DE3722198A1 - Verfahren zum herstellen von solarzellen - Google Patents
Verfahren zum herstellen von solarzellenInfo
- Publication number
- DE3722198A1 DE3722198A1 DE19873722198 DE3722198A DE3722198A1 DE 3722198 A1 DE3722198 A1 DE 3722198A1 DE 19873722198 DE19873722198 DE 19873722198 DE 3722198 A DE3722198 A DE 3722198A DE 3722198 A1 DE3722198 A1 DE 3722198A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- deposition
- substrate
- semiconductor substrate
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- -1 phosphorus Hydrogen compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen
von Solarzellen nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Bekannte Solarzellen werden in der Weise hergestellt,
daß in einem p- oder n-dotierten Halbleitersubstrat
durch Gasphasendiffusion eine n- oder p-Schicht erzeugt
wird. Dabei wird der gewünschte flache pn-Übergang,
d.h. die geringstmögliche Eindringtiefe der dotierten
Schicht, durch die Verfahrenstemperatur, d.h. die für
den Diffusionsprozeß notwendige Temperatur, und durch
die Störstellenkonzentration bestimmt. Um das Eindringen
der Dotierstoffatome in das Gefüge des Substratmaterials
zu erreichen, muß das Substrat einer Temperatur erheblich
über 800°C ausgesetzt werden. Dies bedingt eine lange
Verweilzeit im Diffusionsofen und kann eine unerwünschte
Veränderung der Lebensdauer der Minoritätsladungsträger
zur Folge haben. Ein weiterer Nachteil sind die
verfahrensbedingt hohen Energiekosten.
Eine andere Methode zur Herstellung von Solarzellen durch
Gegendotierung des Substratmaterials ist die Ionen
implantation mit anschließender Wärmebehandlung zur
Rekristallisation der durch die Implantation amorphisierten,
oberflächlichen Halbleiterschicht. Dabei sind wohl keine
unerwünscht hohen Prozeßtemperaturen erforderlich, jedoch
ist dieses Verfahren mit hohen Anlagekosten verbunden
und für eine wirtschaftliche Großserienherstellung von
Solarzellen nicht geeignet.
Eine wesentliche Kenngröße bei Solarzellen ist der
Querleitwert. Gegenüber Dioden und Gleichrichtern ist
z.B. bei über das Gate abschaltbaren Thyristoren sowie
bei Solarzellen ein hoher Querleitwert erwünscht und
notwendig. Er steht in unmittelbarem Zusammenhang mit
der Störstellenkonzentration. Bei Anwendung der Gas
phasendiffusion wird verfahrensbedingt ein kontinuier
lich verlaufendes Störstellenprofil mit temperatur
abhängiger Eindringtiefe gebildet, welches einen allein
durch physikalische Zusammenhänge bestimmten Querleit
wert der dotierten Schicht zur Folge hat. Dieser ist
unter gegebenen und gezielt wirtschaftlichen Prozeß
bedingungen nicht veränderlich und daher nicht
optimierbar.
Demzufolge ist die gerade bei Solarzellen zu stellende
Forderung nach hoher Oberflächenkonzentration bei
möglichst geringer Eindringtiefe des Störstellen
materials mit der Gasphasendiffusion nicht erfüllbar.
Mit dem weiteren bekannten Verfahren der Ionen
implantation kann diese Forderung im Ergebnis erfüllt
werden, jedoch ist es für die Massenfertigung von
Solarzellen aus dem vorgenannten Grund nicht anwendbar.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
zum Herstellen von Solarzellen anzugeben, mit welchem
reproduzierbar sehr flache pn-Übergänge zur Erhöhung
des Quantenwirkungsgrades der Solarzellen erzielt
werden können, und bei welchem gegenüber bekannten
Verfahren durch Senken der Prozeßtemperatur sowie durch
Verringern der Verweilzeit im Ofen Solarzellen in
Großserien wirtschaftlicher gefertigt werden können.
Die Lösung der Aufgabe besteht bei einem Verfahren
der eingangs genannten Art in den kennzeichnenden
Schritten des Anspruchs 1. In den Ansprüchen 2 bis 9
sind vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens
angegeben.
Vor dem Herstellen der Grenzschicht entgegengesetzten
Leitungstyps an der einen Seite des Substrats wird das
Substratmaterial, bevorzugt Scheiben aus Silizium mit
einer Dicke im Bereich von 50 bis 500 µm, einem
Ätzprozeß unterworfen, wodurch die natürliche Silizium-
Dioxidschicht entfernt wird.
Im Ablauf des erfindungsgemäßen Verfahrens werden die
Siliziumscheiben oder -platten in einen Reaktionsofen
mit einer Verfahrenstemperatur von ca. 700 bis 800°C
eingebracht. Die Ofenatmosphäre kann z.B. aus Silan,
einem Trägergas wie Wasserstoff und einer Phosphor-
Wasserstoff-Verbindung als Dotiergas bestehen. Der
Ofen kann für ein Abscheidungsverfahren bei normalem
Atmosphärendruck oder für ein sogenanntes LPCVD-
Verfahren mit vermindertem Druck bei 100 bis 150 mbar
bemessen sein. Es sind Niederdruckverfahren mit
sogenannter Plasma-Unterstützung bei Drücken bis auf
1 mbar bekannt.
Das Verfahren der chemischen Dampfphasenabscheidung
ist bekannt und nicht Gegenstand der Erfindung.
Der Anteil z.B. des Phosphor-Wasserstoff-Gases in der
Ofenatmosphäre kann während des Dotierungsprozesses
verändert werden, wodurch die Störstellenkonzentration
wählbar eingestellt werden kann. Damit ist der
besondere Vorteil der Ausbildung eines Stufenprofils
verbunden, wodurch der gewünschte Profilverlauf in der
Oberflächenschicht des Substratmaterials erzielbar ist.
Bei Anwendung des Verfahrens nach der Erfindung ist
somit der Querleitwert durch Veränderung des
Dotiergasflusses in gewünschter Weise realisierbar.
Die auf dem Substrat gebildete Schicht mit Störstellen
des anderen Leitungstyps besteht dann z.B. aus zwei
Teilschichten mit unterschiedlicher Störstellendichte.
Demgegenüber wirkt bei der Gasphasendiffusion entsprechend
den physikalischen Zusammenhängen stets Dotiermaterial
in der Menge auf das Halbleitersubstrat, wie es
temperaturabhängig von der Dotierstoffquelle abdampft
und auf der Substratoberfläche eine Glasschicht als
Depot für einen nachfolgenden Diffusionsprozeß bildet.
Durch Verminderung des atmosphärischen Druckes im Ofen
raum wird das Einbringen des Dotierstoffes begünstigt.
Es kann einkristallines Halbleitermaterial mit
Störstellen eines Leitungstyps oder aber polykristallines
Material mit sonst gleichen Eigenschaften verwendet
werden.
Durch eine kurzzeitige Temperaturbehandlung bei mehr
als 800°C besteht die Möglichkeit, Dotierstoffatome
aus der CVD-Halbleiterschicht in das Substratmaterial
einzutreiben und den np- bzw. pn-Übergang in das
Substrat zu verlegen.
Vorzugsweise wird Halbleitermaterial im Widerstandsbereich
von 0,1 bis 0,01 ohm · cm verwendet. Durch Wahl der
Verfahrensbedingungen kann eine Dicke der Gegendotier
schicht im Bereich von 10 nm bis 1000 nm erzielt werden.
Beispielsweise kann bei einer Ofentemperatur von 750°C
unter einem Druck von 2 mbar auf einem p-dotierten,
einkristallinen Substrat eine n-dotierte erste Teilschicht
von 0,1 µm Dicke mit einem spezifischen Widerstand von
0,05 Ohm · cm und darüber eine n-dotierte zweite Teilschicht
von 0,1 µm Dicke mit einem spezifischen Widerstand von
0,001 Ohm · cm abgeschieden werden.
CVD-Halbleiterschichten gemäß der Erfindung können
abhängig von der Abscheidetemperatur innerhalb von
ca. 20 bis 30 Minuten aufgebracht werden, sodaß der
Anlagendurchsatz im Vergleich zu bekannten Verfahren
erheblich höher ist.
Die Kontaktierung der Bauelemente und das Aufbringen
einer Antireflexionsschicht auf die Bauelemente
erfolgen nach dem üblichen Standardverfahren.
Claims (10)
1. Verfahren zum Herstellen von Solarzellen, bei dem
mit Hilfe eines Substrats aus Halbleitermaterial eine
Folge von schichtförmigen Zonen unterschiedlichen
Leitungstyps mit zwischenliegendem pn-Übergang gebildet
wird, dadurch gekennzeichnet,
daß auf der einen Hauptfläche des mit Störstellen des
einen Leitungstyps versehenen Substrats mittels
chemischer Dampfphasenabscheidung eine Schicht aus
Halbleitermaterial aufgebracht wird, und daß die Schicht
aus Halbleitermaterial während des Abscheidens mit
Störstellen des anderen Leitungstyps dotiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß als Halbleitermaterial für die Folge schichtförmiger
Zonen Silizium verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für das Halbleitersubstrat
einkristallines Silizium verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für das Halbleitersubstrat
polykristallines Silizium verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die chemische Dampfphasenabscheidung bei
Atmosphärendruck durchgeführt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die chemische Dampfphasenabscheidung bei niedrigerem
als Atmosphärendruck mit oder ohne Plasmaunterstützung
durchgeführt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Folge aus schichtförmigen Zonen einer
Wärmebehandlung unterworfen wird, welche ohne
nachteilige Wirkung auf die Trägerlebensdauer im
Substratmaterial ist, jedoch die Verlagerung des
pn-Übergangs in das Substrat bewirkt.
8. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem der folgenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Abscheidetemperatur so eingestellt und die Dotier
gasmenge im Verlauf der Abscheidung so verändert wird,
daß bei geringstmöglichem Eindringen des Dotierstoffes
die Dotierstoffkonzentration in der aufwachsenden Schicht
mit deren Dicke zunimmt.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die Abscheidetemperatur so eingestellt und die
Dotiergasmenge im Verlauf der Abscheidung so verändert
wird, daß die Dotierstoffkonzentration in der auf
wachsenden Schicht nach einem stufenförmig abgesetzten
Profil zunimmt.
10. Solarzellen mit einer Folge von schichtförmigen
Zonen unterschiedlichen Leitungstyps mit zwischen
liegendem pn-Übergang, hergestellt nach dem Verfahren
nach den Ansprüchen 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß
auf einem Halbleitersubstrat mit Störstellen des einen
Leitungstyps eine Schicht aus Halbleitermaterial
mit Störstellen des anderen Leitungstyps angeordnet
ist, und daß die Schicht eine vom Halbleitersubstrat
aus mit der Schichtdicke stufenförmig abgesetzt
zunehmende Störstellenkonzentration aufweist.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19873722198 DE3722198A1 (de) | 1987-07-04 | 1987-07-04 | Verfahren zum herstellen von solarzellen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19873722198 DE3722198A1 (de) | 1987-07-04 | 1987-07-04 | Verfahren zum herstellen von solarzellen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3722198A1 true DE3722198A1 (de) | 1989-01-12 |
Family
ID=6330943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19873722198 Withdrawn DE3722198A1 (de) | 1987-07-04 | 1987-07-04 | Verfahren zum herstellen von solarzellen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3722198A1 (de) |
Citations (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US102801A (en) * | 1870-05-10 | Improvement in gang-plow | ||
| US4028720A (en) * | 1976-05-24 | 1977-06-07 | Rca Corporation | Photovoltaic device |
| DE2938260A1 (de) * | 1979-09-21 | 1981-03-26 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8000 München | Halbleiterbauelement fuer die umsetzung von licht in elektrische energie |
| US4317844A (en) * | 1975-07-28 | 1982-03-02 | Rca Corporation | Semiconductor device having a body of amorphous silicon and method of making the same |
| EP0002383B1 (de) * | 1977-12-05 | 1982-07-28 | Plasma Physics Corporation | Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von Schichten aus einem Halbleiter und anderen Materialien |
| DE3330541A1 (de) * | 1982-08-24 | 1984-03-15 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung |
| US4438724A (en) * | 1982-08-13 | 1984-03-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Grooved gas gate |
| DE3408317A1 (de) * | 1983-03-08 | 1984-10-04 | Director General of Agency of Industrial Science and Technology Michio Kawata, Tokyo/Tokio | Solarzelle aus amorphem silicium |
| EP0051449B1 (de) * | 1980-10-31 | 1985-05-08 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Verfahren zur Herstellung amorpher Siliziumfilme |
| US4519339A (en) * | 1981-03-16 | 1985-05-28 | Sovonics Solar Systems | Continuous amorphous solar cell production system |
| DE3404818A1 (de) * | 1984-02-10 | 1985-08-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum erzeugen eines pn- ueberganges in einem nach dem durchlaufverfahren hergestellten siliziumband |
| US4544423A (en) * | 1984-02-10 | 1985-10-01 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Amorphous silicon semiconductor and process for same |
| DE3420887A1 (de) * | 1984-06-05 | 1985-12-05 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Solarzelle |
| EP0178639A2 (de) * | 1984-10-19 | 1986-04-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Solarzelle mit graduellem Energiebandabstand mit einem aus amorphen Silizium bestehenden Halbleiterkörper sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US4677738A (en) * | 1980-05-19 | 1987-07-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of making a photovoltaic panel |
-
1987
- 1987-07-04 DE DE19873722198 patent/DE3722198A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US102801A (en) * | 1870-05-10 | Improvement in gang-plow | ||
| US4317844A (en) * | 1975-07-28 | 1982-03-02 | Rca Corporation | Semiconductor device having a body of amorphous silicon and method of making the same |
| US4028720A (en) * | 1976-05-24 | 1977-06-07 | Rca Corporation | Photovoltaic device |
| EP0002383B1 (de) * | 1977-12-05 | 1982-07-28 | Plasma Physics Corporation | Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von Schichten aus einem Halbleiter und anderen Materialien |
| DE2938260A1 (de) * | 1979-09-21 | 1981-03-26 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8000 München | Halbleiterbauelement fuer die umsetzung von licht in elektrische energie |
| US4677738A (en) * | 1980-05-19 | 1987-07-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of making a photovoltaic panel |
| EP0051449B1 (de) * | 1980-10-31 | 1985-05-08 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Verfahren zur Herstellung amorpher Siliziumfilme |
| US4519339A (en) * | 1981-03-16 | 1985-05-28 | Sovonics Solar Systems | Continuous amorphous solar cell production system |
| US4438724A (en) * | 1982-08-13 | 1984-03-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Grooved gas gate |
| DE3330541A1 (de) * | 1982-08-24 | 1984-03-15 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung |
| DE3408317A1 (de) * | 1983-03-08 | 1984-10-04 | Director General of Agency of Industrial Science and Technology Michio Kawata, Tokyo/Tokio | Solarzelle aus amorphem silicium |
| US4612559A (en) * | 1983-03-08 | 1986-09-16 | Director General Of Agency Of Industrial Science & Technology | Solar cell of amorphous silicon |
| DE3404818A1 (de) * | 1984-02-10 | 1985-08-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum erzeugen eines pn- ueberganges in einem nach dem durchlaufverfahren hergestellten siliziumband |
| US4544423A (en) * | 1984-02-10 | 1985-10-01 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Amorphous silicon semiconductor and process for same |
| DE3420887A1 (de) * | 1984-06-05 | 1985-12-05 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Solarzelle |
| EP0178639A2 (de) * | 1984-10-19 | 1986-04-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Solarzelle mit graduellem Energiebandabstand mit einem aus amorphen Silizium bestehenden Halbleiterkörper sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
Non-Patent Citations (10)
| Title |
|---|
| GB-Z: Solid-State Electronics, Bd.26, 1983, S.353-359 * |
| GB-Z: Solid-State Electronics, Bd.29, 1986, S.667-676 * |
| GB-Z: Solid-State Electronics, Bd.30, 1987, S.397-399 * |
| JP-Z: Jap.J. of Appl.Phys., Vol.26, No.1, Jan.1987pp. L10 - L13 * |
| US-Z: Appl.Phys. Lett., 49 (17), 27.Oct. 1986, p.1110-1111 * |
| US-Z: Appl.Phys.Letters, Bd.48, 1986, S.1538-1539 * |
| US-Z: IEEE Electron Device Lett., EDL-6, No.12, Dez.1985, p.655-658 * |
| US-Z: IEEE Trans on El. Dev., Vol. ED-33, No.10, Oct. 1986, p.1535-1537 * |
| US-Z: J. Appl. Phys., Bd.55, (6) 15. März 1984, p.-1425-1428 * |
| US-Z: J. Appl. Phys., Bd.58,1985, S.2344-2351 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102007047231B4 (de) | Siliziumkarbid-Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE2743141C2 (de) | Halbleiterbauelement mit einer Schicht aus amorphem Silizium | |
| DE69204386T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Siliziumfilmes. | |
| DE60101069T2 (de) | Siliziumkarbid und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| EP1706519B1 (de) | Verfahren zur herstellung einer transparenten und leitfähigen oxidschicht | |
| DE3853351T2 (de) | Siliciumcarbidsperre zwischen einem Siliciumsubstrat und einer Metallschicht. | |
| DE4138121C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle | |
| DE3317535A1 (de) | Duennfilmtransistor | |
| DE3048857A1 (de) | Verfahren zum herstellen von amorphem silicium und nach diesem verfahren hergestellte vorrichtung | |
| DE2818261C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Galliumarsenid-Solarzellen | |
| DE10152707B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle | |
| EP0949688A1 (de) | Dünnschichtsolarzelle, Verfahren zu deren Herstellung sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
| DE2711365A1 (de) | Halbleiteranordnung mit schottky- grenzschicht | |
| DE112018002540T5 (de) | SIC-Epitaxiewafer und Verfahren zum Herstellen desselben | |
| DE2211709C3 (de) | Verfahren zum Dotieren von Halbleitermaterial | |
| DE102017201744A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Siliziumkarbid-Epitaxialwafers, Verfahren zum Herstellen einer Siliziumkarbid-Halbleiteranordnung und Vorrichtung zum Herstellen eines Siliziumkarbid-Epitaxialwafers | |
| DE4313042A1 (de) | Diamantschichten mit hitzebeständigen Ohmschen Elektroden und Herstellungsverfahren dafür | |
| EP0005744B1 (de) | Verfahren zum Aufwachsen von Epitaxieschichten auf selektiv hochdotierten Siliciumsubstraten | |
| DE102021113253A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Siliziumkarbid-Epitaxie-Wafers | |
| DE2154386C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen Halbleiterschicht auf einem Halbleitersubstrat durch Abscheiden aus einem Reaktionsgas/Trägergas-Gemisch | |
| DE3540452C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors | |
| DE69023582T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes mittels Ionen-Implantation. | |
| WO1995009435A1 (de) | Verfahren zum herstellen mikrokristalliner schichten und deren verwendung | |
| DE4312527C2 (de) | Verfahren zur Bildung einer Bor-dotierten halbleitenden Diamantschicht | |
| DE19851873A1 (de) | Verfahren zum Aufwachsen einer kristallinen Struktur |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |