DE3309223A1 - Halbleiterelement mit integrierter schaltung - Google Patents

Halbleiterelement mit integrierter schaltung

Info

Publication number
DE3309223A1
DE3309223A1 DE19833309223 DE3309223A DE3309223A1 DE 3309223 A1 DE3309223 A1 DE 3309223A1 DE 19833309223 DE19833309223 DE 19833309223 DE 3309223 A DE3309223 A DE 3309223A DE 3309223 A1 DE3309223 A1 DE 3309223A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
ground
semiconductor
semiconductor element
electronic circuit
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19833309223
Other languages
English (en)
Other versions
DE3309223C2 (de
DE3309223C3 (de
Inventor
Hajime Takano
Hiromitsu Yamashita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE3309223A1 publication Critical patent/DE3309223A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3309223C2 publication Critical patent/DE3309223C2/de
Publication of DE3309223C3 publication Critical patent/DE3309223C3/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
    • H01L23/5286—Arrangements of power or ground buses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/0802—Resistors only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Description

38 385
MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
Tokyo / Japan
halbleiterelement mit integrierter Schaltung
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterelement mit integrierter Schaltung, insbesondere einen Aufbau mit Masseleiter/- um die gegenseitige elektrische. Beeinflussung zwischen mehreren Masseleitern in einer integrierten Halbleiterschaltung zu vermindern.
Figur 1 zeigt die Masseleiter und eine Elektrodenkonstruktion für die Lötverdrahtung bei einem herkömmlichen Halbleiterelement mit integrierter Schaltung, während Figur einen Querschnitt nach der Linie II-II in Figur 1 wiedergibt. Mit 1 ist ein leitfähiges Halbleitersubstrat (z.B.
ein p-Silicium) bezeichnet; 5 und 6 sind Inselbereiche
zwischen Halbleiterschichten 20 von entgegengesetzter Leitfähigkeitstype (z. B. n-Epitaxialschichten), die so hergestellt sind, daß sie sich von der Substrathauptoberfläche abwärts erstrecken. Diese Inselbereiche sind durch Trennzonen 2, 3 und 4, die jeweils beispielsweise aus einer p-Diffusionsschicht bestehen, voneinander getrennt. Elektronische Schaltungsteile, die jeweils ein Element darstellen (z. B. ein Widerstand als p-Diffusionsschicht, in den Inselbereichen 5 bzw. 6 ausgebildet)
haben die Bezeichnung 7 bzw. 8. Mit 00, 400 und 500 sind 30
Masseleiter bezeichnet, die die jeweiligen elektronischen
Schaltungen verbinden (z. B. eine aufgedampfte Al-Schicht). Eine Masseelektrode 14 (z. B. eine aufgedampfte Al-Schicht) faßt die Masseleiter an einem Punkt zusammen. 26 kennzeichnet eine Isolierschicht (z. B. Siliciumdioxid), 35
während mit 9, 10, 11, 12 und 13 Elektroden bezeichnet sind. R0 und R^ bis R10 sind parasitäre Eigenimpedanzen
33Ü9223
der jeweiligen Schaltungselemente. Gemäß der Zeichnung sind die beiden elektronischen Schaltkreise 7 und 8 voneinander elektrisch getrennt durch Trennbereiche, zu denen auch die Bereiche 2, 3 und 4 gehören. An Masse zu führende Elektroden 10 und 12 sind leitend mit den Elektroden 9 und 11 verbunden, die auf den Trennbereichen 2 und 3 nahe den Elektroden 10 und 11 ausgebildet sind. Außerdem sind die gemeinsamen Masseleiter 00 und 500 leitend mit der Masseanschlußelektrode 14 für einen Drahtleiteranschluß verbunden. Es kann vorausgesetzt werden, daß die elektrischen Potentiale an den Elektroden 9 und 11 gleich dem Potential des Substrats sind.
Es ist jedoch bekannt, daß die elektrischen Bahnen, die auf diese Weise im integrierten Halbleiterschaltungsbauelement ausgebildet sind, endliche Impedanzwerte R0, R,., Rg, R_ und Rg haben. Bei einem wirklichen Ausführungs- · beispiel sind folgende Werte gegeben:
R0 = 50 mjb ; R5 = 1Λ ; Rg = 20A; R7 = 20il; Rg = 50Λ. Nimmt man nun an, daß die Signalströme I- und I0, die
/ O
aus den Schaltungen 7 und 8 fließen, 10 mA betragen und das Potential der Anschlußelektrode 14 Null Volt ist, so erhält man gemäß einem in der Figur 3 wiedergegebenen Ersatzschaltbild, in dem als hinreichend klein anzunehmende Impedanzen weggelassen sind, das Potential V„ am Massepunkt 12 der Schaltungselektrode 8 zu
V8 = R5I5 (1)
R5I5 = R0(I7 + I8 - I5) + (R6 + R7 + R9) (I8- I5)
(2)
R0I7 + (R0 * R6 + R7 + R9) I8
5" R0 + R5 + R6 + R7 + R9 ·'··
5
Bei R0 + R5 + R6 + R7 + R9 = R100 gilt
RnIc (Rn + Rfi + R7 + Rq) R1. V = ü b τ + ° 6 7 9 5 _ ...
8 R1OO '· R1OO 8
man hier die Impedanzen aus dem wirklichen Beispiel und die Signalströme ein, so erhält man
Va = 5,5 χ 1O"6 + 9,9 χ 1O"3 (5)
Der Massepunkt der Schaltung 8 wird deshalb durch die Schaltung 7 durch eine Spannung von 5,5 μν beeinflusst. Dies bedeutet eine Beeinflussung von -45,2 dB (5,5 μν/1 mV) vom Schaltungsteil 7 unter der Annahme, .
daß der Schaltungsteil 8 einen Leitwert gm = 10 ma/1 mV = 10 mS hat. Es versteht sich, daß in manchen Fällen ein derartiger Interferenzpegel· (-4 5,2 dB) nicht vernachlässigt werden kann.
Herkömmliche Masseleiterverbindungen haben also den Nachteil, daß sie Interferenzen in der elektronischen Schaltung hervorrufen, was zu einer Beeinträchtigung der Signalqualität führt, besonders bei Hochfrequenzkreisen mit hoher Verstärkung, und gelegentlich zu Schwingungserscheinungen führt, die die normale Verstärkungsfunktion der Schaltung beeinflussen können.
Zur Beseitigung des Mangels liegt der Erfindung die Auf-OQ gäbe zugrunde, ein Halbleiterelement mit integrierter
Schaltung zu schaffen, bei dem die Masseverbindungen von zwei oder mehr elektronischen Schaltkreisen oder Schaltkreiselementen, die gemeinsam auf einem Halbleitersubstrat ausgebildet sind, nicht notwendigerweise mit dem HaIb-Qg leitersubstrat in der Nähe der ihnen zugeordneten elektronischen Schaltungen verbunden sind, sondern wo wenigstens ein Masseleiter oder nur ein Teil der Masseleiter mit dem Halbleitersubstrat verbunden ist, um
dadurch die gegenseitigen Beeinflussungen zwischen den Elektronikschaltungen zu vermindern oder gänzlich zu unterbinden.
Die Zeichnung zeigt im einzelnen in:
Fig. 1 eine Draufsicht auf die Masseleiteranordnung bei einem herkömmlichen Halbleiterelement mit integrierter Schaltung;
Fig. 2 einen Schnitt nach II-II in Fig. 1;
Fig. 3 ein Ersatzschaltbild der Halbleiterbahnen in Fig. 1;
Fig. 4 eine Draufsicht auf eine erfindungsgemäße Masseleiterausbildung eines Halbleiterelementes mit integrierter Schaltung;
Fig. 5 einen Schnitt nach V-V in Fig. 4;
Fig. 6 das Ersatzschaltbild der Masseleiterbahnen der ■ Fig. 4.
In Figur 4, die ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel· der Erfindung wiedergibt, sind Masseleiter sowie Anordnung und Aufbau der Anschlußelektroden für äußere Leiter einer einzigen in einem Halbleiter integrierten Schaltung gemäß der Erfindung dargestellt, während der Querschnitt nach V-V in Fig. 4 aus der Fig. 5 ersichtlich ist. Sofern Übereinstimmung mit den Einzelheiten aus den Figuren 1 und 2 besteht, sind in den Figuren 4 und 5 dieselben Bezugszeichen verwendet. Zwei elektronische Schaltungen 7 und 8 sind voneinander durch einen Trennungsaufbau, zu dem dj_e Trennungsbereiche 2, 3 und 4 gehören, getrennt. Nur die Masseleitungsverbindung OO der elektronischen Schaltung 7 ist über eine Elektrode 9, die auf einem Trennungsbereich 2 ausgebildet ist, wodurch ein Massepunkt des Substrates 1 gebildet wird, verbunden; der Masseleiter führt an die Masseanschlußelektrode 14.
Der Masseleiter 500 der zweiten elektronischen Schaltung 8 steht nicht mit dem Trennungsbereich 3 in der Nähe der Schaltung 8 in Verbindung sondern ist direkt durch eine Leiterverbindung mit der Masseanschlußelektrode 14 verbunden. Wenngleich die so verdrahtete integrierte Halbleiterschaltung in ihren elektrischen Bahnen eine endliche Tm^danz hat, unterscheidet sie sich insoweit von dem Stand der Technik, als keine Impedanzen Rg, R~ und Rq gemäß Ersatzschaltbild der Fig. 3 vorhanden sind, was dem Ersatzschaltbild der Fig. 6 leicht zu entnehmen ist.
Bei Verwendung der Werte, wie sie für die Ersatzschaltung der Fig. 3 vom Stand der Technik verwendet wurden, gelten für das vorliegende Beispiel RQ = 50 mil und R5 - 1Ä . Nimmt man für die Signalströme I7 und I« jeweils 10 mA und für das Potential der Masseanschlußelektrode 14 Null Volt an, so erhält man für das Potential Vg am Massepunkt 12 der elektronischen Schaltung 8 in Fig. 6
V8 = R5I5 = R5I8 (5)
Das Potential Vg des Massepunktes 12 wird also durch den Strom I- nicht beeinflusst und hängt nur von der
Impedanz R5 und dem Strom I8 ab.
25
In dem einfachen Darstellungsbeispiel sind zwar nur zwei elektronische Schaltkreise aufgeführt, doch ist es leicht verständlich, daß auch bei mehreren elektronischen Schaltkreisen dasselbe grundsätzliche Ergebnis erzielt wird.
Es ist ferner möglich, die Halbleiterschaltkreise so aufzubauen und anzuordnen, daß zwischen mehreren elektronischen Schaltungen keine gegenseitige Beeinflussung auf-
tritt, indem die Masseelektroden und die Masseanschlußelektroden mehrerer elektronischer Schaltkreise in mehrere Gruppen aufgeteilt werden. Die jeweiligen Masseelektroden,
wie die oben beschriebenen Elektroden 9, 11 und 13, können von der Rückfläche des Substrates 1 statt von der Vorderfläche genommen werden.
Wie ausgeführt, wird mit Hilfe der Erfindung die gegenseitige Beeinflussung zwischen elektronischen Schaltkreisen auf einfache Weise dadurch vermindert oder ausgeschlossen, daß nur ein Teil der zahlreichen Masseleiter, die zwei oder mehrere elektronische Schaltkreise, welche auf einem gemeinsamen Halbleitersubstrat ausgebildet sind, mit einer gemeinsamen Masseelektrode verbinden, mit einem Massepunkt des Halbleitersubstrats verbunden ist.
Leerseite

Claims (6)

  1. 38 385
    MITSUBISHI DENKI KABÜSHIKI KAISHA Tokyo / Japan
    Halbleiterelement mit integrierter Schaltung
    PATENTANSPRÜCHE 10
    1J Halbleiterelement mit integrierter Schaltung mit wenigstens zwei elektronischen Schaltungsabschnitten auf einem gemeinsamen Halbleitersubstrat, mehreren Masseleitungen, die mit den elektronischen Schaltungsabschnitten
    verbunden sind, und einer gemeinsamen Masseelektrode, die auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet und mit den Masseleitungen verbunden ist, dadurch gekennzeichnet", . "· · daß nur ein Teil der Anzahl von Masseleitungen (00, 500, 400) mit einem Massepunkt (2) des HalbleiterSubstrats (1) verbunden ist.
  2. 2. Halbleiterelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitersubstrat aus einer ersten Halbleiterschicht einer ersten Leitfähigkeitstype und einer zweiten Halbleiterschicht der entgegengesetzten Leitfähigkeitstype, die auf der ersten Halbleiterschicht ausgebildet ist, aufgebaut ist, wobei die zweite Halbleiterschicht in
    mehrere Inselbereiche (20, 5, 6) durch Trennbereiche(2,3,A-) der ersten Leitfähigkeitstype, welche sich von der Oberfläche des Substrats (1) abwärts erstrecken, aufgeteilt ist, wobei die elektronischen Schaltungsabschnitte (7, 8) auf den einzelnen Inselbereichen (5, 6) ausgebildet sind.
  3. 3. Halbleiterelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Halbleiterschicht eine epitaxial gewachsene Schicht ist und daß die Trennbereiche Störstellendiffusionsschichten sind.
  4. 4. Halbleiterelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Massepunkt des Halbleitersubstrats durch einen Trennbereich (2) gebildet ist.
  5. 5. Halbleiterelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Masseleitung (500) eines elektronischen Schaltungsbereichs (8), der einem elektronischen Schaltungsbereich (7) benachbart ist, dessen Masseleitung mit dem Massepunkt (2) Verbindung hat, mit diesem Massepunkt
    (2) nicht in Verbindung steht.
  6. 6. Halbleiterelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nur eine aus der Anzahl der Masseleitungen mit dem Massepunkt (2) des HalbleiterSubstrats (1) verbunden ist.
DE3309223A 1982-03-15 1983-03-15 Integrierte Halbleiterschaltung Expired - Lifetime DE3309223C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57043531A JPS58157151A (ja) 1982-03-15 1982-03-15 半導体集積回路装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE3309223A1 true DE3309223A1 (de) 1983-10-06
DE3309223C2 DE3309223C2 (de) 1994-05-11
DE3309223C3 DE3309223C3 (de) 1994-05-11

Family

ID=12666320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3309223A Expired - Lifetime DE3309223C3 (de) 1982-03-15 1983-03-15 Integrierte Halbleiterschaltung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4684973A (de)
JP (1) JPS58157151A (de)
DE (1) DE3309223C3 (de)
GB (1) GB2120843A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3532380A1 (de) * 1985-09-11 1987-03-12 Bosch Gmbh Robert Monolithisch integrierte halbleiteranordnung
EP0394878A2 (de) * 1989-04-26 1990-10-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Halbleiteranordnung mit Mehrschichtleiterstruktur

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6341041A (ja) * 1986-08-06 1988-02-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5155570A (en) * 1988-06-21 1992-10-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit having a pattern layout applicable to various custom ICs
US5050238A (en) * 1988-07-12 1991-09-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Shielded front end receiver circuit with IF amplifier on an IC
JPH0251251A (ja) * 1988-08-15 1990-02-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
US4947228A (en) * 1988-09-20 1990-08-07 At&T Bell Laboratories Integrated circuit power supply contact
US4998160A (en) * 1989-01-23 1991-03-05 Motorola, Inc. Substrate power supply contact for power integrated circuits
JPH036662A (ja) * 1989-06-02 1991-01-14 Nec Corp ベクトル処理装置
JPH0380527U (de) * 1989-11-29 1991-08-19
JP3431326B2 (ja) * 1995-02-01 2003-07-28 株式会社東芝 ホール素子および電気量測定装置
US6338973B1 (en) * 1997-08-18 2002-01-15 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device and method of fabrication
JP2008154419A (ja) 2006-12-20 2008-07-03 Ricoh Co Ltd スイッチングレギュレータ及びスイッチングレギュレータを構成する半導体装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3423650A (en) * 1966-07-01 1969-01-21 Rca Corp Monolithic semiconductor microcircuits with improved means for connecting points of common potential
US3488528A (en) * 1966-05-06 1970-01-06 Philips Corp Integrated circuit
US3688165A (en) * 1969-08-27 1972-08-29 Hitachi Ltd Field effect semiconductor devices
US3688132A (en) * 1969-09-11 1972-08-29 Brian Gill A high frequency integrated circuit having circuit elements in separate and mutually spaced isolation regions
DE2523913A1 (de) * 1975-05-30 1976-12-02 Siemens Ag Stromversorgungsnetzwerk fuer flachbaugruppen mit schnellschaltenden bauelementen
US4032962A (en) * 1975-12-29 1977-06-28 Ibm Corporation High density semiconductor integrated circuit layout
DE2603747A1 (de) * 1976-01-31 1977-08-04 Licentia Gmbh Integrierte schaltungsanordnung
DE2616975A1 (de) * 1976-04-17 1977-10-27 Licentia Gmbh Anordnung von nutzsignal- und steuersignalleitungen zum kopplungsarmen verdrahten von halbleiterschaltern
DE2736290B2 (de) * 1976-08-16 1979-06-21 Hitachi, Ltd., Tokio Verdrahtungsunterlage für einen Matrixschaltkreis
DE3039261A1 (de) * 1979-10-26 1981-05-07 Hitachi, Ltd., Tokyo Integrierte halbleiterschaltungsvorrichtung

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52139390A (en) * 1976-05-17 1977-11-21 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device
JPS5618469A (en) * 1979-07-24 1981-02-21 Fujitsu Ltd Semiconductor device

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3488528A (en) * 1966-05-06 1970-01-06 Philips Corp Integrated circuit
US3423650A (en) * 1966-07-01 1969-01-21 Rca Corp Monolithic semiconductor microcircuits with improved means for connecting points of common potential
US3688165A (en) * 1969-08-27 1972-08-29 Hitachi Ltd Field effect semiconductor devices
US3688132A (en) * 1969-09-11 1972-08-29 Brian Gill A high frequency integrated circuit having circuit elements in separate and mutually spaced isolation regions
DE2523913A1 (de) * 1975-05-30 1976-12-02 Siemens Ag Stromversorgungsnetzwerk fuer flachbaugruppen mit schnellschaltenden bauelementen
US4032962A (en) * 1975-12-29 1977-06-28 Ibm Corporation High density semiconductor integrated circuit layout
DE2603747A1 (de) * 1976-01-31 1977-08-04 Licentia Gmbh Integrierte schaltungsanordnung
DE2616975A1 (de) * 1976-04-17 1977-10-27 Licentia Gmbh Anordnung von nutzsignal- und steuersignalleitungen zum kopplungsarmen verdrahten von halbleiterschaltern
DE2736290B2 (de) * 1976-08-16 1979-06-21 Hitachi, Ltd., Tokio Verdrahtungsunterlage für einen Matrixschaltkreis
DE3039261A1 (de) * 1979-10-26 1981-05-07 Hitachi, Ltd., Tokyo Integrierte halbleiterschaltungsvorrichtung

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Elektor", Sept. 1972, S. 928-930 *
EQUIN, In: Elektor, Januar 1976, S. 31-45 *
US-Z: IBM Technical Disclosure Bulletin, Bd.19, No.7, Dez. 1976, S.2598,2599 *
Valvo Berichte, Bd XIV, Heft 1, S. 26-36 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3532380A1 (de) * 1985-09-11 1987-03-12 Bosch Gmbh Robert Monolithisch integrierte halbleiteranordnung
EP0394878A2 (de) * 1989-04-26 1990-10-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Halbleiteranordnung mit Mehrschichtleiterstruktur
EP0394878A3 (de) * 1989-04-26 1991-05-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Halbleiteranordnung mit Mehrschichtleiterstruktur
US5063433A (en) * 1989-04-26 1991-11-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device having multi-layered wiring structure

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58157151A (ja) 1983-09-19
DE3309223C2 (de) 1994-05-11
DE3309223C3 (de) 1994-05-11
GB8306917D0 (en) 1983-04-20
US4684973A (en) 1987-08-04
GB2120843A (en) 1983-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3446614C2 (de)
DE3784114T2 (de) Integrierte schaltung mit zwei schaltungsblocks, welche durch unterschiedliche versorgungsanschluesse unabhaengig gespeist werden.
DE2542518C3 (de)
DE4034674C2 (de) Halbleiterbauelement
DE1614373C2 (de)
DE69935182T2 (de) Halbleiteranordnung
EP0002751B1 (de) Schaltkreis zur Einstellung des Widerstandswertes eines Abschlusswiderstandes von Leitverbindungen in Halbleiterstrukturen
DE3423211C2 (de) Halbleiterbauteil
DE2655575A1 (de) Kompakte monolithische halbleiterstruktur
DE19519796C2 (de) Halbleiterschaltung mit einem Überspannungsschutzkreis
DE3309223A1 (de) Halbleiterelement mit integrierter schaltung
DE2514012C2 (de) Monolithisch integrierte halbleiterschaltungsanordnung, insbesondere fuer koppelbausteine von vermittlungssystemen
DE3787137T2 (de) Halbleiteranordnung.
DE3119288A1 (de) Halbleiteranordnung
DE2608521A1 (de) Schaltungsplatte fuer elektronische schaltungen
DE69025973T2 (de) Halbleiteranordnung mit Mehrschichtleiterstruktur
DE102018207308B4 (de) Halbleiterbauteil mit integriertem shunt-widerstand und verfahren zu dessen herstellung
DE3609629A1 (de) Integrierte elektronische schaltung zum ansteuern von induktiven lasten
DE2852200A1 (de) Integrierte logische schaltung
DE10014455B4 (de) Pegelschieber
DE10335336B4 (de) Feldeffektbauelemente und Kondensatoren mit Elektrodenanordnung in einer Schichtebene
DE4444808B4 (de) Halbleitervorrichtung
EP1399968B1 (de) Thyristorstruktur und überspannungsschutzanordnung mit einer solchen thyristorstruktur
DE3740302C2 (de)
DE2522984C2 (de) Elektronischer Koppelpunktbaustein

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8363 Opposition against the patent
8380 Miscellaneous part iii

Free format text: IN HEFT 3/91, SEITE 637, SP.3: DIE VEROEFFENTLICHUNG IST ZU STREICHEN

8366 Restricted maintained after opposition proceedings
8305 Restricted maintenance of patent after opposition
D4 Patent maintained restricted
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)