DE3145036C2

DE3145036C2 - Stromverstärkungsschaltung

Info

Publication number: DE3145036C2
Application number: DE3145036A
Authority: DE
Inventors: Katsumi Hiratsuka Kanagawa Nagano
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1980-11-12
Filing date: 1981-11-12
Publication date: 1988-10-20
Also published as: DE3145036A1; JPS6131644B2; US4565973A; JPS5783912A

Abstract

Die erfindungsgemäße Stromverstärkungsschaltung um faßt eine Eingangsstromquelle (14), welche zwischen einer Spannungsklemme (10) einer Leistungsquelle und einer Masseklemme in Serie mit einem ersten und zweiten, als Diode geschalteten Transistor (16 bzw. 18) angeordnet ist. Desweiteren umfaßt die Stromverstärkungsschaltung einen dritten Transistor (20), dessen Basis an den Verbindungspunkt der Eingangsstromquelle (14) mit dem ersten Transistor (16) angeschlossen ist und dessen Kollektor mit der Spannungsklemme (10) der Leistungsquelle verbunden ist. Schließlich umfaßt die erfindungsgemäße Stromverstärkungsschaltung einen vierten Transistor (24), dessen Basis mit dem Emitter des dritten Transistors (20) verbunden ist, dessen Emitter auf Masse gelegt ist und dessen Kollektor die Ausgangsklemme (26) darstellt. Bei dieser Schaltung ist eine Stromquelle (22) mit einem dem Eingangsstrom proportionalen Strom zwischen Masse und dem Emitter des dritten Transistors (20) angeordnet, wobei der Stromverstärkungsfaktor durch das Verhältnis der Emitterflächen des ersten bis vierten Transistors (16, 18, 20 bzw. 24) und das Stromverhältnis der Stromquellen (14, 22) bestimmt wird.

Description

5. Stromverstärkungsschaltung nach Anspruch

3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Transistor (20 bzw. 24) npn-Transistoren sind.

6. Stromverstärkungsschaltung nach Anspruch

4, dadurch gekennzeichnet, daß der erste, der zweite, der dritte, der vierte und der fünfte Transistor (20, 24, 60, 62 bzw. 64) npn-Transistoren sind.

Die Erfindung bezieht sich auf eine Stromverstärkungsschaltung gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1.

Bei an eine einzige Energiequelle angeschlossenen Schaltungen, beispielsweise bei Stromverstärkungsschaltungen in integrierten Schaltungen für Kameras, werden ein großer Eingangsstrombereich sowie ein hoher und genauer Stromverstärkungsfaktor gefordert, wenn an die Stromverstärkungsschaltung beispielsweise eine Leuchtdiode als Last angeschlossen werden soll. Die Stromverstärkungsschaltungen sollen einen relativ einfachen Aufbau haben.

In der Zeitschrift »radio, fernsehen, elektronik« 26, 1977, Heft 23/24, Seite 757 (Bild 7) ist eine Stromverstärkungsschaltung der eingangs genannten Art beschrieben. Diese Stromverstärkungsschaltung ist als Stromspiegelschaltung ausgebildet. An der Stromausgangsklemme soll ein Strom abnehmbar sein, der möglichst wenig von dem Eingangsstrom abweicht. Hierzu liegt bei der bekannten Schaltung die Basis des ersten Transistors an dem Hochpotentialanschluß der Diodenschaltung, während ein weiterer Transistor als Bestandteil der Stromquelleneinrichtung mit seinem Kollektor an den Emitter des ersten Transistors angeschlossen ist, während seine Basis an die Basis und an den Kollektor eines Transistors angeschlossen ist, welcher Bestandteil der Diodenschaltung ist. Der Verstärkungsfaktor der bekannten Stromverstärkungsschaltung beträgt 1. Um andere Stromverstärkungs- oder Stromübertragungsfaktoren zu erhalten, ist in der Druckschrift die an sich bekannte Maßnahme angegeben, dies durch ungleiche Emitterflächen der Transistoren zu erreichen. Allerdings ist auch angegeben, daß hierbei ein Fehler auftritt, der durch die Stromverstärkung bestimmt wird und stark von der Temperatur abhängt.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Stromverstärkungsschaltung der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, daß auf einfache Weise ein stabiler Stromverstärkungsfaktor erreicht werden kann, der sich leicht auf hohe Werte einstellen läßt.

Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.

Durch die erfindungsgemäße Maßnahme erhält man eine Stromverstärkungsschaltung, bei der sich auf einfache Weise eine Stromverstärkung einstellen läßt, die nur durch die Emitterflächen der Transistoren und die Ausgangsström? der Stromquellen bestimmt wird. Ein mit dem erfindungsgemäßen zweiten Transistor vergleichbarer Transistor ist in der bekannten Schaltung nicht vorgesehen..

Die in Fig. 1 dargestellte elektrische Schaltung zeigt das Wirkungsprinzip der erfindungsgemäßen Stromverstärkungsschaltung. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind eine erste Stromquelle 14 sowie pnp-Transistoren 16 und 18 in Serie zwischen einer mit positiver Spannung V_rr beaufschlagten KJemme 10 einer Leisrungsquelle und einer Masseklemme angeordnet. Der Transistor 16 liegt mit seinem Kollektor an der ersten Stromquelle 14, während der Transistor 18 mit seinem Emitter auf Masse liegt. Die Kollektorelektroden der Transistoren 16 und 18 sind jeweils mit der Basis der Transistoren 16 bzw. 18 verbunden. Desweiteren ist der Kollektor des Transistors 16 mit der Basis eines npn-Transistors 20 verbunden, dessen Kollektor an der positiven Spannungsklemme 10 liegt und dessen Emitter über eine zweite Stromquelle 22 mit Masse verbunden ist.

Der Emitter des Transistors 20 ist ferner mit der

10

IS

Basis eines npn-Transistors 24 verbunden, dessen Emitter auf Masse liegt und dessen Kollektor mit einer Ausgangsklemme 26 verbunden ist. Desweiteren ist eine Schaltklemme 28 über einen Widerstand 30 mit der Basis eines npn-Schalttransistors 32 verbunden, dessen Kollektor mit dem Kollektor des Transistors 16 verbunden ist und dessen Emitter auf Masse liegt. Die Emitterflächen der Transistoren 20 und 24 sind größer gewählt als die Emitterflächen der Transistoren 16 und 18.

Die Wirkungsweise der Schaltung nach Fig. 1 ergibt sich wie folgt: Wenn an der Schaltklemme 28 ein High-Pegel anliegt und damit der Transistor 32 leitend ist, befinden sich die Transistoren 16 und 18 im nicht-leitenden Zustand. Der Transistor 20 sperrt daher ebenfalls, so daß an der Ausgangsklemme 26 kein Strom erzeugt wird; Falls dagegen an der Schaltklemme 28 ein Low-Pegel anliegt und damit der Transistor 32 sperrt, fließt ein Ausgangsstrom von der ersten Stromquelle 14 über die 'lransistoren 16 und 18. Damit wird an die Basis des Transistors 20 eine Spannung angelegt, die gleich der Summe der Spannungen der als Dioden arbeitenden Transistoren 16 und 18 in Durchlassrichtung ist. Damit werden die Transistoren 20 und 24 leitend, so daß der Ausgangsklemme 26 ein Strom /„,„ zugeführt wird.

Der Ausgangsstrom /„,„ läßt sich wie folgt ermitteln: Wenn ein Transistor leitend ist, genügt die Basis—Emitter-Spannung V_BE folgender Gleichung:

30

Vη= V_T-In

Ic Ah

(D

wobei V_T das Elektronenvoltäquivalent der Temperatur, /_c der Kollektorstrom, A die Emitter- fläche und /v,- der Kollektorreststrom ist.

Werden die Spannungen zwischen Basis und Emitter der Transistoren 16,18,20 und 24 gemäß Fig. 1 mit V_BE (16), V_BE (18), V_BE (20) bzw. V_HE (24) bezeichnet, so ergibt sich folgende Beziehung:

V_BE(\€)+ K_BE(18)=

(2)

Bezeichnet man die Ausgangsströme der ersten und zweiten Stromquelle 14 und 22 mit /,,,„, und

/_r(„₂, d

so sind die Kollektorströme der Transistoren 16

_r(„₂

und 18 gleich I_ei„, und der Kollektorstrom des Transistors 20 gleich h-,,,ο, sofern der Basisstrom des Transistors 24 vernachlässigt wird. Setzt man dementsprechend die Gleichung (1) in die Gleichung (2) ein, so läßt sich folgende Gleichung ableiten:

hin2 = k-l_eini (5)

wobei k ein Proportionalitätsfaktor ist. Damit gilt:

^M-~A₁-A₂ k '<■"' w

Aus Gleichung (6) ergibt sich, daß der Ausgangsstrom I_aus proportional dem Ausgangsstrom I_eml der ersten Stromquelle 14 ist. Die Proportionalitätskonstante wird durch das Stromverhältnis Jt zwischen den Ausgangsströmen I_eM und /„■„, der ersten und zweiten Stromquelle 14 und 22 sowie den Emitterflächen A₁ bis A₄ bestimmt.

Damit ergibt sich der Stromverstärkungsfaktor G der Schaltung nach F i g. 1 wie folgt:

A₃-A₄.

k· A₁ -A₂

V_T.

+ v_T ■ In -

₂-Is

= V_T ■ In

^- + V_T In -/=£- A₃I₃ A^-I₃

(3)

55

wobei Aj bis A₄ die Emitterflächen der Transistoren 16, 18, 20"bzw. 22 sind.

Der Ausgangsstrom /₀,„ läßt sich aus Gleichung (3) wie folgt ermitteln:

I —:

'aas

4? I oi*l

(4)

Die Gleichung (4) läßt sich wie folgt umformen, wenn die Ausgangsströme der ersten und zweiten Stromquelle 14 und 22 zueinander proportional sind, d.h.:

Die in F i g. 1 veranschaulichte Schaltung arbeitet somit als Stromverstärkungsschaltung, wenn die erste Stromquelle 14 als Eingangsstromquelle und eine der Eingangsstromquelle 14 proportionale Stromquelle als zweite Stromquelle 22 verwendet werden. Da der Stromverstärkungsfaktor G lediglich durch das Verhältnis der Emitterflächen der verwendeten Transistoren und durch deren Stromverhältnis bestimmt wird, lassen sich die unerwünschten Temperatureinflüsse und damit der Temperaturkoeffizient verringern.

Bei dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung kann daher der Stromverstärkungsfaktor mit Hilfe einer einzigen Leistungsquelle genau festgelegt werden, was wiederum eine Stromverstärkungsschaltung mit einem einfachen Aufbau ermöglicht.

In Fig. 2 ist ein experimentelles Schaltbild veranschaulicht, um die Eigenschaften der vorstehend erläuterten Prinzipschaltung zu beurteilen, wobei in den Figuren 1 und 2 gleiche Teile mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind. Unter der Voraussetzung, daß die Emitterflächen der Transistoren 16 und 18 gleich 1 sind, sind die Emitterflächen der Transistoren 20 und 24 gleich 5 bzw. 10. Die Potentialklemme 10 der Leistungsquelle ist mit den Emitterelektroden der npn-Transistoren 40, 42 und 44 verbunden, deren Basiselektroden zusammengeschaltet sind, um eine Stromspiegelschaltung zu bilden. Die Basis und der Kollektor des Transistors 40 sind miteinander verbunden und über eine Eingangsstromquelle 46 auf Masse gelegt. Der Kollektor des Transistors 42 ist mit dem Kollektor eines npn-Transistors 48 verbunden, dessen Basis und Kollektor miteinander verbunden sind. Der Emitter des Transistors 44 ist mit dem Kollektor des Transistors 16 verbunden. Der Emitter des Transistors 20 ist mit dem Kollektor eines npn-Transistors 50 verbunden. Die Transistoren 48 und 50 sind unter Bildung einer Stromspiegelschaltung mit ihren Basiselektroden zusammengeschaltet, während die Emitterelektroden der Transistoren 48 und 50 auf Masse gelegt sind. Der Schalttransistor 32 und andere Teile der Schaltung nach F i g. 1 sind in Fig. 2 weggelassen, da dort nur der Verstärkungsfaktor gemessen werden soll.

Bezeichnet man den Ausgangsstrom der Eingangsstromquelle 46 mit I_ri„, so fließt ein Strom /,,,·„ durch die Kollektorelektroden der Transistoren 40, 42 und 44. Der Strom /.... fließt damit auch durch den KoI-

lektor des Transistors 16. Da der Kollektorstrom des Transistors 42 durch den Kollektor des Transistors 48 am Eingang der Stromspiegelschaltung fließt, nimmt der Kollektorstrom des ausgangsseitigen Transistors 50 ebenfalls den Wert /„■„ an. Damit fließt der Strom /,,,·„ auch durch den Emitter des Transistors 20. Dies bedeutet, daß in dieser Schaltung die Proportionalitätskonstante k gleich 1 ist. Da der Ausdruck

Λ . Λ

= 50

A, -A

ist, besitzt der Stromverstärkungsfaktor G den Wert 50.

Das Ergebnis der mit Hilfe der Schaltung nach F i g. 2 durchgeführten Nachbildung ist in Tabelle 1 wiedergegeben. Dabei betrug die Spannung V_n. an der Potentialklemme 10 der Leistungsquelle 2,1 Volt, während die Spannung V_am am Ausgangsanschluß 26 0,7 Volt, der Eingangsstrom I_r,„ 1 /<A bis 1 mA und die Betriebstemperatur T_n 27⁰C betrug. Da die in Fig. 2 dargestellte Schaltimg bei einer niedrigen Spannung der Leistungsquelle arbeitet, wurde die Nachbildung bei einer entsprechend niedrigen Leistungsquellenspannung durchgeführt.

Tabelle 1

25

Eingangssl 10m /_w„

Stromverstärkungsfaklor C!

1 μΑ

10 μΑ

100 μ Α

1 mA

32
32
31
20

30

Aus dem Ergebnis der durchgeführten Nachbildung ist ohne weiteres ersichtlich, daß der Stromverstärkungsfaktor G über einen weiten Bereich des Eingangsstroms /,.,„ konstant ist. Dies bedeutet, daß die Schaltung in günstiger Weise eine gute Linearität besitzt. Der dabei erzielte Stromverstärkungsfaktor G war jedoch wesentlich kleiner als der vorgesehene Wert 50. Die Ursache liegt darin, daß der Basisstrom des Transistors 24 groß wird, wenn der Stromverstärkungsfaktor G groß wird. Dies liegt daran, daß man dann, wenn man für den Ausgangsstrom /,„„ die Gleichung (4) verwendet, für den Strom durch den Emitter des Transistors 20 nur den Wert /,.,-„, berücksichtigt und den Basisstrom des Transistors 24 vernachlässigt; indessen läßt sich der Basisstrom des Transtistors 24 nicht mehr vernachlässigen, wenn der Stromverstärkungsfaktor G groß wird. Die Gleichung (4) für den Ausgangsstrom l„„_s muß daher wie folgt berichtigt werden:

(8)

55

wobei β der Emittergleichstromverstärkungsfaktor des Transistors 24 und

10

Löst man die Gleichung (9) nach dem Ausgangssirom /„„, auf, so ergibt sich:

IL +P- U Lus-ß-ÜA -/i = 0: /,„,, = 2 W'± I T^i 4/'⁷^W,,,,.

Da der Ausgangsstrom /„„, positiv ist. kommt nur folgende Lösung der Gleichung (9) in Betracht:

U = \(\ P^t+~¥-ü'a -P)-U CO)

Als Ergebnis erhält man folgenden Ausdruck für den berichtigen Slromverslärkunaslaktor G':

=U ß² ^;+4/ί· Ra- "P

20

60

A_x-A-,

Setzt man

Ul = hin- /e,„2 = * ■ I_M = A" · l_ein(k = 1)

in die Gleichung (8) ein. so ergibt sich folgender Ausd ruck:

Da bei der Schaltung nach l· ig. 2 /J= K)O und R₁ = 50 ist. errechnet sich gemäß Gleichung (II) der berichtigte Stromverstärk ungslaktor G" zu 36.6 \\ as mit dem Ergebnis der Nachbildung gui übereinstimmt.

Durch Umformung der Gleichung (11) erhält man folgenden Ausdruck:

G^f2 + /iG-/iK.₄ = 0 (12)

Für/? ^ ccgeht G'—±R , = 50. Da dies der Stromverstärkungsfaktor bei Vernachlässigung des Basisstroms im Transistor 24 ist, zeigt sich im Umkehrschluß, daß der berichtigte Wert für den Ausgangsstrom /„„., gemäß Gleichung (8) richtig ist.

In Fig. 3 ist die Kennlinie des Ausgangsstroms /„,„ bezüglich des Eingangsstroms /,,,„ dargestellt. In dem dargestellten Diagramm bezeichnet die gestrichelte Linie den Ausgangsstrom /„„,. im Idealfall, d. h., bei Vernachlässigung des Basistroms im Transistor 24, während die durchgezogene Linie das Ergebnis der mit der Schaltung nach F i g. 2 durchgeführten Nachbildung veranschaulicht.

Aus dem Diagramm nach Fig. 3 ist ersichtlich, daß sich mit der erfindungsgemäßen Stromverstärkungsschaltung ein konstanter Stromverstärkungsfaktor über einen breiten Eingangsstrombereich bei einfachem Ausbau erzielen läßt.

Nachfolgend soll ein weiteres bevorzugtes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Stromverstärkungsschaltung erläutert werden, welche in der Lage ist, den unerwünschten Einfluß des Basisstroms des Ausgar.gstrar.sistors 24 auf den Verstärkungsfaktor G bei dessen Anstieg zu verringern. Fig. 4 zeigt das Prinzipschaltbild dieses weiteren Ausführungsbei-Transistors 20 verbunden, sondern zwischen dem spiels. Bei diesem weiteren Ausführungsbeispiel ist die zweite Stromquelle 22 nicht mit dem Emitter des Transistors 20 verbunden, sondern zwischen dem Kollektor des Transistors 20 und der Spannungsklemme 10 der Leistungsquelle angeordnet. Der Kollektor des Transistors 20 ist mit der Basis eines npn-Transistors 60 verbunden, dessen Kollektor mit der Spannungsklemme 10 der Leistungsquelle verbunden ist. Der Emitter des Transistors 60 ist mit dem Kollektor eines npn-Transistors 62 verbunden, dessen Basis und Kollektor miteinander verbunden sind. Der Emitter des Transistors 20 ist mit der Basis eines Transistors 24 und dem Kollektor eines npn- Transistors 64 verbunden. Die Basiselektroden der Tran-

sistoren 62 und 64 sind unter Bildung einer Strom-,spiegelscjialtung miteinander verbunden, während die Emitterelektroden der Transistoren 62 und 64 auf Masse gelegt sind. Die weitere Schaltungsausbildung entspricht dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1.

Bei der Schaltung nach Fig. 4 ergibt sich folgende Beziehung zwischen dem Kollektorstrom und und dem Emitterstrom des Transistors 20:

V,i„₂ -/_S(60) = α </_c(64) +/„(24) >

(13)

wobei //, (24,) und I_n (60) die Basisströme der Transistoren 24 bzw. 60, /_r (64) der Kollektorstrom des Transistors,64 und ο die Basisgleichstromverstärkung des Transistors 20 sind.

Da die Transistoren 64 und 62 eine Stromspiegelschaltung bilden, sind deren Kollektorströme einander gleich. Sofern der Kollektorstrom des Transistors 62 gleich dem Kollektorstrom des Transistors 60 angesehen werden kann, ergibt sich folgender Ausdruck für den Strom /_;, (60), wenn der gegen Masse gemessene Emitterstromverstärkungsfaktor des Transistors 60 gleich β ist:

/_e(60) = i /_c{64)

Wenn α gleich 1 ist, ergibt sich aus Gleichung (13) folgende Beziehung:

(14)

Da β größer als näherungsweise 100 ist, kann der zweite Ausdruck auf der linken Seite der Gleichung ,(14) vernachlässigt werden. Die Gleichung (14) ergibt sich mit dieser Vernachlässigung zu:

Λ·μ.2 = Μ64)+/_β(24) (15)

40

Damit ist der Emitterstrom des Transistors 64, der gleich der Summe des Kollektorstroms I₁. (64) des Transistors 64 und des Basisstroms I_n (24) des Transistors 24 ist, stets "!eich dem zweiten Eingangsstrom I_rtllS. Damit ändert sich selbst dann, wenn der Stromverstärkungsfaktor G so groß wird, daß der Basisstrom des Ausgangstransistors 64 groß wird, tier kollektorstrom des Transistors 20 nicht bezüglich des zweiten Eingangsstroms I_rhr,. Der Ausgangs-Strom /„„, folgt daher der Gleichung"<4), während der Stromyerstärkungsfaktor ,G auf den durch die Gleichung (7) gegebenen "Wert genau festgelegt werden kann. "

Nachfolgend soll nunmehr das Ergebnis der Nachbildung des Äusführungsbeispiels nach Fig. 4 erläutert werden. In Fig. 5 ist das betreffende Versuchsschaltbild dargestellt Die Spannungsklemme 10 der Leistungsquelle ist mit den Emitterelektroden der PJ)P-Transistpren 70, 72 und 74 verbunden, deren Basiselektrqden unter Ausbildung einer Stromspie- _ω gelschaltung miteinander verbunden sind. Der KoI-fektor de$ Transistors 70 ist mit der Basis eines pnp-Transistqrs 76 verbunden und über eine Eingangsstromquelle 78 mit Masse verbunden. Die Basis des Transistors 70 ist mit dem Emitter des Transistors 76 verbunden, dessen Kollektor auf Masse gelegt ist. Der Kollektor des Transistors 72 ist mit dem Kollektor des Transistors 16 verbunden, während der Kollektor des Transistors 74 mit dem Kollektor des Transistors 20 verbunden ist. Unter der Voraussetzung, daß die Emitterflächen der Transistoren 16 und 18 gleich 1 sind, sind die Emitterflächen der Transistoren 20 und 24 gleich 5 bzw. 10.

Bezeichnet man den Strom der Eingangsstromquelle 78 mit I_ei„, so fließt der Strom I_ehl auch durch die Kollektorelektroden der Transistoren 72 und 74. Da in Gleichung (7) die Proportionalitätskonstante k gleich 1 und der Ausdruck

i=50

A₁ -A

ist, wie vorstehend bereits erläutert wurde, besitzt der Stromverstärkungsfaktor G einen Wert gleich 50. Das experimentell ermittelte Ergebnis der unter gleichen Bedingungen wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel durchgeführten Nachbildung ist demgegenüber in Tabelle 2 sowie in dem Diagramm gemäß F i g. 6 veranschaulicht.

Tabelle 2

Eingangsstrom /,.,„

Stromverstärkungsfaktor C

1 μΑ
10 μΑ
100 μΑ
1 mA

48,6
48,2
46.4
30.0

In Fig. 6 ist mit gestrichelter Linie die rechnerisch ermittelte, ideale Kennlinie (G = 50) dargestellt, während mit durchgezogener Linie das Ergebnis der Nachbildung aufgetragen ist. Wie man hieraus erkennt, kann der Abfall des Stromverstärkungsfaktors aufgrund des Basisstroms des Ausgangstransistors 24 weitgehend vermieden werden. Im Bereich 1 «A bis 100mA des Eingangsstroms beträgt bei dem ersten Ausführungsbeispiel die Fehlerrate des Stromverstärkungsfaktors 38 %, während diese Fehlerrate bei dem zweiten Ausführungsbeispiel nur noch 7,2 °/o ausmacht.

Aus der vorstehenden Erläuterung ist ohne weiteres ersichtlich, daß die erfindungsgemäße Stromverstärkungsschaltung trotz eines hohen Stromverstärkungsfaktors mit einer niedriger. Leistur.gsquellenspannung einer einzigen, einfach aufgebauten Leistungsquelle auskommt, und zwar einer solchen Konstruktion, daß der Stromverstärkungsfaktor durch das Verhältnis der Emitterflächen der verwendeten Transistoren bestimmt werden kann. Des weiteren ist die vorliegende Erfindung nicht auf die vorstehend erläuterten Ausführungsbeispiele beschränkt, sondern kann in einem weiten Bereich geändert und abgewandelt werden, ohne hierbei den Erfindungsgedanken und den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung zu verlassen.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Stromverstärkungsschaltung, mit einer Diodenschaltung (16, 18), deren Hochpotentialan-Schluß ein Eingangsstrom zugeführt wird, einem ersten Transistor (20), dessen Basis mit dem Hochpotentialanschluß der Diodenschaltung (16, 18) verbunden ist, einer Stromquelleneinrichtung (22, 48,50,60,62,64,70), welche mit dem ersten Transistor (20) derart verbunden ist, daß ein dem Eingangsstrom proportionaler Strom durch den ersten Transistor (20) fließt, und einer Stromausgangsklemme (26), dadurch gekennzeichnet, daß ein zweiter Transistor (24) vorgesehen ist, dessen Basis mit einem Emitter des ersten Transistors (20) und dessen Emitter mit dem Niederpotentialanschluß der Diodenschaltung (16,18) verbunden ist, und daß die Stromausgangsklemme (26) mit dem Kollektor des zweiten Transistors (24) verbunden ist.

2. Stromverstärkungsschaltung nach Anspruch

1, dadurch gekennzeichnet, daß der Hochpotentialanschluß der Diodenschaltung (16, 18) über eine Eingangsstromquelle (14, 44, 72) mit einer positiven Potentialklemme (10) und der Niederpotentialanschluß der Diodenschaltung (16, 18) mit einer Masseklemme verbunden sind.

3. Stromverstärkungsschaltung nach Anspruch

2, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des ersten Transistors (20) mit der positiven Potentialklemme (10) verbunden ist und daß die Stromquelleneinrichtung eine Stromquelle (22, 48, 50) aufweist, deren Strom proportional zu dem Eingangsstrom ist und welche zwischen dem Emitter des ersten Transistors (20) und der Masseklemme angeschlossen ist.

4. Stromverstärkungsschaitung nach Anspruch

2, dadurch gekennzeichnet, daß die S'romquelleneinrichtung folgende Merkmale aufweist:

— eine Stromquelle (22), deren Strom proportional dem Eingangsstrom ist und weiche zwischen dem Kollektor des ersten Transistors (20) und der positiven Potentialklemme (10) angeschlossen ist;

— einen dritten Transistor (60), dessen Basis mit dem Kollektor des ersten Transistors (20) und dessen Kollektor mit der positiven Potentialklemme (10) verbunden sind, und

— eine Stromspiegelschaltung mit einem vierten Transistor (62), welcher zwischen dem Emitter des dritten Transistors (60) und der Masseklemme angeschlossen ist und dessen Basis und Kollektor miteinander verbunden sind, sowie mit einem fünften Transistor (64), weleher zwischen dem Emitter des ersten Transistors (20) und der Masseklemme angeschlossen ist.