DE3529157A1

DE3529157A1 - Abstimmkreis mit veraenderlicher kapazitaet fuer hochfrequenzsignale

Info

Publication number: DE3529157A1
Application number: DE19853529157
Authority: DE
Inventors: Isao Haruhimura Aichi Arika; Akira Ichinomiya Fujishima; Seiji Aichi Matsushita; Joji Inazawa Nakamura
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1984-08-16
Filing date: 1985-08-14
Publication date: 1986-03-27
Also published as: JPS6148224A; JPH0666643B2; DE3529157C2; US4675634A

Description

Beschreibung

Die Erfindung bezieht sich auf einen Abstimmkreis mit veränderlicher Kapazität für Hochfrequenzsignale, der in einem Fernsehgerät verwendet wird, ein ausgezeichnetes Entstörungsvermögen und Rauscheigenschaften besitzt und auf Mehrfachkanäle abstimmbar ist.

Es wird eine Abstimmeinrichtung bzw. ein Kanalwähler für den Empfang auf Mehrfachfernsehkanälen, einschließlich Kabelfernsehen, beschrieben.

In Nordamerika oder europäischen Ländern wie z.B. Belgien wurde Mehrkanal-Kabelfernsehen entwickelt, und nun nimmt die Anzahl der Sendekanäle zu. Da die Anzahl der VHP-Kanäle zunimmt, die von einer Fernsehabstimmeinrichtung empfangen werden sollen, ist es daher jetzt erforderlich, eine Hochleistungs-Fernsehabstimmeinrichtung zu verwenden, die mehr Kanäle empfangen kann.

Eine Fernsehabstimmeinrichtung, die auf Mehrfachkanäle einstellbar ist, ist aufgebaut wie in Fig. 1 gezeigt ist. In dieser Figur stellen A einen Antennenabstimmkreis für die Aufnahme vorbestimmter Frequenzen von Antennen-Signalen, B einen HF-Verstärker, C einen Zwischen-Doppelabstimmkreis und D eine Mischerschaltung dar.

Die in Fig. 1 dargestellten Schaltungen umfassen außerdem einen VHF- Antenneneingangsanschluß 1, eine Band-I-Abstimmspule 2, eine Band-II-Abstimmspule 3 sowie eine Band-III-Abstimmspule 4 in der Antennenschaltung, eine Reaktanz- bzw. Varactordiode 5, eine weitere Reaktanzdiode 6, einen Schalterstromkreis 7, einen verstärkenden MOS-FET (Metalloxyd-Feldeffekttransistor) 8, eine Zwischen-Primärband-I-Abstinunspule 9, eine Zwischen-Sekundärband-I-Abstimmspule 10, eine Zwischen-Primärband-II-Abstimmspule 11, eine Zwischen-Sekundärband-II-Abstimmspule 12, eine

Zwischen-Primärband-III-Abstimmspule 13, eine Zwischen-Sekundärband-III-Abstimmspule 14, einen Misch-MOS-FET und einen Abstimmkreis 16.

In Fig. 2 ist der Abstimmkreis 16 aus Fig. 1 gezeigt. Ein Empfängerende oder Zuleitungsende 17 ist an der Verbindung bzw. dem Knotenpunkt zwischen den Reaktanzdioden 5 und 6 angeschlossen. Dieser Knotenpunkt ist mit einem BT-Anschluß verbunden, an den eine Spannung angelegt wird, um den Kapazitätswert der Reaktanzdiode 5 zu ändern, wodurch die Resonanzfrequenz des Abstimmkreises verändert wird.

Dieser Abstimmkreis besitzt jedoch eine zu kleine veränderbare Kapazität, um auf Mehrkanäle abzustimmen. Es ist somit erforderlich, einen Fernsehabstimmkreis zu entwikkeln, der auf Mehrfachkanäle abstimmen kann.

Im Vergleich mit der Abstimmeinrichtung zum Empfangen von 12 VHF-Kanälen oder dgl. ist es auch bei diesem Abstimmkreis schwierig, für den Empfang von Mehrfachkanälen die Bildfrequenzfalle (trap) hinzuzufügen, und somit besitzt er ein schlechtes Bildstörverhältnis. Es ist auch erwünscht, einen Abstimmkreis mit ausgezeichnetem Rauschfaktor zu verwenden.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Abstimmkreis zu schaffen, bei dem die Anzahl der empfangenen Kanäle erhöht ist und der in der Selektivität, d.h. der Trennschärfe, verbessert ist, wodurch die Nachteile des herkömmlichen Abstimmkreises für Fernsehabstimmeinrichtungen beseitigt sind.

Ein weiteres Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines Abstimmkreises, der in den Rauscheigenschaften verbessert ist.

Durch die Erfindung ist ein Abstimmkreis mit veränderlicher Kapazität für Hochfrequenzsignale geschaffen worden, der zwei mit jeweils einem Ende geerdete Reaktanzdioden und eine zwischen den anderen Enden der Reaktanzdioden angeschlossene Abstimmspule umfaßt.

Die Erfindung wird im folgenden anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele und der Zeichnung weiter erläutert. In der Zeichnung zeigen:
10

Fig. 1 ein Schaltbild einer herkömmlichen elektronischen Abstimmeinrichtung zum Abstimmen auf Mehrfachkanäle,

Fig. 2 ein Schaltbild eines herkömmlichen Abstimmkreises,

Fig. 3A und 3B Schaltbilder von Ausführungsbeispielen eines erfindungsgemäßen Abstimmkreises mit veränderlicher Kapazität für den Empfang von Hochfrequenzsignalen,

Fig. 4A und 4B jeweils Ersatzschaltbilder eines herkömmlichen Abstimmkreises und eines erfindungsgemäßen Abstimmkreises, bei dem eine Kapazität C, zwischen der Verbindung von Elementen und Erde

angeschlossen ist,

Fig. 5A und 5B jeweils andere Ersatzschaltbilder der herkömmlichen Schaltung und der erfindungsgemäßen Schaltung,

Fig. 6 ein Diagramm des Rauschfaktors einer elektronischen Mehrkanal-Empfangerabstimmeinrichtung,

Fig. 7 ein Diagramm, in dem die Spannung gegen die

Kapazität über einer Reaktanzdiode aufgetragen ist,

Fig. 8 ein Diagramm, in dem die Frequenz gegen die Eingangs/Ausgangskapazitäten eines MOS-FETs aufgetragen ist,

Fig. 9 ein Diagramm, in dem die Frequenz gegen das

Bildfrequenz-Störverhältnis einer elektronischen Abstimmeinrichtung aufgetragen ist,

Fig. 10 ein Diagramm, das zur Erläuterung der VHF-Kanäle nützlich ist, die von einer elektronischen

139-Kanal-Abstimmeinrichtung für das Fernsehen in Nordamerika empfangen werden soll, und

Fig. 11 ein Schaltbild der elektronischen 139-Kanal-Ab-Stimmeinrichtung für das Fernsehen von Nord

amerika, bei der eine Antenne und ein Zwischen-Doppelabstimmkreis angeschlossen sind.

Fig. 3A zeigt ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels der Erfindung. Der Abstimmkreis dieses Ausführungsbeispiels besteht aus Reaktanzdioden 18 und 19 und einer Abstimmspule 20. Ein Ende der Reaktanzdioden 18 und 19 ist jeweils geerdet und die Abstimmspule 20 ist zwischen den anderen Enden der Reaktanzdioden 18 .und 19 angeschlossen.

Fig. 3B zeigt ein Schaltbild eines anderen Ausführungsbeispiels der Erfindung, das geeignet ist, als 2-Band- oder 3-Band-Abstimmkreis zu dienen, indem ein Schalterstromkreis 7 betätigt wird.

Wie in Fig. 3B gezeigt ist, ist das Empfangsende oder Zuleitungsende 17 mit einem Ende der Reaktanzdiode 18 verbunden, und das erdseitige Ende der anderen Reaktanzdiode 19 ist mit Erde über Abstimmspulen 21 und 22 für das zweite und das dritte Band verbunden. Eines der Enden der Reaktanzdioden 19 ist über die Abstimmspule 20 für

das erste Band mit dem einen Ende der Reaktanzdiode 18 verbunden. Der Schalterstromkreis 7 ist aus einem Schalterstromkreis 7a für die Abstimmung des ersten Bandes und mit einem Schalterstromkreis 7b für die Abstimmung des zweiten Bandes ausgebildet.

Das in Fig. 3A gezeigte Ausführungsbeispiel der Erfindung wird mit dem herkömmlichen Beispiel von Fig. 2 verglichen.
10

[Einstellbares Kapazitätsverhältnis] 15

Wenn ein Abstimmkreis gebaut oder in das Gerät eingebaut wird, wird zu ihm hinzugefügt:

(1) eine Kapazität einer mit dem Empfängerende oder Zuleitungsende 17 verbundenen Schaltung,

(2) eine Kapazität zwischen Elementen und

(3) eine Kapazität zwischen den Knotenpunkten der verbundenen Elemente und Erde.

Diese Kapazitäten setzen das Verhältnis der veränderlichen Kapazität des Abstimmkreises einer elektronischen Ab-Stimmeinrichtung bzw. eines Kanalwählers herab.

Wenn die herkömmliche Schaltung von Fig. 2 mit dem in Fig. 3A gezeigten erfindungsgemäßen Abstimmkreis verglichen wird, stellt es sich dabei heraus, daß die drei Kapazitätswerte (1), (2) und (3) bei der Erfindung jeweils dieselben Werte, wie die Kapazitätswerte bei der

herkömmlichen Schaltung sind. Die Kapazitätswerte zwischen dem Anschluß 23 und Erde in den Abstimmkreisen von Fig. 2 und 3A oder die Kapazitätswerte (3) beeinflussen jedoch die einstellbaren bzw. veränderlichen Kapazitätsverhältnisse der Abstimmkreise jeweils unterschiedlich.

Wenn der Kapazitätswert zwischen dem Anschluß 23 und Erde durch C, dargestellt wird, können die Ersatzschaltungen von Fig. 2 und 3A in Fig. 4A und 4B jeweils gezeigt werden. Ein Kondensator 24 besitzt diese Kapazität c_b.

Wenn die beiden Reaktanzdiodeη die gleichen sind, ist das veränderliche Kapazitätsverhältnis NA des Abstimmkreises von Fig. 2 gegeben als

2C. + CL

NA = ^b

2C, + CH

wobei CL die Kapazität über der Reaktanzdiode in Fig. 4 ist, wenn an diese eine minimale Spannung angelegt ist, und CH diese Kapazität ist,wenn eine maximale Spannung angelegt wird.

Da das Verhältnis zwischen CL und CH annähernd konstant 25

ist, kann es ausgedrückt werden als

CL = η CH.
Das veränderliche Kapazitätsverhältnis NA kann somit

2C. + η CH ^b

gegeben "sein durch

NA=

Das veränderliche Kapazitätsverhältnis NB bei der erfindungsgemäßen Schaltung von Fig. 3A kann ausgedrückt werden als

η CH (C_b + η CH) / (C_fa + 2η CH) ^{ΝΒ =} CH(C_b + CH)/(C_b + 2CH)

Das Verhältnis NB/ΝΑ kann berechnet werden, indem angenommen wird, daß η CH )£> C, ist, da

, . b b . τ

* ^{X +} CH ⁺ 2(C_b + CH) ^L'

Somit ist NB > NA. Dies bedeutet, daß der Abstimmkreis von Fig. 3A ein größeres variables Kapeeitätsverhältnis als der Abstimmkreis von Fig. 2 hat oder daß die Abstimmfrequenz über einen größeren Bereich verändert werden kann, indem mehr Empfangskanäle gesetzt werden können.

["Trennschärfe-Eigenschaften]

Wenn ein Abstimmkreis gebaut wird oder in ein Gerät eingebaut wird, insbesondere in einer häufig verwendeten gedruckten Schaltkarte, werden zu ihm hinzugefügt: (1) eine Konduktanz, d.h. ein Wirkleitwert,

einer an das Empfängerende oder Zuleitungsende angeschlossenen Schaltung,

(2) ein Wirkleitwert zwischen Elementen und

(3) ein Wirkleitwert zwischen einem Element und Erde, und diese Wirkleitwerte setzen die

Resonanzschärfe Q des Abstimmkreises herab.

Wenn die herkömmliche Schaltung von Fig. 2 mit dem in Fig. 3A gezeigten erfindungsgemäßen Abstimmkreis verglichen wird, stellt es sich dabei heraus, daß die drei Wirkleitwerte (1), (2) und (3) bei der Erfindung jeweils dieselben sind wie bei der herkömmlichen Schaltung. Die Wirkleitwerte zwischen dem Anschluß 23 und

Erde beeinflussen jedoch bei der Schaltung von Fig. 2 und 3A die Resonanzschärfe der Abstimmkreise jeweils unterschiedlich.

Wenn der Wirkleitwert zwischen dem Anschluß 23 und Erde bei den Abstimmkreisen vpn Fig. 2 und 3A durch g und die anderen Wirkleitwerte durch G dargestellt sind, sind die Ersatzschaltungen in den Fig. 5A und 5B jeweils gezeigt.

In Fig. 5A und 5B stellt 25 den Wirkleitwert einer an das Empfängerende oder das Zuleitungsende 17 angeschlossenen Schaltung, den Wirkleitwert über das Element und den Wirkleitwert zwischen dem Knotenpunkt von Elementen und Erde dar, und 26 stellt den Wirkleitwert zwischen dem Anschluß 23 und Erde dar.

Die Admittanz, d.h. der Scheinleitwert, YA des herkömmlichen Abstimmkreises von Fig. 5A kann ausgedrückt werden als

4 YA - G +^

(l-ω² LC)² + (uigL)²

+ jcocil +

(1-üT LC) ^ +

wenn vom Empfängerende oder Zuleitungsanschluß 17 aus betrachtet.

Der Realteil GAO des Scheinleitwerts YAO bei der Abstimmfrequenz ω wird umgewandelt, indem

_m _2

^ωο ^s LC

in den obigen Ausdruck eingesetzt wird, zu

4ω_η ⁴ gC GAO « G + -

4 2 2 2

^ωο ^{c + 4ω} _ο 9

Wenn vom Empfängerende oder Zuleitungsende 17 her betrachtet, kann auch der Scheinleitwert YB des Abstimmkreises von Fig. 5B auch ausgedrückt werden als

YB = G + 5 ²^

(1-tü LC) +

10

C +

C-g² L - ω² LC (l-ω² LC)² + (üigL)²

Der Realteil GBO des Scheinleitwerts YBO bei der Abstimmfrequenz CO kann bestimmt werden als

GBO = G + -

ω ⁴ C² + 4ω ² g² ο o^

Somit kann GAO - GBO berechnet werden als

3ω ⁴ gC² GAO -GBO - j § 2 T" ^> °

^ωο ^{c + 4ω}ο 5

25

Somit ist GAO > GBO, oder die Resonanzschärfe Q des Abstimmkreises gemäß der Erfindung ist höher als die des herkömmlichen Abstimmkreises und somit besser in der Abstimm- bzw. Trennschärfe.
30

Dies bedeutet, daß sein Verlust gering ist und daß die Rauscheigenschaften besser sind.

Bei einem Fernsehabstimmkreis ist ein Hochfrequenzver-

f 35 stärker oder eine Mischerschaltung an den Empfängeran- t Schluß oder den Zuleitungsanschluß des Abstimmkreises

angeschlossen, wie in Fig. 1 gezeigt ist. Auch wird ein

MOS-FET bei diesem Verstärker oder der Mischerschaltung verwendet, da er ausgezeichnete Kreuzmodulationseigenschaften besitzt,und wird somit gegenwärtig weit verbreitet benutzt. Andererseits wurde eine Messung bei den Rauschfaktoren der Abstimmeinrichtungen ausgeführt, bei denen in den Abstimmkreisen jeweils für die Diode 18 von Fig. 3 eine Reaktanzdiode mit großem einstellbaren Kapazitätsverhältnis (bei der

Kapazitätswert über sie,
μ = ^wenn 3 V angelegt sind 2. g Kapazitatswert über sie, 7 ' wenn 25 V angelegt sind

wobei diese Diode als Reaktanzdiode mit großem N-Verhältnis bezeichnet wird, wie in Fig. 7 durch die Kurve 27 gezeigt ist) und eine Reaktanzdiode mit etwa einem halb so großen veränderlichen Kapazitätsverhältnis verwendet wurde (die N=5 besitzt und als Reaktanzdiode mit normalem N-Verhältnis bezeichnet wird, wie in Fig. 7 durch die Kurve 28 gezeigt ist). Fig. 6 zeigt die gemessenen Ergebnisse, wobei 29 die Rauscheigenschaften der Abstimmeinrichtung darstellt, bei der die Reaktanzdiode mit großem N-Verhältnis verwendet wird, und 30 die Rauscheigenschaften der Abstimmeinrichtung darstellt, bei der eine Reaktanzdiode mit normalem N-Verhältnis für die an das Empfängerende oder Zuleitungsende 17 angeschlossene Diode 18 verwendet wird. Aus Fig. 6 ist ersichtlich, daß die Abstimmeinrichtung mit dem Abstimmkreis, bei dem die Reaktanzdiode mit normalem N-Verhältnis verwendet wird, um 2 dB an den Kanälen beim

QQ niedrigen Ende eines jeden Frequenzbandes verbessert ist.

Wie in Fig. 7 gezeigt ist, beruht dies darauf, daß sich die Kapazitäten über der Reaktanzdiode mit großem N-Verhältnis und mit normalem N-Verhältnis bei einer gg besonders niedrigen, über sie angelegten Spannung unterscheiden. Das heißt, wenn an die Reaktanzdioden mit großem N-Verhältnis und normalem N-Verhältnis ein Volt angelegt wird, sind die Kapazitäten dieser Dioden

jeweils etwa 40 pF bzw. 20 pF, d.h. die erste Kapazität ist zweimal so groß wie die letztere. Andererseits ist die Eingangs- und Ausgangskapazität 31 des MOS-FET (beispielsweise in Fig. 1 mit dem Bezugszeichen 8 bezeichnet) etwa 1 bis 6 pF, wie in Fig. 8 gezeigt ist. Der FET ist somit nicht an die Abstimmschaltung angepaßt bzw. auf diese abgestimmt, so daß ein Fehlanpassungsverlust auftritt, der den Rauschfaktor herabsetzt. Die Kurve 32 in Fig. 8 zeigt die Ausgangskapazitätseigenschaft des MOS-FET.

Es erscheint somit besser, die Reaktanzdiode mit normalem N-Verhältnis für jede der beiden Reaktanzdioden

18 und 19 in dem Abstimmkreis zu verwenden, aber

das veränderliche Kapazitätsverhältnis des Abstimmkreises wird unvermeidlich auf etwa die Hälfte herabgesetzt, was den Empfang von Mehrfachkanälen unwirksam macht.

Wenn die Reaktanzdiode mit normalem N-Verhältnis für die

Reaktanzdiode 18 in Fig. 3 verwendet wird und wenn die Reak- ^f tanzdiode mit großem N-Verhältnis für die Reaktanzdiode

19 in Fig. 3 verwendet wird, kann daher in beträchtlichem Maße verhindert werden, daß das veränderliche Kapazitätsverhältnis abnimmt, und der Abstimmkreis besitzt einen ausgezeichneten Rauschfaktor.

Das veränderliche Kapazitätsverhältnis der Reaktanzdiode 18 nicht derart herabgesetzt, da die Kapazität einer an das Empfängerende oder Zuleitungsende 17 anzuschliessenden Schaltung zur Diode 18 hinzugefügt wird.

Mit anderen Worten, es wird eine Reaktanzdiode mit relativ großem Kapazitätsverhältnis für den Empfang von gg Mehrfachkanälen für die Reaktanzdiode 19 und eine Reaktanzdiode mit relativ kleinem veränderlichen Kapazitätsverhältnis zur Verbesserung von Rauscheigenschaften für die Reaktanzdiode 18 verwendet. Auf diese Weise kann ein

Mehrkanal-Empfangerabstimmkreis mit ausgezeichneten Rausch- und Trennschärfeeigenschaften ausgeführt werden.

Wenn der Abstimmkreis der Erfindung in der Mehrkanal-Kabelfernsehabstimmeinrichtung verwendet wird, kann er die Abstimmeinrichtung weiter als der herkömmliche Abstimmkreis von Fig. 2 verbessern; d.h. es können 5 Kanäle (30 MHz) zum Super- und Hyperband hinzugefügt werden, bei denen die maximalen, zu empfangenden Kanäle über 210 MHz liegen, und die Trennschärfe kann verbessert werden. Wie in Fig. 9 gezeigt ist, ist somit das BiIdfrequenz-StÖrverhältnis bei der erfindungsgemäßen Schaltung, das durch die Kurve 34 dargestellt ist, um 6 dB niedriger als das der herkömmlichen Schaltung, das durch die Kurve 33 dargestellt ist. Auf diese Weise kann die zukünftige Zunahme in der Kanalzahl gemeistert werden.

Auch wenn dieser erfindungsgemäße Abstimmkreis für dieselbe Anzahl von Kanälen verwendet wird, wie sie durch den herkömmlichen Abstimmkreis von Fig. 2 empfangen werden, ist der Verlust wegen ihrer hohen Resonanzschärfe 11 Q niedrig und das veränderliche Kapazitatsverhältnis wird groß. Die Abstimmspannung zum Kanal am niedrigen Ende kann somit erhöht werden, wenn dieselbe Abstimmspannung zum Kanal am hohen Ende verwendet wird, wodurch das Rauschverhältnis um 1,5 dB verbessert wird.

Wenn die Reaktanzdiode mit dem kleineren variablen Kapazitätsverhältnis für die an das Empfängerende oder Zuleitungsende im erfindungsgemäßen Abstimmkreis angeschlossene Diode verwendet wird, ermöglicht somit dieser Abstimmkreis die Ausführung einer elektronischen Abstimmeinrichtung mit 139 Kanälen (bei denen die Anzahl der VHF-Kanäle 69 ist) für das Kabelfernsehen in Nordamerika, und diese Abstimmeinrichtung ist im Rauschverhalten und in der Trennschärfe ausgezeichnet und ist im VHF-Ein-Serien-3-Band-System ausgeführt. Fig. 10 zeigt die Kanäle und Bänder, die mit dieser Abstimmeinrichtung

empfangen werden sollen. *

Fig. 11 zeigt ein Schaltbild der elektronischen Abstimmeinrichtung mit 139 Kanälen, bei der der erfindungsgemäße Abstimmkreis verwendet wird.

Mit einem erfindungsgemäßen Abstimmkreis kann eine Mehrkanalempfänger-Fernsehabstimmeinrichtung hergestellt werden, die in den folgenden Punkten im Vergleich zu einer herkömmlichen Abstimmeinrichtung ausgezeichnet ist und zur Entwicklung in der Mehrkanal-Kabelfernsehindustrie beitragen kann:

(1) Das große variable Kapazitätsverhältnis des Abstimmkreises ist der zukünftigen Zunahme von Kanälen beim Kabelfernsehen gewachsen.

(2) Die hohe Resonanzschärfe des Abstimmkreises kann die Trennschärfe verbessern und die Kanalstörungen und Bildfrequenzstörungen herabsetzen, die besonders beim Mehrkanalempfang leicht auftreten. Da das Rauschverhalten ausgezeichnet ist, treten außerdem selten Störphänomene auf und es * können klarere Videobilder wiedergegeben werden.

(3) Es kann eine Hochleistungs-Abstimmeinrichtung

in einem Ein-Serien-3-Band-Aufbau erzeugt werden, die Videokanäle von 54 MHz bis 470 MHz beim nordamerikanischen Kabelfernsehen klar empfangen kann und eine kleinere Anzahl von Teilen als bei einer Ein-Serien-4-Band- oder Zwei-Serien-3-Band-Anordnung aufweist, und sie kann daher kleine Abmessungen aufweisen. Dies führt zu einer kleinen Anzahl von Teilen in einem Fernsehempfänger. Der Fernsehempfänger selbst kann somit eine kleine Größe erhalten.

L e e r s e i t e --

Claims

LEINWEBER &

ZIMMERMANN

PATENTANWÄLTE

european patent attorneys

Dipl.-lng. H. Leinweber (1930-76) Dipl.-Ing. Heinz Zimmermann Dipl.-lng. A. Gf. v. Wengersky Dipl.-Phys. Dr. Jürgen Kraus

Rosental 7, D-8000 München 2
2. Aufgang (Kustermann-Passage) Telefon (089) 2-6fr39"89 -■? ύ P ~ Telex 52 8191 lepat d Telegr.-Adr. Leinpat München

MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.,

1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, den 14. August 1985

Osaka, Japan

UnserZeichen B61-02 krkop

Abstimmkreis mit veränderlicher Kapazität für Hochfrequenzsignale

Ansprüche

1. Abstimmkreis mit veränderlicher Kapazität für den Empfang von Hochfrequenzsignalen, gekennzeichnet durch eine erste Reaktanzdiode (18), die zwischen entweder dem Empfängerende oder dem Zuleitungsende (17) und Erde angeschlossen ist, eine Abstimmspule (20), deren eines Ende mit dem Empfängerende oder Zuleitungsende (17) verbunden ist, und eine zweite Reaktanzdiode (19), die zwischen dem anderen Ende der Abstimmspule (20) und Erde angeschlossen ist.

2. Abstimmkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die erste Reaktanzdiode (18) ein veränderliches Kapazitätsverhältnis besitzt, das kleiner als das der zweiten Reaktanzdiode (19) ist.
3. Abstimmkreis mit veränderlicher Kapazität für den Empfang von Hochfrequenzsignalen, gekennzeichnet durch eine erste Reaktanzdiode (18), die zwischen entweder dem Empfängerende oder dem Zuleitungsende (17) und Erde angeschlossen ist, eine erste Abstimmspule (20), deren eines Ende mit entweder dem Empfängerende oder dem Zuleitungsende (17) verbunden ist, und eine zweite Reaktanzdiode (19), deren eines Ende mit dem anderen Ende der ersten Abstimmspule (20) verbunden ist, und eine zweite Abstimmspule (21, 22), die zwischen dem anderen Ende der zweiten Reaktanzdiode (19) und Erde angeschlossen ist.
4. Abstimmkreis nach Anspruch 3, dadurch g e k e η η zeichnet, daß das andere Ende der zweiten Reaktanzdiode (19) mit einem SchalterStromkreis (7a) verbunden ist.
5. Abstimmkreis nach Anspruch 4, dadurch g e k e η η zeichnet, daß eine bestimmte Stelle der zweiten Abstimmspule (21, 22) mit einem Schalterstromkreis (7b) verbunden ist.
6. Abstimmkreis nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das veränderliche Kapazitätsverhältnis der ersten Reaktanzdiode (18) kleiner als das der zweiten Reaktanzdiode (19) ist.