DE3616969A1

DE3616969A1 - Gehaeuse fuer integrierte schaltkreise

Info

Publication number: DE3616969A1
Application number: DE19863616969
Authority: DE
Inventors: Wolfgang Dipl Phys Dr Hauger; Lothar Dipl Ing Gademann; Rolf Benz
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 1986-05-20
Filing date: 1986-05-20
Publication date: 1987-11-26
Also published as: DE3616969C2

Description

Stand der Technik

Die Erfindung geht aus von einem Gehäuse für integrierte Schaltkreise gemäß Oberbegriff des Hauptanspruchs. Als Gehäuse für integrierte Schaltkreise werden heute in der Regel Plastikgehäuse (molded compound) benutzt. Bei diesen Plastikgehäusen kommen die integrierte Schaltung und die Bonddrähte mit dem Kunststoff in Berührung, was in vielen Fällen für bestimmte Anwendungsbereiche unerwünscht ist. Zudem sind derartige Gehäuse nicht geeignet für inte grierte Schaltkreise mit einer hohen Verlustleistung oder mit einer großen Anzahl von Anschlüssen. Auch kann in den meisten Fällen die Größe der verwendeten integrierten Schaltkreise nicht variiert werden.

Vorteile der Erfindung

Das erfindungsgemäße Gehäuse für integrierte Schaltkreise mit den Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß die integrierte Schaltung und die Bond drähte mit dem Kunststoff nicht in Berührung kommen. Die in dem Gehäuserahmen aus Kunststoff vorgesehene Öffnung umgibt den integrierten Schaltkreis mit einem gewissen Abstand, der von den Bonddrähten überbrückt ist.

Die Grundplatte sollte aus einem metallischen Werkstoff bestehen. Bevorzugt wird eine Grundplatte aus fließge preßtem, vernickeltem Kupfer.

Das Gehäuse ist besonders geeignet für integrierte Schalt kreise mit einer hohen Verlustleistung und mit einer großen Anzahl von Anschlüssen. Die Öffnung ist so bemes sen, daß in ihr kleinere und größere integrierte Schalt kreise je nach Bedarf Platz finden können.

Entsprechend einer Weiterbildung der Erfindung ist vor gesehen, daß die Grundplatte eine Erhöhung aufweist, auf welcher der integrierte Schaltkreis angeordnet ist. Diese Erhöhung wird beim Fließpressen der Grundplatte mit herausgeformt.

Als Kunststoff für den Gehäuserahmen kommt glasfaserge fülltes Polybutylenterephthalat in Frage. Gehäuserahmen und Grundplatte sollen miteinander verklebt sein, so daß eine feste und wasserdichte Verbindung entsteht. Zur Sicherung der Verbindung zwischen Gehäuserahmen und Grund platte dienen auch am Gehäuserahmen vorgesehene Zapfen, welche in entsprechende Bohrungen in der Grundplatte ein geschweißt sind.

Bevorzugt sollen die Anschlüsse aus vernickeltem CuFe₂ bestehen und im Bondbereich vergoldet sein.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung soll dem integrierten Schaltkreis ein Kontaktrahmen zugeordnet sein, der die Fixierung der Schaltkreise erleichtert und dem Ausgleich verschiedener Größen von integrierten Schaltkreisen dient. Dieser Kontaktrahmen liegt in Ge brauchslage auf der Erhöhung der Grundplatte.

Zur Vermeidung von Verunreinigung wird nach dem Bonden der integrierte Schaltkreis mit einem Silikongel über deckt. Danach kann dann die Öffnung des Gehäuserahmens von einem Deckel abgedeckt werden, der wiederum geklebt oder verschweißt oder in eine Nut eingeklippst wird.

Zeichnung

Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung er läutert. Diese zeigt in

Fig. 1 eine Draufsicht auf ein erfindungsgemäßes Ge häuse für integrierte Schaltkreise bei abgenommenem Dek kel;

Fig. 2 einen Querschnitt durch das Gehäuse nach Fig. 1 entlang Linie II-II mit aufgesetztem Deckel.

Ein Gehäuse 1 für integrierte Schaltkreise sieht eine Grundplatte 2 (siehe Fig. 2) vor. Diese Grundplatte 2 besteht aus vernickeltem Kupfer und ist im Fließpreß verfahren hergestellt. Etwa im Zentrum der Grundplatte 2 ist eine Erhöhung 3 für einen Chip 4 aus der Grund platte herausgeformt. Zur Fixierung des Chips 4 und zum Ausgleich verschiedener Chipgrößen ist auf der Erhöhung 3 ein Kontaktrahmen 5 angeordnet, welcher aus walzplat tiertem Aluminium/Nickel besteht. In Fig. 2 ist weder der Chip 4 noch der Kontaktrahmen 5 der Übersichtlich keit halber dargestellt.

Der Grundplatte 2 ist ein Gehäuserahmen 6 aufgesetzt, wobei zwei gestrichelt dargestellte Zapfen 7 in zwei entsprechende, ebenfalls gestrichelt dargestellte Boh rungen 8 in der Grundplatte 2 eingreifen. Der Gehäuse rahmen 6 besteht aus 30% glasfasergefülltem Polybutylen terephthalat (PBTP). Auf seiner Oberseite weist der Ge häuserahmen zwei eingespritzte Hohlnieten 9 zur Befesti gung des Gehäuses 1 an einer Gerätewand oder dergleichen auf.

In den Gehäuserahmen 6 ist ein Anschlußkamm 10 einge spritzt, der im vorliegenden Ausführungsbeispiel 20 An schlüsse aufweist. Der Anschlußkamm 10 besteht aus ver nickeltem CuFe₂ und ist im Bondbereich vergoldet. Die Anschlüsse 11 sind an beiden Enden miteinander verbunden (siehe Fig. 2). Auf der Innenseite werden sie nach dem Einspritzen freigestanzt.

Der Gehäuserahmen 6 weist mittig eine Öffnung 12 auf, durch die der Chip 4 in den Kontaktrahmen 5 bzw. auf die Erhöhung 3 aufgelegt werden kann. Die Öffnung 12 wird sodann von einem Deckel 14 überdeckt.

Die Montage des Gehäuses mit dem Chip erfolgt folgender maßen:

Mit einem Bleilot PbSn₄ und mit Hilfe einer Lötschablone wird der Chip 4 auf die Erhöhung 3 der Grundplatte 2 aufgelötet. Sodann wird der Gehäuserahmen 6 auf die Grund platte 2 geklebt und die Zapfen 7 verschweißt, so daß Gehäuserahmen 6 und Grundplatte 2 fest und wasserdicht miteinander verbunden sind.

Die Kontaktierung von Chip 4 und Gehäuserahmen 6 bzw. Anschlußkamm 10 geschieht durch Bonden von Aluminium drähten. Bei höheren Strömen wird der Anschluß mehrfach kontaktiert.

Danach wird zum Schutz gegen Verunreinigungen der Chip 4 mit einem Silikongel abgedeckt. Der Deckel 14 wird über die Öffnung 12 gelegt und mittels einer Rastnase 15 und einem Rastring 16 positioniert, wobei Rastnase 15 und Rastring 16 in eine entsprechende Nut 17 im Gehäuse rahmen 6 eingreifen. Der Deckel 14 kann auch aufgeklebt oder verschweißt werden.

Vor dem elektrischen Messen werden zwischen den Anschlüs sen 11 vorhandene, nicht gezeigte Verbindungsstäbe ab gestanzt und die Anschlüsse 11 gebogen.

Claims

1. Gehäuse für integrierte Schaltkreise insbesondere mit hoher Verlustleistung und einer Mehrzahl von Anschlüssen, dadurch gekennzeichnet, daß der integrierte Schaltkreis (4) auf einer Grundplatte (2) in einer Öffnung (12) eines Gehäuserahmens (6) angeordnet und mit in den Gehäuse rahmen (6) eingespritzten Anschlüssen (11) gebondet ist.

2. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundplatte (2) aus fließgepreßtem, vernickeltem Kupfer besteht.

3. Gehäuse nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Grundplatte (2) eine Erhöhung (3) aufweist, auf welcher der integrierte Schaltkreis (4) angeordnet ist.

4. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge kennzeichnet, daß der Gehäuserahmen (6) aus glasfaserge fülltem Polybutylenterephthalat besteht.

5. Gehäuse nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehäuserahmen (6) mit der Grundplatte verklebt und gegebenenfalls über in Bohrungen (8) eingreifende Zapfen (7) verbunden ist.

6. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn zeichnet, daß die Anschlüsse (11) aus vernickeltem CuFe₂ bestehen und im Bondbereich vergoldet sind.

7. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß dem integrierten Schaltkreis (4) ein Kontaktrahmen (5) zugeordnet ist.

8. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der integrierte Schaltkreis von einem Silikongel überdeckt ist.

9. Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch ge kennzeichnet, daß die Öffnung (12) von einem Deckel (14) abgedeckt ist.