zeichnet sich hierzu eine Einrichtung da
durch aus, daß eine mit einer Probe zu belegende Plattform,
eine Sonde zum Detektieren eines zwischen dieser und der
Oberfläche der Probe fließenden Tunnelstromes und eine Son
denbewegungseinrichtung zur Feineinstellungsbewegung der
Sonde vorgesehen sind, die in einer Probenkammer eines Ra
sterelektronenmikroskops aufgenommen sind. Jener Bereich
der Probenoberfläche, der die Spitze der Sonde zugewandt
ist, wird durch einen Elektronenstrahl bestrahlt, der aus
einer Objektivlinse eines Elektronenmikroskops austritt.
Ein für die Sondenbewegungseinrichtung bestimmtes Steuer
signal wird mit Hilfe eines Bildprozessors verarbeitet.
Bei der vorstehend genannten Auslegung wird bewirkt,
daß der Elektronenstrahl zur Abtastung der Probenober
fläche ein Bild erzeugt, das mit Hilfe des Elektronen
mikroskops abgegriffen wird. Wenn die Sonde über die Pro
benoberfläche bewegt wird und die Sondenabtasteinrichtung
bzw. Bewegungseinrichtung derart gesteuert wird, daß der
Tunnelstrom konstant bleibt, ist ein Bild durch eine Bild
verarbeitung des Steuersignals erhältlich, das mit Hilfe
des Tunnelmikroskops abgegriffen ist.
Wenn die Plattform- und die Sondenbewegungseinrichtung in
der Probenkammer des Elektronenmikroskops aufgenommen
sind, dient eine Antivibrationseinrichtung des Elektronen
mikroskops dazu, den Einfluß von durch externe Einwirkung
entstehende Vibrationen zu unterdrücken. Hierdurch wird
die Notwendigkeit eliminiert, daß man eine spezielle Anti
vibrationseinrichtung für das Tunnelmikroskop vorsehen
muß. Da ferner die Probenkammer des Elektronenmikroskops
evakuiert ist, wird der Wärmeeinfluß auf den Sondenteil
eliminiert.
Ferner enthält nach der Erfindung eine Sondenbewegungs
einrichtung für ein Rastertunnelmikroskop erste X-rich
tungspiezoelektrische Elemente, die expandierbar und zu
sammenziehbar in einer X-Richtung sind und erste Y-rich
tungspiezoelektrische Elemente, die in einer Y-Richtung
expandierbar und zusammenziehbar sind. Die X- und Y-rich
tungspiezoelektrischen Elemente sind auf eine solche Weise
verknüpft, daß vier Seiten eines Vierecks definiert wer
den. In X-Richtung bewegliche Blöcke, die in die X-Rich
tung durch die X-richtungspiezoelektrischen Elemente be
wegbar sind und in Y-Richtung bewegliche Blöcke, die in
Y-Richtung durch die Y-richtungspiezoelektrischen Elemente
bewegbar sind, tragen jeweils X-Z-Richtungsbewegungsblöcke
und Y-Z-Richtungsbewegungsblöcke unter Zwischenlage von
jeweils ersten Z-richtungspiezoelektrischen Elementen und
zweiten Z-richtungspiezoelektrischen Elementen. Ein Mittel
block ist mit den X-Z- und Y-Z-Richtungsbewegungsblöcken
jeweils mit Hilfe von zweiten Y-richtungspiezoelektrischen
Elementen und zweiten X-richtungspiezoelektrischen Elemen
ten verbunden. Eine Sonde ist an dem Mittelblock durch ein
piezoelektrisches Steuerelement angebracht, das in Z-Rich
tung expandierbar und zusammenziehbar ist. Die ersten und
zweiten X-richtungspiezoelektrischen Elemente und die er
sten und zweiten Y-richtungspiezoelektrischen Elemente und
die ersten und zweiten Z-richtungspiezoelektrischen Ele
mente sind individuell expandierbar und zusammenziehbar und
zwar unter ein und denselben Bedingungen.
Wenn die ersten und zweiten Z-richtungspiezoelektrischen
Elemente expandiert werden oder sich zusammenziehen, wer
den die X-Z- und Y-Z-Richtungsbewegungsblöcke in Z-Rich
tung gleichzeitig bewegt sowie auch der Mittelblock, wo
durch bewirkt wird, daß die Sonde sich in Z-Richtung be
wegt. Somit kann die Sonde sehr nahe an eine Probenober
fläche gebracht werden, bis ein vorbestimmter Tunnelstrom
fließt.
Wenn unter den vorstehend genannten Bedingungen die ersten
und zweiten X-richtungspiezoelektrischen Elemente expan
diert werden oder sich zusammenziehen, bewegt sich der
Mittelblock in X-Richtung zusammen mit und um dieselbe
Größe wie die X- und X-Z-Richtungsbewegungsblöcke, wodurch
die Sonde in X-Richtung bewegt wird. Dies hat keinen Ein
fluß auf die Y- und Z-richtungspiezoelektrischen Elemente.
Durch Expandieren und Zusammenziehen der ersten und zwei
ten Y-richtungspiezoelektrischen Elemente ist es möglich,
die Sonde in Y-Richtung zu bewegen.
Auf diese Weise ist die Sonde genau in irgendeine der
X-, Y- und Z-Richtungen entsprechend den Erfordernissen
bewegbar.
Das piezoelektrische Steuerelement wird derart gesteuert,
daß der Tunnelstrom konstant gemacht wird, indem die Sonde
in X- und Y-Richtung bewegt wird, während die ersten und
zweiten Z-richtungspiezoelektrischen Elemente in einer vor
bestimmten Länge fixiert sind, so daß die Wellung einer
Probenoberfläche in der Größenordnung von der Steuerspannung
erfaßbar ist.
Die Sondenbewegungseinrichtung, die von den piezoelektri
schen Elementen und den Blöcken der vorstehend genannten
Art gebildet wird, ist so klein bemessen, daß sie in der
Probenkammer eines Rasterelektronenmikroskops untergebracht
werden kann. Darüber hinaus wird ein ausreichender Raum ober
halb der Sonde begrenzt, um zu ermöglichen, daß eine der
Spitze der Sonde zugewandte Probenoberfläche mit Hilfe eines
Rasterelektronenmikroskops betrachtet werden kann.
Eine Probenbewegungseinrichtung nach der Erfindung umfaßt
eine obere und untere Klemmeinrichtung, die jeweils piezo
elektrische Elemente haben, die in X- und Y-Richtungen an
geordnet sind. Die oberen und unteren Klemmeinrichtungen
sind über ein piezoelektrisches Element miteinander ver
bunden, das in Z-Richtung expandierbar und zusammenziehbar
ist. Wenn die X- und Y-richtungspiezoelektrischen Elemente
expandiert werden, ist die obere und untere Klemmeinrich
tung an einer Führung fixiert. Jedes der X- und Y-richtungs
piezoelektrischen Elemente weist zwei piezoelektrische Ele
mente auf, die in Gegenrichtungen zueinander expandierbar
und zusammenziehbar sind.
Eine Plattform ist entweder auf der oberen Klemmeinrich
tung oder der Führung vorgesehen. Wenn die Plattform an
der oberen Klemmeinrichtung vorgesehen ist, ist die Füh
rung an einem Grundteil fixiert und die oberen und unte
ren Klemmeinrichtungen sind längs der Führung bewegbar.
Wenn die Plattform bzw. der Tisch auf der Führung vorge
sehen ist, so ist die Führung bewegbar und die untere
Klemmeinrichtung ist an der Basis festgelegt.
Wenn die piezoelektrischen Elemente an der oberen Klemm
einrichtung expandiert werden, um die Klemmeinrichtung an
der Führung zu fixieren, während zugleich die piezoelek
trischen Elemente der unteren Klemmeinrichtung zusammen
gezogen werden und das Z-richtungspiezoelektrische Element
expandiert oder zusammengezogen wird, ändert sich die re
lative Position in der unteren Klemmeinrichtung und der
Führung. Wenn dann die untere Klemmeinrichtung an der Füh
rung fixiert wird, während zugleich die piezoelektrischen
Elemente an der oberen Klemmeinrichtung sich zusammenziehen
und das Z-richtungspiezoelektrische Element expandiert oder
zusammengezogen wird, ändert sich die relative Position
von oberer Klemmeinrichtung und Führung.
Der vorstehend genannte Verfahrensablauf wird wiederholt,
wenn die Führung fixiert ist, um die oberen und unteren
Klemmeinrichtungen längs der Führung zu bewegen, um hier
durch die Plattform bzw. den Tisch zu bewegen, der auf der
oberen Klemmeinrichtung vorgesehen ist. Wenn die untere
Klemmeinrichtung festgelegt ist, wird die Führung und so
mit der daran vorgesehene Schlitten bewegt. Die gesamte
Bewegungsgröße des Schlittens hängt von der Länge der Füh
rung ab. Somit hat der Schlitten einen ausreichenden Bewe
gungsweg, wenn man die Länge der Führung entsprechend ver
größert. Zusätzlich ist die Position des Schlittens mit
hoher Genauigkeit dadurch steuerbar, daß die Spannung ge
steuert wird, die an dem Z-richtungspiezoelektrischen Ele
ment anliegt.
Wenn unterschiedliche Spannungen an den paarweise vorge
sehenen X- oder Y-richtungspiezoelektrischen Elementen
an der oberen und unteren Klemmeinrichtung anliegen, wer
den die paarweise vorgesehenen piezoelektrischen Elemente
in unterschiedlichem Maße expandiert. Auf diese Weise
wird ermöglicht, daß der Schlitten mittels Feineinstellung
in X- oder Y-Richtung bewegbar ist, wobei die oberen und
unteren Klemmeinrichtungen an der Führung festgelegt sind.
Die Verwendung der piezoelektrischen Elemente für eine
Einrichtung zum Bewegen des Schlittens vermindert die Ab
messungen der Sondenbewegungseinrichtung und ferner wird
hierdurch ermöglicht, daß der Betrag und die Richtung der
Bewegung des Schlittens mittels Fernsteuerung gesteuert
werden kann.
