DE3213239A1 - Halbleiterdruckeinrichtung - Google Patents
HalbleiterdruckeinrichtungInfo
- Publication number
- DE3213239A1 DE3213239A1 DE19823213239 DE3213239A DE3213239A1 DE 3213239 A1 DE3213239 A1 DE 3213239A1 DE 19823213239 DE19823213239 DE 19823213239 DE 3213239 A DE3213239 A DE 3213239A DE 3213239 A1 DE3213239 A1 DE 3213239A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- mask
- disc
- temperature
- heating
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 44
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 36
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 31
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 23
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- BDEDPKFUFGCVCJ-UHFFFAOYSA-N 3,6-dihydroxy-8,8-dimethyl-1-oxo-3,4,7,9-tetrahydrocyclopenta[h]isochromene-5-carbaldehyde Chemical compound O=C1OC(O)CC(C(C=O)=C2O)=C1C1=C2CC(C)(C)C1 BDEDPKFUFGCVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000863032 Trieres Species 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterdruckeinrichtung, nämlich eine Einrichtung zum Übertragen eines
Musters einer Fotomaske auf ein Halbleiterscheibchen bei dem Halbleiter-Hersteilungsverfahren.
Bei dem Halbleiter-Herstellungsverfahren sind im allgemeinen mehrfache Maskenbearbeitungen erforderlich. Während
dieser Bearbeitungen ändern sich von Zeit zu Zeit die Temperaturbedingungen.
Ferner können sich auch cie Eigenschaften des optischen Übertragungssysterns ändern. Unter
diesen Umständen' besteht zwischen der Fotomaske und dem
HalDleiter-Scheibchen ein bestimmter Unterschied hinsichtlicn der Ausdehnung oder sie unterliegen einer bestimmten
relativen Verformung. Ferner wird die Ausrichtung zwischen der Maske und dem Scheibchen durch Zwischenbearbeitungen
wie das Ätzen beeinträchtigt. Alle diese Parameteränderun- ;jen verursachen zusammen eine gewisse Versetzung des Musters
.
A/22
Deutsche I' mk (M.j.u.tten. KIo 51 t,i ü?ü
Dresdner ö;mK (
:ien( Kio ü
r.L-CK i.Mi.ncr-,.-) !·■ ;7C-A3-aOA
-5- DE 2042
Wenn mit einem derart versetzten Muster belichtet wird,
ist es nicht mehr möglich, irgendwelche regelmäßigen bzw.
serienmäßigen Halbleiter herzustellen. Daher ist es notwendig, trotz dieser Parameteränderungen den Muster-Ausrichtfehler
zwischen Maske und Scheibchen zu verhindern oder zu kompensieren.
Zur Lösung dieses Problems ist eine Einrichtung bekannt, bei der temperaturgeregelte Luft gegen d^e Maske oaer das
Scheibchen geblasen wird (siehe US-PS 4 202 623 und JP-OS Nr. 17 951/1981). Die Luft wird im Voraus auf ein« konstante
Temperatur geregelt, um die Temperatur der Maske oder des Scheibchens oder aber die Temperaturdifferenz
zwischen der Maske und dem Scheibchen konstant zu halten.
Ss ist jedoch unmöglich, jeweils die Temperatur mehrerer
verschiedener Abschnitte unabhängig voneinander mittels des Strömungsmittels zu steuern, obgleich es möglich sein
kann, die Temperaturdifferenz insgesamt zu steuern. Gegenwärtig haben die beim Drucken von Halbleitern verwendeten
Muster einen hohen Miniaturisierungsgrad. Eine einzelne Ausrichtung mehrerer verschiedener Abschnitte kann durch
Gesamttemperatursteuerung unter Verwendung des Strömungsmittels gemäß den vorstehenden Ausführungen nicht erzielt
v/erden.
In der JP-OS Nr. 88 238/1980 v/urde die Anwendung mehrerer Luftdüsen bei der Einrichtung der vorstehend beschriebenen
Art beschrieben. Dies bedeutet jedoch nur, daß die Anblaseluft durch mehrere Düsen aufgeteilt wird. Nach dem Stand
3® der Technik ist es auf keine Weise möglich, die Temperatur
mehrerer verschiedener Abschnitte einzeln und unbhängig voneinander zu steuern.
Allgemein beinhaltet die Temperatursteuerung mit Hilfe eines Strömungsmittels die folgenden Probleme:
-6- DE 2042
Da erstens die Wärmekapazität der Maske una des Halbleiter-Scheibchens
größer als diejenige von Luft ist, ist zur Einregelung der Temperatur der Maske oder des Scheibchens
auf einen vorbestimmten konstanten Wert eine verhältnismäßig lange Zeit notwendig. Zweitens kann die Temperatursteuerung
durch Anblasen mit Luft keiner derart plötzlichen Änderung der Temperatur der Maske oder des
Scheibchens folgen, wie sie durch eine Störung verursacht wird. Drittens ist zwar die angeblasene Luft selbst ein
gesteuertes reines Gas, jedoch besteht die Möglichkeit, daß durch Umwälzung der angeblasenen Luft Staub und Fremdkörper
in der Luftströmung eingefangen bzw. mitgeführt werden. Schließlich kann sich durch irgendeine von dem
Anblasen mit Luft verursachte Störung der Brechungsindex der Luft in dem optischen Weg von Zeit zu Zeit ändern,
was wiederum Schwankungen bzw. Änderungen des projizierten optischen Bilds hervorrufen kann.
Aus den vorstehend genannten Gründen ist es fragwürdig, bei der Ausrichtung sehr feiner Muster das Vorgehen gemäß
dem Stand der Technik einzusetzen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiterdruckeinrichtung
zu schaffen, mit der allgemein durch eine
Parameteränderung verursachte Fehler hinsichtlich der Musterausrichtung zwischen einer Maske und einem Halbleiter-Scheibchen
aurch örtliche Korrektur des Ausrichtfehlers örtlich ,,und darüberhinaus insgesamt ausgeschaltet werden
können.
Die Aufgabe v/ird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß ein
auftretender Ausrichtfehler ermittelt und kompensiert bzw.
korrigiert wird. Falls der Ausrichtfehler eine dem System eigene Konstante ist, ist die Ermittlung nicht erforder-
. . .
lieh.
-7- DE 2042
Zur Ermittlung des Ausrichtfehlers können vercchieoonerlei
Meßvorrichtungen eingesetzt werden. Beispielsweise kann der Fehler durch Ermitteln des Temperaturverteilungs-Unterschieds
zwischen der Maske und dem Scheibchen erfaßt D werden. Ferner kann der Fehler durch Ermitteln irgendeiner
relativen Versetzung zwischen der Maske und dem Scheibchen mittels eines geeigneten Ausrichtfehler-Meßsyste:r;s wie
eines Mikroskops erfaßt werden.
1^ Die Vorrichtung zum Kompensieren bzw. Korrigieren ies ermittelten
Ausrichtfehlers bildet einen wesentlichen Teil der erfindungsgemäßen Halbleiterdruckeinrichtung. Diese
Kompensationsvorrichtung hat erfindungsgemäß eine Vorrichtung
zum Erwärmen oder Kühlen der Maske und/oder des
Scheibchens, und zwar mehrerer verschiedener Abschnitte derselben jeweils in voneinander unabhängiger Weise.
Die Erfindung wird nachstehend anhand vcn Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.
Fig. 1 A, IB und IC sind schematische Darstellungen des
herkömmlichen Ausrichtens zwischen Maske und
Scheibchen.
25
25
Fig. 2 veranschaulicht den Grundgedanken des auf Abschnitte aufgeteilten Temperatursteuersystems bei
-der Halbleiterdruckeinrichtung.
Fig. 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Halbleiterdruckeinrichtung.
Fig. 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem Halbleiter-Thermomodule eingesetzt werden.
~8~ DE 2042
Fig. 5 ist eine Längsschnittansicht dieses Ausfünrungsbeispieis.
Fig. 6 zeigt eine Anordnung konzentrischer Ringblock-Heizvorrichtungen.
Fig. 7 zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem die Anordnung
konzentrischer Ringblock-Heizvorrichtungen eingesetzt ist.
10
10
Fig. 8 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Halbleiterdruckeinrichtung,
bei dem ein Ausrichtfehler-Meßsystem eingesetzt ist.
Fig. 9 zeigt ein nächstes Ausführungsbeispiel der Halbleiterdruckeinrichtung,
bei dem der Abstanc zwischen einer Heiz-/Kühlvorrichtung und der Maske
bzw. aera Halbleiter-Scheibchen verändert wird.
Zunächst wire anhand der Fig. IA bis IC die Art und Weise
des gegenseitigen Ausrichtens eines Halbleiter-Scheibchens und einer Maske beschrieben.
In der Fig. IA sine Ml und M2 an einer Maske angezeichnete
Richtmuster, wänrend Wl und W2 Ricntmuster an einem entsprechenden
Halbleiter-Scheibchen sind. Jeae-i der Richtmuster
Ml und Ι·'.2 an cer Kaske ist als ein Paar von Doppeliinien
aufgezeichnet, die einander unter rechten Winkeln
„_ schineiden. D1C Richtmuüter VJl und W2 an cern Scheibchen
entsprechen hinsichtlich der Lage unu der Form den Richtmustern
Ml unu M2 mit eier Ausnahme, aaß jedes der Rij'ntrnuster
Wl und W2 als ein Paar einzelner Linien aufgezeichnet
ist.
-9- DE 2042
Diese Richtmuster werden beispielsweise mittels eir.es Abtaststrahls
gemäß der Darstellung in der Fig. IB abgetastet.
Während des Abtastens werden von einem fotoelektri sehen
Ausrichtungsmeßsystem in zeitlicher Folge Stui'ensignale
gemäß der Darstellung in der Fig. IC abgegeben, die
aus den Aufzei chnungslinien der Richtmu:..ter an der Mas.<e
und aem Scheibchen abgeleitet sind. Wenn dii? Rich^muster
wl unc W2 in die entsprechenden Richtmuster Ml und Ά2 eingesetzt
gesehen werden und in die jeweiligen Mitten der Muster Hl und M2 gelangt sind, -ist das Ausrichten de =
Scheibchens mit der Maske vollendet. Daher kann irgendein Ausrichtfehler als Zeitdifferenz zwischen zwei Intervallen
t. und t2 oder t,, und t. (nach Fig. IC) erfaßt werden.
*5 Die Richtmuster Ml und M2 wurden zv/ar zur Vereinfachung
in der Fig. IA in gegenseitigem Abstand dargestellt, jedoch ist es ersichtlich, daß die Muster nahe beieinander
angeordnet sein können. Ferner ist es möglich, diese
Richtrnuster an benachbarten Stellen in ein Muster fur taton
ίυ sachliche Elemente einzugliedern. Wie es spater beschrieben
wird, können dort auch Fühler wie Temperaturfühler eingegliedert werden.
Der vorstehend beschriebene Ausrichtvorgang muß für jede .-laskenbearbeitung wiederholt werden. Der Grund hierfür
liegt darin, daß die Bedingungen wie die Temperatur, unter welchen eine Maskenbearbeitung ausgeführt wird, sich im
allgemeinen von denjenigen bei der Ausführung der nächsten Maskenbearbeitung unterscheiden. Falls nach dem Ausrichten
für eine vorhergehende Maskenbearbeitung kein Ausrichten für die nächste Maskenbearbeitung erfolgt, entstellt eine
gewisse Versetzung des Musters, die die Halbleiter-Herstellung
behindert.
Anhand der Fig. 2 und 3 wird nun em Ausführungsbeispiel
der Halbieitercruckeinrichtung beschrieben.
-10- DE 2042
Hit 1 ist eine Signaleingabeeinheit für das Einstellen von Steuerparametern bezeichnet. Die Signaleingabeeinheit
kann beispielsweise eine Tastatur eines Fernschreibgeräts sein. 2 ist ein Fühler für die Erfassung der Temperatur
und der Temperaturverteilung der Maske. 3 ist eine Ausrichtfehler-Meßeinheit
für die Ermittlung irgendeiner Versetzung der Muster (diese Einheit 3 kann weggelassen werden,
wenn ein entsprechendes Signal aus irgendeiner Ausrichtfehler-Meßvorrichtung zur Verfugung steht, die ursprünglich
an der Druckeinrichtung angebracht ist, wie beispielsweise ein fotoelektrisches Ausrichtungs-I-ießsystem).
4 ist eine Hauptsteuereinheit mit einem Vergleicher,
einem Rechenwerk, einem Speicher zur Speicherung von Informationen
usw. (die Hauptsteuereinheit 4 kann exn Mikro-
1^ computer sein). Mit b sind Steuereinheiten zum Steuern
veil Heizvorrichtungen oder Halbleiter-Triermomodulen (bzw.
Peltier-Elementen) entsprechend Signalen aus der Hauptsteuereinheit
4 bezeichnet. 6 sind Heiz- und/oder Kühlelemente, die jeweils durch Heizvorrichtungen oder Halblei-
ter-Thermomodule gebildet sind. 7 sind Fühler zum Erfassen
der Oberflächentemperatur des Halbleiter-Scheibchens oder
des Scheibchen-Spannfutters in den Elementen 6 entsprechenden Abschnitten. Die Fühler 7 geben entsprechende
Steuersignale an die Steuereinheiten t, ab. 8 ist die Fotomafcke, während 9 das Halbleiter-Plättchen ist. 10 ist ein Ma^kenhalter zürn Festhalten der Fotomaske, während 11 ein Scheibchen-Sf i.nnfutter zum Einspannen des Halbleiter-Scheibch^ns ist.
Steuersignale an die Steuereinheiten t, ab. 8 ist die Fotomafcke, während 9 das Halbleiter-Plättchen ist. 10 ist ein Ma^kenhalter zürn Festhalten der Fotomaske, während 11 ein Scheibchen-Sf i.nnfutter zum Einspannen des Halbleiter-Scheibch^ns ist.
Die Temperaturfühler 2 an der Maske können beispielsweise
in irgendwelcnen kleinen Zwischenräumen zwischen den tatsächlichen
Elementmustern der Maske angebracht sein (wie z.B. in einem Zeilenbereich für das Beschriften). Andererseits
können die Temperaturfühler 7 gemäß cer Darstellung 35
in der Fig. i> an dem ScheiDchen zwischen den Heiz- und/
-11- DE 2042
1 oder Kühl elementen G eingebettet sein. Die auf diese Weise
angeordneten Fühler behindern nicnt die belichtung, so daß aer Belichtungszustand aufrecht erhalten werden kann.
Hinsichtlich der Anbringungslage der Temperaturfühler besteht
keine Einschränkung auf die vorangehend beschriebene.
Die Fühler können in der Umgebung des belichtun^sfreien
Bereichs außerhalb des Belichtungsbereichs angebracht v/erden, obgleich dadurch die Genauigkeit der Temperaturerfassung
etwas verringert sein kann. In diesem Fall kann jedoch auch das Ausrichten unter Aufrechterhalten aes erwünschten
Belichtungszustands vorgenommen werden, da die Fühler nicht auf den Belichtungsbereich einwirken. Wenn
es nicht notwendig ist, die Beeinflussung des Belichtungszustands zu beachten, können die Temperaturfühler direkt
oberhalb der Maske und direkt oberhalb des Scheibchens angeordnet werden. Die Temperaturfühler 7 an dem Scheibchen
können so angeordnet werden, daß sie den Fühlern 2 an der Maske direkt im Verhältnis 1:1 oder in einem solchen
Verhältnis entsprechen, daß einer der Fühler 7 je ~ weils zwei oder mehreren Fühlern 2 entspricht. Die Anzanl
der Temperaturfühler 7 an dem Scheibchen sollte gleich der Anzahl der gleichfalls an dem Scheibchen angeordneten
Heiz-und/oder Kühlelemente 6 sein. Wenn die Temperaturfühler
7 an dem Scheibchen in dem letztgenannten Verhältnis der Übereinstimmung eines der Fühler 7 mit jeweils zwei
oder mehreren Fühlern 2 an der Maske angeordnet sind, wird die Temperatur eines jeden Abschnitts des Scheibchens so
geregelt, daß sie der Durchschnittstemperatur in den entsprechenden mehreren Abschnitten der Maske entspricht.
Bei einem später beschriebenen Ausführungsbeispiel wird zugleich die Versetzung des Musters an aer Maske und dem
Scheibchen mittels der Ausrichtfehler-Meiieinheit erfaßt.
In diesem Fall werden die Richtmuster als Bezugsorte ein-
-12- DE 2042
gesetzt. Wie die vorstehend genannten Temperaturfühler
können die Richtmuster zwischen dem tatsächlichen Elementmuster an der Maske angebracht sein. An dem Scheibchen
können die Richtmuster unter jeweiliger Übereinstimmung mit einem der Richtmuster an der Maske oder unter jeweiliger
Übereinstimmung mit zwei oder mehreren Richtmustern der Maske angeordnet werden.
Bei dem in den Fig. 2 und 3 gezeigten Ausführungsbeispielen
sind die Heiz- und/oder Kühlelemente 6 in dem Scheibchen-Spannfutter so angeordnet, daß sie diesem eine bestimmte
geregelte Temperaturverteilung erteilen. Das
Scheibchen 9 wird hinsichtlich der Temperatur indirekt über das Scheibchen-Spannfutter 11 geregelt. Es ist natürlieh möglich, die Heiz- und/oder Kühlelemente 6 in der V/eise anzuordnen, daß das Scheibchen 9 hinsichtlich der Temperatur direkt mittels der Elemente ö geregelt v/ird. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel hat das Scheibchen-Spannfutter 11 gleichzeitig zwei verschiedene Funktionen, nämlich das Scheibchen festzuhalten und die Temperatur des Scheibchens zu regeln.
Scheibchen 9 wird hinsichtlich der Temperatur indirekt über das Scheibchen-Spannfutter 11 geregelt. Es ist natürlieh möglich, die Heiz- und/oder Kühlelemente 6 in der V/eise anzuordnen, daß das Scheibchen 9 hinsichtlich der Temperatur direkt mittels der Elemente ö geregelt v/ird. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel hat das Scheibchen-Spannfutter 11 gleichzeitig zwei verschiedene Funktionen, nämlich das Scheibchen festzuhalten und die Temperatur des Scheibchens zu regeln.
Die Funktionsweise bei dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel
iat folgende:
25
25
Zu Beginn des Ausrichtungsvorgangs gibt die Bedienungsperson mittels (..er Signaleingabeeinheit 1, die eine Schreibmacchine_oder
eine Tastatur sein kann, die Steuerparameter für die Einstellung der notwendigen Steuergrößen ein. Die
ou eingegebenen Steuerparameter werden in die Hauptsreuereinheit
4 eingeleitet, die eine Reihe von Betriebsablauffolgen hat, welcne im Voraus in dem Speicher gespeichert
sind. Entsprechend den nunmehr eingegebenen Steuerparametern aus der Signaleingabeeinheit 1 wählt die Hauptsteuereinneit A die für iie eingegebenen Steuerparameter am be-
sind. Entsprechend den nunmehr eingegebenen Steuerparametern aus der Signaleingabeeinheit 1 wählt die Hauptsteuereinneit A die für iie eingegebenen Steuerparameter am be-
-13- DE 2042
sten geeignete Ablauffolge aus den eingespeicherten verschiedenen
Ablauffeigen. Dann führt die Hauptsteuereinheit
4 die gewählte Betriebsablauffolge aus. Gewünschtenfalls
können diese Betriebsablauffolgen für verschiedenerlei unterschiedliche Steuerparameter in dem Speicher in der
Hauptsteuereinheit automatisch bei der Einstellung der Parameter über einen an die Siganleingabeeinheit 1 angeschlossenen
Magnetspeicher eingelesen werden. Ferner ist es möglich, derartige Betriebsablauffolgen in irgendein
nicht-flüchtiges Speicherelement einzuschreiben (w,e beispielsweise
in einen programmierbaren Festspeicher (PROM), einen löschbaren und neu programmierbaren Festspeicher
(EPROM) oder dergleichen)). Ferner kann an die Hauptsteuereinheit 4 eine Sichtanzeigeeinheit wie ein Kathodenstrahlröhren-Endgerät,
eine Leuchtdioden- oder Flüssigkristallanzeige · und/oder eine Aufzeichnungseinheit wie ein Drukker
angeschlossen werden, um während des Betriebs die Betriebsdaten zu überwachen und/oder aufzuzeichnen.
Beispiele für die vorangehend genannten Betriebsablauffolgen
für verschiedenerlei unterschiedliche Steuerbedingungen
sind folgende:
Ablauffolge I
25
25
Die Temperaturverteilung der von dem Maskenhalter 10 gehaltenen Fotomaske 8 wird mittels einer Vielzahl von Verteilungsm.eß-Temperaturfühlern
2 ermittelt, die an der Maske 8 angeordnet sind. Die Daten für die ermittelte Tempe-
raturverteilung werden in die Hauptsteuereinheit 4 eingegeben,
die Signale an die jeweiligen Steuereinheiten 5 abgibt, um die Temperaturverteilung an der Oberfläche des
Spannfutters 11 gleich der mittels der Fühler 2 erfaßten Temperaturverteilung der Maske zu machen. Entsprechend
ien Signalen aus der Hauptsteuereinheit 4 setzen daher
-14- JjE 20Ad
die jeweiligen Steuereinheiten 5 die daran angeschlossenen Heiz- und/oder Kühlelernente 6 (in Form von Heizvorrichtungen
oder Halbleiter-Thermomodulen) gemäß den Signalen aus der Hauptsteuereinheit 4 in Betrieb. Zugleich steuern die
jeweiligen Steuereinheiten 5 die Heiz- und/oder Kühlelernente 6 in der Weise, daß unter Bezugnahme auf die entsprechend
den an die jeweiligen Steuereinheiten 5 angeschlossenen Elementen 6 angeordneten Spannfutteroberflächen-Temperaturfühler
7 die Temperaturen der Elemente auf den den von der Hauptsteuereinheit 4 angelegten Signalen
entsprechenden Werten gehalten werden.
Falls einer Steuereinheit 5 mehrere Fühler 2 zugeordnet sind, wird mittels der Fühler 2 die Temperaturverteilung
der Maske 8 ermittelt, wobei die erfaßten Daten in die Hauptsteuereinheit 4 eingegeben werden. Die Hauptsteuereinheit
4 führt einen Rechenvorgang zur Ermittlung eines Mittelwerts der erfaßten Daten aus und legt an die Steuereinheiten
5 Signale zum Einregeln der Oberf lächenternperatur des Spannfutters 11 an einem jeweiligen Abschnitt auf
den Mittelwert an. In Bezug auf die Fühler 7 steuern die jeweiligen Steuereinheiten 5 die Heiz- und/oder Kühlelernente
6, wodurch die jeweiligen Oberflächentemperaturen
der mehreren Abschnitte des Spannfutters 11 auf die jeweiligen Mittelwerte der Temperaturverteilungen der entsprechenden
Abschnitte der Maske 8 gesteuert werden. Der hier-Dei angewandte Mittelwert kann das einfache arithmeti-
sehe Mittel eier Temperaturen sein, die mittels der mehreren
Fühler 2 erfaßt werden, die für ein einzelnes Heizoder Kühlelement 6 vorgesehen sind, oder aber ein arithmetischer
Mittelwert, der unter Berücksichtigung der Koordinatenstellen der Fühler 2 etwas bewertet ist.
35
35
-15- DE ..J042
Ablauffolge III
Ablauffolge III
Diese Ablauffolge ist im wesentlichen die gleiche wie die vorstehend beschriebene Ablauf folge 1. Die Oberf läcr.entem-5
oeratur des Spannfutters 11 wird aber so gesteuert, daß die Temperaturdifferenz zwischen den den Fühlern 2 entsprechenden
verschiedenen Punkten an der Spannfutteroberfläche konstant gehalten werden kann.
Ablauffolge IV
Diese Ablauffolge ist im wesentlichen die gleiche wie die vorstehend beschriebene Ablauffolge II. Die Oberflächentemperatur
des Spannfutters 11 wird aber so gesteuert, daß die Oberflächentemperatur auf einen Wert einstellbar
ist, der sich um einen bestimmten Wert von dem mittels der Hauptsteuereinheit 4 berechneten Mittelwert der Temperaturverteilung
an den Fühlern 2 unterscheidet.
Ablauffolge V
Die Temperatur an dem Maskenhalter 10 wird mit einem, zwei drei oder vier von Sensoren 2' erfaßt, die an dem Halter,
jedoch im belichtungsfreien Bereich angeordnet sind. Aus äen Ausgangssignalen der Fühler berechnet die Hauptsteuereinheit
4 auf die vorangehend beschriebene V/eise den Mittelwert (wobei die Durchschnittsberechnung unnötig ist,
wenn nur, ein Fühler vorgesehen ist). Die jeweiligen Abschnitte des Spannfutters 11 werden so geregelt, daß die
Oberflächenternperatur eines jeweiligen Abschnitts auf den
entsprechenden Mittelwert eingestellt wird.
In einer zur vorstehend unter V beschriebenen Weise
gleichartigen Weise wird die Oberflächentemperatur des
-16- DE 2042
Spannfutters 11 an den jeweiligen Abschnitten so geregelt, daß sie auf einen Wert eingestellt wird, der sich von dem
Mittelwert um einen bestimmten Wert unterscheidet.
Ablauffolge VII
In den Speicher in der Hauptsteuereinheit 4 werden im Voraus Daten einer den Temperaturen der Fühler 2' entsprechenden
Temperaturverteilung an der Maske 8 eingespeichert. Die Hauptsteuereinheit 4 berechnet auf die vorstehend
unter V beschriebene Weise die mittlere Temperatur der Fühler 2' und liest die zuvor eingespeicherte, den
Fühlern 2' entsprechende Temperaturverteilung an der Maske 8 aus dem Speicher aus. Das Spannfutter 11 wird zu der
au;; dem Speicher ausgelesenen Temperaturverteilung hin gesteuert.
Diese Ablauffolge ist im wesentlichen die gleiche wie die
vorstehend beschriebene Ablauffolge VII. Die Oberflächen-
temperatur des Spannfutters 11 wird aber so gesteuert,
daß an den jeweiligen Stellen der Spannfutteroberfläche die Temperaturdifferenz zwischen der aus dem Speicher ausgelesenen
Temperaturverteilung an der Maske 8 und der
25
25
Spannfutter-Oberflächentemperatur konstant gemacht wird.
Die Oberflächentemperatur des Spannfutters 11 an den je-30
weiligen Abschnitten wird auf eine Temperatur oder eine
Ternperaturverteilung geregelt, die von aer Hauptsteuereinheit 4 vorgegeben ist.
-17- DE 2042 Ablauffolge X
Gemäß der Darstellung in der Fig. 8 wird aus einer Ausrichtfehler-Meßeinheit
3 ein Fehlersignal gewonnen. (Im allgemeinen sind die derzeit erhältlichen Maskenausrichtvorrichtungen
mit einem fotoelektrischen Richtmuster-Erfassungssystem ausgestattet, das über ein Mikroskopobjektiv
13 betreibbar ist. Dieses Erfassungssystem kann als Ausrichtfehler-Meßeinheit bzw. Fehlersensor 3 dienen. Wenn
daher ein derartiges fotoelektrisches hichtmuster-Erfassungssystem
auch als Fehlermeßeinheit 3 eingesetzt werden soll, ist keine gesonderte Meßeinheit 3 mehr notwendig).
Das Fehlersignal (das beispielsweise ein Signal über den Umstand sein kann, daß die in der Fig. IC gezeigten Zeitig Intervalle t1 und t? oder t~ und t, einander nicht gleich
sind) wird in die Hauptsteuereinheit 4 eingegeben, die es in eine Ausdehnung des Scheibchens umsetzt und dann
die Oberflächentemperatur des Spannfutters 11 so steuert, daß der Fehler auf 0 oder ungefähr auf 0 verkleinert wird.
Als Fehlermeßeinheit 3 kann auch eine Einrichtung zum Be obachten
des Ausrichtfehlers mit dem unbewaffneten Auge über das optische Ausrichtungssystem verwendet werden.
Falls mehrere Richtmuster in den mehreren Abschnitten angebracht sind, wobei jeweils ein Muster jeweils einem Ab-
schnitt entspricht, kann die Fehlerermittlung unter Bewegen der Fehlermeßeinheit 3 längs der Maske erfolgen.
Ablauffolge XI
Diese Ablauffolge ist im wesentlichen gleich der vorstenend beschriebenen Ab1auffölge.. X. Für irgendeinen, durch
eine örtliche Verformung des Scheibchens verursachten örtlichen Ausrichtfehler wird aber die Temperatur in der
V/eise geregelt, daß nur diejenigen Heiz- oder Kühlelemente 35
5 gesteuert werden, die an den Stellen der Örtlichen Ver-
-18- DE 2042
* formung des Scheibchens entsprechenden Stellen angeordnet
sind. Die Heiz- oder Kühlelemente 6 werden so gesteuert, daß der örtliche Ausrichtfehler auf 0 oder ungefähr 0 verringert
wird.
Aus diesen verschiedenen Betriebsablauffolgen kann nach Erfordernis irgendeine gewählt werden, wobei von einer
Ablauffolge auf eine andere umgeschaltet wird. Ferner können in Verbindung zwei oder mehrere unterschiedliche Ablauffolgen
eingesetzt werden.
Die Fig. 4 und 5 zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel der Halbleiterdruckvorrichtung.
Bei diesem Ausführungsbeispiel werden die Oberflächen von Halbleiter-Thermomodulen 6' gemeinsam als Scheibchen-Spannfutter-Oberfläche
verwendet. Ein Zwischenraum 12 zwischen den Modulen 6' bei diesem Ausführungsbeispiel kann
als Unterdruckkanal für das Festhalten des Scheibchens u an der Spannfutter-Oberfläche durch Ansaugkraft eingesetzt
werden. Da die Thermomodule in gegenseitigem Abstand stehen, entsteht keine V/echselwirkung zwischen den Modulen,
die sonst durch Wärmeübertragung zwischen den Modulen verursacht wäre. Das Scheibchen ist in direkter Berührung
mit der Oberfläche der Module. Diese Eigenschaften dieses Ausführungsbeispiels ergeben auch einen Vorteil insofern,
als die örtliche Temperaturregelung leicht ausführbar ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel werden ähnlich wie bei den
vorangehenden Ausführungen die Temperaturfühler 7 nahe 30
den Modulen innerhalb des Scheibchen-Spannfutters angeordnet.
Die Fig. 6 und 7 zeigen die einfachste Ausführungsform der- Halbleiterdruckeinrichtung.
-19- DE 2042
Bei dieser Ausführungsform sind gemäß der Darstellung in der Fig. 6 Heizblöcke 6 · -1, 6'-2 und 6' -3 in Keramikpakkung
auf konzentrischen Kreisen angeordnet. Bei dieser Anordnung kann die Temperaturregelung in ausreichend stabiler
Weise mittels eines sehr einfachen Steuersystems gemäß der Darstellung in der Fig. 7 vorgenommen werden.
Alle die verstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele
sind Einrichtungen, mit denen alle möglichen Steuerpararneter einstellbar sind und die für die eingestellten Parameter
am besten geeignete Steuerablauffolge ausführbar ist.
Bei dem Einbau in ein Druckgerät sind verschiedenerlei Abwandlungen der Ausführungsform möglich. Beispielsweise kann die Hauptsteuereinheit 4 in den zur Steuerung des Druckgeräts verwendeten Steuercomputer eingegliedert werden. Ferner können zur Vereinfachung dieser Einrichtung die vorstehend beschriebenen Betriebsablauffolgen allein auf eine besonders festgelegte Ablauffolge oder allein auf zwei derartige Ablauffolgen beschränkt werden. Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen wurde eine Vielzahl von Heiz- und/oder Kühlelementen 6 in einem Spannfutter eingebettet. Wenn jedoch als Heiz- oder Kühlelemente 6 Halbleiter-Thermomodule verwendet werden und die Thermcmodule gemäß der Darstellung in den Fig. 4 und 5 angeordnet werden, kann die Spannfutter-Oberfläche durch die Oberflächen der Thermomodule selbst gebildet sein. Falls die Arbeitstemperatur der Einrichtung auf den Bereich oberhalb der Raumtemperatur begrenzt wird, können statt der Heiz- oder Kühlelemente 6 einfache Heizelemente
Bei dem Einbau in ein Druckgerät sind verschiedenerlei Abwandlungen der Ausführungsform möglich. Beispielsweise kann die Hauptsteuereinheit 4 in den zur Steuerung des Druckgeräts verwendeten Steuercomputer eingegliedert werden. Ferner können zur Vereinfachung dieser Einrichtung die vorstehend beschriebenen Betriebsablauffolgen allein auf eine besonders festgelegte Ablauffolge oder allein auf zwei derartige Ablauffolgen beschränkt werden. Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen wurde eine Vielzahl von Heiz- und/oder Kühlelementen 6 in einem Spannfutter eingebettet. Wenn jedoch als Heiz- oder Kühlelemente 6 Halbleiter-Thermomodule verwendet werden und die Thermcmodule gemäß der Darstellung in den Fig. 4 und 5 angeordnet werden, kann die Spannfutter-Oberfläche durch die Oberflächen der Thermomodule selbst gebildet sein. Falls die Arbeitstemperatur der Einrichtung auf den Bereich oberhalb der Raumtemperatur begrenzt wird, können statt der Heiz- oder Kühlelemente 6 einfache Heizelemente
QW wie gewöhnlicher Metalldraht, eine Metallbeschichtung oder
ein Halbleiter verwendet werden. Die einfachste Ausführungsform der Heiz- oder Kühlelemente 6 ist die in den
Fig. 6 und 7 gezeigte. Auch wenn dieser einfachste Aufbau der Elemente 6 verwendet wird, ist es leicht möglich, die
Verteilung der Spannfutter-Oberflächentemperatur innerhalb
-20- DE 2042
eines Bereichs von + 0,1 C zu halten.
Die Fig. 9 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der
Haibleiterdruckeinrichtung.
5
5
Bei diesem Ausführungsbeispiel werden die Heiz- oder Kühlelemente
6 in Bezug auf das Halbleiter-Scheibchen 9 bewegt, wie es durch den Pfeil dargestellt ist. Daher erfolgt
die Temperaturregelung durch Änderung des Abstand zwischen dem Scheibchen 9 und dem Element 6. Bei diesem
Ausführungsbeispiel muß die Temperatur der Heiz/Xühlvorrichtung
nicht veränderbar sein, sondern kann konstant sem. Bei dieser Ausführungsform können alle Heiz- oder
Kühlvorrichtungen mit einer konstanten Temperatur eingesetzt werden. Natürlich sind bei diesem Ausführungsbeispiel
Festkörperelemente wie der vorstehend genannte Thermomodul brauchbar. Ferner können auch Fluidstrahlvorrichtungen
wie Luftdüsen eingesetzt werden. Durch zweidimensionales Bewegen des Heiz- oder Kühlelements 6 zur Oberfläche
des Scheibchens 9 hin und längs derselben ist es auch möglich, die Temperatur des Scheibchens abschnittsweise
zu regeln.
Im Vorstehenden wurde die Halbleiterdruckeinrichtung im einzelnen anhand von Ausführungsbeispielen dargestellt
und beschrieben, bei welchen die Temperatur und die Temperaturverteilung einzelner Objekte geregelt werden, um eine
fehlerfreie Ausrichtung zweidimensionaler Miniaturmuster zu erzielen. Es ist jedoch ersichtlich, daß die Einrich-
tung nicht allein auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele
beschränkt ist. Für den Fachmann ist es offensichtlich, daß die Einrichtung auch allgemein bei einer Feineinstellungs-Ausrichtung
oder Musterausrichtung zwischen
zwt-i Objekten anwendbar ist, von welchen eines aus einem
35
thermisch ausdehnbaren oder zusammenziehbaren Material
-21- DE 2042
·*■ besteht. Daher sind die beschriebenen Merkmale nicht auf
den Einsatz bei einer Halbleiterdruckeinrichtung beschränkt .
Wie aus dem Vorstehenden leicht ersichtlich ist, wird bei der Einrichtung ein in Abschnitte aufgeteiltes Temperaturregelsystem
angewandt, das es ermöglicht, nach Belieben die für die Regelung am besten geeignete Betriebsablauffolge
zu v/ählen. Insgesamt hat die Einrichtung die folgen- -Q den Wirkungen und Vorteile:
(1) Ein durch den Wärmeausdehnungs-Unterschied zwischen der Fotomaske und dem Scheibchen hervorgerufener Ausrichtfehler
kann unterdrückt werden.
(2) Ein durch eine nichtlineare Ausdehnung aufgrund der Temperaturverteilung verursachter Ausrichtfehler kann
verringert werden, da mit der Einrichtung dem Scheibchen eine zur Temperaturverteilung der Fotomaske ana-
u löge Temperaturverteilung erteilt wird.
(3) Die Temperatur und die Temperaturverteilung des Scheibchen-Spannfutters kann von außen her geregelt
werden. Daher ist die Halbleiterdruckeinrichtung auch
für die Ausrichtung eines Musters brauchbar, das in einer anderen Druckeinrichtung oder unter anderen
Temperaturbedingungen gedruckt wurde.
(4) Die örtliche Temperaturregelung bei der Halbleiter-
druckeinrichtung ist dazu zweckdienlich, einen Musterausrichtfehler
zu verringern, der durch irgendeine örtliche Verformung des Scheibchens hervorgerufen
wird, die bei dem Druckschritt oder einem anderen
Schritt des Halbleiter-Herstellungsverfahrens entsteht 35
(die Verringerung des Ausrichtfehlers wird allgemein
als "Verformung in der Ebene" (in-plain distortion) bezeichnet).
-22- DE 2042
(5) Die Stabilität der Einrichtung kann verbessert werden. Keine Druckeinrichtung kann sofort nach der Inbetriebnahme
in einen stabilen Zustand gelangen. Nach Beginn des Betriebs steigt allmählich die Temperatur der Einrichtung
selbst durch die eigene Wärmeerzeugung. Es dauert gewöhnlich einige Stunden, bis die Einrichtung
einen stabilen Betriebszustand einnimmt. Daher unterscheidet sich genaugenommen ein unmittelbar nach Beginn
des Arbeitens gedrucktes Muster von einem bei dem stabilen Betriebszustand gedruckten Muster aufgrund
einer gewissen Temperaturdifferenz zwischen den beiden Druckzeitpunkten. Zur Überwindung dieser
Schwierigkeiten ist es notwendig, eine Maßnahme vorzusehen, mit der die Einrichtung immer in einem stabilen Zustand gehalten wird. Bei der Halbleiterdruckeinrichtung kann die Temperatur des Scheibchen-Spannfutters zwangsweise auf eine bezüglich der Temperatur der Fotomaske konstante Temperatur geregelt werden. Daher wird mit der Halbleiterdruckeinrichtung das Problem gelöst und die Stabilität der Einrichtung verbessert.
Schwierigkeiten ist es notwendig, eine Maßnahme vorzusehen, mit der die Einrichtung immer in einem stabilen Zustand gehalten wird. Bei der Halbleiterdruckeinrichtung kann die Temperatur des Scheibchen-Spannfutters zwangsweise auf eine bezüglich der Temperatur der Fotomaske konstante Temperatur geregelt werden. Daher wird mit der Halbleiterdruckeinrichtung das Problem gelöst und die Stabilität der Einrichtung verbessert.
Es wird eine Halbleiterdruckeinrichtung angegeben, mit der ein Ausrichtfehler ausgeschaltet wird, der durch irgendeine
zwischen einer Maske und einem Halbleiter-Scheibchen durch Parameteränderungen wie Temperaturänderungen,
eine Zwischen-Bearbeitung wie beispielsweise das Ätzen oder dergleichen hervorgerufene relative Verformung verursacht
wi_rd. Ein Merkmal der beschriebenen Einrichtung besteht
darin, daß eine Vorrichtung zum jeweiligen unabhängi>,en Kühlen oder Erwärmen mehrerer verschiedener Abschnitte
der Maske und/oder des Scheibchens vorgesehen ist.
£3
Leerseite
Claims (14)
- PatentansprücheHalbleiterdruckeinrichtung, bei der irgendeine durch eine Parameteränderung hervorgerufene Relatiwersetzung des Musters zwischen einer Maske und einem Halbleiter-Scheibchen kompensierbar ist, gekennzeichnet durch eine Heiz- und/oder Kühlvorrichtung (6; zum jeweiligen unabhängigen Erwärmen und/oder Kühlen mehrerer unterschiedlicher Abschnitte der Maske (8) und/oder des Scheibchens (9).
- 2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Heiz- und/oder Kühlvorrichtung (6) aus Festkörperelementen gebildet ist.
- 3. Einrichtung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch eine Steuereinrichtung (4,5) zum Steuern der Heiz- und/oder Kühlvorrichtung (6) gemäß einer für die Parameteränderung geeigneten bestimmten Erwartungsgröße.
- 4. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch eine Temperaturmeßvorrichtung (2) zur Erfassung der Temperatur der mehreren unterschiedlichen Abschnitte der Maske (8), eine Temperaturmeßvorrichtung (7) zur Erfassung der Temperatur der mehreren unterschied-A/22Deutsche ί-.ιηκ (Mürchen) Kt3 &1/61070Dresdner Bank (München) Kto. 3939844PouiocnecK iMjnr.ncn/ sto 6^0-43--2- DE 2042lichen Abschnitte des Scheibchens (9) und eine Steuereinrichtung (4,5) zum Steuern der Heiz- und/oder Kühlvorrichtung (6) gemäß dem mittels der Temperaturmeßvorrichtungen erfaßten Temperaturverteilungs-Unterschied zwischen der Maske und dem Scheibchen.
- 5. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperaturmeßvorrichtung (7) für das Scheibchen (9) innerhalb eines das Scheibchen haltenden Scheibchen-Spannfutters (11) angebracht ist.
- 6. Einrichtung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperaturmeßvorrichtung (2) für die Maske (8) in dem Bereich des Maskenmusters angebracht ist.
- 7. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch eine Ausrichtfehler-Meßeinrichtung (3) zum gleichzeitigen Ermitteln der Lagebeziehung zwischen2^ der Maske (8) und dem entsprechenden Muster sowie der Lagebeziehung zwischen dem Scheibchen (9) unc dem entsprechenden Muster und eine Steuereinrichtung (4) zum Steuern der Heiz und/oder Kühlvorrichtung (6) in Abhängigkeit von der mittels der Ausrichtfehler-Meßeinrichtung ermittelten Fehlergröße.
- 8. Einrichtung nach Anspruch 7, dadurcn gekennzeichnet, dafi. die Ausrichtfehler-Meßeinrichtung ^3) ein optisches System (13) zürn gleichzeitigen Betrachten sowohlder Maske (8) als auch des Scheibchens (9) aufweist.
- 9. Einrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausrichtfehler-Meßeinrichtung (3) eine Strahlenabtastvorrichtung zum Abtasten jeweiliger Ausrichtmuster (Ml, M2 bzw. Wl, W2) der Maske (8) und des Scheib--3- DE 2042chens (9) und eine fotoelektrische Meßeinrichtung zum Erfassen reflektierter Strahlen aufweist.
- 10. Einrichtung nach einem der Anüprücne 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausrichtiihier-Meßeinrichtung (3) relativ zur iJaske (8) und läng.; dieser bewegbar angebracht ist.
- 11. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Heiz- und/oder Kühlvorrichtung (6) innerhalb eines Scheibchen-Spannfutters (11) angebracht ist.
- 12. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11,dadurch gekennzeichnet, daß die Heiz- und/oder Kühlvorrichtung (6) aus Thermomodulen (61) zusammengesetzt ist.
- 13. Einrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächen der Therruomodule (G1) ge-meinsam eine Scheibchenhaitefläche bilden und die Zwischenräume zwischen den Thermornodulen als Unterdruckkanal zum Festhalten des Scheibchens (9) durch Ansaugen verwendbar sind.
- 14. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10,dadurch gekennzeichnet, daß die Heiz- und/oder Kühlvorrichtung (6) zur Änderung ihres Abstands von der Maske (8) und/-eder dem Scheibchen (9) bewegbar ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56055199A JPS57169244A (en) | 1981-04-13 | 1981-04-13 | Temperature controller for mask and wafer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3213239A1 true DE3213239A1 (de) | 1982-11-04 |
DE3213239C2 DE3213239C2 (de) | 1992-12-24 |
Family
ID=12992007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823213239 Granted DE3213239A1 (de) | 1981-04-13 | 1982-04-08 | Halbleiterdruckeinrichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4503335A (de) |
JP (1) | JPS57169244A (de) |
DE (1) | DE3213239A1 (de) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2572197A1 (fr) * | 1984-10-19 | 1986-04-25 | Canon Kk | Appareil de projection |
EP0222737A2 (de) * | 1985-11-13 | 1987-05-20 | IMS Ionen Mikrofabrikations Systeme Gesellschaft m.b.H. | Verfahren zum Stabilisieren von aus einer Maskenfolie und einem Halterahmen für diese Folie bestehenden Masken |
EP0320297A2 (de) * | 1987-12-10 | 1989-06-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Verfahren zur Temperaturkontrolle einer Halbleiterscheibe auf einer Einspannvorrichtung |
DE3911357A1 (de) * | 1989-04-07 | 1990-10-18 | Nokia Unterhaltungselektronik | Verfahren zum gegenseitigen justieren zweier bauteile einer anzeigeeinrichtung |
EP0411916A2 (de) * | 1989-08-01 | 1991-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafertisch und damit versehene Belichtungsvorrichtung |
EP0438957A2 (de) * | 1990-01-24 | 1991-07-31 | International Business Machines Corporation | Vorrichtung mit trockener Thermoschnittstelle zur Prüfung von Halbleiterchips |
US5231291A (en) * | 1989-08-01 | 1993-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer table and exposure apparatus with the same |
US6359457B1 (en) | 1998-05-15 | 2002-03-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of holding a wafer and testing the integrated circuits on the wafer |
Families Citing this family (88)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5999722A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | Canon Inc | 半導体焼付露光制御方法 |
KR860002082B1 (ko) * | 1983-01-19 | 1986-11-24 | 가부시기가이샤 도시바 | 레지스트 패턴의 형성 방법 및 장치 |
US4564284A (en) * | 1983-09-12 | 1986-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor exposure apparatus |
US4669842A (en) * | 1983-12-08 | 1987-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical device |
JPS60158626A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-20 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
JPS61160934A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-21 | Canon Inc | 投影光学装置 |
JPS61183928A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-16 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
JPS6381820A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
JPH0785112B2 (ja) * | 1987-02-16 | 1995-09-13 | キヤノン株式会社 | ステージ装置 |
US5084671A (en) * | 1987-09-02 | 1992-01-28 | Tokyo Electron Limited | Electric probing-test machine having a cooling system |
US4989991A (en) * | 1987-10-26 | 1991-02-05 | Ag Processing Technologies, Inc. | Emissivity calibration apparatus and method |
EP0357423B1 (de) * | 1988-09-02 | 1995-03-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Belichtungseinrichtung |
JP2731950B2 (ja) * | 1989-07-13 | 1998-03-25 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
US5222999A (en) * | 1989-07-14 | 1993-06-29 | Brymill Corporation | Liquified nitrogen thermal checking of electronic circuitry |
US5047711A (en) * | 1989-08-23 | 1991-09-10 | Silicon Connections Corporation | Wafer-level burn-in testing of integrated circuits |
DE69033002T2 (de) * | 1989-10-02 | 1999-09-02 | Canon K.K. | Belichtungsvorrichtung |
US5077523A (en) * | 1989-11-03 | 1991-12-31 | John H. Blanz Company, Inc. | Cryogenic probe station having movable chuck accomodating variable thickness probe cards |
US5160883A (en) * | 1989-11-03 | 1992-11-03 | John H. Blanz Company, Inc. | Test station having vibrationally stabilized X, Y and Z movable integrated circuit receiving support |
US5166606A (en) * | 1989-11-03 | 1992-11-24 | John H. Blanz Company, Inc. | High efficiency cryogenic test station |
JPH03252507A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-11 | Hitachi Ltd | レーザ干渉測長装置およびそれを用いた位置決め方法 |
US6023068A (en) * | 1991-05-30 | 2000-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor device manufacturing apparatus |
US5164661A (en) * | 1991-05-31 | 1992-11-17 | Ej Systems, Inc. | Thermal control system for a semi-conductor burn-in |
US5126656A (en) * | 1991-05-31 | 1992-06-30 | Ej Systems, Inc. | Burn-in tower |
JP3102076B2 (ja) * | 1991-08-09 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 |
US5541524A (en) * | 1991-08-23 | 1996-07-30 | Nchip, Inc. | Burn-in technologies for unpackaged integrated circuits |
WO1993004375A1 (en) * | 1991-08-23 | 1993-03-04 | Nchip, Inc. | Burn-in technologies for unpackaged integrated circuits |
JPH0636993A (ja) * | 1992-05-21 | 1994-02-10 | Canon Inc | 露光装置及び半導体素子の製造方法 |
US5345170A (en) | 1992-06-11 | 1994-09-06 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having integrated guarding, Kelvin connection and shielding systems |
US6380751B2 (en) | 1992-06-11 | 2002-04-30 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe station having environment control enclosure |
US5581324A (en) * | 1993-06-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors |
JP3210145B2 (ja) | 1993-07-14 | 2001-09-17 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置及び該装置を用いてデバイスを製造する方法 |
JP3101473B2 (ja) * | 1993-11-05 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び該露光方法を用いるデバイス製造方法 |
US6577148B1 (en) * | 1994-08-31 | 2003-06-10 | Motorola, Inc. | Apparatus, method, and wafer used for testing integrated circuits formed on a product wafer |
US5561377A (en) | 1995-04-14 | 1996-10-01 | Cascade Microtech, Inc. | System for evaluating probing networks |
US5610529A (en) * | 1995-04-28 | 1997-03-11 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having conductive coating added to thermal chuck insulator |
AU7438296A (en) * | 1995-10-12 | 1997-04-30 | Magapanel Corporation | Magnification control and thermal substrate chuck for photolithography |
US6645701B1 (en) * | 1995-11-22 | 2003-11-11 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
US6002263A (en) | 1997-06-06 | 1999-12-14 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station having inner and outer shielding |
JP3027551B2 (ja) * | 1997-07-03 | 2000-04-04 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置ならびに該基板保持装置を用いた研磨方法および研磨装置 |
US6617868B1 (en) * | 1997-12-18 | 2003-09-09 | Intel Corporation | Method and apparatus for controlling the power and heat output in a device testing system |
JP2000277237A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Komatsu Ltd | 基板温度制御プレート及びそれを備える基板温度制御装置 |
US6592673B2 (en) * | 1999-05-27 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for detecting a presence or position of a substrate |
US6445202B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-09-03 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current |
JP2001332609A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 基板保持装置及び露光装置 |
US6965226B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-11-15 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
US6914423B2 (en) | 2000-09-05 | 2005-07-05 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station |
KR20020062074A (ko) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | 주식회사 템네스트 | 전열기를 이용한 정전척의 표면 온도 제어 시스템 |
US6836135B2 (en) * | 2001-08-31 | 2004-12-28 | Cascade Microtech, Inc. | Optical testing device |
US6777964B2 (en) | 2002-01-25 | 2004-08-17 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station |
US6847219B1 (en) | 2002-11-08 | 2005-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station with low noise characteristics |
US7250779B2 (en) * | 2002-11-25 | 2007-07-31 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station with low inductance path |
US6861856B2 (en) | 2002-12-13 | 2005-03-01 | Cascade Microtech, Inc. | Guarded tub enclosure |
JP2004228456A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Canon Inc | 露光装置 |
US7221172B2 (en) * | 2003-05-06 | 2007-05-22 | Cascade Microtech, Inc. | Switched suspended conductor and connection |
US7492172B2 (en) | 2003-05-23 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
KR20060009956A (ko) * | 2003-05-28 | 2006-02-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
SG109000A1 (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1524558A1 (de) | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
US7250626B2 (en) | 2003-10-22 | 2007-07-31 | Cascade Microtech, Inc. | Probe testing structure |
US7187188B2 (en) * | 2003-12-24 | 2007-03-06 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck with integrated wafer support |
WO2005076324A1 (ja) | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2008502167A (ja) | 2004-06-07 | 2008-01-24 | カスケード マイクロテック インコーポレイテッド | 熱光学チャック |
US7330041B2 (en) * | 2004-06-14 | 2008-02-12 | Cascade Microtech, Inc. | Localizing a temperature of a device for testing |
US7304715B2 (en) | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7535247B2 (en) | 2005-01-31 | 2009-05-19 | Cascade Microtech, Inc. | Interface for testing semiconductors |
US7656172B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-02-02 | Cascade Microtech, Inc. | System for testing semiconductors |
US9025126B2 (en) * | 2007-07-31 | 2015-05-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method |
US20090153812A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Positioning apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL1036835A1 (nl) * | 2008-05-08 | 2009-11-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Method. |
NL2003039A1 (nl) * | 2008-07-22 | 2010-01-25 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US7927976B2 (en) * | 2008-07-23 | 2011-04-19 | Semprius, Inc. | Reinforced composite stamp for dry transfer printing of semiconductor elements |
WO2010059781A1 (en) * | 2008-11-19 | 2010-05-27 | Semprius, Inc. | Printing semiconductor elements by shear-assisted elastomeric stamp transfer |
US8319503B2 (en) * | 2008-11-24 | 2012-11-27 | Cascade Microtech, Inc. | Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test |
US8261660B2 (en) * | 2009-07-22 | 2012-09-11 | Semprius, Inc. | Vacuum coupled tool apparatus for dry transfer printing semiconductor elements |
JP2011192991A (ja) | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
KR101866719B1 (ko) * | 2010-12-20 | 2018-06-11 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 웨이퍼의 장착을 위한 수용 수단 |
SG188036A1 (en) | 2011-08-18 | 2013-03-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, support table for a lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN104520770B (zh) * | 2012-04-23 | 2017-01-18 | Asml荷兰有限公司 | 静电夹持装置、光刻设备和方法 |
WO2014095266A2 (en) * | 2012-12-17 | 2014-06-26 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support for a lithographic apparatus and lithographic apparatus |
JP6077301B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-02-08 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
JP2016522568A (ja) * | 2013-04-09 | 2016-07-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 支持構造、その温度を制御する方法、及びそれを含む装置 |
US10763142B2 (en) | 2015-06-22 | 2020-09-01 | Lam Research Corporation | System and method for determining field non-uniformities of a wafer processing chamber using a wafer processing parameter |
US10386821B2 (en) * | 2015-06-22 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Systems and methods for calibrating scalar field contribution values for a limited number of sensors including a temperature value of an electrostatic chuck and estimating temperature distribution profiles based on calibrated values |
US10381248B2 (en) | 2015-06-22 | 2019-08-13 | Lam Research Corporation | Auto-correction of electrostatic chuck temperature non-uniformity |
KR102494914B1 (ko) | 2016-02-16 | 2023-02-01 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 기판을 접합하기 위한 방법 및 장치 |
CN108885406B (zh) | 2016-03-24 | 2020-09-11 | Asml荷兰有限公司 | 图案化设备冷却系统以及热调节图案化设备的方法 |
JP7109489B2 (ja) * | 2020-02-06 | 2022-07-29 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | ウェハの装着用受け取り手段 |
US20230095108A1 (en) * | 2020-03-31 | 2023-03-30 | Asml Netherlands B.V. | Method for preparing a substrate and lithographic apparatus |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2735043A1 (de) * | 1976-08-17 | 1978-02-23 | Elektromat Veb | Vorrichtung zum kompensieren der waermeeinwirkung an justier- und belichtungseinrichtungen |
US4139051A (en) * | 1976-09-07 | 1979-02-13 | Rockwell International Corporation | Method and apparatus for thermally stabilizing workpieces |
US4202623A (en) * | 1979-01-08 | 1980-05-13 | The Perkin-Elmer Corporation | Temperature compensated alignment system |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3937579A (en) * | 1972-11-20 | 1976-02-10 | Karl Suss Kg | Process for the double-sided exposure of a semiconductor or substrate plates, especially wafers, as well as apparatus for the purpose of parallel and rotational alignment of such a plate |
US3963985A (en) * | 1974-12-12 | 1976-06-15 | International Business Machines Corporation | Probe device having probe heads and method of adjusting distances between probe heads |
JPS5626437A (en) * | 1979-08-13 | 1981-03-14 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Wafer supporting base |
-
1981
- 1981-04-13 JP JP56055199A patent/JPS57169244A/ja active Pending
-
1982
- 1982-04-06 US US06/366,070 patent/US4503335A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-04-08 DE DE19823213239 patent/DE3213239A1/de active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2735043A1 (de) * | 1976-08-17 | 1978-02-23 | Elektromat Veb | Vorrichtung zum kompensieren der waermeeinwirkung an justier- und belichtungseinrichtungen |
US4139051A (en) * | 1976-09-07 | 1979-02-13 | Rockwell International Corporation | Method and apparatus for thermally stabilizing workpieces |
US4202623A (en) * | 1979-01-08 | 1980-05-13 | The Perkin-Elmer Corporation | Temperature compensated alignment system |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2572197A1 (fr) * | 1984-10-19 | 1986-04-25 | Canon Kk | Appareil de projection |
US4998821A (en) * | 1984-10-19 | 1991-03-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection apparatus |
EP0222737A2 (de) * | 1985-11-13 | 1987-05-20 | IMS Ionen Mikrofabrikations Systeme Gesellschaft m.b.H. | Verfahren zum Stabilisieren von aus einer Maskenfolie und einem Halterahmen für diese Folie bestehenden Masken |
EP0222737A3 (en) * | 1985-11-13 | 1989-06-28 | Ims Ionen Mikrofabrikations Systeme Gesellschaft M.B.H. | Stabilization of mask membranes, and supporting frame |
US5134436A (en) * | 1987-12-10 | 1992-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure control method for adjusting the temperature of a workpiece holding chuck attracting surface based on memorized data |
EP0320297A2 (de) * | 1987-12-10 | 1989-06-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Verfahren zur Temperaturkontrolle einer Halbleiterscheibe auf einer Einspannvorrichtung |
EP0320297A3 (en) * | 1987-12-10 | 1990-01-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer chuck |
DE3911357A1 (de) * | 1989-04-07 | 1990-10-18 | Nokia Unterhaltungselektronik | Verfahren zum gegenseitigen justieren zweier bauteile einer anzeigeeinrichtung |
EP0411916A2 (de) * | 1989-08-01 | 1991-02-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafertisch und damit versehene Belichtungsvorrichtung |
EP0411916A3 (en) * | 1989-08-01 | 1991-10-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer table and exposure apparatus with the same |
US5231291A (en) * | 1989-08-01 | 1993-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer table and exposure apparatus with the same |
EP0438957A3 (en) * | 1990-01-24 | 1992-07-22 | International Business Machines Corporation | Dry interface thermal chuck temperature control system for semiconductor wafer testing |
EP0438957A2 (de) * | 1990-01-24 | 1991-07-31 | International Business Machines Corporation | Vorrichtung mit trockener Thermoschnittstelle zur Prüfung von Halbleiterchips |
US6359457B1 (en) | 1998-05-15 | 2002-03-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Method of holding a wafer and testing the integrated circuits on the wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4503335A (en) | 1985-03-05 |
JPS57169244A (en) | 1982-10-18 |
DE3213239C2 (de) | 1992-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3213239A1 (de) | Halbleiterdruckeinrichtung | |
DE3447488C2 (de) | ||
EP1570315B1 (de) | Verfahren zur einstellung einer gewünschten optischen eigenschaft eines projektionsobjektivs sowie mikrolithografische projektionsbelichtungsanlage | |
DE3884921T2 (de) | Verfahren zur Temperaturkontrolle einer Halbleiterscheibe auf einer Einspannvorrichtung. | |
DE69811861T2 (de) | Optisches herstellungsverfahren und - gerät | |
DE3318980C2 (de) | Vorrichtung zum Justieren beim Projektionskopieren von Masken | |
DE69830342T2 (de) | Vorrichtung zur Resistbeschichtung und Entwicklung des Resists | |
DE69531644T2 (de) | Projektionsbelichtungsgerät und Herstellungsverfahren für eine Mikrovorrichtung | |
DE69631260T2 (de) | Abtastbelichtungsapparat, Belichtungsverfahren unter Verwendung desselben und Verfahren zur Herstellung der Vorrichtung | |
DE19734944B4 (de) | Verfahren zum thermischen Mehrwegaufzeichnen | |
DE102006021797A1 (de) | Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung | |
EP1191481A2 (de) | Verfahren und Messgerät zur Positionsbestimmung einer Kante eines Strukturelementes auf einem Substrat | |
DE102005039094B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Führen eines Maschinenteils entlang einer definierten Bewegungsbahn über einer Werkstücksoberfläche | |
DE112006000375T5 (de) | Verfahren zum Korrigieren von systematischen Fehlern in einem Laserbearbeitungssystem | |
DE69128655T2 (de) | Belichtungsgerät | |
DE102010015884B4 (de) | Verfahren zur reproduzierbaren Bestimmung der Position von Strukturen auf einer Maske mit Pellicle-Rahmen | |
WO2009043778A1 (de) | Kalibrierung einer positionsmesseinrichtung einer optischen einrichtung | |
DE3634355A1 (de) | Einrichtung zum digitalen lesen eines bildes auf einer vorlage | |
DE4110139A1 (de) | Verfahren und geraet zum thermischen aufzeichnen | |
DE102014019166B4 (de) | Messtechniken für eine thermische verformung eines wafers oder retikels | |
DE3428225C2 (de) | ||
DE4421050B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Messen von zumindest einer Eigenschaft einer zweiseitigen Materialbahn | |
DE69012644T2 (de) | Vorrichtung zur Ermittlung einer Position. | |
WO2007022929A1 (de) | Optische abtastvorrichtung mit einem frei programmierbaren speicher | |
DE3139106A1 (de) | Integrierte wellenleiter-tropfensensoranordnung fuer ein farbtroepfchenstrahl-drucksystem |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |