DE2460827B2

DE2460827B2 - Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Schicht über einer Metallisierungsschicht

Info

Publication number: DE2460827B2
Application number: DE19742460827
Authority: DE
Inventors: Kyu C. Yorktown Heights Park; Elizabeth J. Mt. Kisco Weitzman
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1974-04-19
Filing date: 1974-12-21
Publication date: 1980-12-04
Also published as: FR2267990A1; JPS50139814A; GB1431877A; DE2460827C3; FR2267990B1; IT1031602B; DE2460827A1; JPS5750733B2

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen

einer dielektrischen Schicht über der auf einem Glassubstrat angebrachten Metallisierungsschicht bei der Pertigung von Gasentladungsanzeigetafeln unter Verwendung eines rasterförmig geführten Elektronenstrahls zum Aufheizen eines Horsilikatglasvorrats in einer luftleer gepumpten Kammer zur Bildung eines gleichförmig geschmolzenen Vorrats für einen Strom eines verdampften Quellenmater.ils.

Bisher ging man so vor, daß man über der die Elektroden der Gasentladungsanzeigetafel bildenden Metallisierungsschicht eine Schicht eines isolierenden Glases in Form einer Trübe aufgesprüht hat, das mit der die Metallisierung tragenden Glasoberfläche dadurch verbunden wird, daß man das Substrat einem langwierigen, bei hoher Temperatur durchzuführenden Rückflußzyklus ausgesetzt und dann thermisch die Abkühlung des Glases in einem Ofen gesteuert hat Nachdem diese

to zeitaufwendige Operation beendet und die Glastafel abgekühlt ist, wird eine Überzugsschicht, wie z. B. MgO mit einer hohen Sekundäremission auf die abgebundene Glasschicht in der Weise aufgebracht, daß die Tafel für die Aufdampfung in eine Vakuumkammer eingebracht

υ wird.

Es wurde festgestellt, daß dieser Rückflußzyklus eine thermische Behandlung in einem Ofen erfordert und daß ein solches Verfahren die Gefahr in sich birgt, daß die sehr dünnen und zerbrechlichen Metallisierungen unter dem thermisch zu behandelnden Glas beschädigt und angegriffen werden.

Das Glas, das auf die Elektroden aufgesprüht wird, kann beispielsweise ein Material enthalten, das Elektronen emittiert, oder man kann eine elektronenemittierende Schicht über einem solchen Glas anbringen, die

Elektronen an das Gas in der Anzeigetafel abgibt Eine

derartige Elektronenemission ist bei Niedervoltbetrieb der fertigen Gasentladungsanzeigetafel notwendig.

Aus der DE-PS 16 96110 ist beispielsweise ein

Verfahren zum Herstellen von glasigen Schichten auf Substratmaterialien durch Vakuumaufdampfen mittels Elektronenstrahlen unter Verwendung eines höchstens 10% eines Alkalioxids enthaltenden Mehrkomponentenglases bekannt geworden, das weitgehend entgast

r> sein muß. Dieses Verfahren eignet sich jedoch nicht zum

Aufbringen außergewöhnlich dünner Schichten eines Borsilikatglases auf einem mit einer Metallisierung

versehenen aus Glas bestehenden Substrat

Ein ähnliches Verfahren zE;a Aufdampfen von

glasähnlichen Schichten mittels Elektronenstrahl auf ein Substrat im Hochvakuum ist auch aus der DE-OS 19 23 980 bekannt Wenn es jedoch darum geht, sehr dünne, relativ flexible Schichten aus Borsilikatglas mit niedriger Dielektrizitätskonstante aufzubringen, die

4·; dann noch mit eine"! elektronenemittierend ;n Überzug versehen werden sollen, dann waren die bisher bekannten Verfahren nicht einsetzbar. Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht also darin, ein Verfahren anzugeben, mit dessen Hilfe sich mittels

V) Elektronenstrahl eine relativ dünne, etwa 63 μηι starke, flexible Borsilikatglasschicht auf einfache Weise im Vakuum niederschlagen läßt wodurch man eine Schicht mit niedriger Dielektrizitätskonstante erhält, die billig in der Herstellung, sauber, trocken und optisch glatt ist, sowie eine geringe Streuung für das auffallende Licht und eine hohe Lichtdurchlässigkeit aufweist, alles

