DE3318106C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Verstärkerschaltung mit
hoher Eingangsimpedanz, insbesondere auf Trennverstärkerschaltungen
oder dergleichen.
Es gibt hinreichend bekannte Trennverstärkerschaltungen, die
entweder gemäß Fig. 1 der anliegenden Zeichnung als aus zwei
npn-Transistoren 1 und 2 bestehende Emitterfolger oder gemäß
Fig. 2 als aus einem Feldeffekttransistor 3 und zwei Widerständen
R1 und R2 gebildete Sourcefolger geschaltet sind. Da
bei derartigen Trennverstärkern zwangsläufig ein Teil des Eingangssignals
als Basisstrom oder über einen Vorspannungserzeugungswiderstand
abfließt, kann die Eingangsimpedanz der Schaltung
nicht beliebig erhöht werden.
Wenn eine so beschaffene Trennverstärkerschaltung in einer
Klemmschaltung, einer Sample/Hold-Schaltung (Abtast- und Halteschaltung)
oder in einem Treiber für eine kapazitive Last verwendet
wird, müssen wegen der nicht unbegrenzt zu erhöhenden
Eingangsimpedanz Verzerrungen der Signalwellenform in Kauf
genommen werden.
Eine in Fig. 3 dargestellte und auf den Seiten 748, 749 der
Ausgabe SC-16 vom 6. Dez. 1981 der Zeitschrift "IEEE Journal
of Solid-State Circuit" erläuterte andere Schaltung,
die ähnlich arbeitet wie eine im Zusammenhang mit einer Verstärkerschaltung
in GB 14 96 177 beschriebene Trennverstärkerschaltung, enthält
vier Transistoren 11 bis 14 mit jeweils hohen Stromverstärkungsfaktoren
hfe1 . . . hfe4. Unter der Bedingung hfe1 ≅ hfe2 ≅
hfe3 ≅ hfe4 fließen Basisströme iB1 ≅ iB2 in den Transistoren
11 und 12, und das bedeutet, daß diese Basisströme zur Steuerung
der Transistoren 11 und 12 nicht der Signalquelle entzogen
werden müssen. Ein an einer Eingangsklemme 10 der Schaltung
von Fig. 3 ankommendes Eingangssignal Vin geht an die
gemeinsame Basis des pnp-Transistors 11 und des npn-Transistors
12. Der Emitter des mit seinem Kollektor an Masse gelegten
pnp-Transistors 11 ist mit dem Kollektor eines zweiten
pnp-Transistors 14 verbunden. Der npn-Transistor 12 ist mit
seinem Emitter an eine Ausgangsklemme 18 sowie eine Konstantstromquelle
15 angeschlossen, und sein Kollektor ist mit dem
Emitter eines zweiten pnp-Transistors 13 verbunden. Auch dieses
zweite pnp/npn-Transistorpaar 14/13 hat eine gemeinsame Basis.
Der Emitter von Transistor 14 und der Kollektor von Transistor
13 liegen gemeinsam an einem Stromanschluß 17.
Aus den Basisströmen iB1 . . . iB4 und den Stromverstärkungsfaktoren
hfe1 . . . hfe4 ergeben sich die Kollektorströme I₁
bis I₄ der einzelnen Transistoren 11 bis 14:
I₁ = hfe1 · iB1; I₂ = hfe2 · iB2
I₃ = hfe3 · iB3; I₄ = hfe4 · iB4
I₃ = hfe3 · iB3; I₄ = hfe4 · iB4
In dem mit der den Strom I abgebenden Konstantstromquelle 15
verbundenen npn-Transistor 12 fließt ein Basisstrom
In dem mit Transistor 12 verbundenen zweiten npn-Transistor 13
fließt ein Basisstrom
Da die Transistoren 14 und 13 eine gemeinsame Basis haben,
fließt im zweiten pnp-Transistor 14 der gleiche Basisstrom wie
im zweiten npn-Transistor 13, nämlich
Der Transistor 14 liefert somit einen Kollektorstrom
Im ersten pnp-Transistor 11 fließt ein Basisstrom
Die Transistoren 11 bis 14 können in dasselbe Substrat integriert
sein und haben dann gleiche Operationswerte und gleiche
Stromverstärkungsfaktoren hfe(hfe<1). In diesem Fall hat
der erste pnp-Transistor 11 einen Basisstrom
Das bedeutet, beide Transistoren 11 und 12 haben im wesentlichen
gleiche Basisstromwerte. Damit hätte die Schaltung in
Fig. 3 zwar theoretisch eine unendlich große Eingangsimpedanz
Zin, die in der Praxis aber durch die zur Vorspannungserzeugung
für die Transistoren 11 und 12 notwendigen Widerstände
R1 und R2 wieder verkleinert wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine bessere Verstärkerschaltung
mit erhöhter Eingangsimpedanz zu schaffen.
Die erfindungsgemäße Lösung der gestellten Aufgabe ist kurz
gefaßt im Patentanspruch 1 angegeben.
Vorteilhafte Weiterbildungen des Erfindungsgedankens sind in
Unteransprüchen gekennzeichnet.
Der Grundgedanke der Erfindung geht dahin, jeweils die ersten
und die zweiten Eingänge zweier Differenzverstärker, von denen
der eine ein npn-Transistorpaar und der andere ein pnp-Transistorpaar
umfaßt, miteinander zu verbinden und die so verbundenen
ersten Eingänge an einen Eingangsanschluß für ein gleichspannungsfreies
Signal und die miteinander verbundenen zweiten
Eingänge an eine Gleichstrom-Vorspannungsquelle anzuschließen.
Erfindungsgemäß ist eine höhere Eingangsimpedanz als bisher
erzielbar, weil diese nicht durch eine Widerstände enthaltende
Vorspannungserzeugungsschaltung beeinträchtigt wird.
Teilweise baut die Erfindung auf den Grundlagen der Schaltung
von Fig. 3 auf.
Die Erfindung und vorteilhafte Einzelheiten werden nachstehend
unter Bezug auf eine Zeichnung in beispielsweiser Ausführungsform
näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1, 2 und 3 die eingangs erläuterten herkömmlichen Verstärkerschaltungen,
Fig. 4 und 5 schematische Schaltbilder erfindungsgemäßer
Verstärkerschaltungen,
Fig. 6 ein Signaldiagramm zu Fig. 5 und
Fig. 7 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung in
Form eines Schaltbildes.
Das in Fig. 4 dargestellte Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen
Verstärkerschaltung enthält zwei aus je einem pnp- und
npn-Transistor zusammengestellte Transistorpaare 21A, 22A und
21B, 22B. Ein Eingangssignal Vin von einer Eingangsklemme 20
geht an die gemeinsame Basis des ersten Transistorpaares 21A,
22A. Die gemeinsame Basis des zweiten Transistorpaares 21B,
22B ist an eine Vorspannungsquelle 26 angeschlossen. Die beiden
pnp-Transistoren 21A und 21B sind mit dem Kollektor an Masse
und mit ihrem Emitter gemeinsam an den Kollektor eines pnp-
Transistors 24 angeschlossen, dessen Emitter an einem Stromversorgungsanschluß
mit +Vcc liegt und dessen Basis mit der
Basis eines npn-Transistors 23 verbunden ist, welcher seinerseits
mit dem Kollektor an den Versorgungsanschluß +Vcc und mit
seinem Emitter an den Kollektor eines vierten npn-Transistors
29B, der mit einem fünften npn-Transistor 29A eine mit dem
Verknüpfungspunkt zwischen zwei Widerständen R1, R2 verbundene
gemeinsame Basis hat, angeschlossen ist. Die Widerstände R1
und R2 liegen in Reihe zwischen +Vcc und Masse. Die Emitter
der npn-Transistoren 22A und 22B sind gemeinsam mit dem Kollektor
von Transistor 29A, und die Emitter der Transistoren
29B und 29A über je einen Widerstand R3 bzw. R4 an Masse gelegt.
