DE3309651A1 - Verfahren zum herstellen eines photoempfindlichen teils - Google Patents

Verfahren zum herstellen eines photoempfindlichen teils

Info

Publication number
DE3309651A1
DE3309651A1 DE19833309651 DE3309651A DE3309651A1 DE 3309651 A1 DE3309651 A1 DE 3309651A1 DE 19833309651 DE19833309651 DE 19833309651 DE 3309651 A DE3309651 A DE 3309651A DE 3309651 A1 DE3309651 A1 DE 3309651A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
gas
reaction
support
reaction chamber
photoconductive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19833309651
Other languages
English (en)
Other versions
DE3309651C2 (de
Inventor
Yukio Mishima Shizuoka Ide
Kohichi Numazu Shizuoka Ohshima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Publication of DE3309651A1 publication Critical patent/DE3309651A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3309651C2 publication Critical patent/DE3309651C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08214—Silicon-based
    • G03G5/08278—Depositing methods
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic System
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Description

Anwaltsakte: 3 2 711
Beschreibung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines photoempfindlichen Teils nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, und betrifft insbesondere ein Verfahren zum Herstellen eines photoempfindlichen Teils auf der Basis einer mit nie-• drigem Druck arbeitenden, chemischen Gasphasen Abscheidungstechnologie.
Bei einem elektrophotographischen Kopierverfahren wird ein photoempfindliches Teil als ein Bildträger verwendet, auf welchem ein elektrostatisches, latentes Bild erzeugt wird, welches dann in ein sichtbares Tonerbild entwickelt wird. Ein derartiges photoempfindliches Teil weist üblicherweise einen elektrisch leitenden Träger und eine auf diesem ausgebildete, photoleitfähige Schicht aus einem Material mit photoleitfähigen Eigenschaften auf. In jüngster Zeit ist amorphem Silizium (a-Si), das eine hohe Härte und eine ausgezeichnete Haltbarkeit aufweist, als Material zum Ausbilden der photoleitfähigen Schicht eines photoempfindlichen Teils große Aufmerksamkeit geschenkt worden, und es sind Untersuchungen bezüglich einer möglichen Verwendung dieses Material bei elektrophotographi- chen Kopiergeräten durchgeführt worden, da im Unterschied zu der Verwendung von Arsen (As) als einem photoleitfähigen Material die Möglichkeit einer Erzeugung von Verunreinigungen beim Herstellen von photoempfindlichen Teilen entfällt.
Um eine Schicht aus amorphem Silizium auf einem elektrisch leitenden Träger auszubilden, ist eine Kombination aus einer Abscheidung aus der Gasphase und einer Entladung (das sogenannte PECVD-Verfahren^ beispielsweise das Glimmentladungsverfahren, angewendet worden. Wenn jedoch das sogenannte PECVD-Verfahren angewendet wird, ist es äußerst schwierig, eine Glimmentladung mit hoher Wiederholbarkeit und Stabilität zu schaffen. Aus diesem Grund ist man bei der*
Anwendung auf verschiedene Nachteile gestoßen, wie beispielsweise eine niedrige Reproduzierbarkeit bezüglich der Eigenschaften einer sich ergebenden dünnen Schicht oder Auflage,die Notwendigkeit, das Substrat auf einer hohen Temperatur zu halten, die von 200 bis 4000C reicht, um die gewünschten Eigenschaften zu erhalten, die Wahrscheinlichkeit, daß Schäden an der Oberfläche des Substrats durch Plasma hervorgerufen werden, eine extrem niedrige Wachstumsrate, und das Fehlen einer zufriedenstellenden Gleichförmigkeit in der sich ergebenden dünnen Schicht oder Auflage, da die Schichtausbildung empfindlich bezüglich einer Elektronentemperatur-Verteilung, einer Elektronen-Dichteverteilung, einer Gaskonzentrationsverteilung usw. von Plasma ist.
Die Nachteile der herkömmlichen Einrichtung sollen überwunden werden, und gemäß der Erfindung soll ein Verfahren zum Herstellen eines photoempfindlichen Teils verbessert werden. Gemäß der Erfindung soll eine photochemische Reak-.
tion mit Hilfe von ultraviolettem Licht verwendet werden; und es soll ein Verfahren zum Herstellen eines photoempfindlichen Teils geschaffen werden, mit welchem eine ausgezeichnete Qualität bei einer verhältnismäßig niedrigen Temperatur mit einer hohen Reproduzierbarkeit und Stabi- lität erreicht werden kann.
Gemäß der Erfindung werden bei dem Verfahren zum Herstellen eines photoempfindlichen Teils folgende Schritte durchgeführt: ein elektrisch leitender Träger wird in einer Reaktionskammer vorgesehen/ dann wird eine Reaktion bewirkendes Gas, das vorbestimmte Bestandteile enthält, um eine photoleitfähige Schicht auf dem Träger auszubilden, in die Reaktionskammer geleitet, und wird mit ultraviolettem Licht bestrahlt,um die vorbestimmten Bestandteile zu aktivieren, während der Träger auf einer vorbestimmten Temperatur gehalten wird, damit sich dann die vorbestimmten Bestand-
teile auf dem Träger abscheiden. In der bevorzugten Ausführungsform ist Siliziumwasserstoff, insbesondere SiH.,in dem reagierenden Gas enthalten, um so zumindest einen Teil der sich ergebenden photoleitfähigen Schicht durch amorphes Silizium zu bilden.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführung sformen unter Bezugnahme auf die anliegenden Zeichnungen im einzelnen erläutert. Es zeigen: 10
Fig. 1 eine schematische Darstellung der prinzipiellen Reaktion gemäß der Erfindung, und
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform einer Einrichtung zur Durchführung
des Verfahrens.
In Fig. 1 ist die prinzipielle Reaktion dargestellt, um gemäß der Erfindung eine Schicht aus amorphem Silizium zu erzeugen. Zuerst wird ein elektrisch leitender Träger oder ein Substrat 1 in einer (in Fig. 1 nicht dargestellten) Reaktionskammer vorgesehen, welche eine Zuführung mehrerer Gasarten zuläßt. Als Reaktionsgas wird dann ein Gas, das Siliziumwasserstoff, insbesondere SiH. enthält, in die Nähe der Oberfläche des Substrats 1 eingeleitet, und gleichzeitig wird Quecksilber-(Hg-)Dampf hinzugefügt um die photochemische Reaktion zu fördern. Dann wird das sich in der Nähe der Oberfläche des Substrats 1 befindende Reaktionsgas mit ultraviolettem Licht mit einer Frequenz Ψ bestrahlt. Der Hg-Dampf wird dann photoangeregt, was in der folgenden Gleichung (1) ausgedrückt ist.
Hg + hV -> Hg* (1)
wobei Hg* photoangeregte Hg-Atome sind.
Das auf diese Weise photoangeregte Hg* und das SiH. in dem
Reaktionsgas reagieren miteinander, wie in den folgenden Ausdrücken (2) angezeigt ist, um aktivierte Siliziumwasserstoff-Moleküle in der Nähe der Oberfläche des Substrats 1 zu erzeugen.
Hg* + SiH4 -> -SiH3 + Ή +'Hg (2a)
Hg* + SiH4-^ 'SiH + "H + H2 + Hg (2b)
wobei "SiH-, 'SiH und "H aktivierte Moleküle oder Atome von SiH3, SiH und H sind.
Das heißt, infolge einer Reaktion zwischen Hg* und SiH. werden aktivierte Moleküle oder Atome, wie "SiH-,"SiH und "H in der Nähe der Oberfläche des Substrats 1 erzeugt.
Folglich setzen sich die aktivierten Moleküle, wie "SiH und "SiH an der Oberfläche des Substrats 1 ab, wodurch eine Schicht aus amorphem Silizium an der Oberfläche des Substrats 1 ausgebildet wird. Obwohl der Hg-Dampf als reaktionsforderndes Mittel verwendet wird, reagieren das SiH.-Gas und ultraviolettes Licht photochemisch miteinander, um eine Schicht aus amorphem Silizium auf der Oberfläche des Substrats 1 auszubilden.
In Fig. 2, in welcher ein Beispiel einer Einrichtung zum Durchführen des erfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt ist, ist ein zylindrisches Reaktionsrohr 2 aus Quarz in einer entsprechenden Stellung gehalten, wobei beide Endöffnungen durch Endplatten 3a, 3b wie dargestellt, verschlossen sind. In dem Reaktionsrohr 2 ist ein zylindrischer Träger 4 aus Aluminium vorgesehen, welcher letztendlich einen elektrisch leitenden Träger eines sich ergebenden photoempfindlichen Teils bildet, und welcher an einem Ende an einer Welle 5 angebracht ist, welche abgedichtet durch die Endplatte 3b vorsteht und drehbar gehaltert ist. Das entfernte Ende der Welle 5 ist fest mit der Antriebswelle eines Motors 6 verbunden. Wenn somit der Motor 6 angetrieben wird und sich dreht, dreht sich auch der zylin-
-7-
arische Träger 4 um seine Mittenachse, wie durch einen Pfeil angezeigt ist. In dem Reaktionsrohr 2 ist auch ein Gaseinleitungsrohr 7 vorgesehen, welches über dem zylindrischen Träger 4 und in einem Abstand von diesem angeordnet ist und welches im allgemeinen parallel zu dem zylindrischen Träger 4 verläuft.
Das Gaseinleitungsrohr 7 ist durch die Endplatte 3b gehalten, und ist über eine Rohrleitung 7a,mit einer Gruppe 9 von Gasquellen verbunden. Die Gasquellen 9a, 9b, 9c und 9d weisen Freon-(CF.-)Gas , Wasserstoff-(H2-)Gas, Stickstoff-(N0-)Gas bzw. SiH.-Gas auf. Obwohl es im einzelnen nicht
£ ft
dargestellt ist, sind selbstverständlich Ventile und Strömungssteuereinrichtungen vorgesehen, so daß ein gewünschtes Gas oder ein Gasgemisch dem Reaktionsrohr 2 mit einer gewünschten Strömungsgeschwindigkeit zugeführt werden kann. Ferner ist Quecksilber 8 im Innern des Rohr 2 angeordnet, das in einem entsprechenden Behälter aufbewahrt ist.
Eine weitere Rohrleitung 10 erstreckt sich dicht durch die andere Endplatte 3a und das andere Ende der Rohrleitung 10 ist über eine Kühlfalle 11 fluiddynamisch mit einer Vakuumpumpe 12, wie beispielsweise einer Drehkolbenpumpe, verbunden. Eine Induktionswicklung 19 ist auf dem Rohr 2 an der Stelle angebracht und vorgesehen, die näher bei der Endplatte 3a liegt, und die Induktiör.swicklung 19 ist mit einem Hochfrequenzoszillator 18 elektrisch verbunden.
An einer Stelle oberhalb und getrennt von dem Reaktionsrohr 2 ist eine Lichtquelle 13 angeordnet, von welcher aus der zylindrische Träger 4 im Innern des Reaktionsrohrs 2 mit ultraviolettem Licht bestrahlt wird. Die Lichtquelle 13 verläuft im allgemeinen parallel zu dem Reaktionsrohr 2; beispielsweise kann für diesen Zweck eine Niederdruck Quecksilberlampe von 500Watt verwendet werden, welche ultraviolettes Licht mit der Hauptwellenlänge von 253,7nm abgibt, über der Lichtquelle 13 ist ein reflektierender
-δ-Spiegel 14 angeordnet, welcher das von der Lichtquelle abgegebene Licht auf die Oberfläche des zylindrischen Trägers 4 richtet.
Unter dem Reaktionsrohr 2 ist ein Infrarotheizer 17 angeordnet. Ein Thermoelement 15 liegt mit einem Fühlende an einer entsprechenden Stelle des zylindrischen Trägers 4 an. Das andere Ende des Thermoelements 15 ist mit einer Temperatur-Steuereinrichtung 16 verbunden, welche auch mit dem Heizer 17 verbunden ist. Entsprechend der mittels des Thermoelements 15 festgestellten Temperatur des Trägers 4 steuert somit die Temperatur-Steuereinrichtung 16 die Betriebsbedingung des Infrarotheizers 17, um so die Temperatur des Trägers 4 auf einem bestimmten Pegel zu halten.
Wenn ein photoempfindliches Teil mit Hilfe einer Einrichtung, wie sie in Fig. 2 dargestellt ist, hergestellt werden soll, werden zuerst die Endplatten 3a und/oder 3b von dem Reaktionsrohr 2 abgenommen. Dann wird ein Behälter, der eine (bestimmte) Menge Quecksilber 8 enthält, im Innern des Rohrs 2 angeordnet. Nachdem der elektrisch leitende, zylindrische Träger 4 an der Tragwelle 5 angebracht und das Thermoelement 15 an dem Träger 4 anliegend gehaltert ist, werden die abgenommene(n) Endplatte oder -platten dicht an dem Rohr 2 angebracht. Dann wird das Innere des Reaktionsrohrs 2 durch die Vakuumpumpe 12 evakuiert, um dadurch ein Vakuum von beispielsweise 10 Torr in dem Reaktionsrohr 2 auszubilden. Danach wird N„-Gas über die Rohrleitung 7a und das Gaseinleitungsrohr 7 von der Gasquelle 9c aus in das Reaktionsrohr 2 geleitet, wodurch das Reaktionsrohr 2 mit N_-Gas von beispielsweise 2 Torr gefüllt wird. Dann wird der zylindrische Träger 4 mittels des Motors 6 angetrieben und in Drehung gesetzt, während die Temperatur des Trägers 4 annähernd auf 1700C gehalten wird, indem er unter der Steuerung der Temperatursteuereinrichtung 16 durch den Infrarotheizer 17 entsprechend geheizt wird. Solange dann der zylindrische Träger 4 mit
ultraviolettem Licht mit einer Wellenlänge von beispielsweise 253,7 nm von der Lichtquelle 13 aus bestrahlt wird, wird ein Gasgemisch aus SiH4- und N_-Gase bei einem Volumen-Mischungsverhältnis von etwa 1 : 7,5 in das Reaktionsrohr geleitet, welche von den Gasquellen 9d und 9c aus zugeführt worden sind. Das N3-GaS wird mit dem SiH.-Gas als ein Verdünnungsgas vermischt.
Unter diesen Umständen sind dann in der Nähe des zylindrisehen Trägers 4 Hg-Dampf,der bei Niederdruckbedingungen von der Quecksilberquelle 8 aus verdampft worden ist, und SiH4-GaS vorhanden. Wenn dann die Gase mit dem ultravioletten Licht bestrahlt werden, finden chemische Reaktionen statt, wie sie durch die Ausdrücke (1) und (2) dargestellt sind, und folglich werden die aktivierten Si-Moleküle (*SiH, ".SiH3, usw. ) auf die Umfangsflache des zylindrischen Trägers 4 abgeschieden. Da während dieser Abscheidung sich der zylindrische Träger 4 ständig dreht, wird eine Schicht aus amorphem Silizium gleichförmig auf der Umfangsflache des zylindrischen Trägers 4 ausgebildet.
Dann werden das Einleiten von Reaktions- und Verdünnungsgasen, das Bestrahlen mit ultraviolettem Licht und das Infrarotheizen beendet. Nach dem Auseinanderbauen des Reaktionsrohrs 2 wird der leitende Träger 4, auf welchem nunmehr eine Schicht aus amorphem Silizium ausgebildet ist, aus dem Reaktionsrohr 2 herausgenommen. Das Reaktionsrohr 2 wird dann wieder zusammengebaut, und es wird CF--Gas in die Reaktionskammer 4 eingeleitet, das von der Gasquelle 9a aus zugeführt worden ist. Gleichzeitig wird der Hochfrequenzoszillator 18 in Betrieb genommen, um eine Hochfrequenz-Entladung in dem CF4-GaS zu bewirken, so daß das amorphe Silizium, das sich an der Innenfläche des Reaktionsrohrs 2 abgesetzt hat, einer Plasmaätzung unterzogen, und auf diese Weise die Innenfläche des Reaktionsrohrs 2 gereinigt wird.
Wenn, wie oben beschrieben ein photoempfindliches Teil
- 10 -
gemäß der Erfindung hergestellt worden ist, kann ein photoempfindliches Teil erhalten werden, welches gleichförmige Kenndaten und eine hohe Reproduzierbarkeit sowie eine hohe Stabilität aufweist. Um die Wirkungen der Erfindung zu überprüfen, ist ein photoempfindliches Teil unter den folgenden Bedingungen hergestellt worden.
Leitender Träger: Al-Trommel mit einem Außendurchmesser von 80mm und einer Länge von 300 mm; Lichtquelle: Niederdruck-Quecksilberlampe mit 500'W und
einer Hauptwellenlänge von 253,7nm; Reaktionsgas: SiH.-Gas mit einer Strömungsgeschwindigkeit
von 20ml/m;
Verdünnungsgas: N„-Gas mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 150ml/m; Drehzahl des Trägers 4: 10U/min
Temperatur des Trägers 4: 17O0C; Gasdruck im Innern des Reaktionsrohrs 2: 2 Torr
Unter den vorstehend angeführten Voraussetzungen wird eine Schicht aus amorphem Silizium in einer Dicke von 15 Mikronausgebildet, und es wurde festgestellt, daß die Qualität der auf diese Weise geschaffenen Schicht aus amorphem Silizium sich sehr als photoleitfähige Schicht eines photoempfindlichen Teils eignet, das in der Elektrophotographie zu verwenden ist. Darüber hinaus ist das vorstehend beschriebene Verfahren wiederholt durchgeführt worden, um eine Anzahl photoempfindlicher Teile herzustellen, und es hat sich herausgestellt, daß die auf diese Weise hergestellten, photoempfindlichen Teile gleichförmige Kenndaten aufweisen, was eine hohe Reproduzierbarkeit und Stabilität des erfindungsgemäßen Verfahrens anzeigt. Da die photochemische Reaktion ihrer Art nach insgesamt sanft ist, besteht keine Gefahr, daß die Oberfläche des Substrats oder Trägers angegriffen wird.
Wie vorstehend im einzelnen beschrieben, reagieren gemäß
- 11 -
-11-
der Erfindung das Reaktionsgas, das die Bestandteile enthält, um eine photoleitfähige Schicht auszubilden, durch eine Bestrahlung mit ultraviolettem Licht photochemisch, und die auf diese Weise aktivierten Bestandteile werden auf die Oberfläche eines photoleitfähigen Trägers abgeschieden, um dadurch ein photoempfindliches Teil zu schaffen. Somit besteht keine Notwendigkeit, eine Hochfrequenz-Impedanzanpassung vorzunehmen, um das Plasma zu stabili-. sieren und um Maßnahmen gegen eine Verschmutzung von Elek-
2Q troden zu ergreifen, wie es bei dem herkömmlichen chemischen Plasma-Gasphasen-Abscheidungsverfahren (dem sogenannten CVD-Verfahren) erforderlich ist. Ferner sind keine Feineinstellungen beim Zuführen von Gasen und beim Erzeugen von Plasma bei der Erfindung erforderlich, und zwar des-
^g wegen, da die Plasmaenergie-Dichteverteilung eine sehr weite Verteilung hat, während die Energiedichte der aktivierten Moleküle, die durch die photochemische Reaktion erzeugt worden sind, einen äußerst begrenzten Bereich hat, was wiederum zeigt, daß mit der Erfindung photo-
2Q empfindliche Teile mit gleichförmigen Kenndaten, einer hohen Reproduzierbarkeit und einer hohen Stabilität ohne weiteres hergestellt werden können. Ferner kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren das Substrat oder der Träger auf einer verhältnismäßig niedrigen Temperatur d.h. auf 2000C oder niedriger gehalten werden, und die Einrichtung zum Herstellen von photoempfindlichen Teilen ist im Aufbau ziemlich einfach,und folglich ist die Wahrscheinlichkeit, daß Störungen auftreten, auf ein Minimum herabgesetzt.
Im Rahmen der Erfindung sind jedoch auch noch verschiedene Abwandlungen möglich. Beispielsweise ist die Wellenlänge des ultravioletten Lichts, das bei der Erfindung anwendbar ist, nicht auf die eine, beschriebene Wellen-
gg länge beschränkt, und außer SiH.-Gas kann auch anderes Reaktionsgas verwendet werden. Folglich ist das erfindungsgemäße Verfahren auch beim Herstellen von photo-
- 12 -
1 empfindlichen Teilen mit photoleitfähigen Schichten anwendbar, die aus anderen Materialien als amorphem Silizium gebildet sind. Auch kann eine Lichtquelle verwendet werden, welche nicht nur ultraviolettes Licht, sondern
5 auch Infrarotlicht abgibt. Außerdem kann die Erfindung auch mit dem chemischen Plasma-Gasabscheidungsverfahren, dem sogenannten Piasma-CVD-Verfahren, kombiniert werden.
• Ende der Beschreibung 10

Claims (10)

  1. BERG STAPF ,SCHWABE SANDMAIR
    MÄlJfHKTRCHtHSTRASSt^S BOT)» MUWCHiTN 80
    Anwaltsakte: 32 711
    Ricoh Company, Ltd
    Tokyo /Japan ,
    Verfahren zum Herstellen eines photoempfindlichen
    Teils
    Patentansprüche
    T- Verfahren zum Herstellen eines photoempfindlichen Teils, das einen elektrisch leitenden Träger und eine auf dem Träger ausgebildete, photoleitfähige Schicht aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß der elektrisch leitende Träger (4) in einer Reaktionskammer (2) angeordnet wird;
    ein Reaktionsgas, das vorbestimmte Bestandteile zum Ausbilden der photoleitfähigen Schicht auf dem Träger (4) enthält, in die Reaktionskammer (2) eingeleitet wird,und das.. Reaktionsgas mit ultraviolettem Licht bestrahlt wird,um die vorbestimmten Bestandteile zu aktivieren, während der Träger (4) auf einer vorbestimmten Temperatur gehalten wird, damit sich die vorbestimmten Bestandteile auf dem Träger (4 ) abscheiden.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht zumindest teilweise amorphes Silizium aufweist.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichn et, daß das Reaktionsgas als einen Bestandteil Siliziumwasserstoff enthält.
    / VII/XX7Ktz " - 2 -
    a· (089) 9882 72-74 Telex. 5 24 560 BERG d Bankkonten: Bayer Vereinsbank Munchen 453100 (BLZ 70020270)
    Telegramme (cable] Telekopieret: (089) 983049 Hypo-Bank Munchen 4410122850 (BLZ 70020011) Swift Code: HYPO DE MM
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der elektrisch leitende Träger (4) eine zylindrische Form hat, und daß die photoleitfähige Schicht auf der Umfangsfläche des zylindrischen Trägers
    (4) ausgebildet wird.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionskammer (2) evakuiert wird, bevor das Reaktionsgas eingeleitet wird.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionskairaner (2) im Anschluß an das Evakuieren, aber vor dem Einleiten des Reaktionsgases mit N3-GaS gefüllt wird.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das ultraviolette Licht eine Wellenlänge von 253,7nm hat.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Reaktionsgas SiH.-Gas und N„ Gas enthält, wobei das Volumen-Mischungsverhältnis annähernd 1 : 7,5 ist.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Quecksilber im Innern der Reaktionskammer (2) untergebracht wird.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e η ngO zeichnet, daß der Träger (4), auf welchem die photoleitfähige Schicht abgeschieden'ist, aus der Reaktionskammer (2) herausgenommen wird, und daß CF.-Gas in die Reaktionskammer eingeleitet- wird und gleichzeitig das CF.-Gas im Innern der Reaktionskammer ionisiert wird, gg um die Innenwandung der Reaktionskammer (4) durch Plasmaätzen zu reinigen.
DE19833309651 1982-03-17 1983-03-17 Verfahren zum herstellen eines photoempfindlichen teils Granted DE3309651A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57040673A JPS58159842A (ja) 1982-03-17 1982-03-17 感光体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3309651A1 true DE3309651A1 (de) 1983-09-29
DE3309651C2 DE3309651C2 (de) 1989-01-19

Family

ID=12587041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19833309651 Granted DE3309651A1 (de) 1982-03-17 1983-03-17 Verfahren zum herstellen eines photoempfindlichen teils

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4908292A (de)
JP (1) JPS58159842A (de)
DE (1) DE3309651A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3610401A1 (de) * 1985-03-28 1987-02-12 Sumitomo Electric Industries Halbleiterelement und verfahren zu dessen herstellung und gegenstand, in dem dieses element verwendet wird
EP0227388A2 (de) * 1985-12-11 1987-07-01 Canon Kabushiki Kaisha Lichtempfindliches elektrophotographisches Element, Verfahren und Einrichtung zu dessen Herstellung
EP0242182A2 (de) * 1986-04-14 1987-10-21 Canon Kabushiki Kaisha Verfahren zur Herstellung einer niedergeschlagenen Schicht

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60174864A (ja) * 1984-02-15 1985-09-09 Showa Alum Corp 薄膜形成用アルミニウム基材の表面処理方法
US4581248A (en) * 1984-03-07 1986-04-08 Roche Gregory A Apparatus and method for laser-induced chemical vapor deposition
JPS63229711A (ja) * 1987-03-19 1988-09-26 Yasuo Tarui 成膜装置
US20060040499A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Steve Walther In situ surface contaminant removal for ion implanting
US7442274B2 (en) * 2005-03-28 2008-10-28 Tokyo Electron Limited Plasma etching method and apparatus therefor
RU2635981C2 (ru) * 2015-12-28 2017-11-17 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) Способ нанесения тонкого слоя аморфного кремния

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2855718A1 (de) * 1977-12-22 1979-06-28 Canon Kk Lichtempfindliches element fuer die elektrophotographie und verfahren zu dessen herstellung

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4138306A (en) * 1976-08-31 1979-02-06 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Apparatus for the treatment of semiconductors
US4349617A (en) * 1979-10-23 1982-09-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. Function separated type electrophotographic light-sensitive members and process for production thereof
JPS5711351A (en) * 1980-06-25 1982-01-21 Shunpei Yamazaki Electrostatic copying machine
US4409308A (en) * 1980-10-03 1983-10-11 Canon Kabuskiki Kaisha Photoconductive member with two amorphous silicon layers
US4348428A (en) * 1980-12-15 1982-09-07 Board Of Regents For Oklahoma Agriculture And Mechanical Colleges Acting For And On Behalf Of Oklahoma State University Of Agriculture And Applied Sciences Method of depositing doped amorphous semiconductor on a substrate
US4438188A (en) * 1981-06-15 1984-03-20 Fuji Electric Company, Ltd. Method for producing photosensitive film for electrophotography

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2855718A1 (de) * 1977-12-22 1979-06-28 Canon Kk Lichtempfindliches element fuer die elektrophotographie und verfahren zu dessen herstellung

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3610401A1 (de) * 1985-03-28 1987-02-12 Sumitomo Electric Industries Halbleiterelement und verfahren zu dessen herstellung und gegenstand, in dem dieses element verwendet wird
EP0227388A2 (de) * 1985-12-11 1987-07-01 Canon Kabushiki Kaisha Lichtempfindliches elektrophotographisches Element, Verfahren und Einrichtung zu dessen Herstellung
EP0227388A3 (en) * 1985-12-11 1988-11-30 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member process and apparatus for the preparation thereof
EP0242182A2 (de) * 1986-04-14 1987-10-21 Canon Kabushiki Kaisha Verfahren zur Herstellung einer niedergeschlagenen Schicht
EP0242182A3 (en) * 1986-04-14 1988-09-14 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58159842A (ja) 1983-09-22
US4908292A (en) 1990-03-13
DE3309651C2 (de) 1989-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3407643C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines amorphen Siliziumfilms
DE3429899C2 (de)
DE69838039T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer dünnen Schicht und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
DE3311463C2 (de)
DE3336064C2 (de) Vorrichtung zur Erzeugung einer Schicht auf einem Substrat
DE2824564C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen wie Photodioden
DE3222491A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines lichtempfindlichen films auf einem substrat fuer elektrofotographie
DE3117252A1 (de) Plasmaauftragvorrichtung
DE3525211C2 (de)
DE3317349A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur massenproduktion von filmen durch vakuumabscheidung
DE3040031A1 (de) Bilderzeugungselement fuer elektrophotographische zwecke
DE2140092B2 (de) Verfahren zur herstellung duenner schichten auf substraten
DE3220683A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer amorphen siliciumschicht
DE3309651A1 (de) Verfahren zum herstellen eines photoempfindlichen teils
EP0239664A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Silicium und Sauerstoff enthaltenden Schichten
DE2904171A1 (de) Verfahren zum herstellen von aus amorphem silizium bestehenden halbleiterkoerpern durch glimmentladung
DE3209055C2 (de)
DE2951453C2 (de)
DE3208494C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines fotoleitfähigen Elements
DE3506657A1 (de) Photoleitfaehige vorrichtung
DE3736917C2 (de) Vorrichtung zur mikrowellenplasmaunterstützten Abscheidung von Halbleiterschichten aus der Gasphase
DE3610401C2 (de)
DE3612814C2 (de)
JPH0158498B2 (de)
DE2829830C2 (de) Verfahren zur epitaktischen Abscheidung

Legal Events

Date Code Title Description
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: SCHWABE, H., DIPL.-ING. SANDMAIR, K., DIPL.-CHEM.

8110 Request for examination paragraph 44
8125 Change of the main classification

Ipc: G03G 5/082

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee