DE3307148A1 - Vorrichtung zum bestimmen der frequenz bei einem empfaenger mit frequenzsynthese - Google Patents

Description

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Vorrichtung zum Bestimmen der Frequenz bei einem Empfänger mit Frequenzsynthese

Beschreibung 10

Die Erfindung betrifft eine Steuervorrichtung für die Betriebsfrequenz eines HF-Empfängers, und insbesondere eine Vorrichtung, die die Information enthält, welche die Betriebsfrequenz eines HF-Empfängers mit Frequenzsynthese angibt.

In der Vergangenheit wurden einzelne Kristalle verwandt, um die Betriebsfrequenz eines HF-Empfängers zu steuern.

2Q Bei solchen herkömmlichen Empfängern war für jede erwünschte Empfangs- oder Sendefrequenz ein eigener Kristall erforderlich. Wenn der Betrieb mit einer großen Anzahl von Frequenzkanälen erwünscht war, wurde eine entsprechend große Anzahl von Kristallen verwendet, wodurch beträcht-

2g liehe Kosten entstanden.

Mit dem Fortschritt der Technik wurden nach und nach einzelne Kristalle durch einzelne Kanalelemente ersetzt, d.h. Kristalle, die mit Temperaturkompensationsschaltkreisen zu Baugruppen zusammengefaßt sind, wodurch sich eine stabilere Kristallarbeitsweise ergab. Natürlich sind solche Kanalelemente teuerer als lediglich Kristalle, und die Kosten von Sende-Empfängern, welche auf einer relativ großen Anzahl von Frequenzen senden und empfangen können, wurden entsprechend erhöht.

Der HF-Generator mit Frequenzsynthese von der Art mit versetzter Trägerwelle ist eine Art von Frequenzgenerator mit

Frequenzsynthese, mit dem die Anzahl der Kristalle verringert werden kann, die zum Senden und Empfangen auf einer großen Anzahl von Frequenzen erforderlich ist. Bei dem

_. Frequenzgenerator mit Frequenzsynthese und versetzter Trä-5

gerwelle werden ein spannungsgesteuerter Oszillator, eine phasenstarre Analyseschaltung und ein Phasenerfassungsschaltkreis verwandt, die miteinander in geeigneter Weise verbunden sind, um eine Vielzahl von Sende- und Empfangsfrequenzen ausgehend von einem einzigen Bezugsoszillator zu erzeugen. Ein einziger Kristall in dem Bezugsoszillatorschaltkreis kann verwandt werden, um die Vielzahl von HF-Sende - und Empfangsfrequenzen zu erzeugen; somit ist die Anzahl der verwandten Kristalle äußerst klein. Ob-

.. _K gleich mit einem solchen Frequenzgenerator mit Frequenzsynthese und versetzter Trägerwelle eine große Anzahl von Sende- und Empfangsfrequenzen erzeugt werden kann, sind die erzeugten Frequenzen leider in typischerweise auf ein relativ schmales Band begrenzt, beispielsweise von 144 bis 148 MHz.

Eine Zielsetzung der Erfindung besteht darin, ein Frequenzsteuerelement anzugeben, welches einen Frequenzgnerator mit Frequenzsynthese ermöglicht, Sende- und Empfangsfrequenzen innerhalb eines breiten Frequenzbereiches zu erzeugen, beispielsweise von 134 bis 176 MHz.

Eine weitere Zielsetzung der Erfindung besteht darin, ein Frequenzsteuerelement anzugeben, welches einprogrammierte Informationen aufweist, die die Betriebsfrequenzen eines HF-Empfängers mit Frequenzsynthese bezeichnen.

Diese und andere Zielsetzungen bzw. Merkmale der Erfindung ergeben sich für den Durchschnittsfachmann beim Studium der folgenden Beschreibung der Erfindung.

Die Erfindung zielt darauf ab, eine Vorrichtung zu schaffen, welche Informationen enthält, die die Betriebsfre-

quenz eines HF-Empfängers mit Frequenzsynthese angibt bzw. bezeichnet.

Bei einer Ausführungsform der Erfindung umfaßt eine solche 5

Vorrichtung eine mehrschichtige Schaltplattenanordnung mit oberer und unterer Schaltplatte und wenigstens einer dazwischen in sandwichartiger Beziehung angeordneten Zwischenschaltplatte. Die obere und untere Schaltplatte weisen Außenflächen auf. Ein Speicher ist an der Außenfläche der oberen Schaltplatte angeordnet, um Frequenzdaten an einem Mehrbit-Ausgangsbereieh ides Speichers bereit zu stellen, wenn ein Mehrbit-Eingangsbereich desSpeichers in geeigneter Weise adressiert wird. Verbindungselemente sind

, _ auf der Oberfläche der ersten und der zweiten Schaltplatte b

und an der wenigstens einen Zwischenplatte angeordnet. Die Verbindungselemente verbinden elektrisch eine Vielzahl von elektrischen Kontaktgliedern, die sich auf der Außenfläche der unteren Schaltplatte befinden, mit wenigstens dem Eingangs- und dem Ausgangsbereich Eine Vielzahl von Verbindungselementen befindet sich auf den Außenflächen der unteren Schaltplatte. Die Verbindungselemente verbinden elektrisch wahlweise einen Teil eines bezüglich der Vorrichtung äußeren ersten Schaltkreis mit einem Teil eines zweiten bezüglich der Vorrichtung äußeren Schaltkreis.

Die Merkmale der als neu angesehenen Erfindung ergeben sich insbesondere aus den Ansprüchen. Die Erfindung selbst jedoch kann im Hinblick auf ihre Ausgestaltung und Arbeitsweise zusammen mit weiteren Zielsetzungen und Vorteilen am besten aus der folgenden Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen verstanden werden.