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung
ergeben sich aus der nachstehenden Beschreibung von bevor
zugten Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die
Zeichnung. Darin zeigt
Fig. 1 eine Seitenansicht einer Probenkammer eines
Rasterelektronenmikroskops in Schnittansicht,
in der ein Rastertunnelmikroskop nach der Er
findung angeordnet ist,
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht einer Sondenbe
wegungseinrichtung, die im Elektronenmikroskop
nach Fig. 1 vorgesehen ist,
Fig. 3 eine Draufsicht auf die Sondenbewegungseinrich
tung,
Fig. 4 eine Schnittansicht längs der Linie IV-IV in
Fig. 3 zur Verdeutlichung der Sondenbewegungs
einrichtung,
Fig. 5 eine perspektivische Ansicht eines Beispiels
einer üblichen Sondenbewegungseinrichtung,
Fig. 6 eine perspektivische Ansicht zur Verdeutlichung
eines beweglichen Körpers einer Probenbewegungs
einrichtung, die in dem Mikroskop nach Fig. 1
vorgesehen ist,
Fig. 7 ein schematisches Schaltungsdiagramm für eine
Steuereinrichtung zum Steuern der piezoelektri
schen Elemente der Probenbewegungseinrichtung,
und
Fig. 8 eine perspektivische Ansicht zur Verdeutlichung
einer weiteren Ausbildungsform einer Probenbewe
gungseinrichtung nach der Erfindung.
Unter Bezugnahme auf Fig. 1 hat ein Rasterelektronenmikro
skop eine Probenkammer, in der sich ein Grundteil 10 be
findet. Das Grundteil 10 ist innerhalb einer X-Y-Ebene be
wegbar, die senkrecht zur Zeichenebene nach Fig. 1 ist
und der Antrieb erfolgt mit Hilfe einer Sondenpositionier
einstelleinrichtung, die aus zwei senkrecht zueinander an
geordneten Vorschubspindeleinrichtungen 12 und 14 besteht.
Auf dem Grundteil bzw. Basisteil 10 ist eine Probenbewegungs
einrichtung 16 angebracht, die von einer zylindrischen Füh
rung 18 und einem beweglichen Körper 20 gebildet wird, der
in der Führung 18 aufgenommen ist. Piezoelektrische Klemm
elemente 22 und 24 sind an einem stationären Teil eines
Gestells des Elektronenmikroskops angebracht und derart an
geordnet, daß sie die Führung 18 in irgendeiner gewünsch
ten Position in der X-Y-Ebene festlegen. Eine Plattform
bzw. ein Schlitten 16 ist auf der Oberseite des beweglichen
Körpers 20 vorgesehen, der eine Probe 28 darauf trägt.
Eine Sondenbewegungseinrichtung 30 ist an der oberen
Fläche der Führung 18 zur Feineinstellung der Position
einer Sonde 32 eines Rastertunnelmikroskops in X- und
Y-Richtung sowie in Z-Richtung angebracht, die senkrecht
zu den X- und Y-Richtungen ist. Die Einrichtung 30 wird
von einer Mehrzahl von piezoelektrischen Elementen gebil
det, die individuell expandierbar und zusammenziehbar in
den Richtungen X, Y und Z sind.
Die Sonde 32 befindet sich in einem Bereich, in dem ihre
Spitze durch einen Elektronenstrahl 36 über eine Objektiv
linse 34 eines Elektronenmikroskops bestrahlbar ist. Se
kundärelektronen 38 werden von der Probe 28 durch den Elek
tronenstrahl 36 freigesetzt und sie werden mit Hilfe eines
Sekundärelektrodendetektors 40 des Elektronenmikroskops de
tektiert.
Wie in den Fig. 2, 3 und 4 gezeigt ist, umfaßt die Sonden
bewegungseinrichtung 30 eine Basis 42, die im allgemeinen
eine viereckige Form hat. Blöcke 44, 46, 48 und 50 sind je
weils fest an einer der vier Ecken des Grundteils 42 an
gebracht. X-Richtungsbewegungsblöcke 52 und 54 sind beweglich
zwischen den festen Blöcken 44 und 50 und zwischen den festen
Blöcken 46 und 48 jeweils angeordnet, die individuell X-Rich
tungsseiten definieren. Der bewegliche Block 52 ist mit den
festen Blöcken 44 und 50 mit Hilfe von jeweils X-richtungs
piezoelektrischen Elementen X 1 und X 2 verbunden, die jeweils
in X-Richtung expandier- und zusammenziehbar sind. In ähnli
cher Weise ist der bewegliche Block 54 mit den festen Blöc
ken 46 und 48 jeweils mit Hilfe von X-richtungspiezoelektri
schen Elementen X 3 und X 4 verbunden, die in X-Richtung ex
pandierbar und zusammenziehbar sind. Alle diese piezoelek
trischen Elemente X 1 bis X 4 sind untereinander gleich und
an ihnen liegt derselbe Spannungspegel an. Jedoch ist die
an den piezoelektrischen Elementen X 1 und X 3 und die an den
piezoelektrischen Elementen X 2 und X 4 anliegende Spannung,
die jeweils den Elementen X 1 und X 3 benachbart sind, in
entgegengesetzter Richtung polarisiert. Wenn daher die
piezoelektrischen Elemente X 1 und X 3 expandiert werden,
ihre zugeordneten piezoelektrischen Elemente X 2 und X 4
sich um dieselbe Größe zusammenziehen, wird bewirkt, daß
sich die Blöcke 52 und 54 sich gleichzeitig um ein und die
selbe Größe bewegen. Insbesondere dienen die piezoelektri
schen Elemente X 1 und X 4 als erste X-richtungspiezoelektri
sche Elemente, die derart beschaffen und ausgelegt sind,
daß sich die beweglichen Blöcke 52 und 54 in X-Richtung be
wegen.
Y-Richtungsbewegungsblöcke 56 und 58, die jeweils in Y-
Richtung bewegbar sind, sind zwischen den festen Blöcken
44 und 46 und zwischen den festen Blöcken 48 und 50 je
weils angeordnet, die Y-Richtungsseiten definieren, die
senkrecht zu den vorstehend genannten X-Richtungsseiten
sind. Der bewegliche Block 56 ist mit den festen Blöcken
44 und 46 jeweils durch Y-richtungspiezoelektrische Ele
mente Y 1 und Y 2 verbunden, die in Y-Richtung expandierbar
und zusammenziehbar sind. Der andere bewegliche Block 58
ist mit den festen Blöcken 50 und 48 jeweils durch Y-rich
tungspiezoelektrische Elemente Y 3 und Y 4 verbunden. Diese
piezoelektrischen Elemente Y 1 bis Y 4 sind ähnlich wie X 1
bis X 4 untereinander gleich und an ihnen liegt der gleiche
Spannungspegel abgesehen vom Unterschied der Polarität an,
wie dies vorstehend im Zusammenhang mit den piezoelektri
schen Elementen X 1 bis X 4 erläutert worden ist. Wenn daher
die piezoelektrischen Elemente Y 1 und Y 3 expandiert werden,
ziehen sich ihre zugeordneten piezoelektrischen Elemente
Y 2 und Y 4 um dieselbe Größe zusammen. Auf diese Weise die
nen die piezoelektrischen Elemente Y 1 bis Y 4 als erste Y-
richtungspiezoelektrische Elemente, die derart beschaffen
und ausgelegt sind, daß sie die beweglichen Blöcke 56 und
58 gleichzeitig um dieselbe Bewegungsgröße in Y-Richtung
bewegen.
Erste Z-richtungspiezoelektrische Elemente Z 1 und Z 2 sind
jeweils an den X-Richtungsbewegungsblöcken 52 und 54 vor
gesehen und sie sind jeweils in Z-Richtung expandierbar
und zusammenziehbar, die senkrecht zu den Richtungen X
und Y ist. Zweite Z-richtungspiezoelektrische Elemente Z 3
und Z 4 sind jeweils an den Y-Richtungsbewegungsblöcken 56
und 58 angebracht und sie sind jeweils in Z-Richtung expan
dierbar und zusammenziehbar. Diese piezoelektrischen Ele
mente Z 1 bis Z 4 sind identisch zueinander ausgebildet und
an ihnen liegt dieselbe Spannung an und sie expandieren und
ziehen sich in Z-Richtung unter denselben Bedingungen zu
sammen, d. h. gleichzeitig und um dieselbe Größe.
An den Enden der ersten Z-richtungspiezoelektrischen Elemente
Z 1 und Z 2 sind jeweils X-Z-Richtungsbewegungsblöcke 60 und
62 angebracht und an den Enden der zweiten Z-richtungspiezo
elektrischen Elemente Z 3 und Z 4 sind jeweils Y-Z-Richtungs
bewegungsblöcke 64 und 66 angebracht. Bei dieser Auslegung
sind die beweglichen Blöcke 60 und 62 und die beweglichen
Blöcke 64 und 66 jeweils auf den beweglichen Blöcken 52 und
54 und den beweglichen Blöcken 56 und 58 gelagert und sie
werden jeweils durch die ersten Z-richtungspiezoelektrischen
Elemente Z 1 und Z 2 und die zweiten Z-richtungspiezoelektri
schen Elemente Z 3 und Z 4 unter denselben Bedingungen in Z-
Richtung bewegt.
Ein Mittelblock 68 ist zwischen den gegenüberliegenden X-Z-
Richtungsbewegungsblöcken 60 und 62 und zwischen den gegen
überliegenden Y-Z-Richtungsbewegungsblöcken 64 und 66 vor
gesehen. Der Mittelblock 68 ist mit den beweglichen Blöcken
64 und 66 jeweils durch die zweiten X-richtungspiezoelektri
schen Elemente X 5 und X 6 verbunden, die jeweils in X-Rich
tung verformbar sind und mit den beweglichen Blöcken 60 und
62 jeweils durch die zweiten Y-richtungspiezoelektrischen
Elemente Y 5 und Y 6 verbunden, die in Y-Richtung verformbar
sind. Die zweiten X-richtungspiezoelektrischen Elemente
X 5 und X 6 sind hinsichtlich des Aufbaus übereinstimmend
mit den ersten piezoelektrischen Elementen X 1 und X 2 und
X 3 und X 4 ausgelegt. Insbesondere sind die piezoelektri
schen Elemente X 5 und X 6 untereinander gleich. An dem Ele
ment X 5 liegt dieselbe Spannung wie an den Elementen X 1
und X 3 an und an dem Element X 6 liegt eine Spannung an,
die hinsichtlich des Pegels die gleiche wie jene Spannung
ist, die an dem Element X 5 anliegt, die aber die entgegen
gesetzte Polarität hat. Die zweiten Y-richtungspiezoelektri
schen Elemente Y 5 und Y 6 sind auf dieselbe Weise wie die
ersten piezoelektrischen Elemente Y 1 und Y 2 sowie jeweils
die Elemente Y 3 und Y 4 ausgelegt. Bei dieser Auslegung
wird der Mittelblock 68 in X-Richtung unter denselben Be
dingungen wie die X-Richtungsbewegungsblöcke 52 und 54 be
wegt und in Y-Richtung in derselben Richtung wie die Y-Rich
tungsbewegungsblöcke 56 und 58 bewegt. Ein piezoelektrisches
Steuerelement Z 0, das in Z-Richtung expandierbar und zusammen
ziehbar ist, ist an dem Mittelblock 68 angebracht. Die Sonde
32 ist mittels eines Halters 70 festgehalten, der an dem
Ende des piezoelektrischen Steuerelementes Z 0 angebracht
ist. Die Basis 42 ist in einer Öffnung 72 zur Aufnahme des
Schlittens bzw. der Plattform 26 versehen, auf die die Pro
be 28 gelegt ist.
Wenn bei der Sondenbewegungseinrichtung 30, die den vor
stehend genannten Aufbau hat, eine vorbestimmte Spannung
an die ersten und zweiten Z-richtungspiezoelektrischen Ele
mente Z 1 bis Z 4 angelegt wird, verformen sich die Elemente
Z 1 bis Z 4 jeweils um eine vorbestimmte Größe und sie bewegen
ihrerseits die X-Z-Richtungsbewegungsblöcke 60 und 62 und
die Y-Z-Richtungsbewegungsblöcke 64 und 66 in Z-Richtung um
dieselbe Bewegungsgröße. Eine solche Bewegung in Z-Richtung
hat daher keinen Einfluß auf die X- und Y-richtungspiezoelek
trischen Elemente, d. h. die zweiten X-piezoelektrischen Ele
mente X 5 und X 6 und die zweiten Y-richtungspiezoelektrischen
Elemente Y 5 und Y 6 werden parallel zu den ersten X-rich
tungspiezoelektrischen Elementen X 1 bis X 4 und den ersten
Y-richtungspiezoelektrischen Elementen Y 1 bis Y 4 jeweils
gehalten. Als Folge hiervon wird der Mittelblock 68 in Z-
Richtung zusammen mit den X-Z-Richtungsbewegungsblöcken 60
und 62 und den Y-Z-Richtungsbewegungsblöcken 64 und 66 be
wegt, so daß die Position der Sonde 32 in Z-Richtung, d. h.
in Richtung der Höhe, verändert wird.
Wenn man annimmt, daß eine vorbestimmte Spannung an den er
sten und zweiten X-piezoelektrischen Elementen X 1 bis X 6
anliegt und die Sonde 32 in einer gewünschten Höhe wie vor
stehend angegeben, gehalten wird, und dann die piezoelek
trischen Elemente X 1, X 3 und X 5 beispielsweise um eine vor
bestimmte Größe expandiert werden und die anderen piezoelek
trischen Elemente X 2, X 4 und X 6 sich um dieselbe Größe zu
sammenziehen, so wird bewirkt, daß hierbei die X-Richtungs
bewegungsblöcke 52 und 54 und der Mittelblock 68 um dieselbe
Größe in X-Richtung bewegt werden. Die X-Z-Richtungsbewegungs
blöcke 60 und 62 werden ebenfalls der Bewegung der bewegli
chen Blöcke 52 und 54 jeweils folgend bewegt. Hierdurch wer
den die Y- und Z-Richtungen in keiner Weise beeinflußt. Auf
diese Weise wird die Sonde 32 um eine vorbestimmte Größe in
X-Richtung bewegt. Wenn in ähnlicher Weise eine vorbestimmte
Spannung an den ersten und zweiten Y-richtungspiezoelektri
schen Elementen Y 1 bis Y 6 anliegt, wird die Sonde 32 in Y-
Richtung um einen vorbestimmten Betrag bewegt.
Aus dem vorstehenden ergibt sich, daß die Sonde 32 die X-Y-
Ebene dadurch abtasten kann, daß in entsprechender Weise die
Spannung variiert wird, die an den X-richtungspiezoelektri
schen Elementen X 1 bis X 6 anliegt und jene, die an den Y-
richtungspiezoelektrischen Elementen Y 1 bis Y 6 anliegt.
Die Sondenbewegungseinrichtung 30 der vorstehend gezeig
ten und beschriebenen Art kann kleiner als 2,5 cm an je
der Seite ausgelegt sein, wenn der Abtastbereich in der
Größenordnung von 1 Mikrometer ist und sich um 1 Mikrome
ter ändert. Daher ist, wie in Fig. 1 gezeigt ist, die
Einrichtung 30 so ausreichend klein, daß sie in der Proben
kammer des Rasterelektronenmikroskops aufgenommen werden
kann. Die Blöcke 44 bis 68 und das Grundteil 42 können je
weils aus Aluminium oder einer ähnlichen Leichtmetallegie
rung hergestellt sein, um das Gesamtgewicht der Einrichtung
30 zu reduzieren und daher die spezifische Schwingungsfre
quenz auf bis zu etwa 20 kHz zu erhöhen. Eine derartig hohe
spezifische Schwingungsfrequenz der Einrichtung 30 würde
ermöglichen, daß eine Antioszillationseinrichtung des Elek
tronenmikroskops den Einfluß von extern einwirkenden Vibra
tionen unterdrücken kann, ohne daß eine gesonderte Einrich
tung hierfür vorgesehen sein muß. Da ferner die Probenkammer
des Elektronenmikroskops evakuiert ist, kann durch Anordnen
der Einrichtung 30 in der Probenkammer der Wärmeeinfluß der
Sonde 32 effektiv eliminiert werden.
Das Grundteil der Sondenbewegungseinrichtung 30 ist an der
Oberseite der zylindrischen Führung 18 der Probenbewegungs
einrichtung 16 angebracht. Die Auslegung ist derart getrof
fen, daß der Elektronenstrahl 36, der von der Objektivlinse
34 des Elektronenmikroskops kommt, auf die Oberfläche der
Probe 28 in der Nähe der Spitze der Sonde 32, von oben her
von den festen Blöcken 44 bis 50 der Einrichtung 30 gesehen,
auftrifft und in irgendeinen der Räume geht, die zwischen
den zweiten X-richtungspiezoelektrischen Elementen X 5 und X 6
und den zweiten Y-richtungspiezoelektrischen Elementen Y 5
und Y 6 definiert werden und zwar derart, daß die Sekundär
elektronen 38, die von der Probe 28 freigesetzt werden, den
Sekundärelektronendetektor 40 über den Raum erreichen, der
dem vorstehend genannten Raum gegenüberliegt. Diese Räume
sind fest vorbestimmt, da die X-richtungspiezoelektrischen
Elemente X 5 und X 6 und die Y-richtungspiezoelektrischen Ele
mente Y 5 und Y 6 kreuzweise einfach miteinander verknüpft
sind.
Im Gegensatz hierzu, wie in Fig. 5 gezeigt ist, enthält
eine übliche Sondenbewegungseinrichtung sechs X-richtungs
piezoelektrische Elemente X′ 1 bis X′ 6 und sechs Y-rich
tungspiezoelektrische Elemente Y′ 1 bis Y′ 6, die in Gitter
konfiguration angeordnet sind. Eine Sonde 32′ ist auf einem
Mittelblock 68′ unter Zwischenlage eines Z-richtungssteuer
piezoelektrischen Elementes Z′ 0 gelagert. Die gesamte An
ordnung wird durch vier Z-richtungspiezoelektrische Elemente
Z′ 1 bis Z′ 4 gestützt. Bei einer solchen Auslegung sind Räume
für die Ausbreitung eines Elektronenstrahls von einem Elek
tronenmikroskop und für die Ausbreitung der Sekundärelektro
nen von einer Probe nicht verfügbar.
Wie in Fig. 1 gezeigt ist, ist die Führung 18 der Proben
bewegungseinrichtung 16 fest mit der Basis 10 verbunden.
Wie in Fig. 6 gezeigt ist, enthält der bewegliche Körper
20, der in der Führung 18 untergebracht ist, eine obere
Klemmeinrichtung 74 und eine untere Klemmeinrichtung 76,
die jeweils eine scheibenähnliche Auslegung haben. Auf der
oberen Klemmeinrichtung 74 erstrecken sich erste piezoelek
trische Elemente X 11 und X 12 von den gegenüberliegenden Sei
ten in X-Richtung weg und zweite piezoelektrische Elemente
Y 11 und Y 12 erstrecken sich von den gegenüberliegenden Sei
ten in Y-Richtung weg. Die ersten piezoelektrischen Elemente
X 11 und X 12 sind in Gegenrichtung zueinander auf einer Linie
expandierbar und zusammenziehbar, die in X-Richtung verläuft,
während die zweiten piezoelektrischen Elemente Y 11 und Y 12
in Gegenrichtung zueinander auf einer Linie verformbar sind,
die in Y-Richtung verläuft. An der unteren Klemmeinrichtung
76 sind dritte piezoelektrische Elemente X 13 und X 14 ange
bracht, die ähnlich den piezoelektrischen Elementen X 11 und
X 12 ausgelegt sind und vierte piezoelektrische Elemente Y 13
und Y 14, die ähnlich wie die piezoelektrischen Elemente Y 11
und Y 12 ausgelegt sind.
Wenn bei der vorstehend beschriebenen Auslegungsform die
ersten und zweiten piezoelektrischen Elemente X 11 und X 12
und Y 11 und Y 12 expandiert werden, werden sie gegen den
Innenumfang der Führung 18 gedrückt, um die obere Klemm
einrichtung 74 an der Führung 18 festzulegen. Wenn in ähn
licher Weise die dritten und vierten piezoelektrischen Ele
mente X 13 und X 14 und Y 13 und Y 14 expandiert werden, werden
sie gegen den Innenumfang der Führung 18 gedrückt, um die
untere Klemmeinrichtung 76 fest mit der Führung 18 zu ver
binden. Wenn alle piezoelektrischen Elemente X 11 bis X 14
und Y 11 bis Y 14 sich zusammenziehen, können sich die Klemm
einrichtungen 74 und 76 frei nach oben und unten relativ
zur Führung 18 bewegen.
Unter Bezugnahme auf Fig. 7 ist eine Steuereinrichtung zum
Anlegen einer Spannung an die piezoelektrischen Elemente X 11
bis X 14 und Y 11 bis Y 14 in Form einer schematischen Schal
tung gezeigt. Wie gezeigt ist, liegt ein Potential von +V
über einen Schalter S x 1 an dem positiven Anschluß des ersten
piezoelektrischen Elementes X 11 an, während zugleich ein
Potential von -V über einen Schalter S x 2 an dem negativen
Anschluß des anderen ersten piezoelektrischen Elementes X 12
anliegt. Ein Feineinstellungsbewegungssteuerpotential Δ V x
liegt an dem negativen Anschluß des piezoelektrischen Elemen
tes X 11 an und an dem positiven Anschluß des piezoelektrischen
Elementes X 12. Das Steuerpotential Δ V x ist innerhalb eines
vorbestimmten Bereiches variabel, dessen Mittelwert Null ist.
Somit liegen Spannungen V - Δ V x und V + Δ V x an den piezo
elektrischen Elementen X 11 und X 12 jeweils an.
Die zweiten piezoelektrischen Elemente Y 11 und Y 12, die
dritten piezoelektrischen Elemente X 13 und X 14 und die vier
ten piezoelektrischen Elemente Y 13 und Y 14 sind auf dieselbe
Weise wie die piezoelektrischen Elemente X 11 und X 12 ge
schaltet. Das gleiche Feineinstellungsbewegungssteuerpoten
tial Δ V x , wie an den piezoelektrischen Elementen X 11 und
X 12 liegt an den piezoelektrischen Elementen X 13 und X 14 an.
Ein Feineinstellungsbewegungssteuerpotential Δ V y , das
an den piezoelektrischen Elementen Y 11 und Y 12 anliegt,
liegt an den piezoelektrischen Elementen Y 13 und Y 14
ebenfalls an. Ferner werden die Schalter S y 1 und S y 2,
die den piezoelektrischen Elementen Y 11 und Y 12 zugeord
net sind, jeweils durch ein und dasselbe Steuersignal u 1
geöffnet und geschlossen und zwar wie jenes, das die
Schalter S x 1 und S x 2 öffnet und schließt. Die Schalter
S x 3 und S x 4, die den jeweiligen piezoelektrischen Elemen
ten X 13 und X 14 zugeordnet sind und die Schalter S y 3 und
S y 4, die den piezoelektrischen Elementen Y 13 und Y 14 je
weils zugeordnet sind, werden mit ein und demselben Steuer
signal u 2 geöffnet und geschlossen.
Wie in den Fig. 1 und 6 gezeigt ist, sind die obere
Klemmeinrichtung 74 und die untere Klemmeinrichtung 76 mit
einander durch ein fünftes piezoelektrisches Element Z 11
verbunden, das in Z-Richtung verformbar ist. Eine Steuer
spannung von der Steuereinrichtung wird an das piezoelek
trische Element Z 11 zu einer vorgegebenen Zeit relativ zu
einem Zeitpunkt der Spannungsanlegung an die piezoelektri
schen Elemente X 11, X 12, Y 11 und Y 12 oder jener der Span
nungsanlegung an die piezoelektrischen Elemente X 13, X 14,
Y 13 und Y 14 angelegt.
Der Schlitten bzw. die Plattform 26 für die Auflage der
Probe 28 ist an der Oberseite der oberen Klemmeinrichtung
74 vorgesehen. Beim Arbeiten zum Betrachten der Probe 28
wird die Probe auf den Schlitten 26 gelegt, wobei der be
wegliche Körper 20 der Probenbewegungseinrichtung 16 abge
senkt wird. Dann werden die Schalter S x 1, S x 2, S y 1 und S y 2
geöffnet und die Schalter S x 3, S x 4, S y 3 und S y 4 werden ge
schlossen. Zu diesem Zeitpunkt werden beide Feineinstellungs
bewegungssteuerpotentiale Δ V x und Δ V y zu Null gemacht. So
mit ziehen sich die ersten und zweiten piezoelektrischen
Elemente X 11, X 12, Y 11 und Y 12 zusammen, während zugleich
die dritten und vierten piezoelektrischen Elemente X 13,
X 14, Y 13 und Y 14 expandiert werden. Als Folge hiervon läßt
sich die obere Klemmeinrichtung 74 frei bewegen und die
untere Klemmeinrichtung 76 ist an der Führung 18 festge
legt. Dann wird eine Spannung an das fünfte piezoelektri
sche Element Z 11 angelegt, das sich dann expandiert, um
die obere Klemmeinrichtung 74 anzuheben. Im Anschluß daran
werden die Schalter S x 1, S x 2, S y 1 und S y 2 geschlossen, wäh
rend zugleich die Schalter S x 3, S x 4, S y 3 und S y 4 geöffnet
werden. Hierdurch wird bewirkt, daß sich die ersten und
zweiten piezoelektrischen Elemente X 11, X 12, Y 11 und Y 12
expandieren, so daß die obere Klemmeinrichtung 74 an der
Führung 18 festgelegt ist, während bewirkt wird, daß die
dritten und vierten piezoelektrischen Elemente X 13, X 14,
Y 13 und Y 14 sich zusammenziehen, um zu erreichen, daß die
untere Klemmeinrichtung 76 frei bewegbar ist. Unter diesen
Umständen wird die an das piezoelektrische Element Z 11 an
gelegte Spannung unterbrochen, wodurch sich das Element Z 11
zusammenzieht, um die untere Klemmeinrichtung 76 anzuheben.
Dann wird die untere Klemmeinrichtung 76 an der Führung 18
wiederum festgelegt, und zugleich wird die obere Klemmein
richtung 74 freigegeben. Im Anschluß daran expandiert sich
das piezoelektrische Element Z 11, um die obere Klemmeinrich
tung 74 wieder anzuheben.
Der vorstehend genannte Ablauf wird wiederholt, um sequen
tiell den Schlitten 26 und somit die Probe 28 in Richtung
der Sonde 32 zu heben. Die an dem piezoelektrischen Ele
ment Z 11 angelegte Spannung ist beispielsweise niedrig,
damit sie zum anderen die Expansions- oder Kontraktions
größe des Elementes Z 11 klein halten kann, um eine Feinein
stellung zu bewirken.
Wenn die Oberfläche der Probe 28 eine Position erreicht,
an der sie durch das Elektronenmikroskop beobachtet werden
kann, werden alle piezoelektrischen Elemente X 11 bis X 14
und Y 11 bis Y 14 expandiert, um die obere und untere
Klemmeinrichtung 74 und 76 jeweils an der Führung 18 fest
zulegen. Die Probe 28 kann dann durch das Elektronenmikro
skop betrachtet werden.
Um die Betrachtungsposition der Probe 28 zu verändern,
wird das Grundteil 10 des Elektronenmikroskops in der X-Y-
Ebene bewegt, um den Schlitten 26 in dieser Ebene zu bewe
gen.
Wenn es erwünscht ist, die Probe 28 während der Betrachtung
weiter zu vergrößern, wird das Grundteil 10 derart positio
niert, daß der Teil der zu betrachtenden Probe 28 im wesent
lichen mit der Spitze der Sonde 32 fluchtet und dann werden
die zur Klemmung dienenden piezoelektrischen Elemente 22
und 24 betätigt, um die Führung 18 an Ort und Stelle festzu
legen. Im Anschluß daran wird die Steuerspannung Δ V x , die
an den ersten und dritten piezoelektrischen Elementen X 11
bis X 14 anliegt und die Steuerspannung Δ V y , die an den zwei
ten und vierten piezoelektrischen Elementen Y 11 bis Y 14 an
liegt, in entsprechender Weise geändert, so daß sich die
ersten und dritten piezoelektrischen Elemente X 11 und X 13
und die anderen ersten und dritten piezoelektrischen Ele
mente X 12 und X 13 um unterschiedliche Beträge zueinander ex
pandieren. Anschließend werden die zweiten und vierten piezo
elektrischen Elemente Y 11 und Y 13 und die anderen zweiten
und vierten piezoelektrischen Elemente Y 12 und Y 14 in ent
sprechender Weise beaufschlagt. Als Folge hiervon wird der
Schlitten 26 unter Ausführung einer Feineinstellbewegung in
der X-Y-Ebene bewegt, wobei die oberen und unteren Klemm
einrichtungen 74 und 76 an der Führung 18 festgelegt sind.
Auf diese Weise kann ein spezieller Teil der Probe 28, der
zu vergrößern ist, genau an der Spitze der Sonde 32 positio
niert werden.
Unter den vorstehend genannten Bedingungen liegt ein Vor
belastungsstrom an der Sonde 32 und der Probe 28 an, um
zu bewirken, daß ein Tunnelstrom zwischen diesen fließt.
Dann wird eine Spannung an die Z-richtungspiezoelektrischen
Elemente Z 1 bis Z 4 der Sondenbewegungseinrichtung 30 ange
legt, um die Position der Sonde 32 in Z-Richtung derart fein
einzustellen, daß der Tunnelstrom sich auf einem vorbestimm
ten Wert einpendelt. Anschließend wird die Sonde 32 in der
X-Y-Ebene bewegt, wobei ihre Position zu diesem Zeitpunkt
als Mittelpunkt verwendet wird, um hierbei die Oberfläche
der Probe 28 abzutasten. Dies wird dadurch bewirkt, daß ent
sprechende Abtastspannungen an die X-richtungspiezoelektri
schen Elemente X 1 bis X 6 und die Y-richtungspiezoelektrischen
Elemente Y 1 bis Y 6 der Sondenbewegungseinrichtung 30 ange
legt werden. Während des Abtastvorganges wird eine Steuer
spannung an das piezoelektrische Steuerelement Z 0 angelegt,
so daß der zwischen der Sonde 32 und der Probe 28 fließende
Tunnelstrom konstant bleibt. Wenn diese Steuerspannung und
die Abtastspannungen, die an den piezoelektrischen Elementen
X 1 bis X 6 und Y 1 bis Y 6 angelegt sind, mit Hilfe eines geeig
neten Bildprozessors verarbeitet werden, der nicht gezeigt
ist, läßt sich ein durch das Tunnelmikroskop betrachtetes
Bild erzeugen.
Wie vorstehend beschrieben worden ist, kann dieselbe Posi
tion derselben Probe sowohl durch ein Rasterelektronenmi
kroskop als auch durch ein Rastertunnelmikroskop betrachtet
werden. Die in den Fig. 1 und 6 gezeigte Probenbewegungs
einrichtung 16 ist vorteilhaft dahingehend, daß der Schlit
ten 26 in Z-Richtung über eine beträchtliche Strecke beweg
bar ist, die der Länge der Führung 18 entspricht und daß die
Position der Probe 28 in Z-Richtung in einem solchen Ausmaß
steuerbar ist, daß ein Tunnelstrom zwischen der Sonde 32
und der Probe 28 fließt, d. h, daß eine Erfassung in Größen
ordnung von Nanometer möglich ist. Die Position der Probe 28
in X-Richtung und Y-Richtung ist ebenfalls fein regelbar in
der Größenordnung von Nanometer. Da ferner die Führung 18
zylindrisch ist und die oberen und unteren Klemmeinrich
tungen 74 und 76 scheibenförmig sind, können sie mit hoher
Genauigkeit bearbeitet werden, um eine genaue Positions
steuerung zu ermöglichen. Da ferner die zylindrische Füh
rung 18 in dem beweglichen Körper 20 aufgenommen ist, läßt
sich die Gesamtauslegung der Einrichtung 16 mit kleinen Bau
abmessungen ausbilden.
Unter Bezugnahme auf Fig. 8 wird eine alternative Ausle
gungsform der Probenbewegungseinrichtung gezeigt. In
Fig. 8 weist die Probenbewegungseinrichtung 80 eine säulen
förmige Führung 82 und eine ringförmige obere Klemmeinrich
tung 84 sowie eine ringförmige untere Klemmeinrichtung 86
auf, die jeweils die Führung 82 umgeben. Zwei erste piezo
elektrische Elemente X 21 und X 22 stehen von dem inneren Um
fang der oberen Klemmeinrichtung 84 auf einer Linie vor,
die in X-Richtung verläuft. In ähnlicher Weise stehen zwei
zweite piezoelektrische Elemente Y 21 und Y 22 von dem inneren
Umfang der oberen Klemmeinrichtung 84 auf einer Linie vor,
die in Y-Richtung geht. Diese piezoelektrischen Elemente X 21,
X 22, Y 21 und Y 22 sind gleichzeitig in Richtung auf die Füh
rung 82 und von dieser weg verformbar, die sich in der Mitte
befindet. Insbesondere wenn diese sich expandieren, werden
diese an der Führung 82 festgelegt und wenn sie sich zusammen
ziehen, werden sie von der Führung 82 gelöst, so daß sie
frei bewegbar sind. An der unteren Klemmeinrichtung 86 sind
dritte piezoelektrische Elemente X 23 und X 24 vorgesehen,
die ähnlich wie die piezoelektrischen Elemente X 21 und X 22
ausgelegt sind und ferner sind vierte piezoelektrische Ele
mente Y 23 und Y 24 vorgesehen, die ähnlich den piezoelektri
schen Elementen Y 21 und Y 22 ausgelegt sind. Die oberen und
unteren Klemmeinrichtungen 84 und 86 sind jeweils über eine
Mehrzahl von (bei dieser Ausbildungsform zwei) fünften piezo
elektrischen Elementen Z 21 und Z 22 verbunden, die in Z-Rich
tung verformbar sind.
Die untere Klemmeinrichtung 86 ist fest mit dem Grund
teil 10 verbunden. Die Führung 82 ist bewegbar und hat
eine obere Fläche, die als Schlitten 26 dient. Der rest
liche Teil der Auslegungsform entspricht im wesentlichen
der Auslegungsform nach den Fig. 1, 6 und 7, abgesehen
davon, daß bei der Auslegung nach Fig. 8 die Sondenbewe
gungseinrichtung 30 von der Basis 10 mittels eines Trägers
gestützt ist, der hängend an der Führung 82 angebracht ist.
Bei der Probenbewegungseinrichtung 80 ziehen sich die
piezoelektrischen Elemente X 21, X 22, Y 21 und Y 22 an der
oberen Klemmeinrichtung 84 zusammen, um die Klemmeinrich
tung 84 freizugeben und zugleich expandieren sich die piezo
elektrischen Elemente X 23, X 24, Y 23 und Y 24 an der unteren
Klemmeinrichtung 86, um die Klemmeinrichtung 86 an der Füh
rung 82 festzulegen. Dann ziehen sich die piezoelektrischen
Elemente Z 21 und Z 22 zusammen, so daß die obere Klemmein
richtung 82 abgesenkt wird, wobei die Führung 82 unbeweg
lich bleibt. Im Anschluß daran wird die obere Klemmeinrich
tung 84 an der Führung 82 festgelegt, während zugleich die
untere Klemmeinrichtung 86 von der Führung 82 freikommt.
Im Anschluß daran expandieren sich die piezoelektrischen
Elemente Z 21 und Z 22, um die obere Klemmeinrichtung 84 und
hierdurch die Führung 82 anzuheben. Der vorstehend beschrie
bene Arbeitsablauf wird wiederholt, um den Schlitten 26 um
einen beträchtlichen Betrag zu heben, wie bei den Ausbil
dungsformen nach den Fig. 1 und 6. Die an die piezoelek
trischen Elemente Z 21 und Z 22 angelegte Spannung ist zur
Feineinstellung der Position des Schlittens 26 in Z-Rich
tung steuerbar. Wenn man ferner unterschiedliche Spannungen
an die X-richtungspiezoelektrischen Elemente X 21 und X 22
und die piezoelektrischen Elemente X 22 und X 24 und unter
schiedliche Spannungen an die Y-richtungspiezoelektrischen
Elemente Y 21 und Y 23 und die piezoelektrischen Elemente Y 22
und Y 24 anlegt, so kann man die Position des Schlittens 26
in den X- und Y-Richtungen fein einstellen.
Die Probenbewegungseinrichtung 80 der vorstehend be
schriebenen Art macht es überflüssig, die Führung 82
mit einer beträchtlichen Länge an der Basis 10 festzu
legen, so daß man eine Verminderung des Gewichts ober
halb der Basis erhält. Hierdurch läßt sich in effektiver
Weise der begrenzte zur Verfügung stehende Raum in der
Probenkammer eines Rasterelektronenmikroskops ausnutzen.
Da die Klemmeinrichtungen 84 und 86 und die piezoelektri
schen Elemente X 21 bis X 24, Y 21 bis Y 24 und Z 21 und Z 22
von der Basis 20 getragen werden, läßt sich das Verhältnis
der Freiheit hinsichtlich der Auslegung und unter Berück
sichtigung des Gewichts verbessern. Die Führung 26 kann
aus Aluminium oder einer ähnlichen Leichtmetallegierung be
stehen, um eine gleichförmige Bewegung zu erzielen und hier
durch eine Genauigkeit bei der Positionssteuerung zu ermög
lichen.
Die Probenbewegungseinrichtung 16 oder 80 ist nicht nur in
Verbindung mit einem Rastertunnelmikroskop, das in einem
Rasterelektronenmikroskop eingebaut ist, verwendbar, sondern
sie ist auch unabhängig bei einem Rasterelektronenmikroskop
oder einem unabhängigen Tunnelmikroskop anwendbar. Ferner
ist die Einrichtung 16 oder 80 auch bei verschiedenen ande
ren Präzisionsmeßinstrumenten anwendbar, bei denen es sich
um andere Instrumente als Mikroskope handelt.
Selbst bei der Ausbildungsform nach den Fig. 1 und 6,
bei der die Klemmeinrichtungen 74 und 76 in der Führung 18
aufgenommen sind, kann eine solche Auslegung getroffen wer
den, daß die Führung 18 bewegbar ist, die untere Klemmein
richtung 76 an der Basis festgelegt ist und der Schlitten 86
auf der Führung 18 vorgesehen ist, wie dies bei der Ausbil
dungsform nach Fig. 8 der Fall ist. Umgekehrt kann bei der
Ausbildungsform nach Fig. 8, bei der die Führung 82 in den
Klemmeinrichtungen 84 und 86 aufgenommen ist, die Führung 82
fest mit der Basis 10 verbunden sein, wobei sich die Klemm
einrichtungen 84 und 86 längs der Führung 82 bewegen, wie dies
bei der Ausbildungsform nach den Fig. 1 und 6 der Fall ist.
Zusammenfassend gibt die Erfindung ein Rastertunnelmikro
skop an, bei dem in einer Probenkammer eines Rasterelek
tronenmikroskops eine Sonde vorgesehen ist, die feinein
stellbar an der Oberfläche einer Probe bewegbar ist, wo
bei eine Sondenbewegungseinrichtung vorgesehen ist und die
Probe in einem solchen Bereich angeordnet ist, die von
einem Elektronenstrahl bestrahlt wird, der von dem Elektro
nenmikroskop kommt. Ein Elektronenmikroskopbild erhält man
dadurch, daß der Elektronenstrahl die Probenoberfläche ab
tastet, und ein Tunnelmikroskopbild erhält man durch Bewe
gen der Sonde. Die Sondenbewegungseinrichtung ist mit einer
Betätigungseinrichtung ausgestattet, die X-, Y- und Z-rich
tungspiezoelektrische Elemente hat. Ein mit einer Probe zu
beschickender Tisch ist in Z-Richtung bewegbar und zwar mit
Hilfe einer Handspindelbewegungseinrichtung, die zur Betä
tigung piezoelektrische Elemente verwendet.
Claims (8)
1. Rastertunnelmikroskop, das in ein Rasterelektronenmikro
skop eingebaut ist, gekennzeichnet durch:
einen Tisch (26), der in einer Probenkammer des Elektro nenmikroskops zur Aufnahme einer Probe (28) aufgenommen ist,
eine Sonde (32), die sich in der Nähe einer Oberfläche der Probe (28) befindet, die auf den Tisch (26) gelegt ist, um einen Tunnelstrom zu detektieren, der zwischen der Oberfläche der Probe (28) und der Sonde (32) fließt,
eine Sondenbewegungseinrichtung (30), die eine Feinbe wegung der Sonde (32) in einer X-Y-Ebene ermöglicht, die im wesentlichen parallel zur Oberfläche der Probe (28) ist, sowie in eine Z-Richtung, die senkrecht zu der X-Y-Ebene ist, und
einen Bildprozessor zur Bildverarbeitung eines Steuer signals in Verbindung mit der Sondenbewegungseinrich tung (30),
wobei der Bereich der Oberfläche der Probe (28), der einer Spitze der Sonde (32) zugewandt ist, mit einem Elektro nenstrahl (36) bestrahlt wird, der von einer Objektiv linse (34) des Elektronenmikroskops kommt.
einen Tisch (26), der in einer Probenkammer des Elektro nenmikroskops zur Aufnahme einer Probe (28) aufgenommen ist,
eine Sonde (32), die sich in der Nähe einer Oberfläche der Probe (28) befindet, die auf den Tisch (26) gelegt ist, um einen Tunnelstrom zu detektieren, der zwischen der Oberfläche der Probe (28) und der Sonde (32) fließt,
eine Sondenbewegungseinrichtung (30), die eine Feinbe wegung der Sonde (32) in einer X-Y-Ebene ermöglicht, die im wesentlichen parallel zur Oberfläche der Probe (28) ist, sowie in eine Z-Richtung, die senkrecht zu der X-Y-Ebene ist, und
einen Bildprozessor zur Bildverarbeitung eines Steuer signals in Verbindung mit der Sondenbewegungseinrich tung (30),
wobei der Bereich der Oberfläche der Probe (28), der einer Spitze der Sonde (32) zugewandt ist, mit einem Elektro nenstrahl (36) bestrahlt wird, der von einer Objektiv linse (34) des Elektronenmikroskops kommt.
2. Mikroskop nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß der Tisch (26) in der X-Y-Ebene bewegbar ist
und durch eine Probenpositionseinstelleinrichtung (16)
des Elektronenmikroskops angetrieben ist.
3. Mikroskop nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich
net, daß der Tisch (26) in Z-Richtung bewegbar ist und
durch eine Probenbewegungseinrichtung (16; 12, 14) ange
trieben ist, die an der Probenpositioniereinstelleinrich
tung (16) angebracht ist.
4. Sondenbewegungseinrichtung für ein Abtastelektronenmikro
skop, gekennzeichnet durch:
vier feste Blöcke (44, 46, 48, 50), die jeweils fest mit einer Basis (42) an einer der vier Ecken eines Vierecks verbunden ist, das Seiten hat, die in X-Richtung verlau fen, und das Seiten hat, die in Y-Richtung senkrecht zur X-Richtung verlaufen,
X-Richtungsbewegungsblöcke (52, 54), die jeweils an einer der zugeordneten X-Richtungsseiten zwischen den festen Blöcken (44 bis 50) vorgesehen sind und die in X-Richtung mittels ersten X-richtungspiezoelektrischen Elementen (X 1, X 2) bewegbar sind, die mit den festen Blöcken verbunden sind und in X-Richtung expandierbar und zusammenziehbar sind,
Y-Richtungsbewegungsblöcke (56, 58), die jeweils an einer der zugeordneten Y-Richtungsseiten zwischen den festen Blöcken (44 bis 50) vorgesehen und in Y-Richtung mittels ersten Y-richtungspiezoelektrischen Elementen (Y 1, Y 2) bewegbar sind, die mit den festen Blöcken ver bunden und in Y-Richtung expandierbar und zusammenzieh bar sind,
X-Z-Richtungsbewegungsblöcke (60, 62), die jeweils von einem der zugeordneten X-Richtungsbewegungsblöcke mit tels eines ersten Z-richtungspiezoelektrischen Elementes (Z 1) getragen sind, das in einer Z-Richtung senkrecht zu der X- und Y-Richtung expandier- und zusammenziehbar ist und das in Z-Richtung durch das erste Z-richtungspiezo elektrische Element (Z 1) bewegbar ist,
Y-Z-Richtungsbewegungsblöcke, die jeweils von einem der zugeordneten Y-Richtungsbewegungsblöcke mittels eines Z-richtungspiezoelektrischen Elementes (Z 2) getragen werden, das in Z-Richtung unter denselben Bedingungen wie das erste Z-richtungspiezoelektrische Element (Z 1) expandierbar und zusammenziehbar ist und das in Z-Rich tung durch das zweite Z-richtungspiezoelektrische Ele ment (Z 2) bewegbar ist, und
einen Mittelblock (68), der mit den Y-Z-Richtungsbewe gungsblöcken (64, 66) durch zweite X-richtungspiezoelek trische Elemente (X 5, X 6) verbunden ist, die in X-Rich tung unter denselben Bedingungen wie die ersten X- richtungspiezoelektrischen Elemente expandierbar und zusammenziehbar sind, und mit den X-Z-Bewegungsblöc ken (60, 62) durch zweite Y-richtungspiezoelektrische Elemente (Y 5, Y 6) verbunden ist, die in Y-Richtung unter denselben Bedingungen wie die ersten Y-richtungs piezoelektrischen Elemente expandierbar und zusammenzieh bar sind,
wobei der Mittelblock (68) mit einer Sonde (32) zum Detektieren eines Tunnelstromes versehen ist, der zwi schen der Sonde (32) und einer Oberfläche einer Probe (28) fließt, die Sonde (32) selektiv in der X-Y-Ebene durch Anlegen von Abtastspannungen an die X-richtungs- und Y-richtungspiezoelektrischen Elemente um eine Strecke zwischen der Sonde (32) und der Oberfläche der Probe (28) bewegbar ist, die durch Anlegen einer Steuerspannung (Δ V z ) an die Z-richtungspiezoelektrischen Elemente ein stellbar ist.
vier feste Blöcke (44, 46, 48, 50), die jeweils fest mit einer Basis (42) an einer der vier Ecken eines Vierecks verbunden ist, das Seiten hat, die in X-Richtung verlau fen, und das Seiten hat, die in Y-Richtung senkrecht zur X-Richtung verlaufen,
X-Richtungsbewegungsblöcke (52, 54), die jeweils an einer der zugeordneten X-Richtungsseiten zwischen den festen Blöcken (44 bis 50) vorgesehen sind und die in X-Richtung mittels ersten X-richtungspiezoelektrischen Elementen (X 1, X 2) bewegbar sind, die mit den festen Blöcken verbunden sind und in X-Richtung expandierbar und zusammenziehbar sind,
Y-Richtungsbewegungsblöcke (56, 58), die jeweils an einer der zugeordneten Y-Richtungsseiten zwischen den festen Blöcken (44 bis 50) vorgesehen und in Y-Richtung mittels ersten Y-richtungspiezoelektrischen Elementen (Y 1, Y 2) bewegbar sind, die mit den festen Blöcken ver bunden und in Y-Richtung expandierbar und zusammenzieh bar sind,
X-Z-Richtungsbewegungsblöcke (60, 62), die jeweils von einem der zugeordneten X-Richtungsbewegungsblöcke mit tels eines ersten Z-richtungspiezoelektrischen Elementes (Z 1) getragen sind, das in einer Z-Richtung senkrecht zu der X- und Y-Richtung expandier- und zusammenziehbar ist und das in Z-Richtung durch das erste Z-richtungspiezo elektrische Element (Z 1) bewegbar ist,
Y-Z-Richtungsbewegungsblöcke, die jeweils von einem der zugeordneten Y-Richtungsbewegungsblöcke mittels eines Z-richtungspiezoelektrischen Elementes (Z 2) getragen werden, das in Z-Richtung unter denselben Bedingungen wie das erste Z-richtungspiezoelektrische Element (Z 1) expandierbar und zusammenziehbar ist und das in Z-Rich tung durch das zweite Z-richtungspiezoelektrische Ele ment (Z 2) bewegbar ist, und
einen Mittelblock (68), der mit den Y-Z-Richtungsbewe gungsblöcken (64, 66) durch zweite X-richtungspiezoelek trische Elemente (X 5, X 6) verbunden ist, die in X-Rich tung unter denselben Bedingungen wie die ersten X- richtungspiezoelektrischen Elemente expandierbar und zusammenziehbar sind, und mit den X-Z-Bewegungsblöc ken (60, 62) durch zweite Y-richtungspiezoelektrische Elemente (Y 5, Y 6) verbunden ist, die in Y-Richtung unter denselben Bedingungen wie die ersten Y-richtungs piezoelektrischen Elemente expandierbar und zusammenzieh bar sind,
wobei der Mittelblock (68) mit einer Sonde (32) zum Detektieren eines Tunnelstromes versehen ist, der zwi schen der Sonde (32) und einer Oberfläche einer Probe (28) fließt, die Sonde (32) selektiv in der X-Y-Ebene durch Anlegen von Abtastspannungen an die X-richtungs- und Y-richtungspiezoelektrischen Elemente um eine Strecke zwischen der Sonde (32) und der Oberfläche der Probe (28) bewegbar ist, die durch Anlegen einer Steuerspannung (Δ V z ) an die Z-richtungspiezoelektrischen Elemente ein stellbar ist.
5. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Sonde (32) an dem Mittel
block (68) durch ein steuerpiezoelektrisches Element
(Z 1) angebracht ist, das in Z-Richtung expandier- und
zusammenziehbar ist, und daß die Steuerspannung (Δ V z ),
die an das steuerpiezoelektrische Element angelegt wird,
dazu dient, den Abstand zwischen der Sonde (32) und der
Oberfläche der Probe (28) einzustellen.
6. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die jeweiligen X-richtungs- und
Y-richtungspiezoelektrischen Elemente zwei piezoelektri
sche Elemente aufweisen, die mit einem der zugeordneten
Blöcke verbunden sind, die einander gegenüberliegen, wo
bei eines der piezoelektrischen Elementpaare sich zusam
menzieht, während das andere sich um dieselbe Größe wie
das andere piezoelektrische Element expandiert.
7. Einrichtung zum Bewegen einer Probe, gekenn
zeichnet durch:
eine obere Klemmeinrichtung (74, 84), die mit einem Paar von ersten piezoelektrischen Elementen versehen ist, die in Gegenrichtung zueinander auf einer Linie expandierbar und zusammenziehbar sind, die in eine X- Richtung verläuft und mit einem Paar von zweiten piezo elektrischen Elementen versehen ist, die in Gegenrich tung zueinander auf einer Linie expandierbar und zusammen ziehbar sind, die in Y-Richtung verläuft, die senkrecht zur X-Richtung ist,
eine untere Klemmeinrichtung (76, 86), die mit dritten piezoelektrischen Elementen ähnlich den ersten piezo elektrischen Elementen und vierten piezoelektrischen Elementen ähnlich den zweiten piezoelektrischen Elemen ten versehen ist, wobei die untere Klemmeinrichtung (76, 86) mit der oberen Klemmeinrichtung (74, 84) durch ein fünftes piezoelektrisches Element verbunden ist, das in einer Z-Richtung senkrecht zu den Richtungen X und Y expandierbar und zusammenziehbar ist,
eine Führung (18, 82) zum selektiven Fixieren der obe ren und unteren Klemmeinrichtungen (74, 76; 84, 86) zum Expandieren der ersten und zweiten piezoelektrischen Ele mente und der dritten und vierten piezoelektrischen Ele mente, und
eine Steuereinrichtung (Fig. 7) zum Steuern einer Span nung, die an jedem der ersten und fünften piezoelektri schen Elemente anliegt,
wobei die Führung (18, 82) fest mit einer Basis (10) verbunden ist, und
die obere Klemmeinrichtung (74, 84) mit einem Tisch (26) zur Aufnahme einer Probe (28) versehen ist.
eine obere Klemmeinrichtung (74, 84), die mit einem Paar von ersten piezoelektrischen Elementen versehen ist, die in Gegenrichtung zueinander auf einer Linie expandierbar und zusammenziehbar sind, die in eine X- Richtung verläuft und mit einem Paar von zweiten piezo elektrischen Elementen versehen ist, die in Gegenrich tung zueinander auf einer Linie expandierbar und zusammen ziehbar sind, die in Y-Richtung verläuft, die senkrecht zur X-Richtung ist,
eine untere Klemmeinrichtung (76, 86), die mit dritten piezoelektrischen Elementen ähnlich den ersten piezo elektrischen Elementen und vierten piezoelektrischen Elementen ähnlich den zweiten piezoelektrischen Elemen ten versehen ist, wobei die untere Klemmeinrichtung (76, 86) mit der oberen Klemmeinrichtung (74, 84) durch ein fünftes piezoelektrisches Element verbunden ist, das in einer Z-Richtung senkrecht zu den Richtungen X und Y expandierbar und zusammenziehbar ist,
eine Führung (18, 82) zum selektiven Fixieren der obe ren und unteren Klemmeinrichtungen (74, 76; 84, 86) zum Expandieren der ersten und zweiten piezoelektrischen Ele mente und der dritten und vierten piezoelektrischen Ele mente, und
eine Steuereinrichtung (Fig. 7) zum Steuern einer Span nung, die an jedem der ersten und fünften piezoelektri schen Elemente anliegt,
wobei die Führung (18, 82) fest mit einer Basis (10) verbunden ist, und
die obere Klemmeinrichtung (74, 84) mit einem Tisch (26) zur Aufnahme einer Probe (28) versehen ist.
8. Einrichtung zum Bewegen einer Probe, gekenn
zeichnet durch:
eine obere Klemmeinrichtung (74, 84), die mit einem Paar von ersten piezoelektrischen Elementen versehen ist, die in Gegenrichtung zueinander auf einer Linie expandierbar und zusammenziehbar sind, die in eine X- Richtung verläuft, und mit einem Paar von zweiten piezo elektrischen Elementen versehen ist, die in Gegenrich tung zueinander auf einer Linie expandierbar und zusammen ziehbar sind, die in eine Y-Richtung weist, die senkrecht zur X-Richtung ist,
eine untere Klemmeinrichtung (76, 86), die mit dritten piezoelektrischen Elementen ähnlich den ersten piezo elektrischen Elementen und vierten piezoelektrischen Elementen ähnlich den zweiten piezoelektrischen Elemen ten versehen ist, wobei die untere Klemmeinrichtung mit der oberen Klemmeinrichtung durch ein fünftes piezoelek trisches Element verbunden ist, das in einer Z-Richtung senkrecht zu den Richtungen X und Y expandierbar und zu sammenziehbar ist,
eine Führung (18, 82) zur selektiven Fixierung der oberen und unteren Klemmeinrichtungen mittels Expandie ren der ersten und zweiten piezoelektrischen Elemente und der dritten und vierten piezoelektrischen Elemente, und
eine Steuereinrichtung (Fig. 7) zum Steuern einer Span nung, die an den jeweiligen ersten bis fünften piezo elektrischen Elementen anliegt,
wobei die untere Klemmeinrichtung (76, 86) an einer Basis (10) festgelegt ist, und
die Führung (18, 82) bewegbar ist und mit einem Tisch (26) zur Aufnahme einer Probe (28) versehen ist.
eine obere Klemmeinrichtung (74, 84), die mit einem Paar von ersten piezoelektrischen Elementen versehen ist, die in Gegenrichtung zueinander auf einer Linie expandierbar und zusammenziehbar sind, die in eine X- Richtung verläuft, und mit einem Paar von zweiten piezo elektrischen Elementen versehen ist, die in Gegenrich tung zueinander auf einer Linie expandierbar und zusammen ziehbar sind, die in eine Y-Richtung weist, die senkrecht zur X-Richtung ist,
eine untere Klemmeinrichtung (76, 86), die mit dritten piezoelektrischen Elementen ähnlich den ersten piezo elektrischen Elementen und vierten piezoelektrischen Elementen ähnlich den zweiten piezoelektrischen Elemen ten versehen ist, wobei die untere Klemmeinrichtung mit der oberen Klemmeinrichtung durch ein fünftes piezoelek trisches Element verbunden ist, das in einer Z-Richtung senkrecht zu den Richtungen X und Y expandierbar und zu sammenziehbar ist,
eine Führung (18, 82) zur selektiven Fixierung der oberen und unteren Klemmeinrichtungen mittels Expandie ren der ersten und zweiten piezoelektrischen Elemente und der dritten und vierten piezoelektrischen Elemente, und
eine Steuereinrichtung (Fig. 7) zum Steuern einer Span nung, die an den jeweiligen ersten bis fünften piezo elektrischen Elementen anliegt,
wobei die untere Klemmeinrichtung (76, 86) an einer Basis (10) festgelegt ist, und
die Führung (18, 82) bewegbar ist und mit einem Tisch (26) zur Aufnahme einer Probe (28) versehen ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22628686A JPS6381745A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 走査型トンネル顕微鏡の探針走査機構 |
JP22628586A JPS6382389A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 試料微動機構 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3732426A1 true DE3732426A1 (de) | 1988-04-07 |
DE3732426C2 DE3732426C2 (de) | 1992-01-02 |
Family
ID=26527099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873732426 Granted DE3732426A1 (de) | 1986-09-26 | 1987-09-25 | In ein elektronenmikroskop eingebautes rastertunnelmikroskop |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4798989A (de) |
DE (1) | DE3732426A1 (de) |
GB (2) | GB2197752B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3812684A1 (de) * | 1988-04-16 | 1989-11-02 | Klaus Prof Dr Dransfeld | Verfahren zum schnellen abrastern von unebenen oberflaechen mit dem raster-tunnelmikroskop |
EP0391429A2 (de) * | 1989-04-07 | 1990-10-10 | Olympus Optical Co., Ltd. | Vorrichtung zur Erfassung von Mikroverschiebungen, Piezo-Stellantrieb unter Verwendung der Vorrichtung und Abtastmikroskop unter Verwendung des Piezo-Stellantriebes |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63304103A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-12 | Hitachi Ltd | 走査表面顕微鏡 |
JPH01110204A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-26 | Jeol Ltd | 電子顕微鏡用走査トンネル顕微鏡 |
US5043621A (en) * | 1988-09-30 | 1991-08-27 | Rockwell International Corporation | Piezoelectric actuator |
US4928030A (en) * | 1988-09-30 | 1990-05-22 | Rockwell International Corporation | Piezoelectric actuator |
JPH02134503A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Mitsubishi Electric Corp | 走査型トンネル顕微鏡 |
US5260622A (en) * | 1989-03-24 | 1993-11-09 | Topometrix Corporation | High resolution electromechanical translation device |
JP2839543B2 (ja) * | 1989-04-12 | 1998-12-16 | 株式会社東芝 | 変位発生装置 |
US5075548A (en) * | 1989-07-17 | 1991-12-24 | Olympus Optical Co., Ltd. | Tunnel current probe moving mechanism having parallel cantilevers |
US4999494A (en) * | 1989-09-11 | 1991-03-12 | Digital Instruments, Inc. | System for scanning large sample areas with a scanning probe microscope |
JP3133307B2 (ja) * | 1989-10-13 | 2001-02-05 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微鏡 |
US5144128A (en) * | 1990-02-05 | 1992-09-01 | Hitachi, Ltd. | Surface microscope and surface microscopy |
JPH0687003B2 (ja) * | 1990-02-09 | 1994-11-02 | 株式会社日立製作所 | 走査型トンネル顕微鏡付き走査型電子顕微鏡 |
US5055680A (en) * | 1990-04-03 | 1991-10-08 | Lk Technologies, Inc. | Scanning tunneling microscope |
US5229607A (en) * | 1990-04-19 | 1993-07-20 | Hitachi, Ltd. | Combination apparatus having a scanning electron microscope therein |
JP2549746B2 (ja) * | 1990-05-08 | 1996-10-30 | 株式会社日立製作所 | 走査型トンネル顕微鏡 |
US5060248A (en) * | 1990-06-29 | 1991-10-22 | General Electric Company | Scanning analysis and imaging system with modulated electro-magnetic energy source |
JPH04235302A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-24 | Jeol Ltd | トンネル顕微鏡の探針微動機構 |
CA2060674C (en) * | 1991-02-08 | 1996-10-01 | Masahiro Tagawa | Driving apparatus and a recording and/or reproducing apparatus using the same |
US5103094A (en) * | 1991-05-02 | 1992-04-07 | Wyko Corporation | Compact temperature-compensated tube-type scanning probe with large scan range |
