DE3521059A1 - Zusammengesetzter transistor - Google Patents

Zusammengesetzter transistor

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DE3521059A1 DE19853521059 DE3521059A DE3521059A1 DE 3521059 A1 DE3521059 A1 DE 3521059A1 DE 19853521059 DE19853521059 DE 19853521059 DE 3521059 A DE3521059 A DE 3521059A DE 3521059 A1 DE3521059 A1 DE 3521059A1
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Evgenij Ivanovič Lapitsky
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Description

3SSCHR3IBUHG
Die.Erfindung bezieht sich auf die Elektronik, insbesondere auf zusammengesetzte Transistoren.
Die Erfindung kann mit grösserer Effektivität für Verstärker, geregelte Speisequellen, Schalterschaltungen und andere Einrichtungen zur Steuerung und Automatisation verwendet werden.
Die bekannten zusammengesetzten Transistoren, die vorwiegend nach der Darlingtonschaltung ausgeführt werden, sind durch einen hohen Stromverstärkungsfaktor gekennzeichnet und geben dadurch die Möglichkeit, den Aufbau von Transistorbaugruppen wesentlich zu vereinfachen, die Zuverlässigkeit der Geräte zu erhöhen und ihr Gewicht, ihre Abmessungen sowie ihre Kosten herabzusetzen.
Der hohe Verstärkungsfaktor und die daraus resultierende grosse Verlustleistung des zusammengesetzten Transistors erfordern für die erwähnten Anwendungsgebiete die Gewährleistung der maximalen thermischen Stabilität und der Schnellwirkung, eines minimalen Rückstromwertes nebst einer höchst rentablen Herstellung der zusammengesetzten Transistoren.
Die bekannten zusammengesetzten Mesa-Planar-Transistoren (vgl. z.B. Pirsov V.l. "Zusammengesetzte Leistungstransistoren KT 827 - KT 829" in der Zeitschrift "Slektronnaja Promyshlennost", 1979, Nr. 3, S. 18, 19) haben ein Halbleitersubstrat, das als gemeinsamer Kollektor dient, und bilden die zweistufige Darlingtonschaltung, bei der jede Stufe ein 3asisgebiet mit.einer Vielzahl von Emittergebieten enthält. Das Basisgebiet und die Emittergebiete sind auf der Fläche des Halbleitersubstrats ungleichmässig verteilt und sind mittels metallisierter Stromzuführungskontakte in Richtung zu entgegengesetzten Oberflächenrändern des Halbleitersubstrats hin zu Transistorstufen vereinigt. Die zu den Emitter- und Basisgebieten führenden Montagekontakte, die zur Verbindung mit den An-
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schlussdrähten im Gehäuse bestimmt sind, stellen metallisierte Flächen dar und befinden sich an entgegengesetzten Rändern der Halbleitersubsfcratflache, während zur Isolierung der Basisgebiete der Transistorstufen tiefe Rillen dienen.
Diese Rillenisolierung führt zu einem Wesentlichen Mangel, und zwar zum Anstieg von 'PransistorrUckströmen infolge von unkontrollierbaren Verunreinigungen, die an den Wänden von Rillen der pn-Ubergänge entstehen. Die ungleichmässige Anordnung von Basis- und Emittergebieten auf der Fläche des Halbleitersubstrats verursacht eine ungleichmässige Verteilung der Stromdichte sowie der beim Betrieb erzeugten Wärme und folglich eine niedrige thermische Stabilität des zusammengesetzten Transistors.
Die Anordnung der Montagekontakte an den entgegengesetzten Flächenrändern des Halbleitersubstrats erfordert eine strenge Orientierung beim Einsetzen des Kristalls ins Gehäuse dieses zusammengesetzten Transistors, wobei ein höherer Arbeitsaufwand bei der Montage des Transi^- stors entsteht und die Rentabilität seiner Herstellung sinkt.
Kleinere Rückstrompegel können beim Aufbau des zusammengesetzten Planartransistors erreicht werden, bei dem die auf die planare Substratoberfläche heraustretenden pnt-Ubergänge mit einer Isolierschicht geschützt werden. ...""*.. . . ...
... Bekannt ist- ein zusammengesetzter Transistor
•D t - O 5
(vgl. die - „ 2705183, Klasse H-Ol L 27/08, verSff. 1978) mit einem Halbleitersubstrat, das den gemeinsamen-Kollektor bildet und eine Vielzahl von Basis- und Emittergebieten aufweist, die mehrere-Transistorstufen bilden, sowie mit Stromzuführungs- und Montagekontakten .für die Basis- und Emittergebiete versehen ist. Ein Basisgebiet ist gemeinsam für die Transistorstufen* Die-Basis- und Imittergebiete sind auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats ungleichmassig verteilt und mittels der Strorazufiihrungskontakte in
Richtung zu entgegengesetzten Oberflächenrändern des Halbleitersubstrat hin verbunden. Die zu den Basis- und Emittergebieten führenden Montagekontakte befinden sich auch an .den entgegengesetzten Oberflächenrändern des Halbleitersubstrats.
Die Ausführung eines für die Transistorstufen gemeinsamen Basisgebietes führt zur Erhöhung der parasitären Kollektorkapazität des zusammengesetzten Transistors und folglich zur Verringerung seiner Schnellwirkung. Die ungleichmässige Verteilung des Basisgebietes und der Emittergebiete auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats hat eine niedrige thermische Stabilität zur Folge, während die Anordnung, der Montagekontakte an den entgegengesetzten Oberflächenrändern des Halbleitersubstrats einen hohen Arbeitsaufwand bei der Montage des zusammengesetzten Transistors im Gehäuse erfordert.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen zusammengesetzten Transistor zu entwickeln, dessen Aufbau eine bessere Schnellwirkung und eine höhere Arbeitsleistung bei seiner Montage im Gehäuse sowie seine kompakte Topologie gewährleistet.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass im zusammengesetzten Transistor mit einem Halbleitersubstrat, das als gemeinsamer Kollektor dient und eine Vielzahl von Basis- und Emittergebieten aufweist, die mehrere Transistorstufen bilden, sowie mit Stromzuführungsund Montagekontakten für die Basis- und Emittergebiete versehen ist, erfindungsgemäss die einzelnen Basis- und Emittergebiete gleichmässig auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats verteilt sind, und die gleichartigen Gebieterin jeder Transistorstufe^in Richtung von der Peripherie zum Mittelpunkt des Halbleitersubstrats mittels der Stromzuführuhgskontakte miteinander paral-IeI verbunden sind, und die einzelnen Basisgebiete durch das avt§ die Oberfläche des Halbleitersubstrats heraustretende gemeinsame Kollektorgebiet voneinander
isoliert sind, wobei der zu den einzelnen Emittergebieten führende Montagekontakt im Zentrum der. Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist, während die zu den einzelnen Basisgebieten führenden Montagekontakte gleichmässig an der^berflachejo-ri des Halbleitersubstrats verteilt sind.
