DE3689490T2 - Elektronenstrahlprüfsonde zur Untersuchung integrierter Schaltungen. - Google Patents

Elektronenstrahlprüfsonde zur Untersuchung integrierter Schaltungen.

Info

Publication number
DE3689490T2
DE3689490T2 DE3689490T DE3689490T DE3689490T2 DE 3689490 T2 DE3689490 T2 DE 3689490T2 DE 3689490 T DE3689490 T DE 3689490T DE 3689490 T DE3689490 T DE 3689490T DE 3689490 T2 DE3689490 T2 DE 3689490T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electron beam
electron
test object
test
electrons
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE3689490T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3689490D1 (de
Inventor
Neil Richardson
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Schlumberger Technologies Inc
Original Assignee
Schlumberger Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Schlumberger Technologies Inc filed Critical Schlumberger Technologies Inc
Application granted granted Critical
Publication of DE3689490D1 publication Critical patent/DE3689490D1/de
Publication of DE3689490T2 publication Critical patent/DE3689490T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/266Measurement of magnetic or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy
    • H01J37/268Measurement of magnetic or electric fields in the object; Lorentzmicroscopy with scanning beams
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302Contactless testing
    • G01R31/305Contactless testing using electron beams

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Elektronenstrahlprüfsondensystem mit den Merkmalen, die in der Präambel des Patentanspruchs 1 niedergelegt sind. Ein solches System nach dem Stand der Technik ist offenbart in SCANNING, Band 5, 2 1983, Seiten 71-83. In diesem bekannten System ist die Elektronenstrahlsäule stationär. Die Sondenkartenmittel sind relativ zu der Säule in drei orthogonalen Richtungen verlagerbar, um so Kontakt mit dem Prüfling herzustellen. Der letztere seinerseits ist verlagerbar relativ zu der Elektronenstrahlsäule zusammen mit den Sondenkartenmitteln, um eine richtige Ausfluchtung mit dem Elektronenstrahl zu ermöglichen. Die Sondenkartenmittel sind über flexible Leitungen nach außen über Vakuumdurchführungen angeschlossen, so daß sie den Verlagerungen des Prüflings folgen können. Die Leitungen übertragen Kräfte auf die Sondenkartenmittel mit der Tendenz, diese relativ zu dem Prüfling zu bewegen, und dies ist besonders erheblich, wenn steife Koaxialleiter und/oder eine große Anzahl von Leitern erforderlich sind, um beispielsweise eine komplexe Schaltung zu prüfen.
  • Das Dokument JP-A-51-87955 offenbart einen Elektronenstrahlprüfer, bei dem die Elektronenstrahlsäule relativ zu einem Prüfling beweglich ist.
  • Die vorliegende Erfindung, wie sie durch Patentanspruch 1 definiert wird, sieht die Verlagerung der Elektronenstrahlerzeugungsmittel relativ zu den Prüflingspositioniermitteln vor, die ihrerseits verwendet werden, um den Prüfling in die richtige Position relativ zu den Sondenkartenmitteln zu bringen.
  • Die abhängigen Ansprüche definieren Besonderheiten von Ausführungsformen der Erfindung.
  • Die Erfindung wird im einzelnen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • Fig. 1 zeigt eine Prüfsonde gemäß der vorliegenden Erfindung in etwas schematisierter Weise; und
  • Fig. 2 illustriert die mechanischen Einstellungen, die gemäß der vorliegenden Erfindung vorgesehen sind.
  • Eine gemäß der vorliegenden Erfindung aufgebaute Prüfsonde ist schematisch bei 100 in Fig. 1 gezeigt. Sie besteht aus einer Elektronenstrahlquelle, bestehend aus einer Wolframwendel 102, die, wenn sie durch Durchleitung eines elektrischen Stromes erhitzt wird, Elektronen emittiert. Die Faktoren, welche die Konstruktion der Elektronenstrahlquelle beeinflussen, werden weiter unten erörtert. Diese Elektronen werden beschleunigt durch eine Potentialdifferenz, die zwischen der Wendel 102 und einer Beschleunigungselektrode 104 aufrecht erhalten wird. Die von der Elektrode 104 beschleunigten Elektronen werden dann in einen Elektronenstrahl geformt durch die Öffnung 106 in der Elektrode 104. Der Elektronenstrahl wird auf einen Punkt in einem Prüfling 108 fokussiert mittels zweier magnetischer Linsen, der magnetischen Linse 110 und der magnetischen Kollimationslinse 112. Ablenkspulen 114 werden verwendet, um eine Korrektur bezüglich irgendwelcher kleiner Fehlausfluchtungen zwischen der Wendel 102 und der Achse 116 der Elektronenstrahlsäule herbeizuführen. Die Sekundärelektronen, erzeugt in Reaktion auf das Bombardement des Prüflings 108 durch diesen Elektronenstrahl, werden in einen zweiten kollimierten Strahl geformt durch die kollimierende magnetische Linse 112. Dieser zweite kollimierte Strahl läuft in einer Richtung parallel zu dem Elektronenstrahl, der verwendet wurde, um den Prüfling 108 zu bombardieren, und in einer Richtung entgegengesetzt jener des bombardierenden Strahls. Jene Sekundärelektronen mit hinreichender Energie, die durch eine Filterelektrode 118 gelangen, werden in einen Sekundärelektronendetektor 120 abgelenkt durch die Kombination einer negativen Spannung, angelegt an eine Unterdrückerelektrode 122, und ein positives Potential, angelegt an die Oberfläche 124 des Sekundärelektronendetektors 120.
  • In der bevorzugten Ausführungsform besteht die kollimierende magnetische Linse 112 aus einer Spule, die in eine ringförmige Führung gewickelt ist, ausgebildet in einem Polstück mit einem Schlitz, der abwärts geneigt ist in Richtung des Punktes, an welchem der Prüfling von dem Elektronenstrahl bombardiert wird. Das Polstück hat Toroidform mit einem Durchlaß, der zylindrische Form aufweist mit einer Achse, die zusammenfällt mit der Achse 116 der Elektronenstrahlsäule. Das Polstück ist aus einem ferromagnetischen Material mit hoher magnetischer Permeabilität hergestellt.
  • Wenn eine Strom die Spule durchfließt, wird ein magnetisches Feld erzeugt. Das so erzeugte magnetische Feld bildet einen Magnetkreis, in dem die Feldlinien in einer Ebene liegen, die senkrecht ist zu der Richtung der Drähte in der Spule. Da das Polstück aus magnetisch hochpermeablem Material hergestellt ist, wird der größte Teil dieses Magnetkreises gezwungen, durch das Polstück zu verlaufen. Da jedoch der Schlitz kein solches hochpermeables Material enthält, "beulen" sich die Flußlinien aus an der Stelle des Schlitzes unter Bildung eines Bereichs intensiven Magnetfeldes an dieser Stelle. Der kleine Anteil des Magnetfeldes, der nicht auf das Polstück beschränkt ist, bildet einen Bereich gleichförmigen schwächeren Magnetfeldes in der Bohrung der magnetischen Linse, wie durch die Flußlinie angedeutet.
  • Die kollimierende magnetische Linse 112 wirkt auf die Sekundärelektronen in einer Weise analog zur Wirkung einer optischen Linse auf Photonen, die emittiert werden von einer Punktlichtquelle, die sich im Brennpunkt dieser Linse befindet.
  • Gemäß Fig. 1 wird die Potentialbarriere, die dazu dient, die Energieverteilung der Sekundärelektronen zu erfassen, erzeugt durch Anlegen eines Potentials an eine Filterelektrode 118. In der bevorzugten Ausführungsform ist die Filterelektrode 118 eine rohrförmige Elektrode, die sich in der Bohrung der kollimierenden magnetischen Linse 112 befindet. Fachleute werden erkennen, daß eine gleichförmige Potentialbarriere am Einlaß 157 der rohrförmigen Elektrode erzeugt wird, wenn ein Potential an die genannte rohrförmige Elektrode angelegt wird, vorausgesetzt, daß der Durchmesser der rohrförmigen Elektrode klein ist im Vergleich mit ihrer Länge. Bei der vorliegenden Erfindung ist die Länge der rohrförmigen Elektrode vorzugsweise mindestens das Zweifache ihres Durchmessers. Die optimale Plazierung der Filterelektrode 118 liegt in dem Bereich gleichförmigen Magnetfeldes, erzeugt durch die kollimierende magnetische Linse 112, da die Sekundärelektronen in diesem Bereich kollimiert werden. Wenn die Filterelektrode 118 in dem Bereich plaziert wäre, in welchem der Magnetfluß divergiert, würden auch die Sekundärelektronen divergierende Geschwindigkeitsvektoren aufweisen, und demgemäß die Verbesserungen in der Energieauflösung, bewirkt durch die Kollimierung, würde reduziert.
