JPH0629977B2 - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH0629977B2 JPH0629977B2 JP56087767A JP8776781A JPH0629977B2 JP H0629977 B2 JPH0629977 B2 JP H0629977B2 JP 56087767 A JP56087767 A JP 56087767A JP 8776781 A JP8776781 A JP 8776781A JP H0629977 B2 JPH0629977 B2 JP H0629977B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
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Description
【発明の詳細な説明】 この発明は静電複写機における選択的に静電気を帯電さ
せる板またはドラムに関し、具体的には、前記板または
ドラムに設けられる電子写真用感光体に関する。
せる板またはドラムに関し、具体的には、前記板または
ドラムに設けられる電子写真用感光体に関する。
従来静電複写機は真性の化合物半導体を光電効果を利用
して選択的に静電気を帯電させる層に用いていた。しか
しこの方法は材料自体が公害物質でありかつ発ガン物質
が印刷されているに加えて光照射により発生した電荷に
よりすでに帯電した電荷との中和をコントラストを大に
して（Ｓ／Ｎ比を大きくして）行なわしめることには必
ずしも満足していなかった。
して選択的に静電気を帯電させる層に用いていた。しか
しこの方法は材料自体が公害物質でありかつ発ガン物質
が印刷されているに加えて光照射により発生した電荷に
よりすでに帯電した電荷との中和をコントラストを大に
して（Ｓ／Ｎ比を大きくして）行なわしめることには必
ずしも満足していなかった。
また、従来半導体装置においては、導電型をＮＩＰ等の
３層構造としたもの、あるいはこの３層構造のエネルギ
バンドギャップ幅を広−狭−広（Ｗ−Ｎ−Ｗ）に変化さ
せたものはある。
３層構造としたもの、あるいはこの３層構造のエネルギ
バンドギャップ幅を広−狭−広（Ｗ−Ｎ−Ｗ）に変化さ
せたものはある。
しかし、電子写真用感光体においてこのようなＷ−Ｎ−
Ｗのエネルギバンドギャップ幅構造により感光体として
有用な効果が得られることを示唆するものが無い。
Ｗのエネルギバンドギャップ幅構造により感光体として
有用な効果が得られることを示唆するものが無い。
本願発明は、電子写真用感光体において、珪素を主成分
とするＰＩＮまたはＮＩＰの３層構造半導体装置にエネ
ルギバンドギャップ幅のＷ−Ｎ−Ｗ構成を採用すること
により、Ｉ型層で光により発生したキャリアを効率よく
取り出せることを発見したことに基づいている。
とするＰＩＮまたはＮＩＰの３層構造半導体装置にエネ
ルギバンドギャップ幅のＷ−Ｎ−Ｗ構成を採用すること
により、Ｉ型層で光により発生したキャリアを効率よく
取り出せることを発見したことに基づいている。
本発明は、導電性基板上に珪素を主成分とするＰまたは
Ｎ型の半導体または半絶縁体からなる第１の層を設け、
該第１の層に真性または実質的に真性（人為的にＰまた
はＮ型の不純物を添加しないで形成される）の珪素半導
体からなる第２の層を設け、さらに該第２の層上に珪素
を主成分とするＮまたはＰ型の半導体または半絶縁体か
らなる第３の層を設けた電子写真用感光体に関する。
Ｎ型の半導体または半絶縁体からなる第１の層を設け、
該第１の層に真性または実質的に真性（人為的にＰまた
はＮ型の不純物を添加しないで形成される）の珪素半導
体からなる第２の層を設け、さらに該第２の層上に珪素
を主成分とするＮまたはＰ型の半導体または半絶縁体か
らなる第３の層を設けた電子写真用感光体に関する。
本発明の電子写真用感光体では、第１の層のエネルギバ
ンドギャップ幅が第２の層のエネルギバンドギャップ幅
より大きく、第３の層のエネルギバンドギャップ幅が第
２の層のエネルギバンドギャップより大きい。また、第
１の層と第２の層と間、及び第２の層と第３の層の間に
おけるエネルギバンドは連続していて、キンク、ディッ
プ等の不連続がない。これらは、窒素、炭素、または酸
素の量を連続的に変化させることにより実現される。
ンドギャップ幅が第２の層のエネルギバンドギャップ幅
より大きく、第３の層のエネルギバンドギャップ幅が第
２の層のエネルギバンドギャップより大きい。また、第
１の層と第２の層と間、及び第２の層と第３の層の間に
おけるエネルギバンドは連続していて、キンク、ディッ
プ等の不連続がない。これらは、窒素、炭素、または酸
素の量を連続的に変化させることにより実現される。
本発明では、非公害物質である珪素を用いて電子写真用
感光体を形成し、光電効果を有する半導体または半絶縁
体中にＰ−Ｉ−Ｎまたは、Ｎ−Ｉ−Ｐ等の連続的接合を
設けて、連続的接合による内部電界を感光体中に形成し
て、光励起されたキャリアを表面及び裏面にすみやかに
移動せしめ、さらにエネルギバンドもＷ−Ｎ−Ｗ（ＷＩ
ＤＥ−ＴＯ−ＮＡＬＬＯＷ−ＴＯ−ＷＩＤＥ）構造にし
て、外部からのキャリア混入を防止した。この結果、感
光体表面に静電荷を発生させるためにコロナ放電をかけ
て電界を発生させたときのＳＮ比を増加した。なお、こ
の電界により光励起キャリアが移動させられ、光照射部
分の静電荷が光励起キャリアと再結合する。このため、
この電界を再結合電界という。
感光体を形成し、光電効果を有する半導体または半絶縁
体中にＰ−Ｉ−Ｎまたは、Ｎ−Ｉ−Ｐ等の連続的接合を
設けて、連続的接合による内部電界を感光体中に形成し
て、光励起されたキャリアを表面及び裏面にすみやかに
移動せしめ、さらにエネルギバンドもＷ−Ｎ−Ｗ（ＷＩ
ＤＥ−ＴＯ−ＮＡＬＬＯＷ−ＴＯ−ＷＩＤＥ）構造にし
て、外部からのキャリア混入を防止した。この結果、感
光体表面に静電荷を発生させるためにコロナ放電をかけ
て電界を発生させたときのＳＮ比を増加した。なお、こ
の電界により光励起キャリアが移動させられ、光照射部
分の静電荷が光励起キャリアと再結合する。このため、
この電界を再結合電界という。
以下にその実施例を図面に従つて説明する。
第１図は本発明を適用させるべき静電複写機の感光体を
示したものである。すなわち第１図（Ａ）において、導
電性基板上に光導電性の半導体（１）が設けられてい
る。さらにこの半導体上に静電気（３）を均質に分布せ
しめた。図面では正の電荷を静電荷発生源より放出して
半導体（１）上に付着せしめている。さらにこの後第１
図（Ｃ）に示す如く、光（５）を局部的に照射すると、
その光量およびその波長に従って照射された領域（６）
（６′）（６″）の静電気は導体（２）へと放出され
る。加えて光励起で発生した電子・ホール対のうち図面
では負の電子が正の静電気（３）と再結合して中和をす
る。かくして半導体上に選択的に静電気を分布せしめる
ことができた。
示したものである。すなわち第１図（Ａ）において、導
電性基板上に光導電性の半導体（１）が設けられてい
る。さらにこの半導体上に静電気（３）を均質に分布せ
しめた。図面では正の電荷を静電荷発生源より放出して
半導体（１）上に付着せしめている。さらにこの後第１
図（Ｃ）に示す如く、光（５）を局部的に照射すると、
その光量およびその波長に従って照射された領域（６）
（６′）（６″）の静電気は導体（２）へと放出され
る。加えて光励起で発生した電子・ホール対のうち図面
では負の電子が正の静電気（３）と再結合して中和をす
る。かくして半導体上に選択的に静電気を分布せしめる
ことができた。
第２図は、回転ドラムに感光体を設けた静電複写機を示
している。
している。
すなわち回転ドラムの表面部分は導体と半導体との多層
構造に第１図に同様に設けられている。さらに静電発生
源（８）より放出された静電気はドラムの上面に（３）
の如く均一に分布される。さらに光源（７）より物体
（例えは印刷された紙表面）（11）の反射光（５）がス
リット（９）をへてドラム上を照射する。すると照射さ
れた表面領域の半導体中で光起電力を発生し、その負の
電荷の再結合および正の電荷の基板導体への放出によ
り、その照射光（５）に従つて静電気（３）の濃淡
（４）ができる。さらにこの回転ドラムの表面は（１
２）の部分にて炭素粉またはそれと似質の混合物（１．
０〜１００μの粒径）の黒粉体をドラム表面上に分布せ
しめる。するとこの粉体は静電気の量に比例してドラム
表面に付着する、いわゆる「可視化」を行なう。
構造に第１図に同様に設けられている。さらに静電発生
源（８）より放出された静電気はドラムの上面に（３）
の如く均一に分布される。さらに光源（７）より物体
（例えは印刷された紙表面）（11）の反射光（５）がス
リット（９）をへてドラム上を照射する。すると照射さ
れた表面領域の半導体中で光起電力を発生し、その負の
電荷の再結合および正の電荷の基板導体への放出によ
り、その照射光（５）に従つて静電気（３）の濃淡
（４）ができる。さらにこの回転ドラムの表面は（１
２）の部分にて炭素粉またはそれと似質の混合物（１．
０〜１００μの粒径）の黒粉体をドラム表面上に分布せ
しめる。するとこの粉体は静電気の量に比例してドラム
表面に付着する、いわゆる「可視化」を行なう。
さらにこのドラムの回転（スピードは１〜１０秒／回
転）と同じスピードにてこの黒粉体の表面に接して被複
写体例えば新しい紙（13）が移動しこの粉体を被複写体
上に付着せしめる。この後この紙（13）は焼きつけ、定
着をへて複写が完成する。ドラムの表面に残存した粉体
をブラシ（14）により完全に除去した後、その表面は最
初の静電気発生源に至る。
転）と同じスピードにてこの黒粉体の表面に接して被複
写体例えば新しい紙（13）が移動しこの粉体を被複写体
上に付着せしめる。この後この紙（13）は焼きつけ、定
着をへて複写が完成する。ドラムの表面に残存した粉体
をブラシ（14）により完全に除去した後、その表面は最
初の静電気発生源に至る。
第３図は従来の非接合型の光導電性半導体（１）のエネ
ルギバンド図である。図面（Ａ）において、導体（２）
上にＣｄＳ等の半導体（１）が設けられている。さらに
ここに正（＋）の静電気（３）が付加すると、エネルギ
バンドは第３図（Ｂ）の如くにまがる。また光照射によ
り励起（14）しこの静電気に対し電子（15）が再結合を
する。また、ホール（16）は裏面の導体（２）へと放出
される。その結果光照射が行なわれたところは、光照射
の程度に従つて静電気（３）の像が形成される。すなわ
ち、光照射が強いところは（Ａ）のような表面が、また
光照射が弱いところは（Ｄ）のような表面が、また光照
射がないところは（Ｂ）のような表面が設けられる。
ルギバンド図である。図面（Ａ）において、導体（２）
上にＣｄＳ等の半導体（１）が設けられている。さらに
ここに正（＋）の静電気（３）が付加すると、エネルギ
バンドは第３図（Ｂ）の如くにまがる。また光照射によ
り励起（14）しこの静電気に対し電子（15）が再結合を
する。また、ホール（16）は裏面の導体（２）へと放出
される。その結果光照射が行なわれたところは、光照射
の程度に従つて静電気（３）の像が形成される。すなわ
ち、光照射が強いところは（Ａ）のような表面が、また
光照射が弱いところは（Ｄ）のような表面が、また光照
射がないところは（Ｂ）のような表面が設けられる。
本発明はかかるＣｄＳ等の半導体ではなく、非単結晶の
珪素半導体または珪素と炭素、窒素または酸素が添加さ
れた半導体または半絶縁体を用いたことを主な特徴とし
ている。そしてこの半導体または半絶縁体はそれ自体が
公害物質ではなく、またＣ、Ｎを添加することにより絶
縁性が増加し、その結果半導体層の必要な厚さを従来の
１／３〜１／１０にまでうすくでき、加えてドラムとし
ての耐摩耗性にすぐれる。
珪素半導体または珪素と炭素、窒素または酸素が添加さ
れた半導体または半絶縁体を用いたことを主な特徴とし
ている。そしてこの半導体または半絶縁体はそれ自体が
公害物質ではなく、またＣ、Ｎを添加することにより絶
縁性が増加し、その結果半導体層の必要な厚さを従来の
１／３〜１／１０にまでうすくでき、加えてドラムとし
ての耐摩耗性にすぐれる。
かかる半導体または半絶縁体の層の作製は以下の如く行
なつた。
なつた。
ＳｉＨ４，ＳｉＨ２Ｃｌ２，ＳｉＣｌ４，ＳｉＦ４を
（40）より導入する。さらにＰ型半導体を形成する場合
にはIII価の不純物であるＢ２Ｈ６，ＩｎＣｌ３を同時
にヘリユウム等により希釈して導入する。さらに、この
ドラム（４２）は直径20〜40cm、長さ250〜500cmを有し
ているためにこのドラム（４２）を０．１〜１回／秒の
速度にて回転させた。このドラムの表面はアルミニユウ
ムまたはその化合物よりなる。表面の酸化アルミニウム
に珪化物気体を被膜化する前に、真空中でプラズマスパ
ツタにて、ＡｒまたはＡｒおよびH2との混合気体により
被膜の被形成面をクリーニングして酸化物または汚物を
除去した。さらに、これに珪化物気体例えば、Ｓｉ
Ｈ4，ＳｉｎＨ2n+2′（ｎ≧２），ＳｉＦ４等を電極
（４７）の中央部にあるノズル（４８）より導入し、プ
ラズマを０．０１〜５０ＭＨｚ、または１〜１０ＧＨｚ
の周波数、１００Ｗ〜１ＫＷのパワーで加え、第４図
（Ｂ）の如くドラム（４２）と電極（４７）との間にプ
ラズマ化を生ぜしめた。反応性気体がノズル（４８）よ
り放出され、すべてが反応してその生成物がドラム上に
被着するよう、このドラムを２００〜５００℃に加熱し
つつ、かつＤＣプラズマＣＶＤをこのドラムと電極（４
７）との間で行なう。かくするとの反応炉（５０）の内
壁には珪化物の被着が少なく、単純な平行平板型のグロ
ー放電法またはアーク放電法を利用した珪素に水素また
は水素とフツ素の如きハロゲン元素が添加された非結晶
質珪素を利用する方法に比べて、材料収率を１５％より
９０〜９５％に向上でき、材料の有効利用ができ、低コ
スト化をはかることができた。
（40）より導入する。さらにＰ型半導体を形成する場合
にはIII価の不純物であるＢ２Ｈ６，ＩｎＣｌ３を同時
にヘリユウム等により希釈して導入する。さらに、この
ドラム（４２）は直径20〜40cm、長さ250〜500cmを有し
ているためにこのドラム（４２）を０．１〜１回／秒の
速度にて回転させた。このドラムの表面はアルミニユウ
ムまたはその化合物よりなる。表面の酸化アルミニウム
に珪化物気体を被膜化する前に、真空中でプラズマスパ
ツタにて、ＡｒまたはＡｒおよびH2との混合気体により
被膜の被形成面をクリーニングして酸化物または汚物を
除去した。さらに、これに珪化物気体例えば、Ｓｉ
Ｈ4，ＳｉｎＨ2n+2′（ｎ≧２），ＳｉＦ４等を電極
（４７）の中央部にあるノズル（４８）より導入し、プ
ラズマを０．０１〜５０ＭＨｚ、または１〜１０ＧＨｚ
の周波数、１００Ｗ〜１ＫＷのパワーで加え、第４図
（Ｂ）の如くドラム（４２）と電極（４７）との間にプ
ラズマ化を生ぜしめた。反応性気体がノズル（４８）よ
り放出され、すべてが反応してその生成物がドラム上に
被着するよう、このドラムを２００〜５００℃に加熱し
つつ、かつＤＣプラズマＣＶＤをこのドラムと電極（４
７）との間で行なう。かくするとの反応炉（５０）の内
壁には珪化物の被着が少なく、単純な平行平板型のグロ
ー放電法またはアーク放電法を利用した珪素に水素また
は水素とフツ素の如きハロゲン元素が添加された非結晶
質珪素を利用する方法に比べて、材料収率を１５％より
９０〜９５％に向上でき、材料の有効利用ができ、低コ
スト化をはかることができた。
反応炉内は珪化物気体特にシランを３〜３０％Ｈｅ＝９
５〜７０％とし、さらにＰ型またはＰ+型の層とするに
はＢ２Ｈ６またはＩｎＣｌ３を０．１〜５％導入でき
る。またＮ型の層を作るにはＰＨ３，ＳｂＣｌ５を同様
に同時に混入せしめた。その場合はその量に相当する希
釈材であるヘリユウムを少なくした。ヘリユウムはすべ
ての気体中最も軽くかつ熱伝導率がＡｒ等に比べて約３
倍も大きく、反応炉内の均熱化すなわち被膜の膜厚の均
一化にきわめて好ましい希釈ガスであつた。
５〜７０％とし、さらにＰ型またはＰ+型の層とするに
はＢ２Ｈ６またはＩｎＣｌ３を０．１〜５％導入でき
る。またＮ型の層を作るにはＰＨ３，ＳｂＣｌ５を同様
に同時に混入せしめた。その場合はその量に相当する希
釈材であるヘリユウムを少なくした。ヘリユウムはすべ
ての気体中最も軽くかつ熱伝導率がＡｒ等に比べて約３
倍も大きく、反応炉内の均熱化すなわち被膜の膜厚の均
一化にきわめて好ましい希釈ガスであつた。
さらにＨｅはイオン化する時の電離電圧が２１ｅＶもあ
り他の気体の１２〜１５ｅＶに比べきわめて大きく、結
果としてプラズマ状態の持続に対してもその寄与が大で
あつた。
り他の気体の１２〜１５ｅＶに比べきわめて大きく、結
果としてプラズマ状態の持続に対してもその寄与が大で
あつた。
さらにこの形成される被膜を半導体ではなく半絶縁体と
するためには同時にメタンまたはアンモニアを添加し
た。するとＳｉＣ1-x（０≦ｘ＜１）またはＳｉ３Ｎ4-x
（０＜ｘ＜４）が形成され、窒素が１〜３０モル％添加
させると、その被膜はＥｇが２．０〜３．０ｅＶと珪素
の１．０〜１．８ｅＶよりも大きくすることができた。
加えて耐摩耗性も向上し、本発明の静電複写機は単純な
珪素ではなく、炭素または窒素が１〜５０モル％添加さ
れ、特にこの半導体の静電気が吸着する表面またはその
近傍に炭素または窒素の添加量を大にしてＳｉＣ1-x、
Ｓｉ３Ｎ4-xにおいてｘを小さくし、エネルギバンド幅
を広くし耐摩耗性を向上させた。
するためには同時にメタンまたはアンモニアを添加し
た。するとＳｉＣ1-x（０≦ｘ＜１）またはＳｉ３Ｎ4-x
（０＜ｘ＜４）が形成され、窒素が１〜３０モル％添加
させると、その被膜はＥｇが２．０〜３．０ｅＶと珪素
の１．０〜１．８ｅＶよりも大きくすることができた。
加えて耐摩耗性も向上し、本発明の静電複写機は単純な
珪素ではなく、炭素または窒素が１〜５０モル％添加さ
れ、特にこの半導体の静電気が吸着する表面またはその
近傍に炭素または窒素の添加量を大にしてＳｉＣ1-x、
Ｓｉ３Ｎ4-xにおいてｘを小さくし、エネルギバンド幅
を広くし耐摩耗性を向上させた。
かくすることにより静電気のリークによる漸減が少な
く、静電気を長時間半導体上または半絶縁体上に保存す
ることができた。
く、静電気を長時間半導体上または半絶縁体上に保存す
ることができた。
炭化物気体を導入するのにＭＯ（金属有機物）であるテ
トラメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）４）（ＢＰ２６．４
℃），テトラエチルシラン（ＳｉＣ２Ｈ５）４）（ＢＰ
１５３℃）を用いてもよい。かかる炭素、珪素化合物を
用いると、形成された半導体または半絶縁体中に珪素ま
たは炭素のクラスタが存在し半導体特性をさまたげると
いう心配がなく、きわめて好ましいものであつた。
トラメチルシラン（Ｓｉ（ＣＨ３）４）（ＢＰ２６．４
℃），テトラエチルシラン（ＳｉＣ２Ｈ５）４）（ＢＰ
１５３℃）を用いてもよい。かかる炭素、珪素化合物を
用いると、形成された半導体または半絶縁体中に珪素ま
たは炭素のクラスタが存在し半導体特性をさまたげると
いう心配がなく、きわめて好ましいものであつた。
第５図は静電複写機における本発明の半導体のエネルギ
バンド図による動作原理を示す。
バンド図による動作原理を示す。
図面において半導体（１）は導体（２）に接してＰ型半
導体または半絶縁体による第１の層（３１）、真性また
は実質的に真性の第２の層（３２）およびＮ型の第３の
層（３３）を有しており、各層間の遷移領域（３７），
（３６）が構成されている。さらにこれら第１，第２お
よび第３の層の伝導帯（３８）価電子帯（３９）は連続
しており、エネルギバンド的にキンク、デイツプ等の不
連続性を有していない。
導体または半絶縁体による第１の層（３１）、真性また
は実質的に真性の第２の層（３２）およびＮ型の第３の
層（３３）を有しており、各層間の遷移領域（３７），
（３６）が構成されている。さらにこれら第１，第２お
よび第３の層の伝導帯（３８）価電子帯（３９）は連続
しており、エネルギバンド的にキンク、デイツプ等の不
連続性を有していない。
エネルギバンド幅は、光照射で励起した電子の表面への
ドリフトまたはホールの裏面へのドリフトを助長するた
めの内部電界を構成させるため、広いエネルギバンド幅
（ＷＩＤＥ）の第１の層（３１）−せまいエネルギバン
ド幅の（ＮＡＬＬＯＷ）第２の層（３２）−広いエネル
ギバンド幅の第３の層（３３）がＰ（３１）−Ｉ（３
２）−Ｎ（３３）接合を構成して設けられている。
ドリフトまたはホールの裏面へのドリフトを助長するた
めの内部電界を構成させるため、広いエネルギバンド幅
（ＷＩＤＥ）の第１の層（３１）−せまいエネルギバン
ド幅の（ＮＡＬＬＯＷ）第２の層（３２）−広いエネル
ギバンド幅の第３の層（３３）がＰ（３１）−Ｉ（３
２）−Ｎ（３３）接合を構成して設けられている。
かくの如き内部電界ができたため、ホールの裏面導体
（２）への拡散が従来に比べて１０2〜１０4倍も速くな
り、結果としてこの半導体（１）を従来より１／２〜１
／３の厚さの１００〜１０μ±２０μにすることが可能
になり、省資源の面より好ましい。加えて厚さがうすく
なったため裏面導体との熱ストレスによるクラック等の
発生も少なくなり、より好ましかった。またこの裏面の
導体をアルミニュウムとし軽量化を図った。これによ
り、このドラムの半導体の作製が、プラズマＣＶＤ法に
より３００〜６５０℃の温度にて作製する場合にオーム
接触用シンターの作製と同時に実施できた。
（２）への拡散が従来に比べて１０2〜１０4倍も速くな
り、結果としてこの半導体（１）を従来より１／２〜１
／３の厚さの１００〜１０μ±２０μにすることが可能
になり、省資源の面より好ましい。加えて厚さがうすく
なったため裏面導体との熱ストレスによるクラック等の
発生も少なくなり、より好ましかった。またこの裏面の
導体をアルミニュウムとし軽量化を図った。これによ
り、このドラムの半導体の作製が、プラズマＣＶＤ法に
より３００〜６５０℃の温度にて作製する場合にオーム
接触用シンターの作製と同時に実施できた。
さらに第５図（Ａ）におけるこの半導体（１）の表面に
第１図（Ｂ）に示す如く正の静電気（３）を帯電させる
と、第５図（Ｂ）の如くに表面のバンドが下側に下が
る。また選択的に光照射を第１図（Ｃ）の如くに行なう
と光励起された電子（１５）はドリフトして表面の静電
気（３）と再結合する。またホール（１６）は裏面にＰ
−Ｉ−Ｎ接合の接合電界とＷＩＤＥ−ＴＯ−ＮＡＬＬＯ
Ｗ−ＴＯ−ＷＩＤＥの構造による内部電界により急速に
導体（２）に放電する。
第１図（Ｂ）に示す如く正の静電気（３）を帯電させる
と、第５図（Ｂ）の如くに表面のバンドが下側に下が
る。また選択的に光照射を第１図（Ｃ）の如くに行なう
と光励起された電子（１５）はドリフトして表面の静電
気（３）と再結合する。またホール（１６）は裏面にＰ
−Ｉ−Ｎ接合の接合電界とＷＩＤＥ−ＴＯ−ＮＡＬＬＯ
Ｗ−ＴＯ−ＷＩＤＥの構造による内部電界により急速に
導体（２）に放電する。
そしてその電界に従って静電気（３）が第５図（Ｄ）に
示す如くに残存し、光照射がない領域は第５図（Ｂ）
に、また光照射が強い領域は第５図（Ａ）を選択的に形
成させることができる。
示す如くに残存し、光照射がない領域は第５図（Ｂ）
に、また光照射が強い領域は第５図（Ａ）を選択的に形
成させることができる。
本発明はこのＰＩＮ構造においてその材料を珪素それ自
体よりもむしろそこに炭素または窒素を添加してＳｉＣ
ｌ-x（０≦ｘ＜１）（Ｘ＝１とすると珪素のみにな
る）、Ｓｉ３Ｎ4-x（０＜ｘ＜４）（ただしＸ＝４とす
ると珪素のみになる）とし、高い抵抗性を有する半導体
または半絶縁体とし、また第１および第３の層には炭素
において１０〜５０モル％、窒素において５〜３０モル
％を添加し、第２の層には炭素において１〜２０モル
％、窒素において０．１〜５モル％を添加することによ
り、光照射時のＳ／Ｎ比を増大できた。また第２の層の
厚さを１／５〜１／２０にうすく、１〜５０μであって
も静電気の保持を１０−５０秒〜１−５分とすることが
できた。さらに第３の層は耐摩耗性にすぐれた炭化珪素
（ＳｉＣ１-x（０≦ｘ＜１））または窒化珪素（Ｓｉ３
Ｎ4-x（０＜ｘ＜４））を用いることにより１０4〜１０
6回の静電複写を行なっても静電気の保持特性に劣化が
みられなかった。
体よりもむしろそこに炭素または窒素を添加してＳｉＣ
ｌ-x（０≦ｘ＜１）（Ｘ＝１とすると珪素のみにな
る）、Ｓｉ３Ｎ4-x（０＜ｘ＜４）（ただしＸ＝４とす
ると珪素のみになる）とし、高い抵抗性を有する半導体
または半絶縁体とし、また第１および第３の層には炭素
において１０〜５０モル％、窒素において５〜３０モル
％を添加し、第２の層には炭素において１〜２０モル
％、窒素において０．１〜５モル％を添加することによ
り、光照射時のＳ／Ｎ比を増大できた。また第２の層の
厚さを１／５〜１／２０にうすく、１〜５０μであって
も静電気の保持を１０−５０秒〜１−５分とすることが
できた。さらに第３の層は耐摩耗性にすぐれた炭化珪素
（ＳｉＣ１-x（０≦ｘ＜１））または窒化珪素（Ｓｉ３
Ｎ4-x（０＜ｘ＜４））を用いることにより１０4〜１０
6回の静電複写を行なっても静電気の保持特性に劣化が
みられなかった。
第６図は本発明の他の実施例を示す。
図面において（Ａ）は半導体または半絶縁体（１）に対
しＰＩＮ構造であって、かつＷ（３１）−Ｎ（３２）−
Ｗ（３３）とし、第３の層（３３）はＮまたはＮ-、第
１の層Ｐ+としたものである。第６図（Ｂ）は同様であ
るが第３の層（３３）をＮ+としたものである。
しＰＩＮ構造であって、かつＷ（３１）−Ｎ（３２）−
Ｗ（３３）とし、第３の層（３３）はＮまたはＮ-、第
１の層Ｐ+としたものである。第６図（Ｂ）は同様であ
るが第３の層（３３）をＮ+としたものである。
第６図（Ｃ）は第３の層（３３）の上面に炭化珪素（Ｓ
ｉＣ）または窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）になる絶縁物を電
流を流しうる厚さすなわち１０〜１０００Ａ（オングス
トローム）の厚さに設け、静電気の保持特性を向上させ
たものである。
ｉＣ）または窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）になる絶縁物を電
流を流しうる厚さすなわち１０〜１０００Ａ（オングス
トローム）の厚さに設け、静電気の保持特性を向上させ
たものである。
すなわち第６図（Ｃ）は半導体層（３２）とその上面の
半絶縁体（３３）よりなり、さらにその上面には電流を
流しうる厚さの窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）が３０〜１００
Ａの厚さで形成されている。この窒化珪素はエネルギバ
ンド幅が５．０ｅＶであり、酸化珪素に比べてかたく耐
摩耗性にすぐれているに加えて、その厚さを３０〜１０
０Ａと厚くしても電流を流すことができる。このため酸
化珪素の保護膜に比べて２つの特徴を有し、本発明にお
いては第１図の反応炉に対しシランの導入を中止して、
アンモニアのみを導入しプラズマ化し、この半導体また
は半絶縁体の表面を炭化または窒化すればよい。
半絶縁体（３３）よりなり、さらにその上面には電流を
流しうる厚さの窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）が３０〜１００
Ａの厚さで形成されている。この窒化珪素はエネルギバ
ンド幅が５．０ｅＶであり、酸化珪素に比べてかたく耐
摩耗性にすぐれているに加えて、その厚さを３０〜１０
０Ａと厚くしても電流を流すことができる。このため酸
化珪素の保護膜に比べて２つの特徴を有し、本発明にお
いては第１図の反応炉に対しシランの導入を中止して、
アンモニアのみを導入しプラズマ化し、この半導体また
は半絶縁体の表面を炭化または窒化すればよい。
第６図の実施例においても、第５図の場合と同様に、各
層間に遷移領域を設け、第１、第２、第３の層の伝導帯
と価電子帯を連続的に変化させて、エネルギバンド的に
キンク、ディップ等の不連続性を除いてある。
層間に遷移領域を設け、第１、第２、第３の層の伝導帯
と価電子帯を連続的に変化させて、エネルギバンド的に
キンク、ディップ等の不連続性を除いてある。
第５図及び第６図の実施例において、連続的変化の層構
成は次のように実施された。
成は次のように実施された。
珪素を主成分とする非単結晶半導体の第１の層（第１の
非単結晶層ともいう）第２の層（第２の非単結晶層とも
いう）及び第３の層（第３の非単結晶層ともいう）を形
成するための減圧化学気相推積法において、反応炉を用
い、その反応炉内を０．００１ｔｏｒｒまで真空引きが
できるような真空ポンプを用いて、その反応炉内に、導
電性基板を配し、そしてその反応炉内を０．０１〜１０
ｔｏｒｒの真空状態にし、次に、その状態で、反応炉内
に、上述した反応性気体を必要に応じて不純物用気体と
ともに流し、この場合基板を１．０〜５０ＭＨｚの周波
数を有する高周波を用いた誘導加熱によつて、または幅
射熱による加熱によって３５０〜９００℃の温度に加熱
して、反応性気体を励起または分解し、そして、基板上
に珪素を推積させた。
非単結晶層ともいう）第２の層（第２の非単結晶層とも
いう）及び第３の層（第３の非単結晶層ともいう）を形
成するための減圧化学気相推積法において、反応炉を用
い、その反応炉内を０．００１ｔｏｒｒまで真空引きが
できるような真空ポンプを用いて、その反応炉内に、導
電性基板を配し、そしてその反応炉内を０．０１〜１０
ｔｏｒｒの真空状態にし、次に、その状態で、反応炉内
に、上述した反応性気体を必要に応じて不純物用気体と
ともに流し、この場合基板を１．０〜５０ＭＨｚの周波
数を有する高周波を用いた誘導加熱によつて、または幅
射熱による加熱によって３５０〜９００℃の温度に加熱
して、反応性気体を励起または分解し、そして、基板上
に珪素を推積させた。
本発明において炭素、酸素または窒素が添加され、Ｐ型
またはＮ型の第１のエネルギバンドを有する水素または
弗素または塩素の添加された第１の非単結晶層と、第２
のエネルギバンド幅を有する水素またはハロゲン元素が
添加された真性または実質的に真性の第２の非単結晶層
との間のエネルギバンド幅を連続的に減少させるには、
被膜形成速度を０．１〜１０ｍ／分と調整し、ＳｉＣ
1-x、Ｓｉ３Ｎ4-x、ＳｉＯ2-xを連続的に変化させるよ
うに添加物気体の量をＯＮ／ＯＦＦに調整または連続的
に調整した。また、第２の非単結晶層から、Ｎ型または
Ｐ型の第３のエネルギバンドを有する水素または弗素ま
たは塩素とが添加された第３の非単結晶層へエネルギバ
ンド幅を連続的に増大させるのに同様の調整を行った。
これによりエネルギバンドは伝導帯、価電子帯ともにあ
る独立階段的な連続性を、または、なめらかな連続性を
有し形成させることができた。
またはＮ型の第１のエネルギバンドを有する水素または
弗素または塩素の添加された第１の非単結晶層と、第２
のエネルギバンド幅を有する水素またはハロゲン元素が
添加された真性または実質的に真性の第２の非単結晶層
との間のエネルギバンド幅を連続的に減少させるには、
被膜形成速度を０．１〜１０ｍ／分と調整し、ＳｉＣ
1-x、Ｓｉ３Ｎ4-x、ＳｉＯ2-xを連続的に変化させるよ
うに添加物気体の量をＯＮ／ＯＦＦに調整または連続的
に調整した。また、第２の非単結晶層から、Ｎ型または
Ｐ型の第３のエネルギバンドを有する水素または弗素ま
たは塩素とが添加された第３の非単結晶層へエネルギバ
ンド幅を連続的に増大させるのに同様の調整を行った。
これによりエネルギバンドは伝導帯、価電子帯ともにあ
る独立階段的な連続性を、または、なめらかな連続性を
有し形成させることができた。
再結合中心中和用の不純物の添加は、電気的な反応性気
体の活性化と同時に添加される水素またはハロゲン元素
を活性化することにより成就する方法を用いた。さら
に、炭素ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６等の炭化物気体、酸素は
Ｈ２、Ｏ、Ｏ２等の酸化物気体、窒素はアンモニア、ヒ
ドラジン等の窒化物体を前述の反応性気体に含ませる。
これら混合物としてＮ２Ｏ、ＮＯ２、ＣＨ３ＯＨその他
のアルコール類ＣＯ２、ＣＯ等を水素等のキヤリアガス
を用いた反応炉内に導入し、さらに添加物を窒素と酸素
または炭素と酸素というように２種類以上添加してもよ
い。しかし半導体被膜を、Ｐ型、Ｎ型の導電形にするた
めには、炭素を添加した炭化珪素被膜が、最も形成しや
すい。これらの添加物を珪素膜作製と同時に電気または
電気と熱とを併用して実施することにより添加すると、
これらの添加物の化学量論比に応じて半導体は１．１ｅ
Ｖから３ｅＶ（ＳｉＣ）、５．５ｅＶ（Ｓｉ3Ｎ4）、８
ｅＶ（ＳｉＯ2）の中間の値を得ることができた。この
被膜のＥｇはモノクロメータまたは光励起法により測定
した。
体の活性化と同時に添加される水素またはハロゲン元素
を活性化することにより成就する方法を用いた。さら
に、炭素ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６等の炭化物気体、酸素は
Ｈ２、Ｏ、Ｏ２等の酸化物気体、窒素はアンモニア、ヒ
ドラジン等の窒化物体を前述の反応性気体に含ませる。
これら混合物としてＮ２Ｏ、ＮＯ２、ＣＨ３ＯＨその他
のアルコール類ＣＯ２、ＣＯ等を水素等のキヤリアガス
を用いた反応炉内に導入し、さらに添加物を窒素と酸素
または炭素と酸素というように２種類以上添加してもよ
い。しかし半導体被膜を、Ｐ型、Ｎ型の導電形にするた
めには、炭素を添加した炭化珪素被膜が、最も形成しや
すい。これらの添加物を珪素膜作製と同時に電気または
電気と熱とを併用して実施することにより添加すると、
これらの添加物の化学量論比に応じて半導体は１．１ｅ
Ｖから３ｅＶ（ＳｉＣ）、５．５ｅＶ（Ｓｉ3Ｎ4）、８
ｅＶ（ＳｉＯ2）の中間の値を得ることができた。この
被膜のＥｇはモノクロメータまたは光励起法により測定
した。
その結果、エネルギバンド幅の変化により、例えば光照
射で励起した電子の表面（光照射部分）へのドリフト、
またはホールの裏面へのドリフトを助長するための内部
電界が形成された。
射で励起した電子の表面（光照射部分）へのドリフト、
またはホールの裏面へのドリフトを助長するための内部
電界が形成された。
なお、第５図（Ｃ）に示すように、表面近くで光励起し
た電子（１５）は、表面に移動しやすいが、ホール（１
６）は裏面から遠いので、裏面への移動に内部電界が有
効に作用する。そして、本発明に係る感光体では、第２
の層で発生したキャリア、すなわち電子やホールの移動
が主として問題となるので、内部電界が有効に作用す
る。
た電子（１５）は、表面に移動しやすいが、ホール（１
６）は裏面から遠いので、裏面への移動に内部電界が有
効に作用する。そして、本発明に係る感光体では、第２
の層で発生したキャリア、すなわち電子やホールの移動
が主として問題となるので、内部電界が有効に作用す
る。
また、異なるＥｇの非単結晶層の間においてエネルギバ
ンド幅が連続して増加あるいは減少する遷移領域におい
ては、Ｅｇのエッジである伝導帯および価電子帯には、
キンク、ディップ等は存在しないまたは実質的に存在し
ない。このために、第２の非単結晶層において光励起で
発生したキャリア、すなわち電子やホールが、再結合電
界により感光体表面及び裏面に移動するときに、この領
域で再結合により消滅してしまうことが実質的に無い。
また、比較的厚い第２の非単結晶層から第１の非単結晶
層や第３の非単結晶層を介してキャリアを取り出すこと
を促進できる。
ンド幅が連続して増加あるいは減少する遷移領域におい
ては、Ｅｇのエッジである伝導帯および価電子帯には、
キンク、ディップ等は存在しないまたは実質的に存在し
ない。このために、第２の非単結晶層において光励起で
発生したキャリア、すなわち電子やホールが、再結合電
界により感光体表面及び裏面に移動するときに、この領
域で再結合により消滅してしまうことが実質的に無い。
また、比較的厚い第２の非単結晶層から第１の非単結晶
層や第３の非単結晶層を介してキャリアを取り出すこと
を促進できる。
さらに、本発明では、特にＰまたはＮ型の第１の非単結
晶層及び第３の非単結晶層のエネルギバンドギャップ幅
を大きくして、基板側及び表面側から入り込む電子やホ
ールに対しては、大きな障壁とした。これにより、外乱
となる電子やホールの混入を防止できる。
晶層及び第３の非単結晶層のエネルギバンドギャップ幅
を大きくして、基板側及び表面側から入り込む電子やホ
ールに対しては、大きな障壁とした。これにより、外乱
となる電子やホールの混入を防止できる。
以上の説明より明らかな如く、本発明は従来のＣｄＳ等
の化合物半導体を用いた静電複写機に比べて、安価な珪
素を主成分とした半導体とした。その半導体中特にその
表面またはその近傍に窒素を添加してかたくし耐摩耗性
を向上し、さらに静電気のリークを半導体を半絶縁化す
ることにより防止した。導体基板またはドラム近傍には
Ｐ型の半導体を設け、Ｐ−Ｉ，接合を作ることにより内
部電界を発生せしめ、Ｓ／Ｎ比を向上させた。
の化合物半導体を用いた静電複写機に比べて、安価な珪
素を主成分とした半導体とした。その半導体中特にその
表面またはその近傍に窒素を添加してかたくし耐摩耗性
を向上し、さらに静電気のリークを半導体を半絶縁化す
ることにより防止した。導体基板またはドラム近傍には
Ｐ型の半導体を設け、Ｐ−Ｉ，接合を作ることにより内
部電界を発生せしめ、Ｓ／Ｎ比を向上させた。
本発明の電子写真用感光体においては、真性または実質
的に真性の珪素半導体の第２の非単結晶層を挟んだＰ型
またはＮ型の第１の非単結晶層とＮ型またはＰ型の第３
の非単結晶層が、それぞれ第２の非単結晶層に対しエネ
ルギバンドギャップ幅が連続的に変化して接合されてお
り、且つ第２の非単結晶層より大きなエネルギバンドギ
ャップ幅を有している。このために、比較的厚い第２の
非単結晶層の中で光照射により発生したキャリアが、感
光体の表面（光照射部分）及び基体へのキャリアの移動
に際し、これを促進すると共に、これらが消滅してしま
うことを防止でき、且つ外部からの電子やホールの侵入
に対し大きな障壁が形成されている。
的に真性の珪素半導体の第２の非単結晶層を挟んだＰ型
またはＮ型の第１の非単結晶層とＮ型またはＰ型の第３
の非単結晶層が、それぞれ第２の非単結晶層に対しエネ
ルギバンドギャップ幅が連続的に変化して接合されてお
り、且つ第２の非単結晶層より大きなエネルギバンドギ
ャップ幅を有している。このために、比較的厚い第２の
非単結晶層の中で光照射により発生したキャリアが、感
光体の表面（光照射部分）及び基体へのキャリアの移動
に際し、これを促進すると共に、これらが消滅してしま
うことを防止でき、且つ外部からの電子やホールの侵入
に対し大きな障壁が形成されている。
この結果、感光体表面に対し、光照射が選択的に行われ
た部分について、光励起されたキャリアが感光体表面に
おける光照射部分の静電荷と再結合することが充分に行
われて、消滅させるべき静電荷が残ってしまうことがな
くなる。また、外部から入ってくる電子やホールに対す
る障壁は、これらの電子やホールが感光体表面に残すべ
き静電荷（光照射のない部分）と結合してしまうおそれ
や感光体表面の静電荷がその位置を変えたり、感光体内
に入り込んでしまうおそれを防止する。従って、感光体
表面において静電荷の残留及び消去が選択的光照射の通
りに行われる。すなわちＳ／Ｎ比を向上する効果が達成
される。
た部分について、光励起されたキャリアが感光体表面に
おける光照射部分の静電荷と再結合することが充分に行
われて、消滅させるべき静電荷が残ってしまうことがな
くなる。また、外部から入ってくる電子やホールに対す
る障壁は、これらの電子やホールが感光体表面に残すべ
き静電荷（光照射のない部分）と結合してしまうおそれ
や感光体表面の静電荷がその位置を変えたり、感光体内
に入り込んでしまうおそれを防止する。従って、感光体
表面において静電荷の残留及び消去が選択的光照射の通
りに行われる。すなわちＳ／Ｎ比を向上する効果が達成
される。
本発明の実施例においては正の静電気を帯びさせる場合
を主として記した。しかし負の静電気を帯びさせる場合
は接合をＰ（第３の層）−Ｉ（第２の層）−Ｎ（第１の
層）とするべき導体上の第１の半導体層の導電型を定め
ればよく、全く逆符号の関係になる。
を主として記した。しかし負の静電気を帯びさせる場合
は接合をＰ（第３の層）−Ｉ（第２の層）−Ｎ（第１の
層）とするべき導体上の第１の半導体層の導電型を定め
ればよく、全く逆符号の関係になる。
さらにこのドラム上での半導体または半絶縁体の被膜化
をドラムを回転しながらＤＣプラズマを利用して減圧Ｃ
ＶＤ法を用いたため、材料の反応炉の壁への付着による
ロスを少くした等の特徴と有するもので、工学的にきわ
めて重要であると信じる。
をドラムを回転しながらＤＣプラズマを利用して減圧Ｃ
ＶＤ法を用いたため、材料の反応炉の壁への付着による
ロスを少くした等の特徴と有するもので、工学的にきわ
めて重要であると信じる。
第１図は、本発明の感光体における静電気の局部的な帯
電の原理を示した説明図である。 第２図は、本発明の応用にかかるドラム式の静電複写機
の原理を示した説明図である。 第３図は、従来の感光体のエネルギバンド図を示す説明
図である。 第４図は、本発明の複写機を作るための製造装置の原理
を示す説明図である。 第５図は、本発明の実施例の感光体のエネルギバンド図
を示す説明図である。 第６図は、本発明の他の実施例の感光体のエネルギバン
ド図を示す説明図である。
電の原理を示した説明図である。 第２図は、本発明の応用にかかるドラム式の静電複写機
の原理を示した説明図である。 第３図は、従来の感光体のエネルギバンド図を示す説明
図である。 第４図は、本発明の複写機を作るための製造装置の原理
を示す説明図である。 第５図は、本発明の実施例の感光体のエネルギバンド図
を示す説明図である。 第６図は、本発明の他の実施例の感光体のエネルギバン
ド図を示す説明図である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−24355（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−24356（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−62254（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−145537（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−4150（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−115573（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−146142（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−11329（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】金属導体の円筒状ドラム上に水素、弗素、
あるいは塩素を含み、ホウ素あるいはインジューム、ま
たはリンあるいはアンチモンが添加され、かつ窒素、炭
素または酸素が添加された珪素を主成分としたＰ型若し
くはＮ型の半導体または半絶縁体の第１の非単結晶層
と、第１の非単結晶層の上に形成され、水素、弗素、あ
るいは塩素を含み、真性または実質的に真性の珪素半導
体の第２の非単結晶層と、第２の非単結晶層の上に形成
され、前記第１の非単結晶層とは異なる導電型で、珪素
を主成分として水素、弗素あるいは塩素を含み、さらに
炭素が添加されたＮ型若しくはＰ型の珪素半導体または
半絶縁体の第３の非単結晶層を有し、第１の非単結晶層
及び第３の非単結晶層のエネルギバンド幅は、第２の非
単結晶層のエネルギバンド幅より大きく、エネルギバン
ド幅に広−狭−広の構造を形成し、第１の非単結晶層と
第２の非単結晶層との境界において窒素、炭素または酸
素の量が連続的に減少することにより、第１の非単結晶
層のエネルギバンドから第２の非単結晶層のエネルギバ
ンドに連続的に変化し、さらに第２の非単結晶層と第３
の非単結晶層の境界において、炭素の量が連続的に増加
することにより、第２の非単結晶のエネルギバンドから
第３の非単結晶層のエネルギバンドに連続的に変化して
いることを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56087767A JPH0629977B2 (ja) | 1981-06-08 | 1981-06-08 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56087767A JPH0629977B2 (ja) | 1981-06-08 | 1981-06-08 | 電子写真用感光体 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5346709A Division JP2585964B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 感光体の作製方法 |
| JP5346708A Division JP2573150B2 (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | 電子感光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57202546A JPS57202546A (en) | 1982-12-11 |
| JPH0629977B2 true JPH0629977B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=13924111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56087767A Expired - Lifetime JPH0629977B2 (ja) | 1981-06-08 | 1981-06-08 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629977B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0616178B2 (ja) * | 1983-07-19 | 1994-03-02 | 株式会社東芝 | 光導電部材 |
| DE4434766A1 (de) * | 1994-09-29 | 1996-04-04 | Roland Man Druckmasch | Verfahren zum Unterstützen der Bebilderung einer Druckform und Druckform zur Verwendung in einem der Verfahren |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2746967C2 (de) * | 1977-10-19 | 1981-09-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrofotographische Aufzeichnungstrommel |
| JPS54145537A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Preparation of electrophotographic image forming material |
| JPS564150A (en) * | 1979-06-22 | 1981-01-17 | Minolta Camera Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS5624356A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS5624355A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS5662254A (en) * | 1979-10-24 | 1981-05-28 | Canon Inc | Electrophotographic imaging material |
| JPS56115573A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoconductive element |
| JPS56146142A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Hitachi Ltd | Electrophotographic sensitive film |
-
1981
- 1981-06-08 JP JP56087767A patent/JPH0629977B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57202546A (en) | 1982-12-11 |
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|---|---|---|
| JPH0415938B2 (ja) | ||
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