DE3336780C2 - Mikrokanalplatten-Detektor mit hoher Ortsauflösung - Google Patents

Mikrokanalplatten-Detektor mit hoher Ortsauflösung

Info

Publication number
DE3336780C2
DE3336780C2 DE19833336780 DE3336780A DE3336780C2 DE 3336780 C2 DE3336780 C2 DE 3336780C2 DE 19833336780 DE19833336780 DE 19833336780 DE 3336780 A DE3336780 A DE 3336780A DE 3336780 C2 DE3336780 C2 DE 3336780C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
microchannel
microchannel plate
plates
plate
insulator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19833336780
Other languages
English (en)
Other versions
DE3336780A1 (de
Inventor
Renè Dipl.-Phys. Dr. 5170 Jülich Franchy
Harald Dipl.-Phys. Prof. 5100 Aachen Ibach
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Forschungszentrum Juelich GmbH
Original Assignee
Kernforschungsanlage Juelich GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kernforschungsanlage Juelich GmbH filed Critical Kernforschungsanlage Juelich GmbH
Priority to DE19833336780 priority Critical patent/DE3336780C2/de
Publication of DE3336780A1 publication Critical patent/DE3336780A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3336780C2 publication Critical patent/DE3336780C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/29Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2914Measurement of spatial distribution of radiation
    • G01T1/2921Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
    • G01T1/2957Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using channel multiplier arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/244Detectors; Associated components or circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers
    • H01J43/06Electrode arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers
    • H01J43/06Electrode arrangements
    • H01J43/18Electrode arrangements using essentially more than one dynode
    • H01J43/24Dynodes having potential gradient along their surfaces
    • H01J43/246Microchannel plates [MCP]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/24435Microchannel plates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2446Position sensitive detectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24571Measurements of non-electric or non-magnetic variables
    • H01J2237/24578Spatial variables, e.g. position, distance

Abstract

Bei einem Mikrokanalplatten-Detektor mit zwei Mikrokanalplatten und einer dazu eng benachbarten Widerstandsanode, deren Befestigung und Kontaktierung aus der Ebene zurückversetzt sind, in der die den Mikrokanalplatten zugewandte Oberfläche der Widerstandsanode liegt, wird zwischen den beiden Mikrokanalplatten ein Isolator vorgesehen, der zwei nach unterschiedlichen Richtungen nach außen führende Verlängerungen aufweist. Dieser Isolator hat auf der einen bzw. anderen Seite eine leitende Schicht im Kontaktbereich mit der einen bzw. anderen Mikrokanalplatte und diese leitende Schicht erstreckt sich nur jeweils einseitig über die eine bzw. die andere Verlängerung des Isolators, der vorzugsweise durch eine Glimmerscheibe von < 50 μm gebildet wird. Zusätzliche Isolatorscheiben zwischen beschichtetem Isolator und den Mikrokanalplatten-Halterungen erhöhen die Kurzschlußsicherheit der Anordnung.

Description

nalplatten praktisch gleich der Dicke des verwendeten Isolators (z. B. Glimmer), so daß ein Abstand von 50 um erreicht wird.
F i g. 1 zeigt den zwischen den Mikrokanalplatten 1 angeordneten beidseitig leitend beschichteten Isolator s 8, der seitlich über die Kanalplatten-Halteningen 7 hinausragt
In F i g. 2 ist durch Schraffür die leitende Schicht 9 der Oberseite und 10 der Unterseite angedeutet Ferner sieht man die bis über die Halterungen 7 hinausragenff den Verlängerungen 11 und 12, die nur einseitig bep schichiet sind und eine Kontaktierungsmögüchkeit bie-SÜ ten.
ff; Die gezeigte Anordnung hat den großen Vorteil daß
Kz die sonst äußerst schwierige Ausrichtung von fünf Tel- f$ len (zwei Mikrokanalplatten, zwei metallische Leiter ^: und ein Isolator) durch die Ausrichtung von nur drei Il Teilen ersetzt und damit erleichtert wird. Der beidseitig ig leitend beschichtete Isolator ermöglicht das Anlegen ei- || ner Spannungsdifferenz zwischen den beiden Mikroka-P nalpiaiien, 30 daß die Elektroden in diesem Bereich fe nachbeschleunigt werden können und eine Verringe- |i rung der Diffusionsbreite erreicht werden kann.
Zur Vermeidung von Kurzschlüssen zwischen den U Halterungen der Mikrokanalplatten und dem beidseitig % leitend beschichteten Isolator kann dieser sandwichar- ίβ tig zwischen zwei Isolatorscheiben 13 (z. B. Glimmer) [| angeordnet sein, wie in Fig.3 gezeigt ist Der Innen-[: durchmesser s der Isolatorscheiben entspricht dem ti Durchmesser der Mikrokanalplatten 1, die nach der ;J Montage somit an dem beidseits leitend beschichteten K Isolator 8 anliegen.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
35
40
50
55
60

Claims (3)

1 2 piell bereits in der GB-PS11 26 088 angegeben, die dann Patentansprüche: eingespannt, verlötet oder verschweißt werden sollen. Detaillierte konstruktive Vorschläge, die eine bruchsi-
1. Mikrokanalplatten-Detektor mit hoher Ortsauf- chere Montage und sichere Isolation bei minimalem Ablösung mit zwei Mikrokanalplatten und einer dazu s stand ermöglichen, sind jedoch nicht enthalten.
eng benachbarten Widerstandsanode, deren Befesti- Nachfolgend wird die Erfindung mehr im einzelnen
gung and Kontaktierung aus der Ebene zurückver- anhand der Zeichnungen erläutert Es zeigt schematisch
setzt wird, in der die den Mikrokanalplatten züge- F i g. 1 einen Mikrokanalplatten-Detektor als A jsfüh-
wandte Oberfläche der Widerstandsanode mit ei- rungsbeispiel der Erfindung;
nem Abstand von kleiner als 150 um gegenüber den io F i g. 2 Vorderseite (a), Rückseite (b) und Querschnitt
Mikrokanalplatten liegt, gekennzeichnet (c) des Isolators 8 gemäß F ig.1;
durch einen Isolator (8) zwischen den beiden Mi- F i g. 3 Aufsicht und Querschnitt eines zusätzlich ab-
krokanaiplatten (1), der zwei nach unterschiedlichen geschirmten Isolators; und
Richtungen nach außen führende Verlängerungen Fig.4 schematisch die Anordnungen der wesentli-
(H, 12) aufweist und dessen Kontaktflächen mit den is chen Elemente eines Mikrokanalplatten-Detektors.
Mikrokanalplatten (1) je eine leitende Schicht (9,10) Die Wirkung eines Mikrokanalplatten-Detektors läßt
aufweisen, die sich über die eine bzw. die andere sich am einfachsten anhand von F i g. 4 erläutern: der
Verlängerung (11 bzw. 12) erstreckt auf die Mikrokanalplatten 1 auftreffende Elektronen-
2. Mikroks^alplatten-Detektor nach Anspruch 1, strahl der Breite b löst dort Sekundärelektronen aus, die dadurch gekömzeichnet, daß der Isokior (8) durch 20 vervielfacht mit der Breite b + 2V auf die Widerstandseine Glimmerschejbe mit einer Dicke von kleiner als anode 2 auftreffen, wobei /die Diffusionslänge bedeutet 50 um gebildet wird. Die Lokalisierung der Elektronen erfolgt nun durch
3. Mikrokanalplatten-Detektor nach Anspruch 1 Messung der elektrischen Ladungen an den beiden En- oder 2, gekennzeichnet durch je eine weitere Isola- den der Widerstandsplatte oder durch Messung der Antorscheibe (13) zwischen dem beschichteten Isolator 25 Stiegszeit der Elektronenimpulse an den Enden der Wi-(8) und Mikrokanalplattenhalterungen (7). derstandsplatte (J. LWiza, NucL Instr. and Meth,
VoL 162,1979, S. 587-601). Die Ortsauflösung wird da-
bei nun grundsätzlich durch die Verbreiterung des Elektronenstrahls von b auf (b + 21) zwischen den beiden 30 Mikrokanalplatten und zwischen der Mikrokanalplatte
Die Erfindung bezieht sich auf einen Mikrokanalplat- und der Widerstandsanode bestimmt
ten-Detektor mit hoher drtsau&osung gemäß dem Theoretische Abschätzungen zeigen, daß durch die
Oberbegriff des Anspruchs 1. Verkleinerung der Abstände zwischen den Mikrokanal-
Ein solcher Detektor ist, abgesehc. davon, daß es sich platten sowie zwischen der Mikrokanalplatte und der
bei der Anode um keine Widerstandsanode, sondern um 35 Widerstandsanode bei simultaner Nachbeschleunigung
ein Anoden-Array handelt auch der US-PS 40 86 486 der Elektronen in diesen Bereichen eine Verbesserung
bekannt der Ortsauflösung erreicht werden kann (J. L Wiza.
Mikrokanalplatten-Detektoren werden in der Elek- Rev. Sei. Instr, Vol. 48,1977,1217,121?.).
tronenspektroskopie, Massenspektroskopie, Kernphy- Bei dem in F i g. 1 gezeigten Detektor wird daher ein sik, Ionenstreuspektroskopie usw. zur Bestimmung des 40 beidseitig leitend beschichteter Isolator 8 zwischen den Ortes, an dem Teilchen oder Photonen auf eine Mikro- Mikrokanalplatten 1 vorgesehen. Mit einem solchen kanalplatte auftreffen, benutzt Die Verwendung von beidseitig leitend beschichteten Isolator, der z. B. aus ortsauflösenden Mikrokanalplatten-Detektoren erhöht Glimmer besteht kann der Abstand zwischen den Midie Meßempfindlichkeit in den genannten Spektrosko- krokanalplatten auf etwa 50 μπι begrenzt werden,
pien um einige Größenordnungen (D. P. de Bruijin u. a, 45 Gemäß F i g. 1 ist eine Profilwiderstandsplatte 3 in Rev.Sci. Instrum. VoL53,H. 7,1982,S. 1020—1026). einer Halterung 4 mit Hilfe von Stiften 5 befestigt, die
Das Ortsauflösungsvermögen solcher Mikrokanal- den Abgriff der Meßsignale ermöglichen. Ein Isolator 6 platten-Detektoren hängt empfindlich von der Präzision ist zwischen der Halterung 4 der Widerstandsplatte 3 der Montage und dem Abstand der einzelnen Bauteile und der Halterung 7 der Mikrokanalplatten vorgesehen, untereinander ab, der möglichst gering sein soll. Mit 50 der durch einen Glimmerring von 50 μΐη Dicke gebildet üblichen Detektoren wird dabei eine Auflösung von werden kann. Der Isolator gestattet die Nachbeschleunigt mehr als 200 μπι erreicht die in manchen Fällen, nigung der Elektronen zwischen Mikrokanalplatte und wie z. B. in der Elektronen-Energie-Verlust-Spektro- Widerstandsanode, wie in F i g. 4 angedeutet
skopie, unbefriedigend ist Zur Erzielung von hohen Ortsauflösungen wird bis-
Ferner sind die Mikrokanalplatten selbst sehr teuer 55 lang bekanntermaßen zwischen den Mikrokanalplatten
und bruchanfällig, was erhebliche Montageprobleme eine Kombination von metallischem Leiter, Isolator und
aufgibt. metallischem Leiter verwendet Auf diese Weise können
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ei- der Ausgang der ersten Mikrokanalplalte und der Ein-
nen Mikrokanalplatten-Detektor der eingangs genann- gang der zweiten Mikrokanalplatte elektrisch voneinan-
ten Art anzugeben, der eine mögliehst hohe Ortsauflö- 60 der getrennt und die Elektronen in diesem Bereich nach·
sung aufweist und dessen Montage bei verringerter beschleunigt werden, was zur Verminderung der Diffu-
Bruchgefahr der Mikrokanalplatten erleichtert ist. sionsbreite beiträgt. Der Abstand zwischen den beiden
Diese Aufgabe wird durch den kennzeichnenden Teil Mikrokanalplatten ist gleich der Summe aus der Dicke
des Anspruchs 1 gelöst. der beiden metallischen Leiter und der Dicke des Isola-
Besondere Ausführungsformen gehen aus den Unter- 65 tors und ßblicherweise größer als 150 μπι. Wird nun
ansprüchen hervor. diese dreiteilige Anordnung durch einen beidseitig lci-
Die Anordnung von leitenden oder isolierenden Ab- tend beschichteten Isolator 8, wie in Fig. 1 und 2 ge-
standhaltern zwischen Kanalplatten wird zwar prinzi- zeigt, ersetzt, so ist der Abstand zwischen den Mikroka-
DE19833336780 1983-10-10 1983-10-10 Mikrokanalplatten-Detektor mit hoher Ortsauflösung Expired DE3336780C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19833336780 DE3336780C2 (de) 1983-10-10 1983-10-10 Mikrokanalplatten-Detektor mit hoher Ortsauflösung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19833336780 DE3336780C2 (de) 1983-10-10 1983-10-10 Mikrokanalplatten-Detektor mit hoher Ortsauflösung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3336780A1 DE3336780A1 (de) 1985-05-02
DE3336780C2 true DE3336780C2 (de) 1986-01-02

Family

ID=6211431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19833336780 Expired DE3336780C2 (de) 1983-10-10 1983-10-10 Mikrokanalplatten-Detektor mit hoher Ortsauflösung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3336780C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3644820A1 (de) * 1986-12-31 1988-11-03 Gyulai Maria Dobosne Anordnung und verfahren zur erfassung von teilchen

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE514471C2 (sv) * 1999-04-30 2001-02-26 Xcounter Ab Röntgendetektorenhet med omvandlare av fast typ
CN105044764B (zh) * 2015-08-31 2017-11-10 中广核达胜加速器技术有限公司 一种电子加速器束流动态采集装置
CN108364846B (zh) * 2018-01-30 2024-03-29 中国科学技术大学 一种微通道板装夹装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3374380A (en) * 1965-11-10 1968-03-19 Bendix Corp Apparatus for suppression of ion feedback in electron multipliers
US4086486A (en) * 1976-06-08 1978-04-25 Richard Lee Bybee One dimensional photon-counting detector array

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3644820A1 (de) * 1986-12-31 1988-11-03 Gyulai Maria Dobosne Anordnung und verfahren zur erfassung von teilchen

Also Published As

Publication number Publication date
DE3336780A1 (de) 1985-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2806858C2 (de)
EP1468309B1 (de) Detektor zur erfassung von teilchenstrahlen und verfahren zur herstellung desselben
DE2824995A1 (de) Mehrzelliger roentgenstrahlendetektor
DE2553625A1 (de) Elektronenstrahlkanone
DE19727483A1 (de) Röntgenstrahl-CT-Festkörperdetektor
DE3248184C2 (de) Röngtenstrahlungsdetektor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3720161A1 (de) Mikrokanalplattenionendetektor
DE2743053A1 (de) Roentgenstrahldetektor
DE3336780C2 (de) Mikrokanalplatten-Detektor mit hoher Ortsauflösung
DE3733114A1 (de) Strahlungsdetektor
DE2738918A1 (de) Ionisationskammer
EP0360906A1 (de) Röntgenbildverstärker
DE2202589A1 (de) Mehrpoliges Massenfilter
DE3311931C2 (de)
EP0545270A2 (de) Vielfachzähler zur Erfassung radioaktiver Strahlung
DE4342326C2 (de) Planarfilter für einen vielpoligen Steckverbinder
EP0002430A1 (de) Massenspektrometer
DE3543598C2 (de)
EP0195467B1 (de) Influenzsondenanordnung mit mehreren Influenzsonden
DE2642741C2 (de)
DE3248991T1 (de) Elektronenvervielfacher
DE8329180U1 (de) Mikrokanalplatten-Detektor mit hoher Ortsauflösung
DE3702696A1 (de) Verfahren zur elektronenstrahl-fuehrung mit energieselektion und elektronenspektrometer
DE4112407A1 (de) Heisskathoden-ionisationsmanometer
DE3328884C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee