DE3630775A1 - Mosfet-hochspannungsschalter mit extrem kurzer schaltzeit - Google Patents
Mosfet-hochspannungsschalter mit extrem kurzer schaltzeitInfo
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4035969A1 (de) * | 1990-01-26 | 1991-08-01 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung mit wenigstens einer einen leistungs-mosfet enthaltenden schaltvorrichtung |
DE4131949A1 (de) * | 1990-09-25 | 1992-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | Schalteinrichtung fuer lasergeraete |
DE4040164A1 (de) * | 1990-12-15 | 1992-06-17 | Schwerionenforsch Gmbh | Hochspannungsschalter |
FR2730356A1 (fr) * | 1995-02-02 | 1996-08-09 | Commissariat Energie Atomique | Circuit de coupure rapide de courant dans un interrupteur a haute tension |
EP0910169A3 (en) * | 1997-10-17 | 2000-12-06 | Nec Corporation | FET device for use in solid-state relay |
EP1063771A1 (fr) * | 1999-06-22 | 2000-12-27 | Commissariat A L'energie Atomique | Cummutateur ultra-rapide à haute fréquence de récurrence |
EP1184944A3 (de) * | 2000-08-29 | 2002-12-18 | TuiLaser AG | Excimer-Laser und Verfahren zum Betreiben eines Excimer-Lasers |
DE10216707C1 (de) * | 2002-04-16 | 2003-10-02 | Schneider Elektrotechnik Gmbh | Schaltungsanordnung zum Schalten von hohen Spannungen |
WO2003092147A1 (de) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Abb Patent Gmbh | Sperrwandleranordnung |
WO2008113337A3 (de) * | 2007-03-21 | 2009-05-28 | Ltb Lasertechnik Berlin Gmbh | Schaltanordnung mit zumindest zwei ausgangsseitig elektrisch in reihe geschalteten schaltstufen |
US8395284B2 (en) | 2006-05-23 | 2013-03-12 | Ltb Lasertechnik Berlin Gmbh | High-power switching module and method for the generation of switching synchronism in a high-power switching module |
US8536929B2 (en) | 2009-01-26 | 2013-09-17 | Bergmann Messgeräte Entwicklung Kg | High voltage switch with adjustable current |
US8610990B2 (en) | 2009-06-30 | 2013-12-17 | Bergmann Messgeraete Entwicklungs KS | Driver for a Pockels cell |
WO2014090392A1 (de) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | Trumpf Laser Gmbh + Co. Kg | Pockelszellentreiberschaltung und verfahren zum betrieb einer pockelszelle |
US20140285021A1 (en) * | 2011-11-02 | 2014-09-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Capacitive load driving circuit |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4240647C1 (de) * | 1992-12-03 | 1994-06-01 | Schwerionenforsch Gmbh | Hochspannungsschalter mit kurzer Schaltzeit und potentialfreier Ansteuerung |
DE10104515B4 (de) * | 2000-12-27 | 2005-08-25 | Vick, Ralf, Dr.-Ing. | Elektronische Hochspannungsschalteranordnung |
DE10251888B4 (de) | 2002-11-07 | 2005-04-21 | Bergmann Meßgeräte Entwicklung KG | Treiber für Pockelzelle und Verwendung der Pockelzelle in Lasersystemen |
DE102004037756A1 (de) * | 2004-08-04 | 2006-02-23 | Afs Entwicklungs + Vertriebs Gmbh | Anordnung und Verfahren zur Erzeugung einer Koronaentladung |
JP2008518406A (ja) | 2004-10-25 | 2008-05-29 | ティーイーエル エピオン インク. | イオンビーム処理装置のスキャン中にアークを抑制する方法および機構 |
DE102007006827B3 (de) * | 2007-02-07 | 2008-03-06 | Oliver Bartels | Halbleiterschalter für Hochspannungen |
SI2636108T1 (sl) | 2010-11-03 | 2017-09-29 | Bergmann Messgeraete Entwicklung Kg | Visoko napetostno stikalo s hladilno napravo |
EP3023832B1 (de) | 2014-11-24 | 2018-03-28 | Bergmann Messgeräte Entwicklung KG | Pockelszellen-Treiberschaltung mit Induktivitäten |
US10388507B2 (en) | 2016-01-12 | 2019-08-20 | Shimadzu Corporation | Time-of-flight mass spectrometer |
DE102017114289A1 (de) | 2017-06-27 | 2018-12-27 | Healthfactories GmbH | Halbleiterschalter für Hochspannungen mit neuartiger resonanter Übertragerkette |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0048758B1 (en) * | 1979-12-28 | 1985-09-25 | International Rectifier Corporation Japan, Ltd. | Field effect transistor circuit configuration |
DE3411712A1 (de) * | 1984-03-29 | 1985-10-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltung zur erzeugung von sehr kurzen leistungsimpulsen |
-
1986
- 1986-09-10 DE DE19863630775 patent/DE3630775A1/de active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0048758B1 (en) * | 1979-12-28 | 1985-09-25 | International Rectifier Corporation Japan, Ltd. | Field effect transistor circuit configuration |
DE3411712A1 (de) * | 1984-03-29 | 1985-10-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltung zur erzeugung von sehr kurzen leistungsimpulsen |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4035969A1 (de) * | 1990-01-26 | 1991-08-01 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung mit wenigstens einer einen leistungs-mosfet enthaltenden schaltvorrichtung |
DE4131949A1 (de) * | 1990-09-25 | 1992-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | Schalteinrichtung fuer lasergeraete |
US5305338A (en) * | 1990-09-25 | 1994-04-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Switch device for laser |
DE4131949C2 (de) * | 1990-09-25 | 1996-10-10 | Mitsubishi Electric Corp | Schalteinrichtungen für ein entladungserregtes Impulslasergerät |
DE4040164A1 (de) * | 1990-12-15 | 1992-06-17 | Schwerionenforsch Gmbh | Hochspannungsschalter |
FR2730356A1 (fr) * | 1995-02-02 | 1996-08-09 | Commissariat Energie Atomique | Circuit de coupure rapide de courant dans un interrupteur a haute tension |
EP0910169A3 (en) * | 1997-10-17 | 2000-12-06 | Nec Corporation | FET device for use in solid-state relay |
EP1063771A1 (fr) * | 1999-06-22 | 2000-12-27 | Commissariat A L'energie Atomique | Cummutateur ultra-rapide à haute fréquence de récurrence |
FR2795572A1 (fr) * | 1999-06-22 | 2000-12-29 | Commissariat Energie Atomique | Commutateur ultra-rapide a haute frequence de recurrence |
EP1184944A3 (de) * | 2000-08-29 | 2002-12-18 | TuiLaser AG | Excimer-Laser und Verfahren zum Betreiben eines Excimer-Lasers |
DE10216707C1 (de) * | 2002-04-16 | 2003-10-02 | Schneider Elektrotechnik Gmbh | Schaltungsanordnung zum Schalten von hohen Spannungen |
WO2003092147A1 (de) * | 2002-04-25 | 2003-11-06 | Abb Patent Gmbh | Sperrwandleranordnung |
US8395284B2 (en) | 2006-05-23 | 2013-03-12 | Ltb Lasertechnik Berlin Gmbh | High-power switching module and method for the generation of switching synchronism in a high-power switching module |
WO2008113337A3 (de) * | 2007-03-21 | 2009-05-28 | Ltb Lasertechnik Berlin Gmbh | Schaltanordnung mit zumindest zwei ausgangsseitig elektrisch in reihe geschalteten schaltstufen |
US8536929B2 (en) | 2009-01-26 | 2013-09-17 | Bergmann Messgeräte Entwicklung Kg | High voltage switch with adjustable current |
US8610990B2 (en) | 2009-06-30 | 2013-12-17 | Bergmann Messgeraete Entwicklungs KS | Driver for a Pockels cell |
US20140285021A1 (en) * | 2011-11-02 | 2014-09-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Capacitive load driving circuit |
US9787218B2 (en) | 2011-11-02 | 2017-10-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Capacitive load driving circuit |
WO2014090392A1 (de) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | Trumpf Laser Gmbh + Co. Kg | Pockelszellentreiberschaltung und verfahren zum betrieb einer pockelszelle |
US9927638B2 (en) | 2012-12-10 | 2018-03-27 | Trumpf Laser Gmbh | Operating a pockels cell |
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