DE4312527C2 - Verfahren zur Bildung einer Bor-dotierten halbleitenden Diamantschicht - Google Patents

Verfahren zur Bildung einer Bor-dotierten halbleitenden Diamantschicht

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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Bildung von hochqualitativen Bor-dotierten halbleitenden Diamantschichten, die für elektronische Halbleitervorrichtungen verwendet werden.
Diamant besitzt einen großen Bandabstand von 5,5 eV und eine hohe Durchbruchspannung. Er besitzt ebenso eine hohe thermische Leitfähigkeit verglichen mit den herkömmlichen Halbleitermaterialien, wie beispielsweise Silizium. Daher wird erwartet, daß man Diamant für elektronische Halbleitervorrichtungen verwenden kann, die unter rauhen Umgebungsbedingungen, wie beispielsweise hoher Temperatur, betrieben werden.
P-Typ halbleitende Diamantschichten können, durch Dotierung von Bor (B) in Diamantschichten, mittels Ionenimplantation erzeugt werden oder mittels Abscheiden von Materialschichten aus der Gasphase (im weiteren als CVD-Verfahren bezeichnet) unter Verwendung eines Reaktionsgases, das B₂H₆ enthält.
Jedoch besitzen im Stand der Technik elektronische Vorrichtungen, die Diamantschichten verwenden, schlechte elektronische Charakteristiken verglichen mit Siliziumvorrichtungen, da Bor-dotierte Diamantschichten im Stand der Technik eine schlechte Kristallinität verglichen mit den herkömmlichen halbleitenden Materialien, wie Si oder GaAs, besitzen.
Es ist bekannt, daß die Kristallinität von undotierten Diamantschichten verbessert ist, wenn O₂-Gas dem Reaktiongas im CVD-Verfahren zum Aufwachsen von Diamantschichten hinzugefügt wird [Jap. J. Appl. Phys., Bd. 26, S. 1429-1432 (1987) und Appl. Phys. Letters, Bd. 60, S. 480-482 (1992)]. Jedoch wurde das Hinzufügen von O₂ in das Reaktionsgas bei der Bildung von p-Typ halbleitenden Diamantschichten nicht verwendet, da die Konzentration von B (Bor) in den Diamantschichten durch das Hinzufügen von O₂ wesentlich reduziert wird aufgrund von Reaktionen zwischen B₂H₆ und O₂. Als Resultat zeigten die derart synthetisch hergestellten Diamantschichten nicht die gewünschten elektrischen Charakteristiken.
Daher ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Bildung von Bor-dotierten p-Typ Diamantschichten mit hervorragender Kristallinität und gewünschten elektrischen Charakteristiken zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach dem Patentanspruch gelöst.
Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 einen Graphen, der Raman-Spektren von Diamantschichten zeigt, die erfindungsgemäß gebildet wurden, und ein Vergleichsbeispiel;
Fig. 2 einen Graphen, der die beobachteten Ergebnisse bei der Konzentration von Boratomen in Diamantschichten zeigt, die erfindungsgemäß gebildet wurden, und ein Vergleichsbeispiel;
Fig. 3 einen Graphen, der die Veränderungen im elektrischen Widerstand als Funktion der Temperatur in Diamantschichten zeigt, die erfindungsgemäß gebildet wurden, und von Vergleichsbeispielen;
Fig. 4 eine Schnittansicht einer Schottkydiode, die unter Verwendung von Diamantschichten hergestellt wurde, die erfindungsgemäß gebildet wurden, und gemäß Vergleichsbeispielen;
Fig. 5 und 6 jeweils einen Graphen, der die Kennlinien von Schottkydioden zeigt, die unter Anwendung der Erfindung hergestellt sind, und ein Vergleichsbeispiel.
Von den gegenwärtigen Erfindern wurden vielfältige Versuche unternommen, p-Typ halbleitende Diamantschichten für elektronische Vorrichtungen zu erhalten. Als ein Resultat fanden die gegenwärtigen Erfinder heraus, daß p-Typ halbleitende Diamantschichten mit ausgezeichneter Kristallinität und elektrischen Charakteristiken mittels eines Verfahren erhalten werden können, in dem Diamantschichten mittels eines CVD-Verfahrens gebildet werden, wobei ein Reaktionsgas verwendet wird, das B₂H₆ und O₂ mit einem Volumenverhältnis (B₂H₆)/(O₂) 1 * 10-4 enthält. Diese Bedingung ist notwendig, um die Verringerung der Bor-Konzentration in den Diamantschichten aufgrund der Reaktion mit Sauerstoff auszugleichen, und daher p-Typ halbleitende Diamantschichten mit ausgezeichneter Kristallinität und gewünschten elektrischen Charakteristiken zu bilden.
In der bevorzugten Weise der Erfindung ist zur Stabilisierung der elektrischen Charakteristiken der Bor-dotierten Diamantschichten eine Hitzebehandlung (Ausheilen) nach der Bildung der Diamantschichten erforderlich. Es wurde von den gegenwärtigen Erfindern festgestellt, daß durch Ausheilen der Diamantschichten, die unter Verwendung eines Reaktionsgases mit einem Volumenverhältnis (B₂H₆)/(O₂) <1 * 10-4 gebildet wurden, der elektrische Widerstand der Diamantschichten anstieg bis beinahe auf den Widerstand von nichtleitendem Diamant. Daraus wurde geschlossen, daß ein Volumenverhältnis (B₂H₆)/(O₂) von 1 * 10-4 oder mehr erforderlich ist.
Die vorliegende Erfindung wird mit Bezug auf die folgenden Beispiele besser verstanden.
Zuerst wurde die Kristallinität von einer erfindungsgemäß gebildeten Diamantschicht untersucht. Die Diamantschicht wurde mittels CVD-Verfahrens unter Verwendung eines Reaktionsgases gebildet, das aus 0,5% Methan in Wasserstoff mit hinzugefügten 0,1 Volumenprozent O₂ und 0,1 ppm B₂H₆ ([B₂H₆]/[O₂] = 1 * 10-4) bestand (Arbeitsbeispiel 1). Zum Vergleich wurde eine Diamantschicht mittels CVD-Verfahrens unter Verwendung eines Reaktionsgases gebildet, das aus 0,5% Methan in Wasserstoff mit hinzugefügten 0,1 ppm B₂H₆ (O₂ wurde nicht hinzugefügt) bestand (Vergleichsbeispiel 1).
Fig. 1 zeigt die Raman-Spektren der Diamantschichten des Arbeitsbeispiels 1 und des Vergleichsbeispiels 1. In dieser Abbildung zeigt die Abszisse die Raman-Verschiebung und die Ordinate die Raman-Intensität in beliebigen Einheiten an. Wie aus Fig. 1 ersichtlich, erscheint die Spitze bei 1332 cm-1 aufgrund von Diamant bei beiden Diamantschichten, der des Arbeitsbeispiels 1 und der des Vergleichsbeispiels 1. In der Diamantschicht des Arbeitsbeispiels 1 existiert nur ein sehr schwaches und breites Band bei 1550 cm-1, das eine Anwesenheit von Nicht-Diamantkomponenten in der Schicht anzeigt. Im Gegensatz dazu existiert ein stärkeres Band bei 1550 cm-1 im Vergleichsbeispiel 1. Dieses Resultat zeigt an, daß die Diamantschicht des Arbeitsbeispiels weniger Nicht-Diamantkomponenten enthält und daher eine bessere Kristallinität besitzt. Auch kann erkannt werden, daß die Diamantschicht des Arbeitsbeispiels 1 einen weniger lumineszierenden Hintergrund besitzt, was ebenso eine bessere Kristallinität anzeigt.
Als nächstes wurde die Borkonzentration in der erfindungsgemäß gebildeten Diamantschicht untersucht. Es wurde eine Diamantschicht unter der Bedingung gebildet, daß das Gaskonzentrationsverhältnis ([B₂H₆]/[O₂]) = 1 * 10-4 betrug, aber die Sauerstoffkonzentration O₂ verändert wurde (Arbeitsbeispiel 2). Zum Vergleich wurde eine Diamantschicht unter Verwendung eines Reaktionsgases gebildet, in dem die Konzentration von B₂H₆ 0,01 ppm betrug und die Konzentration von O₂ zwischen 0 und 0,1 Volumenprozent verändert wurde ([B₂H₆]/[O₂] 1 * 10-4), was das Vergleichsbeispiel 2 darstellt. Es sollte beachtet werden, daß die vorstehenden Diamantschichten auf Si-Substraten gebildet wurden (n-Typ Si mit einem Widerstand von 100 cm oder mehr) mittels eines Mikrowellen-Plasma-CVD-Verfahrens, wobei, zusätzlich zu B₂H₆ und O₂ wie vorstehend beschrieben, das Hauptreaktionsgas aus 0,5% Methan in Wasserstoff bestand, die Substrattemperatur 800°C und der Gasdruck 4665 Pa (35 Torr) betrug.
Fig. 2 ist ein Graph, der die Borkonzentrationen in den Diamantschichten, gemessen durch Sekundärion-Massenspektrometrie, zeigt. In dieser Abbildung zeigt die Abszisse die Sauerstoffkonzentration O₂ und die Ordinate die Borkonzentration an. Im Vergleichsbeispiel 2 nimmt die Borkonzentration in der Diamantschicht mit dem Zuwachs der Sauerstoffkonzentration O₂ ab. Im Gegensatz dazu ist im Arbeitsbeispiel 2 die Konzentration der Boratome in der Diamantschicht nahezu konstant trotz der Veränderung der Sauerstoffkonzentration O₂.
Als nächstes wurde die Veränderung des elektrischen Widerstandes einer erfindungsgemäß gebildeten Diamantschicht in Abhängigkeit von der Temperatur untersucht.
Zuerst wurde eine Diamantschicht mittels CVD-Verfahrens unter Verwendung eines Reaktionsgases mit hinzugefügten 0,1 Volumenprozent O₂ und 1,0 ppm B₂H₆ ([B₂H₆]/[0₂] = 1 * 10-3) (Arbeitsbeispiel 3) gebildet. Ebenso wurde auch eine Diamantschicht mittels CVD-Verfahrens gebildet, das ein Reaktionsgas mit hinzugefügten 0,1 Volumenprozent O₂ und 0,1 ppm B₂H₆ ([B₂H₆]/[O₂] = 1 * 10-4) gebildet (Arbeitsbeispiel 4). Zum Vergleich wurde eine Diamantschicht mittels CVD-Verfahrens unter Verwendung eines Reaktionsgases mit hinzugefügten 0,1 Volumenprozent O₂ und 0,095 ppm B₂H₆ ([B₂H₆]/[O₂] = 9,5 * 10-5) (Vergleichsbeispiel 3) gebildet. Die übrigen Bedingungen für die Methan/Wasserstoff-Konzentration, das Substratmaterial, die Substrattemperatur und den Gasdruck waren dieselben wie vorher. Die Veränderung im elektrischen Widerstand als Funktion der Temperatur für die Diamantschichten der Arbeitsbeispiele 3 und 4 und des Vergleichsbeispiels 4 wurden beide während eines Temperatur-Zuwachs-Vorgangs und eines Temperatur-Abfall-Vorgangs untersucht.
Fig. 3 ist ein Graph, der die Veränderungen des elektrischen Widerstands als Funktion der Temperatur in den Diamantschichten der Arbeitsbeispiele 3 und 4 und des Vergleichsbeispiels 3 zeigt. In dieser Abbildung zeigen die Abszisse und die Ordinate die Temperatur bzw. den elektrischen Widerstand an. Im Vergleichsbeispiel 3 nimmt der Widerstand durch das Ausheilen rapide zu, bis er nahezu gleich dem des isolierenden Diamants (1 * 1014 ) ist, wodurch es unmöglich ist, die Diamantschicht als p-Typ halbleitendes Material zu verwenden. Im Gegensatz dazu nimmt in den Arbeitsbeispielen 3 und 4 der Widerstand nur merklich zu, und daher haben diese Diamantschichten stabile elektrische Charakteristiken.
Aus all diesen vorstehend beschriebenen Resultaten wurde geschlossen, daß die erfindungsgemäß gebildeten Bor-dotierten Diamantschichten eine ausgezeichnete Kristallinität und elektrische Charakteristiken wie p-Typ halbleitende Materialien zur Vorrichtungsherstellung besitzen.
Im folgenden werden Schottkydioden hergestellt, die die erfindungsgemäß gebildete halbleitende Diamantschicht verwenden, und es werden ihre Charakteristiken untersucht.
Fig. 4 ist eine Schnittansicht, die eine typische Schottkydiode zeigt, die unter Verwendung einer Bor-dotierten Halbleiterschicht hergestellt wurde. Das Herstellungsverfahren ist folgendermaßen:
Zuerst wurde eine 1 µm dicke p-Typ Diamantschicht 2 auf einem Si-Substrat 3 mit niedrigem Widerstand unter Verwendung eines Mikrowellen-Plasma-CVD-Verfahrens gebildet, wobei das verwendete Reaktionsgas aus 0,5% Methan in Wasserstoff, 0,1 ppm B₂H₆ und 0,1 Volumenprozent O₂ ([B₂H₆]/[O₂] = 1 * 10-4) besteht. Während des CVD-Verfahrens betrug die Substrattemperatur 800°C und der Gasdruck 4665 Pa (35 Torr).
Als nächstes wurde die Diamantschicht im Vakuum bei 850°C für 30 min hitzebehandelt, um die elektrischen Charakteristiken der Schicht zu stabilisieren. Nachfolgend wurde eine Aluminiumelektrode 1 mit einem Durchmesser von 100 µm und einer Dicke von 200 µm selektiv auf der p-Typ Diamantschicht 2 mittels Elektronenstrahl-Abscheidung gebildet. Schließlich wurde eine Silberpaste 4 auf der Rückseite des Siliziumsubstrats 3 aufgebracht, um einen ohmschen Kontakt zu bilden (Arbeitsbeispiel 6).
Zum Vergleich wurde eine Schottkydiode mittels desselben Verfahrens gebildet wie im Arbeitsbeispiel 6, abgesehen davon, daß das Reaktionsgas 0,5% Methan in Wasserstoff und 0,1 ppm B₂H₆ (es wurde kein O₂ hinzugefügt) zum Diamantwachstum enthielt (Vergleichsbeispiel 5).
Fig. 5 zeigt die gemessenen Kennlinien der hergestellten Dioden. In der Diode des Vergleichsbeispiels 5 trat bei über 3 V im Sperrspannungsbereich ein Leckstrom auf. Im Gegensatz dazu war der Leckstrom in der Diode des Arbeitsbeispiels 6 besonders klein, so daß sie eine bevorzugte Richtcharakteristik zeigte Desweiteren wurde eine Schottkydiode mittels desselben Verfahrens wie im Arbeitsbeispiel 6 gebildet, außer, daß das Reaktionsgas 0,05 ppm B₂H₆ und 0,1 Volumenprozent O₂ enthielt (Vergleichsbeispiel 6).
Fig. 6 ist ein Graph, der die gemessenen Kennlinien der Schottkydioden des Arbeitsbeispiels 6 und des Vergleichsbeispiels 6 zeigt. Die Schottkydiode des Arbeitsbeispiels 6 zeigt eine bevorzugte Richtcharakteristik, während die Schottkydiode des Vergleichsbeispiels 6 einen sehr hohen Widerstand besitzt und der Strom äußerst gering war.
Aus den vorstehenden Versuchen wurde geschlossen, daß, wenn Diamantschichten erfindungsgemäß mittels des CVD-Verfahrens unter Verwendung eines Reaktionsgases mit B₂H₆ und O₂ in einem Volumenverhältnis ([B₂H₆]/[O₂]) 1 * 10-4 zusätzlich zu einem Kohlenwasserstoffgas in Wasserstoff gebildet werden, es möglich ist p-Typ halbleitende Diamantschichten mit ausgezeichneter Kristallinität und stabilen elektrischen Charakteristiken zu bilden, die für elektronische Vorrichtungen verwendet werden können.

Claims (1)

  1. Verfahren zur Bildung einer p-Typ halbleitenden Diamantschicht auf einem Substrat mittels Gasphasen-Synthese unter Verwendung eines Reaktionsgases, das B₂H₆ und O₂ in einem Volumenverhältnis von [B₂H₆]/[O₂] 1 * 10-4 zusätzlich zu mindestens einem Kohlenwasserstoffgas in Wasserstoff enthält.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3612795B2 (ja) * 1994-08-20 2005-01-19 住友電気工業株式会社 Ｘ線発生装置
US5878110A (en) * 1994-08-20 1999-03-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. X-ray generation apparatus
US5635258A (en) * 1995-04-03 1997-06-03 National Science Council Method of forming a boron-doped diamond film by chemical vapor deposition
US5803967A (en) * 1995-05-31 1998-09-08 Kobe Steel Usa Inc. Method of forming diamond devices having textured and highly oriented diamond layers therein
GB9616043D0 (en) * 1996-07-31 1996-09-11 De Beers Ind Diamond Diamond
US7939367B1 (en) 2008-12-18 2011-05-10 Crystallume Corporation Method for growing an adherent diamond layer atop an interlayer bonded to a compound semiconductor substrate
RU2585311C1 (ru) * 2014-12-11 2016-05-27 Российская Федерация, в лице Министерства промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) Способ изготовления углеродных пленок со структурой алмаза, легированных бором

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4486286A (en) * 1982-09-28 1984-12-04 Nerken Research Corp. Method of depositing a carbon film on a substrate and products obtained thereby
JPH03105974A (ja) * 1989-09-19 1991-05-02 Kobe Steel Ltd 多結晶ダイヤ薄膜合成によるシヨツトキー・ダイオードの製作法
JPH04214094A (ja) * 1990-04-26 1992-08-05 Hitachi Ltd 合成ダイヤモンド薄膜の製法、該薄膜及びそれを用いた装置
JPH0453173A (ja) * 1990-06-18 1992-02-20 Japan Steel Works Ltd:The ダイヤモンド皮膜体を用いた発光装置

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Publication number Publication date
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GB2266536B (en) 1995-04-12
US5353737A (en) 1994-10-11
GB2266536A (en) 1993-11-03
GB9307879D0 (en) 1993-06-02
JPH05299355A (ja) 1993-11-12

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