DE3100670C2 - Metall-Oxid-Halbleiter-Vorrichtung - Google Patents

Metall-Oxid-Halbleiter-Vorrichtung

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DE3100670C2
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Kiyoshi Morimoto
Toshinori Nagaokakyo Kyoto Takagi
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/66—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes
    • H10D64/68—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes characterised by the insulator, e.g. by the gate insulator

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1812455C3 (de) * 1968-12-03 1980-03-13 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen einer aus einem Metalloxyd bestehenden isolierenden Schutzschicht an der Oberfläche eines Halbleiterkristalls

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