DE3223386A1 - Verfahren zum entwickeln von positiv-arbeitenden reproduktionsschichten - Google Patents

Verfahren zum entwickeln von positiv-arbeitenden reproduktionsschichten

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DE3223386A1 DE19823223386 DE3223386A DE3223386A1 DE 3223386 A1 DE3223386 A1 DE 3223386A1 DE 19823223386 DE19823223386 DE 19823223386 DE 3223386 A DE3223386 A DE 3223386A DE 3223386 A1 DE3223386 A1 DE 3223386A1
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
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    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions

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Description

AMERICAN HOECHST CORPORATION Somerville, New Jersey 08876/USA
Hoe 81/K 087 22. Juni 1982
WLK-Dr.I.-wf
Verfahren zum Entwickeln von positiv-arbeitenden Reproduktionsschichten
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entwickeln von positiv-arbeitenden Reproduktionsschichten auf der Basis von o-Naphthochinondiaziden mit einer wäßrig-alkalischen Entwicklerlösung.
Wenn eine o-Naphthochinondiazid enthaltende Reproduktionsschicht bestrahlt (belichtet) und dann mit einem wäßrig-alkalischen Entwickler entwickelt wird, werden die von Licht getroffenen Stellen entfernt (Nichtbildsteilen) , während die nicht vom Licht getroffenen Stellen als spätere Bildstellen stehenbleiben. Aus diesem Grund nimmt man solche Schichten beispielsweise als positiv-arbeitenden strahlungsempfindlichen Bestandteil für Druckplatten und Fotoresists. Diese Beschichtungsmassen auf Basis von o-Naphthochinondiaziden werden gewöhnlich mit alkälilöslichen Harzen vermischt, die für dieses An-Wendungsgebiet wirtschaftliche und praktische Vorteile haben. Als alkalilösliche Harze werden im allgemeinen Mischungen von Phenol-Formaldehyd-Harzen oder Kresol-Formaldehyd-Harzen verwendet. Bekannte Entwickler für diese positiv-arbeitenden strahlungsempfindlichen Schichten mit o-Naphthochinondiaziden sind Trinatriumphosphat, Natriumhydroxid oder Natriumsilikat allein oder im Gemisch in wäßriger Lösung. Wäßrige Lösungen dieser Entwickler neigen jedoch gelegentlich dazu, das. Druckplattenträgermaterial Aluminium bzw. Aluminiumoxid durch ihre ätzende Wirkung zu beeinträchtigen, außerdem kann das Ent-
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Wicklungsergebnis sehr unterschiedlich sein. Im Extremfall kann schon ein geringfügiges überschreiten der Entwicklungszeit dazu führen, daß keine für die Druckpraxis ausreichende Druckform entsteht. Bei Verringerung des pH-Werts dauert die Entwicklung unannehmbar lange, wogegen bei Erhöhung des pH-Werts der Aluminium- oder Aluminiumoxidträger angeätzt wird, und dadurch sowohl die Bildstellen als auch die Nichtbildsteilen der Druckform
in unerwünschter Weise angegriffen bzw. entfernt werden. IO
Es sind auch bereits Entwicklerzusätze für "Positiventwickler" bekannt geworden, wozu beispielsweise die folgenden zählen:
- aus der DE-PS 12 OO 133 der Zusatz von wasserlöslichen Salzen der Fluorwasserstoffsäure oder von Säuren des Siliciums, Titans, Zinns oder Bors zu üblichen wäßrigen Alkalilösungen auf der Basis von beispielsweise Diethanolamin, Natriummetasilikat oder Trinatriumphosphat,
aus der DE-OS 28 34 958 der Zusatz von wasserlöslichen Salzen, Oxiden oder Hydroxiden des Calciums, Strontiums, Bariums oder verwandter Elemente zu wäßrig-alkalischen Entwicklerlösungen; auch Komplexbildner wie
^5 Hydrocarbonsäuren, Tenside, Antischaummittel oder Hydrokolloide werden als Zusatzkomponenten aufgeführt, aus der US-PS 3 586 504 der Zusatz von Alkylphenolpolyalkylenglykolethern mit 6 bis 18 Mol Alkylenoxid pro Mol Alkylphenol zu einem wäßrig-alkalischen Entwickler, - aus der US-PS 3 868 254 der Zusatz von ethoxylierten
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-Ji-
Alkylphenolen oder Dialkylphenolen zur lichtempfindlichen Schicht bereits vor deren alkalischen Entwicklung.
Die Entwicklerzusätze des Standes der Technik sind jedoch noch nicht in allen Fällen ausreichend, um einen möglichst vielseitig anwendbaren Entwickler für positiv-arbeitende Reproduktionsschichten zu ergeben. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, ein solches Entwicklungsverfahren vorzuschlagen.
IO
Die Erfindung geht aus von dem bekannten Verfahren zum Entwickeln von bestrahlten, o-Naphthochinondiazide als strahlungsempfindliche Verbindung und alkalilösliche Harze enthaltenden Reproduktionsschichten, bei dem die bestrahlten Schichtbereiche mit einer wäßrig-alkalischen, mindestens ein Tensid enthaltenden Entwicklerlösung ausgewaschen werden. Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß als Tensid ein nichtionogenes Tensid aus der Gruppe ethoxylierte Phenole, ethoxylierte Alkanole und Alkindiole, gegebenenfalls ethoxylierte Alkindiole, Alkylenoxid-Blockpolymere oder Fettsäureamide eingesetzt wird.
Das im Entwickler vorhandene Komponentengemisch ist so formuliert worden, daß es die Entwicklungsgeschwindigkeit gegenüber einem mit Alkalilösung ohne Zusatz entwickelten Material im wesentlichen unverändert läßt, aber außerdem in der Praxis eine effektive Sperrwirkung gegen
die Ätzung des Aluminiums bzw. Aluminiumoxids aufweist. 30
32Z33Ö6
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Jede Alkaliverbindung, die in wäßriger Lösung Hydroxylionen abspalten kann, ist für die praktische Durchführung dieser Erfindung geeignet. Zu den einen alkalischen pH-Wert bewirkenden Verbindungen zählen solche, die in Wasser direkt Ionen abspalten oder Salze, die in Wasser Hydroxylionen bilden, beispielsweise sind dies Natriumsilikat, Natriummetasilikat, Trinatriumphosphat, Mononatriumphosphat und Natriumhydroxid.
Bevorzugte Tenside sind beispielsweise ethoxylierte Octylphenole wie ©Triton X-IOO von Rohm & Haas (USA), ethoxylierte Nonylphenole wie QpTergitol Min Foam 1 χ von Union Carbide Corporation (USA) oder andere unter die oben definierte Gruppe fallenden Tenside wie ® Antarox BL-330 von GAF und®Amidox C-5 von Stepan Chemical Co. (USA); zu den bevorzugten Tensiden gehören auch die'QySurfynole von Air Products and Chemicals (USA), beispielsweise die Typen "104", "440", "465" oder "485", die sich vom 2,4,7,9-Tetramethyl-decin(5) -diol(4,7) ableiten, das auch ethoxyliert sein kann.
In der wäßrigen Entwicklerlösung können noch weitere Zusätze, insbesondere in Salzform, verwendet werden, die hydrophile, wasserunlösliche Schichten auf dem Trägermaterial bilden können, selbst alkalisch reagierende Systeme in Wasser bilden oder zur Pufferung des Systems beitragen. Von diesen weiteren Zusätzen können 0,2 bis 10 Gew.-%, vorzugsweise 0,5 bis 5 Gew.-%, in der wäßrigen Entwicklerlösung enthalten sein. Es können z. B. die
^0 folgenden Salze der wäßrig-alkalischen Lösung zugesetzt
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werden: Salze der Fluorokieselsäure, Fluorotitansäure, Fluorozinnsäure, Fluoroborsäure, Ortho- oder Metakieselsäure, Orthotitansäure oder Zinnsäure, diese werden in der DE-PS 12 00 133 ausführlicher beschrieben. 5
In einer zweckmäßigen Ausführungsform der Erfindung enthält der Entwickler 0,2 bis 12 Gew.-% der den alkalischen pH-Wert bewirkenden Verbindung, insbesondere 0,2 bis 10 Gew.-%, bevorzugt jedoch 3 bis 8 Gew.-%. Vom nichtionogenen Tensid sind zweckmäßig 0,1 bis 10 Gew.-%, vorzugsweise 0,5 bis 3 Gew.-% vorhanden. Der pH-Wert des Entwicklers liegt im allgemeinen zwischen 7 und 14, vorzugsweise zwischen 11 und 13.
Entwicklergemische, die zusätzlich eines der angegebenen Tenside enthalten, sind beispielsweise wie folgt aufgebaut (die Zahlenangaben sind solche in Gew.-%):
A enthärtetes Wasser
2° Natriummetasilikat * Trinatriumphosphat · Mononatriumphosphat Natriumhydroxid
25 B enthärtetes Wasser Natriummetasilikat · Trinatriumphosphat ■ Mononatriumphosphat
C Trinatriumphosphat · 12 H2O 0,75
91,95
5 H2O 3,98
12 H2O 3,42
0,34
0,71
92,20
5 H2O 4,01
12 H2O 3,45
0,34
32233*6
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Natriummetasilikat 3/50
Monortatriumphosphat · 1 H2O 0,20 . wasserlösliche Methylcellulose
mittlerer Viskosität 0,10
dest. Wasser 98,50
D Natriummetasilikat 0,45
Natriumhexametaphosphat 0,09
dest. Wasser 99,46 IO
E Natriummetasilikat 5,60
Natriumhexametaphosphat 1,00
dest. Wasser 93,40
F Natriummetasilikat 5,80
Trinatriumphosphat · 12 H2O 1,80
Mononatriumphosphat 0,40
dest. Wasser 92,00
G dest. Wasser 95,90
Natriummetasilikat 2,00
Mononatriumphosphat 0,80
Natriumhydroxid 0,80
H dest. Wasser 95,84
Natriummetasilikat 1,91
Mononatriumphosphat 0,76
Natriumhydroxid 1,15
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'β-
Beispiele 1 bis 4 und Vergleichsbeispiele Vl und V2 Probestücke einer mechanisch aufgerauhten und anodisch oxidierten Aluminiumplatte, die eine lichtempfindliche Beschichtung auf der Basis eines Veresterungsproduktes aus 1 Mol 2,3,4-Trihydroxybenzophenon und 3 Mol Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-5-sulfonsäurechlorid und eines Kresol-Formaldehyd-Novolaks trägt, werden in einem Vakuumkopierrahmen belichtet. Ein Probestück wird mit etwa 750 ml des weiter unten angegebenen Entwicklers in einer kleinen Schale entwickelt, wobei die Schale auf eine an einen Zeitschalter angeschlossene Schaukelvorrichtung aufgesetzt wird. Der Entwickler hat folgende Zusammensetzung (in Gew.-%)
Wasser 92,196
Natriummetasilikat 4,016
Trinatriumphosphat 3,448
Mononatriumphosphat 0,340
Die Entwicklungszeit wird auf 15 Minuten festgesetzt. Das Probestück wird nach der Entwicklung abgespült und trockengetupft, es dient als Kontrollprobe. Anschließend werden nacheinander Probestücke in gleicher Weise, jedoch unter Zugabe von 1 Gew.-% des jeweils eingesetzten Tenside zu der Lösung entwickelt. Die Probestücke werden ebenfalls abgespült und getrocknet und mit der Kontrollprobe verglichen. In Tabelle 1 sind die mit den verschiedenen Tensiden erzielten Ergebnisse aufgeführt.
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Als Vergleichskriterien gelten:
a) der 21-stufige Stauffer-Keil, wobei eine höhere freie Keilstüfe auf eine aggressivere Entwicklung hindeutet, 5 b) die Rasterpunktzuspitzung (-abschwächung) oder der Rasterpunktverlust,
c) der Angriff auf das Oxid an den Nichtbildstellen, sowie Zwischenstufen auf dem Staufferkeil; angezeigt durch die Bildung eines weißen, pulverigen Belags, der 10 sich leicht abwischen läßt.
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* At-
Tabelle 1
Bei Tensidtyp ftnzahl der Raster Angriff an den
spiel freien
<eilstufen		 punktzu
spitzung		 Nicht-
bild-
stellen		 Bild
stellen
1 ethoxyliertes
Alkindiol (®
Surfynol 440}		 freie 3
teilge-
deckte 6		 keine kein gering
2 ethoxyliertes
Alkindiol (®
Surfynol 465)		 freie 3
teilge
deckte 7		 keine kein gering
3 ethoxyliertes
Alkindiol (Qy
Surfynol 485)		 freie 4
teilge
deckte 7		 keine kein gering
4 ethoxyliertes
Octylphenol
(jEmlton X-100)		 freie 3
teilge
deckte 6		 keine kein kein
Vl anionogener Phos-
phorsäureester
(©Gafac BI-750
von GAF Gorp.)		 freie 6
teilge
deckte 10		 stark stark mäßig
V2 ohne Tensid freie 8
teilge
deckte 11		 stark stark mäßig
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Beispiel 5 und Vergleichsbeispiele V3 bis V6 Es wird nach dem Verfahren gemäß den Beispielen 1 bis und Vl und V2 mit einem Entwickler folgender Zusammensetzung gearbeitet (in Gew.-%): 5
Wasser 91,545
Natriummetasilikat 3,988
Trinatriumphosphat 3,423
Mononatriumphosphat 0,337
Natriumhydroxid 0,707
Da es sich bei diesem Entwicklertyp um einen aggressiveren Entwickler handelt, werden die Proben jedoch nur
7 Minuten bei Schaukelbewegung entwickelt. 15
32233*6
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Tabelle 2
Bei Tensidtyp Anzahl der Raster Angriff an den
spiel freien punktzu Nicht
Keilstufen spitzung bild Bild
stellen stellen
5. ethoxyliertes freie 5
Octylphenol teilge gering gering gering
0 Triton X-IOO) deckte 9
V3 anionogener Phos freie 9
phorsäureester teilge stark stark mäßig
(©Gafac RE-610 deckte 10
V4 anionogenes Ten- freie 9
sid (©Aerosol teilge mäßig mittel mittel
05 von American deckte 13 stark stark
Cyanamid)
V5 kationogenes
Tensid (CD *) *) *) *)
Aerosol C-61)
V6 ohne Tensid *) *) *) *)
*) fast vollständiger Verlust der Bildstellen und starker Angriff in den Nichtbildstellen

Claims (1)

  1. AMERICAN HOECHST CORPORATION Somerville, New Jersey 08876/USA
    Hoe 81/K 087 - JJ^- 22. Juni 1982
    WLK-Dr.I.-wf
    Patentansprüche
    Verfahren zum Entwickeln von bestrahlten, o-Naphthochinondiazide als strahlungsempfindliche Verbindung und alkalilösliche Harze enthaltenden Reproduktionsschichten, bei dem die bestrahlten Schichtbereiche mit einer wäßrig-alkalischen, mindestens ein Tensid enthaltenden Entwicklerlösung ausgewaschen werden, dadurch gekennzeichnet, daß als Tensid ein nichtionogenes Tensid aus der Gruppe ethoxylierte Phenole, ethoxylierte Alkenole und Alkandiole, gegebenenfalls ethoxylierte Alkindiole, Alkylenoxid-Blockcopolymere
    oder Fettsäureamide eingesetzt wird. 15
    Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Entwicklerlösung als den alkalischen pH-Wert bewirkende Verbindung Trinatriumphosphat, Natriumhydroxyd, Mononatriumphosphat, Natriumsilikat und/ oder Natriummetasilikat enthält.
    Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Entwicklerlösung 0,2 bis 12 Gew.-% der den alkalischen pH-Wert bewirkenden Verbindung und 0,1 bis 10 Gew.-% des nichtionogenen Tensids enthält.
    Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Entwicklerlösung zusätzlich mindestens ein wasserlösliches Salz der Fluorokieselsäure, Fluorotitansäure, Fluorozinnsäure, Fluorobor-
    AMERICAN HOECHST CORPORATION Somerville, New Jersey 08876/USA
    säure, Orthokieselsäure, Metakieselsäure, Orthotitansäure oder Zinnsäure enthält.
    Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Reproduktionsschicht auf einem mechanisch, chemisch und/oder elektrochemisch aufgerauhten und gegebenenfalls anodisch oxidierten Träger aus Aluminium befindet.
DE19823223386 1981-07-27 1982-06-23 Verfahren zum entwickeln von positiv-arbeitenden reproduktionsschichten Granted DE3223386A1 (de)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3427556C1 (de) * 1984-07-26 1986-01-02 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Verfahren zur Herstellung von Fotoresist-Reliefstrukturen mit UEberhangcharakter
EP0269760A1 (de) * 1986-12-02 1988-06-08 Bernd Schwegmann GmbH &amp; Co. KG Feuchtwasserzusatz für den Offsetdruck
EP0293596A3 (en) * 1987-06-01 1989-03-15 Hoechst Celanese Corporation Correction fluid and process for the treatment of scratches on lithographic printing plates
EP0364895A1 (de) * 1988-10-20 1990-04-25 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Entwickler für Positiv-Photolacke
EP0272686A3 (de) * 1986-12-23 1990-11-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung von Flachdruckplatten
US5175078A (en) * 1988-10-20 1992-12-29 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Positive type photoresist developer

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58190952A (ja) * 1982-04-30 1983-11-08 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性印刷版の現像液
US4436807A (en) 1982-07-15 1984-03-13 American Hoechst Corporation Developer composition with sodium, lithium and/or potassium salts for developing negative working imaged photographic material
JPS59121336A (ja) * 1982-12-28 1984-07-13 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性平版印刷版の現像液
DE3346979A1 (de) * 1983-12-24 1985-07-04 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Entwickler fuer positivfotoresists
JPS6232453A (ja) * 1985-08-06 1987-02-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト用現像液
JPH0638159B2 (ja) * 1986-07-18 1994-05-18 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト用現像液
GB8628613D0 (en) * 1986-11-29 1987-01-07 Horsell Graphic Ind Ltd Developing fluid for lithographic plates
US5246818A (en) * 1989-08-16 1993-09-21 Hoechst Celanese Corporation Developer composition for positive working color proofing films
JP2670711B2 (ja) * 1990-05-29 1997-10-29 富士写真フイルム株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物用現像液
JP2920410B2 (ja) * 1990-07-11 1999-07-19 コニカ株式会社 感光性平版印刷版の現像処理装置
DE4027299A1 (de) * 1990-08-29 1992-03-05 Hoechst Ag Entwicklerzusammensetzung fuer bestrahlte, strahlungsempfindliche, positiv und negativ arbeitende sowie umkehrbare reprographische schichten und verfahren zur entwicklung solcher schichten
US5532116A (en) * 1992-01-13 1996-07-02 Fuji Photo Film Co., Ltd. Aqueous alkaline developing solution
NL9400920A (nl) * 1994-06-07 1996-01-02 Davatech Europ V O F Ontwikkelaarsamenstelling voor positiefwerkende lithografische drukplaten en werkwijze voor het ontwikkelen van positiefwerkende lithografische drukplaten.
EP0732628A1 (de) * 1995-03-07 1996-09-18 Minnesota Mining And Manufacturing Company Wässrig-alkalische Lösung zum Entwickeln von Flachdruckplatten
US5998102A (en) * 1997-10-06 1999-12-07 Agfa Corporation Etch inhibitors in developer for lithographic printing plates
GB9723026D0 (en) * 1997-11-01 1998-01-07 Du Pont Uk Improvements in or relating to the processing of lithographic printing plate precursors
GB9723025D0 (en) * 1997-11-01 1998-01-07 Du Pont Uk Improvements in or relating to the processing of lithographic printing plate precursors
DE69901642T3 (de) 1998-03-14 2019-03-21 Agfa Nv Verfahren zur Herstellung einer positiv arbeitenden Druckplatte aus einem wärmeempfindlichem Bildaufzeichnungsmaterial
US7208049B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Air Products And Chemicals, Inc. Process solutions containing surfactants used as post-chemical mechanical planarization treatment
US7348300B2 (en) * 1999-05-04 2008-03-25 Air Products And Chemicals, Inc. Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and processes for their manufacture
US6864395B2 (en) * 1999-05-04 2005-03-08 Air Products And Chemicals, Inc. Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and processes for their manufacture
US6455234B1 (en) 1999-05-04 2002-09-24 Air Products And Chemicals, Inc. Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and their use in photoresist developers
JP2001215690A (ja) 2000-01-04 2001-08-10 Air Prod And Chem Inc アセチレン列ジオールエチレンオキシド／プロピレンオキシド付加物および現像剤におけるその使用
US6649324B1 (en) * 2000-08-14 2003-11-18 Kodak Polychrome Graphics Llc Aqueous developer for lithographic printing plates
US6511790B2 (en) 2000-08-25 2003-01-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Alkaline liquid developer for lithographic printing plate and method for preparing lithographic printing plate
JP2002351094A (ja) * 2001-05-22 2002-12-04 Fuji Photo Film Co Ltd 現像液組成物及び画像形成方法
JP4230130B2 (ja) 2001-07-04 2009-02-25 富士フイルム株式会社 感光性平版印刷版用現像液及び平版印刷版の製版方法
JP2003315987A (ja) 2002-02-21 2003-11-06 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版の製版方法
US6641986B1 (en) * 2002-08-12 2003-11-04 Air Products And Chemicals, Inc. Acetylenic diol surfactant solutions and methods of using same
EP2354854B2 (de) 2002-09-20 2016-04-06 FUJIFILM Corporation Verfahren zur Herstellung einer Flachdruckplatte
JP4620680B2 (ja) * 2003-10-29 2011-01-26 マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド ハロゲン化金属の腐食阻害剤を含有するアルカリ性のプラズマエッチング／灰化後の残渣の除去剤およびフォトレジスト剥離組成物
JP2005321763A (ja) 2004-04-06 2005-11-17 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性平版印刷版自動現像機の現像補充液補充方法
KR101112545B1 (ko) * 2004-12-16 2012-03-13 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 감광성 수지 및 상기 감광성 수지로 이루어진 패턴을포함하는 박막 표시판 및 그 제조 방법
KR101209049B1 (ko) * 2004-12-24 2012-12-07 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 감광성 수지 및 상기 감광성 수지로 이루어진 패턴을 포함하는 박막 표시판 및 그 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3586504A (en) * 1969-10-24 1971-06-22 Eastman Kodak Co Photoresist developers and methods

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE581434A (de) * 1958-08-08
US3707373A (en) * 1969-03-17 1972-12-26 Eastman Kodak Co Lithographic plate developers
US3669660A (en) * 1970-05-21 1972-06-13 Polychrome Corp Lithographic plate developing composition and process of use thereof
US3745028A (en) * 1971-04-26 1973-07-10 Eastman Kodak Co Lithographic plate desensitizer formulations
US3738850A (en) * 1971-10-04 1973-06-12 Eastman Kodak Co Lithographic plate desensitizer formulations
US3891438A (en) * 1972-11-02 1975-06-24 Polychrome Corp Aqueous developing composition for lithographic diazo printing plates
US3891439A (en) * 1972-11-02 1975-06-24 Polychrome Corp Aqueous developing composition for lithographic diazo printing plates
US3868254A (en) * 1972-11-29 1975-02-25 Gaf Corp Positive working quinone diazide lithographic plate compositions and articles having non-ionic surfactants
US3954472A (en) * 1974-08-26 1976-05-04 S. O. Litho Corporation Substractive developer for negative working lithographic plates
US4130425A (en) * 1976-12-29 1978-12-19 Marcole, Inc. Subtractive developer for lithographic plates
US4308340A (en) * 1980-08-08 1981-12-29 American Hoechst Corporation Aqueous 2-propoxyethanol containing processing composition for lithographic printing plates

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3586504A (en) * 1969-10-24 1971-06-22 Eastman Kodak Co Photoresist developers and methods

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3427556C1 (de) * 1984-07-26 1986-01-02 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Verfahren zur Herstellung von Fotoresist-Reliefstrukturen mit UEberhangcharakter
EP0269760A1 (de) * 1986-12-02 1988-06-08 Bernd Schwegmann GmbH &amp; Co. KG Feuchtwasserzusatz für den Offsetdruck
EP0272686A3 (de) * 1986-12-23 1990-11-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung von Flachdruckplatten
EP0293596A3 (en) * 1987-06-01 1989-03-15 Hoechst Celanese Corporation Correction fluid and process for the treatment of scratches on lithographic printing plates
EP0364895A1 (de) * 1988-10-20 1990-04-25 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Entwickler für Positiv-Photolacke
US5175078A (en) * 1988-10-20 1992-12-29 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Positive type photoresist developer

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