DE3610252C2 - - Google Patents

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DE3610252C2
DE3610252C2 DE19863610252 DE3610252A DE3610252C2 DE 3610252 C2 DE3610252 C2 DE 3610252C2 DE 19863610252 DE19863610252 DE 19863610252 DE 3610252 A DE3610252 A DE 3610252A DE 3610252 C2 DE3610252 C2 DE 3610252C2
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Alfons Prof.Dr.-Ing.Dr.-Ing.Habil. 8000 Muenchen De Gottwald
Hermann Dipl.-Ing. Dr. 8043 Unterfoehring De Ens
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/34—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
    • H—ELECTRICITY
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Description

Die Erfindung betrifft eine Verstärkerschaltung mit einem Verstärkerabschnitt und einem Rückkopplungsabschnitt laut Oberbegriff des Hauptanspruches.
Zur Verringerung der nichtlinearen Verzerrungen bei Ver­ stärkerschaltungen gibt es verschiedene Möglichkeiten. Eine Möglichkeit besteht beispielsweise darin, gemäß Bild 1 den Arbeitspunkt A1 eines Verstärkers in den oberen Teil der Übertragungskennlinie zu legen, in welchem die Kennlinie weniger nichtlinear ist als beispielsweise im Arbeitspunkt A2. Dieser obere Arbeitspunkt A1 mit geringerer Verzerrung bedingt jedoch relativ hohe Ruhe­ ströme und damit auch hohe Verlustleistungen.
Bei Kettenschaltungen ist es zur Kompensation von qua­ dratischen Verzerrungen beispielsweise bekannt, die Nicht­ linearität der Übertragungsfunktion des einen Verstärker­ abschnittes durch Bildung der dazu inversen Übertragungs­ funktion im anderen Verstärkerabschnitt zu kompensieren (z. B. Macdonald: "Nonlinear Distortion Reduction by Com­ plementary Distortion", IRE Transactions on Audio, 1959, September-October, Seiten 128 bis 133).
Es ist Aufgabe der Erfindung, einen rückgekoppelten Ver­ stärker aufzuzeigen, bei dem nichtlineare Verzerrungen bei weitestgehend variablem Schaltungsaufbau und ge­ ringstmöglichem schaltungstechnischen Aufwand kompensiert werden.
Diese Aufgabe wird ausgehend von einer Verstärkerschaltung laut Oberbegriff des Hauptanspruches durch dessen kenn­ zeichnenden Merkmale gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die Erfindung zeigt auf, wie die an sich für Kettenschal­ tungen entwickelten mathematischen Grundsätze für die Kompensation von quadratischen Verzerrungen auch auf rückgekoppelte Verstärker angewendet werden können. Gleichzeitig wird aufgezeigt, unter welchen Bedingungen die verschiedenartigsten Grundschaltungen zwischen Ver­ stärkerabschnitt und Rückkopplungsabschnitt miteinander kombinierbar sind und wie sie dimensioniert werden müssen, damit bei der Gesamtschaltung die quadratischen Verzer­ rungen kompensiert sind. Damit ist der Konstrukteur weit­ gehendst frei in der Wahl der Grundschaltungen, je nach Anwendungsfall können die hierfür geeignetsten Grund­ schaltungen mit entsprechend angepaßten Übertragungs­ eigenschaften ausgewählt und benutzt werden. Die erfin­ dungsgemäße Verstärkerschaltung ist insbesondere geeignet zum Aufbau von Tiefpaßverstärkern bzw. Bandpaßverstärkern. Bei der Dimensionierung können die verschiedenartigsten linearen Übertragungseigenschaften einschließlich Ein­ gangs- und Ausgangsimpedanz der Gesamtschaltung gewählt werden. Der schaltungstechnische Aufwand zur Realisierung der beiden Schaltungsabschnitte ist klein und die erfor­ derlichen Ruheströme (Kollektor- bzw. Drain- bzw. Anoden­ ströme) sind ebenfalls klein, so daß die Verlustleistungen gering sind und damit die Kühlkörper sowie der Aufwand bei der Leistungsversorgung kleingehalten werden können.
Die Erfindung wird im folgenden anhand schematischer Zeichnungen an Ausführungsbeispielen näher erläutert.
In der Zeichnung zeigt
Bild 1: Übertragungskennlinie eines bipolaren Transistors mit zwei eingezeichneten Arbeitspunkten A1 und A2.
Bild 2: Blockschaltbild einer rückgekoppelten Verstärkerschaltung.
Bild 3: Elementare Kennlinienformen von Verstärkerabschnitten mit nichtlinearen Kennlinien bis zum Grad 2.
Bild 4: Kombinationsschema von nichtlinearen Kennlinien für die Kompensation quadratischer Verzerrungen.
Bild 5: Technisches Zählpfeilsystem
Bild 6: Übertragungskennlinie
Bild 7: Die vier Grundschaltungen der Rückkopplung
Bild 8: Qualitative Zuordnung der Transistorgrundschaltungen zu den vier Kennlinienformen entsprechend Bild 3.
Bild 9: Verstärkerschaltung mit Feldeffekttransistoren.
Bild 10: Logarithmischer Klirrabstand zweiter Ordnung in Abhängigkeit von R3.
Bild 11: Logarithmischer Klirrabstand zweiter Ordnung in Abhängigkeit von I0 (T2).
Bild 12: Linearer Verstärkungsfaktor k1 (G) in Abhängigkeit von I0 (T2).
Bild 13: Für die Kompensation quadratischer Verzerrungen geeignete Kreisschaltungen gemäß den Ansprüchen 2-7.
Bild 14: Für die Kompensation quadratischer Verzerrungen geeignete Kreisschaltungen gemäß den Ansprüchen 8-15.
Bild 15: Für die Kompensation quadratischer Verzerrungen geeignete Kreisschaltungen gemäß den Ansprüchen 16-19.
Bild 16: Für die Kompensation quadratischer Verzerrungen geeignete Kreisschaltungen gemäß den Ansprüchen 20-25.
In Bild 2 kann jede der Signalgrößen x, y, z eine Signalspannung u oder ein Signalstrom i sein.
Die Übertragungskennlinien der beiden Abschnitte (I) und (II) seien durch TAYLOR-Reihen beschrieben:
y=f₁ (x+z)=k₁ (I) · (x+z)+k₂ (I) · (x+z)²+k₃ (I) · (x+z)³+ . . . (1)
z=f₂(y)=k₁(II) · y+k₂(II) · y²+k₃(II) · y³+ . . . (2)
(Koefizienten-Indices:
  • - Der Index in Klammern bezeichnet jeweils den Schaltungsabschnitt.
  • - Der tiefgestellte Index bezeichnet jeweils den Grad des Signalanteils.)
Für die Gesamtübertragungsfunktionen der rückgekoppelten Schaltung lautet die TAYLOR-Reihe zunächst:
y=fG(x)=k₁(G) · x+k₂(G) · x²+k₃(G) · x³+ . . . (3)
Wenn man mit Hilfe der Gl. (2) z aus der Gl. (1) eliminiert, erhält man:
Der Verstärkungsfaktor der Gesamtschaltung, also der Koeffizient k1 des linearen Signalanteils, ist
Beruhend hierauf geht die Erfindung von folgenden Überlegungen aus.
Der Koeffizient k2 (G) des quadratischen Anteils,
ist von den Koeffizienten höhergradiger Anteile der beiden Teil-Übertragungskennlinien unabhängig. Die im folgenden aufgestellten Regeln für die Kreiskompensation quadratischer Verzerrungen gelten daher sowohl für quadratische Teil-Übertragungskennlinien wie für höhergradige Kennlinien mit quadratischem Anteil.
Damit die Gesamtschaltung der beiden Abschnitte keine quadratischen Verzerrungen verursacht, ist nur die Bedingung
k2 (G) = 0 (7)
zu erfüllen. Sie führt nach Gl. (6) zur Dimensionierungsvorschrift:
Links steht der normierte Klirrabstand D2 (I) bezüglich quadratischer Verzerrungen des 1. Schaltungsabschnitts (Verstärkerabschnitt), multipliziert mit dem Quadrat des Verstärkungsfaktors k1 (I) des 1. Schaltungsabschnitts und multipliziert mit dem Verstärkungsfaktor k1 (II) des 2. Schaltungsabschnitts (Rückkoppelabschnitt). Rechts steht neben einem Faktor -1 der normierte Klirrabstand D2 (II) bezüglich quadratischer Verzerrungen des 2. Schaltungsabschnitts. Die Dimensionierungsvorschrift nach Gl. (8) wird bei der Erfindung als elementare Bedingung für die Kompensation quadratischer Verzerrungen in rückgekoppelten Schaltungen herangezogen.
Die systematische Permutation der Vorzeichen der Zahlenwerte für die Koeffizienten c1, c2 einer quadratischen Funktion
a = c1 e + c2 e2 (9)
führt zu den vier elementaren Kennlinienformen gemäß Bild 3, charakterisiert durch die Kombinationen
c₁<0, c₂<0 (A)
c₁<0, c₂<0 (B)
c₁<0, c₂<0 (D)
c₁<0, c₂<0 (C)
Dem Koeffizienten c1 entsprechen die Koeffizienten k1 (I), k1 (II) der beiden Verstärkerabschnitte; dem Koeffizienten c2 entsprechend k2 (I), k2 (II).
Aus der Kompensationsbedingung nach Gl. (8) gewinnen wir die QUALITATIVE GRUNDREGEL für den Schaltungsaufbau:
  • Die Kennlinien der beiden Verstärkerabschnitte sind aus dem Vorrat ihrer vier Grundformen gemäß Bild 3 so zu wählen, daß die Kompensationsbedingung nach Gl. (8) grundsätzlich erfüllbar ist.
Durch systematische permutierende Anwendung dieser Regel auf alle möglichen Kombinationen der vier Kennliniengrundformen ist das neuartige Kombinationsschema gemäß Bild 4 gewonnen worden. Die Großbuchstaben in Bild 4 beziehen sich auf die gleich bezeichneten und angeordneten Kennlinien des Bildes 3. Das Kombinationsschema ist eine graphische Darstellung der im Hauptanspruch formulierten acht Bedingungen a) bis h) für die qualitative Dimensionierung der beiden Schaltungsabschnitte.
In den einfachsten Ausführungsformen ist die erwünschte Kennlinienform eines Schaltungsabschnitts durch jeweils eine der drei Grundschaltungen eines dreipoligen Verstärkerelements realisierbar. Die drei Grundschaltungen werden gebildet, indem einer der drei Pole des Verstärkerelements dem Eingang, ein anderer Pol dem Ausgang und der dritte Pol sowohl dem Eingang als auch dem Ausgang wechselstrommäßig zugeordnet werden. So entstehen
  • - bei bipolaren Transistoren
    die Emitter- oder die Basis- oder die Kollektor-Schaltung;
  • - bei Feldeffekt-Transistoren
    die Source- oder die Gate- oder die Drain-Schaltung;
  • - bei Röhren-Trioden
    die Kathoden-(Basis-) oder die Gitter-(Basis-) oder die Anoden-(Basis-) Schaltung.
Bei Verstärkerelementen mit mehr als drei Polen, beispielsweise bei Röhrenpentoden, werden die weiteren Pole wechselstrommäßig mit demjenigen Pol verbunden, der dem Eingang und dem Ausgang gemeinsam ist, oder sie übernehmen Hilfsfunktionen. Damit die Grundschaltungen der Verstärkerelemente den vier Kennlinien-Grundformen gemäß Bild 3 zutreffend zugeordnet werden, werden ihre Eigenschaften aufgrund eines für alle Schaltungen verbindlichen geeignete Zählpfeilsystems beschrieben. Es wurde gefunden, daß das technische Zählpfeilsystem gemäß Bild 5 vorzüglich geeignet ist.
Sein Vorzug: Die Zahlenwerte aller möglichen linearen Kleinsignal- Übertragungsfaktoren c1 vom Eingang zum Ausgang, das sind:
erscheinen bei einer gegebenen Schaltung, bzw. einem gegebenen Schaltungsabschnitt, mit gleichen Vorzeichen; bei allen vier Faktoren bedeutet
  • - positives Vorzeichen: Nichtinvertierung,
  • - negatives Vorzeichen: Invertierung.
Dann genügt es, die Grundschaltungen hinsichtlich der Aussteuerung um einen Arbeitspunkt (Ruhepunkt) A durch nur eine Kennlinie zu charakterisieren; gewählt wird die Abhängigkeit der Änderung iA des jeweiligen Ausgangsstroms von der Änderung uE der jeweiligen Eingangsspannung, siehe Bild 6. Bei Verwendung dieses Zählpfeilsystems kann jede der vier Grundschaltungen der Rückkopplung nach Bild 7 durch ein Blockschaltbild entsprechend Bild 2 beschrieben werden.
Durch konsequente Anwendung des vereinbarten Zählpfeilsystems sind die qualitativen Zuordnungen gemäß Bild 8 gefunden worden. In diesem Bild sind bei der Darstellung der Grundschaltungen alle weiteren betrieblich erforderlichen oder nützlichen Schaltungsbestandteile (Widerstände, Kapazitäten, Gleichspannungsquellen, Übertrager u. a.) weggelassen.
Werden die Schaltungen nach Bild 8 gemäß Bild 4 kombiniert, so entstehen rückgekoppelte Schaltungen, die qualitativ geeignet sind, quadratische Verzerrungen zu kompensieren. Diese Kreisschaltungen sind in Bild 13 bis 16 dargestellt; sie entsprechen den Schaltungen nach den Unteransprüchen 2 bis 25.
Aus der betraglichen Auswertung der Kompensationsbedingung nach Gl. (8) ergibt sich die
QUANTITATIVE GRUNDREGEL für den Schaltungsaufbau:
  • Das Verhältnis des normierten Klirrabstandes D2 (II) = k1 (II)/k2 (II) des Rückkoppelabschnittes zum normierten Klirrabstand D2 (I) = k1 (I)/ k2 (I) des Verstärkerabschnittes ist betraglich gleich dem Quadrat des linearen k1 (I) mal dem linearen Übertragungsfaktor k1 (II) zu machen:
Für die quantitative Modifizierung der Übertragungskennlinien, erforderlich, damit die Kompensation herbeigeführt wird, bieten sich vorzugsweise folgende Maßnahmen an:
  • - Die geeignete Bemessung von Arbeitspunkten der in den Verstärkerabschnitten eingesetzten Verstärkerelemente und/oder
  • - die Auswahl und geeignete Bemessung einer oder mehrerer linearer Gegenkopplungen in einem Schaltungsabschnitt oder in beiden Schaltungsabschnitten oder äquivalente Maßnahmen.
Im folgenden wird an Hand der Transistorschaltung nach Bild 9 ein Beispiel zur Dimensionierung gegeben. Im Abschnitt I der Schaltung nach Bild 9 wirkt der Transistor T1 als Verstärkerelement; dieser Abschnitt enthält eine individuelle, im wesentlichen lineare, Gegenkopplung, für welche der Widerstandswert aus der Parallelschaltung der Widerstände R2 und R5 maßgeblich ist. Im Abschnitt II wirkt der Transistor T2 als rückkoppelndes Verstärkerelement; diesem Abschnitt wird eine der Ausgangsspannung uy proportionale Spannung zugeführt. Der Abschnitt II koppelt in die Eingangsmasche des Abschnitts I eine Spannung uz ein, die als Spannungsanteil an der Parallelschaltung von R2 und R5 erscheint.
Die Schaltung nach Bild 9 ist qualitativ geeignet für die Kompensation quadratischer Verzerrungen (siehe Bild 4 und Bild 8). Durch adäquate Dimensionierung der Schaltung, dies bedeutet geeignete Wahl der Ruheströme der Transistoren, der Arbeitswiderstände und der linearen Gegenkopplung in den einzelnen Schaltungsabschnitten, soll die Bedingung für die Kompensation quadratischer Verzerrungen nach Gl. (8) auch quantitativ erfüllt werden.
Mit den in der Schaltung verwendeten Feldeffekttransistoren lassen sich die beiden Schaltungsabschnitte wie folgt beschreiben:
Die Transistoren zeigen ein für Feldeffekttransistoren typisches Verhalten: Ohne individuelle Gegenkopplung (wie beim Transistor T2) ist der lineare Übertragungsfaktor proportional zur Wurzel des Ruhestromes I0 (siehe Gl. (13)), der Übertragungsfaktor zweiten Grades ist dagegen unabhängig vom Ruhestrom I0 (siehe Gl. (14)). Mit individueller Gegenkopplung (wie beim Transistor T1) sind sowohl der lineare Übertragungsfaktor, als auch der Übertragungsfaktor zweiten Grades abhängig vom Ruhestrom I0 des Transistors.
Mit Gl. (8) und den Gl. (11-14) erhalten wir für die Kompensation quadratischer Verzerrungen in der Schaltung nach Bild 8:
Mit den verwendeten Werten für
R2 = 100 Ω, R5 = 1,2 kΩ und I0 (T1) = I0 (T2) = 5mA,
erhalten für R′3: R′3 = 122 Ω.
Bild 10 zeigt den logarithmischen Klirrabstand zweiter Ordnung
der Schaltung nach Bild 9 in Abhängigkeit von R′3. Wie das Bild 10 zeigt, kann der Klirrabstand ak2 (G) der Gesamtschaltung bei der Kompensation unendlich groß werden. In einer mit den obigen Werten realisierten Schaltung ist der maximale Klirrabstand ak2 (G)max zu 85 dB gemessen worden. Der gemessene Klirrabstand ak2 (G) des rückgekoppelten Systems liegt bei der Kompensation (R′3 = R′3opt = 122 Ω) um 40 dB über dem Klirrabstand ak2 (I) des Abschnitts I (Verstärkerabschnitt) allein.
Würde man die gleiche Kreisverstärkung K,
K = -k1 (I) · k1 (II), (17)
durch eine lineare Gegenkopplung realisieren, so würde der Klirrabstand ak2 (G) um 4,5 dB über dem Klirrabstand ak2 (I) des Verstärkerabschnitts liegen. Verglichen mit einer linearen Gegenkopplung ist also mit der nichtlinearen Gegenkopplung der Schaltung nach Bild 9 eine Verbesserung des Klirrabstandes ak2 (G) von 35,5 dB erzielt worden.
Wie man am Bild 10 erkennen kann, verschlechtert sich der Klirrabstand zweiter Ordnung der Schaltung nach Bild 9, wenn R′3 vom optimalen Wert R′3 = 122 Ω abweicht. Dies ist der Fall, weil R′3 nicht nur den linearen Übertragungsfaktor k1 (II), sondern auch den Übertragungsfaktor zweiter Ordnung k2 (II) des zweiten Schaltungsabschnitts (Rückkoppelabschnitt) beeinflußt (siehe Gl. (13) und Gl. (14)).
Veränderungen des Ruhestroms I0 (T2) des zweiten Transistors beeinflussen hingegen nur den linearen Übertragungsfaktor k1 (II) des zweiten Schaltungsabschnitts (siehe Gl. (13)).
Daraus folgt im Idealfall, wenn die Übertragungskennlinien der beiden Schaltungsabschnitte mit den Feldeffekttransistoren T1 und T2 exakt gemäß den Gl. (11)-(14) verlaufen, d. h. wenn die Kennlinien der Feldeffekttransistoren exakt quadratisch sind, eine spezielle Eigenschaft der rückgekoppelten Verstärkerschaltung nach Bild 9: Die Kompensation ist unabhängig vom Ruhestrom I0 (T2) des Transistors T2; wenn man also in der kompensierten Verstärkerschaltung nach Bild 9 den Ruhestrom I0 (T2) variiert, bleibt die Kompensation erhalten. Somit kann man durch Variation von I0 (T2) ohne Einbuße an Kompensation die Verstärkung, den linearen Übertragungsfaktor k1 (G), steuern. Dies gilt auch für andere Schaltungen, deren Rückkoppelabschnitt durch eine quadratische Kennlinie beschreibbar ist und keine individuelle Rückkopplung aufweist.
Da die Kennlinien in der Praxis vom idealen quadratischen Verlauf abweichen ist eine gewisse Verringerung des zuvor erwähnten Klirrabstandes zu erwarten. Bild 11 zeigt den an der Versuchsschaltung gemessenen Klirrabstand zweiter Ordnung bei Variation des Ruhestromes I0 (T2). Bild 12 zeigt die zugehörige Veränderung des linearen Übertragungsfaktors k1 (G) der Gesamtschaltung.

Claims (26)

1. Verstärkerschaltung mit einem Verstärkungsabschnitt I und einem Rückkopplungsabschnitt II, dessen min­ destens ein Verstärkerelememt aufweisender Verstärker­ abschnitt I im Betriebsfrequenzbereich die nicht­ lineare Kennlinienfunktion y = k₁(I) · (x+z)+k₂(I) · (x+z)²+k₃(I) · (x+z)³+ . . .aufweist,
wobei
x die zu verstärkende Eingangsgröße,
y die Ausgangsgröße des Verstärkungsabschnittes I und
z die Ausgangsgröße des Rückkopplungsabschnittes II ist und
die Indizes I oder II der Koeffizienten k den Verstärkungsabschnitt I bzw. den Rückkopplungsabschnitt II und der tiefer gesetzte Index 1 oder 2 den jewei­ ligen Grad des Signalanteiles bezeichnen,
dadurch gekennzeichnet, daß auch der Rückkopplungsabschnitt II mindestens ein Verstär­ kerelement und im Betriebsfrequenzbereich die nichtlineare Kennlinienfunktionz = k₁(II) · y+k₂(II) · y²+k₃(II) · y³+ . . .aufweist,
und die Grundschaltungen des Verstärkerabschnittes I und des Rückkopplungsabschnittes II so gewählt sind, daß die Koeffizienten ihrer Kennlinienfunktionen eine der folgenden Bedingungen erfüllen:
  • a) k₁(I)<0, k₂(I)<0  k₁(II)<0, k₂(II)<0
  • b) k₁(I)<0, k₂(I)<0  k₁(II)<0, k₂(II)<0,
  • c) k₁(I)<0, k₂(I)<0  k₁(II)<0, k₂(II)<0
  • d) k₁(I)<0, k₂(I)<0  k₁(II)<0, k₂(II)<0,
  • e) k₁(I)<0, k₂(I)<0  k₁(II)<0, k₂(II)<0
  • f) k₁(I)<0, k₂(I)<0  k₁(II)<0, k₂(II)<0,
  • g) k₁(I)<0, k₂(I)<0  k₁(II)<0, k₂(II)<0
  • h) k₁(I)<0, k₂(I)<0  k₁(II)<0, k₂(II)<0,
und die Bauelemente dieser Schaltungen außerdem so dimensioniert sind, daß sie die Bedingung | k₂(I) | = |k₁(I)³ · k₂(II) |erfüllen.
2. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)spannungsabhängiger Spannungsgegenkopplung, dadurch gekennzeichnet, daß der
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Basisschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Gateschaltung enthält, und daß deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Kollektorschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Drainschaltung enthält,
wobei Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit dem Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Basis bzw. Gate des Transistors in Verstärkerabschnitt I verbunden ist und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
3. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)spannungsabhängiger Spannungsgegenkopplung, dadurch gekennzeichnet, daß der
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Basisschaltung oder einen p-Kanal Feldeffekttransistor in Gateschaltung enthält, und daß deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Basisschaltung oder einen p-Kanal Feldeffekttransistor in Gateschaltung enthält,
wobei Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Basis bzw. Gate des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
4. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)spannungsabhängiger Spannungsgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Emitterschaltung oder einen n-Kanal Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Emitterschaltung oder einen p-Kanal Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält,
wobei Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Emitter bzw. Source des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
5. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)spannungsabhängiger Spannungsgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Basisschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor enthält, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Basisschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Gateschaltung enthält,
wobei Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Basis bzw. Gate des Transistors im Verstärkerabschnitt verbunden ist und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
6. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)spannungsabhängiger Spannungsgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Basisschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor enthält, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Kollektorschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Drainschaltung enthält,
wobei Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I und Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Basis bzw. Gate des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
7. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)spannungsabhängiger Spannungsgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Emitterschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Emitterschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält,
wobei Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Emitter bzw. Source des Transistors im Verstärkerabschnitt verbunden ist und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
8. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)spannungsabhängiger Stromgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Basisschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Gateschaltung enthält, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Emitterschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält,
wobei Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain, des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Emitter bzw. Source des Transistors im Verstärkerabschnitt verbunden ist, und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
9. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)spannungsabhängiger Stromgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Kollektorschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Drainschaltung enthält, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Emitterschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält,
wobei Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Emitter bzw. Source des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Basis bzw. Gate des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
10. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)spannungsabhängiger Stromgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Emitterschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Basisschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Gateschaltung enthält,
wobei Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II mit Basis bzw. Gate des Transistors im Verstärkerabschnitt II verbunden ist und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
11. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)spannungsabhängiger Stromgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Emitterschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Kollektorschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Drainschaltung enthält,
wobei Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II mit Basis bzw. Gate des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
12. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)spannungsabhängiger Stromgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Basisschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Gateschaltung enthält, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Emitterschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält,
wobei Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Basis bzw. Gate des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
13. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)spannungsabhängiger Stromgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Kollektorschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Drainschaltung enthält, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Emitterschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält,
wobei Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Emitter bzw. Source des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II mit Basis bzw. Gate des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
14. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)spannungsabhängiger Stromgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Emitterschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Basisschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Gateschaltung enthält,
wobei Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig Basis bzw. Gate des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
15. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)spannungsabhängiger Stromgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Emitterschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Kollektorschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Drainschaltung enthält,
wobei Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Basis bzw. Gate des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
16. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)stromabhängiger Spannungsgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Basisschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Gateschaltung enthält, mit einem (Hilfs-) Widerstand in der Kollektor- bzw. Drainzuleitung, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Basisschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Gateschaltung enthält,
wobei Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit dem, dem Transistor im Verstärkerabschnitt I abgewandten, Ende des (Hilfs-)Widerstandes im Verstärkerabschnitt II verbunden ist und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Basis bzw. Gate des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
17. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)stromabhängiger Spannungsgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Emitterschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält, mit einem (Hilfs-) Widerstand in der Kollektor- bzw. Drainzuleitung, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Emitterschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält,
wobei Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit dem, dem Transistor im Verstärkerabschnitt I abgewandten, Ende des (Hilfs-) Widerstandes im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Emitter bzw. Source des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
18. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)stromabhängiger Spannungsgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Basisschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Gateschaltung enthält, mit einem (Hilfs-) Widerstand in der Kollektor- bzw. Drainzuleitung, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Basisschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Gateschaltung enthält,
wobei Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit dem, dem Transistor im Verstärkerabschnitt I abgewandten, Ende des (Hilfs-) Widerstandes im Verstärkerabschnitt II verbunden ist, und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Basis bzw. Gate des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist,
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
19. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)stromabhängiger Spannungsgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Emitterschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält, mit einem (Hilfs-) Widerstand in der Kollektor- bzw. Drainzuleitung, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Emitterschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält, und
wobei Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit dem, dem Transistor im Verstärkerabschnitt I abgewandten, Ende des (Hilfs-) Widerstandes im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Emitter bzw. Source des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
20. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)stromabhängiger Stromgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Basisschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Gateschaltung enthält, mit einem (Hilfs-) Widerstand in der Kollektor- bzw. Drainzuleitung, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Emitterschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält, und
wobei Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit dem, dem Transistor im Verstärkerabschnitt I abgewandten, Ende des (Hilfs-) Widerstandes im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II mit Emitter bzw. Source des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
21. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)stromabhängiger Stromgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Kollektorschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Drainschaltung enthält, mit einem (Hilfs-) Widerstand in der Emitter- bzw. Sourcezuleitung, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Emitterschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält, und
wobei Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Emitter bzw. Source des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit dem, dem Transistor im Verstärkerabschnitt I abgewandten, Ende des (Hilfs-) Widerstandes im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Basis bzw. Gate des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
22. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)stromabhängiger Stromgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Emitterschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält, mit einem (Hilfs-) Widerstand in der Kollektor- bzw. Drainzuleitung, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Basisschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Gateschaltung enthält,
wobei Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit dem, dem Transistor im Verstärkerabschnitt I abgewandten, Ende des (Hilfs-) Widerstandes im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Basis bzw. Gate des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
23. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)stromabhängiger Stromgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren npn-Transistor in Basisschaltung oder einen n-Kanal-Feldeffekttransistor in Gatestellung enthält, mit einem (Hilfs-) Widerstand in der Kollektor- bzw. Drainzuleitung, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Emitterschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält,
wobei Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit dem, dem Transistor im Verstärkerabschnitt I abgewandten, Ende des (Hilfs-) Widerstandes im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II mit Emitter bzw. Source des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
24. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)stromabhängiger Stromgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Kollektorschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Drainschaltung enthält, mit einem (Hilfs-) Widerstand in der Emitter- bzw. Sourcezuleitung, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Emitterschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält,
wobei Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Emitter bzw. Source des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit dem, dem Transistor im Verstärkerabschnitt I abgewandten, Ende des (Hilfs-) Widerstandes im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Basis bzw. Gate des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und
wobei weitere Bauelemente zur Einstellung der Arbeitspunkte oder zu(r) Spannungs- oder Stromteilung(en) in der Schaltung enthalten sein können.
25. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 mit (Ausgangs-)stromabhängiger Stromgegenkopplung, deren
Verstärkerabschnitt I
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Emitterschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung enthält, mit einem (Hilfs-) Widerstand in der Kollektor- bzw. Drainzuleitung, und deren
Rückkoppelabschnitt II
entweder einen bipolaren pnp-Transistor in Basisschaltung oder einen p-Kanal-Feldeffekttransistor in Gateschaltung enthält,
wobei Emitter bzw. Source des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Kollektor bzw. Drain des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Basis bzw. Gate des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit dem, dem Transistor im Verstärkerabschnitt I abgewandten, Ende des (Hilfs-) Widerstandes im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und Kollektor bzw. Drain des Transistors im Rückkoppelabschnitt II wechselstrommäßig mit Basis bzw. Gate des Transistors im Verstärkerabschnitt I verbunden ist, und
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