DE3609458A1 - Halbleitervorrichtung mit parallel geschalteten selbstabschalt-halbleiterbauelementen - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit parallel geschalteten selbstabschalt-halbleiterbauelementen

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Katsunori Hitachi Chida
Eiji Hitachi Harada
Hitoshi Mito Matsuzaki
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3734067A1 (de) * 1986-10-08 1988-05-05 Fuji Electric Co Ltd Halbleitervorrichtung
DE3643288A1 (de) * 1986-12-18 1988-06-30 Semikron Elektronik Gmbh Halbleiterbaueinheit
WO2000042656A1 (de) * 1999-01-12 2000-07-20 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Leistungshalbleitermodul mit deckel

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5243217A (en) * 1990-11-03 1993-09-07 Fuji Electric Co., Ltd. Sealed semiconductor device with protruding portion
JPH065742A (ja) * 1992-06-22 1994-01-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置、その封止に用いられる樹脂および半導体装置の製造方法
JP2956363B2 (ja) * 1992-07-24 1999-10-04 富士電機株式会社 パワー半導体装置
JP3225457B2 (ja) * 1995-02-28 2001-11-05 株式会社日立製作所 半導体装置
EP1596436A1 (en) * 2004-05-12 2005-11-16 Seiko Epson Corporation Electronic circuit and method for manufacturing an electronic circuit
DE102006014582B4 (de) * 2006-03-29 2011-09-15 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul
JP5098636B2 (ja) * 2007-12-27 2012-12-12 株式会社デンソー 半導体モジュール
US9345948B2 (en) 2012-10-19 2016-05-24 Todd Martin System for providing a coach with live training data of an athlete as the athlete is training
CN107004647B (zh) * 2014-11-20 2019-05-03 日本精工株式会社 电子部件搭载用散热基板

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1614445A1 (de) * 1966-03-16 1970-09-10 Secheron Atel Steuerbares Halbleiter-Gleichrichter-Bauelement fuer Wechselstrom
DE2800304A1 (de) * 1977-01-07 1978-07-13 Varian Associates Halbleiter-baugruppe
DE2840514A1 (de) * 1977-09-19 1979-03-22 Gentron Corp Leistungssteuergeraet und verfahren zum anbringen desselben
DE3217345A1 (de) * 1981-05-18 1982-12-02 Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven Verfahren zum zusammenbauen einer halbleiteranordnung und des schutzgehaeuses derselben
DE3127456A1 (de) * 1981-07-11 1983-02-03 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Stromrichteranordnung
DE3201296A1 (de) * 1982-01-18 1983-07-28 Institut elektrodinamiki Akademii Nauk Ukrainskoj SSR, Kiev Transistoranordnung
EP0088924A2 (de) * 1982-03-13 1983-09-21 BROWN, BOVERI & CIE Aktiengesellschaft Halbleiterbauelement in Modulbauweise
DE3336979A1 (de) * 1982-10-12 1984-04-26 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Abschalt-thyristor modul
DE3241509A1 (de) * 1982-11-10 1984-05-10 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungstransistor-modul

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4193083A (en) * 1977-01-07 1980-03-11 Varian Associates, Inc. Package for push-pull semiconductor devices
JPS5386576A (en) * 1977-01-10 1978-07-31 Nec Corp Package for semiconductor element
JPS5929143B2 (ja) * 1978-01-07 1984-07-18 株式会社東芝 電力用半導体装置
JPS5778173A (en) * 1980-11-04 1982-05-15 Hitachi Ltd Semiconductor device and manufacture thereof

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1614445A1 (de) * 1966-03-16 1970-09-10 Secheron Atel Steuerbares Halbleiter-Gleichrichter-Bauelement fuer Wechselstrom
DE2800304A1 (de) * 1977-01-07 1978-07-13 Varian Associates Halbleiter-baugruppe
DE2840514A1 (de) * 1977-09-19 1979-03-22 Gentron Corp Leistungssteuergeraet und verfahren zum anbringen desselben
DE3217345A1 (de) * 1981-05-18 1982-12-02 Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven Verfahren zum zusammenbauen einer halbleiteranordnung und des schutzgehaeuses derselben
DE3127456A1 (de) * 1981-07-11 1983-02-03 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Stromrichteranordnung
DE3201296A1 (de) * 1982-01-18 1983-07-28 Institut elektrodinamiki Akademii Nauk Ukrainskoj SSR, Kiev Transistoranordnung
EP0088924A2 (de) * 1982-03-13 1983-09-21 BROWN, BOVERI & CIE Aktiengesellschaft Halbleiterbauelement in Modulbauweise
DE3336979A1 (de) * 1982-10-12 1984-04-26 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo Abschalt-thyristor modul
DE3241509A1 (de) * 1982-11-10 1984-05-10 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungstransistor-modul

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 56-4262 A. In: Patents Abstr. of Japan, Sect. E. Vol. 5(1981), Nr. E-51 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3734067A1 (de) * 1986-10-08 1988-05-05 Fuji Electric Co Ltd Halbleitervorrichtung
DE3643288A1 (de) * 1986-12-18 1988-06-30 Semikron Elektronik Gmbh Halbleiterbaueinheit
WO2000042656A1 (de) * 1999-01-12 2000-07-20 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Leistungshalbleitermodul mit deckel

Also Published As

Publication number Publication date
US4884126A (en) 1989-11-28
JPH0513383B2 (enExample) 1993-02-22
JPS61218151A (ja) 1986-09-27

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