Ferner gib es einen vierten pnp-Transistor 27 mit an
seinen Kollektor angeschlosener Basis, der somit wie eine
Diode arbeitet und über diese kurzgeschlossenen Anschlüsse mit
dem Kollektor von Transistor 22A sowie der Basis eines fünften
pnp-Transistors 28 verbunden ist, dessen Emitter an der Stromversorgung
+Vcc und dessen Kollektor gemeinsam mit dem von
Transistor 22B an einem Ausgangsanschluß Vout liegt.
Die Transistoren 29A, 29B und die Widerstände R1 bis R4 bilden
eine Stromspiegelschaltung, die Kollektorströme beider Transistoren
haben den gleichen Wert I. Durch den Kollektorstrom I
von Transistor 29a wird ein durch die Transistoren 22A und 22B
gebildeter Differenzverstärker getrieben.
Ein im Betrieb durch Transistor 29B fließender Strom I fließt
auch durch den Transistor 23 und veranlaßt ferner einen Stromfluß
I durch den Transistor 24. Der eine Vorspannung von der
Quelle 26 beziehende Transistor 21B ist durchgeschaltet und
leitet einen von Transistor 24 kommenden Kollektorstrom. Die
Basisvorspannung des Transistors 21A, die als Differenzwert
den Transistor 21B beaufschlagt, liegt nicht fest. Folglich
führt der Transistor 21A keinen Strom, er ist "gesperrt".
Das heißt, für das als Differenzverstärker geschaltete Transistorpaar
21A, 21B gilt bezüglich ihrer Basisspannungen VB
≧ (1)
Bei dem anderen als Differenzverstärker geschalteten Transistorpaar
22A, 22B bekommt der Transistor 22B seine Basisvorspannung
von der Quelle 26, ist somit durchgeschaltet, und
sein Emitterstrom wird in die Stromquelle für den Transistor
29A abgeleitet. Da der Transistor 22A gesperrt ist, gilt für
die Basisspannungen VB der Transistoren 22A und 22B
≦ (2)
Da = und = ist, müssen zur Erfüllung
der Gleichungen (1) und (2) die Basisspannungen von Transistor
21A und 22A gleich den Basisspannungen von Transistor
21B und 22B sein, so daß die Vorspannungsquelle 26 hat. Der
Transistor 21A ist folglich durchgeschaltet und führt den
gleichen Kollektorstrom I/2 wie der Transistor 21B und auch
der Transistor 22A.
Wegen der Identität der Basisströme von Transistor 22A und 21A
ist der Wert des Basisstroms in bezug auf die Eingangsklemme 20
annähernd "null" und die Schaltung hat folglich eine hohe Eingangsimpedanz.
Dies ist ein Beispiel für eine Schaltung mit
hoher Eingangsimpedanz, die keinerlei Vorspannungserzeugungswiderstand
hat.
Bei der in Fig. 5 dargestellten erfindungsgemäßen Verstärkerschaltung
mit hoher Eingangsimpedanz sind Fig. 4 entsprechende
Einzelheiten mit den gleichen Bezugszahlen versehen. In Fig. 5
erhalten die Transistoren 22B und 21B ihre Basisspannung von
dem Punkt D einer aus Widerständen R1,R2, R5 und einer Diode
D1 bestehenden Serienschaltung, und die Basisspannung für die
Transistoren 21A, 22A wird wie bei Fig. 4 erzeugt. Die Transistoren
29A, 29B sind mit der Anode der Diode 1 als Stromquelle
verbunden. Ferner bilden Transistoren 30A, 31A und 32A
eine, und Transistoren 30B, 31B und 32B eine andere Stromquelle.
Ohne Eingangssignal an Klemme 20 führen die Transistoren 29B
und 24 jeweils einen Kollektorstrom I₁ und die Transistoren
21A und 21B je einen Kollektorstrom I₂ bzw. I₃ (I₂ = I₃). Die
Stromquelle, welche durch die Transistoren 30A, 31A und 32A gebildet
ist, wird durch den Kollektorstrom I₂ von Transistor 21A
getrieben, wobei der Strom I₂ durch Transistor 30A fließt und
die Transistoren 27A und 28A treibt, während durch die Transistoren
31A und 32A ein Strom I′₂ fließt. Ähnlich wird Transistor
30B von Strom I₃, aber die Transistoren 31B und 32B von einem
Strom I′₃ durchflossen. An den Verbindungspunkt zwischen zwei
Serien-Widerständen R6 und R7, die zwischen den Kollektoren
von 30A und 30B liegen, ist eine Vorspannungsquelle VR angeschlossen.
Da I₂ ≒ I′₂ und I₃ ≒ I′₃ ist, fließt kein Strom
durch R6 und R7, so daß der Ausgangsanschluß dieser Schaltung,
das heißt die Kollektoranschlußpunkte B und C der Transistoren
30A und 30B durch die Vorspannungsquelle VR auf deren
Potential gehalten werden.
Wenn der Eingangsklemme 20 der Schaltung von Fig. 5 von einem
Generator Ge über einen Kondensator C ein Pulssignal (s. Fig. 6)
zugeführt wird, dann kommt es an der Basis der Transistoren 21A,
22A zu einer Spannungsänderung, das vorher vorhandene Spannungsgleichgewicht
an den Punkten B und C wird aufgehoben, und
beide Transistoren 21A und 22A sperren. Bei gesperrtem Transistor
21A fließt kein Strom I₂, und die aus den Transistoren
30A, 31A, 32A gebildete Stromquelle ist gesperrt, während die
andere Stromquelle an den Transistoren 30B, 31B und 32B durch
den eingeschalteten Transistor 21B in Betrieb gehalten wird.
Der Transistor 22A ist "EIN" und Transistor 22B im Zustand
"AUS", so daß die Transistoren 27A und 28B durchgeschaltet,
aber die Transistoren 27B und 28B gesperrt sind. Der Kollektorstrom
I′₂ von 28A fließt über R6 und R7 in die Transistoren
30B und 31B. Unter den erläuterten Stromflußbedingungen steigt
das Potential an Punkt B zum Zeitpunkt t₁ auf I₂R6+VR an
(B in Fig. 6), während gleichzeitig das Potential an Punkt C
auf VR-I₂R7 (C in Fig. 6) fällt. In bezug auf die Eingangsklemme
ist, wenn nur der eine Transistor 22A durchgeschaltet
und 21A gesperrt ist, die Eingangsimpedanz geringer als wenn
beide Transistoren 21A und 22A durchgeschaltet sind, weil der
Basisstrom des leitenden Transistors 22A, dessen Quelle die
im Kondensator C angesammelte Ladung ist, nicht vollständig
an die Klemme 20 gelangt, so daß nach einer festen Basisstrom-
Flußzeit (von Zeitpunkt t₁ bis Zeitpunkt t₂ in Fig. 6) das
Potential der Klemme dem Potential an Punkt D gleich wird.
Dieser Zustand entspricht dem oben erwähnten eingangssignalfreien
Zustand. Während der Annäherungszeit des Potentials der
Eingangsklemme 20 an das von Punkt D werden mit steigendem
Kolllektorstrom von Transistor 21A schließlich die Transistoren
30A und 31A durchgeschaltet, leiten Strom, reduzieren den Stromfluß
durch die Widerstände R6 und R7 und bewirken (zwischen t₁
und t₂ in Fig. 6) eine Potentialangleichung der Punkte B und C
ab- bzw. aufwärts an die Spannung der Quelle VR. Im Zeitraum
von t₂ bis t₃ herrscht wieder der gleiche Zustand wie zu Beginn,
und zur Zeit t₃ fällt die Klemmenspannung an 20 wieder ab,
die Transistoren 22A und 21B sperren und schalten den Anschluß
28A ab. Da jetzt Transistor 21A leitet, arbeitet die aus den
Transistoren 30A, 31A und 32A bestehende Stromquelle, während
die aus den Transistoren 30B, 31B und 32B bestehende Stromquelle
abgeschaltet ist. Während dieser Vorgänge fließt der
Kollektorstrom I₃ von Transistor 27B durch R7 und R8 in die
Transistoren 30A und 31A. Die Potentiale an den Punkten B und C
betragen jetzt, d. h. zur Zeit t₃, VR-I₃R6 und VR-I₃R7, siehe
Kurve B und C in Fig. 6.
Die erläuterte Schaltung gestattet unter Vergleich des Spannungsverlaufs
am Punkt B in einem geeigneten Komparator die
Erzeugung eines mit der Wellenform A in Fig. 6 synchronen Signals
und kann folglich als Pulsdetektorschaltung verwendet
werden.
Bei dem in Fig. 7 dargestellten Ausführungsbeispiel der Erfindung
sind die in Fig. 4 vorhandenen Transistoren 27 und 28
jeweils durch einen Widerstand RL1 bzw. RL2 ersetzt. Von der
Eingangsklemme am Kondensator C aus betrachtet wird die Eingangsimpedanz
des Verstärkers von Fig. 7 durch zwei parallele
Emitterfolgerschaltungen bestimmt, von denen jede aus einer
Serienschaltung eines Transistors und zwei Widerständen, nämlich
22A, RgN1 und RgN2 bzw. 21A, RgP1 und RgP2, besteht.
Für die erwähnte Eingangsimpedanz Zin gilt
Wenn RgN1 = RgN2 = RgN und RgP1 = RgP2 = RgN sind, dann
ist
Folglich ist
Das heißt, die erfindungsgemäße Schaltung nach Fig. 7 hat gegenüber
der die Widerstände RgN und RgP zur Vorspannungserzeugung
aufweisenden herkömmlichen Schaltung von Fig. 3 eine
hfe-mal größere Eingangsimpedanz, ist für Sinus-Betrieb geeignet
und kann bis in den Bereich von f₁ ≧ verstärken.
Darin ist mit C₁ die Kapazität des Kondensators C
sowie mit f₁ die Frequenz bezeichnet.
Claims (3)
1. Verstärkerschaltung hoher Eingangsimpedanz, mit
- - einem als erster Differenzverstärker geschaltetes NPN-Transistorpaar (22A, 22B) mit einem ersten und einem zweiten Eingangsanschluß,
- - einem als zweiten Differenzverstärker geschalteten PNP-Transistorpaar (21A, 21B) mit einem ersten und einem zweiten Eingangsanschluß,
- - einer direkten jeweiligen Verbindung zwischen den ersten Eingangsanschlüssen beider Differenzverstärker einerseits und den zweiten Eingangsanschlüssen der beiden Differenzverstärker andererseits, und mit
- - einem an die miteinander verbundenen ersten Eingangsanschlüsse der Differenzverstärker angeschlossenen Signaleingangsanschluß (20) zur Zuführung eines gleichspannungsfreien Signals für die beiden Differenzverstärker,
gekennzeichnet durch
- - eine erste Treiber-Stromquelle (27, 28, 23, 29A, 29B) für den ersten Differenzverstärker (22A, 22B) und eine zweite Treiber-Stromquelle (24) für den zweiten Differenzverstärker (21A, 21B), und durch
- - eine an die miteinander verbundenen zweiten Eingangsanschlüsse der Differenzverstärker angeschlossene Gleichstrom-Vorspannungsquelle (26; R1, R2, D1, R5) zur Vorspannungserzeugung für die Differenzverstärker.
2. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß eine erste und eine zweite Treiber-Stromquelle Ströme jeweils gleicher
Größe (I) für den ersten bzw. zweiten Differenzverstärker festlegen.
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