JPS58166833A - 合成無線周波数決定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、無線周波数受信機の動作周波数を制御する装
置に関するものであり、更に具体的−二云うと合成無線
周波受信機の動作周波数を指定する情報を含む装置に関
する。

先行技術の説明 過去においては、無線周波数受信機の動作周波数を制御
するために個別のクリスタルを用いた。

そのような従来の受信機においては、所望する各受信又
は送信周波数ｇ二対して別個のクリスタルが必要とされ
た。従って、多数の周波数チャネルの動作が所望される
場合には、それに対応する多数のクリスタルがかなりの
費用をかけて使用された。

技術が進歩するにつれて１個別のクリスタルは次第に個
別のチャネル素子、即ち温度補償回路と一緒に実装され
たクリスタルによってＩｌｌかえられるようになり、そ
の結果より安定したクリスタル性能が得られるようにな
った。勿論そのようなチャネル素子は単なるクリスタル
よりも高価になる傾向があり、従って比較的多数の周波
数で送受信する能力のあるトランシーバの値段もそれに
対応して高くなった。

オフセット型無線周波数合成器は、多数の周波数で送受
信するの１；要するクリスタル数を減少させる１種の合
成器である。オフセット型合成器は電圧制御発振器、位
相ロック（１ｅａｋ　）ループおよび位相検波器回路を
用いており、これらがすべて適切に一緒に結合されて、
１個の基準発振器から複数の送受信周波数を発生させる
。複数の無線周波数送受信周波数を発生させるために基
準発蒸器回路に１個のクリスタルを用いてもよく、従っ
て使用されるクリスタル数は極めて少なくなる。残念な
がら、そのようなオフセット型周波数合成器は多数の送
受信周波数を発生させることができるが、そのような発
生した周波数は代表的な場合には比較的狭い帯域、例え
ば１４４〜１４８　ＭＨｚに限定される。

従って、本発明の１つの目的は、比較的広い帯域の周波
数、例えば１３４〜１７６　ＭＨｚにわたる送受信周波
数を発生させるために周波数合成器を使用可能にする（
　ｅｎａｂｌｅ　）ための周波数制御素子を提供するこ
とである。

本発明のもう１つの目的は、合成された無線周波数受信
機の動作周波数を指定する情報をその中Ｃ；プログラム
した周波数制御素子を提供することである。

これらの、およびその他の目的は下記の本発明の説明を
よく検討すれば当業者には明らか５：なるであろう。

発明の簡単な要約 本発明は合成された無線周波数受信機の動作周波数を指
定する情報を含むための装置の提供を指向する。

本発明の１実施例Ｉ：よると、上部板、下部板およびそ
れらの間にチンドイッチ状の関係で置かれた中間板とを
含む多層回路板（ボード）を含む。

上部回路板および下部回路板は外表面を含む。１部板の
外表面上にはメモリが置かれており、そのメモリの複数
ビット（マルチビット）入力ポートが適当にアドレスさ
れると、周波数データをメモリのマルチピッＦ入力ポー
トへ与える。第１および第２板および少なくとも１枚の
中間板の表面上には接続部材が置かれている。この接続
部材は、下部板の外表面上に置かれた複数の電気的接触
パッドを少なくとも入力および出力ポートに電気的に接
続する。複数の相互接続部材が下部板の外表面上に置か
れている。この相互接続部材は、装置の外側の第１回路
の一部を装置の外側の８２回路の一部１：選択的に電気
的５二相互接続する。

新規なものであると考えられる本発明の特徴は添付の特
許請求の範囲に述べられいる。しかし、本発明自体は、
構成の点についても動作方法の点についても、本発明の
その他の目的と一緒に、添付の図面とともに下記の説明
を参照することによって最もよく理解されよう。

好ましい実施例の詳細説明 第１図は本発明の情報を含み転送する装置の一実施例を
装置１０として示す。装置１０は電気絶縁材料、４ｓえ
は市販されているＦＥ４のようなガラスエボキＶ樹脂の
層２０を含む。導電材料１例えば金を被覆した銅又はニ
ッケルの層２２が基板２０の上１ｉｉ２（ＬＡ上に位置
している。層２２はその一実施例における第２Ａ図に示
されている所定の幾何学的パターンを示す。２５６　Ｘ
　８プログラム可能固定メモリ２４は上面２０Ａ上に位
置していて層２２の導電性ランナ（ｒｓＬｒ＆ｎｍｒ　
）に適当６；結合されているので１合成器の所望の動作
周波数に関連したデータはメモリ２４へ供給され、更６
二詳しく後述する方法）：よってそこからアドレス可能
な状態で引き出すことができる。

＄２図Ｂに示しである幾何学的パターンを示す導電材料
の層５０は第１図の装置の底面２０Ｂ上に位置している
。

絶縁基板材料４０ヤ廊は第１図に示すようζ二層ＳＯの
下ζ二位置している。層４０は層２０の物理的性質と同
様な物理的性質を示し、代表的な場合には同様な材料で
作られている。電気絶縁基板材料の層５０は第１図に示
す方法で層４０の下に位置している０層５０は上ｍ　ｓ
ｏＡと下面５０Ｂを含む。第２図Ｃに示す幾何学的パタ
ーンを示す導電材料の層６０は第１図に示すように面５
０Ｂと基板層４０との間に位置している。第２図りの幾
何学的パターンを示す導電材料７０の層は第１図Ｃ；示
すように面５０Ａ上に位置しである。熱活性比エポキシ
層（図示されていない）は層２０　、４０および５０の
間に位置していてそれらの層を一緒に固定した関係にお
いて保持している。

電気絶縁材料の層は、第１図におけるようにメモリ２４
とその下に位置する導電層２２の一部との間に位置して
いて、導電層２２のそれらの部分へのメモリ２４の所望
しない短絡を防止する。

本発明の装置を更によく理解するためには、同−諌受人
（ｉｙｔ酩ｔ　ａｓｐｇルー）に−渡されている下記の
係属中の米国出願を検討してみると役に立つ。

１９８１年４月６日付米国出願第２５１　、５５８号、
′周波数合成器用バッテリ節約システム” １９８１年４月６日付米国出１１１１２５１，５５９号
、１周波数合成器用電圧変流器” １９８１年４月６日付米国出願！Ｉ　２５１．２６５号
、“合成器トランシーバ用優先チャネルシステム”１９
８１年４月６日付米国出願第２５１．５７０号、１周波
数合成器用デジタルおよびアナログ位相検波器”１９８
１年４月６日付米国出願第２５１．５７２号、“周波数
合成器用距離制御回路” １９８１年４月６日付米国出願第２５１．６４０号、′
最少相互接続を有する多位置スイッチ” １９８１年４月６日付米国出願第２５１．６４４号、“
周波数合成器トランシーバ用帯域切換えシステム”１９
８１年４月６日付米国出願第２５１．６４５号、“周波
数合成器用搬送波変調システム１ １９８１年４月６日付米国出願＠　２５１．６５７号、
“合成トランシーバ用送信保護システム” １９８１年４月６日付米国出願第２５１，６５８号、“
周波数合成器用の改良されたスワローカワンタ”上述し
たすべての特許出願の内容はこ＼に参考のため組入れら
れている。

第２図りの装置１０の底部に面５０，４上からみたもの
として示されている導電層７０の個々の部分を検討する
ことによって、装置１０の構造および動作の理解が促進
される。便宜上１１１２図ＤＣ：示されている底部装置
面は図示されているように４つの小領域（ｔｍｈ−ｒａ
ｇ＊ａｓ％）又は接点（６ｔｙｈｔｇｅｔ　）小部分領
域（９０Ａ　、　９０Ｂ、　９０Ｃおよび９０Ｄ）舊二
分けられている。導電層７０の部分は図示されているよ
うに小領域９０Ａ−９０Ｄ内Ｃ：延びている。領域？Ｏ
Ａ−９０Ｄ内へ延びている導電層７０のそのような部分
への電気的接続は、そこにおいて接触して位置している
それぞれのアンプリフレックスコネクタ１００Ａ、１０
０Ｂ１００Ｃおよび１００Ｄによって行われる（アンブ
リフレックスはアンプ社の商標である）。アンプリフレ
ックスコネクタ１００Ａおよび１００Ｂは、装置１０の
外側にある電気回路１１０の部分に機械的および電気的
Ｃ二接続されていることが判る。同様な方法で、アンプ
リフレックスコネクタ１００Ｃおよび１００Ｄは装置１
０の外側にある電気回路１２０に電気的および機械的に
接続されている。アンプリフレックスコネクタは、や−
円筒形のエラストマ構造物上に位置する複数の平行した
、しかし空間的に分離されている導電部材を含むことが
認められる。装置１０はアンプリフレックスコネクタ１
００Ａ、　１００Ｂ、１００Ｃおよび１００Ｄ上Ｉ：動
作するように取付けられているので、小領域（ｎｄ　−
ｒｍｚｉｔｎｈ　）　９ｏＡ　、　ｑｏＢ　、　ｑｏｃ
および９０Ｄ内に延びている：導電層７０の部分間の電
気的接続はそれぞれコネクタ１１０Ａ、　１１０Ｂ、　
１１０Ｃおよび１１０Ｄによって行われる。従って、更
に具体的に云うと、領域９０Ａおよび９０Ｂ内に延びて
いる導電層７０の部分はアンプリフレックスコネクタ１
００Ａおよび１００Ｂを介して外部回路１１０に電気的
Ｃ二接続されている。同様な方法で、小領域９０Ｃおよ
び９０Ｄ内へ延びている層の部分は、それぞれアンプリ
フレックスコネクタ１００Ｃおよび１００Ｄを介して外
部回路１２０へ電気的に接続されている。本発明の一実
施例においては、外部回路１１０および１２０はそれぞ
れ周波数合成無線受信機の位相検波器および制御器ハイ
ブリッド盤である。そのような位相検波器および制御器
へイブリッドは上記に挙げた係属中の米国出願１：詳述
されている。

！１！２図りにみられるように、装置１０の層７０は。

その各々が接触小領域９０Ａから接触小領域９０Ｃへ延
びている相互接続部材１５０および１４０を含む。

更５二具体的に云うと、相互接続部材１５０および１４
０はそれぞれ反対側にある端部を含み、各部材の一方の
端末は領域９０Ａ内に位置しており、もう一方の端末は
領域９０Ｃ内に位置している。従って、装置１０は第５
図に示されている方法によりアンプリフレックスコネク
タ１１０および１２０と接触して位置しており、相互接
続部材１５０は、そこで接触している回路１１０上のア
ンプリフレックスコネクタ１００Ａの特定の部分から受
けとった電気エネルギーをそこで接触している回路１２
０上のアンプリフレックスコネクタ１００Ｃの部分１：
選択的１：結合させる。この方法により、上記に引用さ
れた係属中の特許出願におけるこれらの指定された多重
イネーブルパルス（罵−４ｉ〆・ｘ−５赫ｌ・−Ｉ・＃
　）　Ｎｐ・は回路１１０および１２０の部分の間に選
択的に結合される。同様な方法で、相互接続部材１４０
と接触しているアンプリフレックスコネクタ１００Ａの
部分および相互接続部材１４０と接触しているアンプリ
フレックスコネクタ１００Ｃの部分は電気的に選択的に
一緒に結合される。従って１回路１１０の一部分は装置
ｉ１０上鑑二位置している相互接続部材１４０を介して
回路１２０の一部分に選択的に電気的に結合される。こ
の方法により、上記に引用した米国特許出願に記述され
ている多重イネーブルパルスＮ、のような電気パルスは
、相互接続部材１４０を介して回路１１０および１２０
の適当な部分間に結合される。

第２図りを再び参照すると１層７０は接点小領域９０Ｃ
内へ延びて位置している複数の導電性接点パッド１５１
　、１５２　、・・・１５８を含む。接点１５１−１５
８は“アドレス接点”と呼ばれる。この８つのアドレス
接点１５１　、１５２　、・・・１５８は、第２図Ａの
層２２゜第２図Ｂの層６０．第２−〇の層６０および第
２図りの層７０の適当なｆｆ１ＩＩＩＩｓ材を介して第
２図Ａのメモリの８つのアドレス入力接点又はランナＡ
０゜Ａ凰、・・・Ａマにそれぞれ電気的４＝接続されて
いる。接点Ａ＠　、　ＡＩ　、・・・Ａ１はメモリ２４
のマルチビットアドレス入力ボートを形成する。メモリ
２４のそのような８ビツトマルｔビツト入力ポートへの
アドレス接点１５１−１５８間においてなされる正確な
接続は、これらの図面第２図Ａ〜第２＃ＡＤを検討すれ
ば詳しく示されている。

再び第２図りを参照すると１層７０は接点小領域９０Ａ
内へ延びて位置し【いる複数の導電性接点パッド１１６
１．Ｉ＄２・・・１６８を含む。そのような接点パッド
は“周波数情報接点”と呼ばれる。接点パッド１６１　
、１６２　、・・・１６８は、第２図Ａ〜第２図りに明
確に示されているようζ；第２図１の層２２．第２図Ｂ
の層５０％第２図Ｃの層６０＃よび第２図りの層７０の
適当な部分を介して第２図Ａのメモリ２４０８つの周波
数情報出力接点又はランチ’ｌ＊’ｍｓ・・・Ｏ８にそ
れぞれ電気的に接続されている。接点０１ｙ’ｌｅ・・
・Ｏ・はメモリ２４のマルチビット周波数情報出力ポー
トを形成する。そのような８ビツトマルチビツトポート
への周波数情報接点１６１　、１６２゜・・・１６８間
で行われている正確な＊＊はこれらの図向第２図Ａ〜第
２図りを検討すれば詳しく示されている。

装［１Ｇの動作および構造を更ζ：よく理解するために
は、パッド１６１〜１６８および１５１−１５８がそれ
ぞれのアンプリフレックスコネクタ１００Ａ８よび１０
０Ｃに接触するように装置１０が置かれた場合の装置１
０の動作および構造を検討すると役に立つ。

これらの条件下では、回路１２０はアンプリフレックス
コネクタ１００Ｃ，導電性パッド１５１−１５８、およ
びそれらの間に置かれた層７０，６０，３０＃よび２２
の接続部材を介してデジタル８ビツトアドレス信号をメ
モリ２４のマルチビット入力ボートへ与える。本発明の
一部の実施例では、アドレス情報をメモリ２４へ伝える
ためにすべてのアドレスパッド１５１−１５８より少な
いパッドが用いられる。

メモリ２４は周波数情報の検索用テーブルを含む。

更に具体的に云うと、それぞれ異なる一片の周波数情報
がメモリ２４の各アドレスに記憶される。

従って１回路１２０が周波数合成器の一部として機能す
る−１で上述した方法で特定のアドレスへメモリ２４の
マルチビット入力ボートへ送ると、そのようなアドレス
に対応する周波数のデジタル指標（ｄｉｌ龜ｔａｌ　ｉ
ｖｗＬｉｅｉａ　）が、メモリ２４（７）？ル？ｌ／ツ
ト出力ボートへ与えられる。そのような周波数情報はメ
モリ２４のマルチビット出力から層２２　、３０．６０
オよび７０を通って周波数出力１６１−１６８へ達し、
１ノブリフレツクスコネクタ１０Ｕを通って回路１１０
に達し、そこでそのような情報は周波数合成のために使
用される。

層７０は、周波数源相互Ｉｉ！１ｍ１７０　、１７２を
具える。

相互接ｉ［１７０、１７２は、空間的には並列（平行）
関係にある接点夛プ領域？（１＋ｔから接点チプ領域９
０Ｃまで延びて位置している。短絡パー１７３　、１７
４は。

周波数相互接続１７０　、１７２をその対向端において
一緒にＷ！１１し、低抵抗パスはその対向端Ｃ二具えら
れている。かくして、装置１０は、第Ｓ図の方法で−ｙ
ｙ）ｙ　７レツｙｘ　（ｔｘ屏ｐｌｉｆ１ｍｚ）　２ネ
クタ１００Ａ。

１００Ｃと接触して配置され、基準周波数信号例えば５
０　ＫＨｚは、アンプリフレックスコネクタ１００Ａ、
１００Ｃ及びアンプリフレックスコネクタの各々を接触
させる相互Ｗ！続積構造１７０−７２を介してボード１
２０とボード１１０間に導かれる。

再び第２Ｄ図を参照するに、層１７０は、接点ナプ領域
９０Ａに延びている電気導電性接続パッド１８０を員え
る。接続パッド１８０は、第３図の方法でアンプリフレ
ックスコネクタ１００Ａに接触して配置される場会亀；
、大地（接地）に接続される。更に。

接続パッド１８Ｇは、電気的に接地され、メモリ２４０
適当な端子を接地させる。これを達成するため！：、接
続バンド１８０は、第２図Ａ〜Ｄに述べられた多層構造
に見られる方法にて層２２９層６０２層６０及び層７０
の適当部分（第２図ＡＥてＧＮＤと指定される）Ｃ二よ
りメモリ２４の接地端子：；接続される。

第２図りの層７０は、接点チプ領域９０Ｍ　、　９０Ｄ
に配置される対向端と共に電気的ζ；導電性材料１９１
　、１９２　、及び１９６０３個の並列ストリップを有
する電源電圧相互接＠１９０を具える。短絡バー１９４
．１？５は夫々、ｆブー域９０Ｂ上に配置されるパー１
？１　、１９２及び１９３の端部な一緒に電気的Ｅ　＃
　１ｍさせる。かくして、比較的低抵抗パスは、［圧接
纏構造１９０の成分（ｅｅｎｈｐｏルールｔ）パーの対
向端間に具えられ、相互＊＊構造１９０のパーの対向端
が夫々、第３図の方法にてアンプリフレックスコネクタ
１００Ｂ、１００Ｄと接触される場合、電源電圧信号例
えば５．２ボルトは、ボード１２０　、１１０の１つか
ら他のボードに与えられる。層７０は、第２図りに示さ
れるように接点サブ領域９ＱＢ　、　９０Ｄ　４’−夫
々配置される浮遊接続２００　、２０１を具える。第２
図りに示されているが、パッド２００　、２０１は、電
気的にフローティング（浮遊点）を残し、將来の装置応
用に融通性を可能にする。

層７０は、更に、浮遊接続２０１Ｃ二隣接して接点サブ
領域９０Ｂｌ：配置される２重結合共通接点２１０を具
える。接点２１０は、第２図Ａ〜第２図りに示されるよ
うに２層２２　、５０　、６０及び７０の接続ランナー
を介してメモリ２４のプログラム可能入力端子（ＩＩＩ
２図ＡにおいてＥｌと指定される）−二接続される。

適当な信号を２重接点２１０Ｃ印加することは、その選
択したアドレスをおり、て所望周波数情報−一よりメモ
リ２４のプログラミングを可能にする０層７０は、更に
、浮遊接続２００に隣接する接点サブ領域９０Ｂ内に延
びて配置される２重結合共通接点２１１を異える。２重
接点２１１は、第２図Ａ〜第２図Ｄ６：示されるように
層２２　、５０　、６０　、７０の適当部分を介して互
いにメモ９２４の可能（イネーブル）端子−：結合され
る。

層７０は、更１；、メモリ可能相互接続点２２０を具え
る。メモリ可能相互接続点２２０は、対向端部な含む電
気導電性材料のバーである。メモリ可能相互接続点の１
端は、２重接触２１０に隣接する接点サブ領域９０Ｂ内
に延長して配置され、メモリ可能相互接続点２２０の残
余の端部は、２重接触２１１に隣接する接触サブ領域９
０Ｄに延びて配置される。

かくして、装置１０は、＠３図により示される方法でア
ンプリフレックスコネクタ１００Ｂ、　１００Ｄと相互
接続点２２０が接触するように配置される場合（詳細は
後述する）、電気接続は回路１１０　、１２０間に与え
られる。この槽重接続は１回路１１０から回路１２０ま
で情報を与えるように使用され、かような回路の１つに
より高電流調整器を付勢し、メモ５２４をターンオンす
る充分な電流が発生される。メモツ可能相互接１１２２
０は、第２図Ａ−８１２図りに示されるように層２２　
、５０　、６０　、７０の接一部材又はランナーを介し
てメモリ２４のメモリ可能！ｌ！続パッド（１２図Ａに
おいてＥ、と指定される）に電気的へ：接纏される。メ
モリ可能相互接輪２２０の動作は、第２図りに示される
ようにそこに隣接して配置される電源電圧相互４１１１
１２３０に間違して考慮すべきである。電源電圧相互＠
＠２５０は。

対向端を有し、その１端が接触ｔプ領域９０Ｄに延びて
配置される電気導電性材料のパーである。

電源電圧相互接＠　２３０の残りの対向端は、＊触夛プ
領域９０Ｄに延びている。電源電圧相互＠＠２５０は、
ｌｊ！ｌ路１１０から回路１２０へ、又はその反対に電
圧を転送する１頁ｄ；、具体的：二は、この実施例１二
おいて、゛罐圧相互接＠２６０は、メモリ可能相互接＠
２２０を介して流れる情報の状態によって決定される２
個の選択された電力レベルの１方において回路１１０か
ら回路１２０まで５．２ボルトを＊＊する。

例えば、回路１１０及び１２０が相当量の０ＭＯ８ｆプ
回路を具える場合には、それらの電力要件は、静止動作
状態のもとで比較的低い。しかし、アドレスを含む周波
数情報を読み出すためにアドレスによりメモリ２４を可
能にすることが所望される場合、関遍回路及びメそす２
４の動作に対して静止動作状態のもとにおけるよりも顕
著１；多大の電力量が必要となることが理解される。か
くして、情報がメモリ可能相互接１１２２０を介してボ
ード１１０と１２０との間を移動し、メモリが、付加電
力を必要とするターンオンをしようとしていることを示
す場合には、ボード１１０及び１２０の１方は、電源電
圧相互接＠　２３０において利用できる電力を上げるた
めの適当な回路を具える。電源電圧相互接続２３０は、
メモリ２４が第２図Ａ〜第２図りに示されるように層２
２　、５０　、６０及び７ｏの部材又はランナーを介し
てそこに電圧を供給するように電源電圧ｌＩ！１ｍ！（
第２図ＡにおいてＶｏＱと指定される）に電気的に＊Ｉ
Ｉｍさ、れることに注目すべきである。

装置１０．更に具体的には層７ｏは、タイムアウトタイ
マ構造２４０を具える。タイムアウト構造は、第２図り
に見られるようにサブ領域９０Ｂ内に配置される電気接
触パッド２４１　、２４２　、２４５を具える。

接触パッド２４１は短絡パーを介して接触パッド２４２
に電気的に接続される。接触パッド２４２は短絡バー２
４６を介して接触パッド２４３に電気的に接続される。

タイムアワトダイマ構造２４０は、更に、接点サブ領域
９０Ｄにすべて配置される接触パッド２５０　、２５１
．２５２及び２５３を具える。１に気約接触パッド２５
１゜２５２　、２５５は、接触パッド２４１，２４２．
及び２４３と垂直感：配列される。接触パッド２５２は
、短絡パー２５４を介して接触パッド２５５に接続され
る。接触パッド２４１は、接触パッド２４１．短絡パー
２５５．接触パッド２５１の組合せ構造がヂイムアワト
タイマ相互接続２６０を形成するよう６二その間にある
短絡パー２５５を介して接触パッド２５１に電気的に接
続される。接触パッド２４５は、接触パッド２４５の短
絡パー及び接触パッド２５！Ｈの組合せ構造がタイムア
ヮトタイマ相互接続２７０を形成するようにその間に配
置されるバー２５６を介して接触パッド２５３１二電気
的に接続される。

タイムアワト相互接続２６０　＊　２７０　（更に具体
的には、夫々短絡バー２５５及び２５４）の存在又は不
存在は、特定の予しめ選択された時間内に受信機と関連
した送信機をターンオフさせるかどうかについて１回路
１１０及び１２０の１方又は両方に配置されるタイムア
ワトタイマを指示するように使用される。更に特定する
ｇ二、相互接続２６０の短絡パー２５５及び相互接続２
７０の短絡パー２５６が存在する場合ｇ二は、タイムア
ワト特徴は、関連回路１１０及び１２０により与えられ
ない。同様に、接触パッド２４１　、２５１が互いに電
気的に結合されないように短絡パー２５５が切断されて
いる場合及び同時に相互接触２７０の短絡パー２５６が
存在し切断されていない場合、タイムアワト特徴は回路
１１０及び１２０によって与えられない。しかし、接触
パッド２４１．２５１が互いに接続され、相互接触２７
０の短絡パー２５６が切断され、接触パッド２４５　、
２５！ｌが互いに接続されないよう一二、相互接続２６
０の短絡パー２５５が存在し、切断されない場合、例え
ば６０秒のダイムアクト特徴がボード１１０又は１２０
上の回路によって与えられる。しかし、接触パッド２４
１゜２５１が互いに電気的ｉ：切離される場合、相互接
続部材２７０の短絡パー２５６が切断され、電気接触パ
ッド２４５　、２５５が電気的に一緒に結合されない場
合には、回路１１０及び１２０は、例えば５０秒のタイ
ムアワシ特徴を与える。

第２図Ａ−第２図り、及び第３図かられかるように、装
置１０は、外部保護カバー（図示せず）に取付けるため
の３個の孔５００　、５０５　、５１０を具え、その目
的は後で説明する。

第３図は、外部回路１１０　、１２０及び支持構造５９
０を具えるアセンブリに取付は可能に図示された装置１
０の分解斜図である０回路１１０及び１２０は、へイブ
リッドモジュールボードとして示され、従ってへイブリ
ッドモジュール１１０　、１２０と呼ばれる。

第３図、更に詳細には第４図かられかるように。

支持構造３９０は、形状がＩビーム状であり、そこ６二
八イブリツドモジユールを受は入れる凹所部分４４０を
具える。支持構造５９０は、モジュール１２０が配置さ
れるリッジ又はリム４４５を具える。支持構造５９０は
、更に、支持構造５９０の対向端−二おいてリム４４５
土に配置される突起部４５０及びスプリング部材４５５
を具え、モジュール１２Ｇが１１５図に記載された方法
で突起部４３０とスプリング４５５との間にその端部な
比較的やわらかに押込ませることにより支持構造３９０
に適宜に保持される。要約すると、モジュール１２０は
、突起部４５０とスプリング部材４３５間のリム上に配
置される場合にパチツと責がしてはめこまれる。５業技
術者は、モジュール１１０が第５図に図示しない支持構
造３９０の背面に取付けられ、第５図に記載された如く
第３図の線５−５に沿う切断面に明らかに示されている
ことを除外すれば、モジュール１１０が前述したモジュ
ール１２０と同様の方法で支持構造５９０に保持される
ことが通解されよう。

再び１４５図を参照するに、支持構造３９０は、図示の
如く装置１０に配置される孔５００　、５０５及び３１
０と夫々垂直に配列されるねじ孔４００．４０５　、４
１０を興える。かように形成された孔の対に挿入される
ねじは、支持構造５９０及び前述したよう（＝その上に
取付けられるモジュール１１０及び１２０により形成さ
れるアセンブリ上に装置１０を取付けるのに使用される
。この構成において、モジュール１１０及び１２０は、
アンプリフレックスコネクタ１０ＱＡ。

１００Ｂ、　１００Ｇ及び１００Ｄにより適当な相互接
ＩＩ（例えば２５０）及び接続点（例えば接触パッド１
６１〜１６８　）　Ｅ電気的１：結合される。

第３図に関連して第４図を参照するに、支持構造６９０
は、構造上の保全を与えるように図示されている如く、
支持構造５９０の内面の長さ方向書二具えられているレ
ール状の金属製チプ夛ポート部材又はねじ板４５０及び
４６０を具える。ねじ孔４００　、４０５及び４１０は
、上部ねじ板４６０まで延び、装置１０を支持構造５９
０４：、取付けるのを容易にする。ねじ孔４１５　、４
２０及び第３の孔（斜視図の便宜上図示されないが、孔
４１０と垂直に配列されている）は、下方ねじ板４５０
まで延び、装置１１１１０．配置されたモジュール１１
０及び１２０を有する支持構造５９０のアセンブリを母
回路板に取付けるのを容易にする。

特に第６図、第５図かられかるように、かようなアセン
ブリ間の電気接続は、モジュール１２０上のアンプリフ
レックスコネクタ１００Ｂ、　１００ｊ’　、及びモジ
ュール１１０上のアンプリフレックスコネクタ１００Ｇ
において達成される。（図示されないモジュール１１０
上の他のアンプリフレックス接続は、かような電気接続
を更Ｉ：よく達成するように使用される。） 前述のことは、プログラム可能な方法で合成無線周波数
受信機の動作周波数を示す情報を格納する装置を説明し
た。本発明の装置は、無線局波数の比較的広い範囲１：
わたって合成無線周波数動作を与える。

本発明の特定の好ましい特徴のみが図により説明された
が、多くの変形及び変更が５業技術・−＝起るであろう
。従って、本発明の特許請求の範囲は。

本発明の精神を逸脱しない範囲内のすべて変形及び変更
を包含することが意図されていることが理解されるべき
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の多層性を示す本発明の装置の側面図
である。 第２図Ａは、ＩＪ１図の装置の最上層の平面図であるＯ 第２図Ｂは、第２図Ａの仏導層の下に位置している仏僑
層の平面図である。 ＠２図Ｃは、第２図Ｂの導電層の下に位置している導電
層の平面図である。 ＠２図りは、第２図Ｃの導電層の下に位置している導電
層の平面図である。 第３図は、関連外部回路に接続するため適当な位置にお
いて示した本発明の装置の分解斜視図である。 第４図は、本発明の装置を外部回路−二取付けやすくす
るために用いる支持部材の斜視図である。 第５図は、第３図に示した構造物をまとめて組立てた後
のその構造物の断面図である。 特許出願人　　モトローラ・インコーボレーテツド代理
人　弁理士　玉蟲久五部 ｔ−りＨの浄９（内容に変更なＬ） 工＝テ、２ｄＡ ｌ＝フ・２θ ！＝７．２ｃ 第１頁の続き ０発　明　者　リチャード・レイセント・シュウイード アメリカ合衆国フロリダ州３３０６ ８ノース・ローダ−ディル・ニ ス・ダブリュー・エイティサー ド・アベニュー４２１番 ０発　明　者　レイセント・ウィリアム・バーバンク アメリカ合衆国フロリダ州３３０６ ８ノース・ローダ−ディル・ニ ス・ダブリュー・エイティファ ースト・テラス４２０番 ０発　明　者　ウィリアム・リチャード・ウィリアムス アメリカ合衆国フロリダ州３３０６ ８ノース・ローダ−ディル・ニ ス・ダブリュー・セブンテイフ イフス・アベニュー６０７番 手続補正書 昭和５８年４月２０日 特許庁長官　若杉和夫　殿 １、事件の表示 昭相５８年特許願第０３３７０１号 ２、発明の名称 合成無線周波数決定装置 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　　アメリカ合衆国イリノイ州６０１９６．シャン
バーグ、イースト・アルゴンフィン・ロード。 １３０３番 名称　モトローラ・インコーボレーテンド代表者　ビン
セント・ジェイ・ラウナー４、代理人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　外表面を有する上部、下部回路ボードと、ナ
   ンドイツチ状の関係にてその間−一装置される少なくと
   も１個の中間の回路ボードとを具える複数回路ボード、 前記上部回路ボードの外表面上に配置され。 複数ビットの入力ポートが適当にアドレスされる場合、
   複数ビット出力ポートＣ二周波数データを与えるメモリ
   デバイス、 前記第１．第２回路ボードの表面、及び少なくとも前記
   １個の中間回路ボード上ε二配置され、前記下部ボード
   の外表面Ｃ：配置される複数の電気接続パッドを少なく
   とも前記入力、出力ポートに電気的に接続する接続構造
   部。 前記下部回路ボードの外表面上に配置され、　′周波数
   制御素子の外部の第１ａ路の１部を周波数制御素子の外
   部の第２回路の１部Ｃ；選択的に電気接続する複数の相
   互接続構造部、 を具備することを特徴とする無線周波数受信機の動作周
   波数を選定する周波数制御素子。 （２）前記メモリ手段は、プログラム可能固定記憶装置
   から成る前記特許請求の範囲第１項記載の周波数制御素
   子。 （５）前記相互接続手段の各々は対向端を有する電気導
   電性部材を具え、前記対向端の各々は、夫々第１．第２
   アンプリフレツクス型コネクタの一部を接続するのに適
   合し、前記第１．第２アンプリフレツクス型コネクタは
   、夫々前記第１、第２回路ｌ：電気的Ｃ；結合される前
   記特許請求の範囲第１項記載の周波数制御素子。 （４）　　前記接続手段は、夫々の表面上の前記回路ボ
   ードの全面にわたって配置される電気導電性部材を具え
   、前記電セ曹触パッド内に含まれるアドレス接触パッド
   を前記メモリ手段の複数ビット入力ボートに含まれる夫
   々のアドレス入力接点に接続する前記特許請求の範囲第
   １項記載の周波数制御素子。 （５）前記接続手段は、夫々の表面上の前記回路ボード
   全面にわたって配置される電気導電性部材を具え、前記
   電気接触パッド内に含まれる周波数情報接触パッドを前
   記メモリ手段の複数ビット出力ポートに含まれる夫々の
   周波数情報出力接点に接続する前記特許請求の範囲第１
   項記載の周波数制御素子。 （６）前記相互接続手段は、対向端を有する電気導電性
   材料の少なくとも１個のタイムアウト相互接続部材を異
   え、譲歩なくとも１個のタイムアウト相互接続部材は、
   前記第１．第２回路に含まれるタイムアクト回路に係合
   する前記特許請求の範囲第１項記載の周波数制御素子。 （７）前記回路ボード間に配置される熱活性化エポキシ
   層を具え、前記回路ボードを固定した関係で一緒に保持
   する前記特許請求の範囲第１項記載の周波数制御素子。 （８）前記Ｗ＆１．第１．路は□゛、前記第１．第２ノ
   ーイブリドモジュール間に配置される支持部材Ｃ；より
   相互に前記多層回路ボードに関し固定関係に機械的に保
   持される＠１．第２バイブリドモジュールを具える前記
   特許請求の範囲第１項記載の周波数制御素子。