Eigenschaften, die für eine Verwendung in Gasentla-

dungsanzeigetafeln wichtig sind

Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß

μ eine geschmolzene Borsilikatmasse mit einer Oberfläche von mindestens 2 cm² bis etwa 10 cm² verwendet wird, daß das zu beschichtende Substrat so lange gegen die Borsilikatglasquelle abgeschirmt wird, bis eine gleichförmige Verdampfungsgeschwindigkeit erreicht

f>5 ist, daß während des Niederschlags der dielektrischen Schicht das Substrat auf einer Temperatur von 200°C bis 300⁰C gehalten wird und daß dabei eine Niederschlagsgeschwindigkeit von 4 bis 8 nm/s eingehalten

wird, daß anschließend die bis zu einer Dicke von 6,5 bis 7 μΐη niedergeschlagene dielektrische Schicht mit einer Geschwindigkeit von 100⁰C je Stunde bis auf eine Temperatur von 500° C aufgeheizt, dann für etwa 30 Minuten bei dieser Temperatur gehalten und anschließend mit einer Geschwindigkeit von 80°C je Stunde von 500⁰C auf Zimmertemperatur abgekühlt wird, daß während des Niederschlags der Borsilikatschicht eine Quelle mit M^O innerhalb der Kammer bereitgehalten und bis zum Abschluß des Niederschlags abgeschirmt gehalten wird und daß dann das MgO in der Kammer auf seine Verdampfungstemperatur erhitzt, die Abschirmung entfernt und die Borsilikatglasschicht mit einer dünnen MgO-Schichtüberzogen wird.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Niederschlagen von Glasschichten mit Hilfe einer Elektronenkanone beginnt also zunächst mit der Herstellung eines Vorrats von 2 cm² bis 10 cm² aus Borsilikatglas, indem man vorzugsweise ein Kathodenstrahl-Erzeugungssystern mit einer Ablenkung des Elektronenstrahls zwischen 90° bis 270° benutzt Zu Beginn wird die für die Verdampfung des Quellenmaterials zugeführte Leistung allmählich bis zu dem Punkt erhöht, der jenseits der Verdampfungstemperatur liegt, und dann bis auf eine stetige Verdampfungstemperatur reduziert Ein unterhalb der Substrathalterung angebrachter Verschluß wird nach Erreichen dieses eingefahrenen Zustandes geöffnet so daß während des tatsächlichen Niederschiagens auf den Substraten jegliche Blasenbildung und jegliches Spritzen unterbleibt Die Substrate werden auf einer erhöhten Temperatur gehalten und, falls notwendig, wird Sauerstoffgas in die Verdampfungskammer eingeleitet da eine Erhöhung des Partialdruckes des Sauerstoffs während des Niederschlags das stoechiometrische Verhältnis verbessert und den Siliciumgehalt des aufgedampften Borsilikatfilms herabsetzt

Die sich ergebenden Glasschichten sind dabei außergewöhnlich stabil und können für die richtige Kapazität und Durchschlagsfestigkeit ausreichend dick gemacht werden und lassen sich außerdem in einer relativ kurzen Zeit herstellen. Weitere Aurgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.

Der Erfindung wird nunmehr anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit der Zeichnung näher beschneiden. In der Zeichnung zeigx

F i g. 1 schematisch einen Querschnitt einer Gasentladungsanzeigetafel, deren dielektrische Schichten nach den Lehren der vorliegenden Erfindung hergestellt sind,

F i g. 1 a eine weitere Ausführungsform der in F i g. 1 gezeigten Struktur und

F i g. 2 schematisch eine Vakuumkammer mit eimern Verdampfungssystem zum Niederschlagen einer aus Glas bestehenden, dielektrischen Schicht über Substraten, die miteinander zur Bildung einer Gasentladungsanzeigetafel dicht verschmolzen werden sollen.

In Fig. 1 ist eine Gasentladungsanzeigetafel 2 dargestellt, die aus einer Platte aus einem Glassubstrat 4 besteht, auf der oder in der parallele Leitungen aus Metall 6 aufgebracht oder eingebettet sind. Ein dielektrisches Material 8, für das vorzugsweise BorsiÜ-katglas verwendet wird, ist durch ein Elektronenstrahl-Niederschlagsverfahren aufgebracht worden, wie es noch anschließend beschrieben wird. Eine zweite Glasplatte, die identisch aufgebracht ist wie die erste Glasplatte, besteht aus einem Glassubstrat 4', in dein parallel angeordnete π .Mallische Leitungen 6' eingebettet sind, über denen eine mit Hilfe von F.lektronenstrahlen niedergeschlagene Schicht 8' aus Borsilikatglas aufgebracht ist Die eine Glasplatte wird so über der anderen Glasplatte angebracht daß alle parallelen metallischen Leiter 6 der einen Platte orthogonal zu allen metallischen Leitungen 6' der zweiten Platte verlaufen. Die beiden Platten werden durch einen rechteckigen Rahmen 10 aus einem massiven, rohrförmigen, der Abdichtung dienenden Glasstab voneinander getrennt der zwischen den beiden Platten angebracht

ίο wird, und man legt auf die Oberseite der obenliegenden Glasplatte Gewichte auf, die das Verschmelzen der beiden Glasplatten mit der Glasdichtung erleichtern, wenn das ganze aufgeheizt wird. Zwischen den Glasplatten wird ein Abstandsstück eingesetzt das den

is Minimalabstand der beiden Platten festlegt wenn während des Verschmelzens Wanne gleichförmig beiden Platten zugeführt wird, so d;iß sich zwischen den beiden Platten ein Abstand von etwa 0,05 bis 0,1 mm ergibt Außerdem wird eine Bohrung 14 durch eine der beiden Glasplatten hindurchgebot··! und ein Rohr 16 wird derart an dieser Bohrung angebracht daß nach Auspumpen des 0,05 bis 0,1 mm weiten Zwischenraums eine Mischung aus Neon und 0,1% Argon oder eine andere geeignete Gasmischung durch das Rohr bis zu einem Druck von 466 bis 655 mbar eingeführt wird. Die Bohrung 40 wird nach Einbringen des ionisierbaren Gases durch Abschmelzen des Rohres 16 dicht verschlossen und an jedem metallischen Leiter 6 bzw. 6' beider Glasplatten werden entsprechi^ide stromführende Leitungen angeschlossen, so daß der Gasentladungsanzeigetafel die entsprechenden Betriebsspannungen zugeleitet werden können. Für die metallische Leitung 6 ist keine Anschlußleitung dargestellt da das Ende dieser Leitung in F i g. 1 nicht zu sehen ist

J5 Für den Betrieb der fertigen Gasentladungs-Anzeigetafe! gemäß F i g. 1 muß die dielektrische Schicht 8 Elektronen emittieren können. Dies kann man beispielsweise dadurch erreichen, daß man irnerhilb des Borsilikatglases elektronenemittierende Materialien einbringt oder daß man auf der Borsilikatglasschicht ei'3 elektronenemittierende Schicht 21 (vergl. Fig. la) über der Schicht 8 aufbringt Eine geeignete, elekironenemittierende Schicht besteht aus MgO.

Das System zum Niederschlagen der Borsilikatglas-

schicht 8 und, falls gewünscht, einer Mgö-Schicht 21, ist schematisch in F i g. 2 gezeigt Das System besteht dabei aus einer ausgepumpten Kammer oder Glocke 22, in der der Niederschlag der Glasschicht 8 und der MgO-Schicht 21 nacheinander durch zwei aufeinanderfolgende Verdampfungen bei einem einzigen Auspumpvorgang vorgenommen wird. Innerhalb der Kammer 22 befindet sich ein Kupferschiffchen 24, in dem ein Vorrat aus Borsilikatglas 26 angebracht ist Eine aus Wolframdraht bestehende Heizwendel 28 liegt innerhalb des Gehäuses des Schiffchens 24 und isi mit einer Stromquelle 30 zum Aufheizen der Heizwendel 28 verbunden. Die von der Heizwendel 28 emittierten Elektronen 32, die gestrichelt dargestellt sind, werden von einem Magneten M innerhalb des Schiffchens 24 in

Richtung auf das Quellenmateriai 26 abgelenkt wodurch dieses erhitzt wird. Eine X-Y-Abtenkfiinhe!t 31 gestattet eine Einstellung des Elektronenstrahls und eine automatische Steuerung des Elektronenstrahls bei seiner Abtastung in Längs- und Querrichtung, so daß

b5 der große Oberfläthenbereich des Quellenmaterials 26 gleichmäßig aufgeheizt wird. Die Blenden 38 und 39 sind zwischcm dem Quellenmaterial 26 und einem Substrat 4 mit seiner Metallisierung b angeordnet und sollen mit

dem vom Quellenmaterial 26 ausgehenden, verdampften Material überzogen werden. Ein weiteres Schiffchen 24' ist auf der anderen Seite einer Abschirmung 36, die die Schiffchen 24 und 24' voneinander trennt, angeordnet, so daß eine gegenseitige Verunreinigung verhindert ist. In den Schiffchen 24' sind Einkristalle aus MgO als Quellenmaterial 26' eingebracht, und der Niederschlag der MgO-Schicht 21 über der Glasschicht 8 wird durch öffnen der Blenden 38' und 39 während der Verdampfung der gewünschten Menge MgO durchgeführt. Die Blende 38' liegt in einer anderen Ebene als die Blende 38, so daß die Quelle 26' aus MgO mit Elektronen bombardiert wird, die aus der ihr zugeordneten Heizwendel 28' stammen. Der Klarheit halber ist die Stromquelle zum Aufheizen der Heizwendel 28' oder zum Ablenken der emittierten Elektronen auf die MgO-Quelle 26' nicht dargestellt. Während der getrennten Niederschläge der verschiedenen Stoffe von den Queiien 26 bzw. 26' wiiu die Dicke uei niedergeschlagenen Schichten 8 bzw. 21 durch einen Detektor 42 überwacht. Eine Heizvorrichtung oder Heizwendel 48 hält das Substrat 4 während des Niederschlags der Glasschicht 8 und der elektronenemittierenden Schicht 2t auf einer entsprechenden erhöhten Temperatur.

Bei einem in der Praxis durchgeführten Niederschlag wurde die Borsilikatquelle 26 durch Bombardieren mit Elektronenstrahl in einer unter einem Vakuum von 1,333 · 10-⁶mbar stehenden Kammer erhitzt, so daß sich eine geschmolzene Borsilikatglasmasse mit einer Fläche von 2 bis IO cm² ergab. Die zur Verdampfung des Borsilikatglases erforderliche Leistung wurde langsam hochgefahren, wobei die vorbestimmte Fläche gleichförmig auf eine Temperatur aufgeheizt war, die etwas höher lag als die für eine stetige, gleichmäßige Verdampfungsgeschwindigkeit erforderliche Temperatur. Es wurde als wünschenswert gefunden, während der Aufheizperiode die für die gleichförmige Verdampfungsgeschwindigkeit erforderliche Leistung nicht zu überschreiten. Ein Überschreiten um 20% oder weniger ist zulässig. Es ist dabei außerordentlich wichtig, daß zunächst ein großer, gleichförmiger, erhitzter, geschmolzener Vorrat an zu verdampfendem Material hergestellt wird, um eine unerwünschte Fraktionierung zu vermeiden. Eine gleichförmige Erhitzung über einen großen Bereich wurde durch sorgfältige Steuerung der Längs- und Querabtastungen des Elektronenstrahls, unterstützt durch Ansätze an Polschuhen und Nebenschlüsse durchgeführt sowie durch eine gleichzeitige Überwachung der Aufheizgeschwindigkeit. Das Substrat 4 wurde während der Verdampfung des Borsilikatglases auf einer Temperatur von 200⁰C gehalten und die Blende 38 Srurde so lange zwischen der Quelle 26 und dem Substrat 4 gehalten, bis die Quelle 26 mit gleichbleibender Verdampfungsgeschwindigkeit arbeitete, worauf zu diesem Zeitpunkt die Blende aus der Bahn der Verdampfungsmaterialquelle 26 herausgemommen wurde. Es wurde festgestellt, daß man eine 63 bis 7 nm starke Schicht 8 aus Borsilikatglas in 20 min niederschlagen kann. Die niedergeschlagene Schicht 8 war transparent und glatt.

Es wurde eine Reihe von Versuchen mit verschiedenen Glassubstraten gefahren, wobei das verwendete Borsilikatglas einen Wärmeausdehnungskoeffizienten im Bereich von 25 bis 100 χ 10-⁷⁰C-¹ hatte. Die Zusammensetzung des stabilen Borsiükatfiims 8 schwankte wie folgt: SiO₂ (82 - 89 Gew.-%); B₂O₃ (8-15 Gew.-%); Na₂O (1,7 bis 2,4 Gew.-%) und alle Filme enthielten eine Spur von AbO]. In der folgenden Tabelle sind die Bestandteile der niedergeschlagenen Filme 8 bei verschiedenen Verdampfungsgeschwindigkeiten in nm/s angegeben. Der Prozentsatz von AIjOj war in allen -, aufgedampften Filmschichten kleiner als 0,09'%.

Tabelle I
in Probe Verdampfung*- SiOi N.iiO

(nm A/s) Kiew.-".) ((ie».-' )

8.1
2,5
2.4
4.7
.1.4
)S)
3.8
9.5
13.8
10,2
6.9

85.8
87.2
87.5
84,7
87.1
89.3
88.6
85,0
81,0
82,8
82,0

t 2

2.(>3 ± o.

1.68

2.06

2.36

2.0!

2.08

1.70

2.(W

1.77

2,10

2.23

Falls erwünscht, kann während der Verdampfung des Borsilikatglases als Film 8 Sauerstoff in die Kammer

in eingeführt werden. Mit zunehmendem Verbrauch des Quellenmaterials aus Borsilikatglas 26 nahm der SiO₂-Gehalt des Filmes 8 zu, wählend der SiO₂-Gehalt mit zunehmendem Partialdruck des Sauerstoffes abnahm, wobei dieser während des Aufdampfens des

ii Filmes8 aufrechterhalten wird.

Ein weiterer Vorteil ergibt sich aus dem Niederschlag der dielektrischen Schicht 8 mit Hilfe eines Elektronenstrahls durch die geringen Spannungen, die die Schicht 8 aufweist. Man hat festgestellt, daß bei einer Verdampfungsgeschwindigkeit von 4 bis 8 nm/s in dem niedergeschlagenen Vorsilikatfilm nur kleinste Spannungen vorhanden waren. Während der NajO-Gehalt des Quellenmaterials 26 und des Films 8 ungefähr gleich sind, so unterscheidet sich doch der AI₂O3-Gehalt des

'-, Quellenmaterials und der niedergeschlagenen Schicht um etwa 2,5%, wobei der geringere Anteil in der Schicht 8 vorhanden ist Während die Spannung im Film 8 eine Druckspannung von etwa 4-'° - 10⁷ Pa beträgt, wird doch die Spannung in dem Film 8, wenn die beiden Platten mit den Substraten 4 bzw. 4' bei 500⁰C für 30 min in einem üblichen Abdichtungszyklus Jicht verschmolzen werden, auf null bzw. auf nicht mehr meßbare Werte verringert Ein typischer Abdichtungszyklus besteht darin, daß man die beiden Platten 4 und 4', nachdem die dielektrischen Schichten 8 niedergeschlagen sind, mit einer Geschwindigkeit von 100* C je std bis auf 500⁰C erhitzt Die miteinander verschmolzenen Platten werden für 30 min auf dieser Temperatur gehalten und werden dann mit einer Abkühlungsgeschwindigkeit von 80° C je std auf Zimmertemperatur abgekühlt Obgleich die Abkühlgeschwindigkeit von 80° je std als sehr zufriedenstellende obere Grenze festgestellt wurde, so sind doch alle kleineren Abkühlgeschwindigkeiten ebenso zufriedenstellend und brauchbar.

Tabeiie 2 gibt eine Zusammenfassung der Daten der Zusammensetzungen des Quellenmaterials 26 bzw. des Filmes 8.

Tabelle 2

/iisiimnionset/ung OuelleniiKikn.il I Mm

SiO.
H,O,

AUj.
Na,O

83,0

11,0

2.5

2.2

82 89 Gew. 8-15 0,09 1.7 2.4

Durch Verwendung des Niederschlagsverfahrens mit Hilfe eines Kathodenstrahl-Frzeugungssystems zum Aufbringen einer Glasisolierschicht über den F.lektroden 6 lassen sich relativ dicke (5 bis 50 μπι) stabile Filme 8 erzeugen. Hält man außerdem noch eine verhältnismäßig große (2 bis IOcm^;) Quelle aus Borsilikatglas aufrecht, dann lassen sich größere flächen bei gegebener Verdampfungsgeschwindigkeit mit einem

Film überziehen. Die erhöhten Temperaluren (annähernd 200 bis J00"C") des Substrats A verbessern die dielektrischen Eigenschaften des Glasfilms 8, so daß ein dielektrischer Überzug entsteht, der die guten elektrischen und optischen Eigenschaften aufweist, die für die Herstellung einer Gasentladungsanzeigelafcl erforderlich sind. Tatsächlich liefert das Niederschlagsverfahren mit einem Kathodenstrahlerzeugung einen Film 8 mit hoher dielektrischer Durchschlagsfestigkeit, der optisch glatt ist, eine hohe !,khtdurchlässigkeit aufweist und sich relativ schnell und kostengünstig herstellen läßt. Es soll dann noch angemerkt werden, daß die Summe der Gewichtsprozente des Quellenmaterials 26 in Tabelle 2 etwas kleiner als 100% ist. Die Anteile von SiOj und B2O1 werden jedoch von Charge zu Charge verschieden sein, so daß eine solche Veränderung normalerweise diese Differenz zu 100% ausgleichen wird.

Hierzu I IiIiHl /cichnunucn

Claims

Patentansprüche;

1. Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Schicht über der auf einem Glassubstrat angebrachten Metallisierungsschicht bei der Fertigung von Gasentladungsanzeigetafeln unter Verwendung eines rasterförmig geführten Elektronenstrahls zum Aufheizen eines Borsilikatglasvorrats in einer luftleer gepumpten Kammer zur Bildung eines gleichförmig geschmolzenen Vorrats für einen Strom eines verdampften Quellenmaterials, dadurch gekennzeichnet, daß eine geschmolzene Borsilikatmasse mit einer Oberfläche von mindestens 2 cm² bis etwa 10 cm² verwendet wird, daß das zu beschichtende Substrat so lange gegen die Borsilikatglasquelle abgeschirmt wird, bis eine gleichförmige Verdampfungsgeschwindigkeit erreicht ist

daß wäfe=end des Niederschlags der dielektrischen Schient das Substrat auf einer Temperatur von 200⁰C bis 300⁰C gehalten wird und daß dabei eine Niederschlagsgeschwindigkeit von 4 bis 8nm/s eingehalten wird,

daß anschließend die bis zu einer Dicke von 63 bis 7 urn niedergeschlagene dtelekrrische Schicht mit einer Geschwindigkeit von 100⁰C je Stunde bis auf eine Temperatur von 500⁰C aufgeheizt dann für etwa 30 Minuten bei dieser Temperatur gehalten und anschließend mit einer Geschwindigkeit von 80⁰C je S'-.'iide von 500⁰C auf Zimmertemepratur abgekühlt wird,

daß während des Niederschlags der Borsilikatglasschicht eine Quelle mit MgO innerhalb der Kammer bereitgehalten und bis zum Abschluß des Niederschlags abgeschirmt gehalten wird, und
daß dann das MgO in der Kammer auf seine Verdampfungstemperatur erhitzt die Abschirmung entfernt und die Borsilikatglasschicht mit einer dünnen MgO-Schicht überzogen wird.

2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet daß während des Niederschlags <hs Borsilikatglases in der Kammer ein Druck von 1,333 χ 10-' mbar aufrechterhalten wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das verwendete Borsilikatglas in Gewichtsprozent aus mindestens 83% SiO₂, 11% B₂O₃,23% AI₂O₃ und 2,2% Na₂O besteht.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet daß das Substrat einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von 25-10Ox 10-''C"¹ aufweist und

daß die Zusammensetzung der niedergeschlagenen Schicht in Gewichtsprozent bei 82% bis 89% SiO₂. 8% bis 15% B₂O₃ und 1,7% bis 2,4% Na₂O liegt