  • Jene Sekundärelektronen, die genügend Energie haben, um die Potentialbarriere zu überwinden, die durch die Filterelektrode 118 aufgebaut wird, werden in den Sekundärelektronendetektor 120 "gefegt" durch ein elektrostatisches Fegefeld, erzeugt durch eine Kombination eines negativen Potentials, angelegt an die Unterdrückerelektrode 122, und ein positives Potential, angelegt an die Oberfläche 124 des Sekundärelektronendetektors 120. Fachleute erkennen, daß das positive Potential, angelegt an die Oberfläche 124, auch angelegt werden könnte an eine Elektrode, angeordnet zwischen dem Sekundärelektronendetektor 120 und der Unterdrückerelektrode 122. In der bevorzugten Ausführungsform ist die Unterdrückerelektrode eine rohrförmige Elektrode mit einer Achse, die parallel verläuft zu der der Elektronenstrahlsäule. Ein Abschnitt 158 ist aus der Seite nächst dem Sekundärelektronendetektor 120 entfernt, um einen Durchlaß für die Sekundärelektronen zu schaffen.
  • Das an die Unterdrückerelektrode 122 angelegte Potential ist so gewählt, daß zwischen Sekundärelektronen von dem Prüfling und rückgestreuten Elektronen diskriminiert wird. Die rückgestreuten Elektronen haben Energien, die viel höher sind als jene der Sekundärelektronen. Demgemäß ist ein viel größeres elektrostatisches Feld erforderlich, um die rückgestreuten Elektronen in den Sekundärelektronendetektor 120 zu fegen. Das an die Unterdrückelektrode 122 angelegte Potential wird hoch genug gewählt, um die Sekundärelektronen in den Sekundärelektronendetektor 120 zu fegen, und niedrig genug, um irgendwelche rückgestreuten Elektronen, die aus der Filterelektrode austreten, in der Bohrung 160 der Unterdrückerelektrode 122 zu belassen. Die meisten dieser rückgestreuten Elektronen stoßen schließlich auf irgend eine Struktur oberhalb der Unterdrückerelektrode 122. Irgendwelche niederenergetischen Elektronen, die durch solche Kollisionen erzeugt werden, beeinflussen nicht die Potentialmessung des Prüflings, da solche Elektronen nicht in der Lage sein werden, den Sekundärelektronendetektor 120 zu erreichen. Der genaue Wert für das Unterdrückerelektrodenpotential hängt ab von den physikalischen Abmessungen der Unterdrückerelektrode 122 und ihrer Positionierung relativ zu den anderen Komponenten der Elektronenstrahlsäule.
  • In der bevorzugten Ausführungsform ist die Energie des Elektronenstrahls erheblich niedriger als jene, die bei Systemen nach dem Stand der Technik verwendet wird. Die meisten Systeme nach dem Stand der Technik sind im wesentlich Anpassungen von abtastenden Elektronenmikroskopen. Als solche werden sie optimiert für Elektronenstrahlenergien im Bereich von 10 bis 20 keV. Die Prüfsonde der vorliegenden Erfindung verwendet eine Elektronenstrahlenergie im Bereich von 500 bis 1500 Volt.
  • Prüfsondensysteme nach dem Stand der Technik hatten ein unzureichendes "Sichtfeld" zum Prüfen eines vollständigen VLSI-Kreises. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird dieses Problem überwunden durch Vorsehen von sowohl groben wie auch feinen Einstellmitteln für das Positionieren des Elektronenstrahls relativ zu dem Prüfling. Die Feineinstellmittel bestehen aus Steuermagneten 186, dargestellt in Fig. 1, welche den Elektronenstrahl relativ zu dem Prüfling auslenken. Die Steuermagnete 186 können Elektronenstrahlauslenkungen in jeder von zwei zueinander senkrechten Richtungen senkrecht zu der Richtung des Elektronenstrahls erzeugen. Demgemäß können sie verwendet werden zum Abtasten eines Bereichs auf dem Prüfling, wie auch zum Vorsehen einer Feinpositionierung des Elektronenstrahls auf dem Prüfling. Diese Abtastbewegung kann verwendet werden, um ein Bild der Oberfläche des Prüflings aufzubauen, das akzentuiert ist zur Darstellung der unterschiedlichen elektrostatischen Potentiale, die auf dem Prüfling vorliegen.
  • In der bevorzugten Ausführungsform bestehen diese Steuermagnete aus Steuerspulen, die auf geringfügig leitfähigen Kunststoffstützen gewickelt sind zum Verbessern ihres Frequenzverhaltens. Für Fachleute versteht es sich, daß die Steuermagnete 186 ersetzt werden könnten durch elektrostatische Ablenkplatten, die den Elektronenstrahl dazu bringen, in ähnlicher Weise abgelenkt zu werden, wenn ein entsprechendes Potential an sie angelegt wird.
  • Die Grobeinstellmittel sind in Fig. 2 dargestellt. Die Elektronenstrahlsäule 187 ist innerhalb eines Vakuumgefäßes montiert mit einer Begrenzung, die bei 188, 190 und 192 dargestellt ist. Diese Begrenzung umschließt auch eine Bühne 194 mit einer Plattform 196 für das Halten des Prüflings 108. Die Elektronenstrahlsäule umfaßt Mittel für das Positionieren der Säule, dargestellt bei 198 und 200, durch Verlagerung in zwei orthogonalen Richtungen x und y, senkrecht zu der Elektronenstrahlrichtung. Die Elektronenstrahlsäule kann bewegt werden unter Verwendung von Mikrometern 202 und 204, welche die Positioniermittel 198 bzw. 200 steuern. Zusätzlich bildet die Bühne 194 ein Mittel für das Positionieren des Prüflings durch Verlagerung in irgend einer von drei Richtungen x, y und z und mittels Drehung um einen Winkel A um eine Achse parallel zur Elektronenstrahlrichtung. Die verschiedenen translatorischen Bewegungen, die von der Bühne 194 ausgeführt werden, werden mittels Mikrometern 206, 208 und 210 gesteuert. Die Drehbewegung wird gesteuert durch ein Mikrometer 212. In der bevorzugten Ausführungsform werden diese Mikrometer durch Schrittmotore unter Computerüberwachung gesteuert.
  • Ein flexibler Balgen 190 bildet ein Mittel für die Aufrechterhaltung des Vakuums in dem Gefäß, wenn die Elektronenstrahlsäule relativ zu der Vakuumkammer bewegt wird. Der Balgen 190 ermöglicht, daß die Säulenpositioniermittel außerhalb des Vakuumgefäßes bleiben. Diese Positioniermittel verwenden vorzugsweise konventionelle Lager oder andere geschmierte Oberflächen zur Abstützung der Säulenlast. Das Ausgasen solcher Schmiermittel während des Abpumpprozesses erhöht die Länge der Zeit, die erforderlich ist, um die Vakuumkammer leerzupumpen, wenn ein neuer Prüfling in die Prüfsonde eingeführt wird. Zusätzlich ist das Volumen des Vakuumgefäßes, das jedesmal abgepumpt werden muß, wenn ein Prüfling in das Gerät eingesetzt wird, durch diese Konstruktion ebenfalls minimiert.
  • Eine Sondenkarte 214 bildet ein Mittel für die Herstellung elektrischer Verbindungen zu dem Prüfling 108, der auf der Plattform oder dem Tisch 196 montiert ist. Diese Sondenkarte 214 enthält ein Loch, durch das der Elektronenstrahl hindurchtritt.
  • Eine der beabsichtigten Anwendungen des Gerätes der vorliegenden Erfindung besteht darin, Potentialmessungen an integrierten Schaltkreisen auszuführen. Wie Fachleuten auf dem Gebiet der integrierten Schaltungen bekannt ist, werden integrierte Schaltkreise normalerweise auf Wafern hergestellt, die hunderte solcher Schaltkreise enthalten. Die Vorrichtung der vorliegenden Erfindung kann verwendet werden, um eine einzelne integrierte Schaltung vor ihrer Abtrennung von anderen integrierten Schaltkreisen auf dem Wafer zu prüfen. Solche Messungen erfolgen unter Verwendung der vorliegenden Erfindung durch Positionieren des gewünschten integrierten Schaltkreises, der als ein "Chip" bezeichnet wird, im Sichtfeld des Elektronenstrahls und nachfolgendes Bewegen des Elektronenstrahls auf die verschiedenen Punkte auf dem "Chip", an denen Potentialmessungen gewünscht werden. Der Wafer ist auf dem Tisch 196 bei 108 montiert. Die Positionssteuerungen 206, 208, 210 und 212 werden verwendet, um den gewünschten Chip relativ zu der Sondenkarte 214 zu positionieren. Die Sondenkarte enthält mechanische Sonden 216 für die Übertragung von Leistungs- und Prüfsignalen auf den zu prüfenden Chip.
  • Wenn der gewünschte Chip korrekt relativ zu der Sondenkarte 214 positioniert ist, wird der interessierende Bereich auf diesem Chip ausgewählt durch Verlagern der Elektronenstrahlsäule 187 relativ zu dem Chip unter Verwendung der groben x-y Positionssteuerungen 198 und 200. Der interessierende Bereich wird dann untersucht unter Anwendung der Steuermagnete 186.
  • Die vorliegende Erfindung umfaßt ein Mittel für das Pulsierenlassen des Elektronenstrahls in kurzen Impulsen. Dies wird bewirkt durch Anlegen eines geeigneten Potentials an die Löschelektroden 220, die in Fig. 1 gezeigt sind. Bei Fehlen eines Potentials an diesen Löschelektroden wird der Elektronenstrahl durch die magnetische Linse 110 in die Apertur 160 abgebildet. Die kollimierende magnetische Linse 112 bildet dann den Elektronenstrahl auf einen kleinen Fleck auf dem Prüfling 108 ab. Wenn ein Potential an die Löschelektroden angelegt wird, wird der Elektronenstrahl soweit ausgelenkt, daß er in die Öffnung 160 nicht mehr eintreten kann.

Claims (4)

1. Ein Elektronenstrahl-Prüfsondensystem für das Messen des Potentials an einem oder mehreren Punkten auf einem Prüfling (108), welches System umfaßt:
- eine Elektronenstrahlsäule (187),
- ein Vakuumgefäß (188, 190, 192),
- eine Prüflingskarte (214) für die Herstellung elektrischer Verbindungen zu dem Prüfling (108),
- Prüflingspositioniermittel (194, 196) für das Positionieren des Prüflings (108) relativ zu der Sondenkarte (214) durch Verlagern in zwei zueinander senkrechten Richtungen (X, Y), senkrecht zu einer vorbestimmten Achse (116), und für die Drehung um einen Winkel (A) um eine Achse parallel zu der vorbestimmten Achse (116),
- welche Elektronenstrahlsäule (187), Sondenkarte (214) und Prüflingspositioniermittel (194, 196) sämtlich in dem Vakuumgefäß (188, 190, 192) enthalten sind, gekennzeichnet durch
Säulenpositioniermittel (198, 200) für das Positionieren der Elektronenstrahlsäule (187) relativ zu der Sondenkarte (214) durch Verlagern in zwei zueinander senkrechten Richtungen (X, Y), senkrecht zu der vorbestimmten Achse (116), welche Säulenpositioniermittel (198, 200) außerhalb des Vakuumgefäßes (188, 190, 192) sind.
2. Das Prüfsondensystem nach Anspruch 1, bei dem die Elektronenstrahlsäule gekennzeichnet ist durch:
- Elektronenstrahlquellenmittel (102) für die Erzeugung eines Elektronenstrahls mit einer Energie zwischen 500 und 1500 eV,
- Ausfluchtungsmittel (114) für das Ausfluchten des Elektronenstrahls relativ zu der vorbestimmten Achse (116),
- erste Aperturmittel (106) für das Begrenzen der Winkeldivergenz des Elektronenstrahls,
- Mittel für das Erzeugen eines Unterdrückungssignals,
- Unterdrückungselektrodenmittel (220) für das Ablenken des Elektronenstrahls, wenn das Unterdrückungssignal erzeugt wird,
- zweite Aperturmittel (160) für das Auffangen des Elektronenstrahls, wenn der Elektronenstrahl durch die Unterdrückungselektrodenmittel (220) abgelenkt wird,
- erste Magnetlinsenmittel (110) für das Abbilden der Elektronen, die nicht von den ersten Aperturmitteln (106) entfernt wurden, in die zweiten Aperturmittel (160), wenn kein Unterdrückungssignal erzeugt wird,
- Elektronenstrahlsteuermittel (186) für das Ablenken des Elektronenstrahls in jeder von zwei zueinander senkrechten Richtungen, von denen jede senkrecht ist zu der vorbestimmten Achse (116) derart, daß der Elektronenstrahl den Prüfling (108) an einem ausgewählten Punkt auf diesem bombardiert,
- kollimierende Magnetlinsenmittel (112) für das Fokussieren des Elektronenstrahls auf den Prüfling (108) und für das Kollimieren der Sekundärelektronen, die erzeugt werden in Reaktion auf das Elektronenstrahlbombardement des Prüflings (108), wobei die ersten Magnetlinsenmittel (110) den Elektronenstrahl in die kollimierenden Magnetlinsenmittel (112) fokussieren,
- Elektronenerkennungsmittel (120) für das Erfassen von Sekundärelektronen, die durch die kollimierenden Magnetlinsenmittel (112) kollimiert wurden und Energien aufweisen, die größer sind als eine erste spezifizierte Energie und kleiner als eine zweite spezifizierte Energie, wobei die zweite spezifizierte Energie kleiner ist als die Energie der Elektronen von dem Elektronenstrahl, die von dem Prüfling (108) rückgestreut werden.
3. Das Prüfsondensystem nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die kollimierenden Magnetlinsenmittel (112) eine Magnetlinse umfassen mit einem Bereich intensiven Magnetflusses, im wesentlichen koinzident mit dem Punkt, an dem der Elektronenstrahl den Prüfling (108) bombardiert, und einen Bereich gleichförmigen Magnetflusses mit Feldlinien, im wesentlichen parallel zu der vorbestimmten Achse (116), und wobei die Elektronenerkennungsmittel (120) umfassen:
- Elektronenzahlmittel für das Zählen von Elektronen,
- Potentialbarrieremittel (118) für das Hindern von Elektronen mit Energien unter der ersten spezifizierten Energie am Erreichen der Elektronenzählmittel; und
- Elektronenablenkmittel (122) für das Ablenken von Elektronen mit Energien unterhalb der zweiten spezifizierten Energie in die Elektronenzählmittel.
4. Das Prüfsondensystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Prüflingspositioniermittel Mittel (210) umfassen für das Verlagern des Prüflings (108) in einer Richtung parallel zu der vorbestimmten Achse (116).
DE3689490T 1985-03-15 1986-03-14 Elektronenstrahlprüfsonde zur Untersuchung integrierter Schaltungen. Expired - Fee Related DE3689490T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US71259385A 1985-03-15 1985-03-15
US06/766,905 US4864228A (en) 1985-03-15 1985-08-16 Electron beam test probe for integrated circuit testing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3689490D1 DE3689490D1 (de) 1994-02-17
DE3689490T2 true DE3689490T2 (de) 1994-07-28

Family

ID=27108857

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3689490T Expired - Fee Related DE3689490T2 (de) 1985-03-15 1986-03-14 Elektronenstrahlprüfsonde zur Untersuchung integrierter Schaltungen.
DE198686400552T Pending DE196958T1 (de) 1985-03-15 1986-03-14 Elektronenstrahlpruefsonde zur untersuchung integrierter schaltungen.

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE198686400552T Pending DE196958T1 (de) 1985-03-15 1986-03-14 Elektronenstrahlpruefsonde zur untersuchung integrierter schaltungen.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4864228A (de)
EP (1) EP0196958B1 (de)
CA (1) CA1271997A (de)
DE (2) DE3689490T2 (de)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4748324A (en) * 1985-05-31 1988-05-31 Siemens Aktiengesellschaft Electrostatic opposing field spectrometer for electron beam test methods
US4706019A (en) * 1985-11-15 1987-11-10 Fairchild Camera And Instrument Corporation Electron beam test probe system for analyzing integrated circuits
EP0226913A3 (de) * 1985-12-17 1988-10-05 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und Anordnung zur Lokalisierung und/oder Abbildung der ein bestimmtes zeitabhängiges Signal führenden Punkte einer Probe
US5072417A (en) * 1990-03-30 1991-12-10 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus for synchronizing the time scales of e-beam test equipment
DE4041027C1 (de) * 1990-12-20 1992-06-25 Siemens Nixdorf Informationssysteme Ag, 4790 Paderborn, De
DE4103410C1 (de) * 1991-02-05 1992-08-06 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De
DE4210394C2 (de) * 1991-03-28 1996-09-12 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zur Messung von Magnetfeldern und Strömen
JP2851213B2 (ja) * 1992-09-28 1999-01-27 株式会社東芝 走査電子顕微鏡
US5601909A (en) * 1993-12-07 1997-02-11 Kubo; Tetsujiro Permanent electrode carrier using tourmaline
DE19526194C2 (de) * 1994-07-18 2002-11-07 Advantest Corp Verfahren zur Feststellung eines Fehlers eines ICs unter Verwendung eines Strahls geladener Teilchen
US6075234A (en) * 1997-12-22 2000-06-13 Silicon Systems, Inc. Non-contact method and apparatus to obtain a timing signal from internal integrated circuit nodes
US6144037A (en) * 1998-06-18 2000-11-07 International Business Machines Corporation Capacitor charging sensor
US6740889B1 (en) * 1998-09-28 2004-05-25 Applied Materials, Inc. Charged particle beam microscope with minicolumn
JP2000206405A (ja) * 1999-01-14 2000-07-28 Pioneer Electronic Corp 非球面対物レンズ及びその製造方法
WO2002049065A1 (en) * 2000-12-12 2002-06-20 Ebara Corporation Electron beam device and semiconductor device production method using the device
US6815689B1 (en) * 2001-12-12 2004-11-09 Southwest Research Institute Mass spectrometry with enhanced particle flux range
US6661009B1 (en) * 2002-05-31 2003-12-09 Fei Company Apparatus for tilting a beam system
JP5185506B2 (ja) * 2006-03-23 2013-04-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線パターン測定装置
KR101914231B1 (ko) * 2012-05-30 2018-11-02 삼성디스플레이 주식회사 주사 전자 현미경을 이용한 검사 시스템
AT516561B1 (de) * 2014-12-10 2019-07-15 Verein Zur Foerderung Der Elektronenmikroskopie Und Feinstrukturforschung Elektronenmikroskop und Verfahren zum Untersuchen einer Probe mit einem Elektronenmikroskop
TWI693405B (zh) 2015-03-24 2020-05-11 美商克萊譚克公司 用於具有改良之影像光束穩定性及詢問之帶電粒子顯微鏡之方法及系統
US10973112B2 (en) * 2017-07-18 2021-04-06 Hitachi High-Tech Corporation Charged particle beam device
US10163601B1 (en) * 2017-12-28 2018-12-25 Intel Corporation Probe assembly with high bandwidth beam
EP3591685A1 (de) * 2018-07-06 2020-01-08 FEI Company Elektronenmikroskop mit verbesserter abbildungsauflösung
CN113035735B (zh) * 2021-03-01 2022-05-27 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的测量方法、系统、介质和电子设备
US20240057957A1 (en) * 2022-08-19 2024-02-22 Applied Materials Israel Ltd. Energy dispersive x-ray spectroscopy sensing unit

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1246744A (en) * 1969-01-02 1971-09-15 Graham Stuart Plows Electron beam apparatus
US3628012A (en) * 1969-04-03 1971-12-14 Graham Stuart Plows Scanning stereoscopic electron microscope
JPS5187955A (de) 1975-01-31 1976-07-31 Hitachi Ltd
US4169244A (en) * 1978-02-03 1979-09-25 Plows Graham S Electron probe testing, analysis and fault diagnosis in electronic circuits
JPS56114269A (en) * 1980-02-15 1981-09-08 Internatl Precision Inc Scanning type electronic microscope
KR850001390B1 (ko) * 1980-07-31 1985-09-24 니혼 덴시 가부시끼 가이샤 2차 전자 검출장치
DE3036708A1 (de) * 1980-09-29 1982-05-13 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektronenstrahl-messgeraet zur stroboskopischen messung hochfrequenter periodischer vorgaenge
JPS57118357A (en) * 1981-01-14 1982-07-23 Jeol Ltd Objective lens for scan type electron microscope
JPS57145259A (en) * 1981-03-03 1982-09-08 Akashi Seisakusho Co Ltd Scanning type electron microscope and its similar device
JPS58197644A (ja) * 1982-05-13 1983-11-17 Akashi Seisakusho Co Ltd 電子顕微鏡およびその類似装置
JPS58198837A (ja) * 1982-05-15 1983-11-18 Akashi Seisakusho Co Ltd 電子顕微鏡およびその類似装置
WO1984000443A1 (en) * 1982-07-16 1984-02-02 Lintech Instr Ltd Electron beam apparatus and electron collectors therefor
JPS5931549A (ja) * 1982-08-13 1984-02-20 Hitachi Ltd ストロボ走査形電子顕微鏡の像表示装置
DE3235484A1 (de) * 1982-09-24 1984-03-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur unterdrueckung einer stoerung bei der messung von signalverlaeufen mit einer korpuskularsonde und vorrichtung zur durchfuehrung eines solchen verfahrens
DE3236271A1 (de) * 1982-09-30 1984-04-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Spektrometerobjektiv fuer die korpuskularstrahl-messtechnik
US4567432A (en) * 1983-06-09 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for testing integrated circuits
GB8327737D0 (en) * 1983-10-17 1983-11-16 Texas Instruments Ltd Electron detector
JPH05187955A (ja) * 1992-07-16 1993-07-27 Sumitomo 3M Ltd 漏水検知帯及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE196958T1 (de) 1991-10-17
CA1271997A (en) 1990-07-24
EP0196958A2 (de) 1986-10-08
EP0196958B1 (de) 1994-01-05
EP0196958A3 (en) 1988-08-24
US4864228A (en) 1989-09-05
DE3689490D1 (de) 1994-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3689490T2 (de) Elektronenstrahlprüfsonde zur Untersuchung integrierter Schaltungen.
DE3636316C2 (de)
DE69406739T2 (de) Elektronenstrahlgerät
DE60011031T2 (de) Optische Säule für Teilchenstrahlvorrichtung
DE69422825T2 (de) Wahrnehmungsvorrichtung für die messung starker höhenunterschiedsverhältnisse
EP0189777B1 (de) Korpuskularstrahl-Messverfahren zum berührungslosen Testen von Leitungsnetzwerken
DE3752358T2 (de) Ionenstrahlabtastverfahren und vorrichtung
EP0218829B1 (de) Anordnung zur Detektion von Sekundär- und/oder Rückstreuelektronen in einem Elektronenstrahlgerät
DE102018202728B4 (de) Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts, Computerprogrammprodukt und Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens
DE69024468T2 (de) Gerät zur Untersuchung von Proben mittels Ladungsträgerpartikeln
DE69333184T2 (de) Abrasterungstechniken in partikelstrahl-vorrichtungen zur minderung von durch oberflächenladungsansammlung hervorgerufenen effekten
EP0013876B1 (de) Einrichtung zur berührungslosen Potentialmessung
EP0267555A2 (de) Spektrometerobjektiv für Korpuskularstrahlmessgeräte und Verfahren zur Untersuchung von Proben.
EP0893816A2 (de) Korpuskularstrahlgerät
EP1280184A2 (de) Untersuchungssystem zum teilchenoptischen Abbilden eines Objekts, Ablenkvorrichtung für geladene Teilchen sowie Verfahren zum Betrieb derselben
DE2922325C2 (de)
DE69920182T2 (de) Korpuskularstrahloptisches gerät mit auger-elektronendetektion
EP0205184A2 (de) Abberrationsarmes Spektrometer-Objektiv hoher Sekundärelektronen-Akzeptanz
DE112014004151T5 (de) Verfahren zur Korrektur der Neigung eines Strahls geladener Teilchen und mit einem Strahl geladener Teilchen arbeitende Vorrichtung
DE112017007063T5 (de) Ladungsträgerstrahlvorrichtung
EP0236807A2 (de) Spektrometerobjektiv für die Korpuskularstrahl-Messtechnik
DE69620986T2 (de) Rasterelektronenmikroskop
DE2555781C3 (de) Elektronenstrahlapparat
DE69918958T2 (de) Rasterelektronenmikroskop mit einem ortssensitiven detektor
DE2702444B2 (de) Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Abbildung einer Maske auf ein Präparat

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee