JPS58166833A - 合成無線周波数決定装置 - Google Patents
合成無線周波数決定装置Info
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- JPS58166833A JPS58166833A JP58033701A JP3370183A JPS58166833A JP S58166833 A JPS58166833 A JP S58166833A JP 58033701 A JP58033701 A JP 58033701A JP 3370183 A JP3370183 A JP 3370183A JP S58166833 A JPS58166833 A JP S58166833A
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- JP
- Japan
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- control element
- frequency
- circuit
- frequency control
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J1/00—Details of adjusting, driving, indicating, or mechanical control arrangements for resonant circuits in general
- H03J1/02—Indicating arrangements
- H03J1/04—Indicating arrangements with optical indicating means
Landscapes
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Structure Of Receivers (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
本発明は、無線周波数受信機の動作周波数を制御する装
置に関するものであり、更に具体的−二云うと合成無線
周波受信機の動作周波数を指定する情報を含む装置に関
する。
置に関するものであり、更に具体的−二云うと合成無線
周波受信機の動作周波数を指定する情報を含む装置に関
する。
先行技術の説明
過去においては、無線周波数受信機の動作周波数を制御
するために個別のクリスタルを用いた。
するために個別のクリスタルを用いた。
そのような従来の受信機においては、所望する各受信又
は送信周波数g二対して別個のクリスタルが必要とされ
た。従って、多数の周波数チャネルの動作が所望される
場合には、それに対応する多数のクリスタルがかなりの
費用をかけて使用された。
は送信周波数g二対して別個のクリスタルが必要とされ
た。従って、多数の周波数チャネルの動作が所望される
場合には、それに対応する多数のクリスタルがかなりの
費用をかけて使用された。
技術が進歩するにつれて1個別のクリスタルは次第に個
別のチャネル素子、即ち温度補償回路と一緒に実装され
たクリスタルによってIllかえられるようになり、そ
の結果より安定したクリスタル性能が得られるようにな
った。勿論そのようなチャネル素子は単なるクリスタル
よりも高価になる傾向があり、従って比較的多数の周波
数で送受信する能力のあるトランシーバの値段もそれに
対応して高くなった。
別のチャネル素子、即ち温度補償回路と一緒に実装され
たクリスタルによってIllかえられるようになり、そ
の結果より安定したクリスタル性能が得られるようにな
った。勿論そのようなチャネル素子は単なるクリスタル
よりも高価になる傾向があり、従って比較的多数の周波
数で送受信する能力のあるトランシーバの値段もそれに
対応して高くなった。
オフセット型無線周波数合成器は、多数の周波数で送受
信するの1;要するクリスタル数を減少させる1種の合
成器である。オフセット型合成器は電圧制御発振器、位
相ロック(1eak )ループおよび位相検波器回路を
用いており、これらがすべて適切に一緒に結合されて、
1個の基準発振器から複数の送受信周波数を発生させる
。複数の無線周波数送受信周波数を発生させるために基
準発蒸器回路に1個のクリスタルを用いてもよく、従っ
て使用されるクリスタル数は極めて少なくなる。残念な
がら、そのようなオフセット型周波数合成器は多数の送
受信周波数を発生させることができるが、そのような発
生した周波数は代表的な場合には比較的狭い帯域、例え
ば144〜148 MHzに限定される。
信するの1;要するクリスタル数を減少させる1種の合
成器である。オフセット型合成器は電圧制御発振器、位
相ロック(1eak )ループおよび位相検波器回路を
用いており、これらがすべて適切に一緒に結合されて、
1個の基準発振器から複数の送受信周波数を発生させる
。複数の無線周波数送受信周波数を発生させるために基
準発蒸器回路に1個のクリスタルを用いてもよく、従っ
て使用されるクリスタル数は極めて少なくなる。残念な
がら、そのようなオフセット型周波数合成器は多数の送
受信周波数を発生させることができるが、そのような発
生した周波数は代表的な場合には比較的狭い帯域、例え
ば144〜148 MHzに限定される。
従って、本発明の1つの目的は、比較的広い帯域の周波
数、例えば134〜176 MHzにわたる送受信周波
数を発生させるために周波数合成器を使用可能にする(
enable )ための周波数制御素子を提供するこ
とである。
数、例えば134〜176 MHzにわたる送受信周波
数を発生させるために周波数合成器を使用可能にする(
enable )ための周波数制御素子を提供するこ
とである。
本発明のもう1つの目的は、合成された無線周波数受信
機の動作周波数を指定する情報をその中C;プログラム
した周波数制御素子を提供することである。
機の動作周波数を指定する情報をその中C;プログラム
した周波数制御素子を提供することである。
これらの、およびその他の目的は下記の本発明の説明を
よく検討すれば当業者には明らか5:なるであろう。
よく検討すれば当業者には明らか5:なるであろう。
発明の簡単な要約
本発明は合成された無線周波数受信機の動作周波数を指
定する情報を含むための装置の提供を指向する。
定する情報を含むための装置の提供を指向する。
本発明の1実施例I:よると、上部板、下部板およびそ
れらの間にチンドイッチ状の関係で置かれた中間板とを
含む多層回路板(ボード)を含む。
れらの間にチンドイッチ状の関係で置かれた中間板とを
含む多層回路板(ボード)を含む。
上部回路板および下部回路板は外表面を含む。1部板の
外表面上にはメモリが置かれており、そのメモリの複数
ビット(マルチビット)入力ポートが適当にアドレスさ
れると、周波数データをメモリのマルチピッF入力ポー
トへ与える。第1および第2板および少なくとも1枚の
中間板の表面上には接続部材が置かれている。この接続
部材は、下部板の外表面上に置かれた複数の電気的接触
パッドを少なくとも入力および出力ポートに電気的に接
続する。複数の相互接続部材が下部板の外表面上に置か
れている。この相互接続部材は、装置の外側の第1回路
の一部を装置の外側の82回路の一部1:選択的に電気
的5二相互接続する。
外表面上にはメモリが置かれており、そのメモリの複数
ビット(マルチビット)入力ポートが適当にアドレスさ
れると、周波数データをメモリのマルチピッF入力ポー
トへ与える。第1および第2板および少なくとも1枚の
中間板の表面上には接続部材が置かれている。この接続
部材は、下部板の外表面上に置かれた複数の電気的接触
パッドを少なくとも入力および出力ポートに電気的に接
続する。複数の相互接続部材が下部板の外表面上に置か
れている。この相互接続部材は、装置の外側の第1回路
の一部を装置の外側の82回路の一部1:選択的に電気
的5二相互接続する。
新規なものであると考えられる本発明の特徴は添付の特
許請求の範囲に述べられいる。しかし、本発明自体は、
構成の点についても動作方法の点についても、本発明の
その他の目的と一緒に、添付の図面とともに下記の説明
を参照することによって最もよく理解されよう。
許請求の範囲に述べられいる。しかし、本発明自体は、
構成の点についても動作方法の点についても、本発明の
その他の目的と一緒に、添付の図面とともに下記の説明
を参照することによって最もよく理解されよう。
好ましい実施例の詳細説明
第1図は本発明の情報を含み転送する装置の一実施例を
装置10として示す。装置10は電気絶縁材料、4sえ
は市販されているFE4のようなガラスエボキV樹脂の
層20を含む。導電材料1例えば金を被覆した銅又はニ
ッケルの層22が基板20の上1ii2(LA上に位置
している。層22はその一実施例における第2A図に示
されている所定の幾何学的パターンを示す。256 X
8プログラム可能固定メモリ24は上面20A上に位
置していて層22の導電性ランナ(rsLr&nmr
)に適当6;結合されているので1合成器の所望の動作
周波数に関連したデータはメモリ24へ供給され、更6
二詳しく後述する方法):よってそこからアドレス可能
な状態で引き出すことができる。
装置10として示す。装置10は電気絶縁材料、4sえ
は市販されているFE4のようなガラスエボキV樹脂の
層20を含む。導電材料1例えば金を被覆した銅又はニ
ッケルの層22が基板20の上1ii2(LA上に位置
している。層22はその一実施例における第2A図に示
されている所定の幾何学的パターンを示す。256 X
8プログラム可能固定メモリ24は上面20A上に位
置していて層22の導電性ランナ(rsLr&nmr
)に適当6;結合されているので1合成器の所望の動作
周波数に関連したデータはメモリ24へ供給され、更6
二詳しく後述する方法):よってそこからアドレス可能
な状態で引き出すことができる。
$2図Bに示しである幾何学的パターンを示す導電材料
の層50は第1図の装置の底面20B上に位置している
。
の層50は第1図の装置の底面20B上に位置している
。
絶縁基板材料40ヤ廊は第1図に示すようζ二層SOの
下ζ二位置している。層40は層20の物理的性質と同
様な物理的性質を示し、代表的な場合には同様な材料で
作られている。電気絶縁基板材料の層50は第1図に示
す方法で層40の下に位置している0層50は上m s
oAと下面50Bを含む。第2図Cに示す幾何学的パタ
ーンを示す導電材料の層60は第1図に示すように面5
0Bと基板層40との間に位置している。第2図りの幾
何学的パターンを示す導電材料70の層は第1図C;示
すように面50A上に位置しである。熱活性比エポキシ
層(図示されていない)は層20 、40および50の
間に位置していてそれらの層を一緒に固定した関係にお
いて保持している。
下ζ二位置している。層40は層20の物理的性質と同
様な物理的性質を示し、代表的な場合には同様な材料で
作られている。電気絶縁基板材料の層50は第1図に示
す方法で層40の下に位置している0層50は上m s
oAと下面50Bを含む。第2図Cに示す幾何学的パタ
ーンを示す導電材料の層60は第1図に示すように面5
0Bと基板層40との間に位置している。第2図りの幾
何学的パターンを示す導電材料70の層は第1図C;示
すように面50A上に位置しである。熱活性比エポキシ
層(図示されていない)は層20 、40および50の
間に位置していてそれらの層を一緒に固定した関係にお
いて保持している。
電気絶縁材料の層は、第1図におけるようにメモリ24
とその下に位置する導電層22の一部との間に位置して
いて、導電層22のそれらの部分へのメモリ24の所望
しない短絡を防止する。
とその下に位置する導電層22の一部との間に位置して
いて、導電層22のそれらの部分へのメモリ24の所望
しない短絡を防止する。
本発明の装置を更によく理解するためには、同−諌受人
(iyt酩t aspgルー)に−渡されている下記の
係属中の米国出願を検討してみると役に立つ。
(iyt酩t aspgルー)に−渡されている下記の
係属中の米国出願を検討してみると役に立つ。
1981年4月6日付米国出願第251 、558号、
′周波数合成器用バッテリ節約システム” 1981年4月6日付米国出1111251,559号
、1周波数合成器用電圧変流器” 1981年4月6日付米国出願!I 251.265号
、“合成器トランシーバ用優先チャネルシステム”19
81年4月6日付米国出願第251.570号、1周波
数合成器用デジタルおよびアナログ位相検波器”198
1年4月6日付米国出願第251.572号、“周波数
合成器用距離制御回路” 1981年4月6日付米国出願第251.640号、′
最少相互接続を有する多位置スイッチ” 1981年4月6日付米国出願第251.644号、“
周波数合成器トランシーバ用帯域切換えシステム”19
81年4月6日付米国出願第251.645号、“周波
数合成器用搬送波変調システム1 1981年4月6日付米国出願@ 251.657号、
“合成トランシーバ用送信保護システム” 1981年4月6日付米国出願第251,658号、“
周波数合成器用の改良されたスワローカワンタ”上述し
たすべての特許出願の内容はこ\に参考のため組入れら
れている。
′周波数合成器用バッテリ節約システム” 1981年4月6日付米国出1111251,559号
、1周波数合成器用電圧変流器” 1981年4月6日付米国出願!I 251.265号
、“合成器トランシーバ用優先チャネルシステム”19
81年4月6日付米国出願第251.570号、1周波
数合成器用デジタルおよびアナログ位相検波器”198
1年4月6日付米国出願第251.572号、“周波数
合成器用距離制御回路” 1981年4月6日付米国出願第251.640号、′
最少相互接続を有する多位置スイッチ” 1981年4月6日付米国出願第251.644号、“
周波数合成器トランシーバ用帯域切換えシステム”19
81年4月6日付米国出願第251.645号、“周波
数合成器用搬送波変調システム1 1981年4月6日付米国出願@ 251.657号、
“合成トランシーバ用送信保護システム” 1981年4月6日付米国出願第251,658号、“
周波数合成器用の改良されたスワローカワンタ”上述し
たすべての特許出願の内容はこ\に参考のため組入れら
れている。
第2図りの装置10の底部に面50,4上からみたもの
として示されている導電層70の個々の部分を検討する
ことによって、装置10の構造および動作の理解が促進
される。便宜上1112図DC:示されている底部装置
面は図示されているように4つの小領域(tmh−ra
g*as%)又は接点(6tyhtget )小部分領
域(90A 、 90B、 90Cおよび90D)舊二
分けられている。導電層70の部分は図示されているよ
うに小領域90A−90D内C:延びている。領域?O
A−90D内へ延びている導電層70のそのような部分
への電気的接続は、そこにおいて接触して位置している
それぞれのアンプリフレックスコネクタ100A、10
0B100Cおよび100Dによって行われる(アンブ
リフレックスはアンプ社の商標である)。アンプリフレ
ックスコネクタ100Aおよび100Bは、装置10の
外側にある電気回路110の部分に機械的および電気的
C二接続されていることが判る。同様な方法で、アンプ
リフレックスコネクタ100Cおよび100Dは装置1
0の外側にある電気回路120に電気的および機械的に
接続されている。アンプリフレックスコネクタは、や−
円筒形のエラストマ構造物上に位置する複数の平行した
、しかし空間的に分離されている導電部材を含むことが
認められる。装置10はアンプリフレックスコネクタ1
00A、 100B、100Cおよび100D上I:動
作するように取付けられているので、小領域(nd −
rmzitnh ) 9oA 、 qoB 、 qoc
および90D内に延びている:導電層70の部分間の電
気的接続はそれぞれコネクタ110A、 110B、
110Cおよび110Dによって行われる。従って、更
に具体的に云うと、領域90Aおよび90B内に延びて
いる導電層70の部分はアンプリフレックスコネクタ1
00Aおよび100Bを介して外部回路110に電気的
C二接続されている。同様な方法で、小領域90Cおよ
び90D内へ延びている層の部分は、それぞれアンプリ
フレックスコネクタ100Cおよび100Dを介して外
部回路120へ電気的に接続されている。本発明の一実
施例においては、外部回路110および120はそれぞ
れ周波数合成無線受信機の位相検波器および制御器ハイ
ブリッド盤である。そのような位相検波器および制御器
へイブリッドは上記に挙げた係属中の米国出願1:詳述
されている。
として示されている導電層70の個々の部分を検討する
ことによって、装置10の構造および動作の理解が促進
される。便宜上1112図DC:示されている底部装置
面は図示されているように4つの小領域(tmh−ra
g*as%)又は接点(6tyhtget )小部分領
域(90A 、 90B、 90Cおよび90D)舊二
分けられている。導電層70の部分は図示されているよ
うに小領域90A−90D内C:延びている。領域?O
A−90D内へ延びている導電層70のそのような部分
への電気的接続は、そこにおいて接触して位置している
それぞれのアンプリフレックスコネクタ100A、10
0B100Cおよび100Dによって行われる(アンブ
リフレックスはアンプ社の商標である)。アンプリフレ
ックスコネクタ100Aおよび100Bは、装置10の
外側にある電気回路110の部分に機械的および電気的
C二接続されていることが判る。同様な方法で、アンプ
リフレックスコネクタ100Cおよび100Dは装置1
0の外側にある電気回路120に電気的および機械的に
接続されている。アンプリフレックスコネクタは、や−
円筒形のエラストマ構造物上に位置する複数の平行した
、しかし空間的に分離されている導電部材を含むことが
認められる。装置10はアンプリフレックスコネクタ1
00A、 100B、100Cおよび100D上I:動
作するように取付けられているので、小領域(nd −
rmzitnh ) 9oA 、 qoB 、 qoc
および90D内に延びている:導電層70の部分間の電
気的接続はそれぞれコネクタ110A、 110B、
110Cおよび110Dによって行われる。従って、更
に具体的に云うと、領域90Aおよび90B内に延びて
いる導電層70の部分はアンプリフレックスコネクタ1
00Aおよび100Bを介して外部回路110に電気的
C二接続されている。同様な方法で、小領域90Cおよ
び90D内へ延びている層の部分は、それぞれアンプリ
フレックスコネクタ100Cおよび100Dを介して外
部回路120へ電気的に接続されている。本発明の一実
施例においては、外部回路110および120はそれぞ
れ周波数合成無線受信機の位相検波器および制御器ハイ
ブリッド盤である。そのような位相検波器および制御器
へイブリッドは上記に挙げた係属中の米国出願1:詳述
されている。
!1!2図りにみられるように、装置10の層70は。
その各々が接触小領域90Aから接触小領域90Cへ延
びている相互接続部材150および140を含む。
びている相互接続部材150および140を含む。
更5二具体的に云うと、相互接続部材150および14
0はそれぞれ反対側にある端部を含み、各部材の一方の
端末は領域90A内に位置しており、もう一方の端末は
領域90C内に位置している。従って、装置10は第5
図に示されている方法によりアンプリフレックスコネク
タ110および120と接触して位置しており、相互接
続部材150は、そこで接触している回路110上のア
ンプリフレックスコネクタ100Aの特定の部分から受
けとった電気エネルギーをそこで接触している回路12
0上のアンプリフレックスコネクタ100Cの部分1:
選択的1:結合させる。この方法により、上記に引用さ
れた係属中の特許出願におけるこれらの指定された多重
イネーブルパルス(罵−4i〆・x−5赫l・−I・#
) Np・は回路110および120の部分の間に選
択的に結合される。同様な方法で、相互接続部材140
と接触しているアンプリフレックスコネクタ100Aの
部分および相互接続部材140と接触しているアンプリ
フレックスコネクタ100Cの部分は電気的に選択的に
一緒に結合される。従って1回路110の一部分は装置
i10上鑑二位置している相互接続部材140を介して
回路120の一部分に選択的に電気的に結合される。こ
の方法により、上記に引用した米国特許出願に記述され
ている多重イネーブルパルスN、のような電気パルスは
、相互接続部材140を介して回路110および120
の適当な部分間に結合される。
0はそれぞれ反対側にある端部を含み、各部材の一方の
端末は領域90A内に位置しており、もう一方の端末は
領域90C内に位置している。従って、装置10は第5
図に示されている方法によりアンプリフレックスコネク
タ110および120と接触して位置しており、相互接
続部材150は、そこで接触している回路110上のア
ンプリフレックスコネクタ100Aの特定の部分から受
けとった電気エネルギーをそこで接触している回路12
0上のアンプリフレックスコネクタ100Cの部分1:
選択的1:結合させる。この方法により、上記に引用さ
れた係属中の特許出願におけるこれらの指定された多重
イネーブルパルス(罵−4i〆・x−5赫l・−I・#
) Np・は回路110および120の部分の間に選
択的に結合される。同様な方法で、相互接続部材140
と接触しているアンプリフレックスコネクタ100Aの
部分および相互接続部材140と接触しているアンプリ
フレックスコネクタ100Cの部分は電気的に選択的に
一緒に結合される。従って1回路110の一部分は装置
i10上鑑二位置している相互接続部材140を介して
回路120の一部分に選択的に電気的に結合される。こ
の方法により、上記に引用した米国特許出願に記述され
ている多重イネーブルパルスN、のような電気パルスは
、相互接続部材140を介して回路110および120
の適当な部分間に結合される。
第2図りを再び参照すると1層70は接点小領域90C
内へ延びて位置している複数の導電性接点パッド151
、152 、・・・158を含む。接点151−15
8は“アドレス接点”と呼ばれる。この8つのアドレス
接点151 、152 、・・・158は、第2図Aの
層22゜第2図Bの層60.第2−〇の層60および第
2図りの層70の適当なff1IIIIs材を介して第
2図Aのメモリの8つのアドレス入力接点又はランナA
0゜A凰、・・・Aマにそれぞれ電気的4=接続されて
いる。接点A@ 、 AI 、・・・A1はメモリ24
のマルチビットアドレス入力ボートを形成する。メモリ
24のそのような8ビツトマルtビツト入力ポートへの
アドレス接点151−158間においてなされる正確な
接続は、これらの図面第2図A〜第2#ADを検討すれ
ば詳しく示されている。
内へ延びて位置している複数の導電性接点パッド151
、152 、・・・158を含む。接点151−15
8は“アドレス接点”と呼ばれる。この8つのアドレス
接点151 、152 、・・・158は、第2図Aの
層22゜第2図Bの層60.第2−〇の層60および第
2図りの層70の適当なff1IIIIs材を介して第
2図Aのメモリの8つのアドレス入力接点又はランナA
0゜A凰、・・・Aマにそれぞれ電気的4=接続されて
いる。接点A@ 、 AI 、・・・A1はメモリ24
のマルチビットアドレス入力ボートを形成する。メモリ
24のそのような8ビツトマルtビツト入力ポートへの
アドレス接点151−158間においてなされる正確な
接続は、これらの図面第2図A〜第2#ADを検討すれ
ば詳しく示されている。
再び第2図りを参照すると1層70は接点小領域90A
内へ延びて位置し【いる複数の導電性接点パッド116
1.I$2・・・168を含む。そのような接点パッド
は“周波数情報接点”と呼ばれる。接点パッド161
、162 、・・・168は、第2図A〜第2図りに明
確に示されているようζ;第2図1の層22.第2図B
の層50%第2図Cの層60#よび第2図りの層70の
適当な部分を介して第2図Aのメモリ2408つの周波
数情報出力接点又はランチ’l*’ms・・・O8にそ
れぞれ電気的に接続されている。接点01y’le・・
・O・はメモリ24のマルチビット周波数情報出力ポー
トを形成する。そのような8ビツトマルチビツトポート
への周波数情報接点161 、162゜・・・168間
で行われている正確な**はこれらの図向第2図A〜第
2図りを検討すれば詳しく示されている。
内へ延びて位置し【いる複数の導電性接点パッド116
1.I$2・・・168を含む。そのような接点パッド
は“周波数情報接点”と呼ばれる。接点パッド161
、162 、・・・168は、第2図A〜第2図りに明
確に示されているようζ;第2図1の層22.第2図B
の層50%第2図Cの層60#よび第2図りの層70の
適当な部分を介して第2図Aのメモリ2408つの周波
数情報出力接点又はランチ’l*’ms・・・O8にそ
れぞれ電気的に接続されている。接点01y’le・・
・O・はメモリ24のマルチビット周波数情報出力ポー
トを形成する。そのような8ビツトマルチビツトポート
への周波数情報接点161 、162゜・・・168間
で行われている正確な**はこれらの図向第2図A〜第
2図りを検討すれば詳しく示されている。
装[1Gの動作および構造を更ζ:よく理解するために
は、パッド161〜168および151−158がそれ
ぞれのアンプリフレックスコネクタ100A8よび10
0Cに接触するように装置10が置かれた場合の装置1
0の動作および構造を検討すると役に立つ。
は、パッド161〜168および151−158がそれ
ぞれのアンプリフレックスコネクタ100A8よび10
0Cに接触するように装置10が置かれた場合の装置1
0の動作および構造を検討すると役に立つ。
これらの条件下では、回路120はアンプリフレックス
コネクタ100C,導電性パッド151−158、およ
びそれらの間に置かれた層70,60,30#よび22
の接続部材を介してデジタル8ビツトアドレス信号をメ
モリ24のマルチビット入力ボートへ与える。本発明の
一部の実施例では、アドレス情報をメモリ24へ伝える
ためにすべてのアドレスパッド151−158より少な
いパッドが用いられる。
コネクタ100C,導電性パッド151−158、およ
びそれらの間に置かれた層70,60,30#よび22
の接続部材を介してデジタル8ビツトアドレス信号をメ
モリ24のマルチビット入力ボートへ与える。本発明の
一部の実施例では、アドレス情報をメモリ24へ伝える
ためにすべてのアドレスパッド151−158より少な
いパッドが用いられる。
メモリ24は周波数情報の検索用テーブルを含む。
更に具体的に云うと、それぞれ異なる一片の周波数情報
がメモリ24の各アドレスに記憶される。
がメモリ24の各アドレスに記憶される。
従って1回路120が周波数合成器の一部として機能す
る−1で上述した方法で特定のアドレスへメモリ24の
マルチビット入力ボートへ送ると、そのようなアドレス
に対応する周波数のデジタル指標(dil龜tal i
vwLieia )が、メモリ24(7)?ル?l/ツ
ト出力ボートへ与えられる。そのような周波数情報はメ
モリ24のマルチビット出力から層22 、30.60
オよび70を通って周波数出力161−168へ達し、
1ノブリフレツクスコネクタ10Uを通って回路110
に達し、そこでそのような情報は周波数合成のために使
用される。
る−1で上述した方法で特定のアドレスへメモリ24の
マルチビット入力ボートへ送ると、そのようなアドレス
に対応する周波数のデジタル指標(dil龜tal i
vwLieia )が、メモリ24(7)?ル?l/ツ
ト出力ボートへ与えられる。そのような周波数情報はメ
モリ24のマルチビット出力から層22 、30.60
オよび70を通って周波数出力161−168へ達し、
1ノブリフレツクスコネクタ10Uを通って回路110
に達し、そこでそのような情報は周波数合成のために使
用される。
層70は、周波数源相互Ii!1m170 、172を
具える。
具える。
相互接i[170、172は、空間的には並列(平行)
関係にある接点夛プ領域?(1+tから接点チプ領域9
0Cまで延びて位置している。短絡パー173 、17
4は。
関係にある接点夛プ領域?(1+tから接点チプ領域9
0Cまで延びて位置している。短絡パー173 、17
4は。
周波数相互接続170 、172をその対向端において
一緒にW!11し、低抵抗パスはその対向端C二具えら
れている。かくして、装置10は、第S図の方法で−y
y)y 7レツyx (tx屏plif1mz) 2ネ
クタ100A。
一緒にW!11し、低抵抗パスはその対向端C二具えら
れている。かくして、装置10は、第S図の方法で−y
y)y 7レツyx (tx屏plif1mz) 2ネ
クタ100A。
100Cと接触して配置され、基準周波数信号例えば5
0 KHzは、アンプリフレックスコネクタ100A、
100C及びアンプリフレックスコネクタの各々を接触
させる相互W!続積構造170−72を介してボード1
20とボード110間に導かれる。
0 KHzは、アンプリフレックスコネクタ100A、
100C及びアンプリフレックスコネクタの各々を接触
させる相互W!続積構造170−72を介してボード1
20とボード110間に導かれる。
再び第2D図を参照するに、層170は、接点ナプ領域
90Aに延びている電気導電性接続パッド180を員え
る。接続パッド180は、第3図の方法でアンプリフレ
ックスコネクタ100Aに接触して配置される場会亀;
、大地(接地)に接続される。更に。
90Aに延びている電気導電性接続パッド180を員え
る。接続パッド180は、第3図の方法でアンプリフレ
ックスコネクタ100Aに接触して配置される場会亀;
、大地(接地)に接続される。更に。
接続パッド18Gは、電気的に接地され、メモリ240
適当な端子を接地させる。これを達成するため!:、接
続バンド180は、第2図A〜Dに述べられた多層構造
に見られる方法にて層229層602層60及び層70
の適当部分(第2図AEてGNDと指定される)C二よ
りメモリ24の接地端子:;接続される。
適当な端子を接地させる。これを達成するため!:、接
続バンド180は、第2図A〜Dに述べられた多層構造
に見られる方法にて層229層602層60及び層70
の適当部分(第2図AEてGNDと指定される)C二よ
りメモリ24の接地端子:;接続される。
第2図りの層70は、接点チプ領域90M 、 90D
に配置される対向端と共に電気的ζ;導電性材料191
、192 、及び19603個の並列ストリップを有
する電源電圧相互接@190を具える。短絡バー194
.1?5は夫々、fブー域90B上に配置されるパー1
?1 、192及び193の端部な一緒に電気的E #
1mさせる。かくして、比較的低抵抗パスは、[圧接
纏構造190の成分(eenhpoルールt)パーの対
向端間に具えられ、相互**構造190のパーの対向端
が夫々、第3図の方法にてアンプリフレックスコネクタ
100B、100Dと接触される場合、電源電圧信号例
えば5.2ボルトは、ボード120 、110の1つか
ら他のボードに与えられる。層70は、第2図りに示さ
れるように接点サブ領域9QB 、 90D 4’−夫
々配置される浮遊接続200 、201を具える。第2
図りに示されているが、パッド200 、201は、電
気的にフローティング(浮遊点)を残し、將来の装置応
用に融通性を可能にする。
に配置される対向端と共に電気的ζ;導電性材料191
、192 、及び19603個の並列ストリップを有
する電源電圧相互接@190を具える。短絡バー194
.1?5は夫々、fブー域90B上に配置されるパー1
?1 、192及び193の端部な一緒に電気的E #
1mさせる。かくして、比較的低抵抗パスは、[圧接
纏構造190の成分(eenhpoルールt)パーの対
向端間に具えられ、相互**構造190のパーの対向端
が夫々、第3図の方法にてアンプリフレックスコネクタ
100B、100Dと接触される場合、電源電圧信号例
えば5.2ボルトは、ボード120 、110の1つか
ら他のボードに与えられる。層70は、第2図りに示さ
れるように接点サブ領域9QB 、 90D 4’−夫
々配置される浮遊接続200 、201を具える。第2
図りに示されているが、パッド200 、201は、電
気的にフローティング(浮遊点)を残し、將来の装置応
用に融通性を可能にする。
層70は、更に、浮遊接続201C二隣接して接点サブ
領域90Bl:配置される2重結合共通接点210を具
える。接点210は、第2図A〜第2図りに示されるよ
うに2層22 、50 、60及び70の接続ランナー
を介してメモリ24のプログラム可能入力端子(III
2図AにおいてElと指定される)−二接続される。
領域90Bl:配置される2重結合共通接点210を具
える。接点210は、第2図A〜第2図りに示されるよ
うに2層22 、50 、60及び70の接続ランナー
を介してメモリ24のプログラム可能入力端子(III
2図AにおいてElと指定される)−二接続される。
適当な信号を2重接点210C印加することは、その選
択したアドレスをおり、て所望周波数情報−一よりメモ
リ24のプログラミングを可能にする0層70は、更に
、浮遊接続200に隣接する接点サブ領域90B内に延
びて配置される2重結合共通接点211を異える。2重
接点211は、第2図A〜第2図D6:示されるように
層22 、50 、60 、70の適当部分を介して互
いにメモ924の可能(イネーブル)端子−:結合され
る。
択したアドレスをおり、て所望周波数情報−一よりメモ
リ24のプログラミングを可能にする0層70は、更に
、浮遊接続200に隣接する接点サブ領域90B内に延
びて配置される2重結合共通接点211を異える。2重
接点211は、第2図A〜第2図D6:示されるように
層22 、50 、60 、70の適当部分を介して互
いにメモ924の可能(イネーブル)端子−:結合され
る。
層70は、更1;、メモリ可能相互接続点220を具え
る。メモリ可能相互接続点220は、対向端部な含む電
気導電性材料のバーである。メモリ可能相互接続点の1
端は、2重接触210に隣接する接点サブ領域90B内
に延長して配置され、メモリ可能相互接続点220の残
余の端部は、2重接触211に隣接する接触サブ領域9
0Dに延びて配置される。
る。メモリ可能相互接続点220は、対向端部な含む電
気導電性材料のバーである。メモリ可能相互接続点の1
端は、2重接触210に隣接する接点サブ領域90B内
に延長して配置され、メモリ可能相互接続点220の残
余の端部は、2重接触211に隣接する接触サブ領域9
0Dに延びて配置される。
かくして、装置10は、@3図により示される方法でア
ンプリフレックスコネクタ100B、 100Dと相互
接続点220が接触するように配置される場合(詳細は
後述する)、電気接続は回路110 、120間に与え
られる。この槽重接続は1回路110から回路120ま
で情報を与えるように使用され、かような回路の1つに
より高電流調整器を付勢し、メモ524をターンオンす
る充分な電流が発生される。メモツ可能相互接1122
0は、第2図A−812図りに示されるように層22
、50 、60 、70の接一部材又はランナーを介し
てメモリ24のメモリ可能!l!続パッド(12図Aに
おいてE、と指定される)に電気的へ:接纏される。メ
モリ可能相互接輪220の動作は、第2図りに示される
ようにそこに隣接して配置される電源電圧相互4111
1230に間違して考慮すべきである。電源電圧相互@
@250は。
ンプリフレックスコネクタ100B、 100Dと相互
接続点220が接触するように配置される場合(詳細は
後述する)、電気接続は回路110 、120間に与え
られる。この槽重接続は1回路110から回路120ま
で情報を与えるように使用され、かような回路の1つに
より高電流調整器を付勢し、メモ524をターンオンす
る充分な電流が発生される。メモツ可能相互接1122
0は、第2図A−812図りに示されるように層22
、50 、60 、70の接一部材又はランナーを介し
てメモリ24のメモリ可能!l!続パッド(12図Aに
おいてE、と指定される)に電気的へ:接纏される。メ
モリ可能相互接輪220の動作は、第2図りに示される
ようにそこに隣接して配置される電源電圧相互4111
1230に間違して考慮すべきである。電源電圧相互@
@250は。
対向端を有し、その1端が接触tプ領域90Dに延びて
配置される電気導電性材料のパーである。
配置される電気導電性材料のパーである。
電源電圧相互接@ 230の残りの対向端は、*触夛プ
領域90Dに延びている。電源電圧相互@@250は、
lj!l路110から回路120へ、又はその反対に電
圧を転送する1頁d;、具体的:二は、この実施例1二
おいて、゛罐圧相互接@260は、メモリ可能相互接@
220を介して流れる情報の状態によって決定される2
個の選択された電力レベルの1方において回路110か
ら回路120まで5.2ボルトを**する。
領域90Dに延びている。電源電圧相互@@250は、
lj!l路110から回路120へ、又はその反対に電
圧を転送する1頁d;、具体的:二は、この実施例1二
おいて、゛罐圧相互接@260は、メモリ可能相互接@
220を介して流れる情報の状態によって決定される2
個の選択された電力レベルの1方において回路110か
ら回路120まで5.2ボルトを**する。
例えば、回路110及び120が相当量の0MO8fプ
回路を具える場合には、それらの電力要件は、静止動作
状態のもとで比較的低い。しかし、アドレスを含む周波
数情報を読み出すためにアドレスによりメモリ24を可
能にすることが所望される場合、関遍回路及びメそす2
4の動作に対して静止動作状態のもとにおけるよりも顕
著1;多大の電力量が必要となることが理解される。か
くして、情報がメモリ可能相互接11220を介してボ
ード110と120との間を移動し、メモリが、付加電
力を必要とするターンオンをしようとしていることを示
す場合には、ボード110及び120の1方は、電源電
圧相互接@ 230において利用できる電力を上げるた
めの適当な回路を具える。電源電圧相互接続230は、
メモリ24が第2図A〜第2図りに示されるように層2
2 、50 、60及び7oの部材又はランナーを介し
てそこに電圧を供給するように電源電圧lI!1m!(
第2図AにおいてVoQと指定される)に電気的に*I
Imさ、れることに注目すべきである。
回路を具える場合には、それらの電力要件は、静止動作
状態のもとで比較的低い。しかし、アドレスを含む周波
数情報を読み出すためにアドレスによりメモリ24を可
能にすることが所望される場合、関遍回路及びメそす2
4の動作に対して静止動作状態のもとにおけるよりも顕
著1;多大の電力量が必要となることが理解される。か
くして、情報がメモリ可能相互接11220を介してボ
ード110と120との間を移動し、メモリが、付加電
力を必要とするターンオンをしようとしていることを示
す場合には、ボード110及び120の1方は、電源電
圧相互接@ 230において利用できる電力を上げるた
めの適当な回路を具える。電源電圧相互接続230は、
メモリ24が第2図A〜第2図りに示されるように層2
2 、50 、60及び7oの部材又はランナーを介し
てそこに電圧を供給するように電源電圧lI!1m!(
第2図AにおいてVoQと指定される)に電気的に*I
Imさ、れることに注目すべきである。
装置10.更に具体的には層7oは、タイムアウトタイ
マ構造240を具える。タイムアウト構造は、第2図り
に見られるようにサブ領域90B内に配置される電気接
触パッド241 、242 、245を具える。
マ構造240を具える。タイムアウト構造は、第2図り
に見られるようにサブ領域90B内に配置される電気接
触パッド241 、242 、245を具える。
接触パッド241は短絡パーを介して接触パッド242
に電気的に接続される。接触パッド242は短絡バー2
46を介して接触パッド243に電気的に接続される。
に電気的に接続される。接触パッド242は短絡バー2
46を介して接触パッド243に電気的に接続される。
タイムアワトダイマ構造240は、更に、接点サブ領域
90Dにすべて配置される接触パッド250 、251
.252及び253を具える。1に気約接触パッド25
1゜252 、255は、接触パッド241,242.
及び243と垂直感:配列される。接触パッド252は
、短絡パー254を介して接触パッド255に接続され
る。接触パッド241は、接触パッド241.短絡パー
255.接触パッド251の組合せ構造がヂイムアワト
タイマ相互接続260を形成するよう6二その間にある
短絡パー255を介して接触パッド251に電気的に接
続される。接触パッド245は、接触パッド245の短
絡パー及び接触パッド25!Hの組合せ構造がタイムア
ヮトタイマ相互接続270を形成するようにその間に配
置されるバー256を介して接触パッド2531二電気
的に接続される。
90Dにすべて配置される接触パッド250 、251
.252及び253を具える。1に気約接触パッド25
1゜252 、255は、接触パッド241,242.
及び243と垂直感:配列される。接触パッド252は
、短絡パー254を介して接触パッド255に接続され
る。接触パッド241は、接触パッド241.短絡パー
255.接触パッド251の組合せ構造がヂイムアワト
タイマ相互接続260を形成するよう6二その間にある
短絡パー255を介して接触パッド251に電気的に接
続される。接触パッド245は、接触パッド245の短
絡パー及び接触パッド25!Hの組合せ構造がタイムア
ヮトタイマ相互接続270を形成するようにその間に配
置されるバー256を介して接触パッド2531二電気
的に接続される。
タイムアワト相互接続260 * 270 (更に具体
的には、夫々短絡バー255及び254)の存在又は不
存在は、特定の予しめ選択された時間内に受信機と関連
した送信機をターンオフさせるかどうかについて1回路
110及び120の1方又は両方に配置されるタイムア
ワトタイマを指示するように使用される。更に特定する
g二、相互接続260の短絡パー255及び相互接続2
70の短絡パー256が存在する場合g二は、タイムア
ワト特徴は、関連回路110及び120により与えられ
ない。同様に、接触パッド241 、251が互いに電
気的に結合されないように短絡パー255が切断されて
いる場合及び同時に相互接触270の短絡パー256が
存在し切断されていない場合、タイムアワト特徴は回路
110及び120によって与えられない。しかし、接触
パッド241.251が互いに接続され、相互接触27
0の短絡パー256が切断され、接触パッド245 、
25!lが互いに接続されないよう一二、相互接続26
0の短絡パー255が存在し、切断されない場合、例え
ば60秒のダイムアクト特徴がボード110又は120
上の回路によって与えられる。しかし、接触パッド24
1゜251が互いに電気的i:切離される場合、相互接
続部材270の短絡パー256が切断され、電気接触パ
ッド245 、255が電気的に一緒に結合されない場
合には、回路110及び120は、例えば50秒のタイ
ムアワシ特徴を与える。
的には、夫々短絡バー255及び254)の存在又は不
存在は、特定の予しめ選択された時間内に受信機と関連
した送信機をターンオフさせるかどうかについて1回路
110及び120の1方又は両方に配置されるタイムア
ワトタイマを指示するように使用される。更に特定する
g二、相互接続260の短絡パー255及び相互接続2
70の短絡パー256が存在する場合g二は、タイムア
ワト特徴は、関連回路110及び120により与えられ
ない。同様に、接触パッド241 、251が互いに電
気的に結合されないように短絡パー255が切断されて
いる場合及び同時に相互接触270の短絡パー256が
存在し切断されていない場合、タイムアワト特徴は回路
110及び120によって与えられない。しかし、接触
パッド241.251が互いに接続され、相互接触27
0の短絡パー256が切断され、接触パッド245 、
25!lが互いに接続されないよう一二、相互接続26
0の短絡パー255が存在し、切断されない場合、例え
ば60秒のダイムアクト特徴がボード110又は120
上の回路によって与えられる。しかし、接触パッド24
1゜251が互いに電気的i:切離される場合、相互接
続部材270の短絡パー256が切断され、電気接触パ
ッド245 、255が電気的に一緒に結合されない場
合には、回路110及び120は、例えば50秒のタイ
ムアワシ特徴を与える。
第2図A−第2図り、及び第3図かられかるように、装
置10は、外部保護カバー(図示せず)に取付けるため
の3個の孔500 、505 、510を具え、その目
的は後で説明する。
置10は、外部保護カバー(図示せず)に取付けるため
の3個の孔500 、505 、510を具え、その目
的は後で説明する。
第3図は、外部回路110 、120及び支持構造59
0を具えるアセンブリに取付は可能に図示された装置1
0の分解斜図である0回路110及び120は、へイブ
リッドモジュールボードとして示され、従ってへイブリ
ッドモジュール110 、120と呼ばれる。
0を具えるアセンブリに取付は可能に図示された装置1
0の分解斜図である0回路110及び120は、へイブ
リッドモジュールボードとして示され、従ってへイブリ
ッドモジュール110 、120と呼ばれる。
第3図、更に詳細には第4図かられかるように。
支持構造390は、形状がIビーム状であり、そこ6二
八イブリツドモジユールを受は入れる凹所部分440を
具える。支持構造590は、モジュール120が配置さ
れるリッジ又はリム445を具える。支持構造590は
、更に、支持構造590の対向端−二おいてリム445
土に配置される突起部450及びスプリング部材455
を具え、モジュール12Gが115図に記載された方法
で突起部430とスプリング455との間にその端部な
比較的やわらかに押込ませることにより支持構造390
に適宜に保持される。要約すると、モジュール120は
、突起部450とスプリング部材435間のリム上に配
置される場合にパチツと責がしてはめこまれる。5業技
術者は、モジュール110が第5図に図示しない支持構
造390の背面に取付けられ、第5図に記載された如く
第3図の線5−5に沿う切断面に明らかに示されている
ことを除外すれば、モジュール110が前述したモジュ
ール120と同様の方法で支持構造590に保持される
ことが通解されよう。
八イブリツドモジユールを受は入れる凹所部分440を
具える。支持構造590は、モジュール120が配置さ
れるリッジ又はリム445を具える。支持構造590は
、更に、支持構造590の対向端−二おいてリム445
土に配置される突起部450及びスプリング部材455
を具え、モジュール12Gが115図に記載された方法
で突起部430とスプリング455との間にその端部な
比較的やわらかに押込ませることにより支持構造390
に適宜に保持される。要約すると、モジュール120は
、突起部450とスプリング部材435間のリム上に配
置される場合にパチツと責がしてはめこまれる。5業技
術者は、モジュール110が第5図に図示しない支持構
造390の背面に取付けられ、第5図に記載された如く
第3図の線5−5に沿う切断面に明らかに示されている
ことを除外すれば、モジュール110が前述したモジュ
ール120と同様の方法で支持構造590に保持される
ことが通解されよう。
再び145図を参照するに、支持構造390は、図示の
如く装置10に配置される孔500 、505及び31
0と夫々垂直に配列されるねじ孔400.405 、4
10を興える。かように形成された孔の対に挿入される
ねじは、支持構造590及び前述したよう(=その上に
取付けられるモジュール110及び120により形成さ
れるアセンブリ上に装置10を取付けるのに使用される
。この構成において、モジュール110及び120は、
アンプリフレックスコネクタ10QA。
如く装置10に配置される孔500 、505及び31
0と夫々垂直に配列されるねじ孔400.405 、4
10を興える。かように形成された孔の対に挿入される
ねじは、支持構造590及び前述したよう(=その上に
取付けられるモジュール110及び120により形成さ
れるアセンブリ上に装置10を取付けるのに使用される
。この構成において、モジュール110及び120は、
アンプリフレックスコネクタ10QA。
100B、 100G及び100Dにより適当な相互接
II(例えば250)及び接続点(例えば接触パッド1
61〜168 ) E電気的1:結合される。
II(例えば250)及び接続点(例えば接触パッド1
61〜168 ) E電気的1:結合される。
第3図に関連して第4図を参照するに、支持構造690
は、構造上の保全を与えるように図示されている如く、
支持構造590の内面の長さ方向書二具えられているレ
ール状の金属製チプ夛ポート部材又はねじ板450及び
460を具える。ねじ孔400 、405及び410は
、上部ねじ板460まで延び、装置10を支持構造59
04:、取付けるのを容易にする。ねじ孔415 、4
20及び第3の孔(斜視図の便宜上図示されないが、孔
410と垂直に配列されている)は、下方ねじ板450
まで延び、装置11110.配置されたモジュール11
0及び120を有する支持構造590のアセンブリを母
回路板に取付けるのを容易にする。
は、構造上の保全を与えるように図示されている如く、
支持構造590の内面の長さ方向書二具えられているレ
ール状の金属製チプ夛ポート部材又はねじ板450及び
460を具える。ねじ孔400 、405及び410は
、上部ねじ板460まで延び、装置10を支持構造59
04:、取付けるのを容易にする。ねじ孔415 、4
20及び第3の孔(斜視図の便宜上図示されないが、孔
410と垂直に配列されている)は、下方ねじ板450
まで延び、装置11110.配置されたモジュール11
0及び120を有する支持構造590のアセンブリを母
回路板に取付けるのを容易にする。
特に第6図、第5図かられかるように、かようなアセン
ブリ間の電気接続は、モジュール120上のアンプリフ
レックスコネクタ100B、 100j’ 、及びモジ
ュール110上のアンプリフレックスコネクタ100G
において達成される。(図示されないモジュール110
上の他のアンプリフレックス接続は、かような電気接続
を更I:よく達成するように使用される。) 前述のことは、プログラム可能な方法で合成無線周波数
受信機の動作周波数を示す情報を格納する装置を説明し
た。本発明の装置は、無線局波数の比較的広い範囲1:
わたって合成無線周波数動作を与える。
ブリ間の電気接続は、モジュール120上のアンプリフ
レックスコネクタ100B、 100j’ 、及びモジ
ュール110上のアンプリフレックスコネクタ100G
において達成される。(図示されないモジュール110
上の他のアンプリフレックス接続は、かような電気接続
を更I:よく達成するように使用される。) 前述のことは、プログラム可能な方法で合成無線周波数
受信機の動作周波数を示す情報を格納する装置を説明し
た。本発明の装置は、無線局波数の比較的広い範囲1:
わたって合成無線周波数動作を与える。
本発明の特定の好ましい特徴のみが図により説明された
が、多くの変形及び変更が5業技術・−=起るであろう
。従って、本発明の特許請求の範囲は。
が、多くの変形及び変更が5業技術・−=起るであろう
。従って、本発明の特許請求の範囲は。
本発明の精神を逸脱しない範囲内のすべて変形及び変更
を包含することが意図されていることが理解されるべき
である。
を包含することが意図されていることが理解されるべき
である。
第1図は、本発明の多層性を示す本発明の装置の側面図
である。 第2図Aは、IJ1図の装置の最上層の平面図であるO 第2図Bは、第2図Aの仏導層の下に位置している仏僑
層の平面図である。 @2図Cは、第2図Bの導電層の下に位置している導電
層の平面図である。 @2図りは、第2図Cの導電層の下に位置している導電
層の平面図である。 第3図は、関連外部回路に接続するため適当な位置にお
いて示した本発明の装置の分解斜視図である。 第4図は、本発明の装置を外部回路−二取付けやすくす
るために用いる支持部材の斜視図である。 第5図は、第3図に示した構造物をまとめて組立てた後
のその構造物の断面図である。 特許出願人 モトローラ・インコーボレーテツド代理
人 弁理士 玉蟲久五部 t−りHの浄9(内容に変更なL) 工=テ、2dA l=フ・2θ !=7.2c 第1頁の続き 0発 明 者 リチャード・レイセント・シュウイード アメリカ合衆国フロリダ州3306 8ノース・ローダ−ディル・ニ ス・ダブリュー・エイティサー ド・アベニュー421番 0発 明 者 レイセント・ウィリアム・バーバンク アメリカ合衆国フロリダ州3306 8ノース・ローダ−ディル・ニ ス・ダブリュー・エイティファ ースト・テラス420番 0発 明 者 ウィリアム・リチャード・ウィリアムス アメリカ合衆国フロリダ州3306 8ノース・ローダ−ディル・ニ ス・ダブリュー・セブンテイフ イフス・アベニュー607番 手続補正書 昭和58年4月20日 特許庁長官 若杉和夫 殿 1、事件の表示 昭相58年特許願第033701号 2、発明の名称 合成無線周波数決定装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 アメリカ合衆国イリノイ州60196.シャン
バーグ、イースト・アルゴンフィン・ロード。 1303番 名称 モトローラ・インコーボレーテンド代表者 ビン
セント・ジェイ・ラウナー4、代理人
である。 第2図Aは、IJ1図の装置の最上層の平面図であるO 第2図Bは、第2図Aの仏導層の下に位置している仏僑
層の平面図である。 @2図Cは、第2図Bの導電層の下に位置している導電
層の平面図である。 @2図りは、第2図Cの導電層の下に位置している導電
層の平面図である。 第3図は、関連外部回路に接続するため適当な位置にお
いて示した本発明の装置の分解斜視図である。 第4図は、本発明の装置を外部回路−二取付けやすくす
るために用いる支持部材の斜視図である。 第5図は、第3図に示した構造物をまとめて組立てた後
のその構造物の断面図である。 特許出願人 モトローラ・インコーボレーテツド代理
人 弁理士 玉蟲久五部 t−りHの浄9(内容に変更なL) 工=テ、2dA l=フ・2θ !=7.2c 第1頁の続き 0発 明 者 リチャード・レイセント・シュウイード アメリカ合衆国フロリダ州3306 8ノース・ローダ−ディル・ニ ス・ダブリュー・エイティサー ド・アベニュー421番 0発 明 者 レイセント・ウィリアム・バーバンク アメリカ合衆国フロリダ州3306 8ノース・ローダ−ディル・ニ ス・ダブリュー・エイティファ ースト・テラス420番 0発 明 者 ウィリアム・リチャード・ウィリアムス アメリカ合衆国フロリダ州3306 8ノース・ローダ−ディル・ニ ス・ダブリュー・セブンテイフ イフス・アベニュー607番 手続補正書 昭和58年4月20日 特許庁長官 若杉和夫 殿 1、事件の表示 昭相58年特許願第033701号 2、発明の名称 合成無線周波数決定装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 アメリカ合衆国イリノイ州60196.シャン
バーグ、イースト・アルゴンフィン・ロード。 1303番 名称 モトローラ・インコーボレーテンド代表者 ビン
セント・ジェイ・ラウナー4、代理人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 外表面を有する上部、下部回路ボードと、ナ
ンドイツチ状の関係にてその間−一装置される少なくと
も1個の中間の回路ボードとを具える複数回路ボード、 前記上部回路ボードの外表面上に配置され。 複数ビットの入力ポートが適当にアドレスされる場合、
複数ビット出力ポートC二周波数データを与えるメモリ
デバイス、 前記第1.第2回路ボードの表面、及び少なくとも前記
1個の中間回路ボード上ε二配置され、前記下部ボード
の外表面C:配置される複数の電気接続パッドを少なく
とも前記入力、出力ポートに電気的に接続する接続構造
部。 前記下部回路ボードの外表面上に配置され、 ′周波数
制御素子の外部の第1a路の1部を周波数制御素子の外
部の第2回路の1部C;選択的に電気接続する複数の相
互接続構造部、 を具備することを特徴とする無線周波数受信機の動作周
波数を選定する周波数制御素子。 (2)前記メモリ手段は、プログラム可能固定記憶装置
から成る前記特許請求の範囲第1項記載の周波数制御素
子。 (5)前記相互接続手段の各々は対向端を有する電気導
電性部材を具え、前記対向端の各々は、夫々第1.第2
アンプリフレツクス型コネクタの一部を接続するのに適
合し、前記第1.第2アンプリフレツクス型コネクタは
、夫々前記第1、第2回路l:電気的C;結合される前
記特許請求の範囲第1項記載の周波数制御素子。 (4) 前記接続手段は、夫々の表面上の前記回路ボ
ードの全面にわたって配置される電気導電性部材を具え
、前記電セ曹触パッド内に含まれるアドレス接触パッド
を前記メモリ手段の複数ビット入力ボートに含まれる夫
々のアドレス入力接点に接続する前記特許請求の範囲第
1項記載の周波数制御素子。 (5)前記接続手段は、夫々の表面上の前記回路ボード
全面にわたって配置される電気導電性部材を具え、前記
電気接触パッド内に含まれる周波数情報接触パッドを前
記メモリ手段の複数ビット出力ポートに含まれる夫々の
周波数情報出力接点に接続する前記特許請求の範囲第1
項記載の周波数制御素子。 (6)前記相互接続手段は、対向端を有する電気導電性
材料の少なくとも1個のタイムアウト相互接続部材を異
え、譲歩なくとも1個のタイムアウト相互接続部材は、
前記第1.第2回路に含まれるタイムアクト回路に係合
する前記特許請求の範囲第1項記載の周波数制御素子。 (7)前記回路ボード間に配置される熱活性化エポキシ
層を具え、前記回路ボードを固定した関係で一緒に保持
する前記特許請求の範囲第1項記載の周波数制御素子。 (8)前記W&1.第1.路は□゛、前記第1.第2ノ
ーイブリドモジュール間に配置される支持部材C;より
相互に前記多層回路ボードに関し固定関係に機械的に保
持される@1.第2バイブリドモジュールを具える前記
特許請求の範囲第1項記載の周波数制御素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/353,728 US4490813A (en) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | Frequency determining apparatus for a synthesized radio |
US353728 | 1989-05-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58166833A true JPS58166833A (ja) | 1983-10-03 |
Family
ID=23390323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58033701A Pending JPS58166833A (ja) | 1982-03-01 | 1983-03-01 | 合成無線周波数決定装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4490813A (ja) |
JP (1) | JPS58166833A (ja) |
CA (1) | CA1197029A (ja) |
DE (1) | DE3307148A1 (ja) |
NL (1) | NL8300753A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3425662A1 (de) * | 1984-07-12 | 1986-01-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltungsanordnung zur temperaturkompensation von quarzoszillatoren |
US9756751B1 (en) * | 2015-03-05 | 2017-09-05 | Lockheed Martin Corporation | Tunable vibration isolation system with integrated A-frame architecture for low phase noise radio frequency synthesizers |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3395318A (en) * | 1967-02-13 | 1968-07-30 | Gen Precision Inc | Circuit board card arrangement for the interconnection of electronic components |
US3646399A (en) * | 1970-03-04 | 1972-02-29 | Gen Electric | Printed circuit board construction |
-
1982
- 1982-03-01 US US06/353,728 patent/US4490813A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-02-28 CA CA000422486A patent/CA1197029A/en not_active Expired
- 1983-03-01 NL NL8300753A patent/NL8300753A/nl not_active Application Discontinuation
- 1983-03-01 DE DE19833307148 patent/DE3307148A1/de not_active Withdrawn
- 1983-03-01 JP JP58033701A patent/JPS58166833A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL8300753A (nl) | 1983-10-03 |
CA1197029A (en) | 1985-11-19 |
DE3307148A1 (de) | 1983-10-20 |
US4490813A (en) | 1984-12-25 |
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