DE3040031A1

DE3040031A1 - Bilderzeugungselement fuer elektrophotographische zwecke

Info

Publication number: DE3040031A1
Application number: DE19803040031
Authority: DE
Inventors: Tadaji Kawasaki Kanagawa Fukuda; Yutaka Hirai; Toshiyuki Yokohama Kanagawa Komatsu; Katsumi Tokyo Nakagawa
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1979-10-24
Filing date: 1980-10-23
Publication date: 1981-05-07
Also published as: JPS5662254A; US4818656A; DE3040031C2; JPH0114579B2

Description

TlEDTKE - BüHLING - KlNNE

f* Q D:pl.-Ing. H.Tiedtke

V3RUPE " TELLMANN _ _ . Dipl.-Chem. G. Bühling

5 UH UUgI Dipl.-Ing. R. Kinne Dipl.-Ing. R Grupe -3 *" Dipl.-Ing. B. Pellmann

Bavariaring 4, Postfach 202403 8000 München

Tel.: 0 89-5396

Telex: 5-24845 tipat

cable: Germaniapatent München

23. Oktober 1980 DE 0771

CANON KABUSHIKI KAISHA

Tokyo, Japan

Bilderzeugungselement für elektrophotographische Zwecke

Die Erfindung betrifft ein Bilderzeugungselement für elektrophotographische Zwecke, das zur Erzeugung von Bildern unter Anwendung von elektromagnetischen Wellen wie Licht eingesetzt wird, wobei unter Licht in weitestem Sinne Ultraviolettstrahlen, sichtbare Strahlen, Infrarotstrahlen, Röntgenstrahlen und V^--Strahlen usw. zu verstehen sind.

Als photoleitfähige Materialien für die Bildung der photoleitfähigen Schichten von Bilderzeugungselernenten für elektrophotographische Zwecke sind bisher irn allgemeinen anorganische, photoleitfähige Materialien wie Se, CdS und ZnO usw. und organische, photoleitfähige Materialien (OPC) wie Poly-N-vinylcarbazol (PVK) und Trinitrofluorenon usw. eingesetzt worden.

Bei Bilderzeugungselementen für elektrophotographisehe Zwecke müssen jedoch noch verschiedene Probleme gelöst werden, weshalb diese Bilderzeugungselemente gegenwärtig nur für elektrophotographische Bilderzeugungsverfahren eingesetzt werden, bei denen die Be-

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Deutsche Bank (München! KIo. 51/61070 Dresdner Bank (München) KIo. 3939 844 . Posischeck (München) Kto. 670-43-804

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triebsbedingungen keine besonderen Anforderungen stellen bzw. milde sind oder mit bestimmten Zugeständnissen verbunden sind.

Außer den vorstehend erwähnten Bilderzeugungselementen sind in neuerer Zeit, beispielsweise in den DE-OSS 27 46 967 und 28 55 718, Bilderzeugungselemente für elektrophotographische Zwecke vorgeschlagen worden, bei denen eine aus hydriertem, amorphem Silicium (nachstehend als "a-Si:H" bezeichnet) bestehende, photoleitfähige Schicht eingesetzt wird.

Bilderzeugungselemente für elektrophotographische Zwecke, die mit einer photoleitfähigen a-Si:H-Schicht versehen sind, weisen gegenüber den bekannten Bilderzeugungselementen für elektrophotographische Zwecke viele Vorteile auf. Trotz der amorphen Form können nämlich je nach den Herstellungsbedingungen photoleitfähige Schichten mit jeder gewünschten Leitfähigkeitspolarität, d. h., photoleitfähige Schichten vom p- oder vom η-Typ, hergestellt werden; das Material verursacht keine unerwünschte Verschmutzung, und die Bilderzeugungselemente für elektrophotographische Zwecke haben außerdem eine hohe Abriebbeständigkeit aufgrund der hohen Oberflächenhärte, eine ausgezeichnete Beständigkeit gegenüber Entwicklern, eine hohe Hitzebeständigkeit, ausgezeichnete Reinigungseigenschaften und eine hohe Feuchtigkeitsbeständigkeit. Sie weisen demnach gute elektrophotographische Eigenschaften auf.

Obwohl die Bilderzeugungselemente für elektrophotographische Zwecke vom a-Si:H-Typ viele Vorteile aufweisen, wie sie vorstehend erwähnt worden sind, ließen sich noch manche Eigenschaften dieser Bilderzeugungselemente wie die Lichtempfindlichkeit im praktisch angewandten Lichtmengenbereich, der y'-Wert und der

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spezifische Dunkelwiderstand verbessern.

Es ist demnach Aufgabe der Erfindung, ein Bilderzeugungselement für elektrophotographische Zwecke vom a-Si:H-Typ zur Verfügung zu stellen, das von den vorstehend erwähnten Nachteilen befreit ist, zur Erzeugung von scharfen und klaren Halbtönen befähigt ist, zu einer hohen Auflösung und zu Bildern mit hoher Qualität führt und eine verbesserte Lichtempfindlichkeit im praktisch angewandten Lichtmengenbereich, einen verbesserten /-Wert und einen verbesserten, spezifischen Dunkelwiderstand aufweist.

Diese Aufgabe wird durch das im Patentanspruch ι gekennzeichnete Bilderzeugungselement für elektrophotographische Zwecke gelöst.

Die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung werden nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert.

Bei den Fig. 1, 2 und 3 handelt es sich um schematische Querschnitte repräsentativer Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Bilderzeugungselements für elek- ^isi trophotographische Zwecke.

Fig. 4 ist eine schematische Darstellung einer Ausführungsform einer Vorrichtung für die Herstellung des erfindungsgemäßen Bilderzeugungselements für elek-

trophotographische Zwecke.

Das in Fig. 1 gezeigte Bilderzeugungselement für elektrophotographische Zwecke 100 besteht aus einem Substrat 101 und einer photoleitfähigen Schicht 102,

die eine freie Oberfläche 103 aufweist, wo Bilder er-

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zeugt werden. Die photoleitfähige Schicht 102 besteht aus einem hydrierten, amorphen Silicium, in dem als Fremdstoff 0,001 bis 1000 Atom-ppm (auf Silicium bezogen) Kohlenstoff enthalten sind (nachstehend als "a-Halbleiter" bezeichnet).

Wenn die photoleitfähige Schicht 102 aus einem a-Halbleiter hergestellt wird, beträgt der ^-Wert fast 1, und der spezifische Dunkelwiderstand wird in beträchtlichem Maße erhöht. Außerdem kann die Lichtempfindlichkeit im praktisch angewandten Lichtmengenbereich erhöht werden. Das Bilderzeugungselement für elektrophotographische Zwecke, das eine photoleitfähige Schicht aus einem a-Halbleiter enthält, hat bessere elektrophotographische Eigenschaften als übliche Bilderzeugungselemente für elektrophotographische Zwecke der Se-Reihe.

Die photoleitfähige Schicht des erfindungsgemäßen Bilderzeugungselements ist mit Kohlenstoff als Fremdstoff dotiert. Je nach dem Typ des Elektrophotographieverfahrens und nach den erforderlichen, elektrophotographischen Eigenschaften kann der Kohlenstoff im gesamten Bereich der photoleitfähigen Schicht gleichmäßig verteilt werden oder nur in einem bestimmten Schichtbereich in der Dickenrichtung der Schicht verteilt werden.

Beispielsweise kann im Fall eines Bilderzeugungs-

elements für elektrophotographische Zwecke 100 mit ν

einer Schichtstruktur, wie sie in Fig. 1 dargestellt *'?

ist, nur der Bereich der Oberflächenschicht der Bilder- . *■-

zeugungsoberfläche der photoleitfähigen Schicht 102 'ζ' mit Kohlenstoff dotiert sein oder kann der gesamte

Körper der photoleitfähigen Schicht 102 gleichmäßig >

mit Kohlenstoff dotiert sein. Außerdem kann als Alter- >.'

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native die photoleitfähige Schicht so mit Kohlenstoff dotiert sein, daß sich die Konzentration des Kohlenstoffs in der Dickenrichtung kontinuierlich oder diskontinuierlich verändert.

Außerdem können, wenn die Dotierung in der Dickenrichtung variiert wird, zwei oder mehr mit Kohlenstoff dotierte Schichten getrennt gebildet werden.

Zur Herstellung einer photoleitfähigen Schicht unter Verwendung des vorstehend erwähnten a-Halbleiters, beispielsweise zur Herstellung einer photoleitfähigen Schicht 102 durch Glimmentladung, wird eine gasförmige Kohlenstoffverbindung zusammen mit einem Rohmaterialgas, das zur Bildung eines hydrierten, amorphen SiIiciums (a-Si:H) befähigt ist, in eine Abscheidungskammer eingeführt.(Der Druck im Inneren der Abseheidungskarnmer kann vermindert sein).

Zur Bildung einer photoleitfähigen Schicht 102 wird in der Abscheidungskammer eine Glimmentladung durchgeführt. Wenn die photoleitfähige Schicht 102 beispielsweise durch Zerstäuben gebildet wird, kann das Zerstäuben in einer Gasatmosphäre für die Einführung von Wasserstoff durchgeführt werden, indem man ein aus (Si+C) in einem gewünschten Verhältnis für das Zerstäuben bestehendes Target oder sowohl ein Target in Form einer Si-Scheibe als auch ein Target in Form einer Kohlenstoffscheibe einsetzt oder indem man eine gasförmige Kohlenstoffverbindung, falls erwünscht, zusammen mit einem Gas für das Zerstäuben wie Argon usw., in eine Abscheidungskammer einführt und ein Si-Target verwendet.

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Erfindungsgemäß können die meisten Kohlenstoffverbindungen eingesetzt werden, durch die keine für die photoleitfähige Schicht nicht benötigten Fremdstoffe eingeführt werden und die in einer Form von Kohlenstoff als effektivem. Fremdstoff eingeschlossen werden können.

Kohlenstoffverbindungen, die bei Raumtemperatur gasförmig sind, sind wirksam und werden bevorzugt. Repräsentative Kohlenstoffverbindungen sind gesättigte Kohlenwasserstoffe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, äthylenische Kohlenwasserstoffe mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen und acetylenische Kohlenwasserstoffe mit 2 bis 3 Kohlenstoffatomen.

im einzelnen können gesättigte Kohlenwasserstoffe wie Methan, Äthan, Propan und η-Butan, äthylenische Kohlenwasserstoffe wie Äthylen, Propylen, Buten-(l), Buten-(2) und Isobutylen und acetylenische Kohlenwasserstoffe wie Acetylen und Methylacetylen eingesetzt werden.

Bei den erfindungsgemäßen Bilderzeugungselementen werden die Eigenschaften der photoleitfähigen Schicht durch die Menge des in der photoleitfähigen Schicht enthaltenen Kohlenstoffs in hohem Maße beeinflußt.

Die Menge des in der photoleitfähigen Schicht enthaltenen Kohlenstoffs (auf Silicium bezogen) beträgt 0,001 bis 1000 Atom-ppm, vorzugsweise 0,01 bis 100 Atom-ppm und insbesondere 0,1 bis 10 Atom-ppm.

Die photoleitfähige Schicht des erfindungsgemäßen Bilderzeugungselements kann aus einem der folgenden Typen des a-Halbleiters bestehen oder in einer solchen Weise aus mindestens zwei der folgenden Typen des a-Halbleiters zusammengesetzt sein, daß mindestens zwei Schichten verbunden sind, die sich voneinander im Hinblick auf den Halbleitertyp unterscheiden.

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i) n-Typ

Es ist nur ein Donator enthalten, oder es ist sowohl ein Donator als auch ein Akzeptor enthalten, wobei die Konzentration des Donators (Nd) höher ist als die Konzentration des Akzeptors.

ii) p-Typ

IQ Es ist nur ein Akzeptor enthalten, oder es ist sowohl ein Donator als auch ein Akzeptor enthalten, wobei die Konzentration des Akzeptors (Na) höher ist als die Konzentration des Donators.

iü) i-Typ

Na ^ Nd c O oder Na * Nd

Photoleitfähige Schichten des erfindungsgemäßen Bilderzeugungselements für elektrophotographische Zwecke, die aus a-Halbleitern der vorstehend erwähnten Typen i), ii) bzw.iii) bestehen, können hergestellt werden, indem man die a-Halbleiter mit einer regulierten Menge eines Fremdstoffs vom η-Typ bzw. vom p-Typ bzw. von beiden Typen dotiert, während die photoleitfähige Schicht durch Glimmentladung oder durch reaktives Zerstäuben usw. gebildet wird.

Erfindungsgemäß wurde festgestellt, daß durch Regulieren bzw. Einstellen der Konzentration der Fremd-

15 19 —3 stoffe im Bereich von 10 bis 10 cm a-Halbleiter-

schichten hergestellt werden können, die sich vom stärkeren n- oder p-Typ bis zum schwächeren n- oder p-Typ erstrecken.
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] Die a-Halbleiterschicht , die einem der Typen

i) bis iii) angehört, kann durch Glimmentladung, durch Zerstäuben oder durch Ionenplattierung usw. hergestellt werden.

Das Verfahren für die Herstellung des a-Halbleiters kann je nach den Fertigungsbedingungen, dem Kapitaleinsatz, dem Fertigungsmaßstab und den erwünschten elektrophotographischen Eigenschaften usw. in geeigneter Weise gewählt werden. Das Glimmentladungsverfahren ist eines der bevorzugten Verfahren, da in diesem Fall die Herstellung eines Bilderzeugungselements mit erwünschten elektrophotographischen Eigenschaften relativ leicht reguliert werden kann und außerdem Fremdstoffe der Gruppe III oder V beim Einführen eines solchen Fremdstoffs in eine a-Halbleiterschicht in einer substituierten Form eingeführt werden können, um eine Regulierung unter Bildung der Typen i), ii) bzw.iii) herbeizuführen.

Bei den erfindungsgemäßen Bilderzeugungselementen

beträgt die Menge des in der photoleitfähigen Schicht enthaltenen Wasserstoffs für die praktische Verwendung im allgemeinen 1 bis 40 Atom-% und vorzugsweise 5 bis 30 Atom-%, wobei sich diese Mengen jeweils auf Silicium beziehen.

Wasserstoff kann folgendermaßen in die photoleitfähige Schicht eingebaut werden: Wenn beispielsweise eine Glimmentladung angewendet wird, ist das Ausgangsmaterial für die Bildung der photoleitfähigen Schicht ein Siliciumwasserstoff wie SiH., Si„H- oder Si„H

4'

"2 6 3 8

usw., so daß bei der Zersetzung des Siliciumwasserstoffs unter Bildung der photoleitfähigen Schicht der freigesetzte Wasserstoff automatisch in die photoleitfähige Schicht aufgenommen bzw. eingebaut wird.

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■ Für die Erzielung eines wirksameren Einbaus von Wasserstoff in die Schicht kann in die Vorrichtung, in der die Glimmentladung durchgeführt wird, während der Bildung der photoleitfähigen Schicht Wasserstoffgas eingeführt werden.

Wenn ein Zerstäubungsverfahren angewendet wird, kann während der Durchführung des Zerstäubens in einer Atmosphäre eines Inertgases wie Ar usw. oder einer Mischung aus einem solchen Inertgas und einem anderen Gas unter Einsatz einer Si-Scheibe oder einer kohlenstoffhaltigen Si-Scheibe Wasserstoffgas eingeführt werden. Alternativ können ein gasförmiger Siliciumwasserstoff wie SiH., Si_oH_c, Si₀H₀ usw. oder B_OH_C-Gas,

H c. D ο O c. D

PH„-Gas usw. zu einem anderen Zweck, nämlich zur Dotierung mit einem Fremdstoff, eingeführt werden.

Die Mengen an H und C, die in dem a-Halbleiter des erfindungsgemäßen Bilderzeugungselements enthalten sein sollen, können reguliert werden, indem man die Temperatur des für die Abscheidung eingesetzten Substrats, die Menge der in die Fertigungsvorrichtung zum Einbau von H und C eingeführten Ausgangsruaterialien und/oder die Plasmadichte einstellt. Alternativ kann die photoleitfähige Schicht nach ihrer Bildung einer aktivierten Wasserstoffatmosphäre, einer aktivierten, kohlenstoffhaltigen Gasatmosphäre oder einer aktivierten, Wasserstoff und Kohlenstoff enthaltenden Gasatmosphäre ausgesetzt werden.

Weiterhin kann die photoleitfähige Schicht einer Hitzebehandlung im Vakuum oder in Luft, Wasserstoff oder einer kohlenstoffhaltigen Gasatmosphäre bei einer unter der Kristallisationstemperatur liegenden Temperatur unterzogen werden.

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Eine solche Hitzebehandlung stellt insbesondere eine wirksame Maßnahme für die Verbesserung des spezifischen Dunkelwiderstands der photoleitfähigen Schicht dar. Alternativ kann der spezifische Dunkelwiderstand durch Bestrahlung mit einem Licht von hoher Intensität wie einem Laser wirksam verbessert werden.

Der a-Halbleiter vom p-Typ kann durch Dotieren mit einem Element der Gruppe IIIA des Periodensystems wie B, Al, Ga, In oder Tl hergestellt werden, während der a-Halbleiter vom η-Typ durch Dotieren mit einem Element der Gruppe VA des Periodensystems wie N, P, As, Sb oder Bi hergestellt werden kann. Der n-Typ kann auch durch Dotieren mit Li usw. unter Anwendung der Hitzediffusion oder der Ionenimplantation hergestellt werden.

Die Menge der vorstehend erwähnten Fremdstoffe für die Dotierung des a-Halbleiters kann wahlweise je nach den erwünschten elektrischen und optischen Eigenschaften festgelegt werden. Im Fall eines Fremdstoffs der Gruppe IIIA des Periodensystems beträgt die Menge im allgemeinen 10 bis 10 Atom-% und vor-

—5 —4
zugsweise 10 bis 10 Atom-%, während die Menge im

Fall eines Fremdstoffs der Gruppe VA des Perioden-

—8 —3 systems im allgemeinen 10 bis 10 Atom-% und vor-

—8 —4
zugsweise 10 bis 10 Atom-% beträgt.

Die Dicke der photoleitfähigen Schicht variiert

je nach den gewünschten elektrophotographischen Eigenschaften und je nach den Verwendungsbedingungen, und sie hängt, beispielsweise davon ab, ob Biegsamkeit erforderlich ist oder nicht. Die Dicke der photoleitfähigen Schicht beträgt im allgemeinen 5 bis 80 pm, vor-

zugsweise 10 bis 70 pm und insbesondere 10 bis 50 jum.

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Im Fall eines Bilderzeugungselements für elektrophotographische Zwecke, wie es in Fig. 1 gezeigt wird, bei dem die photoleitfähige Schicht 102 eine freie Oberfläche 103 aufweist und bei dem zur Erzeugung von elektrostatischen bzw. Ladungsbildern eine Aufladungsbehandlung durchgeführt wird, wird vorzugsweise eine Sperrschicht gebildet, die während der zur Erzeugung von Ladungsbildern durchgeführten Aufladung ein Eindringen von Trägern von der Seite des Substrats 101 zwischen die photoleitfähige Schicht 102 und das Substrat 101 verhindern kann. Die Materialien für eine solche Sperrschicht können je nach dem Typ des Substrats und den elektrischen Eigenschaften der photoleitfähigen Schicht in geeigneter Weise ausgewählt werden. Beispiele für diese Materialien sind anorganische, isolierende Verbindungen wie AlpO_, SiO, Si0„ usw., organische, isolierende Verbindungen wie Polyäthylen, Polycarbonat, Polyurethan, Poly-p-xylylen usw. und Metalle wie Au, Ir, Pt, Rh, Pd, Mo usw.

Das Substrat 101 kann leitfähig oder isolierend sein. Als leitfähiges Substrat können Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Te, V, Ti, Pt, Pd, Legierungen davon und rostfreie Stähle eingesetzt werden. Als isolierendes Substrat können eine Folie oder ein Blatt aus einem Kunstharz wie Polyester, Polyäthylen, Polycarbonat, Cellulosetriacetat, Polypropylen, Polyvinylchlorid, Polyvinylidenchlorid, Polystyrol, Polyamid usw., aus Glas, aus einem keramischen Stoff und aus Papier eingesetzt werden. Vorzugsweise wird mindestens eine Oberfläche des isolierenden Substrats leitfähig gemacht.

Zum Beispiel wird eine Oberfläche von Glas mit In„0„, SnOp, Al oder Au usw. leitfähig gemacht, während eine Folie aus einem Kunstharz wie Polyester usw. durch Aufdampfen im Vakuum, durch Elektronenstrahlabschei-

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dung oder durch Zerstäuben usw. unter Einsatz eines Metalls wie Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti oder Pt usw. behandelt wird oder das Metall auf die Folie laminiert wird, um die Oberfläche leitfähig zu machen.

Das Substrat kann eine gewünschte Form, beispielsweise die Form eines Zylinders, eines Bandes bzw. Gurtes oder einer Platte usw. haben. Falls mit hoher Geschwindigkeit kontinuierlich kopiert wird, hat das Substrat vorzugsweise die Form eines endlosen Bandes oder eines Zylinders.

Die Dicke des Substrats kann nach Wunsch gewählt werden, soweit ein gewünschtes Bilderzeugungselement gebildet wird. Wenn das Bilderzeugungselement flexibel sein muß, wird die Dicke so gering gehalten, wie es unter der Voraussetzung, daß die Wirkungen eines Substrats gezeigt werden können, möglich ist. Unter Berücksichtigung verschiedener Gesichtspunkte bei der Herstellung sowie der Handhabung und der mechanischen Festigkeit usw. beträgt die Dicke im allgemeinen mehr als 10 pm.

Das in Fig. 2 gezeigte Bilderzeugungselement für elektrophotographische Zwecke 200 besteht aus einem Träger 201 und einer photoleitfähigen Schicht 202, wobei die photoleitfähige Schicht 202 eine freie Oberfläche 206 aufweist, wo Bilder erzeugt werden, und eine trägerverarmte Schicht 203 enthält.

Die trägerverarmte Schicht 203 in der photoleitfähigen Schicht 202 kann gebildet werden, indem man mindestens zwei a-Halbleiter der vorstehend erwähnten Typen auswählt und die a-Halbleiter der verschiedenen Typen unter Bildung von Schichten miteinander in Berührung bringt.

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Zum Beispiel wird eine trägerverarmte Schicht 203 als Übergangsschicht zwischen einer a-Halbleiterschicht vom i-Typ und einer a-Halbleiterschicht vom p-Typ hergestellt, indem man beispielsweise zuerst auf einem Substrat 201 mit für die Elektrophotographie geeigneten Oberflächeneigenschaften eine a-Halbleiterschicht vom i-Typ mit einer vorbestimmten Dicke bildet und dann auf der a-Halbleiterschicht vorn i-Typ eine a-Halbleiterschicht vom p-Typ bildet. (Nachstehend wird die a-Halbleiterschicht, die in bezug auf die trägerverarmte Schicht 203 auf der Seite des Substrats 201 liegt, als "Innenschicht 204" bezeichnet, während die a-Halbleiterschicht auf der Seite der freien Oberfläche als "Außenschicht 205" bezeichnet wird).

Mit anderen Worten, wenn eine photoleitfähige Schicht 202 in der Weise gebildet wird, daß verschiedene Typen von a-Halbleiterschichten miteinander verbunden werden, wird in einem Grenzübergangsbereich zwischen einer an der Innenseite befindlichen a-Halbleiterschicht und einer an der Außenseite befindlichen a-Halbleiterschicht eine trägerverarmte Schicht gebildet.

Die trägerverarmte Schicht 203 wirkt bei einem Schritt der Bestrahlung mit elektromagnetischen Wellen, bei dem es sich um einen Schritt eines Verfahrens zur Erzeugung von elektrostatischen Ladungsbildern auf einem Bilderzeugungselement für elektrophotographische Zwecke handelt, als Schicht für die Erzeugung von beweglichen Trägern durch Absorbieren von eingestrahlten elektromagnetischen Wellen. Die trägerverarmte Schicht 203 verhält sich wie ein Eigenhalbleiter, da sie in einem stationären Zustand an freien Trägern

verarmt ist.

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Bei Bilderzeugungselementen, wie sie in den Fig. 1 und 2 gezeigt werden, weist die photoleitfähige Schicht eine freie Oberfläche auf, jedoch kann auf der Oberfläche der photoleitfähigen Schicht wie bei einigen der üblichen Bilderzeugungselemente für elektrophotographische Zwecke eine Überzugsschicht wie eine sog. Schutzschicht oder eine elektrisch isolierende Schicht usw. gebildet werden. Fig. 3 zeigt ein Bilderzeugungselement mit einer solchen Überzugsschicht.

Das in Fig. 3 gezeigte Bilderzeugungselement 300 besteht aus einem Substrat 301, einer photoleitfähigen Schicht 302 und einer Überzugsschicht 303 mit einer freien Oberfläche 304. Das Bilderzeugungselement 300 unterscheidet sich nicht wesentlich von dem Bilderzeugungselement 100 in Fig. 1 und dem Bilderzeugungselement 200 in Fig. 2. Der Unterschied besteht lediglich darin, daß das Bilderzeugungselement 300 eine Überzugsschicht 303 aufweist.

Die von der Überzugsschicht 303 verlangten Eigenschaften unterscheiden sich jedoch je nach dem Elektrophotographieverfahren, in dem das Bilderzeugungselement eingesetzt wird. Beispielsweise muß die Überzugsschicht 303 elektrisch isolierend sein, in ausreichendem Maße zur Beibehaltung elektrostatischer Ladungen befähigt sein, wenn sie aufgeladen wird, und eine oberhalb eines bestimmten Grenzwertes liegende Dicke haben, wenn ein Elektrophotographieverfahren angewendet wird, wie es aus den US-PSS 36 66 363 und 37 34 609 bekannt ist, das sog.."NP-Verfahren". Andererseits ist es beispielsweise im Fall der Anwendung eines Elektrophotographieverfahrens wie des Carlson-Verfahrens erwünscht, daß

nach der Erzeugung der elektrostatischen Ladungsbilder

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das Potential in den hellen Bereicnen sehr klein ist, und es ist deshalb erforderlich, daß die Überzugsochicht 303 eine sehr geringe Dicke hat.

Bei der Bildung der Überzugsschicht 303 werden die folgenden Bedingungen berücksichtigt: Die gewünschten elektrischen Eigenschaften der Überzugsschicht 303 sollten erfüllt sein; die Überzugsschicht 303 sollte die photoleitfähige Schicht 302 weder in chemischer noch in physikalischer Hinsicht nachteilig beeinflussen; der elektrische Kontakt und die Haftfähigkeit zwischen der photoleitfähigen Schicht 302 und der Überzugsschicht 303 sollten gut sein und die Überzugsschicht 303 sollte eine gute Feuchtigkeitsbeständigkeit, eine gute Abriebbeständigkeit und gute Reinigungseigenschaften usw. haben.

Repräsentative Materialien, die für die Bildung der Überzugsschicht 303 geeignet sind, sind Kunstharze wie Polyäthylenterephthalat, Polycarbonat, Polypropylen, Polyvinylchlorid, Polyvinylidenchlorid, Polyvinylalkohol, Polystyrol, Polyamid, Polytetrafluoräthylen, Polytrifluorchloräthylen, Polyvinylfluorid, Polyvinylidenfluorid, Propylenhexafluorid/Äthylentetrafluorid-Copolymerisat, Äthylentrifluorid/Vinylidenfluorid-Copolymerisat, Polybuten, Polyvinylbutyral, Polyurethan usw. und Cellulosederivate wie Cellulosediacetat, Cellulosetriacetat usv/. Aus diesen Kunstharzen und Cellulosederivaten kann eine Folie hergestellt werden, die auf die photoleitfähige Schicht 302 aufgeklebt wird, oder aus den Kunstharzen und Cellulosederivaten kann eine Beschichtungslösung hergestellt werden, die auf die photoleitfähige Schicht 302 aufgetragen wird.

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] Die Dicke der Überzugsschicht 303 kann je nach dem eingesetzten Material in geeigneter Weise gewählt werden. Sie beträgt im allgemeinen 0,5 bis 70 pm. Insbesondere beträgt die Dicke im allgemeinen weniger als 10 pm, wenn die Überzugsschicht 303 als Schutzschicht eingesetzt wird, wie dies vorstehend erwähnt wurde. Andererseits beträgt die Dicke im allgemeinen mehr als 10 pm, wenn die Überzugsschicht 303 als elektrisch isolierende Schicht eingesetzt wird. Der Grenz— wert von 10 pm für die Dicke, der diese beiden Arten von Schichten voneinander trennt, stellt jedoch keinen absoluten Wert dar, sondern variiert je nach den eingesetzten Materialien, dem angewandten Elektrophotographieverfahren und dem Aufbau bzw. der Struktur des Bilderzeugungselements.

Die Erfindung wird durch die nachstehenden Beispiele näher erläutert.

Beispiel 1

Ein Bilderzeugungselement für elektrophotographische Zwecke wurde durch das nachstehend beschriebene Verfahren unter Anwendung der in Fig. 4 gezeigten Vorrichtung, die sich in einem vollständig abgeschlossenen, sauberen Raum befand, hergestellt.

Eine Alurniniumplatte (Substrat) 404 mit einer Dicke von 0,2 mm und einem Durchmesser von 5 cm, deren Oberfläche gereinigt worden war, wurde auf einem Festhalteelement 405 befestigt. Das Festhalteelement 405 befand sich in einer vorbestimmten Stellung in einer Glimmentiadungs-Abscheidungskammer 402, die auf einer Grundplatte 401 angeordnet war. Das Substrat 404 wurde mit einer Genauigkeit von 0,5 ⁰C durch eine in dem Festhalteelement 405 vorgesehene Heizvorrichtung 406

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erhitzt. Die Temperatur des Substrats wurde dadurch gemessen, daß man die Rückseite des Substrats 404 in direkte Berührung mit einem Thermopaar (Chrome1-Alumel) brachte. Nachdem feststand, daß alle Ventile in der Vorrichtung geschlossen waren, wurde ein Hauptventil 409 vollständig geöffnet, wodurch die Glimmentladungs-Abscheidungskammer 402 bis zu einem Vakuum von etwa

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6,7 χ 10 bar evakuiert wurde. Danach wurde die Eingangsspannung der Heizvorrichtung 406 erhöht und unter Messung der Temperatur des Aluminiumsubstrats 404 so eingestellt, daß die Temperatur auf einen konstanten Wert von 200 °C stabilisiert wurde.

Danach wurden ein Hilfsventil 411 und anschließend Ausströmventile 430 und 432 und Einströmventile 424 und 426 vollständig geöffnet, um die Durchflußmeßgeräte 418 und 420 zu evakuieren. Nach dem Schließen des Hilfsventils 411 und der Ventile 430, 432, 424 und 426 wurde das Ventil 436 einer Bombe 412 für Silan (Reinheit: 99,999 %) geöffnet und eingestellt, um den Druck bei einem Ausström-Manometer 442 auf 0,98 bar zu bringen. Das Einströmventil 424 wurde allmählich geöffnet, so daß Silangas in das Durchflußmeßgerät 418 strömte. Anschließend wurde das Ausströmventil 430 allmählich geöffnet, und das Hilfsventil 411 wurde allmählich geöffnet und eingestellt, um die Kammer

_5
402 auf 1,3 χ 10 bar zu bringen, wozu ein Piranimanometer 410 abgelesen wurde. Nach der Stabilisierung des Innendrucks der Kammer 402 wurde das Hauptventil 409 allmählich geschlossen, um die Anzeige des Piranimanometers 410 auf 0,13 mbar zu bringen. Nachdem feststand, daß der Innendruck stabilisiert war, wurde das Ventil 438 einer Bombe 414 für Äthylengas (Reinheit: 99,999 %) geöffnet und eingestellt, um den Druck eines

^UJ Ausströmmanometers 444 auf 0,98 bar zu bringen. Das Durchflußmeßgerät 420 wurde so eingestellt, daß die Strömungsmenge des Äthylens, auf das Silangas bezogen,

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einen Wert von 10 Vol.-% erreichte. Um diesen Zustand zu erhalten, wurden das Einströmventil 426 und das Ausströmventil 432 geöffnet und eingestellt, um die Strömungsmenge des Äthylens zu regulieren. Der Schalter einer Hochfrequenzstromquelle 407 wurde eingeschaltet, wodurch einer Induktionsspule 408 Hochfrequenzleistung mit 13,56 MHz zugeführt und im Spulenabschnitt der Kammer 402 (im oberen Bereich der Kammer) eine Glimmentladung hervorgerufen wurde. Die Eingangsleistung betrug 100 W. Unter den vorstehend beschriebenen Bedingungen wurde auf dem Substrat eine a-Halbleiterschicht wachsen gelassen, und die Bedingungen wurden 8 h lang aufrechterhalten. Danach wurde die Hochfrequenzstromquelle abgeschaltet, um die Glimmentladung zu beenden. Anschließend wurde die Stromquelle der Heizvorrichtung 406 abgeschaltet. Nachdem die Temperatur des Substrats 404 auf 100 ⁰C abgesunken war, wurden das Hilfsventil 411 und die Ausströmventile 430 und 432 geschlossen, und das Hauptventil 409 wurde vollständig geöffnet. Nachdem der Druck der Kammer

402 auf weniger als 1,3 χ 10 bar abgesunken war, wurde das Hauptventil 409 geschlossen, und ein Leckventil 403 wurde geöffnet, um die Kammer 402 auf Atmosphärendruck zu bringen. Dann wurde die auf dem Substrat gebildete a-Halbleiterschicht aus der Kammer herausgenommen. Die in diesem Fall gebildete a-Halbleiterschicht hatte eine Gesamtdicke von etwa 16 pm. Das auf diese Weise erhaltene Bilderzeugungselement wurde in einer Testvorrichtung für die Ladungsbelichtung angeordnet. Eine Koronaladung mit -6 kV wurde 0,2 s lang durchgeführt, und ein Lichtbild wurde sofort unter Anwendung einer Wolframlampe als Lichtquelle mit einer Lichtmenge von 3 Ix.s durch eine lichtdurchlässige Testkarte projiziert.

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Unmittelbar danach wurde das erhaltene Ladungsbild nach dem Kaskadenverfahren mit einem positiv geladenen Entwickler, der einen Toner und einen Träger enthielt, entwickelt, wodurch auf der Oberfläche des Bilderzeugungselements ein gutes Tonerbild erzeugt wurde. Das auf dem Bilderzeugungselement befindliche Tonerbild wurde durch eine +5 kV-Koronaladung auf ein Übertragungs- bzw. Bildempfangspapier übertragen. Das erhaltene Bild war scharf und zeigte eine hohe Auflösung ^O sowie eine hohe Dichte mit einer ausgezeichneten Gradation bzw. Helligkeitsabstufung.

Außerdem wurden mit der vorstehend beschriebenen Vorrichtung und in der vorstehend beschriebenen Weise

'5 die Bilderzeugungselemente Nr. 2 bis 6 hergestellt, wobei jedoch die auf eine gegebene Strömungsmenge des Silangases bezogene Strömungsmenge des Äthylengases variiert wurde. Alle Bilderzeugungselemente wurden unter den gleichen Bedingungen dem vorstehend beschriebenen Ladungsbelichtungs- und Entwicklungsverfahren unterzogen. Die erhaltenen Bilder wurden zum Vergleich bewertet. Die erhaltenen Ergebnisse werden in Tabelle I gezeigt.

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Tabelle I

PROBE NR.

STRÖMUNGSMENGE DES ÄTHYLENS (Vol.-9b) -

jEWEKTUNG DES BILDES BILDDICHTE

10

-5

10

-4

ΙΟ"³ ΙΟ"²

SCHÄRFE i> !θ ΙΔ

Bewertungsmaßstab :

VtJ) : Ausgezeichnet ζ~\ : Gut

: Annehmbar

für die praktische Verwendung

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BAD ORIGINAL

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Die Strömungsmenge des Äthylengases wurde auf

1O~ Vol.-% (bezogen auf die Strömungsmenge des Silangases) festgelegt, während die Temperatur des Aluminiumsubstrats variiert wurde, wie es in Tabelle II gezeigt wird.

Die erhaltenen Bilderzeugungselemente Nr. 7 bis 11 wurden alle in der vorstehend beschriebenen Weise bewertet. Die erhaltenen Ergebnisse werden in Tabelle II gezeigt.

Tabelle II

PROBE NR.

10

11

TEMPERATUR DES SUBSTRATS

!JEWERTUNG DES BILDES

80

150

200

250

BILDDICHTE

SCHÄRFE

Die Symbole des Bewertungsmaßstabs haben die gleiche Bedeutung wie in Tabelle I.

Die Angaben in Klammern beziehen sich auf die Bewertung von Bilderzeugungselementen, die 1 h lang unter Vakuum (1,3 χ 1O~ bar) einer Hitzebehandlung bei 200 C unterzogen worden waren. Bei Bilderzeugungselementen, die mit einer bei einer niedrigeren Substrattemperatur gebildeten a-Halbleiterschicht versehen waren, wurde die Schärfe der Bilder durch die Hitzebehandlung verbessert.

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Des weiteren wurden Bilderzeugungselemente Nr. 12 bis 16 unter folgenden Bedingungen hergestellt: Die Strömungsmenge des Äthylengases wurde auf 10~⁴ Vol.-%, auf die Strömungsmenge des Silangases bezogen, festgelegt; die Temperatur des Aluminiumsubstrats wurde auf 80 ⁰C festgelegt, und die Eingangsleistung für die Glimmentladung wurde variiert. Die erhaltenen Bilderzeugungselemente wurden 1 h lang unter Vakuum (1,3 χ 10" bar) bei 200 ⁰C behandelt und dann in der vorstehend beschriebenen Weise bewertet. Die erhaltenen Ergebnisse werden in Tabelle III gezeigt.

Tabelle III

PROBE NR.

12

16

ENTLADUNGSLEISTUNG (V/) BEWERTUNG DES BILDES

20

100

150

200

BILDDICHTE

SCHÄRFE

Beispiel 2

Ein Aluminiumsubstrat wurde in der in Beispiel 1 beschriebenen Weise in einer Glimmentladungs-Abscheidungskammer 402 angeordnet. Anschließend wurde die

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Glimmentladungs-Abscheidungskammer 402 auf ein Vakuum

_9
von 6,7 χ 10 bar gebracht, und die Temperatur des Substrats wurde in der in Beispiel 1 beschriebenen Weise bei 200 C gehalten. Danach wurden in der in Beispiel 1 beschriebenen V/eise Silangas und Äthylengas (10 Vol.-%, auf das Silangas bezogen) strömen gelassen, und der Druck der Kammer 402 wurde auf 0,13 mbar eingestellt. Zu dieser Zeit wurde Phosphin aus einer Phosphin-Bombe 416 durch ein Ventil 440 hindurch mit einer Strömungsmenge von 0,03 % (auf das Silangas bezogen) herausströmen gelassen, wozu ein Einströmventil 428 und ein Ausströmventil 434 unter Ablesung eines Ausströmmanometers 446 zur Erzielung eines Phosphingasdruckes von 0,98 bar eingestellt wurden und ein Durchflußmeßgerät 422 abgelesen wurde, um eine Mischung aus Silangas, Äthylengas und Phosphingas in die Kammer 402 einzuführen. Nach der Stabilisierung der Strömung der Gase, des Drucks der Kammer 402 und der Temperatur des Substrats (bei 200 ⁰C) wurde eine Glimmentladung eingeleitet, indem man in der in Beispiel 1 beschriebenen Weise die Hochfrequenzstromquelle 407 einschaltete. Die Glimmentladung wurde unter diesen Bedingungen 6 h lang aufrechterhalten. Danach wurde die Hochfrequenzstromquelle 407 abgeschaltet, um die Glimmentladung zu beenden. Anschließend wurden die Ausströmventile 430, 432 und 434 geschlossen, und das Hilfsventil 411 und das Hauptventil 409 wurden vollständig geöffnet, um die Kammer 402 auf 6,7 χ

-9
10 bar zu bringen. Dann wurden das Hilfsventil 411

^ou und das Hauptventil 409 geschlossen und die Ausströmventile 430 und 432 allmählich geöffnet, und das Hauptventil 409 wurde in eine Stellung zurückgebracht, bei der Silangas und Äthylengas im gleichen Zustand wie bei der Bildung der Schicht strömten. Als nächstes

wurde das Ventil 441 einer Bombe 417 für Diboran ge-

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öffnet und eingestellt, um den Druck eines Ausströmmanometers 447 auf 0,98 bar zu bringen.

Ein Einströmventil 429 wurde allmählich geöffnet, wodurch in ein Durchflußmeßgerät 423 Diboran eingeführt wurde. Das Ausmaß der Öffnung eines Ausströmventils 435 wurde so festgelegt, daß an dem Durchflußmeßgerät 423 0,04 Vol.-% Diboran, auf das Silangas bezogen, abgelesen wurden. Auf diese Weise wurden die Strömungsmengen des Diborans, des Silans und des Äthylens stabilisiert. Anschließend wurde die Hochfrequenzstromquelle 407 wieder eingeschaltet, um die Glimmentladung einzuleiten. Die Glimmentladung wurde unter diesen Bedingungen 45 min lang aufrechterhalten·, danach wurden die Heizvorrichtung 406 und die Hochfrequenzstromquelle 407 abgeschaltet. Nachdem die Temperatur des Substrats auf 100 ⁰C gesunken war, wurden das Hilfsventil 411 und die Ausströmventile 430, 432 und 435 geschlossen, und das Hauptventil 409 wurde vollständig geöffnet, um die Kammer 402 auf einen Druck von weniger als 1,3 χ 10 bar zu bringen. Als nächstes wurde das Hauptventil 409 geschlossen, un die Kammer 402 wurde durch Öffnen eines Leckventils 403 auf Atmosphärendruck gebracht, worauf das Substrat aus der Kammer 402 herausgenommen wurde.

Durch das vorstehend beschriebene Verfahren wurde ein Bilderzeugungselement erhalten. Die gebildete Halbleiterschicht hatte eine Gesamtdicke von etwa 15 pm.

Das auf diese Weise erhaltene Bilderzeugungselement wurde unter Anwendung der Testvorrichtung für die Ladungsbelichtung in der in Beispiel 1 beschriebenen Weise einem Bilderzeugungstest unterzogen. Im Fall der Kombination einer Koronaentladung mit 6 kV

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' und eines positiv geladenen Entwicklers hatten die auf einem Bildempfangs- bzw. Übertragungspapier erhaltenen Tonerbilder eine sehr gute Qualität und einen hohen Kontrast.

Beispiel 3

Ein Aluminiumsubstrat (4 cm χ 4 cm) mit einer Dicke von 0,1 mm, dessen Oberfläche gereinigt worden ^O war, wurde in der in Beispiel 1 beschriebenen Weise auf einem Festhalteelement 405 angeordnet, das sich in einer Vorrichtung befand, wie sie in Fig. 4 gezeigt wird. Anschließend wurden die Glimmentladungs-Abscheidungskammer 402 und das gesamte Gaseinströmsystem

ς _g

auf einen Druck von 6,7 χ 10 bar gebracht, und die Substrattemperatur wurde in der in Beispiel 1 beschriebenen Weise bei 200 C gehalten. Silangas und Äthylengas (10~ Vol.-%, auf das Silangas bezogen) wurden in der in Beispiel 1 beschriebenen Weise in die Kammer 402 eingeführt, und die Kamme:
Druck von 0,13 mbar gebracht.

^Αυ 402 eingeführt, und die Kammer 402 wurde auf einen

Des weiteren wurde das Ventil 441 einer Bombe

417 für Diboran geöffnet und eingestellt, um den Druck nc

^J bei einem Ausströmmanometer 447 auf 0,98 bar zu bringen. Dann wurden ein Einströmventil 429 und ein Ausströmventil 435 allmählich geöffnet, um Diborangas mit einer bei einem Durchflußmeßgerät 423 gemessenen, auf das Silangas bezogenen Strömungsmenge von 0,10

Vol.-% in die Kammer 402 einzuführen. Nach der Stabilisierung der strömung des Silangases, des Äthylengases und des Diborangases und der Temperatur des Substrats (bei 200 °C) wurde die Hochfrequenzstromquelle 407 eingeschaltet, um die Glimmentladung in der Kammer

402 einzuleiten. Unter diesen Bedingungen wurde die

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Glimmentladung 15 min lang durchgeführt; dann wurde das Ausströmventil 435 für Diborangas allmählich geschlossen und unter Beibehaltung der Glimmentladung und Ablesung des Durchflußmeßgeräts 423 eingestellt, um die auf das Silangas bezogene Strömungsmenge des Diborans auf 0,03 Vol.-% zu bringen.

Unter diesen Bedingungen wurde die Glimmentladung 8 h lang weiter aufrechterhalten. Danach wurde die Hochfrequenzstromquelle 407 abgeschaltet, um die Glimmentladung zu beenden, worauf die Heizvorrichtung abgeschaltet wurde. Nachdem die Temperatur des Substrats auf 100 C gesunken war, wurden das Hilfsventil 411 und die Ausströmventile 430, 432 und 435 geschlos-

'5 sen, und das Hauptventil 409 wurde vollständig geöffnet, um die Kammer 402 auf einen Druck von weniger

—8

als 1,3 χ 10 bar zu bringen. Danach wurde das Hauptventil 409 geschlossen, und ein Leckventil 403 wurde geöffnet, um die Kammer 402 auf Atmosphärendruck zu bringen. Dann wurde das Substrat, auf dem sich eine photoleitfähige Schicht gebildet hatte, aus der Kammer 402 herausgenommen.

Die erhaltene, photoleitfähige Schicht hatte ·" eine Gesamtdicke von etwa 16 pm. Die Aluminiumoberfläche, d. h., die Rückseite des auf diese Weise erhaltenen Elements, wurde in enge Berührung mit einem Klebeband gebracht und dann senkrecht in eine 30 %ige

Lösung eines Polycarbonatharzes in Toluol eingetaucht. on

Das Element wurde mit einer Geschwindigkeit von 1,5 cm/s emporgezogen, so daß auf der photoleitfähigen Schicht eine Polycarbonatharzschicht mit einer Dicke von 15 /um gebildet wurde. Danach wurde das Klebeband

entfernt.
35

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Das erhaltene Bilderzeugungselement wurde an einer Aluminiumtrommel einer Testvorrichtung befestigt. Diese Testvorrichtung war durch Modifizieren einer im Handel erhältlichen Kopiervorrichtung (Handelsname: NP-L7; Canon K.K.) hergestellt worden. Dann wurde das Bilderzeugungselement einem Bilderzeugungsverfahren unterzogen, das aus einer primären Aufladung mit -7 kV, einer bildmäßigen Belichtung bei gleichzeitiger Wechselstrom-Aufladung mit 6 kV, einer Entwicklung mit einem negativ geladenen, flüssigen Entwickler, einem Abquetschen der Flüssigkeit mittels einer Walze und einer Übertragung bei gleichzeitiger Aufladung mit -5 kV bestand. Als Ergebnis wurde auf gewöhnlichem Papier ein scharfes Bild mit hohem Kontrast erhalten. Auch als das Verfahren 100 000 mal kontinuierlich wiederholt wurde, behielten die erhaltenen Bilder die ursprüngliche, ausgezeichnete Bildqualität bei.

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. -30-L e e r s e

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Claims

fiiii ■ &·** - If I»· ι·- Patentanwälte und

ÜHLING - IVlNNE Vertreter beim EPA

GD Dipl.-lng. H.Tiedtke

RUPE - r ELLMANN Dipl.-Chem. G. Bühling

3040031 Dipl.-lng. R. Kinne

Dipl.-lng. R Grupe Dipl.-lng. B. Pellmann

Bavariaring 4, Postfach 20 2403 8000 München 2

Tel.: 0 89-5396

Telex: 5-24845 tipat

.cable: Germaniapatent München

23. Oktober 1980 DE 0771

Patentansprüche

\Ji-y Bilderzeugungselement für elektrophotographische Zwecke, enthaltend ein Substrat und eine über dem Substrat liegende, photoleitfähige Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht aus hydriertem, amorphem Silicium besteht, in dem in bezug auf Silicium 0,001 bis 1000 Atom-ppm Kohlenstoff als Fremdstoff enthalten sind.
2. Bilderzeugungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das amorphe Silicium in bezug auf Silicium 1 bis 40 Atom-% Wasserstoff enthält.
3. Bilderzeugungseiement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht in bezug auf Silicium . 10 bis 10 Atom-% eines Elements der Gruppe IIIA des Periodensystems als Fremdstoff enthält.

3Q
4. Bilderzeugungselement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Element aus B, Al, Ga, In und Tl ausgewählt ist.

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Deutsche Bank (München) Kto. 51/61070 Dresdner Bank (München) Ho. 3939 844 Postscheck (München) Kto. 670-43-804

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5. Bilderzeugungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht j__n bezuq·

—8 —3
auf Silicium 10 bi-^s 10 Atom-% eines Elements der Gruppe VA des Periodensystems als Fremdstoff enthält.
6. Bilderzeugungselement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Element der Gruppe VA des Periodensystems aus N, P, As, Sb und Bi ausgewählt ist.
7. Bilderzeugungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht eine Dicke von 5 bis 80 μη\ hat.
8. Bilderzeugungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht eine trägerverarmte Schicht aufweist.
9. Bilderzeugungselement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht auf ihrer Oberfläche eine Überzugsschicht aufweist.
10. Bilderzeugungselement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Überzugsschicht eine Dicke von o,5 bis 70 pm hat.

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