Die Erfindung wird im folgenden an Hand eines Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert. Es zeigt:

Fig. 1 eine Seitenansicht einer Vorrichtung nach der Er-

-jf-

findung, die die mehrschichtige Ausgestaltung zeigt,

Fig. 2A eine Aufsicht auf die oberste Schicht der Vorrichtung nach Fig. 1,
5

Fig. 2B eine Aufsicht auf die leitende Schicht, welche unterhalb der leitenden Schicht gemäß Fig. 2A angeordnet ist,

Fig. 2C eine Aufsicht auf die elektrisch leitende Schicht, die unterhalb der elektrisch leitenden Schicht gemäß Fig. 2B angeordnet ist,

Fig. 2D eine Aufsicht auf die elektrisch leitende Schicht,

die unterhalb der elektrisch leitenden Schicht gemäß Fig. 2C angeordnet ist,

Fig. 3 eine perspektivische Sprengdarstellung einer Vorrichtung nach der Erfindung, die in einer zur Verbindung mit zugeordneten, äußeren Schaltkreisen geeigneten Lage angeordnet ist,

Fig. 4 eine perspektivische Ansicht des Halteteils, welches verwandt wird, um die Befestigung der Vorrichtung

nach der Erfindung an einer äußeren Schaltkreisanordnung zu erleichtern, und

Fig. 5 eine Schnittdarstellung der in Fig. 3 gezeigten Ausgestaltung, nachdem diese zusammengebaut worden ist.

Fig. 1 zeigt eine Ausführungsform der eine Information enthaltenden und übertragenden Vorrichtung nach der Erfindung, nämlich die Vorrichtung 10. Die Vorrichtung 10

umfaßt eine Schicht 20 aus einem elektrisch isolierenden 35

Material, beispielsweise aus Glasepoxyharz, wie das im Handel erhältliche FR4. Eine Schicht 22 aus einem elektrisch leitenden Material, beispielsweise goldbeschichtetes

—5s—

■ 9-

Kupfer oder Nickel befindet sich auf der oberen Oberfläche 2OA des Substrats 20. Die Schicht 22 weist ein vorbestimmtes, geometrisches Muster auf, welches in Fig. 2A in einer Ausführungsform dargestellt ist. Ein 256 X 8 programmierter Nurlesespeichsr 24 befindet sich auf der oberen Oberfläche 2OA und ist in geeigneter Weise /■l-f

mit dem Leiterstreifen der Schicht 22 verbunden, so daß Daten, die sich auf die erwünschte Betriebsfrequenz der Einrichtung mit Frequenzsynthese beziehen, dem Speieher 24 zugeführt wertem und von diesem adressierbar ableitbar sind, wie es im folgenden noch im einzelnen näher beschrieben wird.

Eine Schicht 30 aus einem elektrisch leitenden Material, die das in Fig. 2B gezeigte, geometrische Muster aufweist, befindet sich an der Unterfläche 20Bbeider Vorrichtung 10 gemäß Fig. 1.

Eine Schicht aus einem isolierenden Substratmaterial 40

ist, wie es Fig. 1 zeigt, unterhalb der Schicht 30 angeordnet. Die Schicht 40 weist ähnliche physikalische Eigenschaften wie jene der Schicht 20 auf und besteht typischerweise aus den gleichen Materialien. Eine Schicht 50 aus einem elektrisch isolierenden Substratmaterial befindet sich unter der Schicht 40 in der Art, wie es in Fig. 1 gezeigt ist. Die Schicht 50 umfaßt eine obere Oberfläche 5OA und eine Unterfläche 5OE. Eine Schicht 60 aus einem elektrisch leitenden Material, welches das in Fig.

2C dargestellte, geometrische Muster aufweist, ist zwischen 30

• der Fläche 5OB und der Substratschicht 40 angeordnet, wie es Fig. 1 zeigt. Eine Schicht aus elektrisch leitfähigen Material 70 weist ein geometrisches Muster gemäß Fig. 2D auf und ist auf der Oberfläche 5OA angeordnet, wie es Fig.

1 zeigt. Wärmebehandelte Epoxyschichten (diese sind nicht 35

gezeigt) sind zwischen den Schichten 20, 40 und 50 angeordnet, um solche Schichten in fester Beziehung zueinander zu halten.

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Eine Schicht aus einem elektrisch isolierenden Material befindet sich zwischen dem Speicher 24 und den Bereichen der elektrisch leitenden Schicht 22, die darunter angeordnet sind, wie es Fig. 1 zeigt, um einen unerwünschten Kurzschluß des Speichers 24 zu solchen Bereichen der leitenden Schicht 22 zu verhindern.

Um die Vorrichtung 10 nach der Erfindung besser Einschätzen zu können, hilft es, die folgenden anhängigen US-Patentanmeldungen zu studieren, die auf den gegenwärtigen Zessionar . ' übertragen sind.

Battery Saving System for a Frequency Synthesizer, Serial No. 251,558, April 6, 19 81;

Voltage Converter for a Frequency Synthesizer, Serial No. 251,559, April 6, 1981;

Priority Channel System for a Synthesizer Transceiver, Serial No. 251,565, April 6, 1981;

Digital and Analog Phase Detector for a

Frequency Synthesizer, Serial No. 251,570, April 6, 1981; '

Range Control Circuit for a Frequency

Synthesizer, Serial No. 251,572, April 6, 1981;

Multiposition Switch with Minimum Interconnections, Serial No. 251,640, April 6, 1981;

*3^:3Q7H8

Zone Switching System for a Frequency Synthesizer Transceiver, Serial No. 251,644, April 6, 1981?

Carrier Modulation System for a Frequency Synthesizer, Serial NO. 251,645, April 6, 1981; \

· Transmit Security System for a Synthesized Transceiver, Serial No. 251,657, April 6,

Improved Swallow Counter for a Frequency Synthesizer, Serial No. 251,658, April 6, 1981;

Der Inhalt aller dieser oben genannten Patentanmeldungen wird unter Bezugnahme auf sie hiermit umfaßt.

Das Verständnis der Ausgestaltung und der Arbeitsweise der Vorrichtung 10 wird durch eine Betrachtung der einzelnen Bereiche der leitenden Schicht 70 erleichtert,.die am Boden der Vorrichtung 10 gemäß Fig. 2D gezeigt ist, wenn man auf die Oberfläche 50A blickt. Aus Bequemlichkeitsgründen ist die in Fig. 2D gezeigte Unterfläche der Vorrichtung in vier Unterbereiche oder Kontakt-Unterbereichsabschnitte 90A, 90B, 90C und 90D unterteilt. Abschnitte der elektrisch leitenden Schieb"- 70 erstrecken sich in die Unterbereiche 90A - 90D, wie es gezeigt ist. Es wird vorübergehend auf die Fig. 3 Bezug genommen. Elektrische Verbindungen mit solchen Bereichen der leitenden Schicht 70, welche sich in die Bereiche 90A - 90D erstrecken, werden durch entsprechende Ampliflex-Anschlußteile. 100A, 100B, 100C und 100D hergestellt, welche in Kontakt damit angeordnet sind (Ampliflex ist ein Handelsname der Amp Inc.) Man sieht, daß die Ampliflex-Verbindungs-

-6-

teile 10OA und 100B mechanisch und e.lektrisch mit Bereichen eines elektrischen Schaltkreises 110 verbunden sind, welcher sich außen halb der Vorrichtung 10 befindet. In

_ gleicherweise sind Ampliflex-Verbindungsteile 100C und b

100D elektrisch und mechanisch mit einem Schaltkreis 120 verbunden, welcher sich außerhalb der Vorrichtung 10 befindet. Es wird darauf hingewiesen, daß Ampliflex-Verbindungsteile eine Vielzahl von parallelen, jedoch räum-

-_ lieh getrennten, metallischen Leitungselementen sind, die sich auf einer in etwa zylinderförmigen elastomerischen Struktur befinden. Die Vorrichtung 10 wird zum Betrieb auf den Ampliflex-Verbindungteilen 100A, 100B, 100C und 100D befestigt, so daß elektrische Verbindungen zwischen den

,g Bereichen der elektrisch leitenden Schicht 70, die sich in die Unterbereiche 90A, 90B, 90C und 90D erstrecken, und den Verbindungsteilen 100A, 100B, 100C bzw. 100D erzielt werden. Deshalb sind insbesondere die Abschnitte der elektrisch leitenden Schicht 70, die sich in die Bereich 90A,

2Q 90B erstrecken, elektrisch über die Ampliflex-Verbindungsteile 100A und 100B mit einem sich außerhalb befindlichen Schaltkreis 110 verbunden. In ähnlicher Weise sind die Abschnitte der Schicht 10, die sich in die Unterbereiche 90C und 90D erstrecken, elektrisch über Ampliflex-Verbindungsteile 100C bzw. 100D mit einem äußeren Schaltkreis 120 verbunden. Bei einer Ausführungsform der Erfindung sind die äußeren Schaltkreise 110 bzw. 120 Hybrid-Schaltungsplattenabschnitte für eine Phasenerfassungsschaltung und Steuerschaltung eines HF-Empfängers mit Frequenzsynthese. Solche Phasenerfassungs- und Steuer- Hybridschaltungen sind im einzelnen in den vorgenannten anhängigen Patentanmeldungen erörtert.

Gemäß Fig. 2D umfaßt die Schicht 70 der Vorrichtung 10 Verbindungselemente 130 und 140, von denen sich ein jedes von dem Kontakt-Unterbereich 9OA zu dem Kontakt-Unterbereich 90C erstreckt. Insbesondere umfaßt jedes der Verbindungselemente 130 und 140 entgegengesetzte Enden, wo-

• ♦ · · · ·· * · φ 9 _νι

-Sf-

bei ein Ende eines jeden Elementes innerhalb des Bereiches 9OA und das andere Ende innerhalb des Bereiches 90C angeordnet ist. Wenn sich somit die Vorrichtung 10 in Kontakt mit den Ampliflex-Verbindungsteilen 110 und 120 gemäß Fig. 3 befindet, so koppelt das Verbindungselement 130 selektiv elektrische Energie, die es von dem besonderen Abschnitt des Ampliflex-Verbindungsteils 100A erhält, der sich in Kontakt an dem Schaltkreis 110 befindet, mit dem Abschnitt · des Ampliflex-Verbindungsteils 100C, der sich an dem Schaltkreis 120 mit diesem im Kontakt befindet. Auf diese Weise werden elektrische Impulse, wiejene , welche in den genannten, anhängigen Patentanmeldungen als Multiplex-Freigabeimpulse N_pbezeichnet sind, selektiv, zwischen den Abschnitten der Schaltkreise 110 und 120 gekoppelt. In gleicherweise werden der Abschnitt des Ampliflex-Verbindungsteils 100A der sich mit dem Verbindungsteil 140 im Kontakt befindet, und der Abschnitt des Ampliflex-Verbindungsteils 100C, der sich im Kontakt rr.it dem Verbindungselement 140 befindet, selektiv miteinander elektrisch gekoppelt. Somit ist ein Abschnitt des Schaltkreises 110 selektiv elektrisch mit einem Abschnitt des Schaltkreises 120 über das Verbindungselement 140 gekoppelt, das sich auf der Vorrichtung 10 befindet. Auf diese Weise werden elektrische Impulse, wie die in dem vorhergehend genannten Patentanmeldungen beschriebenen Multiplex-Freigabeimpulse N_p zwischen geeigneten Abschnitten der Schaltkreise 110 und 120 über das Verbindungselement 140 gekoppelt.

Es wird wieder auf die Fig. 2D Bezug genommen, deren Schicht 70 eine Vielzahl von elektrisch leitenden Kontaktgliedern 151, 152, ... 158 umfaßt, die sich in den Konatakt-Unterbereich 90C erstreckend angeordnet sind. Die Kontakte 151 - 158 vierden als "Adressenkontakte · bezeichnet. Diese acht (8) Adressenkontakte 151, 152, ..., 158 werden entsprechend elektrisch mit acht (8) Adresseneingangskontakten oder Adresseneingangskanälen A₀, A-,· ... A„ des Speichers 24 gemäß Fig. 2A über geeignete Verbindungselemente der

-W-

Schicht 22 gemäß Fig. 2A, der Schicht 30 gemäß Fig. 2B und der Schicht 60 gemäß Fig. 2C und der Schicht 70 gemäß Fig. 2Ό verbunden. Die Kontakte A_Q, A., ..., A₇ bilden den Mehrfachbit-Adresseneingabebereich des Speichers 24. Die genauen zwischen den Adressenkontakten 151 - 158 mit einem solchen 8-Bit Mehrfachbit-Eingabebereich des Speichers 24 hergestellten Verbindungen, ergeben sich im einzelnen bei Betrachtung dieser Fig. 2A bis 2D.

Es wird erneut auf die Fig. 2D Bezug genommen, deren Schicht 70 eine Vielzahl von elektrisch leitenden Kontaktgliedern 161, 162, ..., 168 umfaßt, die sich in den Kontakt-Unter-

_1{- bereich 90A erstreckend angeordnet sind. Solche Kontaktglieder werden als"Frequenzinformation-Kontakte" bezeichnet. Die Kontaktglieder Ιοί, 162, ..., Ι68 sind entsprechend elektrisch mit acht (8) Frequenzinformation-Ausgangskontakten oder Frequenzinformationsausgangskanälen 0.., 0„, ...,Og des Speichers 24 gemäß Fig. 2A über geeignete Abschnitte der Schicht 22 gemäß Fig. 2A, der Schicht 30 gemäß Fig. 2B, der Schicht 60 gemäß Fig. 2C und der Schicht 70 gemäß Fig. 2D verbunden, wie es klar in diesen Figuren zu sehen ist. Die Kontakte O₁, O₂, ..., Og bilden den Mehrfach-Frequenzinformationsausgangsbereich des Speichers 24. Die genauen Verbindungen, welche zwischen den Frequenzinformationskontakten 161, 162, ..., 168 mit einem solchen 8-Bit Mehrfachbit-Ausgangsbereich hergestellt sind, sind bei genauer Betrachtung der Fig. 2A bis 2D zu erkennen. Es wird darauf hingewiesen, daß sich die Kontaktglieder 161 bis 168 in den Verbdindungsbereich 90A derart erstrecken, daß Glieder 161 bis 168 vertikal mit Gliedern 151 bis 158 gemäß Fig. 2D ausgerichtet sind.

Zum besseren Verständnis der Arbeitsweise und der Ausbildung der Vorrichtung 10 gilt es, diese Vorrichtung genauer zu betrachten, wenn sie so angeordent ist _y daß die Glieder 161 bis I68 und 151 bis 158 in Kontakt mit ent-

-Ή-

sprechenden Ampliflex-Verbindungsteilen 10OA und 100C stehen. Bei diesen Bedingungen liefert der Schaltkreis 120 ein digitales 8-bit-Adressensignal zu dem Mehrfachbit-

_ Eingangsbereich des Speichers 24 über das Ampliflex-Ver-5

bindungsteil 100C, die leitenden Glieder 151 bis 158 und die Verbindungselemente der Schichten 70, 60, 30 und 22, die sich zwischen ihnen befinden. Es wird darauf hingewiesen, daß bei einigen Ausführungsformen der Erfindung nicht alle Adressenkontaktglieder 151 bis 158 verwendet . werden, um Adresseninformationen dem Speicher 24 zuzuführen Der Speicher 24 umfaßt eine Nachseh-Tabelle der Frequenzinformation. Insbesondere ist ein unterschiedlicher Teil der Frequenzinformation an jeder Adresse des Speichers 24

_1C- gespeichert. Wenn somit der Schaltkreis 120, während er als Teil eines Frequenzgenerators mit Frequenzsynthese arbeitet, eine besondere Adresse an den Mehrfachbit-Eingangsbereich des Speichers 24 in der vorhergehend beschriebenen Weise abgibt, werden digitale Kennziffern der einer solchen

2Q Adresse entsprechenden Frequenz an den Mehrfachbit-Ausgabebereich des Speichers 24 geliefert. Solche Frequenzinformation gelangt von dem Mehrfach-Ausgang des Speichers 24 über die Schichten 22, 30, 60 und 70 zu den Frequenzausgängen 161 - 168, über das Ampliflex-Verbindungsteil 100A zu dem Schaltkreis 110, wo diese Information zum Zweck der Frequenzsynthese verwandt werden kann.

Die Schicht 70 umfaßt Frequenzquellen-Zwischenverbindungen 170 und 172. Die Zwischenverbindungen 170 und 172 sind in sich in räumlich paralleler Beziehung von dem Verbindungs-Unterbereich 9OA zu dem Verbindungs-Unterbereich 9OC erstreckend angeordnet. Kurzschlußleiter 173 und 174 verbinden die Frequenz-Zwischenverbindungen · 170 und 172 miteinander an gegenüberliegenden Enden, so daß zwischen den entgegengesetzten Enden ein Pfad mit niederem Widerstand vorliegt. Wenn somit die Vorrichtung 10 in Kontakt mit den Ampliflex-Verbindungsteilen 100A und 100C gemäß Fig. 3 ange ordnet wird, wird ein Bezugsfrequenzsigna], beispielsweise

-K-

50 kHz, zwischen der Schaltplatte 120 und 110 über die Ampliflex-Verbindungsteile 100A und 100C und die Zwischenverbindungsstruktur 170 - 172 mit den Kontakten eines jeden solchen Ampliflex-Verbindungsteils übertragen.

Es wird erneut auf die Fig. 2D Bezug genommen, deren Schicht 70 ein elektrisch leitendes Verbindungsglied 180 aufweist, welches sich in den Verbindungs-Unterbereich 90A erstreckt. Das Verbindungsglied 180 ist mit Masse verbunden, wenn es in Kontakt mit dem Ampliflex-Verbindungsteil 100A gemäß Fig. 3 angeordnet ist. Ferner ist das Kontaktglied 18O elektrisch mit einem geeigneten Anschluß des Speichers 24 gekoppelt und liefert für diesen einen Masseanschluß. Um

,c dieses zu erzielen, ist das Verbindungsglied 180 mit einem Masseanschluß des Speichers 24 über geeignete Abschnitte (in

Fig. 2A mit GND bezeichnet) der Schicht 22, der Schicht 30, der Schicht 60 und der Schicht 7C in der Art verbunden, wie es die mehrschichtige Ausgestaltung gemäß den Fig. 2A - 2D zeigt.

Die Schicht 70 der Fig. 2D umfaßt eine Speisespannungszwischenverbindung 190 mit drei parallelen Streifen aus elektrisch leitendem Material 191, 192, 193, von denen ein jeder mit seinen gegenüberliegenden Enden in Verbindung mit Unterbereich 90B und 90D angeordnet ist. Überbrückungsbahnen 194 bzw. 195 sind elektrisch mit den Enden der Streifen 1&1, 192 und 193 verbunden, die zusammen auf dem Bereich 90B angeordnet sind, und die Enden der Streifen 191, 192 und 193 sind zusammen auf dem Unterbereich 90B angeordnet. Somit wird ein Pfad mit relativ geringem Widerstand zwischen den gegenüberliegenden Enden der Streifen der Spannungsverbindungsstruktur 190 geschaffen, so daß, wenn gegenüberliegende Enden der Streifen der Verbindungsstruktur 19o mit den Ampliflex-Verbindungsteilen 100B bzw. 100D gemäß Fig. 3 in Kontakt gebracht werden, ein Speisespannungssignal, beispielsweise 5,2 V von einer der Schaltplatten 120 und 110 zu der anderen übertragen wird. Die

Schicht 70 umfaßt freie Kontakte 200 und 201, die sich in Verbindung mit den Unterbereichen 90B bzw. 90D befinden, wie es Fig. 2D zeigt. Gemäß Fig. 2D bleiben die Kontaktglieder 200 und 201 elektrisch schwimmend, um bei späteren

Anwendungen der Vorrichtung 10 Vielfältigkeit zu ermöglichen.

Die Schicht 70 umfaßt ferner zwei miteinander gekoppelte Konatakte 210, die sich im Konatakt-Unterbereich 90B benachbart zu dem schwimmenden Kontakt 201 befinden. Die

Kontakte 210 sind mit einem Programmierungsfreigabe-Eingangsanschluß (in Fig. 2A mit E₁ bezeichnet) des Speichers 24 über Verbindungsleiterbahnen der Schicht 22, der Schicht

30, der Schicht 60 und der Schicht 70 verbunden, wie es in

den Fig. 2A bis 2D gezeigt ist. Das Anlegen eines geeigneten Signals an den Zwillingskontakt 210 erlaubt,dem Speicher 24 mit der entsprechenden Frequenzinformation an einer ausgewählten Adresse zu Programmieren. Die Schicht 70 umfaßt ferner zwei miteinander gekoppelte, elektrische Kon-

takte 211, die sich innerhalb des Kontakt-Unterbereiches 90D benachbart dem schwimmenden Kontakt 200 erstrecken. Die Zwillingskontakte 211 sind miteinander und dem Freigabeanschluß des Speichers 24 über geeignete Abschnitte der Schichten 22, 30, 60 und 70 verbunden, wie es die Fig.

2A bis 2D zeigen.

Die Schicht 70 umfaßt ferner eine Speicherfreigabezwischenverbindung 220. Die Speicherfreigabezwischenverbindung

ist ein Streifen aus einem elektrisch leitenden Material, 30

der gegenüberliegende Enden aufweist. Ein Ende der Spei-

cherfreigabezwischenverbindung 220 erstreckt sich in den Kontakt-Unterbereich 90B anschließend an den Zwillingskontakt 210 und das andere Ende der Speicherfreigabezwischenverbindung 220 erstreckt sich dem Zwillingskontakt 35

211 benachbart in den Kontakt-Unterbereich 90D. Wenn somit die Vorrichtung 10 derart angeordnet ist, daß sich die

Zwischenverbindung 220 im Kontakt mit den Ampliflex-Verbindungsteilen 100B und 100D in der Art gemäß Fig. 3 (dies wird noch näher erörtert) befindet, so wird eine elektrirsehe Verbindung zwischen den Schaltkreisen 110 und 120 hergestellt. Diese Verbindung kann verwandt werden, um eine Information von dem Schaltkreis 110 dem Schaltkreis 120 zuzuführen, um einen Regler für großen Strom in einem solcher Schaltkreise so mit elektrischer Energie zu versorgen, ,Q daß ausreichend Strom erzeugt wird, um den Speicher 24 zu betreiben. Es wird darauf hingewiesen, daß die Speicherfreigabezwischenverbindung 220 selbst elektrisch mit einem Speicherfreigabekontaktglied (mit Ep in Fig. 2A bezeichnet) des Speichers 24 über Verbindungselemente oder Verbindungsbahnen der Schicht 22, der Schicht 30, der Schicht 60 und der Schicht 70 gemäß den Fig. 2A - 2D verbunden ist Die Arbeitsweise der Speicherfreigabezwischenverbindung 220 sollte zusammen mit der ^Sßeisespannungszwischenverbindung 230 betrachtet werden, die benachbart dazu gemäß Fig. 2D angeordnet ist. Die Sp'eisesespannungszwischenverbindung 230 ist ein Streifen aus einem elektrisch leitenden Material mit gegenüberliegenden Enden, von denen eines so angeordnet ist, daß es sich in den Kontakt-Unterbereich 9OD erstreckt. Das andere gegenüberliegende Ende der Speise-Spannungszwischenverbindung 230 erstreckt sich in den Kontakt-Unterbereich 9OD. Die Speisespannungszwischenverbindung 230 überträgt eine Spannung von dem Schaltkreis 110 zu dem Schaltkreis 120 oder in umgekehrter Weise. Insbesondere führt bei dieser Ausführungsform die Spannungs-Zwischenverbindung 230 5,2 V von dem Schaltkreis 110 an den Schaltkreis 120 mit einem von zwei ausgewählten Spannungspegeln, die von dem Zustand der durch die Speicherfreigabezwischenverbindung 220 fließenden Information bestimmt wird. Wenn beispielsweise die Schaltkreise 110 und 120 eine beträchtliche Anzahl an CMOS-Unterschaltkreisenumfassen, so liegt ihr Strombedarf relativ niedrig bei Ruhe'oetriebsbedingungen. Wenn es jedoch erwünscht ist, den Speicher 24 bezüglich Adressen freizugeben, um die an sol-

chen Adressen enthaltene Frequenzinformation auszulesen, dann weiß man, daß ein wesentlich größerer Strombedarf zum Betrieb der zugeordneten Schaltungskreise und des Speichers 24 als bei Ruhebetriebsbedingungen vorliegt. Wenn somit Informationen zwischen den Schaltplatten 110 und 120 über die Speicherfreigabezwischenverbindung 220 übertragen werden, um anzuzeigen, daß der Speicher jetzt gerade angeschaltet werden soll, so daß zusätzlicher Strom benötigt wird, umfaßt eine der Schaltplatten 110 und 120 einen geeigneten Schaltkreis, um die an der Speisespannungs zwischenverbindung 230 zur Verfügung stehende Energie zu erhöhen. Es wird darauf hingewiesen, daß die Speisespannungzwischenverbindung 230 selbst elektrisch mit einem Speisespannungskontakt (in Fig. 2A mit V bezeichnet) für

den Speicher 24 verbunden ist, um diesem eine Speisespannung über Elemente oder Leiterbahnen der Schicht 22, der Schicht 30, der Schicht 60 und der Schicht 70 zuzuführen, wie es in den Fig. 2A - 2D gezeigt ist.

Die Vorrichtung 10 und insbesondere die Schicht 70 weisen eine Auszeit-Zeitgeberstruktur 240 auf. Die Zeitgeberstruktur umfaßt elektrische Kontaktglieder 241, 242 und 243, die innerhalb des Unterbereiches 9OB gemäß Fig. 2D angeordnet sind. Der Kontakt 241 ist elektrisch mit

dem Kontakt 242 über einen Kurzschlußleiter 245 verbunden. Der Kontakt 242 ist elektrisch mit dem Kontakt 243 über einen Kurzschlußleiter 246 verbunden. Die Auszeit-Zeitgeberstruktur 240 umfaßt ferner Kontaktglieder 250, 251,

252 und 253, die sich alle in dem Kontakt-Unterbereich 90D 30

befinden. Elektrische Kontakte 251, 252 und 253 sind vertikal zu Kontakten 241, 242 und 243 ausgerichtet. Der Kontakt 252 ist mit dem Kontakt 253 über einen Kurzschlußleiter 254 verbunden. Der Kontakt 241 ist elektrisch mit

dem Kontakt 251 über einen dazwischen vorhandenen Kurz-35

Schlußleiter 255 derart verbunden, daß die Gesamtstruktur des Kontaktes 241, des Kurzschlußleiters 255 und des Kontaktes 251 eine Auszeit -Zeitgabezwischenverbindung

• J a » »· „"

bildet. Der Kontakt 243 ist elektrisch mit dem Kontakt 253 über einen Kurzschlußleiter 256 verbunden, der sich dazwischen derart befindet, daß die kombinierte Struktur

aus Kontakt 243, Kurzschlußleiter 256 und Kontakt 253 b

eine Auszeit -Zeitgeberzwischenverbindung 270 bildet. Das Vorhandensein oder Fehlen von Auszeit-Zwischenverbindungen 260 und 270 (insbesondere der Kurzschlußstreifen 255 bzw. 256) wird verwandt, um einen an einem oder beiden der Schaltkreise 110 und 120 vorgesehenen Ausschaltzeit-Zeitgeber anzusteuern, ob ein einem Empfänger zugeordneter Sender innerhalb einer besonderen, vorbestimmten Zeitdauer ausgeschaltet werden soll oder nicht. Insbesondere wird, wenn der Kurzschlußleiter 255 der Zwischenverbindung 260 .p. und der Kurzschlußleiter 256 mit der Zwischenverbindung 270 vorhanden sind, kein Ausschaltzeitzustand von den zugeordneten Schaltkreisen 110 und 120 geschaffen. In ähnlicher Weise wird kein Ausschaltzustand von den Schaltkreisen 110 und 120 geschaffen, wenn der Kurzschlußleiter 2Q 250 so geschnitten ist, daß die Kontakte 241 und 251 nicht miteinander elektrisch verbunden sind,und wenn gleichzeitig der Kurzschlußleiter 256 der Zwischenverbindung 27O erhalten bleibt und nicht durchgeschnitten wird. Wenn jedoch der Kurzschlußleiter 255 der Zwischenverbindung 260 vorhanden und nicht durchgeschnitten ist, so daß die Kontakte 241 und 251 miteinander verbunden sind, und der Kurzschlußleiter 256 der Zwischenverbindung 270 durchtrennt ist, so daß der Kontakt 243 und der Kontakt 253 nicht miteinander verbunden sind, dann wird beispielsweise ein Ausschaltzustand während 60 Sekunden durch die Schaltkreise auf den Schaltplatten 110 oder 120 erzeugt. Wenn jedoch der Kurzschlußleiter 255 der Zwischenverbindung 260 so durchtrennt ist, daß die Kontakte 241 und 251 elektrisch voneinander getrennt sind, und wenn der Kurzschlußleiter 256 der Zwischenverbindung 270 so durchgeschnitten ist, daß die elektrischen Kontakte 243 und .253 nicht miteinander elektrisch verbunden sind, dann liefern die Schaltkreise 110 und 120 beispielsweise einen Ausschaltzustand von 30

Sekunden.

Wie in den Fig. 2A - 2D und 3 zu erkennen ist, weis¹: die Vorrichtung 10 drei Bohrungen 300, 305 und 310 zur Befestigung an einer äußeren Schutzabdeckung '(diese ist nicht dargestellt) und für im folgenden noch angegebene Zwecke auf.

Fig. 3 zeigt eine perspektivische Sprengdarstellung der Vorrichtung 10, die in der Lage dargestellt ist, in der sie an einer äußere Schaltkreise 110 und 120 und eine Halteeinrichtung 390 aufweisenden Andordnung befestigt werden soll. Die Schaltkreise 110 und 120 sind als Hybrid-Modulschaltplatten dargestellt und werden im folgender, als Hybrid-Module 110 und 120 bezeichnet. Wie in Fig. und mehr im einzelnen in Fig. 4 zu erkennen ist, is~ die Haltseinrichtung 390 I-trägerförmig und weist einer, ausgenommenen Bereich 440 zur Aufnahme des Hybrid-Koduls

2Q 120 darin auf. Die Halteeinrichtung 390 umfaßt einen Steg oder Rand 445, an dem der Modul 120 angeordnet ist. Die Halteeinrichtung 390 umfaßt ferner einen Vorspruch 430 und ein Federelement 435, welche an gegenüberliegenden Enden der Halteeinrichtung 390 an dem Rand 445 vorgesehen sind, so daß der Modul 120 in seiner Lage in der Halteeinrichtung 390 dadurch gehalten wird, daß seine Enden relativ schwach zwischen dem Vorspruch 430 und einer Feder 435 eingezwängt sind, wie es sich aus der Fig. 3 ergibt. Der Modul 120 schnappt also in seine Lage ein, wenn er an dem Rand 445 zwischen dem Vorsprung 430 und dem Federelement 435 angeordnet wird. Für den Durchschnittsfachmann ergibt sich ohne weiteres, daß der Modul 110 an der Halteeinrichtung 390 in der gleichen Weise wie der vorhergehend beschriebene Modul 120 gehalten wird, jedoch mit der Ausnahme, daß der Modul 110 auf der hinteren Seite der Halteeinrichtung 390 befestigt wird, die in Fig. 3 nicht gezeigt ist, jedoch klar in der Schnittdarstellung der Fig. 3 längs der Linie 5 - 5 in der Darstellung gemäß

0OU / I

Fig. 5 gezeigt ist.

Es wird erneut auf die Fig. 3 Bezug genommen. Die Halteeinrichtung 390 umfaßt Gewindebohrungen 400 405 bzw« 41O₇ ο

die vertikal zu Bohrungen 300, 305 und 310 ausgerichtet

sind, die sich in der Vorrichtung 10 gemäß der Darstellung befinden. Schrauben, die in die so augebildeten Paare von Bohrungen eingeführt werden, werden verwendet, um die Vorrichtung 10 an der durch die Halteeinrichtung 390 und die 10

Module 110 und 120, die in der vorhergehend beschriebenen Weise daran befestigt worden sind, gebildeten Anordnung zu befestigen. Bei dieser Ausgestaltung sind die Module 110 und 120 elektrisch mit geeigneten Zwischenverbindungen (beispielsweise die Verbindung 230) und Verbindungspunkten ο

(beispielsweise die Kontaktglieder 161 - 168) über Ampliflex-Verbindungsteile 100A₇ 100B, 100C und 100D gekoppelt.

Es wird nun auf die Fig. 4 in Verbindung mit Fig. 3 Bezug

„~ genommen. Man erkennt, daß die Halteeinrichtung 390 schienenartige, metallene zusätzliche Halteelemente oder Schraubenplatten 450 und 460 aufweist, die sich in der gezeigten Weise innerhalb.der Halteeinrichtung 390 in deren Längsrichtung erstrecken, um konstruktive Fesitgkeit

2g zu erzielen. Gewindelöcher 400, 405 und 410 erstrecken sich in die obere Schraubenplatte 460, damit die Befestigung der Vorrichtung 10 an der Halteeinrichtung 390 erleichtert wird. Gewindebohrungen 415, 420 und eine dritte Bohrung (diese ist zur Erleichterung der Perspektiven Darstellung nicht gezeigt, jedoch senkrecht zu der Bohrung 410 ausgerichtet) erstrecken sich durch die untere Schraubenplatte 450, damit die Befestigung des aus der Vorrichtung 10 und der Halteeinrichtung 390 mit den in ihr angeordneten Modulen 110 und 120 gebildeten Zusammenbaus an einer Hauptleiterplatte vereinfacht wird. Wie es teilweise in den Fig. 3 und 5 gezeigt ist, werden elektrische Verbindungen bei einem solchen Zusammenbau durch die Ampliflex-Verbindungsteile 100 D und 100F an dem Modul 120 und das

-Al-

Ampliflex-Verbindungsteil 100G an dem Modul 110 erzielt. Ein anderes Ampliflex-Verbindungsteil an dem Modul 110, welches nicht dargestellt ist, wird verwendet, um weitere

solcher elektrischer Verbindungen zu ermöglichen, b

Die vorhergehenden Ausführungen beschreiben eine Vorrichtung zum Enthalten von Informationen, welche die Arbeitsfrequenz eines HF-Empfängers mit Frequenzsynthese in programmierbarer Weise bezeichnen. Die Vorrichtung nach der Erfindung schafft einen HF-Betrieb mit Frequenzsynthese über einen relativ breiten Bereich von HF-Frequenzen.

Während nur gewisse, bevorzugte Merkmale der Erfindung in . P- erläutenderweise dargestellt worden sind, sind für den

Durchschnittsfachmann viele Abänderungen und Abwandlungen möglich. Es wird deshalb darauf hingewiesen, das die Ansprüche dahingehend zu verstehen sind, daß sie alle solche Abwandlungen und Abänderungen umfassen sollen, die inner-2Q halb des Erfindungsgedanken liegen.

Zum Stand der Technik wird auf die US-PS'en 3 395 318 und 3 646 399 hingewiesen.

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Claims (8)

1. Patentansprüche

   Frequenz- Steuerelement bzw. Steuervorrichtung zum Bezeichnen der Betriebsfrequenz eines HF-Empfängers, gekennzeichnet durch

   eine mehrschichtige Schaltplattenvorrichtung (10) mit einer oberen und einer unteren Schaltplatte (20 bzw. 50} und wenigstens einer Zwischenschaltplatte (40), die dazwischen in schichtartiger Beziehung angeordnet ist» und wobei die obere und die untere Schaltplatte (20 bzw. 50) Außenflächen (2OA bzw 50A) aufweisen, durch eine Speichereinrichtung (24), die auf der Außenfläche (20A) der oberen Schaltplatte (20) angeordnet ist und Frequenzdaten an einem Mehrfachbit-Ausgangsbereich

   -2-

   der Speichereinrichtung (24) bereitstellt, wenn ein Mehrfachbit-Eingangsbereich der Speichereinrichtung (24) in geeigneter Weise adressiert wird,

   durch eine Verbindungsstruktur, die an den Oberflächen 5

   der ersten und zweiten Schaltplatten (20, 50) und der wenigstens einen Zwischenschaltplatte (¹JO) vorgesehen

   ist, damit eine Vielzahl von elektrischen Kontaktgliedern, die sich auf der Außenfläche (50A) der unteren Schaltplatte (50) befinden, mit wenigstens demEingangs- und Ausgangsbereich verbindbar ist, und durch eine Vielzahl von Zwischenverbindungsstrukturen, die auf der Außenfläche (50A) der unterern Leiterplatte (50) vorgesehen sind, wodurch ein Teil eines ersten Schaltkreises (110), der sich außerhalb des Frequenz-Steuerelementes befindet, mit einem Teil eines zweiten Schaltkreises (120) elektrisch selektiv verbindbar ist, der sich außerhalb des Frequenz-Steuerelementes befindet .
2. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Speichereinrichtung (24) einen programmierbaren Nurlesespeicher umfaßt.
3. 3· Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Zwischenverbindungseinrichtungen ein elektrisch leitendes Element (130, 14O, 220) umfaßt, welches zwei Enden aufweist, von denen ein jedes mit einem Teil eines ersten bzw. zweiten Verbin-

   SO dungsteils von der Art eines Apmpliflex-Verbindungsteils in Kontakt bringbar ist, und daß das erste bzw. zweite Verbindungsteil von der Art eines Ampliflex-Verbindungsteil elektrisch mit dem ersten (110) bzw. zweiten (120) Schaltkreis verbunden ist.
4. 4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungseinrichtungen elektrisch leitende Elemente umfassen, wel-

   -3-

   ehe durchgehend bei den Schaltplatten an den entsprechenden Oberflächen vorgesehen sind, um von den elektrischen Kontaktgliedern umfaßte Adressenkontaktglieder mit entsprechenden Adresseneingangskontakten (A_n, ...,A₇) zu

   O Uf

   verbinden, welche der Mehrfachbit-Eingabebereich der Speichereinrichtung (24) umfaßt.
5. 5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungseinrichtungen elektrisch leitende Elemente umfassen, die bei den Leitungsplatten auf den entsprechenden Flächen .hindurchgehen, um Frequenzinformation-Kontaktglieder (1 61. . ., 168) , welche von den elektrischen Kontaktgliedern umfaßt werden, mit entsprechenden Frequenzinformation -Ausgangskontakten zu verbinden, die von dem Mehrfachbit-Ausgangsbereich der Speichereinrichtung (24) umfaßt werden.
6. 2Q 6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenverbindungseinrichtungen wenigstens ein Auszeit-Zwischenverbindungselement (240) aus elektrisch leitendem Material mit entgegengesetzten Enden umfaßt und daß wenigstens ein . Auszeit-Zwischenverbindungselement selektiv mit einem , . Auszeit-Schaltkreis in Eingriff steht, welcher von dem ersten und dem zweiten Schaltkreis (110 bzw. 120) umfaßt wird.
7. 7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung durch Wärme aktivierte Epoxyschichten aufweist, die sich zwischen den Schaltplatten befinden, um die Schaltplatten (20, 40, 50) in fester Beziehung zueinander zu halten.
8. 8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der ersten und der zweite Schaltkreis (110 und 120) erste und zweite

   ·; 3307H8

   Hybrid-Module aufweisen, die mechanisch in fester Beziehung zueinander und zu der mehrschichtigen Schaltplattenanordnung durch ein Tragglied (390) gehalten sind, welches zwischen dem ersten und dem zweiten Hybrid-Modul angeordnet ist.