Die gleichmässige Anordnung einzelner Basis- und Emittergebiete auf der Fläche des Halbleitersubstrats, ihre Verbindung mit Gebieten gleicher Art in jeder Transistorstufe parallel von der Peripherie zum Zentrum der Substratfläche hin mittels der Stromzufiihrungskontakte und die gegenseitige Isolierung der Basisgebiete mit Hilfe des auf die Oberfläche des Halbleitersubstrats heraustretenden gemeinsamen Kollektorgebiets geben die1 Möglichkeit,
- die Schnellwirkung des zusammengesetzten Transistors zu erhöhen, da infolge der Isolierung einzelner Basisgebiete voneinander die Fläche des Kollektorüberganges zwischen den Kollektor- und 3asisgebieten klei- ner wird;
- die thermische Stabilität des zusammengesetzten Transistors zu erhöhen, da eine gleichmässige Verteilung der elektrischen Belastung auf der Fläche des Halbleitersubstrats und eine Verringerung der therraisehen Wechselwirkung zwischen den Konstruktionselementen erreicht werden, weil diese Elemente gleichmässig verteilt und in Bezug auf das Zentrum der Oberfläche des Halbleitersubstrats im zusammengesetzten Transistor symmetrisch angeordnet sind. Da der zu den Emittergebieten führende Montagekontakt im Zentrum der Oberfläche des Halbleitersubstrats liegt und die' zu den Basisgebieten führenden Montagekontakte an der Peripherie der Oberfläche.des Halbleitersubstrats gleichmässig verteilt sind, d.h. die Montagekontakte symmetrisch angeordnet sind, entfällt die Orientierung des Substrata bei seiner Montage im Gehäuse und erhöht sich folglich die Arbeitsproduktivität bei der Montage des zusammen-
gesetzten Tranaistors.
Die Transistorstufen können nach der Darlingtonschaltung zusammengeschaltet werden.
Bei derartiger Verbindung der. Transistorstufen ergibt sich.der höchste Stromverstärkungsfaktor.
Es ist zweckmässig, wenigstens einzelne Basisgebiete einer Transistorstufe in Form von Bögen und die Basisgebiete der letzten Transistorstufe in Form von Sektoren auszubilden.
Bei der Ausführung der Basisgebiete wenigstens einer, z.B. der ersten Tr.ansistors.tufe, sowie aller nachfolgenden Transistorstufen ausser der letzten in Form von Bögen, z.B. von Bögen konzentrischer Kreise, und bei der Bildung der Basisgebiete der letzten Traneistorstufe in Form von Sektoren, die z.B. von diesen Bögen umfasst werden, wird eine dichtere Packung der zum zusammengesetzten Transistor gehörenden Gebiete und
dadurch eine höhere Kompaktheit seiner ganzen Topologie möglich.
Im Ergebnis der aufgeführten konstruktiven
Lösungen ergibt sich die Möglichkeit, die Schnellwirkung und die thermische Stabilität des zusammengesetzten Transistors zu erhöhen und gleichzeitig die Arbeitsproduktivität bei seiner Montage zu steigern sowie eine höhere Kompaktheit seiner Topologie zu erreichen. Die Erfindung wird in den nachstehenden Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die ee Zeichnungen näher erläutert. Hierbei zeigeni Fig. 1 einen zusammengesetzten Transistor gemäss der Erfindung im Vertikalschnitt; Fig.-2 einen.zusammengesetzten Transistor, gemäss
ClI I
der Erfindung .{Draufsicht J; u. n-o ...
- -Fig.- 3 ein elektrisches. Schaltbild des zusammengesetzten Transistors .geraäss der. Erfindung; Der zusammengesetzte Transistor enthält gemäss
der Erfindung ein z.B. aus Silizium vom. n+-Typ gefertigtes Halbleitersubstrat 1 (Fig. 1), auf dem ein gemein-
sames Epitaxial-Kollektorgebiet 2 gebildet ist, daa. z.B. aus Silizium vom η-Typ besteht. Auf-dem gemeinsamen Epitaxial-Kollektorgebiet.2.sind acht einzelne Basisgebiete.3, 4 z.B. vom p-Typ.und zwölf einzelne Emittergebiete 5, 6 z.B. vom n++-Tyρ (Fig. 1, 2) hergestellt. Die Anzahl der einzelnen Basisgebiete 3, 4 und der einzelnen Emittergebiete 5, 6 kann beliebig aber nicht gleich Eins sein, um den Betrieb des zusammengesetzten Transistors bei vorgegebenem Niveau de» elelctrisehen Belastung- sicherzustellen. Die Oberflächen des gemeinsamen Kollektorgebiets 2 (Fig. 1), der einzelnen Basisgebiete 3, 4 und "der einzelnen Emittergebiete 5» 6 sind mit einer z.B, aus oxidiertem Silizium bestehenden
cn Isolierschicht 7 überzogen. Die «ttf die Oberfläche heraustretenden pn-Ubergänge, die vom gemeinsamen Kollektorgebiet 2, von den einzelnen Basisgebieten 3» 4 und von den einzelnen Emittergebieten 5> 6 gebildet sind, liegen unter der Isolierschicht 7- Durch die in der Isolierschicht 7 vorgesehenen Fenster sind an die einzelnen Basis- und Emittergebiete (3, 4 bzw. 5f 6) Stromzuführungskontakte 8 ^3, 10 angeschlossen, die
veuny
z.B> Aluminiummetallisierung .darstellen. Die einzelnen Basisgebiete 3, 4 und die einzelnen Emittergebiete 5» 6 sind auf der Oberfläche des Halbleitersubstrat^ 1 gleichmässig verteilt, so dass sie in Bezug auf seinen geometrischen Mittelpunkt eine symmetrische Anordnung darstellen. Die einzelnen Basisgebiete 3, 4 und die einzelnen Emittergebiete 5,6 sind mittels der Stromzuführungskontakte 8,9,10 zu zwei Transistorstufen 11, 12 (Fig. 3) zusammengeschaltet. Die Anzahl der Transistorstufen 11, 12 kann auch grosser sein, je nach dom geforderten Verstärkungsfaktor des zusammengesetzten Transistors, In der Transistorstufe 11 sind die einzelnen Basisgebiete 3 (Fig- 2) als Gebiete gleicher Art■ mit Hilfe der Stromzuführungskontakte.8 miteinander parallel verbunden. Mittels der Stromzuführungskontakte 9 sind ebenso die gleichartigen Emittergebiete 5 der
Transistorstufe 11 (Pig. 3) und die einzelnen Basisgebiete 4 (Pig. 2) ..der Tranai3torstufe. 12 in Richtung von der Peripherie .zum Mittelpunkt des Halbleitersubstrata hin parallel verbunden. Die einzelnen gleichartigen Emittergebiete 6 der Transistorstufe 12 (Pig. 3) sind miteinander über die StromzufUhrungskontakte 10 (Pig. 2) parallel verbunden. Die Stromzuführungskontakte IO der Transistorstufe 12 (Fig. 3). sind mit dem Montagekontakt 13 (Pig. If 2) verbunden, der z."R. als Alurainiummetallisierung hergestellt ist und den Emitteranschluss des zusammengesetzten Transistors darstellt. Die Stromzufuhr ungskoritakte 8 der Transistorstufe 11 (Fig. 3) sind mit vier z.Bj aus Aluminiummetallisierung bestehenden MontagekontaTcten 14. ».17 (Pig. 2, 3)verbunden, die an der Oberflächenperipherie des Salbleitersubstrats 1 gleichmässig verteilt liegen und in Bezug auf den geometrischen Mittelpunkt der Oberfläche des Halbleitersubstrats 1 eine symmetrische Anordnung haben. Die Montagekontakte 14...17 stellen die Basisanschlüsse des zusammengesetzten Transistors dar, wobei ihre Anzahl in Abhängigkeit von den Besonderheiten der Montage des zusammengesetzten Transistors im Gehäuse beliebig, aber nicht gleich Eins sein kann.
Das unter der Isolierschicht 7 (Pig. D «*£ die JPlanarpberfläche hervortretende gemeinsame Kollektorgebiet 2 isoliert die einzelnen Basisgebiete 31 4 voneinander. Die einzelnen Basisgebiete ^ der Transistorstufe 11 (Fig. 3) sind als Bögen ausgebildet, welche die einzelnen als Sektoren ausgeführten Basisgebiete 4 (Fig. 2) der Transistorstufe 12.(Fig. 3) umfassen. Die Transistorstufen 11r 12 sind nach der Darlingtonschaltung zusammengeschaltet, aber.im Prinzip ist die. Verbindung der Transistorstufen nach anderen Schaltungen, z.B. nach der Komplementärschaltung von Shiklai
mSglich.. - . .
Der zusammengesetzte Transistor funktioniert,wie folgt.
An den Anschluss des Halbleitersubstrats 1 (Fig.l,
2, 3) wird ein positives Potential angelegt. Die Anlegung einer positiven.Vpr3pannung an die Anschlüsse . der Montagekontakte 14«.·17 in Bezug auf den Montagekontakt 13 bewirkt die Öffnung der übergänge zwischen den einzelnen Basisgebieten 3 (Pig. 1, 2) und den einzelnen Emittergebieten 5 der Transistorstufe 11 (Fig. 3)ι welche die Tranaistorstufe 12 auslöst, indem sie die übergänge zwischen den einzelnen Basisgebieten 4 (Fig. 1, 2) und den einzelnen Emittergebieten 6 leitend macht.
Von den Transis'torstufen 11, 12 (Fig. 3) gelangt das elektrische Signal zum Anschluss des Halbleitersubstrats 1. Da die einzelnen Emittergebiete 5 (Fig.l,\2) der Transistorstufe 11 (Fig. 3) mit den einzelnen Basisgebieten 4 der Transistorstufe 12 verbunden sind, ist dabei der1 Verstärkungsfaktor des zusammengesetzten Transistors praktisch gleich dem Produkt der Verstärkungsfaktoren der zur Schaltung gehörenden Transistorstufen 11, 12.
Unter Einwirkung des die übergänge des zusammengesetzten Transistors durchfliessenden elektrischen Stromes wird Wärme erzeugt und erfolgt die Erwärmung des Halbleitersubstrats 1. Die gleichmässige Verteilung der einzelnen Basisgebiete 3,\4 (Fig. 1, 2)und der einzelnen Emittergebiete 5, 6 auf der Oberfläche des HaIbleitersubstrats 1 sowie ihre Parallelverbindung mittels der Stromzuführungskontakte 8^,10 in Richtung von der Peripherie zum Zentrum der Oberfläche des Halbleitersubstrats 1 geben die Möglichkeit, die Verteilung der elektrischen Belastung auszugleichen und die thermische Wechselwirkung einzelner konstruktiver Elemente des zusammengesetzten Transistors abzuschwächen.
Die. Anlegung der elektrischen Potentiale an die Anschlüsse des Halbleitersubstrats 1 und an die Anschlüsse der Montagekontakte 13...17 des. zusammengesetzten Transistors führt zur Bildung einer parasitäre»
α Kapazität, deren Grosse durch die durch das at*f die
pianarpberfläche hervortretende gemeinsame Kollektor-
gebiet 2 sichergestellte Isolierung der einzelnen Basisgebiete 3, 4 erniedrigt wird.
Die Anordnung des mit den einzelnen Emittergebieten 6 (Fig- I, 2) verbundenen Montagekontaktes 13 (Fig. 3) im Zentrum der Oberfläche des Halbleitersubstrats 1 und die Verteilung der mit den einzelnen Basisgebieten 3 verbundenen Montagekontakte 14...17<gleichmässige^an der Oberflächenperipherie des Kalbleitersubstrats 1 gewährleisten die Symmetrie der Montagekontakte 13...17 und dadurch die Möglichkeit, den zusammengesetzten Transit-Stör im Gehäuse ohne Orientierung zu montieren.
Bei der bogenförmigen Ausbildung der einzelnen Basisgebiete 3 der Transistoretufe 11 (Fig. 3) und bei der Ausführung öer einzelnen Basisgebiete 4 (Fig. li\2) der Tranr is torstufe 12 (Fig. 3) in der Je·* von Sektoren ergibt sich die Möglichkeit, die für die vorgegebene Fläohe des zusammengesetzten Transistors höchste Packung seiner Konstruktionselemente zu erreichen.

Claims (12)

Patentanwälte ^n-VrVnn"""" "-·".„" BEETZ 4 PARTNER 53o-37.717P 12. Jum 198,5 Steinsdorf afc 1O180S». München 22 3521059
1. Evgeny Ivanovich LAPITSKY, Minsk *
2. Anatoly Iosifovich TARASEVICH, Minsk
3. Vladimir Alexandrovieh SEMIN, Minsk
4. Vladimir Iliich KABANETS, Minsk
UdSSR
ZUSAMMENGESETZTE?, TRANSISTOR Patentansprüche:
1. Zusammengesetzter Transistor auf einem Halbleitersubstrat (1), das als gemeinsamer Kollektor dient und eine Vielzahl von, Basis- und Emittergebieten (3,-4, 5, 6)· aufweist,- die mehrere Transisto,rstufen (11, 12) bilden, sowie mit Stromzuführungs- und Montagekontakten. (8, 9, 10, 13, 14, 15, 16, 17) für.die 3asis- und Emittergebiete (3, 4, 5, 6) versehen ist, da- .
durch gekennzeichnet, dass die einzelnen Basis- und Emittergebiete (3» 4 und 5» 6) gleichmässig auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) verteilt sind und in jeder Transistorstufe (11, 12) die gleichartigen Gebiete (3t 4 und 5, 6) in Richtung von der Peripherie zum Mittelpunkt des Halbleitersubstrats (1) mittels der Stromzuführun^skontakte (8, 9,\l0) miteinander parallel verbunden sind, und die einzelnen Basisgebiete (3, 4) durch das aaf die Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) heraustretende gemeinsame KoI-lektorgebiet (2) voneinander isoliert sind, wobei der zu den einzelnen Emittergebieten (6) führende Montagekontakt (13) im Zentrum der Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) angeordnet ist, während die zu den ein-
zelnen Basisgebieten (3) führenden Montagekontakte (14, 15, 16, 17) gleichmässig an der, Peripherie der Oberfläche, des Halbleitersubstrats (.1) verteilt sind.
2. Zusammengesetzter Transistor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass die .Transistorstufen (11, 12) nach der Darlingtonschaltung miteinander verbunden sind.
3. Zusammengesetzter Transistor nach Ansprüchen 1, 2, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens einzelne Basisgebiete (3) einer Transistorstufe (11) in Form von Bögen und einzelne 3asisgebiete (4) äe'x letzten Transistorstufe (12) in Form von Sektoren ausgeführt sind.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3807162A1 (de) * 1987-07-02 1989-01-12 Mitsubishi Electric Corp Halbleiterspeichereinrichtung
US4984199A (en) * 1986-09-09 1991-01-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory cells having common contact hole
DE4017992A1 (de) * 1989-06-06 1991-01-24 Toyoda Automatic Loom Works Transistor mit strommessfunktion

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1297239C2 (de) * 1964-11-11 1975-07-17 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Leistungstransistor
DE1514008B2 (de) * 1965-04-22 1972-12-07 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Flaechentransistor
US3544860A (en) * 1968-04-11 1970-12-01 Rca Corp Integrated power output circuit
US3629623A (en) * 1968-11-01 1971-12-21 Nippon Denso Co Composite semiconductor device and semiconductor voltage regulator device for vehicles

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4984199A (en) * 1986-09-09 1991-01-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory cells having common contact hole
DE3807162A1 (de) * 1987-07-02 1989-01-12 Mitsubishi Electric Corp Halbleiterspeichereinrichtung
US4887137A (en) * 1987-07-02 1989-12-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device
DE4017992A1 (de) * 1989-06-06 1991-01-24 Toyoda Automatic Loom Works Transistor mit strommessfunktion

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SE8502974D0 (sv) 1985-06-14
NL8501980A (nl) 1987-02-02
SE448329B (sv) 1987-02-09

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