DE3625154A1 - Verfahren zur herstellung eines organischen halbleiters - Google Patents
Verfahren zur herstellung eines organischen halbleitersInfo
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Description
Die bekannten organischen Halbleiter sind Festkörper entweder
auf der Basis von Kristallen oder von Polymeren. Sie liegen
zumeist metallhaltig sowie dotiert vor.
Die Herstellung der bisher bekannten organischen Halbleiter
ist jedoch verhältnismäßig aufwendig und insbesondere wegen
der zumeist notwendigen Dotierungen oft nicht ausreichend
reproduzierbar.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Herstellungsverfahren
für einen organischen Halbleiter vorzuschlagen, der metallfrei
ist, ohne Dotierung auskommt und aus billigen, universell
verfügbaren Edukten hergestellt werden kann sowie
formunabhängig ist.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist das Verfahren daduch
gekennzeichnet, daß bei Raumtemperatur und unter
Inertgasatmosphäre aus wasserfreiem Dimethylsulfoxid als
Reaktant und gleichzeitig Lösungsmittel und trockenem, durch
Halogen, Cyan oder Kombinationen aus beiden mehrfach
substituiertem p-Benzochinon ein flüssiger Ansatz in
beliebiger Konzentration hergestellt wird, daß der Ansatz
im Dunkeln langsam auf ca. 76°C erhitzt wird, daß die
Flüssigkeit unter Beibehaltung der Endtemperatur und mit
einer Thermokonstanz von ±0,1°C über mindestens
6 bis 8 Stunden gehalten wird, daß das flüssige Produkt
langsam auf Raumtemperatur zurückgeführt wird und daß das
flüssige Produkt schließlich hydrophob feinstfiltriert wird.
Zur Weiterbehandlung kann das Filtrat bei niedriger
Gleichspannung bis 5 Volt und auf 20 bis 25°C
thermostatisiert einer Elektrolyse mit Goldanode
und Kathode mit geringerer Austrittsarbeit unterworfen werden,
bis keine wahrnehmbare Abscheidung von Dimethylsulfid
stattfindet. Durch eine solche Weiterbehandlung wird das
flüssige-kristalline Produkt aufkonzentriert, die spezifische
Leitfähigkeit dementsprechend erhöht und eine signifikante
Langzeit-Dunkelstromabgabe erzielt.
Der nach dem angegebenen Verfahren hergestellte organische
Halbleiter ist durch einen Flüssigkristall-Aggregatzustand
bei Raumtemperatur und Halbleitungseigenschaften bei
Raumtemperatur im Bereich bis 0,3 × 10-2 Ω-1 cm-1
gekennzeichnet.
Nach vollständiger Nachbehandlung ist der organische
Halbleiter durch einen Flüssigkristall-Aggregatzustand
bei Raumtemperatur, durch Halbleitungseigenschaften bei
Raumtemperatur im Bereich bis 0,5 × 10-2 Ω-1 cm-1 und durch
eine neuartige Langzeit-Dunkelstromabgabe bei Raumtemperatur
im Bereich bis 0,4 Volt (U oc ) bei einem Kurzschlußstrom
bis 0,7 mA × cm-2 gekennzeichnet.
Der organische Halbleiter besteht aus den Molekül-Bausteinen
Dimethylsulfoxid-Radikalkation und substituiertem,
resonanzstabilisiertem p-Benzochinon-Radikalanion-Stapel.
Nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird eine
gesättigte Lösung aus wasserfreiem Dimethylsulfoxid und gut
getrocknetem Tetrachlor-p-Benzochinon bei Raumtemperatur und
unter N2 (99,99%)-Atmosphäre hergestellt. Das Reaktionsgefäß
wird fest und luftdicht verschlossen. Der Ansatz wird in einem
Thermostat im Dunkeln langsam auf 76°C erhitzt und diese
Temperatur mit einer Thermokonstanz von besser als ±0,1°C
über 8 Stunden gehalten. Danach wird die Badtemperatur langsam
auf Raumtemperatur zurückgeführt und das flüssige Produkt
schließlich durch einen PTFE-Filter von 0,2 µm filtriert.
Die spezifische Leitfähigkeit des Filtrates beträgt
0,284 × 10-2 Ω-1 cm -1 (20°C).
Bei der anschließenden Elektrolyse des Filtrates mit einer
Gleichspannung von 3 Volt bei 20 ± 0,5°C über 3 Stunden und
mit Goldanode sowie mit Kupferkathode scheidet sich
Dimethylsulfid kathodisch aus noch freiem Dimethylsulfoxid
ab. Der dabei freiwerdende Sauerstoff oxidiert die
Kathodenoberfläche, so daß unter Umständen ein Wechsel der
Kathode bei gleichzeitiger Filtration der Flüssigkeit
durch einen PTFE-Filter von 0,2 µm notwendig wird.
Nach dieser Nachbehandlung liegt die spezifische Leitfähigkeit
bei 0,48 × 10-2 Ω-1 cm-1 (20°C). Ab einem Gleichstrom von
0,4 Volt zeigt eine Halbleiterzelle mit Au-Anode und
Cu- oder Al-Kathode quasi-ohm'sches Verhalten.
Eine Zelle mit Au-Anode und Al-Kathode, die mit dem
nachbehandelten Produkt gefüllt ist, ist durch eine Langzeit-
Dunkelstromabgabe von 0,35 Volt (U oc ) bei einem
Kurzschlußstrom von 0,64 mA × cm-2 (20°C) gekennzeichnet.
Claims (5)
1. Verfahren zur Herstellung eines organischen Halbleiters,
dadurch gekennzeichnet, daß bei Raumtemperatur und unter
Inertgasatmosphäre aus wasserfreiem Dimethylsulfoxid
als Reaktant und gleichzeitig Lösungsmittel und trockenem,
durch Halogen, Cyan oder Kombinationen aus beiden mehrfach
substituiertem p-Benzochinon ein flüssiger Ansatz in
beliebiger Konzentration hergestellt wird, daß der Ansatz
im Dunkeln langsam auf ca. 76°C erhitzt wird, daß die
Flüssigkeit unter Beibehaltung der Endtemperatur und mit
einer Thermokonstanz von ±0,1°C über mindestens
6 bis 8 Stunden gehalten wird, daß das flüssige
Produkt langsam auf Raumtemperatur zurückgeführt wird und
daß das flüssige Produkt schließlich hydrophob feinstfiltriert
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
das Filtrat bei niedriger Gleichspannung bis 5 Volt und auf
20 bis 25°C thermostatisiert einer Elektrolyse mit Goldanode
und Kathode mit geringerer Austrittsarbeit unterworfen
wird, bis keine wahrnehmbare Abscheidung von Dimethylsulfid
stattfindet.
3. Organischer Halbleiter nach Anspruch 1, gekennzeichnet
durch einen Flüssigkristall-Aggregatzustand bei Raumtemperatur
und Halbleitungseigenschaften bei Raumtemperatur im Bereich
bis 0,3 × 10-2 Ω-1 cm-1.
4. Organischer Halbleiter nach den Ansprüchen 1 und 2,
gekennzeichnet durch einen Flüssigkristall-Aggregatzustand
bei Raumtemperatur, durch Halbleitungseigenschaften
bei Raumtemperatur im Bereich bis ca. 0,5 × 10-2 Ω-1 cm-1
und durch eine Langzeit-Dunkelstromabgabe bei Raumtemperatur
im Bereich bis 0,4 Volt (U oc ) bei einem Kurzschlußstrom
bis 0,7 mA × cm-2.
5. Organischer Halbleiter nach den Ansprüchen 1 und 2,
gekennzeichnet durch einen Flüssigkeits-Aggregatszustand
bei Raumtemperatur und bestehend aus den Molekül-Bausteinen
Dimethylsulfloxid-Radikalkation und substituiertem,
resonanzstabilisiertem p-Benzochinon-Radikalanion-Stapel.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863625154 DE3625154A1 (de) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | Verfahren zur herstellung eines organischen halbleiters |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863625154 DE3625154A1 (de) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | Verfahren zur herstellung eines organischen halbleiters |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3625154A1 true DE3625154A1 (de) | 1988-01-28 |
Family
ID=6305955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863625154 Withdrawn DE3625154A1 (de) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | Verfahren zur herstellung eines organischen halbleiters |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3625154A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0364185A2 (de) * | 1988-10-10 | 1990-04-18 | Btg International Limited | Leitfähige Flüssigkristalle |
US7252781B2 (en) | 2001-08-24 | 2007-08-07 | Merck Patent Gmbh | Solutions of polymer semiconductors |
-
1986
- 1986-07-25 DE DE19863625154 patent/DE3625154A1/de not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0364185A2 (de) * | 1988-10-10 | 1990-04-18 | Btg International Limited | Leitfähige Flüssigkristalle |
EP0364185A3 (de) * | 1988-10-10 | 1991-11-06 | Btg International Limited | Leitfähige Flüssigkristalle |
US5370820A (en) * | 1988-10-10 | 1994-12-06 | British Technology Group Ltd. | Conducting liquid crystals |
US7252781B2 (en) | 2001-08-24 | 2007-08-07 | Merck Patent Gmbh | Solutions of polymer semiconductors |
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