DE3142766A1

DE3142766A1 - "verfahren zur herstellung eines magnetischen filmfoermigen targets zum bedampfen"

Info

Publication number: DE3142766A1
Application number: DE19813142766
Authority: DE
Inventors: Yoshihiro Asaka Saitama Arai; Makoto Nagao; Akira Nahara
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1980-10-28
Filing date: 1981-10-28
Publication date: 1982-06-24
Also published as: JPS5775414A; JPS614166B2; US4476000A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren , zur Herstellung eines Targets, also einer Auf-

treffplatte, zum Bedampfen bzw. sputtern, ins-

• besondere auf ein Verfahren zur Herstellung eines ! 5 magnetischen filmförmigen Targets, das zum Bedampfen verwendet wird.

: Durch das Bedampfen können dichtere Filme hergestellt werden als durch Abscheidung. Der Film, der durch das Bedampfen erhalten wird, weist eine hohe ; Haftung an dem Substrat auf. Jedoch ist das Bedampfen von Nachteil, weil die Filmbildungsge- ' schwindigkeit relativ gering ist. Aus diesem Grund

wird das Verfahren hauptsächlich zum Herstellen von Filmen im Labormaßstab zu Versuchs- oder j Forschungszwecken angewandt. Um einen Film im

industriellen Maßstab herzustellen, wurde das Verfahren in geringem Umfang verwendet. In jüngerer

: Zeit wurden jedoch mehrere Arten sogenannter Hoch-

• 20 geschwindigkeitsbedampfungsmethoden entwickelt,

mit denen Filme mit großer Geschwindigkeit herstellbar sind. Diese Hochgeschwindigkeitsbedampfungsmethoden werden heutzutage in großem Umfang im industriellen Maßstab eingesetzt.

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Am interessantesten unter diesen Hochgeschwindigkeitsbedampfungsverfahren ist das Maghetron-Bedampfen, wie es allgemein genannt wird. Beim Magnetron-Bedampfen ist eine Einrichtung zur Erzeugung eines Magnetfeldes, wie ein Permanentmagnet oder ein

Elektromagnet, hinter dem Target angeordnet. Durch

diese ein Magnetfeld erzeugende Einrichtung wird

in der Nähe der Targetoberfläche ein Magnetfeld hervorgerufen, das das elektrische Feld senkrecht --?

schneidet, das tischen dem Target und dem Substratträger angelegt ist. Dieses Magnetfeld hält die Elekronen, die zur Gasionisation erforderlich sind, in der Nähe der Targetoberfläche und bewirkt, daß sich die Elektronen zur Targetoberfläche bewegen.

Dadurch wird der Weg, auf dem sich die Elektronen bewegen , länger, so daß die Wahrscheinlichkeit, daß die Elektronen mit Gasmolekülen zusammenstoßen, größer wird, so daß die Gasionisierungsleistung zunimmt,, Bei dem Magnetron-Bedampfen wird also die Gasionisierungsleistung durch das Anlegen des Magnetfeldes, das das elektrische Feld senkrecht schneidet, erhöht. Die Zunahme der Bedampfungs- oder Zerstäubungsleistung führt also zu einer höheren Filmbildungs- geschwindigkeit=

Diese Art der Magnetron-Bedampfung ist jedoch nachteilig, weil die magnetischen Materialien nicht als Target verwendet werden können. Falls ein magnetisches Mciterial als Target bei der Magnetron-Bedampfung verwendet wird, so gehen die Linien der Magnetkraft, dne von der ein Magnetfeld erzeugenden Einrichtung hervorgerufen wird, nicht von der Targetoberfläche aus, sondern erstrecken sich in das Innere des Targetkörpers» Die Gasionisierungsleistung ist dabei identisch mit derjenigen, die bei einem normalen Bedampfen ohne Magnetfeld erzielt wird, so daß die Filmbildungsgeschwindigkeit nicht verbessert werden kann= Um diesen Wachteil des Magnetron-Bedampfens zu verhindern, ist es bekannt, die Dicke des magnetischen Materials des Targets zu vermindern und dessen magnetischen Widerstand zu erhöhen. Wenn so vorgegangen

wird, so können die Linien der Magnetkraft, die durch die ein Magnetfeld erzeugende Einrichtung am Ende des Targets hervorgerufen werden, durch das Target hindurchgehen, so daß sie von der Targetoberfläche ausgehen. Damit kann ein magnetisches Feld in der Nähe der Targetoberfläche gebildet werden. Bei einem dünnen Target aus magnetischen Material, das beim Magnetron-Bedampfen verwendet wird, wird die Targetdicke mit 1,5 mm oder weniger angegeben. Ein derartiges Target wird manchmal durch Galvanisieren hergestellt. Wenn j edoch das Target in einer Galvanisierlösung hergestellt wird, so enthält das gebildete Target Verunreinigungen, so daß e;s im allgemeinen unmöglich ist, ein Target hoher Qualität herzustellen.

Es ist jedoch nicht einfach, dünne Targets mit einer großen Oberfläche herzustellen. Wenn ein dünnes Target aus magnetischem Material hergestellt wird, wird im allgemeinen eine blattförmige Scheibe zunächst von einer großen Masse eines Targetsnuiterials abgeschnitten. Die erhaltene blattförmige Scheibe wird dann geschliffen und poliert, um einen dünnen Film zu bilden. Der so hergestellte Film wird dann auf einem Substrat (Dreher) befestigt, das aus einem Metall, wie Kupfer besteht und dazu dient, den Film (mit Wasser) zu kühlen und Verwerfungen des Filmsverhindert. Dieses Verfahren zur Herstellung eines Targets umfaßt jedoch viele Schritte, wie das Abschneiden, Schleifen und Polieren der blattförmigen Scheiben, das Fixieren der gebildeten Filme auf den Substraten und dergleichen. Dieses Verfahren erfordert also einen verwickelten Verfahrens-

ablaufe so daß die Targetprodukte sehr teuer werden» Weiterhin ■weisen Filmt ar gets, die nach diesem Verfahren hergestellt werden, im allgemeinen eine ungleichmäßige Filmdicke auf= Darüberhinaus ist die Haftung der Filme an den Substraten so gering, daß die Filmtargets sich häufig von den Substraten lösen und nicht mehr verwendet werden können. Auch ist es manchmal erforderlich, ein Target herzustellen, dessen Zusammensetzung sich in Richtung seiner Schichtdicke ändert, anstelle eines üblichen Targets, bei dem die Zusammensetzung überall die gleiche im Targetkörper ist= Wach dem vorstehend erwähnten, herkömmlichen Verfahren können jedoch keine Targets hergestellt werden, bei denen sich die Zusammensetzung in Richtung der Schichtdicke ändert.

Aus den vorstehend angegebenen Gründen besteht also ein Bedürfnis nach einem Verfahren zur Herstellung eines magnetischen filmförmigen Targets zum Bedampfen, insbesondere beim Magnetron-Bedampfen, bei dem die Wachteile des vorstehend beschriebenen Verfahrens überwunden sind=

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines magnetischen filmförmigen Targets zum Bedampfen bereitzustellen, das gegenüber dem vorstehend beschriebenen herkömmlichen Verfahren verbessert ist. Weiterhin soll durch die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines magnetischen filmförmigen Targets zum Bedampfen bereitgestellt werden, mit dem ein kostensparendes Target auf einfachere Weise als bei dem vorstehend beschriebenen herkömmlichen Verfahren herstellbar ist=

Darüberhinaus soll durch die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines magnetischen filmförmigen Targets zum Bedampfen bereitgestellt werden, mit dem ein Target erhältlich ist/ das eine gleichmäßigere Schichtdicke und eine bessere Haftung des Films an einem Substrat gegenüber jenem Target aufweist, das nach dem vorstehend beschriebenen bekannten Verfahren erhalten wird.

Darüberhinaus soll durch die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines magnetischen filmförmigen Targets zum Bedampfen bereitgestellt werden, mit dem ein Target herstellbar ist, dessen Zusammensetzung sich in Richtung der Schichtdicke desselben ändert, wobei ein solches Target nach dem vorstehend beschriebenen bekannten Verfahren nicht herstellbar ist.

Durch die Erfindung soll ferner ein Verfahren zur Herstellung eines magnetischen filmförmigen Targets zum Bedampfen bereitgestellt werden, das dazu verwendet werden kann, ein Target herzustellen, dessen Zusammensetzung sich in Richtung von dessen Breite oder Länge ändert, wobei diese Targets nicht nach dem vorstehend beschriebenen herkömmlichen Verfahren herstellbar sind.

Um dies zu erreichen, wurden von den Erfindern Forschungsarbeiten durchgeführt mit dem Ziel, ein neues Verfahren zur Herstellung eines magnetischen filmförmigen Targets zum Bedampfen hervorzubringen. Bei ihren Arbeiten stellten sie fest, daß die vorstehend beschriebenen Ziele sich erreichen lassen,

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wenn die Targets nach der lonenbeschichtungsmethode hergestellt werden, die als ein Verfahren zur Filmbildung bekannt ist.

Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines magnetischen· filmförmigen Targets zum Bedampfen ist gekennzeichnet durch die Bildung eines Films aus einem magnetischen Material auf einem Substrat durch die Ionenbeschichtung eines magnetischen Ausgangsmaterials auf dem Substrat.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, magnetische filmförmige Targets herzustellen, die sich zum Bedampfen eignen, insbesondere zum Magnetron-Bedampfen, und zwar in einfacherer und kostensparender Weise als nach dem bekannten Verfahren= Die magnetischen filmförmigen Targets, die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erhalten werden, zeigen eine gleichmäßigere Filmschichtdicke und eine bessere Haftung an dem Substrat als jene, die nach dem herkömmlichen Verfahren erhalten werden. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es ferner möglich, magnetische filmförmige Targets herzustellen, die eine Zusammensetzung aufweisen, die sich in Richtung der Schichtdicke derselben ändert. Darüberhinaus ist es möglich, magnetische filmförmige Targets herzustellen, die eine Zusammensetzung aufweisen, die sich in Richtung der Breite und der Länge derselben ändert.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kommt die bekannte lonenbeschichtungsmethode zur Anwendung.

Erfindungsgemäß wird ein magnetisches Ausgangsmaterial verdampft, um daraus einen Dampf zu bilden, der gebildete Dampf wird ionisiert, beschleunigt und zu dem Substrat bewegt, wobei der ionisierte, sich bewegende Dampf dazu gebracht wird, mit Wucht auf das Substrat aufzutreffen, um einen Film aus magnetischem Material darauf zu bilden. Es sind mehrere Arten von Ionenbeschichtungsverfahren bekannt, beispielsweise das Gleichstrom-, Hochfrequenz-, Ionenaggregatstrahlungs- und Heiße-Kathoden-Verfahren, sowie Verfahren, die Weiterbildungen dieser Verfahren darstellen. Es kann jedes bekannte Ionenbeschichtungsverfahren bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Anwendung kommen. Es sind verschiedene Arten von Ionenbeschichtungs vorrichtungen entwickelt worden und im Handel, um die herkömmlichen Ionenbeschichtungsverfahren durchzuführen. Es kann irgendeine derselben verwendet werden, um das erfindungsgemäße Verfahren durchzuführen..Wenn das erfiridungsgemäße Verfahren durchgeführt wird, so werden die verschiedenen Bedingungen, die zur Ionenbeschichtung erforderlich sind, in geeigneter Weise ausgewählt, und zwar in Abhängigkeit von verschiedenen Faktoren, wie der Art des magnetischen Materials, der Filmbildungsgeschwindigkeit, des Ionisationsgrades des Dampfes aus dem magnetischen Ausgangsmaterial und dergleichen. Die ausgewählten Bedingungen weichen im allgemeinen nicht von den Bereichen ab, die in*.allgemeinen bei den herkömmlichen Ionenbeschichtungsverfahren verwendet werden. Das Ionenbeschichtungsverfahren zeichnet sich durch die Ionisierung des Dampfes des filmbildenden Materials aus. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kann ein Teil oder der gesamte Dampf des magnetischen

Ausgangsmaterials in ähnlicher Weise wie bei dem normalen lonenbeschichtungsverfahren ionisiert w erden.

Das magnetische Ausgangsmaterial, das durch Ionenbeschichtung auf dem Substrat aufgetragen xtfirdj. kann beim erfindungsgemäßen Verfahren das gleiche Material sein wie das magnetische Material, das schließlich auf dem Substrat in Form eines dünnen Films vorliegt« Statt dessen kann das magnetische Ausgangsmaterial ein Bestandteil bei der Bildung des magnetischen Materials sein, das schließlich auf dem Substrat in Form eines dünnen Films vorliegt. In diesem Fall kann der Bestandteil zur Bildung des magnetischen Materials entweder magnetisch oder nicht magnetisch sein. Deshalb xtfird im vorliegenden Zusammenhang, sofern nichts anderes angegeben ist, die Bezeichnung "magnetisches Ausgangsmaterial¹" sowohl für ein Material verwendet„ das mit dem magnetischen Material übereinstimmt,, das schließlich auf dem Substrat vorgesehen ist, wie für einen Bestandteil zur Bildung des magnetischen Materials, das schließlich auf dem Substrat vorliegt. Demgemäß ttfird das erfindungsgemäße Verfahren in die zwei nachstehend beschriebenen Methoden gegliedert, je nach dem, ob als magnetisches Äusgangsmaterial ein Material verwendet wird, das das gleiche ist wie das magnetische Material, das schließlich auf dem Substrat vorliegt, oder als magnetisches Äusgangsmaterial ein Bestandteil zur Bildung des magnetischen Materials, das schließlich auf dem Substrat vorliegt, verwendet wird= Bei der ersten erfindungsgemäßen Methode wird

als Ausgangsmaterial ein Material verwendet, das das gleiche ist, wie das magnetische Material, das schließlich auf dem Substrat vorgesehen ist. Das magnetische Material wird durch Ionenbeschichtung auf dem Substrat aufgebracht, um daraus einen dünnen Film auf dem Substrat zu bilden, der als Target dient. Die erste Methode kann angewendet werden, um ein magnetisches filmförmiges Target herzustellen, das ein elementares Metall wie Fe, Co, Ni und Gd umfaßt, oder ein magnetisches filmförmiges Target, das eine Legierung wie Co-Cr, Gd-Fe, Tb-Gd-Fe-Bi und Tb-Co umfaßt. Das magnetische filmförmige Target, das ein elementares Metall umfaßt, ' kann nur nach der ersten Methode hergestellt werden.

Die zweite erfindungsgemäße Methode ist etwas komplizierter als die vorstehend beschriebene erste Methode. Bei der zweiten Methode wird als magnetisches Ausgangsmaterial ein Bestandteil zur Bildung des magnetischen Materials, das schließlich auf dem Substrat vorgesehen ist, verwendet. Der Bestandteil zur Bildung des magnetischen Materials kann entveder magnetisch oder nicht magnetisch sein. Der Bestandteil wird durch Ionenbeschichtung auf dem Substrat aufgebracht, um einen dünnen Film aus magnetischem Material zu bilden, der den durch Ionenbeschichtung aufgebrachten Bestandteil auf dem Substrat als .Target enthält. Die zweite Methode kann angewandt werden, um ein Target aus magnetischem Material herzustellen, das zwei oder mehr Bestandteile aufweist. Die zweite Methode kann auf zweierlei Weise durchgeführt werden, wie nachstehend angegeben, je nach dem, ob das magnetische Material eine Legierung ist, die aus zwei

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oder mehr Metallen besteht,, oder eine Verbindung, die aus einem oder mehreren Metallen sowie einem oder mehreren nicht metallischen Bestandteilen gebildet wird=

Die erste Ausführungsform der zweiten Methode wird angewandt, um ein magnetisches filmförmiges Target herzustellen, das eine Legierung, wie Co-Cr, Gd-Fe, Tb-Gd-Fe-Bi und Tb-Co umfaßto Dabei werden sämtliche" metallischen Bestandteile zur Bildung des magnetischen Legierungsmaterials gleichzeitig durch Ionenbeschichtung auf das Substrat in dem. gleichen System aufgebracht. Auf diese Weise wird ein dünner Film des gewünschten magnetischen Legierungsmaterials auf dem Substrat gebildet. Wenn diese Methode durchgeführt wird, ist es möglich, das Ionenbeschichtungsverhältnis der betreffenden metallischen Bestandteile mit der Zeit zu ändern, beispielsweise indem die Tferdampfungsgeschwindigkeit desselben mit der Zeit variiert wird- Dadurch ist es möglich, ein magnetisches Legierungstarget herzustellen, bei dem sich die Zusammensetzung in Richtung der Schichtdicke ändert= Ein derartiges magnetisches Legierungstarget, bei. dem sich die Zusammensetzung in Richtung der Schichtdicke ändert, konnte nach dem herkömmlichen Verfahren nicht erhalten werden.

Die zweite Ausführungsform der zweiten Methode wird angewandt, um ein magnetisches Target aus einer Verbindung herzustellen. Bei diesem Verfahren werden eines oder mehrere metallische Bestandteile zur Bildung der gewünschten magnetischen Verbindung durch Ionenbeschichtung auf dem Substrat in einer Atmosphäre auf-

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gebracht, die eine oder mehrere nicht metallische Bestandteile zur Bildung der gewünschten magnetischen Verbindung enthält. Wenn zwei oder mehr metallische Bestandteile verwendet werden, werden sie freilich alle zur gleichen Zeit in dem gleichen System durch Ionenbeschichtung aufgebracht. Auf diese Weise wird ein dünner Film der gewünschten magnetischen Verbindung auf dem Substrat erzeugt. In diesem Fall erfolgt also bei der Ionenbeschichtung eines oder mehrerer metallischer Bestandteile eine Reaktion der metallischen Bestandteile mit einem oder mehreren nicht metallischen Bestandteilen, die in der Ionenbeschichtungsatmosphäre vorliegen. Diese Methode kann beispielsweise zur Herstellung eines magnetischen filmförmigen Targets aus Fe„0^ verwendet werden.

Wenn ein magnetisches filmförmiges Fe_0₃~Target hergestellt wird, so wird das Fe in einer Sauerstoffatmosphäre durch Ionenbeschichtung aufgebracht, um einen Fe₂O^-FiIm auf dem Substrat zu bilden.

Die magnetischen filmförmigen Targets, die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt werden, müssen ausreichend dünn sein, um Probleme zu vermeiden, die auftreten, wenn sie als Target bei der Magnetron-Bedampfung verwendet werden. Im Hinblick auf dieo. Lebensdauer der Targets ist es jedoch vorzuziehen, daß die Targets möglichst dick sind. Im allgemeinen beträgt die Schichtdicke der magnetischen filmförmigen Targets, die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt werden, hauptsächlich bei der Magnetron-Bedampfung, 50 μπι bis 1 mm im Hiblick auf die Anwendung und die erforderliche Lebensdauer.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kann jedes Substrat verwendet werden, das für herkömmliche Bedampfungstargets verwendet wird, um das magnetische filmförmige Target zu bilden. Im allgemeinen werden Substrate, die aus Metallen wie Kupfer bestehen, verwendet. Die Substrate können einen besonderen Aufbau aufweisen, um die Kühlung beim Bedampfen zu verbessern.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann dazu verwendet werden, dünne magnetische Targets auf einfache Weise dadurch herzustellen, daß das magnetische Äusgangsmaterial oder die Materialien auf die Substrate durch Ionenbeschichtung aufgebracht werden. Infolgedessen ist es durch das erfindungsgemäße Verfahren möglich, magnetische filmförmige Targets zum Bedampfen auf viel einfachere und kostengünstigere Art und Weise herzustellen, als dies bei dem herkömmlichen Verfahren möglich ist* Weiterhin weisen die durch lonenbeschichtung nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erhaltenen magnetischen filmförmigen Targets eine bemerkenswert gleichmäßige Dicke im Vergleich zu den herkömmlichen magnetischen filmförmigen Targets auf, die durch Schleifen und Polieren von blattförmigem magnetischen Material erhalten werden. Auch besitzen die magnetischen filmförmigen Targets, die durch Ionenbeschichtung nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erhalten werden, eine stärkere Haftung an den Substraten als die magnetischen filmförmigen Targets, die nach dem bekannten Verfahren erhalten werden. Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Targets lösen sich also nicht von dem jeweiligen Substrat.Wie vorstehend beschrieben, kann das

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! erfindungsgemäße Verfahren darüberhinaus dazu

J verwendet werden, magnetische filmförmige Legierungs-

targets herzustellen, bei denen sich die Zusammensetzung in Richtung der Schichtdicke ändert, wobei ein solches Target nach dem bekannten Verfahren nicht

herstellbar ist. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es außerdem möglich, extrem dünne magnetische [ filmförmige Targets herzustellen, die nach dem be-

! kannten Verfahren praktisch nicht herstellbar sind.

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Wie vorstehend angegeben, weist das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines magnetischen filmförmigen Targets zum Bedampfen verschiedene Vorteile gegenüber dem bekannten Verfahren zur Herstellung derartiger magnetischer filmförmiger Targets auf. Das erfindungsgemäße Verfahren ist deshalb bei der industriellen Anwendung sehr nützlich und wird ohne. Zweifel das herkömmliche Verfahren ablösen.

Die nachstehenden Beispiele dienen der weiteren Erläuterung der Erfindung.

Beispiel 1

Unter Anwendung des Hochfrequenzverfahrens wurde Fe (magnetisches Ausgangsmaterial) durch Ionenbeschichtung auf einem kreisförmigen Kupfersubstrat aufgebracht, das einen Durchmesser von 17 cm und eine Dicke von 2 cm aufwies. Auf diese Weise wurde ein kreisförmiges magnetisches filmförmiges Fe-Target mit einem Durchmesser von 17 cm und einer Dicke von etwa 100 μπι auf dem Substrat gebildet. Die Ionenbeschichtung

wurde mit Hilfe einer normalen lonenbeschichtungsvorrichtung durchgeführt, die aus einer Kombination aus einer glasglockenförmigen Vakuumabscheidungseinrichtung und einer 13,56 MHz - Hochfrequenzspannungsversorgungseinheit besteht. Die Ionenbeschichtung wurde unter folgenden Bedingungen durchgeführt:

Vakuum zu Beginn	-4 5x10 mmHg
Hochfrequenzstrom	300 W
Beschleunigungsspannung	-400 V
Filmbildungsgeschwindig
keit ■	10 μΐη/Stunde
Filmbildungszeit	10 Stunden

Das erhaltene Target zeigte eine extrem gleichmäßige Dicke und wies eine ausreichend gute Haftung·--an dem Substrat auf, so daß sich das Target nicht von dem Substrat löste. Dieses Target konnte mit Erfolgi-bei der Magnetron-Bedampfung eingesetzt werden.

Beispiel 2
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Das Innere einer Glasglocke wurde auf ein Vakuum

—f\
von 5 χ 10 mmHg evakuiert. Danach wurden gleichzeitig

Fe und Gd an zwei Stellen mit Hilfe von zwei Elektronen-3Q Strahlkanonen verdampft. Die verdampften Teilchen wurden ionisiert, indem an die Heizdrähte und die Ionisations- elektrode eine Spannung angelegt wurde, wodurch eine 50 um dicke Gd-Fe-Schicht auf einer Kupferplatte ge-

bildet wurde. Die Verdampfungsgeschwindigkeit des Fe und Gd wurden während dieser Zeit periodisch geändert. Auf diese Weise wurde ein filmförmiges Target hergestellt, bei dem sich das Verhältnis der Zusammensetzung des Gd zu dem Fe periodisch änderte (in Intervallen"von etwa 200 A), und zwar bei etwa 23% Gd um 1% in Richtung der Schichtdicke des filmförmigen Targets.

Danach wurde das Bedampfen mit dem so hergestellten Target durchgeführt, wodurch ein fotomagnetisches Aufzeichnungsmittel hergestellt wurde. Wenn Informationen auf das fotomagnetische Aufzeichnungsmittel mittels kleiner Punkte aufgezeichnet wurden, wurde eine thermisch stabile Aufzeichnung erhalten.

Claims

on c c -:-"Λ.^: ° A/:.'*"-.'- .1 PATENTANWÄLTE

DR. KADOR & DR KLI

j_ ι _. ■_

K 13 740

Fuji Photo Film Co., Ltd. 21O₇ Nakanuma, Minamiashigara-shi, Kanagawa-ken / JAPAN

Verfahren zur Herstellung eines magnetischen filmförmigen Targets zum Bedampfen.

Patentansprüche

1A Verfahren zur Herstellung eines magnetischen filmförmigen Targets zum Bedampfen, dadurch g e kennzeichnet, daß ein Film aus einem nagnetischen Material auf einem Substrat gebildet wird, wobei ein magnetisches Ausgangsmaterial auf das Substrat durch Ionenbeschichtung aufgetragen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e kennzeichnet, daß das magnetische Ausgangs-

material das gleiche ist wie das magnetische Material.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch g e -

kennzeichnet, daß das magnetische Aus- : gangsmaterial ein elementares metallisches magne

tisches Material ist.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch g e kennzeichnet/ daß das magnetische Ausgangsmaterial ein magnetisches Legierungsmaterial ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e -

j 15 kennzeichnet, daß das magnetische Ausgangs-

material einen Bestandteil zur Bildung des magnetischen

Materials "darstellt.

''
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch g e -

kennzeichnet, daß das magnetische Material

! ein magnetisches Legierungsmaterial ist und alle

j metallischen Bestandteile zur Bildung des magnetischen

Legierungsmaterials als magnetisches Äusgangs-

j material verwendet und gleichzeitig in dem gleichen

System auf dem Substrat durch Ionenbeschichtung aufgetragen werden.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Ionenbeschichtungsverhältnis der betreffenden metallischen Bestandteile mit der Zeit so geändert wird, daß sich ein Film aus dem magnetischen Legierungsmaterial bildet, in dem sich die Filmzusammensetzung quer durch die

Filmschicht ändert.
8. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das magnetische Material eine magnetische Verbindung ist,

die durch die Reaktion eines oder mehrerer metallischer Bestandteile mit einem oder mehreren nicht metallischen Bestandteilen gebildet wird, wobei einer oder mehrere metallische Bestandteile als das magnetische Ausgangsmaterial verwendet und auf das Substrat durch Ionenbeschichtung in einer Atmosphäre aufgetragen werden, die einen oder mehrere nicht metallische Bestandteile enthält, wobei, falls zwei oder mehr metallische Bestandteile verwendet werden, alle diese metallischen Bestandteile gleichzeitig in dem gleichen System durch Ionenbeschichtung aufgetragen werden.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch ge *- " kennzeichnet, daß das magnetische Material Fe₇O₃ ist, wobei Fe als magnetisches Ausgangsmaterial in einer Sauerstoffatmosphäre durch Ionenbeschichtung aufgetragen wird»

TO. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Film 50 μΐη bis 1 mm beträgt=