US5173605A (en) * | 1991-05-02 | 1992-12-22 | Wyko Corporation | Compact temperature-compensated tube-type scanning probe with large scan range and independent x, y, and z control |
US5214342A (en) * | 1991-10-21 | 1993-05-25 | Yang Kei Wean C | Two-dimensional walker assembly for a scanning tunneling microscope |
US5332942A (en) * | 1993-06-07 | 1994-07-26 | Rennex Brian G | Inchworm actuator |
US5362964A (en) * | 1993-07-30 | 1994-11-08 | Electroscan Corporation | Environmental scanning electron microscope |
US5412211A (en) * | 1993-07-30 | 1995-05-02 | Electroscan Corporation | Environmental scanning electron microscope |
US5631824A (en) * | 1994-05-26 | 1997-05-20 | Polytechnic University | Feedback control apparatus and method thereof for compensating for changes in structural frequencies |
US5455420A (en) * | 1994-07-12 | 1995-10-03 | Topometrix | Scanning probe microscope apparatus for use in a scanning electron |
US5656769A (en) * | 1994-08-11 | 1997-08-12 | Nikon Corporation | Scanning probe microscope |
US5604413A (en) * | 1994-09-07 | 1997-02-18 | Polytechnic University | Apparatus for improving operational performance of a machine or device |
US6154000A (en) * | 1994-09-07 | 2000-11-28 | Omnitek Research & Development, Inc. | Apparatus for providing a controlled deflection and/or actuator apparatus |
US6359370B1 (en) | 1995-02-28 | 2002-03-19 | New Jersey Institute Of Technology | Piezoelectric multiple degree of freedom actuator |
IL113291A0 (en) * | 1995-04-06 | 1995-07-31 | Nanomotion Ltd | A multi-axis rotation device |
ES2125789B1 (es) * | 1995-12-15 | 1999-11-16 | Univ Madrid Autonoma | Elemento piezoelectrico que permite el movimiento tridimensional y ortogonal. |
US5734164A (en) * | 1996-11-26 | 1998-03-31 | Amray, Inc. | Charged particle apparatus having a canted column |
US6362542B1 (en) * | 1997-08-15 | 2002-03-26 | Seagate Technology Llc | Piezoelectric microactuator for precise head positioning |
US6293680B1 (en) | 1997-09-10 | 2001-09-25 | Thermotrex Corporation | Electromagnetically controlled deformable mirror |
US6040643A (en) * | 1997-11-20 | 2000-03-21 | Thermotrex Corporation | Linear actuator |
US6098485A (en) * | 1998-08-27 | 2000-08-08 | Thermotrex Corporation | Lead screw actuator |
JP4797150B2 (ja) * | 2000-03-14 | 2011-10-19 | オリンパス株式会社 | 走査機構およびこれを用いた機械走査型顕微鏡 |
US6891170B1 (en) * | 2002-06-17 | 2005-05-10 | Zyvex Corporation | Modular manipulation system for manipulating a sample under study with a microscope |
US6967335B1 (en) | 2002-06-17 | 2005-11-22 | Zyvex Corporation | Manipulation system for manipulating a sample under study with a microscope |
JP3792675B2 (ja) * | 2003-06-05 | 2006-07-05 | ファナック株式会社 | 微細位置決め装置及び工具補正方法 |
CN1871684B (zh) * | 2003-09-23 | 2011-08-24 | 塞威仪器公司 | 采用fib准备的样本的抓取元件的显微镜检查的方法、系统和设备 |
TW200531420A (en) | 2004-02-20 | 2005-09-16 | Zyvex Corp | Positioning device for microscopic motion |
JP2005251745A (ja) * | 2004-02-23 | 2005-09-15 | Zyvex Corp | 荷電粒子ビーム装置プローブ操作 |
WO2005089201A2 (en) * | 2004-03-12 | 2005-09-29 | General Motors Corporation | Programmable shims for manufacturing and assembly lines |
US7326293B2 (en) * | 2004-03-26 | 2008-02-05 | Zyvex Labs, Llc | Patterned atomic layer epitaxy |
EP1794771A1 (de) * | 2004-09-01 | 2007-06-13 | Cebt Co., Ltd. | Motioning-geräte für eine elektronensäule |
US7278298B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-10-09 | The Regents Of The University Of California | Scanner for probe microscopy |
US7586236B2 (en) * | 2005-10-07 | 2009-09-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Tri-axial hybrid vibration isolator |
JP4871027B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2012-02-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料載置用のステージ、xyステージおよび荷電粒子線装置 |
JP4542613B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-09-15 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
JP4542614B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-09-15 | パイオニア株式会社 | 駆動装置 |
US7825565B2 (en) * | 2007-03-30 | 2010-11-02 | Pioneer Corporation | Driving apparatus |
US7586239B1 (en) * | 2007-06-06 | 2009-09-08 | Rf Micro Devices, Inc. | MEMS vibrating structure using a single-crystal piezoelectric thin film layer |
US9385685B2 (en) | 2007-08-31 | 2016-07-05 | Rf Micro Devices, Inc. | MEMS vibrating structure using an orientation dependent single-crystal piezoelectric thin film layer |
US9391588B2 (en) | 2007-08-31 | 2016-07-12 | Rf Micro Devices, Inc. | MEMS vibrating structure using an orientation dependent single-crystal piezoelectric thin film layer |
US9369105B1 (en) | 2007-08-31 | 2016-06-14 | Rf Micro Devices, Inc. | Method for manufacturing a vibrating MEMS circuit |
RU2457608C1 (ru) * | 2011-01-12 | 2012-07-27 | Владимир Михайлович Нелюбов | Способ реализации пошагового перемещения и устройство для его реализации (варианты) |
CN102565458A (zh) * | 2012-02-15 | 2012-07-11 | 北京航空航天大学 | 一种推挽式二维微移动/定位装置 |
RU2516258C1 (ru) * | 2012-09-21 | 2014-05-20 | Владимир Михайлович Нелюбов | Пьезоустройство пошагового перемещения |
US9117593B2 (en) | 2012-11-02 | 2015-08-25 | Rf Micro Devices, Inc. | Tunable and switchable resonator and filter structures in single crystal piezoelectric MEMS devices using bimorphs |
JP6366704B2 (ja) | 2013-06-24 | 2018-08-01 | ディーシージー システムズ、 インコーポレイテッドDcg Systems Inc. | 局所的な試料の特性によって制御されるプロービングの適応モードを備えたプロービングを利用したデータ収集システム |
US9991872B2 (en) | 2014-04-04 | 2018-06-05 | Qorvo Us, Inc. | MEMS resonator with functional layers |
US9998088B2 (en) | 2014-05-02 | 2018-06-12 | Qorvo Us, Inc. | Enhanced MEMS vibrating device |
KR102352023B1 (ko) | 2014-06-25 | 2022-01-14 | 디씨지 시스템스 인코포레이티드 | 반도체 웨이퍼 상에서 인-라인 나노프로빙을 수행하기 위한 시스템 및 반도체에서 디바이스들의 전기적 테스팅을 수행하는 방법 |
US20160032281A1 (en) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | Fei Company | Functionalized grids for locating and imaging biological specimens and methods of using the same |
CN113655195B (zh) * | 2021-01-12 | 2022-06-14 | 杭州瑞声检测科技有限公司 | 一种探头架检测台 |
CN114512579B (zh) * | 2022-02-18 | 2022-10-11 | 广东工业大学 | 一种Mini/micro芯片柔性飞行刺晶装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3217218A (en) * | 1962-07-23 | 1965-11-09 | Floyd G Steele | Alternating energy control system |
GB1071648A (en) * | 1964-11-06 | 1967-06-07 | Standard Telephones Cables Ltd | Position control device |
US3551764A (en) * | 1969-02-28 | 1970-12-29 | Lockheed Aircraft Corp | Piezoelectric linear actuator |
US3684904A (en) * | 1969-04-24 | 1972-08-15 | Gennady Vasilievich Galutva | Device for precision displacement of a solid body |
JPS5112497B1 (de) * | 1971-04-21 | 1976-04-20 | ||
JPS5315060A (en) * | 1976-07-28 | 1978-02-10 | Hitachi Ltd | Inching device |
CH643397A5 (de) * | 1979-09-20 | 1984-05-30 | Ibm | Raster-tunnelmikroskop. |
US4455501A (en) * | 1982-02-09 | 1984-06-19 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Precision rotation mechanism |
JPS5917876A (ja) * | 1982-02-12 | 1984-01-30 | West Electric Co Ltd | 圧電駆動装置 |
US4622483A (en) * | 1983-03-24 | 1986-11-11 | Staufenberg Jr Charles W | Piezoelectric electromechanical translation apparatus and method |
US4523120A (en) * | 1984-06-04 | 1985-06-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Precise bearing support ditherer with piezoelectric drive means |
JPS6170954U (de) * | 1984-10-15 | 1986-05-15 | ||
US4686440A (en) * | 1985-03-11 | 1987-08-11 | Yotaro Hatamura | Fine positioning device |
US4618767A (en) * | 1985-03-22 | 1986-10-21 | International Business Machines Corporation | Low-energy scanning transmission electron microscope |
DE3516324A1 (de) * | 1985-05-07 | 1986-11-13 | Vdo Adolf Schindling Ag, 6000 Frankfurt | Linearmotor |
US4678955A (en) * | 1986-04-18 | 1987-07-07 | Rca Corporation | Piezoelectric positioning device |
-
1987
- 1987-09-24 US US07/101,233 patent/US4798989A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-09-25 DE DE19873732426 patent/DE3732426A1/de active Granted
- 1987-09-25 GB GB8722573A patent/GB2197752B/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-06-25 GB GB9014054A patent/GB2232294B/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
US-Z.: IBM J. Res. Develop., Bd. 30, 1986, Nr. 5, S. 492-498 * |
US-Z.: Rev. Sci. Instrum., Bd. 56, 1985, Nr. 8, S. 1573-1576 * |
US-Z.: Rev. Sci. Instrum., Bd. 57, 1986, Nr. 2, S. 221-224 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3812684A1 (de) * | 1988-04-16 | 1989-11-02 | Klaus Prof Dr Dransfeld | Verfahren zum schnellen abrastern von unebenen oberflaechen mit dem raster-tunnelmikroskop |
EP0391429A2 (de) * | 1989-04-07 | 1990-10-10 | Olympus Optical Co., Ltd. | Vorrichtung zur Erfassung von Mikroverschiebungen, Piezo-Stellantrieb unter Verwendung der Vorrichtung und Abtastmikroskop unter Verwendung des Piezo-Stellantriebes |
EP0391429A3 (de) * | 1989-04-07 | 1992-07-01 | Olympus Optical Co., Ltd. | Vorrichtung zur Erfassung von Mikroverschiebungen, Piezo-Stellantrieb unter Verwendung der Vorrichtung und Abtastmikroskop unter Verwendung des Piezo-Stellantriebes |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4798989A (en) | 1989-01-17 |
GB2232294B (en) | 1991-07-10 |
DE3732426C2 (de) | 1992-01-02 |
GB2232294A (en) | 1990-12-05 |
GB9014054D0 (en) | 1990-08-15 |
GB8722573D0 (en) | 1987-11-04 |
GB2197752A (en) | 1988-05-25 |
GB2197752B (en) | 1991-05-29 |
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