NL8300753A - Inrichting voor het bepalen van de frequentie voor een gesynthetiseerde radio. - Google Patents

Description

* .

/·

Inrichting voor het bepalen van de frequentie voor een gesynthetiseerde radio.

De uitvinding heeft betrekking op een inrichting voor het sturen van de werkfrequentie van een hoogfrequente ontvanger, en heeft meer in het bijzonder betrekking op een inrichting voor het bevatten van informatie welke de werkfrequentie van een gesynthetiseerde hoogfrequente 5 ontvanger aanduidt.

In het verleden zijn discrete kristallen gebruikt om de werkfrequentie van hoog- of radiofrequente ontvangers vast te leggen. Bij deze gebruikelijke ontvangers was voor elke gewenste ontvangen of uitgezonden frequentie een afzonderlijk kristal nodig. Wanneer men derhalve met 10 een groot aantal frequentiekanalen wilde werken, werd een overeenkomstig groot aantal kristallen met aanzienlijke kosten toegepast.

Naarmate de techniek voortging werden discrete kristallen geleidelijk door discrete kanaalelementen vervangen, d.w.z. kristallen die in samenhang met temperatuurcompensatieschakelingen tot een pakket samerr-15 gebracht waren, hetgeen in een meer stabiel kristalgedrag resulteeerde. Natuurlijk zijn deze kanaalelementen kostbaarder dan zuivere kristallen en derhalve werden de kosten van zendontvangers met de eigenschap om op een groot aantal frequenties uit te zenden en te ontvangen overeenkomstig vergroot.

20 De gesynthetiseerde hoogfrequente ontvanger van het verschoven of offset type vormt een type synthetiseerinrichting die het aantal van voor het zenden en ontvangen op een groot aantal frequenties vereiste kristallen reduceert. De synthetiseerinrichting van het verschoven type heeft een spanningsgestuurde oscillator, een fase-vergrendellus en een 25 fasedetectieschakeling die alle op de juiste wijze samen verbonden zijn om uitgaande van een enkelvoudige referentie-oscillator een aantal zend- en ontvangfrequenties op te wekken. In de frequentie-oscillatie-schakeling kan een enkelvoudig kristal toegepast worden om het aantal hoogfrequente zend en ontvangfrequenties op te wekken, en derhalve is 30 het aantal toegepaste kristallen extreem klein. Ofschoon deze frequen-tiesynthetiseerinrichting van het verschoven type in staat is om een groot aantal zend en ontvangfrequenties op te wekken, zijn deze opgewekte frequenties jammer genoeg kenmerkend beperkt tot een betrekkelijk smalle band van bijvoorbeeld 144 tot 148 MHz.

35 Derhalve beoogt de uitvinding een frequentiestuurelement te ver schaffen om een frequentiesynthetiseerinrichting in staat te stellen om over een betrekkelijk breed bereik van frequenties, bijvoorbeeld 134 8300753 2

' I

* 5 tot 176 MHz, zend en ontvangfrequenties op te wekken.

De uitvinding beoogt eveneens een frequentiestuurelement te verschaffen waarin informatie is geprogrammeerd die de werkfrequentie van een gesynthetiseerde hoogfrequente ontvanger aanduidt.

5 Volgens een uitvoeringsvorm van de uitvinding omvat de nieuwe in richting een uit meer lagen bestaand schakelingsbord met boven en on-derborden en ten minste een daartussen als een sandwich aangebracht tussenbord. De boven en onderschakelingsborden hebben uitwendige oppervlakken. Op het uitwendige oppervlak van het bovenbord is een geheugen 10 aangebracht om frequentiegegevens te verschaffen aan een meervoudige-bit uitgangspoort van het geheugen wanneer een meervoudige-bit ingangspoort van het geheugen op de juiste wijze geadresseerd wordt. Op de oppervlakken van de eerste en tweede borden en van het ten minste ene tussenbord zijn verbindingsorganen aangebracht. De verbindingsorganen 15 verbinden op elektrische wijze een aantal van op het buitenoppervlak van het onderbord aangebrachte, elektrische contactvlakken met ten minste de ingangs en uitgangspoorten. Een aantal doorverbindingsorganen zijn op de uitwendige oppervlakken van het onderbord aangebracht. De doorverbindingsorganen verbinden op selectieve wijze een deel van een 20 ten opzichte van de inrichting uitwendige, eerste schakeling elektrisch door met een deel van een ten opzichte van de inrichting uitwendige, tweede schakeling.

De uitvinding zal nader worden toegelicht aan de hand van uitvoe-ringsvoorbeelden met verwijzing naar de bijbehorende tekeningen, waar-25 in: .

fig. 1 een zijaanzicht van de inrichting volgens de uitvinding met de uit meer lagen bestaande constructie daarvan; fig. 2A een bovenaanzicht geeft van de bovenste laag van de inrichting van fig. 1; 30 fig. 2B een bovenaanzicht geeft van de geleidende laag die onder de geleidende laag van fig. 2A is gelegen; fig. 2C een bovenaanzicht geeft van de elektrisch geleidende laag die onder de elektrisch geleidende laag van fig. 2B is gelegen; fig. 2D een bovenaanzicht geeft de de elektrisch geleidende laag 35 die onder de elektrisch geleidende laag van fig. 2C is gelegen; fig. 3 een uit elkaar getrokken perspectivisch aanzicht geeft van de inrichting volgens de uitvinding in een geschikte positie voor verbinding met bijbehorende uitwendige schakelingen; fig. 4 een perspectivisch aanzicht geeft van het steunorgaan dat 40 toegepast wordt om de montage van de inrichting volgens de uitvinding 83 0 0 75 3 3 op uitwendige schakelingen te vergemakkelijken; en fig. 5 een dwarsdoorsnede geeft van de in fig. 3 aangegeven structuren nadat deze aan elkaar gevoegd zijn..

Fig. 1 geeft een uitvoeringsvorm van de informatie bevattende en 5 overdragende inrichting volgens de uitvinding welke met 10 is aangeduid. De inrichting 10 bevat een laag 20 van elektrisch isolerend materiaal , bijvoorbeeld glasepoxyhars, zoals het in de handel beschikbare FR4. Een laag 2 van elektrisch geleidend materiaal, bijvoorbeeld goud-bekleed nikkel of koper, is op een bovenoppervlak 20A van het substraat 10 20 aangebracht. De laag 22 heeft het in fig. 2A in een bepaalde uitvoe ringsvorm daarvan aangegeven, vooraf bepaalde geometrische patroon. Een programmeerbaar 256 x 8 uitleesgeheugen 24 is op het bovenoppervlak 20A aangebracht en is op geschikte wijze verbonden met de geleidende lopers of geleiders van de laag 22, zodat gegevens, die betrekking hebben op 15 de gewenste werkfrequentie van de synthetiseerinrichting, toegevoerd worden aan het geheugen 24 en op adresseerbare wijze daarvan afgeleid kunnen worden op een manier die vervolgens in meer detail wordt toegelicht.

Een laag 30 van elektrisch geleidend materiaal, dat het in fig. 2B 20 aangegeven geometrische patroon heeft, is op het bodemoppervlak 20B van de inrichting 10 van fig. 1 aangebracht.

Een laag van isolerend substraatmateriaal 40 is onder de laag 30 aangebracht zoals in fig. 1 aangegeven. De laag 40 heeft fysieke eigenschappen gelijk aan die van de laag 20 en bestaat kenmerkend uit de-25 zelfde materialen. Een laag 50 van elektrisch isolerend substraatmateriaal is onder de laag 40 op de in fig. 1 aangegeven wijze aangebracht. De laag 50 heeft een bovenoppervlak 50A en een onderoppervlak 50B. Een laag 60 van elektrisch geleidend materiaal, dat het in fig. 2C aangegeven geometrische patroon heeft, is tussen het oppervlak 50B en de sub-30 straatlaag 40 zoals in fig. 1 aangegegeven, aangebracht. Een laag van elektrisch geleidend materiaal 70, dat het in fig. 2D aangegeven geometrische patroon heeft, is zoals in fig. 1 aangegeven op het oppervlak 50A aangebracht. Door warmte geactiveerde (niet aangegeven) epoxylagen zijn tussen de lagen 20, 40 en 50 aangebracht om deze lagen in een vas-35 te betrekking aan elkaar te houden.

Een laag van elektrisch isolerend materiaal is gelegen tussen het geheugen 24 en de delen van de elektrisch geleidende laag 22 gelegen daaronder zoals in fig. 1 aangegeven om een ongewenste kortsluiting van het geheugen 24 naar deze delen van de geleidende laag 22 te verhinde-40 ren.

8300 75 3 4 .

< i

Voor een meer volledig begrip van de inrichting 10 volgens de uitvinding wordt verwezen naar de samenhangende Amerikaanse octrooiaanvragen van aanvraagster: 5 Battery Saving System for a Frequency Synthesizer,

Serial No. 251.558;

Voltage Converter for a Frequency Synthesizer,

Serial No. 251.559; 10

Priority Channel System for a Synthesizer Transceiver,

Serial No. 251.565;

Digital and Analog Phase Detector for a Frequency Synthesizer, 15 Serial No. 251.570;

Range Control Circuit for a Frequency Synthesizer,

Serial No. 251.572; 20 Multiposition Switch with Minimum Interconnections,

Serial No. 251.640;

Zone Switching System for a Frequency Synthesizer Transceiver,

Serial No. 251.644; 25

Carrier Modulation System for a Frequency Synthesizer,

Serial No. 251.645;

Transmit Security System for a Synthesized Transceiver, 30 Serial No. 251.657 en

Improved Swallow Counter for a Frequency Synthesizer,

Serial No. 251.658 alle van dezelfde datum van 6 april 1981.

35

Het begrijpen van de structuur en de werking van de inrichting 10 wordt vergemakkelijkt door de afzonderlijke delen te onderzoeken van de geleidende laag 70 aangegeven aan de onderzijde van de inrichting 10 van fig. 2D zoals op het oppervlak 50A waargenomen. Gemakshalve is het 40 in fig. 2 aangegeven bodemoppervlak van de inrichting verdeeld in vier 8300753 5 deel- of bijgebieden of contactonder-deelgebieden (9GA, 9OB, 90C en 90D) zoals aangegeven. Zoals aangegeven strekken delen van de elektrisch geleidende laag 70 zich uit tot in de deel-gebieden 90A-90D. Met verwijzing nu naar fig. 3 wordt toegelicht dat elektrische verbindingen 5 zijn aangebracht naar die delen van de geleidende laag 70, die zich tot in de gebieden 90A-90D uitstrekken, dóór middel van respectievelijke Amplifier connectoren 100A, 100B, 100C en 100D die daarmede in aanraking zijn geplaatst (Ampliflex is het handelsmerk van Amp, Ine.)· Het blijkt dat de Ampliflex connectoren 100A en 100B mechanisch en elek-10 trisch verbonden zijn met delen van een elektrische schakeling 110 welke zich buiten de inrichting 10 bevindt. Op gelijke wijze zijn Ampliflex connectoren 100C en 100D elektrisch en mechanisch verbonden met een aan de inrichting 10 uitwendige schakeling 120. Opgemerkt wordt dat de Ampliflex connectoren een aantal evenwijdige maar ruimtelijk ge-15 scheiden metallische geleidingsorganen hebben die op een enigszins cilindervormige elastomerische structuur is aangebracht. De inrichting 10 is zodanig werkzaam op de Ampliflex connectoren 100A, 100B, 100C en 100D gemonteerd dat er elektrische verbindingen worden verkregen tussen de delen van de elektrisch geleidende laag 70 die zich uitstrekken tot 20 in de deel-gebieden 90A, 90B, 90C en 90D met respectievelijk de connectoren 100A, 100B, 100C en 100D. Daarom zijn meer in het bijzonder de delen van de elektrisch geleidende laag 70, die zich uitstrekken tot in de gebieden 90A en 90B, elektrisch via de Ampliflex connectoren 100A en 100B verbonden met de uitwendige schakeling 110. Op gelijke wijze zijn 25 respectievelijk de delen van de laag 70, die zich tot in de deel-gebieden 90C en 90D uitstrekken, elektrisch via de Ampliflex connectoren 100G en 100D verbonden met de uitwendige schakeling 120. Bij een uitvoeringsvorm van de uitvinding zijn de uitwendige schakelingen 110 en 120 respectievelijk fasedetectie- en stuurhybride borddelen van een 30 frequentie-gesynthetiseerde hoogfrequente ontvanger. Deze fasedetectie-en stuurhybridedelen zijn meer in detail in bovenvermelde samenhangende Amerikaanse octrooiaanvragen toegelicht.

Zoals in fig. 2D aangegeven bevat de laag 70 van de inrichting 10 doorverbindingsorganen 130 en 140 die elk zich vanaf het contactdeel-35 gebied 90A uitstrekken naar het contactdeel-gebied 90C. Meer in het bijzonder bevatten de doorverbindingsorganen 130 en 140 elk tegengestelde uiteinden, waarbij een uiteinde van elk orgaan in het gebied 90A en het andere uiteinde in het gebied 90C is gelegen. Wanneer derhalve de inrichting 10 op een wijze van fig. 3 in contact met de Ampliflex 40 connectoren 110 en 120 is gelegen, koppelt het doorverbindingsorgaan 8300753 6 * t

4 V

130 op selectieve wijze elektrische energie ontvangen van het bepaalde deel van de Amplifies connector 100A op de schakeling 110 in contact daarmede naar het deel van de Ampliflex connector 100C op de schakeling 120 in contact daarmede. Op deze wijze worden elektrische pulsen, zoals 5 die welke met multiplex machtigingspulsen Np in de geciteerde samenhangende octrooiaanvragen zijn aangeduid, op selectieve wijze gekoppeld tussen de delen van de schakeling 110 en schakeling 120. Op gelijke wijze worden het deel van de Ampliflex connector 100A in contact met het doorverbindingsorgaan 140 en het deel van de Ampliflex connector 10 100C in contact met het doorverbindingsorgaan 140 op selectieve wijze elektrisch met elkaar verbonden. Derhalve is een deel van de schakeling 110 op selectieve wijze via het op de inrichting 10 gelegen doorverbindingsorgaan 140 elektrisch verbonden met een deel van de schakeling 120. Op deze wijze worden elektrische pulsen, zoals multiplex machtig-15 ingspulsen N welke beschreven zijn in de samenhangende Amerikaanse octrooiaanvragen, tussen passende delen van de schakelingen 110 en 120 via het doorverbindingsorgaan 140 gekoppeld.

Met verwijzing naar fig. 2D wordt toegelicht dat de laag 70 een aantal elektrisch geleidende contactvlakken 151, 152, ... 158 bevat die 20 zich tot in het contactdeel-gebied 90C uitstrekken. De contacten 151-158 worden als "adrescontacten" aangeduid. Deze acht (8) adrescontacten 151, 152, ... 158 worden respectievelijk elektrisch verbonden met de acht (8) adresingangscontacten of geleiders Aq> A]_, ... Aj van ' het geheugen 24 van fig. 2A via de geschikte verbindingsorganen van de 25 lagen 22 van fig. 2A, de laag 30 van fig. 2B, en de laag 60 van de fig. 2C en de laag 70 van fig. 2D. De contacten Aq, A^, ...Ay vormen de meervoudige-bit adresingangspoort van het geheugen 24. De juiste verbindingen gemaakt tussen de adrescontacten 151-158 met deze 8 bits (meervoudige-bit) ingangspoort van het geheugen 24 zijn in detail aan-30 gegeven in de tekeningen fig. 2A-2D.

De in fig. 2D aangegeven laag 70 bevat een aantal elektrisch geleidende contactvlakken 161, 162, ... 168 die zich tot in het contactdeel-gebied 90A uitstrekken. Deze contactvlakken worden met "frequen-tieinformatiecontacten" aangeduid. De contactvlakken 161, 162 ... 168 35 zijn respectievelijk elektrisch verbonden met de acht (8) frequentie-informatieuitgangscontacten of geleiders 0]_, O2, ... Og van het geheugen 24 van fig. 2A via de juiste delen van de laag 22 van fig. 2A, de laag 30 van fig. 2B, de laag 60 van fig. 2C en de laag 70 van fig.

2D zoals duidelijk in deze figuren aangegeven. De contacten Οχ, O2» 40 ... Og vormen de meervoudige-bit frequentieinformatieuitgangspoort 8300753 φ ’ 7 van het geheugen 24. De juiste verbindingen gemaakt tussen de frequen-tieinfonnatiecontacten 161, 162, ... 168 met deze 8 bits (meervoudigebit) uitgangspoort zijn aangegeven in detail in deze fig. 2A-2D. Opgemerkt wordt dat contactvlakken 161-168 zich uitstrekken tot in het ver-5 bindingsgebied 90A op zodanige wijze dat de vlakken 161-168 verticaal met de vlakken 151-158 zoals aangegeven in fig. 2D uitgelijnd zijn.

Voor een beter begrip van de werking en de structuur van de inrichting 10 is het nuttig deze te onderzoeken wanneer de inrichting 10 zodanig is geplaatst dat de vlakken 161-168 en 151-158 in contact zijn 10 met de respectievelijke Amplifies connectoren 100A en 100C. Onder deze omstandigheden verschaft de schakeling 120 een digitaal 8-blts adressignaal aan de meervoudige-bit ingangspoort van het geheugen 24 via de Amplifies connector 100C, de geleidende vlakken 151-158 en de daartussen gelegen verbindingsorganen van de lagen 70, 60, 30 en 22. Opgemerkt 15 wordt dat sommige uitvoeringsvormen van de uitvinding er een aantal kleiner dan het aantal van alle adresvlakken 151-158 wordt gebruikt om adresinformatie naar het geheugen 24 over te brengen. Het geheugen 24 bevat een opzoektabel van frequentieinformatie. Meer in het bijzonder wordt een verschillend stukje frequentieinformatie in elk adres van het 20 geheugen 24 opgeslagen. Wanneer derhalve de schakeling 120, terwijl deze als deel van een frequentiesynthetiseerinrichting werkt, een bepaald adres afgeeft aan de meervoudige-bit ingangspoort van het geheugen 24 op de boven aangegeven wijze, worden er digitale aanduidingen van de met dit adres overeenkomende frequentie aan de meervoudige-bit uit-25 gangspoort van het geheugen 24 verschaft. Deze frequentieinformatie loopt vanaf de meervoudige-bit uitgangspoort van het geheugen 24 via de lagen 22, 30, 60 en 70 naar de frequentieuitgangen 161-168 via de Amplifies connector 100A naar de schakeling 110, waarin deze informatie voor frequentiesynthetisatiedoeleinden gebruikt kan worden.

30 De laag 70 bevat frequentiebron-doorverbindingen 170 en 172. De doorverbindingen 170 en 172 zijn zodanig gelegen dat zij zich vanaf het verbindingsdeel-gebied 90A in een ruimtelijk evenwijdige betrekking uitstrekken naar het verbindingsdeel-gebied 90C. De kortsluitstaven 173 en 174 verbinden de frequentiedoorverbindingen 170 en 172 samen met de 35 tegengestelde uiteinden daarvan zodanig, dat er tussen de tegengestelde uiteinden daarvan een lage weerstandsweg wordt gevormd. Wanneer derhalve de inrichting 10 op de wijze van fig. 3 in contact met de Amplifies connectoren 100A en 100C is gebracht, wordt er een referentiefrequen-tiesignaal van bijvoorbeeld 50 KHz gevoerd tussen bord 120 en bord 110 40 via de Amplifies connectoren 100A en 100C en de door verbindingsstruc- 8300753 r 8 tuur 170-172 die elke van deze Ampliflex connectoren contacteert.

De in fig. 2D aangegeven laag 70 bevat een elektrisch geleidend verbindingsvlak 180 dat zich tot in het verbindingsdeel-gebied 90A uitstrekt. Het verbindingsvlak 180 is verbonden met aarde wanneer het op 5 de wijze van fig. 3 in contact met de Ampliflex connector 100A is gelegen. Verder is het contactvlak. 180 elektrisch verbonden met en verschaft aarde aan een geschikte klem van het geheugen 24. Teneinde dit te bewerkstelligen is het verbindingsvlak 180 verbonden met een aardkiem van het geheugen 24 door middel van geschikte delen (met GND in 10 fig. 2A. aangeduid) van de laag 22, de laag 30, de laag 60 en de laag 70 op de wijze zoals aangegeven in de uit meer lagen bestaande structuur van de fig. 2A-2D.

De laag 70 van fig. 2D bevat een voedingsbron-doorverbinding 190 welke drie (3) evenwijdige stroken van elektrisch geleidend materiaal 15 191, 192 en 193 heeft die elk met tegengestelde uiteinden in de verbin- dingsdeel-gebieden 90B en 90D zijn gelegen. De kortsluitstaven 194 en 195 verbinden op elektrische wijze de op het gebied 90B gelegen uiteinden van de staven 191, 192 en 193 met elkaar en de op het deel-gebied 90B gelegen uiteinden van de staven 191, 192 en 193 met elkaar. Derhal-20 ve wordt een betrekkelijk lage weerstandweg tussen de tegengestelde uiteinden van de componentstaven van de spanningsdoorverbindingsstruc-tuur 190 verkregen zodanig dat, wanneer de tegengestelde uiteinden van de staven van de doorverbindingsstructuur 190 respectievelijk in contact met de Ampliflex connectoren 100B en 100D op de wijze van fig. 3 25 worden gebracht, er een voedingsspanningssignaal van bijvoorbeeld 5,2 Volt vanaf het ene van de borden 120 en 110 wordt toegevoerd aan het andere bord. De laag 70 bevat zwevende contacten 200 en 201 die respectievelijk in de verbindingsdeel-gebieden 90B en 90D zoals aangegeven in fig. 2D zijn gelegen. Ofschoon in fig. 2D aangegeven blijven de vlakken 30 200 en 201 elektrisch zwevend om in toekomstige toepassingen van de in richting 10 een grotere verscheidenheid mogelijk te maken.

De laag 70 bevat duale met elkaar gekoppelde contacten 210 die gelegen zijn in het contactdeel-gebied 90B naast het zwevende contact 201. De contacten 210 zijn verbonden met een programmeermachtigings-35 ingangsklem (met E]_ in fig. 2A aangeduid) van het geheugen 24 via de verbindingsgeleiders van de laag 22, de laag 30, de laag 60 en de laag 70 zoals aangegeven in de fig. 2A-2D. De toevoer van een geschikt signaal aan de duale contacten 210 maakt het mogelijk het geheugen 24 in gekozen adressen daarvan met de gewenste frequentieinformatie te pro-40 grammeren. De laag 70 bevat verder duale, met elkaar verbonden elektri- 8300753

1 I

9 sche contacten 211 die zich binnen het contactdeel-gebied 90D naast het zwevende contact 200 uitstrekken. De duale contacten 211 zijn met elkaar en met de machtigingsklem van het geheugen 24 via geschikte delen van de lagen 22, 30, 60 en 70 zoals aangegeven in de fig. 2A-2D verbon-5 den.

De laag 70 bevat verder een geheugenmachtigingsdoorverbinding 220. De geheugeumachtigingsdoorverbinding 220 is een staaf van elektrisch geleidend materiaal die tegengestelde uiteinden heeft. Een uiteinde van de geheugenmachtigingsdoorverbinding 220 is zodanig gelegen, dat het 10 zich tot in het contactdeel-gebied 90D naast het duale contact 210 uitstrekt en het andere uiteinde van de geheugenmachtigingsdoorverbinding 220 is zodanig gelegen, dat het zich tot in het contactdeel-gebied 90D naast het duale contact 211 uitstrekt. Wanneer derhalve de inrichting 10 zodanig is geplaatst dat de doorverbinding 220 in contact is met de 15 Amplifies connectoren 100B en 100D op de in fig. 3 (meer in detail later toegelicht) aangegeven wijze er een elektrische doorverbinding tussen de schakelingen 110 en 120 wordt verkregen. Deze doorverbinding kan gebruikt worden om informatie vanaf de schakeling 110 naar de schakeling 120 over te brengen teneinde een hoge-stroomregulator op een van 20 deze schakelingen zodanig te bekrachtigen dat er voldoende stroom opgewekt kan worden om het geheugen 24 in te schakelen* Opgemerkt wordt dat de geheugenmachtigingsdoorverbinding 220 zelf elektrisch verbonden is met een geheugenmachtigingscontactvlak (in fig. 2A met E£ aangeduid) van het geheugen 24 via de verbindingsorganen of geleiders van de laag 25 22, de laag 30, de laag 60 en de laag 70 zoals aangegeven in fig.

2A-2D. De werking van de geheugenmachtigingsdoorverbinding 220 moet beschouwd worden in samenhang met de voedingsspanningdoorverbinding 230 die daarnaast zoals aangegeven in fig. 2D is gelegen. De voedingsspanningdoorverbinding 230 is een staaf van elektrisch geleidend materiaal 30 die tegengestelde uiteinden heeft, waarbij een uiteinde daarvan zich tot in het contactdeel-gebied 90D uitstrekt. Het andere tegengestelde uiteinde van de voedingsspanningdoorverbinding 230 strekt zich uit tot in het contactdeel-gebied 90D. De voedingsspanningdoorverbinding 230 brengt spanning over van de schakeling 110 naar de schakeling 120 of 35 omgekeerd. Meer in het bijzonder voert in deze uitvoering de voedingsspanningdoorverbinding 230 spanning van 5,2 Volt vanaf de schakeling 110 naar de schakeling 120 op een van twee gekozen niveaus bepaald door de toestand van de via de geheugenmachtigingsdoorverbinding 220 vloeiende informatie. Wanneer bijvoorbeeld de schakelingen 110 en 120 een 40 belangwekkend aantal CMOS deel-schakelingen omvatten, zijn de vermo- 8300753 * 10 genseisen daarvan onder rustwerktoestanden betrekkelijk laag* Wanneer het echter gewenst Is om aan het geheugen 24 adressen toe te voeren teneinde In die adressen opgenomen frequentlelnformatle uit te lezen Is het duidelijk dat er beduidend meer vermogen nodig is om bijbehorende 5 schakelingen en het geheugen 24 te bedienen dan onder rustwerkomstan-digheden. Wanneer er derhalve via de geheugenmachtigingsdoorverbinding 220 informatie tussen de-borden 110 en 120 loopt cm aan te geven dat het geheugen juist ingeschakeld gaat worden zodanig dat er extra vermogen nodig is, bevat een van de borden 110 en 120 een geschikte schake-10 ling om het op de voedingsspanningdoorverbinding 230 aanwezige vermogen omhoog te brengen. Opgemerkt wordt dat de voedingsspanningdoorverbinding 230 zelf elektrisch verbonden is met een voedingsspanningcontact (in fig. 2A met Vcc aangeduid) voor het geheugen 24 om daaraan via organen of geleiders van de laag 22, de laag 30, de laag 60 en de laag 15 70 zoals aangegeven in de fig. 2A-2D spanning toe te voeren.

De inrichting 10 en meer in het bijzonder de laag 70 bevat een uitschakel (time-out) tijdstuurstructuur 240. De uitschakel (time-out) structuur bevat elektrische contactvlakken 24L, 242 en 243 die zoals in fig.-2D aangegeven binnen het deel-gebied 90B zijn gelegen. Het contact 20 241 is via een kortsluitstaaf 245 elektrisch met het contact 242 ver bonden. Het contact 242 is via een kortsluitstaaf 246 elektrisch met het contact 243 verbonden.. De uitschakeltijdstuurstructuur 240 bevat verder contactvlakken 250, 251, 252 en 253 die alle in het contactdeel-gebied 90D zijn gelegen. De elektrische contacten 251, 252 en 253 zijn 25 verticaal met de contacten 241, 242 en 243 uitgelijnd. Het contact 252 is via een kortsluitstaaf 254 elektrisch met het contact 253 verbonden. Het contact 241 is via een kortsluitstaaf 255 zodanig elektrisch met het contact 251 verbonden dat de gecombineerde structuur van het conr-tact 241, de kortsluitstaaf 255 en het contact 251 de uitschakel (time-30 out) tijdstuurdoorverbinding 260 vormen. Het contact 243 is elektrisch verbonden met het contact 253 via een daartussen gelegen kortsluitstaaf 256 zodanig dat de gecombineerde structuur van het contact 243, de kortsluitstaaf 256 en het contact 253 een uitschakelt!jdstuurdoorver-binding 270 vormen. De aanwezigheid of afwezigheid van de uitschakel-35 doorverbindingen 260 en 270 (meer in het bijzonder respectievelijk de kortsluitstaven 255 en 256) wordt gebruikt om een, op een of beide schakelingen 110 en 120 aangebracht uitschakelt!jdstuurorgaan te instrueren om wel of niet een bij een ontvanger behorende zender binnen een bepaalde voorafgekozen tijdinterval uit te schakelen. Meer in het 40 bijzonder wordt er, wanneer de kortsluitstaaf 255 van de doorverbinding 8300753 t , 11 260 en de kortsluitstaaf 256 van de doorverbinding 270 aanwezig zijn, door de bijbehorende schakelingen 110 en 120 geen uitschakelmaatregel verschaft. Op gelijke wijze wordt er geen uitschakelmaatregel verschaft door de schakelingen 110 en 120 wanneer de kortsluitstaaf 255 zodanig 5 afgesneden is dat de contacten 241 en 251 niet met elkaar elektrisch verbonden zijn en tegelijkertijd de kortsluitstaaf 256 van de doorverbinding 270 aanwezig is en onafgesneden blijft. Wanneer echter de kortsluitstaaf 255 van de doorverbinding 260 aanwezig en niet afgesneden is zodanig dat de contacten 241 en 251 met elkaar verbonden zijn en de 10 kortsluitstaaf 256 van de doorverbinding 270 zodanig is afgesneden dat de contacten 243 en 253 niet met elkaar verbonden zijn, zal vervolgens een uitschakelactie van bijvoorbeeld 60 sec. door de schakelingen op de borden 110 of 120 verschaft worden. Wanneer echter de kortsluitstaaf 255 van de doorverbinding 260 zodanig is afgesneden dat de contacten 15 241 en 251 elektrisch van elkaar ontkoppeld zijn en wanneer de kort sluitstaaf 256 van de doorverbinding 270 zodanig is afgesneden dat de elektrische contacten 243 en 253 elektrisch niet met elkaar verbonden zijn, verschaffen vervolgens de schakelingen 110 en 120 een uitschakelactie van bijvoorbeeld 30 sec.

20 Zoals in de fig. 2A-2D en in fig. 3 aangegeven is de inrichting 10 voorzien van drie (3) gaten 300, 305 en 310 teneinde aan een uitwendig beschermingsdeksel (niet aangegeven) gemonteerd te worden en voor vervolgens toe te lichten doeleinden.

Fig. 3 geeft een uit elkaar getrokken perspectivisch aanzicht van 25 de inrichting 10 in een stand waarin deze aan een samenstel gemonteerd moet worden welke uitwendige schakelingen 110 en 120 en de steunstruc-tuur 390 bevat. De schakelingen 110 en 120 zijn als hybridemoduulborden aangegeven en hiernaar zal vervolgens met hybridemodulen 110 en 120 verwezen worden. Zoals in fig· 3 en meer in detail in fig. 4 is aange-30 geven is de steunstructuur 390 als een I-balk gevormd en bevat een verzonken deel 440 om daarin het hybride moduul 120 op te nemen. De steunstructuur 390 bevat een rand of velg 445 waarop de moduul 120 wordt geplaatst. De steunstructuur 390 bevat verder een uitsteeksel 430 en een veerorgaan 435 op de rand 445 aan tegengestelde uiteinden van de steun 35 390 zodanig dat de moduul 120 in positie in de steunstructuur 390 wordt gehouden doordat zijn uiteinden betrekkelijk licht geklemd tussen het uitsteeksel 430 en de veer 435 worden gehouden op de in fig. 3 gesuggereerde wijze. Resumerend wordt de moduul 120 op zijn plaats geklikt wanneer het op de rand 445 tussen het uitsteeksel 430 en de veer 435 40 wordt aangebracht. Het zal aan de deskundigen duidelijk zijn dat de mo- 8300753 12 T fr t duul 110 vastgehouden wordt aan de steunstructuur 390 op dezelfde wijze als de moduul 120 behalve dat de moduul 110 op de niet in fig. 3 aangegeven achterzijde van de structuur 390 wordt gemonteerd, welke wel duidelijk is aangegeven in fig. 5 volgens de dwarsdoorsnede van fig. 3 5 langs lijn 5-5.

De in fig. 3- aangegeven steunstructuur 390 bevat met schroefdraad voorziene gaten 400, 405 en 410 die respectievelijk met de in de inrichting 10 zoals aangegeven aangebrachte gaten 300, 305 en 310 verticaal zijn uitgelijnd. De in de aldus gevormde gatparen ingevoerde 10 schroeven worden gebruikt om de inrichting 10 te monteren op het samenstel gevormd door de steunstructuur 390 en de modulen 110 en 120 die daarop zoals eerder toegelicht zijn bevestigd. In deze configuratie zijn de modulen 110 en 120 elektrisch verbonden met geschikte doorverbindingen (zoals 230 bijvoorbeeld) en verbindingspunten (zoals de con-15 tactvlakken 162-168 bijvoorbeeld) via de Amplifies connectoren 110A, 100B, 100C en 100D.

Uit fig. 4 in samenhang met fig. 3 blijkt dat de steunstructuur 390 railvormige metallische deelsteunorganen of schroefplaten 450 en 460 heeft die over de binnenlengte van de steunstructuur 390 lopen zo-20 als aangegeven om een structurele eenheid daaraan te verschaffen. De met schroefdraad voorziene gaten 400, 405 en 410 strekken zich tot in de bovenschroefplaat 460 uit om een montage van de inrichting 10 aan de steunstructuur 490 te vergemakkelijken. De met schroefdraad voorziene gaten 415, 420 en een derde gat (dat gemakshalve om perspectivische te-25 kenredenen niet is aangegeven, maar dat verticaal met het gat 410 is uitgelijnd) strekken zich tot in de onderschroefplaat 450 uit om een montage van het samenstel van de inrichting 10, de steunstructuur 390 met daarin gelegen modulen 110 en 120 aan een moederschakelingsbord te vergemakkelijken. Zoals voor een deel uit de fig. 3 en 5 blijkt worden 30 elektrische verbindingen in dit samenstel verkregen door middel van Am-pliflex connectoren 100E en 100F op de moduul 120 en de Amplifier connector 100G op de moduul 110. Een andere Ampiflexverbinding op de moduul 110, die niet is aangegeven, wordt gebruikt am meer van deze elektrische doorverbindingen te verkrijgen.

35 Het bovenvermelde beschrijft een inrichting voor het bevatten van informatie die de werkfrequentie van een gesynthetiseerde hoogfrequente ontvanger op programmeerbare wijze aanduidt. De inrichting volgens de uitvinding maakt een gesynthetiseerd radiobedrijf over een betrekkelijk breed bereik van radiofrequenties mogelijk.

8300 75 3

Claims (8)

1. Frequentiestuurinrichting voor het aanduiden van de werkfre-quentie van een hoogfrequente ontvanger, gekenmerkt door een uit meer 5 lagen bestaand schakelingsbord met boven en onderborden en ten minste een daartussen in sandwich betrekking aangebracht tussenbord, waarbij de boven en onderschakelingsborden uitwendige oppervlakken hebben; een op het uitwendige oppervlak van het bovenbord gelegen geheugenorgaan dat frequentiegegevens aan een meervoudige-bit uitgangspoort van het 10 geheugenorgaan afgeeft wanneer een meervoudige-bit ingangspoort van het geheugenorgaan op de juiste wijze geadresseerd wordt; een op de oppervlakken van de eerste en tweede borden en op het ten minste ene tussenbord gelegen verbindingsstructuur om een aantal elektrische contact-vlakken op het uitwendige oppervlak het onderbord elektrisch te verbitr-15 den met ten minste de genoemde ingangs en uitgangspoorten; en een aantal doorverbindingsstructuren op het uitwendige oppervlak van het onderbord om op selectieve wijze een deel van een buiten de frequentie-stuurinrichting zich bevindende, eerste schakeling elektrisch te verbinden met een deel van een zich buiten de frequentiestuurinrichting 20 bevindende, tweede schakeling.

2. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat het geheugenorgaan een programmeerbaar uitleesgeheugen omvat.

3. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat elk van de doorverbindingsstructuren een elektrisch geleidend orgaan met tegenge- 25 stelde uiteinden bevat, waarbij elk uiteinde respectievelijk een deel van eerste en tweede connectoren van het Ampliflextype kan contacteren, waarbij de eerste en tweede connectoren van het Ampliflextype respectievelijk elektrisch met eerste en tweede schakelingen zijn verbonden.

4. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de verbin-30 dingsstructuur elektrisch geleidende organen gelegen over het gehele schakelingsbord op de respectievelijke oppervlakken daarvan bevat teneinde adrescontactvlakken in de elektrische contactvlakken te verbinden met respectievelijke adresingangscontacten in de meervoudige-bit ingangspoort van het geheugenorgaan.

5. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de verbin dingsstructuur elektrisch geleidende organen gelegen over het gehele schakelingsbord op de respectievelijke oppervlakken daarvan bevat teneinde frequentieinformatiecontactvlakken in de elektrische contactvlakken te verbinden met respectievelijke frequentieinformatieultgangscon-40 tacten in de meervoudige-bit uitgangspoort van het geheugenorgaan. 8300753 ' *» y

6. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de door-verbindingsstructuur ten minste een uitschakelt!jddoorverbindingsorgaan van elektrisch geleidend materiaal met tegengestelde uiteinden bevat, waarbij ten minste het ene uitschakelt!jddoorverbindingsorgaan op se- 5 lectieve wijze een in de eerste en tweede schakelingen opgenomen uitschakelt! jdorgaan bekrachtigt.

7. Inrichting volgens conclusie 1, gekenmerkt door warmte geacti- · veerde epoxylagen tussen de borden teneinde de borden in een vaste betrekking aan elkaar te houden.

8. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de eerste en tweede schakelingen eerste en tweede hybridemodulen omvatten die mechanisch in vaste betrekking tot elkaar en het uit meer lagen bestaande schakelingsbord worden gehouden door een tussen de eerste en tweede hybridemodulen gelegen steunorgaan. o ♦ 8300753