DE3206347A1 - Verfahren zur herstellung von cds-schichten fuer solarzellen - Google Patents
Verfahren zur herstellung von cds-schichten fuer solarzellenInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 8
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 150000001661 cadmium Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 29
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005496 tempering Methods 0.000 claims description 4
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229940065285 cadmium compound Drugs 0.000 claims description 2
- 150000001662 cadmium compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L cadmium sulfate Chemical compound [Cd+2].[O-]S([O-])(=O)=O QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910000331 cadmium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
- C30B7/12—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions by electrolysis
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D9/00—Electrolytic coating other than with metals
- C25D9/04—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
- C30B29/50—Cadmium sulfide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0328—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032
- H01L31/0336—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032 in different semiconductor regions, e.g. Cu2X/CdX hetero- junctions, X being an element of Group VI of the Periodic Table
- H01L31/03365—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032 in different semiconductor regions, e.g. Cu2X/CdX hetero- junctions, X being an element of Group VI of the Periodic Table comprising only Cu2X / CdX heterojunctions, X being an element of Group VI of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Description
-
- Verfahren zur Herstellung von
- CdS-Schichten für Solarzellen Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von CdS-Schichten, die in Solarzellen eingebaut einen photovoltaischen Effekt zeigen.
- Durch Solarzellen wird Sonnenlicht direkt in elektrische Energie umgewandelt. Der diesem Vorgang zugrundeliegende lichtelektrische Effekt ist bereits seit langer Zeit bekannt und wird als photovoltaischer Effekt bezeichnet. Im Rahmen der Entwicklung der Halbleitertechnologie haben vor allem Siliziumsolarzellen und Kadmiumsulfid/Kupfersulfid-Solarzellen an Bedeutung gewonnen.
- Bei der Herstellung der CdS-Cu2S-Solarzelle ist man bisher im ersten Arbeitsschritt so vorgegangen, daß man auf ein Substrat CdS, z.B. in einer Vakuumglocke aufgedampft hat.
- Desgleichen ist es bekannt, z.B. eine CdS-Schicht mittels Aufsprühen auf ein Substrat aufzubringen. Die Schichtdikke der CdS-Schicht beträgt dabei etwa 30 um, wobei die Substrattemperatur und die Art des Aufwachsens eine n-Dotierung von 17 cm -3 und eine genügend gute elektrische Leitfähigkeit gewährleisten. In einem kupferionen- haltigen Bad läßt man dann topotaktisch die Cu2S-Schicht aufwachsen. Die bisher angewandten Herstellungsverfahren der CdS-Schicht sind nicht als optimal anzusehen, da sie mit einem großen Materialverbrauch und erheblichen Energieaufwand verbunden sind; außerdem ist die herzustellende Substratgröße nach oben sehr begrenzt.
- Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von polykristallinen CdS-Schichten für Solarzellen anzugeben, bei dem die obengenannten Nachteile vermieden werden. Die erhaltene n-leitende CdS-Schicht kommt dabei sowohl für eine Kombination mit einer p-leitenden CuxS-Schicht als auch mit einer CuInSe2-Schicht oder jeden passenden p-Halbleiter in Frage.
- Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß a) auf ein Substrat mittels Wechselstromelektrolyse aus einem ein Kadmiumsalz und schwefelhaltige Verbindungen enthaltenden Elektrolyten eine Kadmiumsulfidschicht abgeschieden wird; b) das Substrat mit der Kadmiumsulfidschicht aus der Elektrolytlösung herausgenommen und mittels eines Temperprozesses eine polykristalline Kadmiumsulfidschicht erzeugt wird.
- Bei dieser Verfahrensweise wird der elektrolytische Vorgang in bekannter Weise so durchgeführt, daß die beiden Elektroden abwechselnd positiv und negativ geschaltet werden. Dadurch lagern sich nacheinander abwechselnd Cd2+-und 2--Teilchen an jeder Elektrode an, wodurch es zur Bildung eines CdS-Gitters kommt.
- Als Substrat wird in der Praxis eine Glasplatte verwendet, auf die als transparente leitfähige Schicht eine Indium-Zinn-Oxid-Schicht aufgebracht ist. Der Elektrolyt enthält dabei in bevorzugter Weise als Kadmiumverbindung ein Kadmiumsulfat und als schwefelhaltige Verbindung ein Natriumthiosulfat. Für eine gleichmäßige Beschichtung des Substrates mit Kadmiumsulfid ist es dabei wesentlich, daß das Substrat bei der Wechselstromelektrolyse mit einer geringen Geschwindigkeit von 0,1 bis 10 mm/Sek. in den Elektrolyten eingetaucht wird.
- Der anschließende Temperprozeß der Kadmiumsulfidschicht wird dann in einem Temperaturbereich von 1500C bis 4000C vorzugsweise von 2500C bis 3000C, durchgeführt. Die Schichtdicke der Kadmiumsulfidschichten liegt zwischen 3 pm und 20 um.
- Für die Dauer dt des jeweiligen Potentialzustandes der zu beschichtenden Elektrode und für die Höhe der angelegten Spannung U besteht dabei ein einfacher Zusammenhang zur Teilchendichte n+ bzw. n der Ionen und deren Beweglichkeit p+ bzw. p##. Danach sind die Produkte U. dt und bzw. n##u zueinander reziprok proportional.
- Bevorzugt sind dabei solche Parameterkombinationen, die eine homogene polykristalline Kadmiumsulfidschicht mit gleichmäßiger Schichtdicke bei guter Haftung erzeugen.
- Derartige Schichten haben eine charakteristische Absorptionsbande bei der Wellenlänge 512 mm. Bei ca. 5 pm lassen sich dabei Transparenzen von 70% erreichen. Diese hohe Durchlässigkeit bringt es mit sich, daß wenn die erzeugte Kadmiumsulfidschicht zur Herstellung einer sogenannten "back-wall"-Zelle verwendet wird, der Wirkungsgrad einer solchen Solarzelle gegenüber dem Wirkungsgrad einer Schicht mit geringerer Durchlässigkeit erhöht ist.
- So besitzen gesprühte Kadmiumsulfidschichten - von gleicher Schichtstärke - eine Transparenz von ca. 50%; der Wirkungsgrad einer auf elektrochemischem Wege hergestellten Kadmiumsulfidschicht ist dementsprechend etwa um 40% höher.
- Die Erfindung soll anhand des nachfolgenden Ausführungsbeispiels noch näher erläutert werden: In einem Becherglas werden zur Herstellung der Cd-haltigen Lösung 3 g CdSo4, 8 g (NH4)2S04, und 34 g Wasser miteinander gemischt. Dieser wässrigen Lösung werden dann noch 50 ml Glyzerin zugemischt.
- In einem zweiten Becherglas werden zur Herstellung der S-haltigen Lösung 10 g Na2S203, 5 g NaCl und 85 g Wasser miteinander vermischt.
- Zur Herstellung des Elektrolyten werden dann die beiden Lösungen in einem Verhältnis von 1:3 miteinander gemischt.
- In diesen Elektrolyten wird als Substrat eine ungef. 1 mm dicke Platte aus Flachglas, die mit einer transparenten leitfähigen Schicht aus Indium-Zinn-Oxid beschichtet ist, eingetaucht. Der Flächenwiderstand der Indium-Zinn-Oxid-Schicht beträgt etwa 10 Q. Anschließend wird bei 150 -900C, insbesondere 200 - 35 0C, eine Wechselstromelektrolyse durchgeführt. Die angelegte Wechselspannung ent- spricht einer asymetrischen Rechteckkurve mit Werten von +7,5 und -2,5 V, bei einer Frequenz von 0,5 Hz. Die Beschichtung auf der Flachglasplatte wurde durch langsames Eintauchen derselben in die Elektrolytlösung mit einer Senkgeschwindigkeit von 0,5 mm/Sek. erstellt.
- Die Glasplatten mit dem abgeschiedenen Kadmiumsulfid werden zuerst durch Eintauchen in Demi-Wasser gewaschen und anschließea 0 bei 95 C getrocknet. Darauf werden die erhaltenen Kadmiumsulfidschichten bei 250 - 3000C einem Temperprozeß unterworfen. Die so hergestellten polykristallinen Kadmiumsulfidschichten weisen eine Schichtdicke von ca. 5 Vm auf.
- Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß ein geringerer Verbrauch an Ausgangsmaterialien notwendig ist als bisher üblich. Desgleichen ist der Energieaufwand geringer als bei der bisherigen Herstellung von Kadmiumsulfidschichten. Zusätzlich ist bei der erfindungsgemäßen Verfahrensweise die Einstellung der Parameter bezüglich der optimalen elektrischen und optischen Eigenschaften der hergestellten Kadmiumsulfidschichten sehr einfach zu handhaben.
Claims (9)
- Patentansprüche W Verfahren zur Herstellung von Kadmiumsulfidschichten, die in Solarzellen eingebaut einen photovoltaischen Effekt zeigen, d a d u r c h g e k e n n z e i c h -n e t , daß a) auf ein Substrat mittels Wechselstromelektrolyse aus einem ein Kadmiumsalz und schwefelhaltige Verbindungen enthaltenden Elektrolyten eine Kadmiumsulfidschicht abgeschieden wird; b) das Substrat mit der Kadmiumsulfidschicht aus der Elektrolytlösung herausgenommen und mittels eines Temperprozesses eine polykristalline Kadmiumsulfidschicht erzeugt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Substrat eine Glasplatte verwendet wird, auf die als transparente leitfähige Schicht Indium-Zinn-Oxid aufgebracht ist.
- 3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektrolyt als Kadmiumverbindung Kadmiumsulfat enthält.
- 4) Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektrolyt als schwefelhaltige Verbindung Natriumthiosulfat enthält.
- 5) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat während der Wechselstromelektrolyse mit einer Geschwindigkeit von 0,1 bis 10 mm/Sek. in den Elektrolyten eingesenkt wird.
- 6) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Wechselstromelektrolyse bei einer Temperatur von 150 bis 900 durchgeführt wird.
- 7) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Wechselstromelektrolyse bei einer Temperatur von 200 bis 350C durchgeführt wird.
- 8) Verfahren nach einem der. Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Temperprozeß in einem Temperaturbereich von 1500 bis 4000C durchgeführt wird.
- 9) Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a ß der Temperprozeß in einem Temperaturbereich von 2500 bis 3000C durchgeführt wird.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19823206347 DE3206347A1 (de) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | Verfahren zur herstellung von cds-schichten fuer solarzellen |
ES519974A ES519974A0 (es) | 1982-02-22 | 1983-02-22 | Un metodo mejorado para la obtencion de capas de sulfuro de cadmio. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19823206347 DE3206347A1 (de) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | Verfahren zur herstellung von cds-schichten fuer solarzellen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3206347A1 true DE3206347A1 (de) | 1983-09-01 |
Family
ID=6156400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19823206347 Withdrawn DE3206347A1 (de) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | Verfahren zur herstellung von cds-schichten fuer solarzellen |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3206347A1 (de) |
ES (1) | ES519974A0 (de) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
ES8402119A1 (es) | 1984-01-01 |
ES519974A0 (es) | 1984-01-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8130 | Withdrawal |